JPH08203858A - Substrate treating device - Google Patents

Substrate treating device

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Publication number
JPH08203858A
JPH08203858A JP1400995A JP1400995A JPH08203858A JP H08203858 A JPH08203858 A JP H08203858A JP 1400995 A JP1400995 A JP 1400995A JP 1400995 A JP1400995 A JP 1400995A JP H08203858 A JPH08203858 A JP H08203858A
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JP
Japan
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substrate
cleaning
cleaning chamber
chamber
pure water
Prior art date
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Application number
JP1400995A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yusuke Muraoka
祐介 村岡
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPH08203858A publication Critical patent/JPH08203858A/en
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE: To provide a substrate treating device for consistently performing heat treatment from washing/drying of a substrate to heat treatment without being affected by the atmosphere. CONSTITUTION: A mechanical interface 2 receives a substrate carried in from another process and retains it. A pressure-reducing chamber 4 forms a closed space, the lower portion is constituted as a washing chamber part 41, and the upper portion is constituted as a film-forming chamber part 41 by a transfer machine 3. In the washing chamber part 51, washing treatment by a chemical liquid, water-washing treatment by pure water, and drying treatment are performed. After washing/drying treatment is completed, the substrate is housed in the film-forming chamber part 42 by a boat elevator. The substrate is heated by an oven body in the film-forming chamber part 42.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板処理装置に関し、
より特定的には、半導体デバイス製造プロセス、液晶デ
ィスプレイ製造プロセス、電子部品関連製造プロセス等
において、シリコンウエハ、ガラス基板、電子部品等の
各種基板に対して所定の処理(洗浄・乾燥処理および熱
処理)を施す装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus,
More specifically, in a semiconductor device manufacturing process, a liquid crystal display manufacturing process, an electronic component-related manufacturing process, etc., a predetermined treatment (cleaning / drying treatment and heat treatment) for various substrates such as silicon wafers, glass substrates, and electronic components. Relating to a device for applying.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコンウエハ等の基板に対して、酸化
膜処理やLPCVD処理等の熱処理を施す場合、その熱
処理前に基板の洗浄処理が行われる。従来、基板の洗浄
装置は、基板の熱処理装置とは全く別の装置として構成
され、工場内の別のエリアに設置されていた。洗浄装置
において各種薬液で処理され最終的に純水で洗浄された
基板は、乾燥処理が施された後、洗浄装置から取り出さ
れ、ロボットや搬送装置あるいはオペレータによって洗
浄エリアから熱処理エリアへ大気雰囲気下で運搬され、
熱処理装置へ搬入されていた。
2. Description of the Related Art When a substrate such as a silicon wafer is subjected to heat treatment such as oxide film treatment or LPCVD treatment, the substrate is washed before the heat treatment. Conventionally, a substrate cleaning apparatus is configured as a completely different apparatus from the substrate heat treatment apparatus, and is installed in another area in the factory. Substrates that have been treated with various chemicals in the cleaning device and finally cleaned with pure water are dried and then taken out from the cleaning device and transferred from the cleaning area to the heat treatment area by a robot, transfer device, or operator in the atmosphere. Transported in
It had been carried into the heat treatment equipment.

【0003】図7は、従来の基板処理システムの構成の
一例を示す平面レイアウト図である。図7において、こ
の基板処理システムは、洗浄エリアに設けられた洗浄装
置Aと、この洗浄エリアとは異なる熱処理エリアに設け
られた熱処理装置Bとを備えている。
FIG. 7 is a plan layout diagram showing an example of the configuration of a conventional substrate processing system. In FIG. 7, the substrate processing system includes a cleaning device A provided in a cleaning area and a heat treatment device B provided in a heat treatment area different from the cleaning area.

【0004】洗浄装置Aは、所要の洗浄用薬液を収容し
その薬液中に基板を浸漬させることにより基板に対し所
定の洗浄処理を施す1つまたは複数の薬液洗浄槽(図示
では一例として3つの場合を示している)と、純水を収
容しその純水中に基板を浸漬させて基板を純水で洗浄す
る1つまたは複数の純水洗浄槽(図示では一例として3
つの場合を示している)と、純水を用いて最終的に基板
をリンス処理する最終リンス槽と、最終リンス処理され
た基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、薬液洗浄槽1
に隣接し洗浄前の基板を複数枚収容して搬入されてきた
カセットを載置しておくローダと、乾燥処理部に隣接し
洗浄および乾燥処理を終えた基板を収容したカセットを
載置しそのカセットの搬出が行われるアンローダと、ロ
ーダ,薬液洗浄槽,純水洗浄槽,最終リンス槽,乾燥処
理部およびアンローダ間での基板の搬送を行う基板搬送
ロボットと、空のカセットをローダからアンローダへ移
送するためのカセットトラックとを備えている。各薬液
洗浄槽には、その目的に応じて所定の薬液が収容されて
いる。例えば、薬液洗浄槽1にはアンモニア水と過酸化
水素水の混合溶液が、薬液洗浄槽2にはフッ酸が、薬液
洗浄槽3には塩酸と過酸化水素水の混合液が収容されて
いる。また、乾燥処理部に設置される基板の乾燥処理装
置としては、遠心力によって基板の表面から純水を振り
切って乾燥させるスピンドライヤや、基板の表面に付着
した純水をイソプロピルアルコール等の有機溶剤の蒸気
で置換することによって乾燥させる有機溶剤蒸気乾燥装
置が使用される。また、アンローダに隣接してストッカ
ーが設けられている。このストッカーは、アンローダか
ら搬出された、洗浄済みの基板を収容したカセットを、
一時的に収容するバッファ的な役割を果たす。
The cleaning apparatus A includes one or a plurality of chemical cleaning tanks (three in the figure, as an example, for carrying out a predetermined cleaning process on a substrate by containing a required cleaning chemical and immersing the substrate in the chemical. Case) and one or more deionized water cleaning tanks (in the figure, 3 as an example, in which deionized water is contained, the substrate is immersed in the deionized water, and the substrate is washed with deionized water.
Two cases are shown), a final rinse bath for finally rinsing the substrate with pure water, a drying processing section for drying the surface of the substrate after the final rinse treatment, and a chemical cleaning bath 1
Adjacent to the loader for accommodating a plurality of pre-cleaned substrates and carrying in the loaded cassette, and a cassette for accommodating cleaned and dried substrates adjacent to the drying processing unit An unloader that carries out cassettes, a substrate transfer robot that transfers substrates between the loader, a chemical cleaning tank, a pure water cleaning tank, a final rinse tank, a drying processing section, and an unloader, and an empty cassette from the loader to the unloader. And a cassette truck for transfer. Each chemical cleaning tank contains a predetermined chemical depending on its purpose. For example, the chemical cleaning tank 1 stores a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water, the chemical cleaning tank 2 stores hydrofluoric acid, and the chemical cleaning tank 3 stores a mixed solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide water. . Further, as a substrate drying apparatus installed in the drying processing unit, a spin dryer for shaking off pure water from the surface of the substrate by centrifugal force to dry it, or an organic solvent such as isopropyl alcohol for deionized water attached to the surface of the substrate An organic solvent vapor dryer is used which dries by substituting the vapor of A stocker is provided adjacent to the unloader. This stocker is a cassette that contains cleaned substrates that have been unloaded from the unloader.
It acts as a buffer for temporary accommodation.

