JPH08190966A - 多層誘電体基板及び同軸コネクターの取付け構造 - Google Patents
多層誘電体基板及び同軸コネクターの取付け構造Info
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- JPH08190966A JPH08190966A JP7000646A JP64695A JPH08190966A JP H08190966 A JPH08190966 A JP H08190966A JP 7000646 A JP7000646 A JP 7000646A JP 64695 A JP64695 A JP 64695A JP H08190966 A JPH08190966 A JP H08190966A
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- dielectric substrate
- coaxial connector
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複合マイクロ波回路モジュール等を構成する
多層誘電体基板及び同軸コネクタの取付け構造を小型で
安価なものにすること。 【構成】 基板内層にある高周波パターン層と電気的に
接続された高周波出力パターンの中心に植立され、先端
に切込みが設けられた雌コンタクトピンを有し、該雌コ
ンタクトピンを中心にして円弧状孔を複数箇所に設けた
多層誘電体基板と、前記多層誘電体基板の円弧状孔に挿
通するコネクタ雄ねじとコネクタ台座とが一体に形成さ
れ、その中心に開けた孔に挿入して固定されたケーブル
の先端に雄コンタクトピンが突設してなる同軸コネクタ
と、前記多層誘電体基板の円弧状孔に挿通して雄コンタ
クトピンを雌コンタクトピンに接触させるとともに、多
層誘電体基板裏面に突出するコネクタ雄ねじに螺合して
同軸コネクタを多層誘電体基板に固定するコネクタ用雌
ねじとから成る。
多層誘電体基板及び同軸コネクタの取付け構造を小型で
安価なものにすること。 【構成】 基板内層にある高周波パターン層と電気的に
接続された高周波出力パターンの中心に植立され、先端
に切込みが設けられた雌コンタクトピンを有し、該雌コ
ンタクトピンを中心にして円弧状孔を複数箇所に設けた
多層誘電体基板と、前記多層誘電体基板の円弧状孔に挿
通するコネクタ雄ねじとコネクタ台座とが一体に形成さ
れ、その中心に開けた孔に挿入して固定されたケーブル
の先端に雄コンタクトピンが突設してなる同軸コネクタ
と、前記多層誘電体基板の円弧状孔に挿通して雄コンタ
クトピンを雌コンタクトピンに接触させるとともに、多
層誘電体基板裏面に突出するコネクタ雄ねじに螺合して
同軸コネクタを多層誘電体基板に固定するコネクタ用雌
ねじとから成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複合マイクロ波回路モ
ジュールを構成する多層誘電体基板に形成されマイクロ
波回路等の高周波出力を取り出すための、多層誘電体基
板及び同軸コネクタの取付け構造に関する。
ジュールを構成する多層誘電体基板に形成されマイクロ
波回路等の高周波出力を取り出すための、多層誘電体基
板及び同軸コネクタの取付け構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層誘電体基板１の高周波出力を
取り出す場合について説明する。
取り出す場合について説明する。
【０００３】図５は、従来の複合マイクロ波回路モジュ
ールの出力取り出し構造の斜視図である。多層誘電体基
板１はベースプレート２３と呼ばれる黄銅等の金属プレ
ートにはんだ付けされる。その際には、ベ−スプレ−ト
２３上にある取付け孔２４の中心を基準とし、多層誘電
体基板１の中心を位置合わせして取り付けるが、治具を
使用して位置合わせを行っている。さらに、位置合わせ
されてベ−スプレ−ト２３に取り付けられた多層誘電体
基板１は、先ほどのベ−スプレ−ト２３の孔２４を基準
とし、出力端子の受け側が付いている高周波カバー２６
を皿ねじで締めることによって多層誘電体基板１の高周
波出力パターン２と高周波カバー２６側の高周波出力端
子２５とを電気的に接続する構造となっている。高周波
出力端子２５の中心導体２７は、高周波出力パターンと
低抵抗で接触させるためにバネが入っており、常に接点
には圧力が懸かっている。また、その外導体のグランド
を多層誘電体基板のグランドと良く接触させるためにシ
ムを挟んでいる。
ールの出力取り出し構造の斜視図である。多層誘電体基
