JPH08208575A - Ｎ−アルケニルカルボン酸アミドの製法 - Google Patents
Ｎ−アルケニルカルボン酸アミドの製法Info
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- JPH08208575A JPH08208575A JP7280758A JP28075895A JPH08208575A JP H08208575 A JPH08208575 A JP H08208575A JP 7280758 A JP7280758 A JP 7280758A JP 28075895 A JP28075895 A JP 28075895A JP H08208575 A JPH08208575 A JP H08208575A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C231/00—Preparation of carboxylic acid amides
- C07C231/08—Preparation of carboxylic acid amides from amides by reaction at nitrogen atoms of carboxamide groups
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 下記一般式Ｉで示されるＮ−アルケニルカル
ボン酸アミドの新規の製法。 【解決手段】 下記式ＩＩのアミドと下記式ＩＩＩのカ
ルボニル化合物を塩基の存在下で反応させ、この場合、
ａ）該反応を下記式ＩＶのカルボン酸誘導体の存在下で
行なうか、ｂ）あるいは式ＩＶのカルボン酸誘導体の存
在下で続行し、かつ式Ｉのアミドを単離する。 【効果】 技術的に困難でありしかも収率が低く、その
上、難揮発性生成物を得ることができなかった公知技術
の欠点が回避された。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】
ボン酸アミドの新規の製法。 【解決手段】 下記式ＩＩのアミドと下記式ＩＩＩのカ
ルボニル化合物を塩基の存在下で反応させ、この場合、
ａ）該反応を下記式ＩＶのカルボン酸誘導体の存在下で
行なうか、ｂ）あるいは式ＩＶのカルボン酸誘導体の存
在下で続行し、かつ式Ｉのアミドを単離する。 【効果】 技術的に困難でありしかも収率が低く、その
上、難揮発性生成物を得ることができなかった公知技術
の欠点が回避された。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般式Ｉ：
【０００２】
【化５】
【０００３】〔式中、Ｒ1〜Ｒ4は相互に無関係に水素原
子、場合によっては不活性置換基を有する脂肪族、脂環
式もしくは芳香族の基を表わす〕で示されるＮ−アルケ
ニルカルボン酸アミドの新規の製法に関する。
子、場合によっては不活性置換基を有する脂肪族、脂環
式もしくは芳香族の基を表わす〕で示されるＮ−アルケ
ニルカルボン酸アミドの新規の製法に関する。
【０００４】式Ｉの生成物は、求められている中間生成
物である。Ｎ−アルケニルカルボン酸アミドは、公知方
法で重合させることができ、かつ引き続き、加水分解に
よって相応するポリビニルアミンに変換することができ
る。この重合体、特にポリビニルホルムアミンは、例え
ば染料、医薬品、製紙工業における凝集剤及び粘度調整
剤（Linhard他、Das Papier 46/10A (1992), V 38〜45
頁）の製造に使用される。
物である。Ｎ−アルケニルカルボン酸アミドは、公知方
法で重合させることができ、かつ引き続き、加水分解に
よって相応するポリビニルアミンに変換することができ
る。この重合体、特にポリビニルホルムアミンは、例え
ば染料、医薬品、製紙工業における凝集剤及び粘度調整
剤（Linhard他、Das Papier 46/10A (1992), V 38〜45
頁）の製造に使用される。
【０００５】
【従来の技術】Ｎ−ビニルホルムアミドは、熱分解によ
って約３００〜４００℃でエチリデンホルムアミドから
得ることができる。エチリデンホルムアミドは、例え
ば、水銀触媒下で酸性溶液中でホルムアミドと酢酸ビニ
ルから（ドイツ国特許出願公開第４０３６０９７号明細
書）か、又はホルムアミドとアセトアルデヒドから酸性
触媒の存在下で得ることができる（米国特許第４４９０
５５７号明細書）。
って約３００〜４００℃でエチリデンホルムアミドから
得ることができる。エチリデンホルムアミドは、例え
ば、水銀触媒下で酸性溶液中でホルムアミドと酢酸ビニ
ルから（ドイツ国特許出願公開第４０３６０９７号明細
書）か、又はホルムアミドとアセトアルデヒドから酸性
触媒の存在下で得ることができる（米国特許第４４９０
５５７号明細書）。
【０００６】他の製造過程は、中間生成物、例えばＮ−
