JPH08204207A - Active matrix display - Google Patents

Active matrix display

Info

Publication number
JPH08204207A
JPH08204207A JP3156395A JP3156395A JPH08204207A JP H08204207 A JPH08204207 A JP H08204207A JP 3156395 A JP3156395 A JP 3156395A JP 3156395 A JP3156395 A JP 3156395A JP H08204207 A JPH08204207 A JP H08204207A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal line
active matrix
display device
row selection
matrix display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3156395A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3485667B2 (en
Inventor
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Jun Koyama
潤 小山
Yasuhiko Takemura
保彦 竹村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP03156395A priority Critical patent/JP3485667B2/en
Priority to US08/588,809 priority patent/US5929464A/en
Priority to KR1019960001462A priority patent/KR100275845B1/en
Priority to CN96105568A priority patent/CN1088260C/en
Priority to TW085102363A priority patent/TW424170B/en
Publication of JPH08204207A publication Critical patent/JPH08204207A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3485667B2 publication Critical patent/JP3485667B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

PURPOSE: To reduce the leak current upon turning a switching element off by connecting more than two TFTs in series with a single pixel electrode and controlling a TFT, except those at the opposite ends, through a gate signal line independent from a row select signal line. CONSTITUTION: When the potential on a row select signal line makes a transition to a negative level, TFTs 103, 104 are turned off. Since the potential on a gate signal line 107 is positive, a TFT 105 is turned on. The TFT mainly functions as a capacitor and the source-drain potential of the TFT 105 is equal to that of a pixel cell 106. When the potential on the gate signal line 107 makes a transition to a negative level, capacitance of the TFT 105 decreases abruptly. Consequently, the source-drain voltage of the TFT 105 is increased in order to hold the charges stored in the TFT 105. With such arrangement, potential drop is controlled and the off-current can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
表示装置の表示画面の画質向上をはかる回路および素子
に関する。特に本発明は、スイッチング素子として薄膜
トランジスタ(TFT)を有する回路を用い、該TFT
の活性層はアモルファスシリコンの結晶化を促進する触
媒元素を用いて結晶化をおこなったシリコン半導体によ
って構成されているものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit and an element for improving the image quality of a display screen of an active matrix display device. In particular, the present invention uses a circuit having a thin film transistor (TFT) as a switching element,
The active layer of (1) is composed of a silicon semiconductor crystallized using a catalytic element that promotes crystallization of amorphous silicon.

【0002】[0002]

【従来の技術】アクティブマトリクス型表示装置とは、
各画素にスイッチング素子を設け、画像信号線より供給
される信号を該スイッチング素子によって画素に供給す
る仕組みを有する表示装置であり、単純マトリクス型表
示装置よりも大容量の表示を鮮明におこなうことができ
る。従来、スイッチング素子としてはアモルファスシリ
コン半導体を用いたTFTが使用されていた。しかしな
がら、結晶性シリコン半導体を用いたTFTは、従来の
アモルファスシリコン半導体を用いたものに比較して、
動作速度が10倍以上も大きいので、大容量表示に適し
ており、最近では、この面で開発が進められている。し
かしながら、結晶性シリコン半導体には幾つかの問題が
あった。
2. Description of the Related Art What is an active matrix type display device?
A display device having a mechanism in which a switching element is provided in each pixel and a signal supplied from an image signal line is supplied to the pixel by the switching element, and a large-capacity display can be performed more clearly than a simple matrix display device. it can. Conventionally, a TFT using an amorphous silicon semiconductor has been used as a switching element. However, a TFT using a crystalline silicon semiconductor is
Since the operating speed is 10 times or more, it is suitable for large-capacity display, and recently, development has been advanced in this respect. However, the crystalline silicon semiconductor has some problems.

【0003】第1の問題はシリコンの結晶化の問題であ
った。結晶性シリコンはアモルファスシリコンを結晶化
せしめることにより得られる。従来は2つの方法が知ら
れていた。1つはレーザー等の強光を照射して瞬間的に
結晶化せしめる方法で、光アニールと称される。この方
法の問題点は安定した大エネルギーのレーザー発振器が
得られないため、再現性、量産性に乏しいということで
ある。
The first problem was the problem of crystallization of silicon. Crystalline silicon is obtained by crystallizing amorphous silicon. Conventionally, two methods have been known. One is a method of irradiating strong light from a laser or the like to instantaneously crystallize it, which is called optical annealing. The problem with this method is that a stable high-energy laser oscillator cannot be obtained, resulting in poor reproducibility and mass productivity.

【0004】他の方法は熱アニール法もしくは固相成長
法と呼ばれるもので、通常、600℃以上の温度で熱ア
ニールをおこなうことにより、アモルファスシリコンを
固相成長させて、結晶化せしめるものである。この方法
においては、結晶化に要する時間はアニール温度に依存
し、1000℃程度の高温では1時間以内に結晶化を完
了することができる。しかしながら、このような高温に
使用できる基板は石英以外にはなく、基板コストが大き
くなった。また、得られるシリコン膜の結晶性も好まし
いものではなかった。
Another method is called a thermal annealing method or a solid phase growth method. Usually, thermal annealing is performed at a temperature of 600 ° C. or higher to cause amorphous silicon to be solid phase grown and crystallized. . In this method, the time required for crystallization depends on the annealing temperature, and at a high temperature of about 1000 ° C., crystallization can be completed within 1 hour. However, there is no other substrate than quartz that can be used at such a high temperature, and the substrate cost has increased. Also, the crystallinity of the obtained silicon film was not preferable.

【0005】これに対し、多くの硼珪酸ガラスの使用で
きる600℃程度のアニールでは、結晶性の良好なシリ
コン膜が得られたが、結晶化に要する時間が24時間以
上にもなり、量産性の点で問題があった。第2の問題は
結晶性シリコンを用いたTFTでは、ゲート電極に逆バ
イアス電圧を印加した際のリーク電流(OFF電流)が
大きいということである。これは、結晶粒界に起因する
と見られており、結晶性シリコンを用いてアクティブマ
トリクス型表示装置を作製する上で最大の問題となって
いた。
On the other hand, a silicon film having good crystallinity was obtained by annealing at about 600 ° C., which can be used for many borosilicate glasses, but the time required for crystallization was 24 hours or more, and mass productivity was improved. There was a problem with. The second problem is that the TFT using crystalline silicon has a large leak current (OFF current) when a reverse bias voltage is applied to the gate electrode. This is considered to be caused by crystal grain boundaries, which has been the biggest problem in manufacturing an active matrix display device using crystalline silicon.

【0006】Nチャネル形TFTの場合、VGSを負にバ
イアスした時のOFF電流は、半導体薄膜の表面に誘起
されるP型層と、ソース領域及びドレイン領域のN型層
との間に形成されるPN接合を流れる電流により規定さ
れる。そして、半導体薄膜中(特に粒界)には多くのト
ラップが存在するため、このPN接合は不完全であり接
合リーク電流が流れやすい。ゲート電極を負にバイアス
するほどOFF電流が増加するのは半導体薄膜の表面に
形成されるP型層のキャリア濃度が増加してPN接合の
エネルギー障壁の幅が狭くなるため、電界の集中が起こ
り、接合リーク電流が増加することによるものである。
In the case of an N-channel TFT, an OFF current when V GS is negatively biased is formed between the P-type layer induced on the surface of the semiconductor thin film and the N-type layers of the source region and the drain region. Defined by the current flowing through the PN junction. Since many traps exist in the semiconductor thin film (especially at grain boundaries), this PN junction is incomplete and a junction leak current easily flows. The OFF current increases as the gate electrode is biased more negatively because the carrier concentration of the P-type layer formed on the surface of the semiconductor thin film increases and the width of the energy barrier of the PN junction narrows, so that electric field concentration occurs. This is because the junction leak current increases.

【0007】このようにして生じるOFF電流は、ソー
ス/ドレイン電圧に大きく依存する。例えば、TFTの
ソース/ドレイン間に印加される電圧が大きくなるにし
たがって、OFF電流が飛躍的に増大することが知られ
ている。すなわち、ソース/ドレイン間に5Vの電圧を
加えた場合と10Vの電圧を加えた場合とでは、後者の
OFF電流は前者の2倍ではなく、10倍にも100倍
にもなる場合がある。また、このような非線型性はゲー
ト電圧にも依存する。一般にゲート電極の逆バイアスの
値が大きい場合(Nチャネル型では、大きなマイナス電
圧)には、両者の差が著しい。
The OFF current thus generated largely depends on the source / drain voltage. For example, it is known that the OFF current dramatically increases as the voltage applied between the source / drain of the TFT increases. That is, when the voltage of 5 V is applied between the source / drain and when the voltage of 10 V is applied, the OFF current of the latter may be 10 times or 100 times as large as that of the former. Further, such non-linearity also depends on the gate voltage. Generally, when the reverse bias value of the gate electrode is large (a large negative voltage in the N-channel type), the difference between the two is remarkable.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記の第1の問題に関
しては、本発明人らは、ニッケル、白金、鉄、コバル
ト、パラジウム等を微量添加することによりアモルファ
スシリコンの結晶化を促進できることを見出した(特開
平6−244104)。これらの添加すべき元素を触媒
元素と言うが、この結果、典型的には550℃で4時
間、あるいはより低温・短時間の熱アニールで結晶化を
成就することが可能となった。加えて、従来の熱アニー
ル法では、アモルファスシリコンは1000Å以上の厚
いものでないとほとんど結晶化しなかったのだが、触媒
元素を用いると、1000Å以下、典型的には300〜
800Åの厚さでも十分な結晶化が起こることがわかっ
た。
With respect to the first problem described above, the present inventors have found that the crystallization of amorphous silicon can be promoted by adding a small amount of nickel, platinum, iron, cobalt, palladium or the like. (JP-A-6-244104). These elements to be added are called catalyst elements, and as a result, it has become possible to achieve crystallization typically by thermal annealing at 550 ° C. for 4 hours or at a lower temperature for a shorter time. In addition, in the conventional thermal annealing method, amorphous silicon was hardly crystallized unless it was thicker than 1000 Å, but when a catalytic element was used, it was 1000 Å or less, typically 300-
It was found that sufficient crystallization occurs even at a thickness of 800Å.