【0005】一方、熱処理装置Bには、基板の熱処理が
行われる炉体内部への大気成分の混入や基板の移送途中
における大気成分による酸化等の影響を防止するため
に、炉体の搬出入口に連接してロードロック室が設けら
れている。また、基板の搬入・搬出が行われるローダ・
アンローダに隣接してストッカーが設けられている。こ
のストッカーは、洗浄装置Aから運搬されてきた、基板
を収容したカセットを一時的に収容しておくことができ
るようになっている。そして、洗浄装置Aから熱処理装
置Bへの基板の運搬は、大気雰囲気下において行われ
る。
On the other hand, in the heat treatment apparatus B, in order to prevent the influence of mixing of atmospheric components into the interior of the furnace body where the substrate is heat-treated and the influence of oxidation by the atmospheric components during the transfer of the substrate, the inlet and outlet of the furnace body A load lock chamber is connected to. In addition, a loader for loading and unloading substrates
A stocker is provided adjacent to the unloader. This stocker can temporarily store the cassette containing the substrate, which has been transported from the cleaning apparatus A. Then, the transportation of the substrate from the cleaning apparatus A to the heat treatment apparatus B is performed in the atmosphere.

【0006】また、従来、特別な例として、図8の平面
レイアウト図に示すように、洗浄装置部Cと熱処理装置
部DとがインターフェイスロボットEによってインライ
ン化され、洗浄処理から熱処理までが同一エリア内で行
えるように一体化された基板処理システムもあった。
Further, conventionally, as a special example, as shown in the plan layout diagram of FIG. 8, the cleaning apparatus section C and the heat treatment apparatus section D are in-lined by the interface robot E, and the cleaning process and the heat treatment are in the same area. There was also an integrated substrate processing system that could be done in-house.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】図7に示したように洗
浄装置Aと熱処理装置Bとが別のエリアに設置されたシ
ステムでは、洗浄装置Aにおいて洗浄・乾燥処理を終え
カセットに収容された基板は、洗浄装置Aから搬出さ
れ、工程間搬送により熱処理装置Bのストッカーに収容
され、そこで熱処理の順番を待つ。この工程間搬送途中
および熱処理待ちの間中、基板は大気にさらされた状態
になっている。また、洗浄装置A内においても、基板は
各槽間を搬送されている途中や乾燥処理部での乾燥処理
中に大気の影響を受けていた。そのため、基板表面にお
いてパーティクルの付着やガスの吸着が発生し、カーボ
ンや重金属等による汚染や、不所望な酸化膜の成長等を
引き起こしていた。その結果、酸化工程やLPCVD工
程で基板表面に形成される膜の性質が劣化し、最終製品
の歩留まりが低下するといった問題点があった。
In the system in which the cleaning device A and the heat treatment device B are installed in different areas as shown in FIG. 7, the cleaning device A has completed the cleaning / drying process and is housed in the cassette. The substrate is unloaded from the cleaning apparatus A, is accommodated in the stocker of the heat treatment apparatus B by the inter-process transfer, and waits for the order of heat treatment there. The substrate is exposed to the atmosphere during the transportation between the steps and during the waiting for the heat treatment. Also in the cleaning apparatus A, the substrate was affected by the atmosphere while being transported between the tanks and during the drying process in the drying processing section. Therefore, adhesion of particles and adsorption of gas occur on the surface of the substrate, causing contamination by carbon, heavy metals, and the like, and undesired growth of an oxide film. As a result, the properties of the film formed on the surface of the substrate in the oxidation process and the LPCVD process deteriorate, and the yield of the final product decreases.

【0008】一方、図8に示したように洗浄装置部Cと
熱処理装置部Dとがインライン化されたシステムでは、
洗浄・乾燥工程と熱処理工程との間の基板搬送や熱処理
までの処理待ちを省略できるので、図7に示すシステム
に比べて、大気による影響を受けにくい。しかしなが
ら、依然として、洗浄装置部C内で槽間移送時に、基板
が大気と接触する。また、洗浄装置部Cのアンローダか
らインターフェイスロボットE、熱処理装置部Dのロー
ダ・アンローダを介してロードロック室に入るまで基板
が大気にさらされる。したがって、図8に示すシステム
においても、図7のシステムで生じる問題点を完全に無
くすことはできない。また、図8のシステムは、構成が
巨大で複雑になるという別の問題点があった。
On the other hand, as shown in FIG. 8, in the system in which the cleaning device section C and the heat treatment apparatus section D are in-line,
Since the substrate transfer between the cleaning / drying process and the heat treatment process and the process waiting until the heat treatment can be omitted, it is less affected by the atmosphere as compared with the system shown in FIG. However, the substrate is still in contact with the atmosphere during the transfer between the tanks in the cleaning device section C. The substrate is exposed to the atmosphere until it enters the load lock chamber from the unloader of the cleaning device section C through the interface robot E and the loader / unloader of the heat treatment device section D. Therefore, even the system shown in FIG. 8 cannot completely eliminate the problems that occur in the system shown in FIG. Further, the system of FIG. 8 has another problem that the configuration is huge and complicated.

【0009】それゆえに、本発明の目的は、大気の影響
を全く受けることなく、基板の洗浄・乾燥から熱処理ま
でを1つの装置内で一貫して行え、しかも構成が簡単で
かつ安価な基板処理装置を提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to perform substrate cleaning / drying to heat treatment in a single apparatus without being affected by the atmosphere at all, and further, the substrate processing is simple and inexpensive. It is to provide a device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
基板の洗浄・乾燥処理と熱処理とを密閉された空間内で
一元的に行う基板処理装置であって、他工程から搬入さ
れた基板を受け入れて保持する基板受け入れ部、密閉さ
れた空間を形成する減圧チャンバ、および基板受け入れ
部と減圧チャンバとの間で、基板を受け渡しする移載機
を備え、減圧チャンバは、移載機によって基板受け入れ
部から移載された基板を収容して、薬液による洗浄処理
と、純水による水洗処理と、乾燥処理とを施す洗浄チャ
ンバ部と、洗浄チャンバの上部に設けられ、その内部に
基板を加熱する炉体を有する成膜チャンバ部と、洗浄チ
ャンバ部と成膜チャンバ部との間の連通口を開閉する開
閉機構とを含み、洗浄チャンバ部と成膜チャンバ部との
間で基板を昇降させる昇降手段をさらに備えている。
The invention according to claim 1 is
A substrate processing apparatus that centrally performs cleaning / drying processing and heat treatment of a substrate in a sealed space, and forms a sealed space and a substrate receiving portion that receives and holds a substrate carried in from another process. A decompression chamber and a transfer machine for transferring the substrate between the substrate receiving section and the decompression chamber are provided, and the decompression chamber accommodates the substrate transferred from the substrate receiving section by the transfer machine and cleans with a chemical solution. Processing, a washing treatment with pure water, and a drying treatment; a film forming chamber portion having a furnace body provided above the washing chamber for heating the substrate; and a washing chamber portion. An opening / closing mechanism for opening and closing a communication port with the film chamber section is further provided, and an elevating means for elevating the substrate between the cleaning chamber section and the film forming chamber section is further provided.