アセチルエチルホルムアミド（G. Parris, App. Cata
l., 78 (1991) 65）、Ｎ−アルコキシエチルホルムアミ
ド（ドイツ国特許出願公開第３６２２０１３号明細書、
同第３５２０８２９号明細書、米国特許第４６７０５３
１号明細書）、Ｎ−ヒドロキシエチルホルムアミド（ド
イツ国特許出願公開第３５００７７３号明細書）及びＮ
−シアノエチルホルムアミド（ドイツ国特許出願公開第
３４４３４６３号明細書）を経由して進行する。これら
化合物は、約３００〜４００℃の比較的高い温度で酢
酸、アルコール、水もしくはシアン化水素を脱離する。
アセチルエチルホルムアミド（G. Parris, App. Cata
l., 78 (1991) 65）、Ｎ−アルコキシエチルホルムアミ
ド（ドイツ国特許出願公開第３６２２０１３号明細書、
同第３５２０８２９号明細書、米国特許第４６７０５３
１号明細書）、Ｎ−ヒドロキシエチルホルムアミド（ド
イツ国特許出願公開第３５００７７３号明細書）及びＮ
−シアノエチルホルムアミド（ドイツ国特許出願公開第
３４４３４６３号明細書）を経由して進行する。これら
化合物は、約３００〜４００℃の比較的高い温度で酢
酸、アルコール、水もしくはシアン化水素を脱離する。
【０００７】上記製法は、二段階でありかつ熱による脱
離段階を必要とする。従って、この熱による脱離段階
は、技術的に比較的困難であり、かつ、必要とされる高
い反応温度での価値ある生成物の損失という理由から不
満足な全体収率しか生じさせない。さらにこの製法は、
蒸発性中間化合物に制限され、その結果、難揮発性生成
物は、製造することができない。
離段階を必要とする。従って、この熱による脱離段階
は、技術的に比較的困難であり、かつ、必要とされる高
い反応温度での価値ある生成物の損失という理由から不
満足な全体収率しか生じさせない。さらにこの製法は、
蒸発性中間化合物に制限され、その結果、難揮発性生成
物は、製造することができない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、公知方法の上記欠点を回避する方法を提供すること
であった。
は、公知方法の上記欠点を回避する方法を提供すること
であった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】一般式ＩＩ：
【００１０】
【化６】
【００１１】〔式中、基Ｒ1は上記の意味を有する〕で
示されるアミドと一般式ＩＩＩ：
示されるアミドと一般式ＩＩＩ：
【００１２】
【化７】
【００１３】〔式中、基Ｒ2〜Ｒ4は上記の意味を有す
る〕で示されるカルボニル化合物と塩基の存在下で反応
させ、この場合、 ａ） 該反応を一般式ＩＶ：
る〕で示されるカルボニル化合物と塩基の存在下で反応
させ、この場合、 ａ） 該反応を一般式ＩＶ：
【００１４】
【化８】
【００１５】〔式中、基Ｒ5は水素原子、アルキル基も
しくはアリール基を表わし、Ｘはハロゲン原子、アルコ
キシ基もしくはカルボキシアルキル基を表わす〕で示さ
れるカルボン酸誘導体の存在下で行なうか、 ｂ） あるいは式ＩＶのカルボン酸誘導体の存在下で続
行し、かつ式Ｉのアミドを単離することによって特徴づ
けられる、式ＩのＮ−アルケニルカルボン酸アミドの製
法が見いだされた。
しくはアリール基を表わし、Ｘはハロゲン原子、アルコ
キシ基もしくはカルボキシアルキル基を表わす〕で示さ
れるカルボン酸誘導体の存在下で行なうか、 ｂ） あるいは式ＩＶのカルボン酸誘導体の存在下で続
行し、かつ式Ｉのアミドを単離することによって特徴づ
けられる、式ＩのＮ−アルケニルカルボン酸アミドの製
法が見いだされた。
【００１６】本発明による方法によれば式ＩＩのアミド
は、変換される。基Ｒ1は、水素原子を表わすことがで
き、このことは有利であるが、しかしさらにまた脂肪族
基、例えばアルキル基、例えばＣ1〜Ｃ6−アルキル基、
もしくはアルケニル基、例えばＣ2〜Ｃ6−アルケニル基
を表わすことができる。
は、変換される。基Ｒ1は、水素原子を表わすことがで
き、このことは有利であるが、しかしさらにまた脂肪族
基、例えばアルキル基、例えばＣ1〜Ｃ6−アルキル基、
もしくはアルケニル基、例えばＣ2〜Ｃ6−アルケニル基
を表わすことができる。
【００１７】さらにＲ1は、脂環式基、例えばＣ4〜Ｃ7
−シクロアルキル基又は芳香族基、例えばＣ6〜Ｃ10−
アリール基を表わすことができる。全ての基、殊に芳香
族基は、反応条件下で不活性である置換基、例えばハロ
ゲン原子、ニトロ基、アルコキシ基及びアルキル基を有
していてもよい。例えば、式ＩＩの化合物としてホルム
アミド、アセトアミド、プロピオン酸アミド、クロトン
酸アミド、アクリルアミド及びベンズアミドが挙げられ
る。
−シクロアルキル基又は芳香族基、例えばＣ6〜Ｃ10−