板１はベースプレート２３と呼ばれる黄銅等の金属プレ
ートにはんだ付けされる。その際には、ベ−スプレ−ト
２３上にある取付け孔２４の中心を基準とし、多層誘電
体基板１の中心を位置合わせして取り付けるが、治具を
使用して位置合わせを行っている。さらに、位置合わせ
されてベ−スプレ−ト２３に取り付けられた多層誘電体
基板１は、先ほどのベ−スプレ−ト２３の孔２４を基準
とし、出力端子の受け側が付いている高周波カバー２６
を皿ねじで締めることによって多層誘電体基板１の高周
波出力パターン２と高周波カバー２６側の高周波出力端
子２５とを電気的に接続する構造となっている。高周波
出力端子２５の中心導体２７は、高周波出力パターンと
低抵抗で接触させるためにバネが入っており、常に接点
には圧力が懸かっている。また、その外導体のグランド
を多層誘電体基板のグランドと良く接触させるためにシ
ムを挟んでいる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような構造の場
合、多層誘電体基板の高周波出力パターンと高周波カバ
ーの高周波出力端子を精度良く位置合わせする必要があ
る。特にマイクロ波回路の小型化を目指し、集積化した
多層誘電体基板の高周波出力パターンの形状は１ｍｍ程
の大きさであり、ここに０．１ｍｍ程度の位置合わせで
接続する技術が必要になってくる。また高さ方向も同様
の精度が必要となる。このため、多層誘電体基板、ベ−
スプレ−ト，高周波カバー等の各部品の精度を良く作
り、なおかつ、組立の際にも取付け公差に注意しながら
作業を行わなくてはならず、組立性がよくない。
合、多層誘電体基板の高周波出力パターンと高周波カバ
ーの高周波出力端子を精度良く位置合わせする必要があ
る。特にマイクロ波回路の小型化を目指し、集積化した
多層誘電体基板の高周波出力パターンの形状は１ｍｍ程
の大きさであり、ここに０．１ｍｍ程度の位置合わせで
接続する技術が必要になってくる。また高さ方向も同様
の精度が必要となる。このため、多層誘電体基板、ベ−
スプレ−ト，高周波カバー等の各部品の精度を良く作
り、なおかつ、組立の際にも取付け公差に注意しながら
作業を行わなくてはならず、組立性がよくない。
【０００５】また、このような構造をとると、高周波カ
バーの高周波出力端子の中心導体と多層誘電体基板の高
周波出力パターンとの接触部が外導体等に邪魔されて、
実際に目で確認することが出来ないので、導通試験を行
わなければ接続が正常に行われているかを確認する方法
がない。特に、組立公差による位置ずれにより製品の電
気的特性がばらついた製品が出る可能性もある。
バーの高周波出力端子の中心導体と多層誘電体基板の高
周波出力パターンとの接触部が外導体等に邪魔されて、
実際に目で確認することが出来ないので、導通試験を行
わなければ接続が正常に行われているかを確認する方法
がない。特に、組立公差による位置ずれにより製品の電
気的特性がばらついた製品が出る可能性もある。
【０００６】また、通常のコネクタを使用して高周波出
力を取り出そうとすると、コネクタの形状が大きいの
で、小型化を目指す多層誘電体基板に使用するにはそぐ
わない。またコネクタを使用することでコストが増加し
てしまう。
力を取り出そうとすると、コネクタの形状が大きいの
で、小型化を目指す多層誘電体基板に使用するにはそぐ
わない。またコネクタを使用することでコストが増加し
てしまう。
【０００７】本発明の目的は、上記の点に鑑みてなされ
たもので、多層誘電体基板の高周波出力部及び同軸コネ
クタの取付け構造に関して、低コストで小型なものを提
供することにある。
たもので、多層誘電体基板の高周波出力部及び同軸コネ
クタの取付け構造に関して、低コストで小型なものを提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板表面に形成された高周波出力パター
ンの中心に植立され、その先端に切込みが設けられた雌
コンタクトピンを有し、該雌コンタクトピンを中心にし
て円弧状の孔を複数箇所に設けた多層誘電体基板と、前
記多層誘電体基板の円弧状の孔に挿通するコネクタ雄ね
じとコネクタ台座とが一体に形成され、その中心に開け
た孔に挿入して固定されたセミリジットケーブルの先端
に雄コンタクトピンが突設してなる同軸コネクタと、前
記多層誘電体基板の円弧状の孔に挿通して雄コンタクト
ピンを雌コンタクトピンに接触させるとともに、基板裏
面に突出するコネクタ雄ねじに螺合して同軸コネクタを
多層誘電体基板に固定するコネクタ用雌ねじとから成る
多層誘電体基板及び同軸コネクタの取付け構造にある。