【0009】また、本発明人の研究の結果、これらの触
媒元素を使用して結晶化せしめたシリコンを用いてTF
Tを作製する場合には、結晶化工程の観点から、また、
特性・信頼性の観点から、触媒元素のシリコン中への残
留濃度は1×1015〜1×1019原子/cm3 とするこ
とが好ましいことが明らかになった。
As a result of the research conducted by the present inventor, TF was obtained by using silicon crystallized by using these catalytic elements.
In the case of producing T, from the viewpoint of the crystallization step,
From the viewpoint of characteristics and reliability, it has been clarified that the residual concentration of the catalytic element in silicon is preferably 1 × 10 15 to 1 × 10 19 atoms / cm 3 .

【0010】このように、第1の問題は解決されたので
あるが、第2の問題は未解決のままであった。逆に触媒
元素を用いて結晶化せしめたシリコン膜は結晶成長が針
状に進行する(従来の熱アニール法では粒状に成長す
る)ことと、結晶の長径が数μm以上(従来の熱アニー
ル法では1μm以下)と大きいことのため、TFT特性
が結晶粒界の影響を大きく受け、OFF電流のバラツキ
が大きいことが新たな問題として浮かび上がった。典型
的には、OFF電流が1000pAから1pAというよ
うに3桁も変動した。
Thus, although the first problem has been solved, the second problem has remained unsolved. On the contrary, a silicon film crystallized using a catalytic element has a crystal growth that progresses acicularly (granular growth in the conventional thermal annealing method) and a major axis of the crystal of several μm or more (conventional thermal annealing method). Since it is as large as 1 μm or less), the TFT characteristics are greatly affected by the crystal grain boundaries, and a large variation in the OFF current has emerged as a new problem. Typically, the OFF current fluctuated by three orders of magnitude, from 1000 pA to 1 pA.

【0011】図7(A)にアクティブマトリクス表示装
置の従来例の概略図を示す。図中の破線で囲まれた領域
(204)が表示領域であり、その中にTFT(20
1)がマトリクス状に配置されている。前記TFT(2
01)のソース電極に接続している配線が画像(デー
タ)信号線(206)であり、前記TFT(201)の
ゲート電極に接続している行選択信号線(205)であ
る。この回路の駆動の原理は図7(B)に示すように、
第N行、第(N+1)行、第(N+2)行の各行選択信
号線に少しずつタイミングをずらしたパルスが入力され
ることによって、行の選択がおこなわれる。
FIG. 7A shows a schematic diagram of a conventional example of an active matrix display device. A region (204) surrounded by a broken line in the drawing is a display region, and a TFT (20
1) are arranged in a matrix. The TFT (2
The wiring connected to the source electrode of 01) is the image (data) signal line (206) and the row selection signal line (205) connected to the gate electrode of the TFT (201). The driving principle of this circuit is as shown in FIG.
Row selection is performed by inputting pulses with slightly shifted timings to the row selection signal lines of the Nth row, the (N + 1) th row, and the (N + 2) th row.

【0012】図7(A)の回路では、スイッチング素子
はTFT(201)であり、行選択信号線(205)の
信号にしたがって、データのスイッチングをおこない、
液晶セル(203)を駆動する。補助容量(202)
は、液晶セルの容量を補強するためのコンデンサで画像
データの保持用として用いられる。マトリクス全面にわ
たって均一な表示をおこなうには、すべてのTFTの特
性がそろっていることが必要である。なかでも、OFF
電流は10pA以下、好ましくは1pA以下であること
が要求される。もし、TFTのうち、OFF電流が10
00pAもあるものは十分な電荷が保持できず、映像信
号を瞬時に失ってしまう。
In the circuit of FIG. 7A, the switching element is the TFT (201), and data switching is performed according to the signal of the row selection signal line (205).
The liquid crystal cell (203) is driven. Auxiliary capacity (202)
Is a capacitor for reinforcing the capacity of the liquid crystal cell and is used for holding image data. In order to perform a uniform display over the entire surface of the matrix, it is necessary that all TFTs have the same characteristics. Above all, OFF
The current is required to be 10 pA or less, preferably 1 pA or less. If the OFF current of the TFT is 10
Some of them with 00 pA cannot hold enough electric charge, and the video signal is lost instantly.

【0013】このような不良TFTが全画素中数個であ
れば、問題とは言えないが、数%にも及ぶ場合には非常
に表示が見づらくなる。特に、前記したような触媒元素
を用いて得られた結晶性シリコンを用いたTFTでは表
示不良が顕著であった。
If there are several such defective TFTs in all the pixels, this is not a problem, but if it reaches several percent, the display becomes very difficult to see. In particular, a display defect is remarkable in a TFT using crystalline silicon obtained by using the above-mentioned catalytic element.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記のような
問題を鑑みてなされたものである。すなわち、本発明
は、アクティブマトリクス回路に関し、1個の画素電極
に対して少なくとも3個のTFTを直列に接続し、前記
直列接続したTFTの両端を除く少なくとも1個のTF
Tを行選択信号線とは独立の信号を供給する信号線(以
下、これをゲート信号線という)によって制御する一
方、他のTFTを行選択信号線によって制御することを
特徴とする回路をスイッチング素子として用いる。
The present invention has been made in view of the above problems. That is, the present invention relates to an active matrix circuit, in which at least three TFTs are connected in series to one pixel electrode, and at least one TF except both ends of the series-connected TFTs.
A circuit which is characterized in that T is controlled by a signal line (hereinafter referred to as a gate signal line) that supplies a signal independent of the row selection signal line, while other TFTs are controlled by the row selection signal line. Used as an element.

【0015】ここで、ゲート信号線の信号が行選択信号
線の信号と独立であるとは、行選択信号線の信号と同一
でないということであり、行選択信号線の信号と何らか
の同期を取った信号は構わない。一般的には行選択信号
線の信号を供給する回路(行選択信号回路)とは別の回
路から供給される信号であればよく、該回路は行選択信
号回路から発せられる信号もしくは、行選択信号回路に
入力される信号を加工したものであってもよい。
Here, the fact that the signal on the gate signal line is independent of the signal on the row selection signal line means that it is not the same as the signal on the row selection signal line, and some kind of synchronization with the signal on the row selection signal line is taken. It doesn't matter the signal. Generally, a signal supplied from a circuit different from the circuit (row selection signal circuit) that supplies the signal of the row selection signal line may be used. The circuit may be a signal issued from the row selection signal circuit or a row selection signal circuit. The signal input to the signal circuit may be processed.

【0016】以上に加えて、本発明においては、TFT
の活性層は結晶性シリコンによって構成され、1×10
15〜1×1019原子/cm3 のシリコンの結晶化を促進
する触媒元素が含有されていること、もしくは、TFT
の活性層は触媒元素を用いて結晶化されたことを特徴と
する。
In addition to the above, in the present invention, the TFT
The active layer of is composed of crystalline silicon,
15 to 1 × 10 19 atoms / cm 3 of a catalytic element that promotes crystallization of silicon, or a TFT
Is characterized by being crystallized using a catalytic element.

【0017】ここで、直列接続されたTFTのうち、一
端は画像信号線に接続し、もう一端は画素電極に接続し
てもよい。さらに、上記のTFTのうち画素電極に接続
されるTFTのチャネルの両端にLDD領域やオフセッ
ト領域を設けてもよい。本発明の基本的な思想は、TF
Tを3つ、もしくはそれ以上接続し、うち、中央のTF
Tの少なくとも1つは、そのゲート電極を行選択信号線
とは別のゲート信号線に接続し、該信号線の信号によっ
て駆動することを特徴とする。
Here, among the TFTs connected in series, one end may be connected to the image signal line and the other end may be connected to the pixel electrode. Further, an LDD region or an offset region may be provided at both ends of the channel of the TFT connected to the pixel electrode among the above TFTs. The basic idea of the present invention is TF
Connect three or more Ts, of which the central TF
At least one of Ts is characterized in that its gate electrode is connected to a gate signal line different from the row selection signal line and is driven by a signal of the signal line.

【0018】図1(A)の例では、直列に接続されたT
FT(103)、(104)、(105)のうち、TF
T(103)はソースを画像信号線(101)に接続
し、また、TFT(104)のドレインを画素電極(1
06)に接続する。TFT(103)、(104)のゲ
ート電極は行選択信号線(102)で制御する。そし
て、中央のTFT(105)のゲート電極はゲート信号
線(107)に接続し、行選択信号線(102)と接続
されたTFT(103)、(104)とは別に駆動す
る。なお、画素セル(106)と並列に補助容量(10
8)を付加してもよい。
In the example of FIG. 1A, Ts connected in series are used.
FT of FT (103), (104), (105)
The source of T (103) is connected to the image signal line (101), and the drain of the TFT (104) is connected to the pixel electrode (1).
06). The gate electrodes of the TFTs (103) and (104) are controlled by the row selection signal line (102). The gate electrode of the central TFT (105) is connected to the gate signal line (107) and is driven separately from the TFTs (103) and (104) connected to the row selection signal line (102). In addition, the auxiliary capacitance (10
8) may be added.