アリール基を表わすことができる。全ての基、殊に芳香
族基は、反応条件下で不活性である置換基、例えばハロ
ゲン原子、ニトロ基、アルコキシ基及びアルキル基を有
していてもよい。例えば、式ＩＩの化合物としてホルム
アミド、アセトアミド、プロピオン酸アミド、クロトン
酸アミド、アクリルアミド及びベンズアミドが挙げられ
る。
【００１８】式ＩＩのアミドは、式ＩＩＩのカルボニル
化合物と反応する。基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、基Ｒ1につい
て先に記載された基を表わすことができる。
化合物と反応する。基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、基Ｒ1につい
て先に記載された基を表わすことができる。
【００１９】例えばアセトアルデヒド、プロピオンアル
デヒド、ベンズアルデヒド、アクロレイン、クロトンア
ルデヒド、アセトン、ジエチルケトン、１−ブタノン、
アセトフェノン及びメチルビニルケトンが挙げられ、こ
れらの中でアセトアルデヒド及びアセトンは、有利であ
る。
デヒド、ベンズアルデヒド、アクロレイン、クロトンア
ルデヒド、アセトン、ジエチルケトン、１−ブタノン、
アセトフェノン及びメチルビニルケトンが挙げられ、こ
れらの中でアセトアルデヒド及びアセトンは、有利であ
る。
【００２０】使用されるアミドに対するカルボニル化合
物の量は、広い範囲内で変化することができる。アミド
１当量につき通常０．５〜１０当量、有利に０．８〜
１．２当量のカルボニル化合物が変換される。
物の量は、広い範囲内で変化することができる。アミド
１当量につき通常０．５〜１０当量、有利に０．８〜
１．２当量のカルボニル化合物が変換される。
【００２１】式ＩＩ及びＩＩＩの出発化合物は、塩基、
有利にブロンステッド塩基の存在下で反応する。このた
めに無機ならびに有機の塩基が使用される。塩基は、詳
細にはアルカリ金属及びアルカリ土類金属の炭酸塩及び
炭酸水素塩、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム及び
炭酸水素ナトリウム、第四アンモニウムカーボネート、
例えばテトラメチルアンモニウムカーボネート、アミ
ド、例えばアルカリ金属アミド、例えばナトリウムアミ
ド及びカリウムアミド、水酸化物、例えばアルカリ金属
水酸化物、例えば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及
び水酸化カリウム、アルカリ金属カルボン酸塩、例えば
酢酸ナトリウム、アルコラート、例えばアルカリ金属ア
ルコラート、例えばナトリウムメタノラート、ナトリウ
ムエタノラート、カリウムメタノラート及びカリウム−
ｔ−ブタノラートである。水酸化カリウムは、クラウン
エーテル、例えば１８−クラウン−６と一緒に使用する
こともできる。
有利にブロンステッド塩基の存在下で反応する。このた
めに無機ならびに有機の塩基が使用される。塩基は、詳
細にはアルカリ金属及びアルカリ土類金属の炭酸塩及び
炭酸水素塩、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム及び
炭酸水素ナトリウム、第四アンモニウムカーボネート、
例えばテトラメチルアンモニウムカーボネート、アミ
ド、例えばアルカリ金属アミド、例えばナトリウムアミ
ド及びカリウムアミド、水酸化物、例えばアルカリ金属
水酸化物、例えば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及
び水酸化カリウム、アルカリ金属カルボン酸塩、例えば
酢酸ナトリウム、アルコラート、例えばアルカリ金属ア
ルコラート、例えばナトリウムメタノラート、ナトリウ
ムエタノラート、カリウムメタノラート及びカリウム−
ｔ−ブタノラートである。水酸化カリウムは、クラウン
エーテル、例えば１８−クラウン−６と一緒に使用する
こともできる。
【００２２】さらに塩基としてアミン、例えばアンモニ
アならびに第一アミン、第二アミン及び第三アミンは使
用され、この中で第三アミンは、有利である。該アミン
は、脂肪族、脂環式もしくは芳香族基を有していてもよ
く、例えばトリアルキルアミン、例えばトリオクチルア
ミン、エチルジイソプロピルアミン、ジエチルイソプロ
ピルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、トリエチ
ルアミン、さらに環状アミン、例えば２，２，６，６−
テトラメチルピペリジン、１，４−ジアザビシクロ
［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ
［５．４．０］ウンデク−７−エン、１，５−ジアザビ
シクロ［４．３．０］ノン−５−エン、脂肪族基及び芳