に、本発明は、基板表面に形成された高周波出力パター
ンの中心に植立され、その先端に切込みが設けられた雌
コンタクトピンを有し、該雌コンタクトピンを中心にし
て円弧状の孔を複数箇所に設けた多層誘電体基板と、前
記多層誘電体基板の円弧状の孔に挿通するコネクタ雄ね
じとコネクタ台座とが一体に形成され、その中心に開け
た孔に挿入して固定されたセミリジットケーブルの先端
に雄コンタクトピンが突設してなる同軸コネクタと、前
記多層誘電体基板の円弧状の孔に挿通して雄コンタクト
ピンを雌コンタクトピンに接触させるとともに、基板裏
面に突出するコネクタ雄ねじに螺合して同軸コネクタを
多層誘電体基板に固定するコネクタ用雌ねじとから成る
多層誘電体基板及び同軸コネクタの取付け構造にある。
【０００９】本発明は、また、多層誘電体基板の高周波
出力パターンの中心に植立する雌コンタクトピンが、基
板表層から高周波パターン層まで開けた穴に植立しては
んだ付けで固定したり、また基板裏層から高周波パター
ン層までに形成した凹所に高周波パターン層から基板表
層まで開けた孔にタップ打ちで差し込んで固定したこと
にある。
出力パターンの中心に植立する雌コンタクトピンが、基
板表層から高周波パターン層まで開けた穴に植立しては
んだ付けで固定したり、また基板裏層から高周波パター
ン層までに形成した凹所に高周波パターン層から基板表
層まで開けた孔にタップ打ちで差し込んで固定したこと
にある。
【００１０】更に、本発明は、同軸コネクタのコネクタ
台座の裏面の一部およびその部分に対応する多層誘電体
基板の表面の一部にそれぞれ、位置合わせ用の凹凸部を
形成することにある。
台座の裏面の一部およびその部分に対応する多層誘電体
基板の表面の一部にそれぞれ、位置合わせ用の凹凸部を
形成することにある。
【００１１】
【作用】本発明の構成によれば、同軸コネクタに形成さ
れたコネクタ雄ねじを多層誘電体基板に開けられた円弧
状の孔に挿通していき、同軸コネクタの雄コンタクトピ
ンが誘電体基板の雌コンタクトピンに接触するところ
で、基板裏面に突き出たコネクタ雄ねじにコネクタ用雌
ねじを螺合して同軸コネクタを多層誘電体基板に取り付
ける。これによって基板の高周波パターン層は、雌およ
び雄コンタクトピンの接触を介して同軸コネクタのセミ
リジットケーブルに電気的に接続される。
れたコネクタ雄ねじを多層誘電体基板に開けられた円弧
状の孔に挿通していき、同軸コネクタの雄コンタクトピ
ンが誘電体基板の雌コンタクトピンに接触するところ
で、基板裏面に突き出たコネクタ雄ねじにコネクタ用雌
ねじを螺合して同軸コネクタを多層誘電体基板に取り付
ける。これによって基板の高周波パターン層は、雌およ
び雄コンタクトピンの接触を介して同軸コネクタのセミ
リジットケーブルに電気的に接続される。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の実施例の構造を示す斜視図、
図２は実施例の構造を示す断面図である。
図２は実施例の構造を示す断面図である。
【００１３】図１に示すように、本実施例の同軸コネク
タ構造は、主に高周波パターンに接続された雌コンタク
トピン３と孔４とを有する多層誘電体基板１と、セミリ
ジットケーブル１２及びコネクタ雄ねじを有する同軸コ
ネクタ６と、同軸コネクタ６を多層誘電体基板１に固定
するコネクタ用雌ねじ１３とから構成される。
タ構造は、主に高周波パターンに接続された雌コンタク
トピン３と孔４とを有する多層誘電体基板１と、セミリ
ジットケーブル１２及びコネクタ雄ねじを有する同軸コ
ネクタ６と、同軸コネクタ６を多層誘電体基板１に固定
するコネクタ用雌ねじ１３とから構成される。
【００１４】多層セラミック基板からなる多層誘電体基
板１は、図２の断面図に示すように、基板の内層に高周
波パターン２１があり、その表層から高周波パターン２
１までコンタクトピン３の直経と同じ直経の孔を開けて
おく。この孔はコネクタを接続する中心となっており、
ここに雌コンタクトピン３をはんだ付けによって立て
る。このような構造により、雌コンタクトピン３の位置
精度が良くなる。雌コンタクトピン３は、雄コンタクト
ピン９を挿入出来る構造とするために中心が削られてお
り、尚且つ、先端を分割しており、接触抵抗を低減する
ために金メッキを施してある。図３は、雌コンタクトピ
ン３の取付け方法の他の実施例を示す模式図である。図
３（ａ）は、多層誘電体基板１の内層に高周波パターン
２１があり、これをビア２０を介して表層の高周波出力
パターン２まで電気的に接続している構造であり、この
高周波出力パターン２の中心に雌コンタクトピン３をは