【0019】図1(A)に示す回路図で示される実際の
回路の例を図1(D)に示す。この回路の作製方法に関
しては、図4を用いて実施例で説明されるので、ここで
は、概略だけを述べる。回路は1つのシリコン半導体被
膜(活性層)上に3つのTFT(103)、(10
4)、(105)(それぞれ、点線で概念的な領域を示
す)が形成されており、個々のTFTのゲート電極(4
05)、(407)、(406)がそれを横断して設け
られる。そして、半導体領域のうち、左端の領域(41
1)(=TFT(103)のソース)には画像信号線
が、また、右端の領域(414)(=TFT(104)
のドレイン)には画素電極が、それぞれ接続される。
An example of an actual circuit shown in the circuit diagram of FIG. 1A is shown in FIG. A method for manufacturing this circuit will be described in an embodiment with reference to FIGS. 4A and 4B, and therefore only an outline will be described here. The circuit consists of three TFTs (103), (10) on one silicon semiconductor film (active layer).
4) and (105) (each of which shows a conceptual region with a dotted line) are formed, and gate electrodes (4
05), (407), (406) are provided across it. Then, in the semiconductor region, the leftmost region (41
1) (= source of TFT (103)) has an image signal line, and the rightmost region (414) (= TFT (104))
The pixel electrodes are connected to the respective drains).

【0020】また、図1(A)の回路図で示される回路
は、図1(D)に示すような構成でもよいが、図3に示
すような構成とすると、専有面積を低減できる。以下、
図3の説明をする。まず、概略U字型もしくはコの字型
もしくは馬蹄型をした結晶性シリコン半導体被膜(30
1)を形成する。該半導体被膜は触媒元素を用いて結晶
化せしめ、典型的には、1×1015〜1×1019原子/
cm3 の触媒元素を含有している。(図3(A))
The circuit shown in the circuit diagram of FIG. 1A may have the structure shown in FIG. 1D, but the structure shown in FIG. 3 can reduce the occupied area. Less than,
FIG. 3 will be described. First, a substantially U-shaped, U-shaped, or horseshoe-shaped crystalline silicon semiconductor film (30
1) is formed. The semiconductor film is crystallized using a catalytic element, typically 1 × 10 15 to 1 × 10 19 atoms /
It contains cm 3 of catalytic element. (Fig. 3 (A))

【0021】この半導体被膜に対して行選択信号線(3
02)およびゲート信号線(303)を図3(B)のよ
うに配置させる。すなわち、半導体被膜(301)は行
選択信号線(302)と2か所の交点と、ゲート信号線
(303)と1か所の交点を有する。ゲート信号線(3
03)は行選択信号線(302)と平行に形成される。
A row selection signal line (3
02) and the gate signal line (303) are arranged as shown in FIG. That is, the semiconductor film (301) has two intersections with the row selection signal line (302) and one intersection with the gate signal line (303). Gate signal line (3
03) are formed in parallel with the row selection signal line (302).

【0022】一方、図1(A)のTFT(103)、
(104)に該当するのは、行選択信号線(302)と
半導体被膜(301)によって形成された2か所の交点
部分である。行選択信号線(302)とゲート信号線
(303)をマスクとして半導体被膜(301)にN型
(もしくはP型)のドーピングをおこなえば、TFT
(103)のソースに相当する領域(304)とTFT
(104)のドレインに相当する領域(307)が形成
され、これらは、それぞれ、画像信号線と画素電極に接
続される。
On the other hand, the TFT (103) of FIG.
The point (104) corresponds to the intersection of two points formed by the row selection signal line (302) and the semiconductor film (301). If N-type (or P-type) doping is performed on the semiconductor film (301) using the row selection signal line (302) and the gate signal line (303) as a mask, the TFT
A region (304) corresponding to the source of (103) and the TFT
A region (307) corresponding to the drain of (104) is formed, and these are connected to the image signal line and the pixel electrode, respectively.

【0023】また、TFT(103)のドレインに相当
する領域(305)とTFT(104)のソースに相当
する領域(306)も形成される。すなわち、半導体領
域には、画像信号線とコンタクトを有する領域と、画素
電極とコンタクトを有する領域と、行選択信号線とゲー
ト信号線とによって分離された2つのN型(もしくはP
型)導電型を示す領域とが形成される。なお、図3
(C)に示すようにゲート信号線(303)と半導体被
膜(301)とが完全に重ならず、一部半導体被膜のは
みだした領域(308)が形成されても何ら問題はな
い。必要なことは領域(305)と(306)がゲート
信号線(303)と行選択信号線(302)によって完
全に分離されていることである。
A region (305) corresponding to the drain of the TFT (103) and a region (306) corresponding to the source of the TFT (104) are also formed. That is, in the semiconductor region, a region having a contact with an image signal line, a region having a contact with a pixel electrode, and two N-type (or P-type) separated by a row selection signal line and a gate signal line.
Type) and a region showing a conductivity type are formed. Note that FIG.
As shown in (C), there is no problem even if the gate signal line (303) and the semiconductor film (301) do not completely overlap with each other and a region (308) that partially protrudes from the semiconductor film is formed. What is required is that the regions (305) and (306) are completely separated by the gate signal line (303) and the row selection signal line (302).

【0024】以上のように主として半導体被膜(活性
層)の形状を工夫することにより、回路の集積度を向上
させることができる。もし、図1(C)に示すような5
つのTFTを有するスイッチング素子を形成するなら
ば、半導体被膜を概略N字型もしくはS字型として、こ
れに行選択信号線やゲート信号線を重ねればよい。
As described above, mainly by devising the shape of the semiconductor film (active layer), the degree of integration of the circuit can be improved. If 5 as shown in FIG.
If a switching element having two TFTs is formed, the semiconductor film may be formed into a substantially N-shape or S-shape, and the row selection signal line and the gate signal line may be superposed on this.

【0025】[0025]

【作用】具体的な動作について図2を用いて説明する。
図2(A)は図7(A)と同様に、本発明を用いたアク
ティブマトリクス回路の全体を示し、符号は図1と同じ
である。行選択信号線は従来の回路(図7)と同様にシ
フトレジスタYによって信号が供給されるが、本発明に
よって付加したゲート信号線は別のシフトレジスタZ
(もしくは同等な回路)によって、信号が供給される。
The specific operation will be described with reference to FIG.
Similar to FIG. 7A, FIG. 2A shows the whole active matrix circuit using the present invention, and the reference numerals are the same as those in FIG. The row selection signal line is supplied with a signal by the shift register Y as in the conventional circuit (FIG. 7), but the gate signal line added by the present invention is provided by another shift register Z.
(Or equivalent circuit) provides the signal.

【0026】各信号線に印加される信号は図2(B)に
示される。すなわち、従来の場合と同様に第N行、第
(N+1)行、第(N+2)行の各行選択信号線にはパ
ルスが時期をずらして入力される。一方、第N行、第
(N+1)行、第(N+2)行の各ゲート信号線にも、
信号が印加されるが、これらのパルスはある程度の重な
りを有したり、また、各行の行選択信号線のパルスと同
期したものとすると都合がよい。ただし、TFT(10
3)、(104)に比較して、TFT(105)のゲー
ト容量が大きな場合には、図2(B)に示すように、パ
ルス幅を行選択信号線のパルスよりも大きくするとよ
い。
The signal applied to each signal line is shown in FIG. That is, as in the conventional case, pulses are input to the row selection signal lines of the Nth row, the (N + 1) th row, and the (N + 2) th row with a staggered timing. On the other hand, the gate signal lines of the Nth row, the (N + 1) th row, and the (N + 2) th row are also
A signal is applied, but it is convenient that these pulses have some overlap and are synchronized with the pulse of the row selection signal line of each row. However, TFT (10
3) and (104), when the gate capacitance of the TFT (105) is large, the pulse width may be made larger than the pulse of the row selection signal line as shown in FIG. 2 (B).

【0027】図2(B)を用いて動作例を説明する。も
ちろん、これ以外の動作も可能である。第(N+2)行
に注目すると、最初にゲート信号線(107)にパルス
が印加され、中央のTFT(105)はON状態とな
る。このとき、画像信号線101には他行の映像データ
が印加されている。しかしながら、行選択信号線は負電
位に保たれており、TFT(105)の両隣のTFT
(103)、(104)はOFF状態であり、このとき
のデータは画素セル(106)には取り込まれない。
(図2(B)、aの期間)
An operation example will be described with reference to FIG. Of course, other operations are also possible. Focusing on the (N + 2) th row, a pulse is first applied to the gate signal line (107), and the central TFT (105) is turned on. At this time, the image data of another row is applied to the image signal line 101. However, the row selection signal line is kept at a negative potential, and the TFTs on both sides of the TFT (105) are
(103) and (104) are in the OFF state, and the data at this time is not taken into the pixel cell (106).
(Period in FIG. 2B, a)

【0028】この状態がしばらく続いた後、第(N+
2)行の行選択信号線の電位が正に転換し、このとき初
めて、画素セル(106)の放電と画像信号線(10
1)のデータの充電がおこなわれる。ここでは、正の電
圧に充電される。このときには、TFT(103)〜
(104)の全てがON状態となっている。(図2
(B)、bの期間)
After this state continues for a while, the (N +
2) The potential of the row selection signal line of the row is changed to positive, and only at this time the discharge of the pixel cell (106) and the image signal line (10).
The data of 1) is charged. Here, it is charged to a positive voltage. At this time, the TFT (103)
All of (104) are in the ON state. (Fig. 2
(B), b period)

【0029】続いて、行選択信号線の電位が負に転換
し、TFT(103)、(104)はOFFとなる。た
だし、ゲート信号線(107)の電位は依然として正で
あるので、TFT(105)はON状態である。そし
て、このときのTFTは主として静電容量として機能す
るため、TFT(105)のソース/ドレインの電位は
画素セル(106)の電位とほぼ同じである。(図2
(B)、cの期間)
Then, the potential of the row selection signal line is changed to negative and the TFTs (103) and (104) are turned off. However, since the potential of the gate signal line (107) is still positive, the TFT (105) is in the ON state. Since the TFT at this time mainly functions as an electrostatic capacitance, the potential of the source / drain of the TFT (105) is almost the same as the potential of the pixel cell (106). (Fig. 2
(B), c period)

【0030】次に、ゲート信号線(107)の電位が負
に転換すると、TFT(105)に形成されていた静電
容量が急激に小さくなる。すると、TFT(105)に
蓄積されていた電荷(これはTFT(103)、(10
4)がOFF状態であるので、他へ流出することは難し
い)を保持するために、TFT(105)のソース/ド
レインの電圧が高くなる(絶対値が大きくなる)。すな
わち、TFT(105)を中心として非常に電圧の高い
領域が形成され、この領域が存在するために画像信号線
の電位が負になったとしても、TFT(105)の電位
が低下することが優先され、画素セル(106)から電
荷が流出して、電位が降下することは抑制される。
Next, when the potential of the gate signal line (107) is changed to negative, the electrostatic capacity formed in the TFT (105) is rapidly reduced. Then, the charges accumulated in the TFT (105) (this is the TFT (103), (10
4) is in the OFF state, it is difficult to flow to another), so that the voltage of the source / drain of the TFT (105) becomes high (absolute value becomes large). That is, a region having a very high voltage is formed around the TFT (105), and even if the potential of the image signal line becomes negative due to the existence of this region, the potential of the TFT (105) may decrease. Priority is given to suppressing the electric charge from flowing out from the pixel cell (106) and the potential drop.