香族基を有しているアミン、例えば１，８−ビス（ジメ
チルアミノ）−ナフタレン及び４−ジメチルアミノピリ
ジンならびに複素環式アミン、例えばＮ−アルキルイミ
ダゾール及びＮ−アリールイミダゾール、例えばＮ−メ
チルイミダゾール及びＮ−ブチルイミダゾールが挙げら
れる。さらにアミド、例えばジアルキルカルボン酸アミ
ド、例えばジブチルホルムアミドは、使用される。本発
明による方法は、通常スルホン化スチレン−ジビニルベ
ンゾール共重合体からなる塩基性イオン交換体、例えば
アンバーライト(Amberlite,登録商標)、レワチット(Lew
atit,登録商標)及びプラリット(Puralit,登録商標)の存
在下で、及び塩基性ゼオライト、例えばハイドロタルク
石の存在下で実施することもできる。
アならびに第一アミン、第二アミン及び第三アミンは使
用され、この中で第三アミンは、有利である。該アミン
は、脂肪族、脂環式もしくは芳香族基を有していてもよ
く、例えばトリアルキルアミン、例えばトリオクチルア
ミン、エチルジイソプロピルアミン、ジエチルイソプロ
ピルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、トリエチ
ルアミン、さらに環状アミン、例えば２，２，６，６−
テトラメチルピペリジン、１，４−ジアザビシクロ
［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ
［５．４．０］ウンデク−７−エン、１，５−ジアザビ
シクロ［４．３．０］ノン−５−エン、脂肪族基及び芳
香族基を有しているアミン、例えば１，８−ビス（ジメ
チルアミノ）−ナフタレン及び４−ジメチルアミノピリ
ジンならびに複素環式アミン、例えばＮ−アルキルイミ
ダゾール及びＮ−アリールイミダゾール、例えばＮ−メ
チルイミダゾール及びＮ−ブチルイミダゾールが挙げら
れる。さらにアミド、例えばジアルキルカルボン酸アミ
ド、例えばジブチルホルムアミドは、使用される。本発
明による方法は、通常スルホン化スチレン−ジビニルベ
ンゾール共重合体からなる塩基性イオン交換体、例えば
アンバーライト(Amberlite,登録商標)、レワチット(Lew
atit,登録商標)及びプラリット(Puralit,登録商標)の存
在下で、及び塩基性ゼオライト、例えばハイドロタルク
石の存在下で実施することもできる。
【００２３】さらに式ＩＩ及びＩＩＩの出発化合物は、
式ＩＶのカルボン酸誘導体と反応する。該カルボン酸誘
導体は、水素原子の他にアルキル基、有利にＣ1〜Ｃ6−
アルキル基又はアリール基、例えばＣ6〜Ｃ10−アリー
ル基、例えばフェニル基を表わす基Ｒ5を有している。
Ｘは、ハロゲン原子、例えば塩素原子もしくは臭素原
子、カルボキシアルキル基、有利にカルボキシ−Ｃ1〜
Ｃ4−アルキル基、又は有利にアルコキシ基、特にＣ1〜
Ｃ4−アルコキシ基、例えばエトキシ基を意味する。式
ＩＶのカルボン酸誘導体としてのエステルの使用は、カ
ルボン酸ハロゲン化物もしくはカルボン酸無水物の使用
と比較して有利であり、それというのもエステルの場合
には、使用されている塩基を中和しうる酸を副生成物と
して生じさせないからである。
式ＩＶのカルボン酸誘導体と反応する。該カルボン酸誘
導体は、水素原子の他にアルキル基、有利にＣ1〜Ｃ6−
アルキル基又はアリール基、例えばＣ6〜Ｃ10−アリー
ル基、例えばフェニル基を表わす基Ｒ5を有している。
Ｘは、ハロゲン原子、例えば塩素原子もしくは臭素原
子、カルボキシアルキル基、有利にカルボキシ−Ｃ1〜
Ｃ4−アルキル基、又は有利にアルコキシ基、特にＣ1〜
Ｃ4−アルコキシ基、例えばエトキシ基を意味する。式
ＩＶのカルボン酸誘導体としてのエステルの使用は、カ
ルボン酸ハロゲン化物もしくはカルボン酸無水物の使用
と比較して有利であり、それというのもエステルの場合
には、使用されている塩基を中和しうる酸を副生成物と
して生じさせないからである。
【００２４】無水酢酸、無水プロピオン酸及びアセチル
クロリドの他に化合物、例えば蟻酸メチル、蟻酸エチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、プロピオン酸メチル及び
プロピオン酸エチルは、使用される。
クロリドの他に化合物、例えば蟻酸メチル、蟻酸エチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、プロピオン酸メチル及び
プロピオン酸エチルは、使用される。
【００２５】使用される式ＩＶのカルボン酸誘導体の量
は、通常０．５〜１０当量、有利に０．８〜１．２当量
である。
は、通常０．５〜１０当量、有利に０．８〜１．２当量
である。
【００２６】塩基の量は、式ＩＩのアミド１当量につき
通常０．１〜５当量である。式ＩＶのカルボン酸エステ
ルが使用される場合には、０．５〜１．５当量の塩基は