んだ付けによって立てる。ピン位置の精度は余り良くな
いが、取付けが簡単である。図３（ｂ）は、多層誘電体
基板の高周波出力パターン２の中心に立てる雌コンタク
トピンを機械的なタップ打ちの差し込みピンとする構造
である。多層誘電体基板１の裏面から高周波パタ−ン２
１までをけがいてキャビティ構造２２として、高周波パ
ターン２１から表層までを雌コンタクトピン３が通るよ
うにあらかじめ基板製造時に孔を開けておく構造とし、
ここにピンを打ちコンタクトピン３を固定する。半田付
けがないので作業性が良いがピンの付け換えが困難であ
る。
板１は、図２の断面図に示すように、基板の内層に高周
波パターン２１があり、その表層から高周波パターン２
１までコンタクトピン３の直経と同じ直経の孔を開けて
おく。この孔はコネクタを接続する中心となっており、
ここに雌コンタクトピン３をはんだ付けによって立て
る。このような構造により、雌コンタクトピン３の位置
精度が良くなる。雌コンタクトピン３は、雄コンタクト
ピン９を挿入出来る構造とするために中心が削られてお
り、尚且つ、先端を分割しており、接触抵抗を低減する
ために金メッキを施してある。図３は、雌コンタクトピ
ン３の取付け方法の他の実施例を示す模式図である。図
３（ａ）は、多層誘電体基板１の内層に高周波パターン
２１があり、これをビア２０を介して表層の高周波出力
パターン２まで電気的に接続している構造であり、この
高周波出力パターン２の中心に雌コンタクトピン３をは
んだ付けによって立てる。ピン位置の精度は余り良くな
いが、取付けが簡単である。図３（ｂ）は、多層誘電体
基板の高周波出力パターン２の中心に立てる雌コンタク
トピンを機械的なタップ打ちの差し込みピンとする構造
である。多層誘電体基板１の裏面から高周波パタ−ン２
１までをけがいてキャビティ構造２２として、高周波パ
ターン２１から表層までを雌コンタクトピン３が通るよ
うにあらかじめ基板製造時に孔を開けておく構造とし、
ここにピンを打ちコンタクトピン３を固定する。半田付
けがないので作業性が良いがピンの付け換えが困難であ
る。
【００１５】基板表層の高周波出力パターン２の周囲に
はＧＮＤパターン５が形成してある。また、多層誘電体
基板１には、同軸コネクタの雄ねじ１０を通す円弧状の
孔４が開いている。この孔４は、基板の強度を考慮して
出来るだけ小さくする。
はＧＮＤパターン５が形成してある。また、多層誘電体
基板１には、同軸コネクタの雄ねじ１０を通す円弧状の
孔４が開いている。この孔４は、基板の強度を考慮して
出来るだけ小さくする。
【００１６】同軸コネクタ６は、コネクタ台座７、コネ
クタ雄ねじ１０が一つの構造となっており、その中心に
孔が開いており、ここにセミリジットケーブル１２を挿
入してはんだ付けによって固定される。セミリジットケ
ーブル１２の先端は中心導体が剥き出されており、ここ
に雄コンタクトピン９をはんだ付けする。コネクタ雄ね
じ１０は、割り溝の入った複数の円弧状部分に分割さ
れ、その外周にねじが刻まれている。また、多層誘電体
基板１表層のグランドパターン５と接触を良くするため
にコネクタ台７の裏面にシム８を取り付けておく。
クタ雄ねじ１０が一つの構造となっており、その中心に
孔が開いており、ここにセミリジットケーブル１２を挿
入してはんだ付けによって固定される。セミリジットケ
ーブル１２の先端は中心導体が剥き出されており、ここ
に雄コンタクトピン９をはんだ付けする。コネクタ雄ね
じ１０は、割り溝の入った複数の円弧状部分に分割さ
れ、その外周にねじが刻まれている。また、多層誘電体
基板１表層のグランドパターン５と接触を良くするため
にコネクタ台７の裏面にシム８を取り付けておく。
【００１７】このような構造をもつ同軸コネクタ６の雄
ねじ１０を、先に説明した多層誘電体基板１の円弧状の
孔４に通すことによって、雄と雌のコンタクトピンが接
続される。この時、多層誘電体基板１の裏面に出た雄ね
じ１０をワッシャ１４を介して、コネクタ用雌ねじ１３
によって締める。同軸コネクタ６を固定する際にコネク
タ台座７の裏面の一部の３箇所程度を出っ張らせ、逆に
その部分に対応する多層誘電体基板の一部をへこませ、
それぞれが互いにちょうど噛合う様にしてあり、同軸コ
ネクタと多層誘電体基板１の位置合わせが行い易くなっ
ている。
ねじ１０を、先に説明した多層誘電体基板１の円弧状の
孔４に通すことによって、雄と雌のコンタクトピンが接
続される。この時、多層誘電体基板１の裏面に出た雄ね
じ１０をワッシャ１４を介して、コネクタ用雌ねじ１３
によって締める。同軸コネクタ６を固定する際にコネク
タ台座７の裏面の一部の３箇所程度を出っ張らせ、逆に