【0031】逆に、電位差の関係からTFT(105)
から画素セル(106)に向かって電流が流れる。もっ
とも、TFT(105)に蓄積されている電荷と画素セ
ルの静電容量の比率から、TFT(105)に蓄積され
ている電荷の全てが画素セルに流入したとしても画素セ
ルの電位変動はほとんど生じない。以上の作用により、
OFF電流を低減できる。(図2(B)、dおよびeの
期間) 以下、同様な動作が繰り返される。
On the contrary, from the relationship of the potential difference, the TFT (105)
Current flows from the pixel cell to the pixel cell (106). However, from the ratio of the electric charge accumulated in the TFT (105) and the electrostatic capacity of the pixel cell, even if all the electric charge accumulated in the TFT (105) flows into the pixel cell, the potential fluctuation of the pixel cell hardly occurs. Does not happen. By the above action,
The OFF current can be reduced. (Period of FIG. 2B, d and e) Hereinafter, the same operation is repeated.

【0032】このように本発明はOFF電流を平均的に
低減できる効果も有するものであるが、加えて、OFF
電流の大きなスイッチング素子(不良スイッチング素
子)の発生確率を激減させることもできる。例えば、図
1(A)において、TFT(103)もしくは(10
4)のいずれか一方が非常にOFF電流の大きなもので
あったとしても、他方が正常なものであることにより、
全体として、OFF電流抑制の効果を示すためである。
すなわち、TFT(103)と(104)が2つともO
FF電流の大きな不良である確率は非常に小さい。この
結果、スイッチング素子のOFF電流はTFTの99%
を1pA以下、99.99%を10pA以下とすること
ができ、画像に障害を生じる100pA以上のスイッチ
ング素子の発生確率は1ppm以下とすることができ
た。
As described above, the present invention has an effect that the OFF current can be reduced on average.
It is also possible to drastically reduce the probability of occurrence of a switching element having a large current (defective switching element). For example, in FIG. 1A, the TFT (103) or (10
Even if either one of 4) has a very large OFF current, the other one is normal.
This is to show the effect of suppressing the OFF current as a whole.
That is, both of the TFTs (103) and (104) are O.
The probability of a large FF current defect is very small. As a result, the OFF current of the switching element is 99% of that of the TFT.
Could be 1 pA or less, 99.99% could be 10 pA or less, and the probability of occurrence of a switching element of 100 pA or more that causes an image failure could be 1 ppm or less.

【0033】なお、TFT(103)、(104)のチ
ャネルにLDD領域またはオフセット領域を入れると、
それらの領域はドレイン抵抗・ソース抵抗となるため、
ドレイン接合の電界強度を緩和させ、さらにOFF電流
を減少させることができることは言うまでもない。特に
画素電極側のTFTのチャネルの両端にLDD(低濃度
不純物)領域やオフセット領域を形成すると有効であ
る。
If LDD regions or offset regions are placed in the channels of the TFTs (103) and (104),
Since those regions become drain resistance and source resistance,
It goes without saying that the electric field strength of the drain junction can be relaxed and the OFF current can be further reduced. In particular, it is effective to form LDD (low concentration impurity) regions and offset regions on both ends of the channel of the TFT on the pixel electrode side.

【0034】図1(A)の例では、中央のTFTはその
両端のTFTと同じ導電型(この場合はNチャネル型)
であったが、図1(B)のように、逆導電型(すなわ
ち、Pチャネル型)としてもよい。ただし、その場合に
は中央のTFT(115)のゲート電極に印加する信号
は、図1(A)の場合と逆になる。(図1(B))
In the example of FIG. 1A, the central TFT has the same conductivity type as the TFTs at both ends thereof (in this case, N-channel type).
However, as shown in FIG. 1B, the conductivity type may be reversed (that is, P-channel type). However, in that case, the signal applied to the gate electrode of the central TFT (115) is opposite to that in the case of FIG. (Fig. 1 (B))

【0035】また、より多くのTFTを接続して、図1
(C)に示すような回路を構成してもよい。この場合に
はOFF電流低減の効果がさらに大きくなる。もっと
も、図1(C)の場合には全部でTFTを5つ使用して
いるが、TFTを7個、9個と使用してもOFF電流低
減の効果はそれほど増大しない。回路構成等を考慮する
とTFTを5つ以下とすることが好ましい。
Further, by connecting more TFTs, as shown in FIG.
A circuit as shown in (C) may be configured. In this case, the effect of reducing the OFF current is further increased. Of course, in the case of FIG. 1C, five TFTs are used in total, but even if seven or nine TFTs are used, the effect of reducing the OFF current does not increase so much. Considering the circuit configuration and the like, it is preferable that the number of TFTs is 5 or less.

【0036】[0036]

【実施例】【Example】

〔実施例1〕本実施例は図1(A)で示した回路の作製
工程に関するものである。本実施例では、ゲート電極を
陽極酸化することにより、オフセットゲートを構成し、
より一層、OFF電流を低減することを特色とする。な
お、ゲート電極を陽極酸化する技術は特開平5−267
667に開示されている。
[Embodiment 1] This embodiment relates to a manufacturing process of the circuit shown in FIG. In this embodiment, an offset gate is formed by anodizing the gate electrode,
The feature is that the OFF current is further reduced. A technique for anodizing the gate electrode is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-267.
667.

【0037】図4の(A)〜(D)に本実施例の工程を
示す。まず、基板(401)(コーニング7059、1
00mm×100mm)上に、下地膜として酸化珪素膜
(402)を1000〜5000Å、例えば、3000
Åに成膜した。この酸化珪素膜の成膜には、TEOSを
プラズマCVD法によって分解・堆積して成膜した。こ
の工程はスパッタ法によっておこなってもよい。
4A to 4D show the steps of this embodiment. First, the substrate (401) (Corning 7059, 1
(00 mm × 100 mm), a silicon oxide film (402) is formed as a base film on the surface of 1000 to 5000 Å, for example, 3000.
Film was formed on Å. The silicon oxide film was formed by decomposing and depositing TEOS by the plasma CVD method. This step may be performed by a sputtering method.

【0038】その後、プラズマCVD法やLPCVD法
によってアモルファスシリコン膜を300〜1500
Å、例えば、500Å堆積し、熱アニール法により結晶
化せしめた。その際には、特開平6−144204に開
示された技術にしたがって、触媒元素としてニッケルを
微量添加して結晶化をおこなった。ニッケルの添加方法
としては、薄い酸化珪素膜を形成したアモルファスシリ
コン膜上に1ppmの酢酸ニッケル水溶液を塗布・乾燥
させた。その後、これを550℃の雰囲気に4時間放置
した。
After that, an amorphous silicon film of 300 to 1500 is formed by plasma CVD method or LPCVD method.
Å, for example, 500Å was deposited and crystallized by a thermal annealing method. At that time, according to the technique disclosed in JP-A-6-144204, a small amount of nickel was added as a catalyst element for crystallization. As a method for adding nickel, a 1 ppm nickel acetate aqueous solution was applied and dried on an amorphous silicon film having a thin silicon oxide film formed thereon. Then, this was left to stand at 550 degreeC atmosphere for 4 hours.

【0039】なお、上記の熱アニール工程後に、レーザ
ー照射等の光アニールを追加して、さらに結晶性を向上
させてもよい。そして、このように結晶化させたシリコ
ン膜をエッチングして、島状領域(403)を形成し
た。さらに、この上にゲート絶縁膜(404)を形成し
た。ここでは、プラズマCVD法によって厚さ700〜
1500Å、例えば、1200Åの酸化珪素膜を形成し
た。この工程はスパッタ法によっておこなってもよい。
After the above thermal annealing process, optical annealing such as laser irradiation may be added to further improve the crystallinity. Then, the crystallized silicon film was etched to form island regions (403). Further, a gate insulating film (404) was formed on this. Here, the thickness is 700 to
A silicon oxide film having a thickness of 1500 Å, for example, 1200 Å was formed. This step may be performed by a sputtering method.