有利であり、これに対してカルボン酸ハロゲン化物及び
カルボン酸無水物の場合には１．５〜２．５当量の塩基
は有利である。
通常０．１〜５当量である。式ＩＶのカルボン酸エステ
ルが使用される場合には、０．５〜１．５当量の塩基は
有利であり、これに対してカルボン酸ハロゲン化物及び
カルボン酸無水物の場合には１．５〜２．５当量の塩基
は有利である。
【００２７】反応は有利に溶剤なしで実施されるのであ
るが、しかしながら溶剤、例えば非プロトン性溶剤、エ
ーテル、例えばテトラヒドロフラン、芳香族炭化水素、
例えばトルエン及びキシレン、さらにアセトニトリル、
ヘキサメチル燐酸トリアミド、スルホン及びジメチルス
ルホキシドは、添加してもよい。該溶剤の量は、全配合
物に対して通常１０〜９０重量％である。
るが、しかしながら溶剤、例えば非プロトン性溶剤、エ
ーテル、例えばテトラヒドロフラン、芳香族炭化水素、
例えばトルエン及びキシレン、さらにアセトニトリル、
ヘキサメチル燐酸トリアミド、スルホン及びジメチルス
ルホキシドは、添加してもよい。該溶剤の量は、全配合
物に対して通常１０〜９０重量％である。
【００２８】反応温度は、通常０〜１５０℃、有利に２
０〜１００℃、特に有利に３０〜８０℃である。通常、
本方法は、常圧で実施することができる。しかしながら
揮発しやすい出発化合物が使用される場合には、反応を
反応混合物のそれぞれの自己圧力で行なうことが有利で
あることが判明している。
０〜１００℃、特に有利に３０〜８０℃である。通常、
本方法は、常圧で実施することができる。しかしながら
揮発しやすい出発化合物が使用される場合には、反応を
反応混合物のそれぞれの自己圧力で行なうことが有利で
あることが判明している。
【００２９】本発明による方法は、連続的に実施するこ
ともできるし、不連続的に実施することもできる。反応
器として撹拌型反応器の他に管型反応器が使用される。
ともできるし、不連続的に実施することもできる。反応
器として撹拌型反応器の他に管型反応器が使用される。
【００３０】有利な変法（ａ）によれば、反応は、ワン
ポット反応として実施される。出発化合物ＩＩ、ＩＩＩ
及びＩＶならびに塩基は、混合されかつ反応温度にされ
る。出発化合物の添加の順序は、それ自体重要ではな
い。塩基及び式ＩＩのアミドを予め装入し、さらに式Ｉ
ＩＩのカルボニル化合物と式ＩＶのカルボン酸誘導体か
らなる混合物又はこれら各成分を添加することが有利で
あることが判明している。
ポット反応として実施される。出発化合物ＩＩ、ＩＩＩ
及びＩＶならびに塩基は、混合されかつ反応温度にされ
る。出発化合物の添加の順序は、それ自体重要ではな
い。塩基及び式ＩＩのアミドを予め装入し、さらに式Ｉ
ＩＩのカルボニル化合物と式ＩＶのカルボン酸誘導体か
らなる混合物又はこれら各成分を添加することが有利で
あることが判明している。
【００３１】変法（ｂ）によれば、先ず式ＩＩのアミド
と式ＩＩＩのカルボニル化合物が、反応条件下で反応し
（反応の検査は、ガスクロマトグラフィーにより行なう
ことができる）、かつ引き続き式ＩＶのカルボン酸誘導
体とさらに反応する。
と式ＩＩＩのカルボニル化合物が、反応条件下で反応し
（反応の検査は、ガスクロマトグラフィーにより行なう
ことができる）、かつ引き続き式ＩＶのカルボン酸誘導
体とさらに反応する。
【００３２】全ての反応は、通常１〜１２時間後に終了
している。
している。
【００３３】このようにして得られた反応混合物は、自
体公知の方法で後処理することができる。通常、生成物
は、蒸留により分離することができる。蒸留塔底部に、
反応の際に生じた塩から有機塩基の遊離のために強酸、
例えば苛性ソーダ液を添加することができる。引き続
き、遊離された塩基は、抽出によって単離することもで
きるし、蒸留によって単離することもできる。本発明に
よる反応の際に、蒸発しやすい塩類似化合物、例えば第
三アンモニウム化合物のホルメートが形成される場合に
は、該化合物は同様に、蒸留によって後処理することが
できかつ相応するアミンに変換することができる。それ
ぞれ分離された塩基は、該反応に返送することができ
る。
体公知の方法で後処理することができる。通常、生成物
は、蒸留により分離することができる。蒸留塔底部に、
反応の際に生じた塩から有機塩基の遊離のために強酸、
例えば苛性ソーダ液を添加することができる。引き続
き、遊離された塩基は、抽出によって単離することもで
きるし、蒸留によって単離することもできる。本発明に
よる反応の際に、蒸発しやすい塩類似化合物、例えば第
三アンモニウム化合物のホルメートが形成される場合に
は、該化合物は同様に、蒸留によって後処理することが
できかつ相応するアミンに変換することができる。それ
ぞれ分離された塩基は、該反応に返送することができ
る。
【００３４】本発明による方法によって、入手が容易な