その部分に対応する多層誘電体基板の一部をへこませ、
それぞれが互いにちょうど噛合う様にしてあり、同軸コ
ネクタと多層誘電体基板１の位置合わせが行い易くなっ
ている。
【００１８】基板に加わる応力を分散させるために、同
軸コネクタの台座７、およびワッシャ１４は可能な限り
大きいものが良い。特に、図４の断面図に示すような実
施例の場合、多層誘電体基板１の裏面にベースプレート
２３を接着し、ベースプレート２３の裏面で同軸コネク
タ６を雌ねじ１３を使って締めることによって基板に加
わる応力を低減する方法も考えられる。
軸コネクタの台座７、およびワッシャ１４は可能な限り
大きいものが良い。特に、図４の断面図に示すような実
施例の場合、多層誘電体基板１の裏面にベースプレート
２３を接着し、ベースプレート２３の裏面で同軸コネク
タ６を雌ねじ１３を使って締めることによって基板に加
わる応力を低減する方法も考えられる。
【００１９】本実施例は多層誘電体基板を例に挙げてい
るが、同様の構造をとることによって、一般のプリント
基板にも応用できることは言うまでもない。
るが、同様の構造をとることによって、一般のプリント
基板にも応用できることは言うまでもない。
【００２０】また、同軸コネクタからセミリジットケー
ブルを出しているが、同軸コネクタ上部にローパスフィ
ルター等の受動素子を一体化することも可能である。
ブルを出しているが、同軸コネクタ上部にローパスフィ
ルター等の受動素子を一体化することも可能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、以上の様な構造をとることに
より、従来のように組立時に公差、部品の寸法公差を余
り気にする必要なく、各部品を製造する際の寸法公差を
緩くすることができ、また、組立時の作業性が向上する
ためコスト低減が行える。
より、従来のように組立時に公差、部品の寸法公差を余
り気にする必要なく、各部品を製造する際の寸法公差を
緩くすることができ、また、組立時の作業性が向上する
ためコスト低減が行える。
【００２２】また、電気的接続が確実に行われているの
で、接続部の特性が良くなり、ロスの低減も期待でき
る。また、製造の際の取付け位置のばらつきがなく、組
立公差による電気的特性のばらつきがない安定した製品
が出来る。
で、接続部の特性が良くなり、ロスの低減も期待でき
る。また、製造の際の取付け位置のばらつきがなく、組
立公差による電気的特性のばらつきがない安定した製品
が出来る。
【００２３】また、同軸コネクタの雌側は、コンタクト
ピン以外の部品は必要なく、構造が単純なため、コスト
も安いという効果がある。
ピン以外の部品は必要なく、構造が単純なため、コスト
も安いという効果がある。
【図１】本発明の実施例の構造を示す斜視図
【図２】本発明の実施例の構造を示す断面図
【図３】（ａ），（ｂ） コンタクトピンの取付け例を
示す概念図
示す概念図
【図４】本発明の他の実施例の構造を示す断面図
【図５】従来の複合マイクロ波回路モジュールの出力取
り出し構造の斜視図
り出し構造の斜視図
１ 多層誘電体基板 ２ 高周波出力パターン ３ 雌コンタクトピン ４ 孔 ５ ＧＮＤパターン ６ 同軸コネクタ ７ コネクタ台座 ８ シム ９ 雄コンタクトピン １０ コネクタ雄ねじ １１ はんだ １２ セミリジッドケーブル １３ コネクタ用雌ねじ １４ ワッシャ １５ 中心導体 １６ 外導体（ＧＮＤ） １７ 誘電体 １８ 位置合わせ用凸部 １９ 位置合わせ用凹部 ２０ ビア ２１ 高周波パターン ２２ キャビティ ２３ ベースプレート ２４ 基準取付け孔 ２５ 高周波出力端子 ２６ 高周波カバー ２７ 高周波カバー側の中心導体
Claims (5)
- 【請求項１】 基板内層にある高周波パターン層と電気
的に接続された高周波出力パターンの中心に植立され、
その先端に切込みが設けられた雌コンタクトピンを有
し、該雌コンタクトピンを中心にして円弧状の孔を複数
箇所に設けた多層誘電体基板と、前記多層誘電体基板の
円弧状の孔に挿通するコネクタ雄ねじとコネクタ台座と
が一体に形成され、その中心に開けた孔に挿入して固定
されたケーブルの先端に雄コンタクトピンが突設してな
る同軸コネクタと、前記多層誘電体基板の円弧状の孔に
挿通して雄コンタクトピンを雌コンタクトピンに接触さ
せるとともに、基板裏面に突出するコネクタ雄ねじに螺
合して同軸コネクタを多層誘電体基板に固定するコネク
タ用雌ねじとから成る多層誘電体基板及び同軸コネクタ
の取付け構造。 - 【請求項２】 多層誘電体基板の高周波出力パターンの
中心に植立する雌コンタクトピンは、基板表層から基板