【0040】その後、厚さ1000Å〜3μm、例え
ば、5000Åのアルミニウム(1wt%のSi、もし
くは0.1〜0.3wt%のScを含む)膜をスパッタ
法によって形成して、これをエッチングしてゲート電極
(405)、(406)、(407)を形成した。(図
4(A))
After that, an aluminum (containing 1 wt% Si or 0.1 to 0.3 wt% Sc) film having a thickness of 1000 Å to 3 μm, for example, 5000 Å, is formed by the sputtering method and is etched. Gate electrodes (405), (406) and (407) were formed. (Fig. 4 (A))

【0041】そして、ゲート電極に電解溶液中で電流を
通じて陽極酸化し、厚さ500〜2500Å、例えば、
2000Åの陽極酸化物を形成した。用いた電解溶液
は、L−酒石酸をエチレングリコールに5%の濃度に希
釈し、アンモニアを用いてpHを7.0±0.2に調整
したものである。その溶液中に基板を浸し、定電流源の
+側を基板上のゲイト電極に接続し、−側には白金の電
極を接続して20mAの定電流状態で電圧を印加し、1
50Vに達するまで酸化を継続した。さらに、150V
の定電圧状態で、電流が0.1mA以下になるまで酸化
を継続した。この結果、厚さ2000Åの酸化アルミニ
ウム被膜(408)、(409)、(410)が得られ
た。
Then, the gate electrode is anodized by passing an electric current in an electrolytic solution to a thickness of 500 to 2500Å, for example,
2000 liters of anodic oxide was formed. The electrolytic solution used was prepared by diluting L-tartaric acid in ethylene glycol to a concentration of 5% and adjusting the pH to 7.0 ± 0.2 using ammonia. The substrate was immersed in the solution, the + side of the constant current source was connected to the gate electrode on the substrate, the platinum electrode was connected to the − side, and voltage was applied at a constant current of 20 mA.
Oxidation was continued until 50V was reached. Furthermore, 150V
Oxidation was continued in the constant voltage state until the current became 0.1 mA or less. As a result, aluminum oxide coatings (408), (409) and (410) having a thickness of 2000Å were obtained.

【0042】その後、イオンドーピング法によって、島
状領域(403)に、ゲート電極部(すなわち、ゲート
電極とその周囲の陽極酸化物被膜)をマスクとして自己
整合的に不純物(ここでは燐)を注入し、N型不純物領
域を形成した。ここで、ドーピングガスとしてはフォス
フィン(PH3 )を用いた。この場合のドーズ量は1×
1014〜5×1015原子/cm2 、加速電圧は60〜9
0kV、例えば、ドーズ量を1×1015原子/cm2
加速電圧は80kVとした。この結果、N型不純物領域
(411)〜(414)が形成された。この段階で素子
を上面から見た様子は図1(D)に示される。(図4
(B))
After that, impurities (phosphorus in this case) are self-alignedly implanted into the island-shaped region (403) by ion doping using the gate electrode portion (that is, the gate electrode and the anodic oxide coating around the gate electrode) as a mask. Then, an N-type impurity region was formed. Here, phosphine (PH 3 ) was used as the doping gas. The dose amount in this case is 1 ×
10 14 to 5 × 10 15 atoms / cm 2 , acceleration voltage is 60 to 9
0 kV, for example, the dose amount is 1 × 10 15 atoms / cm 2 ,
The acceleration voltage was 80 kV. As a result, N-type impurity regions (411) to (414) were formed. A state of the element viewed from above at this stage is shown in FIG. (Fig. 4
(B))

【0043】さらに、KrFエキシマーレーザー(波長
248nm、パルス幅20nsec)を照射して、ドー
ピングされた不純物領域(411)〜(414)の活性
化をおこなった。レーザーのエネルギー密度は200〜
400mJ/cm2 、好ましくは250〜300mJ/
cm2 が適当であった。この工程は熱アニールによって
おこなってもよい。特に触媒元素(ニッケル)を含有し
ており、通常の場合に比較して低温の熱アニールで活性
化できる(特開平6−267989)。このようにして
N型不純物領域が形成されたのであるが、本実施例で
は、陽極酸化物の厚さ分だけ不純物領域がゲート電極か
ら遠い、いわゆるオフセットゲートとなっていることが
わかる。
Further, a KrF excimer laser (wavelength 248 nm, pulse width 20 nsec) was irradiated to activate the doped impurity regions (411) to (414). Laser energy density is 200 ~
400 mJ / cm 2 , preferably 250-300 mJ /
cm 2 was suitable. This step may be performed by thermal annealing. In particular, it contains a catalytic element (nickel) and can be activated by thermal annealing at a lower temperature than in the usual case (JP-A-6-267989). Although the N-type impurity region was formed in this manner, it can be seen that in the present example, the impurity region is distant from the gate electrode by the thickness of the anodic oxide, forming a so-called offset gate.

【0044】次に、層間絶縁膜として、プラズマCVD
法によって酸化珪素膜(415)を厚さ5000Åに成
膜した。このとき、原料ガスにTEOSと酸素を用い
た。そして、層間絶縁膜(415)、ゲート絶縁膜(4
04)のエッチングをおこない、N型不純物領域(41
1)にコンタクトホールを形成した。その後、アルミニ
ウム膜をスパッタ法によって形成し、エッチングしてソ
ース電極・配線(416)を形成した。これは画像信号
線の延長である。(図4(C))
Next, plasma CVD is performed as an interlayer insulating film.
A silicon oxide film (415) was formed to a thickness of 5000Å by the method. At this time, TEOS and oxygen were used as source gases. Then, the interlayer insulating film (415) and the gate insulating film (4
04) is etched and the N-type impurity region (41
A contact hole was formed in 1). After that, an aluminum film was formed by a sputtering method and etched to form a source electrode / wiring (416). This is an extension of the image signal line. (Fig. 4 (C))

【0045】その後、パッシベーション膜(417)を
形成した。ここでは、NH3 /SiH4 /H2 混合ガス
を用いたプラズマCVD法によって窒化珪素膜を200
0〜8000Å、例えば、4000Åの膜厚に成膜し
て、パッシベーション膜とした。そして、パッシベーシ
ョン膜(417)、層間絶縁膜(415)、ゲート絶縁
膜(404)のエッチングをおこない、N型不純物領域
(414)に画素電極のコンタクトホールを形成した。
そして、インディウム錫酸化物(ITO)被膜をスパッ
タ法によって成膜し、これをエッチングして画素電極
(418)を形成した。
After that, a passivation film (417) was formed. Here, a silicon nitride film is formed by a plasma CVD method using a mixed gas of NH 3 / SiH 4 / H 2
A film having a film thickness of 0 to 8000 Å, for example, 4000 Å was formed as a passivation film. Then, the passivation film (417), the interlayer insulating film (415) and the gate insulating film (404) were etched to form a contact hole for the pixel electrode in the N-type impurity region (414).
Then, a film of indium tin oxide (ITO) was formed by a sputtering method, and this was etched to form a pixel electrode (418).

【0046】このようにして、3つの直列したTFT
(421)、(420)、(422)が形成できた。こ
のうち、ゲート電極(406)は、ゲート信号線より信
号を供給し、また、ゲート電極(405)、(407)
は行選択信号線より信号を供給して用いる。(図4
(D))
In this way, three TFTs connected in series
(421), (420), and (422) were formed. Of these, the gate electrode (406) supplies a signal from the gate signal line, and the gate electrodes (405) and (407).
Is used by supplying a signal from the row selection signal line. (Fig. 4
(D))

【0047】なお、図4(E)のように、パッシベーシ
ョン膜(417)および層間絶縁物(418)、ゲート
絶縁膜(404)をエッチングして、N型不純物領域
(414)に画素電極のコンタクトホールを形成する際
に、同時にゲート電極(406)上にもコンタクトホー
ルを形成してもよい。陽極酸化物(酸化アルミニウム)
は酸化珪素をエッチングするフッ酸系のエッチャントで
はエッチング速度が極めて小さいので、実質的に陽極酸
化物(409)でエッチングは停止する。
As shown in FIG. 4E, the passivation film (417), the interlayer insulator (418) and the gate insulating film (404) are etched to contact the N-type impurity region (414) with the pixel electrode contact. A contact hole may be formed on the gate electrode (406) at the same time when the hole is formed. Anodic oxide (aluminum oxide)
Since the etching rate is extremely low with a hydrofluoric acid-based etchant that etches silicon oxide, etching substantially stops at the anodic oxide (409).

【0048】そして、このようにして形成されたホール
を覆って、画素電極(418)を形成すると、画素電極
(418)は陽極酸化物被膜(409)を挟んで、ゲー
ト電極(406)と対向し、容量(419)を形成でき
る。この容量は、図1(A)における補助容量(10
8)に相当するもので、画素電極の不透明部分を増加さ
せることなく(すなわち、開口率を低下させずに)、容
量を付加することができる。(図4(E))
Then, when the pixel electrode (418) is formed so as to cover the hole thus formed, the pixel electrode (418) faces the gate electrode (406) with the anodic oxide film (409) interposed therebetween. Then, the capacitor (419) can be formed. This capacity corresponds to the auxiliary capacity (10
This is equivalent to 8), and the capacitance can be added without increasing the opaque portion of the pixel electrode (that is, without decreasing the aperture ratio). (Fig. 4 (E))

【0049】〔実施例2〕図5に本実施例の工程を示
す。まず、基板(501)上に、下地酸化珪素膜(50
2)(厚さ2000Å)を堆積し、実施例1と同様に触
媒元素としてニッケルを使用して、550℃、4時間の
熱アニールによって結晶化させた結晶性シリコン膜によ
って島状領域(503)を形成した。さらに、この上に
ゲート絶縁膜(504)を形成した。
[Embodiment 2] FIG. 5 shows a process of this embodiment. First, a base silicon oxide film (50) is formed on a substrate (501).
2) (thickness 2000 Å) is deposited, and nickel is used as a catalyst element in the same manner as in Example 1, and the crystalline silicon film crystallized by thermal annealing at 550 ° C. for 4 hours is used to form an island region (503). Was formed. Further, a gate insulating film (504) was formed on this.