前生成物からのＮ−アルケニルカルボン酸アミドの方法
技術的に簡単な製造が可能である。この反応は、穏やか
な反応温度で進行し、かつ生成物の高い収率を生じさせ
る。本方法によって数多くの種々の置換されたＮ−アル
ケニルカルボン酸アミドの製造が可能である。
前生成物からのＮ−アルケニルカルボン酸アミドの方法
技術的に簡単な製造が可能である。この反応は、穏やか
な反応温度で進行し、かつ生成物の高い収率を生じさせ
る。本方法によって数多くの種々の置換されたＮ−アル
ケニルカルボン酸アミドの製造が可能である。
【００３５】
例 １ ホルムアミド２２．５ｇ（０．５モル）及びトリエチル
アミン５０．５ｇからなる混合物に蟻酸メチル３０ｇ
（０．５モル）及びアセトアルデヒド２２ｇ（０．５モ
ル）からなる混合物を室温で２０分間にわたり滴加し
た。引き続き、この混合物を３．５時間４５℃に加熱し
た。蒸留によってビニルホルムアミド２７ｇ（理論値の
７６％）が、ホルムアミド１．３ｇとともに得られた。
過剰量のトリエチルアミンを回収した。
アミン５０．５ｇからなる混合物に蟻酸メチル３０ｇ
（０．５モル）及びアセトアルデヒド２２ｇ（０．５モ
ル）からなる混合物を室温で２０分間にわたり滴加し
た。引き続き、この混合物を３．５時間４５℃に加熱し
た。蒸留によってビニルホルムアミド２７ｇ（理論値の
７６％）が、ホルムアミド１．３ｇとともに得られた。
過剰量のトリエチルアミンを回収した。
【００３６】例 ２ 例１と同様にしてホルムアミド２２．５ｇ（０．５モ
ル）及びトリエチルアミン５０．５ｇからなる混合物を
先ずアセトアルデヒド２２ｇ（０．５モル）と１０℃で
反応させ、かつ引き続き、蟻酸メチル３０ｇ（０．５モ
ル）と室温で反応させた。ビニルホルムアミド２５．８
ｇ（理論値の７２．７％）が得られた。
ル）及びトリエチルアミン５０．５ｇからなる混合物を
先ずアセトアルデヒド２２ｇ（０．５モル）と１０℃で
反応させ、かつ引き続き、蟻酸メチル３０ｇ（０．５モ
ル）と室温で反応させた。ビニルホルムアミド２５．８
ｇ（理論値の７２．７％）が得られた。
【００３７】例 ３ 例１と同様にしてホルムアミド２２．５ｇ（０．５モ
ル）、蟻酸メチル３０ｇ（０．５モル）及びアセトアル
デヒド２２ｇ（０．５モル）をＮａ2ＣＯ3 ５３ｇ
（０．５モル）の存在下で３５℃で反応させた。収率：
６９％。
ル）、蟻酸メチル３０ｇ（０．５モル）及びアセトアル
デヒド２２ｇ（０．５モル）をＮａ2ＣＯ3 ５３ｇ
（０．５モル）の存在下で３５℃で反応させた。収率：
６９％。
【００３８】例 ４ 例１と同様にしてホルムアミド２２．５ｇ（０．５モ
ル）、トリエチルアミン５０．５ｇ、蟻酸メチル３０ｇ
（０．５モル）及びプロパナール２９ｇ（０．５モル）
からＮ−プロペニルホルムアミド７６％が得られた。
ル）、トリエチルアミン５０．５ｇ、蟻酸メチル３０ｇ
（０．５モル）及びプロパナール２９ｇ（０．５モル）
からＮ−プロペニルホルムアミド７６％が得られた。
【００３９】例 ５ 例１と同様にしてベンズアミド１１９ｇ（１モル）、ト
リエチルアミン１１０ｇ（１．０９モル）、蟻酸メチル
９５ｇ（１．０９モル）及びアセトアルデヒド４４ｇ
（１モル）からＮ−ビニルベンズアミド１２６ｇ（理論
値の８７％）が得られた。
リエチルアミン１１０ｇ（１．０９モル）、蟻酸メチル
９５ｇ（１．０９モル）及びアセトアルデヒド４４ｇ
（１モル）からＮ−ビニルベンズアミド１２６ｇ（理論
値の８７％）が得られた。
【００４０】例 ６ 例１と同様にしてアセトアミド５９ｇ（１モル）、トリ
エチルアミン１１０ｇ（１．０９モル）、アセトアルデ
ヒド４４ｇ及び酢酸ビニル９４ｇ（１．０９モル）を５
０℃で反応させた。収量： ７６．６ｇ（理論値の９０
％）。
エチルアミン１１０ｇ（１．０９モル）、アセトアルデ
ヒド４４ｇ及び酢酸ビニル９４ｇ（１．０９モル）を５
０℃で反応させた。収量： ７６．６ｇ（理論値の９０
％）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス リュール ドイツ連邦共和国 フランケンタール ブ ルネンガッセ 17 (72)発明者 ヨッヒェム ヘンケルマン ドイツ連邦共和国 マンハイム バセルマ ンシュトラーセ 25
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式Ｉ： 【化１】 〔式中、Ｒ1〜Ｒ4は相互に無関係に水素原子、場合によ
っては不活性置換基を有する脂肪族、脂環式もしくは芳
香族の基を表わす〕で示されるＮ−アルケニルカルボン
酸アミドを製造する方法において、一般式ＩＩ： 【化２】 〔式中、基Ｒ1は上記の意味を有する〕で示されるアミ
ドと一般式ＩＩＩ： 【化３】 〔式中、基Ｒ2〜Ｒ4は上記の意味を有する〕で示される
カルボニル化合物を塩基の存在下で反応させ、この場