【0011】請求項2に係る発明は、請求項1の発明に
おいて、洗浄チャンバ部内に立設され、減圧チャンバの
外部から供給された薬液および/または純水を洗浄チャ
ンバ部内に噴出させる1つ以上のノズル柱をさらに備
え、ノズル柱は、それ自体が自転し、かつ洗浄チャンバ
部内に収容された基板の周囲を公転することを特徴とす
る。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, one or more are provided upright in the cleaning chamber section, and the chemical liquid and / or pure water supplied from the outside of the decompression chamber are jetted into the cleaning chamber section. The nozzle column is characterized in that the nozzle column itself rotates and revolves around the substrate contained in the cleaning chamber section.

【0012】請求項3に係る発明は、請求項1または2
の発明において、洗浄チャンバ部内に設けられ、基板を
収容する基板収容部をさらに備え、基板収容部は、それ
自体が回転することを特徴とする。
The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2.
In the invention described above, there is further provided a substrate accommodating portion which is provided in the cleaning chamber portion and accommodates a substrate, and the substrate accommodating portion is rotated by itself.

【0013】[0013]

【作用】請求項1に係る発明では、他工程から搬入され
た基板を減圧チャンバに設けられた洗浄チャンバ部に収
容し、薬液による洗浄処理と、純水による水洗処理と、
乾燥処理とを施す。洗浄チャンバ部でこれらの処理が終
了すると、基板は同じく減圧チャンバ内に設けられた成
膜チャンバ部に移し変えられ、炉体によって加熱され
る。このように、基板の洗浄・乾燥処理と熱処理とが密
閉された減圧チャンバ内で一元的に行われるため、基板
の処理中に大気の影響を受けることが無く、基板の処理
品質が大幅に向上する。また、1つの洗浄チャンバ内
で、複数の薬液による洗浄処理と純水による水洗処理と
が行われるため、装置の構成が簡単かつ小型になり、ま
た安価になる。
In the invention according to claim 1, the substrate carried in from another process is accommodated in the cleaning chamber portion provided in the decompression chamber, and the cleaning process with the chemical solution and the cleaning process with pure water are performed.
And a drying process. When these processes are completed in the cleaning chamber part, the substrate is transferred to the film forming chamber part also provided in the decompression chamber and heated by the furnace body. In this way, the cleaning / drying process and heat treatment of the substrate are performed centrally in a closed decompression chamber, so there is no influence of the atmosphere during substrate processing, and the substrate processing quality is greatly improved. To do. Further, since the cleaning process with a plurality of chemicals and the cleaning process with pure water are performed in one cleaning chamber, the configuration of the device is simple and compact, and the cost is low.

【0014】請求項2に係る発明では、洗浄チャンバ部
内に立設される薬液および/または純水の噴出用ノズル
柱が、自転し、かつ洗浄チャンバ部内に収容された基板
の周囲を公転する。これによって、洗浄チャンバ部に収
容された基板がまんべんなく洗浄され、その洗浄効率を
高めることができる。また、基板の洗浄終了後に洗浄チ
ャンバ部の内部を洗浄でき、内壁等に付着したパーティ
クルや反応生成物を洗い流すことができる。
According to the second aspect of the present invention, the nozzle column for jetting the chemical liquid and / or the pure water, which is erected in the cleaning chamber section, rotates and revolves around the substrate housed in the cleaning chamber section. As a result, the substrates housed in the cleaning chamber section are uniformly cleaned, and the cleaning efficiency can be improved. Further, after the cleaning of the substrate is completed, the inside of the cleaning chamber portion can be cleaned, and particles and reaction products attached to the inner wall and the like can be washed away.

【0015】請求項3に係る発明では、洗浄チャンバ部
内に設けられた基板を収容する基板収容部が回転する。
これによって、薬液/純水が基板上に留まることなく基
板が常に新しい薬液/純水と接することができ、その洗
浄効率を高めることができる。
According to the third aspect of the present invention, the substrate housing portion for housing the substrate provided in the cleaning chamber portion rotates.
As a result, the substrate can always come into contact with new chemical liquid / pure water without the chemical liquid / pure water remaining on the substrate, and the cleaning efficiency can be improved.

【0016】[0016]

【実施例】図1は、本発明の一実施例に係る基板処理装
置の概略構成を示す図である。図2は、本発明の一実施
例に係る基板処理装置の横断面図である。まず、これら
図1および図2を参照して、本発明の一実施例の構成を
概略的に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a diagram showing a schematic structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. First, the configuration of an embodiment of the present invention will be schematically described with reference to FIGS. 1 and 2.

【0017】基板処理装置1は、図示しない他工程から
搬入されてきた基板を受け入れて保持するためのメカニ
カルインタフェイス2と、外気に対して密閉可能な減圧
チャンバ4と、メカニカルインタフェイス2および減圧
チャンバ4の間で基板を受け渡すための移載機3とを備
えている。減圧チャンバ4は、洗浄チャンバ部41と、
成膜チャンバ部42とを含む。洗浄チャンバ部41内で
は基板の洗浄・乾燥処理が行われ、成膜チャンバ部42
内では基板の熱処理が行われる。メカニカルインタフェ
イス2,移載機3および減圧チャンバ4は、1つのハウ
ジング7内に収納され、それによって全体として1つの
装置環境が実現されている。このハウジング7の一端に
は、開閉可能な扉71および72が設けられる。
The substrate processing apparatus 1 includes a mechanical interface 2 for receiving and holding a substrate carried in from another process (not shown), a decompression chamber 4 which can be sealed against the outside air, a mechanical interface 2 and a decompression. A transfer machine 3 for transferring the substrate between the chambers 4 is provided. The decompression chamber 4 includes a cleaning chamber section 41,
The film forming chamber unit 42 is included. The substrate is cleaned and dried in the cleaning chamber section 41, and the film forming chamber section 42 is
The substrate is heat-treated therein. The mechanical interface 2, the transfer machine 3 and the decompression chamber 4 are housed in a single housing 7, whereby a single device environment is realized as a whole. Doors 71 and 72 that can be opened and closed are provided at one end of the housing 7.