【0050】その後、厚さ、5000Åのアルミニウム
膜をスパッタ法によって形成した。さらに、後の多孔質
陽極酸化物被膜形成工程におけるフォトレジストとの密
着性の改善のために、アルミニウム膜表面に厚さ100
〜400Åの薄い陽極酸化膜を形成してもよい。その
後、スピンコーティング法によって厚さ1μm程度のフ
ォトレジストを形成した。そして、公知のフォトリソグ
ラフィー法によって、ゲート電極(505)、(50
6)、(507)をエッチングにより形成した。ゲート
電極上には、フォトレジストのマスク(508)、(5
09)、(510)を残存させた。(図5(A))
Thereafter, an aluminum film having a thickness of 5000 Å was formed by the sputtering method. Further, in order to improve the adhesiveness with the photoresist in the subsequent porous anodic oxide film forming step, a thickness of 100 is formed on the surface of the aluminum film.
You may form a thin anodic oxide film of -400 Å. Then, a photoresist having a thickness of about 1 μm was formed by spin coating. Then, the gate electrodes (505), (50
6) and (507) were formed by etching. On the gate electrode, photoresist masks (508), (5
09) and (510) were left. (Figure 5 (A))

【0051】次に、基板を10%シュウ酸水溶液に浸
し、定電流源の+側を基板上のゲイト電極(505)、
(507)に接続し、−側には白金の電極を接続して陽
極酸化をおこなった。この技術は特開平6−33861
2に開示されている。すなわち、5〜50V、例えば、
8Vの定電圧で、10〜500分、例えば、200分陽
極酸化をおこなうことによって、厚さ5000Åの多孔
質の陽極酸化物(511)、(512)をゲート電極
(505)、(507)の側面に形成した。得られた陽
極酸化物は多孔質であった。ゲート電極の上面には、マ
スク材(508)、(510)が存在するために陽極酸
化はほとんど進行しなかった。また、ゲート電極(50
6)には電流を通じなかったので、陽極酸化物は形成さ
れなかった。(図5(B))
Next, the substrate is immersed in an aqueous solution of 10% oxalic acid, and the + side of the constant current source is connected to the gate electrode (505) on the substrate,
It was connected to (507) and a platinum electrode was connected to the negative side to carry out anodization. This technique is disclosed in JP-A-6-33861.
2 is disclosed. That is, 5 to 50 V, for example,
By performing anodization at a constant voltage of 8 V for 10 to 500 minutes, for example, 200 minutes, porous anodic oxides (511) and (512) having a thickness of 5000 Å are formed on the gate electrodes (505) and (507). Formed on the side. The obtained anodic oxide was porous. Since the mask materials (508) and (510) were present on the upper surface of the gate electrode, anodic oxidation hardly proceeded. In addition, the gate electrode (50
No current was passed through 6), so no anodic oxide was formed. (Fig. 5 (B))

【0052】その後、マスク材を除去してゲイト電極上
面を露出させた。そして、実施例1と同様にL−酒石酸
をエチレングリコールに5%の濃度に希釈し、アンモニ
アを用いてpHを7.0±0.2に調整した電解溶液中
でゲート電極(505)、(506)、(507)に電
流を通じて陽極酸化し、厚さ500〜2500Å、例え
ば、2000Åの陽極酸化物を形成した。この結果、厚
さ2000Åの緻密な酸化アルミニウム被膜(51
3)、(514)、(515)が得られた。
After that, the mask material was removed to expose the upper surface of the gate electrode. Then, in the same manner as in Example 1, L-tartaric acid was diluted with ethylene glycol to a concentration of 5%, and the gate electrode (505), (in the electrolytic solution whose pH was adjusted to 7.0 ± 0.2 using ammonia). 506) and (507) were anodized by applying an electric current to form an anodic oxide having a thickness of 500 to 2500Å, for example, 2000Å. As a result, a dense aluminum oxide film with a thickness of 2000Å (51
3), (514) and (515) were obtained.

【0053】その後、イオンドーピング法によって、島
状シリコン領域(503)に、ゲイト電極部をマスクと
して自己整合的に不純物(ここでは硼素)を注入し、P
型不純物領域を形成した。ここで、ドーピングガスとし
てはジボラン(B2 6 )を用いた。この場合のドーズ
量は1×1014〜5×1015原子/cm2 、加速電圧は
40〜90kV、例えば、ドーズ量を1×1015
-2、加速電圧は65kVとした。この結果、P型不純
物領域(516)〜(519)が形成された。(図5
(C))
After that, impurities (boron in this case) are implanted into the island-shaped silicon region (503) in a self-alignment manner by using the gate electrode portion as a mask by an ion doping method, and P
A type impurity region was formed. Here, diborane (B 2 H 6 ) was used as the doping gas. In this case, the dose amount is 1 × 10 14 to 5 × 10 15 atoms / cm 2 , the acceleration voltage is 40 to 90 kV, for example, the dose amount is 1 × 10 15 c.
m −2 , and the acceleration voltage was 65 kV. As a result, P-type impurity regions (516) to (519) were formed. (Fig. 5
(C))

【0054】さらに、KrFエキシマーレーザー(波長
248nm、パルス幅20nsec)を照射して、ドー
ピングされた不純物領域(516)〜(519)の活性
化をおこなった。実施例1においても記述したが、この
工程は熱アニールによるものでもよい。次に、層間絶縁
膜として、プラズマCVD法によって酸化珪素膜(52
0)を厚さ3000Åに成膜した。さらに、層間絶縁膜
(520)、ゲイト絶縁膜(504)のエッチングをお
こない、P型不純物領域(516)にコンタクトホール
を形成した。その後、アルミニウム膜をスパッタ法によ
って形成し、エッチングして画像信号線(521)を形
成した。(図5(D))
Further, a KrF excimer laser (wavelength 248 nm, pulse width 20 nsec) was irradiated to activate the doped impurity regions (516) to (519). As described in Example 1, this step may be performed by thermal annealing. Next, as a interlayer insulating film, a silicon oxide film (52
0) was deposited to a thickness of 3000Å. Further, the interlayer insulating film (520) and the gate insulating film (504) were etched to form a contact hole in the P-type impurity region (516). After that, an aluminum film was formed by a sputtering method and etched to form an image signal line (521). (FIG. 5 (D))

【0055】その後、パッシベーション膜(522)を
形成し、パッシベション膜(522)、層間絶縁膜(5
20)、ゲイト絶縁膜(504)のエッチングをおこな
い、陽極酸化物被膜(514)上に開孔部を、また、P
型不純物領域(519)に画素電極のコンタクトホール
を形成した。そして、スパッタ法によってITOを成膜
したのち、これをエッチングして画素電極(523)を
形成した。画素電極(523)は、図4(E)と同様に
陽極酸化物被膜(514)を誘電体としてゲート電極
(506)と対向し、補助容量(524)を形成してい
る。(図5(E))
Then, a passivation film (522) is formed, and a passivation film (522) and an interlayer insulating film (5) are formed.
20), the gate insulating film (504) is etched to form an opening on the anodic oxide film (514), and P
A contact hole for the pixel electrode was formed in the type impurity region (519). Then, after forming an ITO film by a sputtering method, this was etched to form a pixel electrode (523). The pixel electrode (523) faces the gate electrode (506) by using the anodic oxide coating (514) as a dielectric, similarly to FIG. 4 (E), and forms an auxiliary capacitance (524). (Fig. 5 (E))

【0056】以上のような工程により、Pチャネル型薄
膜トランジスタ(526)、(527)、(525)お
よび補助容量(524)を有するアクティブマトリクス
回路のスイッチング素子が形成された。本実施例では、
トランジスタの導電型は逆であるが、図1(A)に示さ
れる回路と同じである。本実施例ではOFF電流を抑制
する必要のある薄膜トランジスタ(526)、(52
7)に関しては、実施例2の場合によりもオフセット幅
を広くした。一方、MOS容量ではオフセットの存在は
不要であるので、オフセットを小さくした。
Through the above steps, the switching element of the active matrix circuit having the P-channel type thin film transistors (526), (527), (525) and the auxiliary capacitance (524) was formed. In this embodiment,
Although the conductivity type of the transistor is opposite, it is the same as the circuit shown in FIG. In this embodiment, the thin film transistors (526) and (52) that need to suppress the OFF current.
Regarding 7), the offset width is made wider than in the case of the second embodiment. On the other hand, the presence of the offset is not necessary in the MOS capacitor, so the offset was made small.

【0057】〔実施例3〕 図6には、本発明を用いて
回路を形成する様子を示した。具体的なプロセスについ
ては、公知技術(もしくは実施例1、2に示される技
術)を用いればよいので、ここでは詳述しない。まず、
実施例1に示される手段によって、触媒元素を用いてア
モルファスシリコン膜を結晶化せしめ、これをエッチン
グして、概略U字型(もしくはコの字型あるいは馬蹄
型)の半導体領域(活性層)(601)〜(604)を
形成した。ここで、活性層(601)を基準とした場
合、活性層(602)は当列次行、活性層(603)は
次列当行、活性層(604)は次列次行を意味する。
(図6(A))
Example 3 FIG. 6 shows how a circuit is formed using the present invention. A publicly known technique (or the technique shown in the first and second embodiments) may be used for a specific process, and thus will not be described in detail here. First,
By the means shown in Example 1, the amorphous silicon film is crystallized using a catalytic element, and this is etched to form a substantially U-shaped (or U-shaped or horseshoe-shaped) semiconductor region (active layer) ( 601) to (604) were formed. Here, when the active layer (601) is used as a reference, the active layer (602) means the next row and the next row, the active layer (603) means the next row and the current row, and the active layer (604) means the next row and the next row.
(Fig. 6 (A))

【0058】その後、ゲート絶縁膜(図示せず)を形成
し、さらに、同一被膜をエッチングすることにより、行
選択信号線(605)、(606)および、ゲート信号
線(607)、(608)を形成した。ここで、行選択
信号線およびゲート信号線と活性層の位置関係について
は図3と同様とした。(図6(B)) そして、活性層にドーピングをおこなった後、各活性層
の左端にコンタクトホール(例えば、(611)に示さ
れる)を形成し、さらに、画像信号線(609)、(6
10)を形成した。(図6(C))
After that, a gate insulating film (not shown) is formed, and the same film is further etched to obtain row selection signal lines (605) and (606) and gate signal lines (607) and (608). Was formed. Here, the positional relationship between the row selection signal line and the gate signal line and the active layer is the same as in FIG. (FIG. 6B) Then, after doping the active layer, a contact hole (for example, shown in (611)) is formed at the left end of each active layer, and the image signal lines (609), ( 6
10) was formed. (Fig. 6 (C))