合、 ａ） 該反応を一般式ＩＶ： 【化４】 〔式中、基Ｒ5は水素原子、アルキル基もしくはアリー
ル基を表わし、Ｘはハロゲン原子、アルコキシ基もしく
はカルボキシアルキル基を表わす〕で示されるカルボン
酸誘導体の存在下で行なうか、 ｂ） あるいは式ＩＶのカルボン酸誘導体の存在下で続
行し、かつ式Ｉのアミドを単離することを特徴とする、
Ｎ−アルケニルカルボン酸アミドの製法。 - 【請求項２】 基Ｒ2〜Ｒ4が水素原子を表わす、請求項
１記載の方法。 - 【請求項３】 式ＩＶのカルボン酸誘導体として蟻酸ア
ルキルが使用される、請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項４】 Ｎ−ビニルホルムアミドを製造する、請
求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項５】 塩基として第三アミンを使用する、請求
項１から４までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】 反応を３０〜８０℃で行なう、請求項１
から５までのいずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4438366A DE4438366A1 (de) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | Verfahren zur Herstellung von N-Alkenylcarbonsäureamiden |
| DE4438366.5 | 1994-10-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08208575A true JPH08208575A (ja) | 1996-08-13 |
Family
ID=6531822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7280758A Ceased JPH08208575A (ja) | 1994-10-27 | 1995-10-27 | Ｎ−アルケニルカルボン酸アミドの製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5710331A (ja) |
| EP (1) | EP0709367B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08208575A (ja) |
| DE (2) | DE4438366A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015512873A (ja) * | 2012-02-14 | 2015-04-30 | シンジェンタ パーティシペーションズ アクチェンゲゼルシャフト | 殺線虫性のシス（ヘテロ）アリールシクロプロピルカルボキサミド誘導体 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018833A1 (en) * | 1996-10-29 | 1998-05-07 | University Of Massachusetts | Poly(vinyl amine) analogs |
| DE19940641A1 (de) | 1999-08-26 | 2001-03-01 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von 4-Acyl-aminosäureestern und N-Acyl-Aminoacetalen |
| US7026511B2 (en) | 2002-08-30 | 2006-04-11 | University Of Pittsburgh | Synthesis of N-vinylformamide |
| AU2003265840A1 (en) | 2002-08-30 | 2004-03-19 | Snf Sa | Synthesis of n-vinyl formamide |
| CN109912438A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-21 | 青岛科技大学 | 一种n-乙烯基甲酰胺的合成方法 |
| CN112047854B (zh) * | 2020-10-20 | 2021-07-02 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种n-乙烯基烷基酰胺的制备方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4490557A (en) * | 1981-11-05 | 1984-12-25 | Dynapol | Ethylidene bisformamide, its preparation and use in preparing poly(vinylamine) and salts thereof |
| US4567300A (en) * | 1984-01-14 | 1986-01-28 | Mitsubishi Chemical Industries Limited | Process for producing N-substituted formamides |
| DE3443463A1 (de) * | 1984-11-29 | 1986-05-28 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verfahren zur herstellung von n-vinylformamid |
| DE3520829A1 (de) * | 1985-06-11 | 1986-12-11 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verfahren zur herstellung von n-(alpha)-alkoxy-ethyl-formamiden |
| US4670531A (en) * | 1986-01-21 | 1987-06-02 | General Electric Company | Inhibited precious metal catalyzed organopolysiloxane compositions |
| DE3622013A1 (de) * | 1986-07-01 | 1988-01-07 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von n-substituierten formamiden |
| US4968841A (en) * | 1989-11-14 | 1990-11-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Synthesis of ethylidene bisformamide from vinyl acetate |
| DE9109977U1 (de) * | 1991-08-12 | 1992-12-24 | Intelligent Solution Services Gmbh, 8051 Marzling | Speicherkarte mit Kopierschutzeinrichtung |
-
1994
- 1994-10-27 DE DE4438366A patent/DE4438366A1/de not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-10-19 EP EP95116459A patent/EP0709367B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-19 DE DE59500563T patent/DE59500563D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-26 US US08/548,724 patent/US5710331A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-10-27 JP JP7280758A patent/JPH08208575A/ja not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015512873A (ja) * | 2012-02-14 | 2015-04-30 | シンジェンタ パーティシペーションズ アクチェンゲゼルシャフト | 殺線虫性のシス（ヘテロ）アリールシクロプロピルカルボキサミド誘導体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5710331A (en) | 1998-01-20 |
| EP0709367B1 (de) | 1997-08-27 |
| DE4438366A1 (de) | 1996-05-02 |
| DE59500563D1 (de) | 1997-10-02 |
| EP0709367A1 (de) | 1996-05-01 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040602 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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