【0018】図3は、図1および図2に示すメカニカル
インタフェイス2および移載機3のより詳細な構成を示
す斜視図である。図3において、メカニカルインタフェ
イス2は、洗浄前の基板8を複数枚収容して搬入されて
きたカセット9を載置可能な複数のカセットステージ2
1と、各カセットステージ21を縦方向に所定の間隔を
開けて連結する連結棒22〜24と、各カセットステー
ジを回動させるためのモータ(図示せず)とを含む。本
実施例では、基板の収容能力を上げるため、図2に示す
ように、縦方向に連結されたカセットステージ群が2組
設けられている。移載機3は、昇降装置31と、昇降部
材32と、回動モータ33と、リンク部材34,35
と、アクチュエータ36と、基板ハンド37とを含む。
回動モータ33の回動軸には、リンク部材34の一端が
連結される。リンク部材34の他端近傍にはモータが内
蔵されており、このモータの回動軸はリンク部材35の
一端に連結される。リンク部材35の他端近傍にはモー
タが内蔵されており、このモータの回動軸はアクチュエ
ータ36の一端に連結される。したがって、アクチュエ
ータ36の先端は、3軸の関節運動を合成した極めて自
由度の高い動きを行う。基板ハンド37は、その間に基
板8を把持するための、複数枚の舌片から成る。アクチ
ュエータ36には、基板ハンド37を駆動するための駆
動機構が内蔵されている。この駆動機構は、アクチュエ
ータ36から突出する基板ハンド37の距離を調整する
ための第1の駆動機構と、基板ハンド37の各舌片間の
間隔を調整するための第2の駆動機構とを含む。昇降部
材32は、その一端が昇降装置31に連結され、その他
端が回動モータ33に連結される。昇降部材32が昇降
装置31によって昇降されると、それと一体的に、回動
モータ33、リンク部材34,35、アクチュエータ3
6および基板ハンド37が昇降される。
FIG. 3 is a perspective view showing a more detailed structure of the mechanical interface 2 and the transfer machine 3 shown in FIGS. In FIG. 3, the mechanical interface 2 includes a plurality of cassette stages 2 on which a plurality of substrates 8 which have not been cleaned and which have been carried in can be placed.
1, connecting rods 22 to 24 for connecting the cassette stages 21 in the vertical direction with a predetermined gap therebetween, and a motor (not shown) for rotating each cassette stage. In this embodiment, two sets of vertically connected cassette stages are provided as shown in FIG. 2 in order to increase the substrate storage capacity. The transfer machine 3 includes a lifting device 31, a lifting member 32, a rotation motor 33, and link members 34 and 35.
And an actuator 36 and a substrate hand 37.
One end of the link member 34 is connected to the rotation shaft of the rotation motor 33. A motor is built in near the other end of the link member 34, and the rotation shaft of this motor is connected to one end of the link member 35. A motor is built in near the other end of the link member 35, and the rotating shaft of this motor is connected to one end of an actuator 36. Therefore, the tip of the actuator 36 moves with extremely high degree of freedom by combining the joint movements of the three axes. The board hand 37 includes a plurality of tongue pieces for holding the board 8 therebetween. The actuator 36 has a built-in drive mechanism for driving the substrate hand 37. This drive mechanism includes a first drive mechanism for adjusting the distance of the board hand 37 protruding from the actuator 36 and a second drive mechanism for adjusting the distance between the tongues of the board hand 37. . One end of the elevating member 32 is connected to the elevating device 31, and the other end is connected to the rotation motor 33. When the lifting / lowering member 32 is lifted / lowered by the lifting / lowering device 31, the rotary motor 33, the link members 34, 35, the actuator 3 are integrated with the lifting / lowering device 31.
6 and the substrate hand 37 are moved up and down.

【0019】図4は、図1および図2に示す減圧チャン
バ4の内部構成を示す斜視図である。図4において、減
圧チャンバ4は、下半分が洗浄チャンバ部41として構
成され、上半分が成膜チャンバ部42として構成され
る。これら洗浄チャンバ部41と成膜チャンバ部42と
は、内部で連通しており、その連通部分(すなわち、成
膜チャンバ部42の炉口)は、炉口ゲートバルブ5によ
って開閉される。炉口ゲートバルブ5は、開閉板51
と、この開閉板51を水平方向に出し入れさせるための
駆動部52とを含む。開閉板51が駆動部52によって
外部へ押し出されることにより、成膜チャンバ部42の
炉口が閉じられる。また、開閉板51が駆動部52によ
ってその内部に引き入れられることにより、成膜チャン
バ部42の炉口が開かれる。
FIG. 4 is a perspective view showing the internal structure of the decompression chamber 4 shown in FIGS. 1 and 2. In FIG. 4, the lower half of the decompression chamber 4 is configured as the cleaning chamber section 41, and the upper half is configured as the film formation chamber section 42. The cleaning chamber unit 41 and the film forming chamber unit 42 communicate with each other inside, and the communicating portion (that is, the furnace opening of the film forming chamber unit 42) is opened and closed by the furnace opening gate valve 5. The furnace gate valve 5 has an opening / closing plate 51.
And a drive unit 52 for moving the opening / closing plate 51 in and out in the horizontal direction. The opening / closing plate 51 is pushed out by the driving unit 52, so that the furnace opening of the film forming chamber unit 42 is closed. Further, the opening / closing plate 51 is pulled into the inside by the driving unit 52, so that the furnace opening of the film forming chamber unit 42 is opened.

【0020】洗浄チャンバ部41において、移載機3に
隣接する部分には、扉によって開閉自在な入口ゲートバ
ルブ401が設けられる。洗浄チャンバ部41の内部中
央には、モータ402によって回動自在に支持されるタ
ーンテーブル403が設けられる。このターンテーブル
403の上部には、ターンテーブル403と一体的に回
動するように、断熱筒404および基板ボート405が
載置される。基板ボート405には、移載機3によって
各カセット9から移載された複数枚の基板8が収納され
る。また、洗浄チャンバ部41の内部において、基板ボ
ート405の周辺には、ノズル406,407が立設さ
れる。これらノズル406,407は、複数のノズル孔
を有し、各ノズル孔から純水,薬液,窒素ガス(N
2 ),IPA(イソプロピルアルコール)のベーパ(蒸
気)を噴出させる。なお、好ましくは、各ノズル40
6,407は、基板ボート405の回りを公転し、かつ
それ自体が自転するように構成される。各ノズル40
6,407の下部には、不要の液体または気体を排出す
るための排出口408が設けられる。
An inlet gate valve 401 which can be opened and closed by a door is provided in a portion of the cleaning chamber section 41 adjacent to the transfer machine 3. A turntable 403 rotatably supported by a motor 402 is provided at the center of the inside of the cleaning chamber portion 41. A heat insulating cylinder 404 and a substrate boat 405 are mounted on the turntable 403 so as to rotate integrally with the turntable 403. The substrate boat 405 stores a plurality of substrates 8 transferred from each cassette 9 by the transfer device 3. Further, inside the cleaning chamber portion 41, nozzles 406 and 407 are provided upright around the substrate boat 405. These nozzles 406 and 407 have a plurality of nozzle holes, and pure water, a chemical solution, and nitrogen gas (N
2 ), vapor of IPA (isopropyl alcohol) is ejected. In addition, preferably, each nozzle 40
Reference numerals 6 and 407 are configured to revolve around the substrate boat 405 and to rotate themselves. Each nozzle 40
Discharge ports 408 for discharging unnecessary liquid or gas are provided in the lower portions of 6, 407.

【0021】上記洗浄チャンバ部41に隣接してボート
エレベータ6が設けられる。このボートエレベータ6
は、昇降部材61を垂直上下方向に昇降させる。この昇
降部材61は、洗浄チャンバ部41の外壁を貫通して、
その内部に延びており、上記モータ402と、ターンテ
ーブル403と、断熱筒404と、基板ボート405と
を支持する。したがって、これらモータ402,ターン
テーブル403,断熱筒404および基板ボート405
は、ボートエレベータ6によって上下方向に昇降される
ことになる。なお、洗浄チャンバ部41には、昇降部材
61が昇降するためのスライド溝が形成されているが、
このスライド溝には、蛇腹状のフレキシブル部材410
が設けられる。これによって、当該スライド溝が遮蔽さ
れ、ボートエレベータ6からのパーティクルの侵入を防
いでいる。
A boat elevator 6 is provided adjacent to the cleaning chamber section 41. This boat elevator 6
Moves the lifting member 61 up and down in the vertical direction. The elevating member 61 penetrates the outer wall of the cleaning chamber section 41,
It extends inside and supports the motor 402, the turntable 403, the heat insulating cylinder 404, and the substrate boat 405. Therefore, the motor 402, the turntable 403, the heat insulating cylinder 404, and the substrate boat 405.
Will be moved up and down by the boat elevator 6. Although the cleaning chamber 41 is provided with a slide groove for moving up and down the lifting member 61,
The slide groove has a bellows-shaped flexible member 410.
Is provided. As a result, the slide groove is shielded and particles from the boat elevator 6 are prevented from entering.

【0022】成膜チャンバ部42内には、ヒータ等を内
蔵する炉体421が設けられる。この炉体421の内部
には、炉芯管422が設けられる。上記ボートエレベー
タ6によって基板ボート405が上昇されたとき、炉芯
管422は、基板ボート405を受け入れる。炉体42
1は、炉芯管422に収納された各基板8を高温加熱す
る。これによって、基板8で成膜が行われる。また、炉
体421には、炉心管422に連通する排気口423が
設けられ、図示しないポンプが炉心管422内の気体を
排気口423から排気する構成となっている。
A furnace body 421 containing a heater and the like is provided in the film forming chamber section 42. A furnace core tube 422 is provided inside the furnace body 421. When the substrate boat 405 is lifted by the boat elevator 6, the furnace core tube 422 receives the substrate boat 405. Furnace body 42
1 heats each substrate 8 stored in the furnace core tube 422 to a high temperature. As a result, a film is formed on the substrate 8. Further, the furnace body 421 is provided with an exhaust port 423 communicating with the core tube 422, and a pump (not shown) exhausts gas in the core tube 422 from the exhaust port 423.

【0023】図5は、減圧チャンバ4に対する液体およ
び気体の供給・排出系を模式的に示す図である。図5に
おいて、ノズル406には、電磁弁101および102
を介して、それぞれ、窒素ガスN2 および純水が供給さ
れる。また、ノズル407には、電磁弁103および1
04を介して、それぞれ、窒素ガスN2 およびIPAベ
ーパが供給される。さらに、ノズル407には、電磁弁
105およびミキシングバルブ106を介して、純水ま
たは純水と薬液との混合液が供給される。ミキシングバ
ルブ106には、電磁弁107を介して純水が供給さ
れ、電磁弁108〜111を介して異なる薬液が供給さ
れる。このミキシングバルブ106において、純水と薬
液とが混合される。また、電磁弁108〜111を閉
じ、電磁弁107を開くことで、純水のみがノズル40
7に供給される。
FIG. 5 is a diagram schematically showing a liquid / gas supply / discharge system for the decompression chamber 4. In FIG. 5, the nozzle 406 includes solenoid valves 101 and 102.
Nitrogen gas N 2 and pure water are respectively supplied via the. Further, the nozzle 407 has solenoid valves 103 and 1
Nitrogen gas N 2 and IPA vapor are supplied via 04, respectively. Further, pure water or a mixed liquid of pure water and a chemical liquid is supplied to the nozzle 407 via the electromagnetic valve 105 and the mixing valve 106. Pure water is supplied to the mixing valve 106 via the electromagnetic valve 107, and different chemicals are supplied via the electromagnetic valves 108 to 111. Pure water and a chemical solution are mixed in the mixing valve 106. Further, by closing the solenoid valves 108 to 111 and opening the solenoid valve 107, only pure water is discharged from the nozzle 40.
7 is supplied.

【0024】図6は、上記実施例の動作を説明するため
のフローチャートである。以下、この図6を参照して、
本実施例の動作を説明する。まず、未洗浄の基板8を複
数枚収納したカセット9が、図示しない他工程から搬入
され、カセットステージ21の上に載置される(ステッ
プS1)。このとき、ハウジング7の扉71,72およ
び減圧チャンバ4の入口ゲートバルブ401は開けられ
ており、炉口ゲートバルブ5は閉じられている。カセッ
ト21の搬入が終了すると、扉71および72が閉じら
れ、各カセット9に収納された基板8が、移載機3によ
って洗浄チャンバ部41内の基板ボート405に移載さ
れる(ステップS2)。このとき、移載機3は、基板ハ
ンド37で同時に複数枚の基板8を掴み、基板ボート4
05に収納する。次に、洗浄チャンバ部41の入口ゲー
トバルブ401が閉じられる(ステップS3)。これに
よって、減圧チャンバ4は、密閉状態となる。次に、図
5の電磁弁101および103が開けられ、その他の電
磁弁が閉じられることにより、ノズル406および40
7から洗浄チャンバ部41内に窒素ガスが導入される
(ステップS4)。これによって、洗浄チャンバ部41
内に残留していた空気は、排出口408を介して排気さ
れ、窒素ガスと置換される。窒素ガスは、不活性である
ので、後に行われる各種処理中に不所望な化学反応が生
じることがない。
FIG. 6 is a flow chart for explaining the operation of the above embodiment. Hereinafter, referring to FIG. 6,
The operation of this embodiment will be described. First, the cassette 9 accommodating a plurality of unwashed substrates 8 is carried in from another process (not shown) and placed on the cassette stage 21 (step S1). At this time, the doors 71 and 72 of the housing 7 and the inlet gate valve 401 of the decompression chamber 4 are opened, and the furnace port gate valve 5 is closed. When the loading of the cassette 21 is completed, the doors 71 and 72 are closed, and the substrates 8 stored in the cassettes 9 are transferred by the transfer device 3 to the substrate boat 405 in the cleaning chamber section 41 (step S2). . At this time, the transfer machine 3 simultaneously grips the plurality of substrates 8 with the substrate hand 37, and the substrate boat 4
Store in 05. Next, the inlet gate valve 401 of the cleaning chamber section 41 is closed (step S3). As a result, the decompression chamber 4 is in a closed state. Next, the solenoid valves 101 and 103 of FIG. 5 are opened, and the other solenoid valves are closed, so that the nozzles 406 and 40 are closed.
Nitrogen gas is introduced into the cleaning chamber section 41 from 7 (step S4). Accordingly, the cleaning chamber unit 41
The air remaining inside is exhausted through the outlet 408 and replaced with nitrogen gas. Since nitrogen gas is inert, an undesired chemical reaction does not occur during various subsequent treatments.

【0025】次に、薬液による洗浄処理と純水による水
洗処理とが交互に行われる(ステップS5)。洗浄処理
は、電磁弁105および電磁弁108〜111のいずれ
かを開き、その他の電磁弁を閉じることによって行われ
る。これによって、ノズル407に薬液が供給され、ノ
ズル407から洗浄チャンバ部41内に薬液が噴出され
る。また、必要に応じて、電磁弁107も開かれる。こ
れによって、純水で薄められた薬液がノズル407から
洗浄チャンバ部41内に噴出される。水洗処理は、電磁
弁102,105および107を開き、その他の電磁弁
を閉じることによって行われる。これによって、ノズル
406および407から洗浄チャンバ部41内に純水が
噴出される。なお、基板8を収容する基板ボート405
は、ターンテーブル404と一体的に回転するので、薬
液/純水が基板上に留まることなく、基板8が常に新し
い薬液/純水と接することができ、その洗浄効率を高め
ることができる。さらに、このときノズル407から薬
液/純水を、もう一方のノズル406から窒素ガス(N
2 )をそれぞれ噴出することで、基板8が常に新しい薬
液/純水と接することができ、その洗浄効率をさらに高
めることができる。なお、上記洗浄処理および水洗処理
中に、ノズル406および407は、基板ボート405
の周囲を公転運動する。これによって、各基板8がまん
べんなく洗浄され、洗浄効率を高めることができる。
Next, a cleaning process with a chemical solution and a cleaning process with pure water are alternately performed (step S5). The cleaning process is performed by opening any of the solenoid valves 105 and 108-111 and closing the other solenoid valves. As a result, the chemical liquid is supplied to the nozzle 407, and the chemical liquid is ejected from the nozzle 407 into the cleaning chamber portion 41. Further, the solenoid valve 107 is also opened if necessary. As a result, the chemical liquid diluted with pure water is ejected from the nozzle 407 into the cleaning chamber portion 41. The washing process is performed by opening the solenoid valves 102, 105 and 107 and closing the other solenoid valves. As a result, pure water is ejected from the nozzles 406 and 407 into the cleaning chamber section 41. It should be noted that the substrate boat 405 that accommodates the substrate 8
Since it rotates integrally with the turntable 404, the chemical liquid / pure water does not remain on the substrate, and the substrate 8 can always come into contact with a new chemical liquid / pure water, so that the cleaning efficiency can be improved. Further, at this time, the chemical liquid / pure water is discharged from the nozzle 407, and the nitrogen gas (N
By jetting 2 ) respectively, the substrate 8 can always come into contact with a new chemical liquid / pure water, and the cleaning efficiency can be further improved. During the cleaning process and the water cleaning process, the nozzles 406 and 407 are connected to the substrate boat 405.
Orbit around. As a result, each substrate 8 is thoroughly cleaned and cleaning efficiency can be improved.

【0026】各基板8の最終水洗処理が終了すると、今
度は、洗浄チャンバ部41自身の水洗処理が行われる
(ステップS6)。なぜならば、洗浄チャンバ部41の
内壁等には、薬液による洗浄処理中に不所望なパーティ
クルや反応生成物が付着しているおそれがあり、これが
基板8に悪影響を与えるおそれがあるからである。この
洗浄チャンバ部41の水洗処理は、電磁弁102,10
5および107を開き、その他の電磁弁を閉じることに
よって行われる。このとき、各ノズル406および40
7は、基板ボート405の周囲を公転運動するととも
に、それ自体が自転運動をする。これによって、洗浄チ
ャンバ部41を効率的に洗浄することができる。
When the final rinsing process of each substrate 8 is completed, the rinsing process of the cleaning chamber section 41 itself is performed (step S6). This is because undesired particles and reaction products may adhere to the inner wall of the cleaning chamber 41 during the cleaning process with the chemical solution, which may adversely affect the substrate 8. The washing process of the washing chamber section 41 is performed by the solenoid valves 102, 10
This is done by opening 5 and 107 and closing the other solenoid valves. At this time, the nozzles 406 and 40
7 revolves around the substrate boat 405, and also rotates itself. As a result, the cleaning chamber section 41 can be efficiently cleaned.

【0027】次に、電磁弁104を開き、その他の電磁
弁を閉じることによって、ノズル407から洗浄チャン
バ部41内にIPAのベーパが導入される(ステップS
7)。また、このとき、基板ボート405がモータ40
3によって回転させられる。各基板8の表面では、水滴
がIPAのベーパと置換される。すなわち、IPAは、
基板表面に付いた水滴の表面張力を低下させるため、当
該水滴は、遠心力によって基板表面から容易に振り落と
される。次に、排出口408に連結された排気装置(図
示せず)によって洗浄チャンバ部41内が真空引きさ
れ、減圧される(ステップS8)。これによって、洗浄
チャンバ部41内のIPAベーパの沸点が低下し、基板
表面で純水と置換したIPAは、速やかに蒸発し、基板
表面は短時間で乾燥する。なお、水溶性でかつ基板上に
残る水滴の表面張力を低下させる性質を有しておれば、
IPAベーパに代えて他の有機溶剤のベーパを用いても
良い。また、このような有機溶剤のベーパに代えて、加
熱された水蒸気を吹き付けて基板表面を乾燥させるよう
にしても良い。
Next, by opening the solenoid valve 104 and closing the other solenoid valves, the vapor of IPA is introduced from the nozzle 407 into the cleaning chamber section 41 (step S).
7). Further, at this time, the substrate boat 405 is connected to the motor 40.
Rotated by 3. On the surface of each substrate 8, water droplets are replaced with the vapor of IPA. That is, IPA
Since the surface tension of the water droplet attached to the substrate surface is reduced, the water droplet is easily shaken off from the substrate surface by the centrifugal force. Next, the inside of the cleaning chamber 41 is evacuated and decompressed by an exhaust device (not shown) connected to the discharge port 408 (step S8). As a result, the boiling point of the IPA vapor in the cleaning chamber section 41 is lowered, the IPA replaced with pure water on the substrate surface is quickly evaporated, and the substrate surface is dried in a short time. In addition, if it is water-soluble and has the property of reducing the surface tension of water droplets remaining on the substrate,
Instead of IPA vapor, vapor of other organic solvent may be used. Instead of such an organic solvent vapor, heated water vapor may be sprayed to dry the substrate surface.

【0028】基板8の乾燥が終了すると、図5の電磁弁
101および103が開けられ、その他の電磁弁が閉じ
られることにより、ノズル406および407から洗浄
チャンバ部41内に窒素ガスが導入される(ステップS
9)。これによって、洗浄チャンバ部41内に残留して
いたIPAベーパは、速やかに排気され、窒素ガスと置
換される。次に、図示しない排気装置によって洗浄チャ
ンバ部41内が再び減圧される(ステップS10)。次
に、炉口ゲートバルブ5が開かれ、減圧されている成膜
チャンバ部42と連通する(ステップS11)。
When the substrate 8 is dried, the solenoid valves 101 and 103 of FIG. 5 are opened and the other solenoid valves are closed, so that nitrogen gas is introduced from the nozzles 406 and 407 into the cleaning chamber section 41. (Step S
9). As a result, the IPA vapor remaining in the cleaning chamber section 41 is quickly exhausted and replaced with nitrogen gas. Next, the interior of the cleaning chamber 41 is decompressed again by an exhaust device (not shown) (step S10). Next, the furnace gate valve 5 is opened to communicate with the depressurized film forming chamber section 42 (step S11).

【0029】次に、ボートエレベータ6によって基板ボ
ート405が上昇される(ステップS12)。これによ
って、基板8を収納した基板ボート405が成膜チャン
バ部42の炉芯管422に収納される。また、基板ボー
ト405とともに上昇する断熱筒503によって成膜チ
ャンバ部42の入口(炉口)が密閉される。これによっ
て、成膜チャンバ部42内の高温雰囲気が洗浄チャンバ
部41に降りてくることが防止される。次に、炉体42
1によって炉芯管422の内部が加熱され、それによっ
て基板8の表面で成膜が行われる(ステップS13)。
基板上での成膜が終了すると、基板ボート405がボー
トエレベータ6によって下降される(ステップS1
4)。次に、炉口ゲートバルブ5が閉じられる(ステッ
プS15)。
Next, the substrate boat 405 is raised by the boat elevator 6 (step S12). As a result, the substrate boat 405 accommodating the substrate 8 is accommodated in the furnace core tube 422 of the film forming chamber section 42. Further, the inlet (furnace port) of the film forming chamber portion 42 is closed by the heat insulating cylinder 503 that rises together with the substrate boat 405. This prevents the high temperature atmosphere in the film forming chamber section 42 from falling into the cleaning chamber section 41. Next, the furnace body 42
The inside of the furnace core tube 422 is heated by 1 so that a film is formed on the surface of the substrate 8 (step S13).
When the film formation on the substrate is completed, the substrate boat 405 is lowered by the boat elevator 6 (step S1).
4). Next, the furnace gate valve 5 is closed (step S15).

【0030】次に、電磁弁101および103が開けら
れ、その他の電磁弁が閉じられることにより、ノズル4
06および407から減圧チャンバ4内に窒素ガスが導
入され、洗浄チャンバ部41内が大気圧に戻される(ス
テップS16)。次に、洗浄チャンバ部41の入口ゲー
トバルブ401が開かれる(ステップS17)。次に、
移載機3は、基板ボート405に収納されている各基板
8を、カセットステージ22上のカセット9に移載する
(ステップS18)。次に、ハウジング7の扉71およ
び72が開かれ、カセット9が搬出される(ステップS
19)。
Next, the solenoid valves 101 and 103 are opened and the other solenoid valves are closed, so that the nozzle 4 is closed.
Nitrogen gas is introduced into the decompression chamber 4 from 06 and 407, and the inside of the cleaning chamber portion 41 is returned to the atmospheric pressure (step S16). Next, the inlet gate valve 401 of the cleaning chamber section 41 is opened (step S17). next,
The transfer device 3 transfers each substrate 8 stored in the substrate boat 405 to the cassette 9 on the cassette stage 22 (step S18). Next, the doors 71 and 72 of the housing 7 are opened, and the cassette 9 is carried out (step S
19).

【0031】以上説明したように、上記実施例では、基
板の洗浄・乾燥から熱処理までを、装置内の閉鎖された
空間(減圧チャンバ4)内で行うようにしているため、
処理中に大気の影響を全く受けることがない。そのた
め、基板の処理品質を大幅に向上させることができる。
したがって、製品の歩留まりが改善され、製造コストを
下げることができる。また、洗浄チャンバ部と成膜チャ
ンバ部とが一体的に構成されており、かつ洗浄チャンバ
部内では、複数の薬液による洗浄処理と純水による水洗
処理とを行っているため、図8のインライン型に比べて
装置の構成が簡単であり、かつ安価である。
As described above, in the above-described embodiment, since the cleaning and drying of the substrate to the heat treatment are performed in the closed space (pressure reducing chamber 4) in the apparatus,
It is not affected by the atmosphere during processing. Therefore, the processing quality of the substrate can be significantly improved.
Therefore, the yield of products can be improved and the manufacturing cost can be reduced. Further, since the cleaning chamber section and the film forming chamber section are integrally configured, and the cleaning processing with a plurality of chemicals and the cleaning processing with pure water are performed in the cleaning chamber section, the in-line type of FIG. The configuration of the device is simpler and cheaper than that of.

【0032】[0032]

【発明の効果】請求項1の発明によれば、基板の洗浄・
乾燥処理と熱処理とが密閉された減圧チャンバ内で一元
的に行われるため、基板の処理中に大気の影響を受ける
ことが無く、基板の処理品質を大幅に向上することがで
きる。また、1つの洗浄チャンバ部内で、複数の薬液に
よる洗浄処理と純水による水洗処理とが行われるため、
装置の構成を簡単かつ小型化でき、また安価にできる。
According to the invention of claim 1, cleaning of the substrate
Since the drying process and the heat treatment are centrally performed in a closed decompression chamber, there is no influence of the atmosphere during the processing of the substrate, and the processing quality of the substrate can be significantly improved. Further, since the cleaning process with a plurality of chemicals and the cleaning process with pure water are performed in one cleaning chamber section,
The configuration of the device can be simplified and downsized, and the cost can be reduced.