【0059】その後、行選択信号線と画像択信号線によ
って囲まれた領域に画素電極(612)、(613)を
形成した。このようにして、ゲート信号線(607)と
活性層(601)においてTFT(614)が形成され
たのであるが、このとき、ゲート信号線(607)は当
該行の画素電極(613)とは重ならず、1行上の画素
電極(612)と重なるように配置した。すなわち、画
素電極(613)にしてみれば、1行下のゲート信号線
(608)が画素電極(613)と重なって、容量(6
15)を形成した。ゲート信号線(607)、(60
8)には行選択信号線と同期したパルス信号が供給され
るが、ほとんどの時間は一定の電圧に保持される(図2
(B)参照)ので、ゲート信号線と画素電極の間には静
電容量が形成される。(図6(D))
After that, pixel electrodes (612) and (613) were formed in the region surrounded by the row selection signal line and the image selection signal line. In this way, the TFT (614) is formed in the gate signal line (607) and the active layer (601). At this time, the gate signal line (607) is different from the pixel electrode (613) in the row. It is arranged so as not to overlap and to overlap the pixel electrode (612) on one row. That is, in the case of the pixel electrode (613), the gate signal line (608) one row below overlaps with the pixel electrode (613), and the capacitance (6
15) was formed. Gate signal lines (607), (60
8) is supplied with a pulse signal synchronized with the row selection signal line, but is maintained at a constant voltage for most of the time (FIG. 2).
(See (B)), an electrostatic capacitance is formed between the gate signal line and the pixel electrode. (Figure 6 (D))

【0060】このように、ゲート信号線を当該行の1行
上(もしくは下)の画素電極と重ねる配置を取ることに
よって、図6(E)に示すような回路が構成されたが、
容量(615)は図1(A)の容量(108)に相当す
るものであり、実質的に開口率を低下させずに、容量を
付加することができ、回路の集積度を向上させる上で有
効であった。ちなみに、図6(F)には、同じ間隔で行
選択信号線、画像信号線で囲まれた領域に形成された従
来の単位画素(図7(A)参照)を示したが、補助容量
(205)によって、遮られる領域は本実施例(図6
(D))と同じであり、本実施例では、半導体領域(6
01)が、ほとんど行選択信号線(605)、(60
7)で覆われた構造となっているため、開口率を減少さ
せることはない。逆に従来のもの(図6(F))では、
行選択信号線から分かれたゲート電極によって、開口率
の低下が認められる。
In this way, by arranging the gate signal line so as to overlap the pixel electrode one row above (or below) the row, the circuit as shown in FIG. 6E is constructed.
The capacitor (615) corresponds to the capacitor (108) in FIG. 1A, and a capacitor can be added without substantially lowering the aperture ratio, which improves the integration degree of the circuit. It was effective. By the way, FIG. 6F shows a conventional unit pixel (see FIG. 7A) formed in a region surrounded by row selection signal lines and image signal lines at the same intervals. 205), the area blocked by this embodiment is shown in FIG.
(D)), and in this embodiment, the semiconductor region (6
01) are almost the row selection signal lines (605), (60)
Since the structure is covered with 7), the aperture ratio is not reduced. On the contrary, in the conventional one (FIG. 6 (F)),
A decrease in the aperture ratio is recognized due to the gate electrode separated from the row selection signal line.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上、本発明に示したように、複数のT
FTを適切に接続することにより、液晶セルの電圧降下
を抑制することができた。本発明は、より高度な画像表
示が要求される用途において効果的である。すなわち、
256階調以上の極めて微妙な濃淡を表現する場合には
液晶セルの放電は1フレームの間に1%以下に抑えられ
ることが必要である。従来の方式はいずれもこの目的に
は適したものではなかった。
As described above, according to the present invention, a plurality of T
By properly connecting the FT, the voltage drop of the liquid crystal cell could be suppressed. The present invention is effective in applications in which higher image display is required. That is,
In the case of expressing extremely delicate shades of 256 gradations or more, it is necessary to suppress the discharge of the liquid crystal cell to 1% or less during one frame. None of the conventional methods are suitable for this purpose.

【0062】なお、以上の説明では、液晶ディスプレー
を中心に説明したが、本発明のアクティブマトリクス回
路は、何も液晶ディスプレーに限定されることはなく、
エレクトロルミネッセンス(EL)を利用したディスプ
レーやプラズマ発光を利用したディスプレー(プラズマ
ディスプレー=PDP)においても、電圧の保持が必要
とされるので、これらにも利用できることは明白であ
る。このように本発明は工業上有益である。
In the above description, the liquid crystal display was mainly described, but the active matrix circuit of the present invention is not limited to the liquid crystal display.
Since it is necessary to hold the voltage even in a display using electroluminescence (EL) and a display using plasma emission (plasma display = PDP), it is obvious that it can be used for these. As described above, the present invention is industrially useful.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明によるアクティブマトリクス回路のス
イッチング素子の例を示す。
FIG. 1 shows an example of a switching element of an active matrix circuit according to the present invention.

【図2】 本発明のアクティブマトリクス回路のスイッ
チング素子の回路図・動作例を示す。
FIG. 2 shows a circuit diagram and an operation example of a switching element of an active matrix circuit of the present invention.

【図3】 本発明のアクティブマトリクス回路のスイッ
チング素子の半導体領域およびゲートの配置例を示す。
FIG. 3 shows an arrangement example of semiconductor regions and gates of switching elements of an active matrix circuit of the present invention.

【図4】 実施例1におけるアクティブマトリクス回路
のスイッチング素子の製造工程を示す。
FIG. 4 shows a manufacturing process of a switching element of the active matrix circuit according to the first embodiment.

【図5】 実施例2におけるアクティブマトリクス回路
のスイッチング素子の製造工程を示す。
FIG. 5 shows a manufacturing process of a switching element of an active matrix circuit according to a second embodiment.

【図6】 実施例3におけるアクティブマトリクス回路
のスイッチング素子の製造工程を示す。
FIG. 6 shows a manufacturing process of a switching element of an active matrix circuit according to a third embodiment.

【図7】 従来のアクティブマトリクス回路のスイッチ
ング素子の回路図・動作例を示す。
FIG. 7 shows a circuit diagram and an operation example of a switching element of a conventional active matrix circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 ・・・・画像信号線 102 ・・・・行選択信号線 103〜105・・・・薄膜トランジスタ(Nチャネル
型) 106 ・・・・画素セル 107 ・・・・ゲート信号線 108 ・・・・補助容量 111 ・・・・画像信号線 112 ・・・・行選択信号線 113、114・・・・薄膜トランジスタ(Nチャネル
型) 115 ・・・・薄膜トランジスタ(Pチャネル
型) 116 ・・・・画素セル 117 ・・・・ゲート信号線 118 ・・・・補助容量 121 ・・・・画像信号線 122 ・・・・行選択信号線 123〜127・・・・薄膜トランジスタ(Nチャネル
型) 128 ・・・・画素セル 129 ・・・・ゲート信号線
101 ... Image signal line 102 ... Row selection signal line 103 to 105 ... Thin film transistor (N-channel type) 106 ... Pixel cell 107 ... Gate signal line 108 ... Auxiliary capacitance 111 ... Image signal line 112 ... Row selection signal line 113, 114 ... Thin film transistor (N-channel type) 115 ... Thin film transistor (P-channel type) 116 ... Pixel cell 117 ··· Gate signal line 118 ··· Auxiliary capacitance 121 ··· Image signal line 122 ··· Row selection signal line 123 to 127 ··· Thin film transistor (N-channel type) 128 ··· Pixel cell 129 ・ ・ ・ ・ Gate signal line

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 27/12 R H01L 29/78 617 A 627 G ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01L 27/12 R H01L 29/78 617 A 627 G