内層にある高周波パターン層までに形成した凹所に植立
してはんだ付けで固定したことを特徴とする請求項１記
載の多層誘電体基板及び同軸コネクタの取付け構造。 - 【請求項３】 多層誘電体基板の高周波出力パターンの
中心に植立する雌コンタクトピンは、基板裏層から基板
内層にある高周波パターン層までに形成した凹所に高周
波パターン層から基板表層まで開けた孔にタップ打ちで
差し込んで固定したことを特徴とする請求項１記載の多
層誘電体基板及び同軸コネクタの取付け構造。 - 【請求項４】 多層誘電体基板の裏面において、同軸コ
ネクタのコネクタ雄ねじが金属性のベースプレートを介
してコネクタ用雌ねじによって固定されることを特徴と
する請求項１乃至３記載の多層誘電体基板及び同軸コネ
クタの取付け構造。 - 【請求項５】 同軸コネクタのコネクタ台座の裏面の一
部およびその部分に対応する多層誘電体基板の表面の一
部にそれぞれ、位置合わせ用の凹凸部を形成したことを
特徴とする請求項１乃至４記載の多層誘電体基板及び同
軸コネクタの取付け構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7000646A JP2914201B2 (ja) | 1995-01-06 | 1995-01-06 | 多層誘電体基板及び同軸コネクターの取付け構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7000646A JP2914201B2 (ja) | 1995-01-06 | 1995-01-06 | 多層誘電体基板及び同軸コネクターの取付け構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08190966A true JPH08190966A (ja) | 1996-07-23 |
| JP2914201B2 JP2914201B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=11479479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7000646A Expired - Lifetime JP2914201B2 (ja) | 1995-01-06 | 1995-01-06 | 多層誘電体基板及び同軸コネクターの取付け構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2914201B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101132375B1 (ko) * | 2012-01-11 | 2012-04-03 | 배복만 | 동축케이블 커넥터의 체결구조 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110871U (ja) * | 1980-12-27 | 1982-07-08 | ||
| JPS57135778U (ja) * | 1981-02-18 | 1982-08-24 | ||
| JPH023681U (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-11 | ||
| JPH03119974U (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-10 |
-
1995
- 1995-01-06 JP JP7000646A patent/JP2914201B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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| JPS57110871U (ja) * | 1980-12-27 | 1982-07-08 | ||
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101132375B1 (ko) * | 2012-01-11 | 2012-04-03 | 배복만 | 동축케이블 커넥터의 체결구조 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2914201B2 (ja) | 1999-06-28 |
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