【0033】請求項2の発明によれば、洗浄チャンバ部
内に立設された薬液および/または純水の噴出用ノズル
柱を、自転させ、かつ洗浄チャンバ部内に収容された基
板の周囲を公転させるようにしたので、洗浄チャンバ部
に収容された基板をまんべんなく洗浄でき、その洗浄効
率を高めることができる。また、基板の洗浄終了後に洗
浄チャンバ部の内部も洗浄できるため、その内壁等に付
着したパーティクルや反応生成物を洗い流され、それら
によって基板に悪影響が出るのを未然に防止できる。
According to the second aspect of the present invention, the nozzle column for jetting the chemical liquid and / or pure water, which is erected in the cleaning chamber section, is rotated and revolves around the substrate housed in the cleaning chamber section. Since this is done, the substrates housed in the cleaning chamber section can be thoroughly cleaned and the cleaning efficiency can be improved. Moreover, since the inside of the cleaning chamber can be cleaned after the completion of cleaning of the substrate, it is possible to prevent particles and reaction products adhering to the inner wall of the cleaning chamber from being washed away and adversely affecting the substrate.

【0034】請求項3の発明によれば、洗浄チャンバ部
内に設けられた基板を収容する基板収容部が回転する。
これによって、薬液/純水が基板上に留まることなく基
板が常に新しい薬液/純水と接することができ、その洗
浄効率を高めることができる。
According to the third aspect of the present invention, the substrate housing portion for housing the substrate provided in the cleaning chamber portion rotates.
As a result, the substrate can always come into contact with new chemical liquid / pure water without the chemical liquid / pure water remaining on the substrate, and the cleaning efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略構
成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例に係る基板処理装置の横断面
図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図3】図1および図2に示すメカニカルインタフェイ
ス2および移載機3のより詳細な構成を示す斜視図であ
る。
3 is a perspective view showing a more detailed structure of the mechanical interface 2 and the transfer machine 3 shown in FIGS. 1 and 2. FIG.

【図4】図1および図2に示す減圧チャンバ4の内部構
成を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing an internal configuration of the decompression chamber 4 shown in FIGS. 1 and 2.

【図5】減圧チャンバ4に対する液体および気体の供給
・排出系を模式的に示す図である。
5 is a diagram schematically showing a liquid / gas supply / discharge system for the decompression chamber 4. FIG.

【図6】図1〜図5に示す実施例の動作を説明するため
のフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart for explaining the operation of the embodiment shown in FIGS.

【図7】従来の基板処理システムの構成の一例を示す平
面レイアウト図である。
FIG. 7 is a plan layout diagram showing an example of a configuration of a conventional substrate processing system.

【図8】従来の基板処理システムの構成の他の例を示す
平面レイアウト図である。
FIG. 8 is a plan layout diagram showing another example of the configuration of the conventional substrate processing system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板処理装置 2…メカニカルインタフェイス 3…移載機 4…減圧チャンバ 41…洗浄チャンバ部 42…成膜チャンバ部 5…炉口ゲートバルブ 6…ボートエレベータ 7…ハウジング 8…基板 9…カセット 21…カセットステージ 401…入口ゲートバルブ 406,407…ノズル 421…炉体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate processing apparatus 2 ... Mechanical interface 3 ... Transfer machine 4 ... Decompression chamber 41 ... Cleaning chamber part 42 ... Deposition chamber part 5 ... Furnace gate valve 6 ... Boat elevator 7 ... Housing 8 ... Substrate 9 ... Cassette 21 ... cassette stage 401 ... inlet gate valve 406, 407 ... nozzle 421 ... furnace body

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の洗浄・乾燥処理と熱処理とを密閉
された空間内で一元的に行う基板処理装置であって、 他工程から搬入された基板を受け入れて保持する基板受
け入れ部、 前記密閉された空間を形成する減圧チャンバ、および前
記基板受け入れ部と前記減圧チャンバとの間で、前記基
板を受け渡しする移載機を備え、 前記減圧チャンバは、 前記移載機によって前記基板受け入れ部から移載された
前記基板を収容して、薬液による洗浄処理と、純水によ
る水洗処理と、乾燥処理とを施す洗浄チャンバ部と、 前記洗浄チャンバの上部に設けられ、その内部に前記基
板を加熱する炉体を有する成膜チャンバ部と、 前記洗浄チャンバ部と前記成膜チャンバ部との間の連通
口を開閉する開閉機構とを含み、 前記洗浄チャンバ部と前記成膜チャンバ部との間で前記
基板を昇降させる昇降手段をさらに備える、基板処理装
置。
1. A substrate processing apparatus which performs a cleaning / drying process and a heat treatment of a substrate in a sealed space, wherein the substrate receiving unit receives and holds a substrate loaded from another process, said sealing. A decompression chamber that forms a defined space, and a transfer machine that transfers the substrate between the substrate receiving section and the decompression chamber, wherein the decompression chamber is transferred from the substrate receiving section by the transfer machine. A cleaning chamber portion for accommodating the mounted substrate and performing a cleaning treatment with a chemical solution, a rinsing treatment with pure water, and a drying treatment, and the cleaning chamber portion are provided above the cleaning chamber and heat the substrate therein. A film forming chamber part having a furnace body; and an opening / closing mechanism for opening and closing a communication port between the cleaning chamber part and the film forming chamber part. Further comprising elevating means for elevating said substrate between parts, the substrate processing apparatus.
【請求項2】 前記洗浄チャンバ部内に立設され、前記
減圧チャンバの外部から供給された薬液および/または
純水を洗浄チャンバ部内に噴出させる1つ以上のノズル
柱をさらに備え、 前記ノズル柱は、それ自体が自転し、かつ前記洗浄チャ
ンバ部内に収容された前記基板の周囲を公転することを
特徴とする、請求項1に記載の基板処理装置。
2. The cleaning chamber further comprises one or more nozzle columns that stand upright in the cleaning chamber part and eject the chemical liquid and / or pure water supplied from the outside of the decompression chamber into the cleaning chamber part. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus rotates on its own axis and revolves around the substrate housed in the cleaning chamber section.
【請求項3】 前記洗浄チャンバ部内に設けられ、前記
基板を収容する基板収容部をさらに備え、 前記基板収容部は、それ自体が回転することを特徴とす
る、請求項1または2に記載の基板処理装置。
3. The substrate accommodating portion for accommodating the substrate, the substrate accommodating portion being provided in the cleaning chamber portion, wherein the substrate accommodating portion rotates by itself. Substrate processing equipment.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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