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アクティブマトリクス表示装置におい
て、 マトリクス状に配置された画素電極と画像信号線を有
し、 1個の前記画素電極に対して少なくとも3個の薄膜トラ
ンジスタを直列に接続し、前記直列接続した薄膜トラン
ジスタのうち、画像信号線に接続したものを除く少なく
とも1個の薄膜トランジスタが、行選択信号線とは独立
な信号を供給するゲート信号線によって制御されること
を特徴とする回路をスイッチング素子とすることを特徴
とするアクティブマトリクス表示装置。
1. An active matrix display device having pixel electrodes and image signal lines arranged in a matrix, wherein at least three thin film transistors are connected in series to one pixel electrode, and the series connection is made. Among the thin film transistors, at least one thin film transistor other than the one connected to the image signal line is controlled by a gate signal line supplying a signal independent of the row selection signal line, and a circuit is defined as a switching element. An active matrix display device comprising:
【請求項2】 請求項1において、前記薄膜トランジス
タの活性層は結晶性シリコンによって構成され、1×1
15〜1×1019原子/cm3 のシリコンの結晶化を促
進する触媒元素が含有されていることを特徴とするアク
ティブマトリクス表示装置。
2. The active layer of the thin film transistor according to claim 1, wherein the active layer is made of crystalline silicon.
An active matrix display device comprising a catalytic element that promotes crystallization of silicon in an amount of 0 15 to 1 × 10 19 atoms / cm 3 .
【請求項3】 請求項1もしくは2において、ゲート信
号線は行選択信号線と平行に、かつ、行選択信号線の間
に配置されていることを特徴とするアクティブマトリク
ス表示装置。
3. The active matrix display device according to claim 1, wherein the gate signal line is arranged in parallel with the row selection signal line and between the row selection signal lines.
【請求項4】 請求項1もしくは2において、画素電極
に接続される薄膜トランジスタのチャネルの両端にLD
D領域を設けたことを特徴とするアクティブマトリクス
表示装置。
4. The LD according to claim 1, wherein LDs are provided at both ends of a channel of the thin film transistor connected to the pixel electrode.
An active matrix display device having a D region.
【請求項5】 請求項1もしくは2において、画素電極
に接続される薄膜トランジスタのチャネルの両端にオフ
セット領域を設けたことを特徴とするアクティブマトリ
クス表示装置。
5. An active matrix display device according to claim 1, wherein offset regions are provided at both ends of a channel of the thin film transistor connected to the pixel electrode.
【請求項6】 アクティブマトリクス表示装置におい
て、マトリクス状に配置された画素電極を有し、 該画素電極ごとに設けられた1つの島状の結晶性シリコ
ン半導体被膜上にゲート電極を3つ以上有し、 前記半導体被膜には、前記ゲート電極をマスクとしてド
ーピングされたN型もしくはP型の領域が設けられ、 前記半導体領域に設けられたN型もしくはP型の領域の
うち、両端の領域の一方は画素電極に、他方は画像信号
線に接続されており、 前記ゲート電極のうち、当該画素の行選択信号線に接続
された任意の1つのゲート電極に隣接する1もしくは2
のゲート電極は、いずれも当該画素の行選択信号線とは
独立したゲート信号線によって制御されることを特徴と
するアクティブマトリクス表示装置。
6. An active matrix display device having pixel electrodes arranged in a matrix, and having three or more gate electrodes on one island-shaped crystalline silicon semiconductor film provided for each pixel electrode. The semiconductor film is provided with an N-type or P-type region doped using the gate electrode as a mask, and one of regions at both ends of the N-type or P-type region provided in the semiconductor region is provided. Is connected to a pixel electrode, and the other is connected to an image signal line. One or two of the gate electrodes adjacent to any one gate electrode connected to the row selection signal line of the pixel
2. The active matrix display device according to claim 1, wherein each of the gate electrodes is controlled by a gate signal line independent of a row selection signal line of the pixel.
【請求項7】 請求項6において、該半導体被膜は、1
×1015〜1×1019原子/cm3 のシリコンの結晶化
を促進する触媒元素を含有していることを特徴とするア
クティブマトリクス表示装置。
7. The semiconductor film according to claim 6, wherein the semiconductor film is 1
× 10 15 An active matrix display device characterized by containing a catalyst element that promotes crystallization of to 1 × 10 19 atoms / cm 3 of silicon.
【請求項8】 請求項6または7において、該結晶性シ
リコン半導体被膜は概略U字型もしくはコの字型もしく
は馬蹄型をしていることを特徴とするアクティブマトリ
クス表示装置。
8. The active matrix display device according to claim 6, wherein the crystalline silicon semiconductor film is approximately U-shaped, U-shaped, or horseshoe-shaped.
【請求項9】 アクティブマトリクス表示装置におい
て、 複数の画像信号線と、 前記画像信号線に概略平行に配置された複数の行選択信
号線と、 前記行選択信号線の間に1本づつ平行に配置されたゲー
ト信号線と、 前記行選択信号線と画像信号線に囲まれた領域に設けら
れた画素電極と、 前記画素電極の各々に接続して設けられたスイッチング
素子と、を有し、 前記スイッチング素子の各々は概略U字型もしくはコの
字型もしくは馬蹄型をした結晶性シリコン半導体被膜を
1つ有し、 かつ、前記行選択信号線と少なくとも2か所の交点と、
前記ゲート信号線と少なくとも1か所の交点を有するこ
とを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
9. In an active matrix display device, a plurality of image signal lines, a plurality of row selection signal lines arranged substantially parallel to the image signal lines, and one row selection signal line in parallel with each other. A gate signal line arranged, a pixel electrode provided in a region surrounded by the row selection signal line and the image signal line, and a switching element provided so as to be connected to each of the pixel electrodes, Each of the switching elements has one crystalline silicon semiconductor film having a substantially U-shape, a U-shape, or a horseshoe shape, and at least two intersections with the row selection signal line,
An active matrix display device having at least one intersection with the gate signal line.
【請求項10】 アクティブマトリクス表示装置におい
て、 複数の画像信号線と、 前記画像信号線に概略平行に配置された複数の行選択信
号線と、 前記行選択信号線の間に1本づつ平行に配置されたゲー
ト信号線と、 前記行選択信号線と画像信号線に囲まれた領域に設けら
れた画素電極と、 前記画素電極の各々に接続して設けられたスイッチング
素子と、を有し、 前記スイッチング素子の各々は結晶性シリコン半導体被
膜を1つ有し、 かつ、前記画像信号線とコンタクトを有する領域と、前
記画素電極とコンタクトを有する領域と、前記行選択信
号線とゲート信号線とによって分離された2つ以上の領
域とが、N型もしくはP型の導電型を示すことを特徴と
するアクティブマトリクス表示装置。
10. In an active matrix display device, a plurality of image signal lines, a plurality of row selection signal lines arranged substantially parallel to the image signal lines, and one row selection signal line in parallel with each other. A gate signal line arranged, a pixel electrode provided in a region surrounded by the row selection signal line and the image signal line, and a switching element provided so as to be connected to each of the pixel electrodes, Each of the switching elements has one crystalline silicon semiconductor film and has a region having a contact with the image signal line, a region having a contact with the pixel electrode, the row selection signal line and the gate signal line. An active matrix display device, characterized in that two or more regions separated by means of N-type or P-type conductivity type.
【請求項11】 請求項9または10において、該半導
体被膜は、1×1015〜1×1019原子/cm3 のシリ
コンの結晶化を促進する触媒元素を含有していることを
特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
11. The semiconductor film according to claim 9, wherein the semiconductor film contains 1 × 10 15 to 1 × 10 19 atoms / cm 3 of a catalytic element that promotes crystallization of silicon. Active matrix display device.
【請求項12】 請求項6乃至11において、行選択信
号線はアルミニウムを主成分とする材料とし、その側面
と上面が陽極酸化物で被覆されていることを特徴とする
アクティブマトリクス表示装置。
12. The active matrix display device according to claim 6, wherein the row selection signal line is made of a material containing aluminum as a main component, and a side surface and an upper surface thereof are covered with anodic oxide.
【請求項13】 請求項9乃至11において、ゲート信
号線は当該行の画素とは重ならず、当該行に隣接する行
の画素と重なることをことを特徴とするアクティブマト
リクス表示装置。
13. The active matrix display device according to claim 9, wherein the gate signal line does not overlap with the pixel of the row but overlaps with the pixel of the row adjacent to the row.
JP03156395A 1995-01-20 1995-01-28 Active matrix display device Expired - Fee Related JP3485667B2 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03156395A JP3485667B2 (en) 1995-01-28 1995-01-28 Active matrix display device
US08/588,809 US5929464A (en) 1995-01-20 1996-01-19 Active matrix electro-optical device
KR1019960001462A KR100275845B1 (en) 1995-01-20 1996-01-20 Active matrix electro-optical device
CN96105568A CN1088260C (en) 1995-01-20 1996-01-20 Active matrix electro-optical device
TW085102363A TW424170B (en) 1995-01-20 1996-02-28 Active matrix electro optical device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03156395A JP3485667B2 (en) 1995-01-28 1995-01-28 Active matrix display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08204207A true JPH08204207A (en) 1996-08-09
JP3485667B2 JP3485667B2 (en) 2004-01-13

Family

ID=12334654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03156395A Expired - Fee Related JP3485667B2 (en) 1995-01-20 1995-01-28 Active matrix display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3485667B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000259098A (en) * 1999-03-10 2000-09-22 Sanyo Electric Co Ltd Active el display device
US7212183B2 (en) 2003-01-29 2007-05-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus having pixels with low leakage current
US8847941B2 (en) 2008-09-30 2014-09-30 Fujitsu Ten Limited Display device and display control device
WO2015123975A1 (en) * 2014-02-19 2015-08-27 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate and preparation method therefor, and display panel

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000259098A (en) * 1999-03-10 2000-09-22 Sanyo Electric Co Ltd Active el display device
US7212183B2 (en) 2003-01-29 2007-05-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus having pixels with low leakage current
US8847941B2 (en) 2008-09-30 2014-09-30 Fujitsu Ten Limited Display device and display control device
WO2015123975A1 (en) * 2014-02-19 2015-08-27 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate and preparation method therefor, and display panel
US9947691B2 (en) 2014-02-19 2018-04-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof and display panel

Also Published As

Publication number Publication date
JP3485667B2 (en) 2004-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5929464A (en) Active matrix electro-optical device
KR100390113B1 (en) An active matrix type EL display device
US5729308A (en) Active matrix display device
KR100305414B1 (en) How to drive an active matrix display device
JP3747360B2 (en) Active matrix electro-optical device
US5569936A (en) Semiconductor device employing crystallization catalyst
US6011275A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3556307B2 (en) Active matrix display device
JP3514891B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3485667B2 (en) Active matrix display device
JPH08201852A (en) Active matrix display device
JP3375814B2 (en) Active matrix display device
JP3510876B2 (en) Active matrix display device
JP3917209B2 (en) Active matrix display device
JP3501895B2 (en) Active matrix display
JPH07333653A (en) Active matrix display device
JP2000314900A (en) Active matrix display device
JP3535301B2 (en) Active matrix display device
KR100466054B1 (en) Active Matrix Display
JPH05283694A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JP3961403B2 (en) Active matrix display device
JP2002190604A (en) Thin-film transistor, liquid crystal display device using the thin-film transistor and electroluminescence display device
JPH11168220A (en) Semiconductor device and its manufacture
JPH11168219A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JPH10335673A (en) Semiconductor device and active matrix type liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101024

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101024

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121024

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121024

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131024

Year of fee payment: 10

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees