JPH0818120A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPH0818120A JPH0818120A JP6171652A JP17165294A JPH0818120A JP H0818120 A JPH0818120 A JP H0818120A JP 6171652 A JP6171652 A JP 6171652A JP 17165294 A JP17165294 A JP 17165294A JP H0818120 A JPH0818120 A JP H0818120A
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- Magnetic Heads (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗素子をバルクハウゼンノイズの生じ
ない安定した単磁区状態を保つ形状にする。 【構成】 Ａタイプの磁気抵抗素子３０は長手方向両端
部に挟角θ１が３０°以内の傾斜部４８を形成する。Ｂ
タイプの２段階平行部３６，５０，５２を有する磁気抵
抗素子４４は、その両端部に第２の傾斜部５４，５６を
形成する。Ｃタイプの磁気抵抗素子５８は、両端部に挟
角θ３が１５°以内の傾斜部４６，４８を形成する。Ｄ
タイプの２段階平行部３６，５０，５２を有する磁気抵
抗素子６０は、その両端部に第２の傾斜部５４，５６を
形成する。Ｅタイプの磁気抵抗素子５８は、両端部に上
方に傾斜する傾斜部４６，４８を形成する。Ｅ′タイプ
の磁気抵抗素子６４は、Ｅタイプに第２の平行部５０，
５２を形成する。Ｅ″の磁気抵抗素子６６はＥ′タイプ
に第２の傾斜部５４，５６を形成する。
ない安定した単磁区状態を保つ形状にする。 【構成】 Ａタイプの磁気抵抗素子３０は長手方向両端
部に挟角θ１が３０°以内の傾斜部４８を形成する。Ｂ
タイプの２段階平行部３６，５０，５２を有する磁気抵
抗素子４４は、その両端部に第２の傾斜部５４，５６を
形成する。Ｃタイプの磁気抵抗素子５８は、両端部に挟
角θ３が１５°以内の傾斜部４６，４８を形成する。Ｄ
タイプの２段階平行部３６，５０，５２を有する磁気抵
抗素子６０は、その両端部に第２の傾斜部５４，５６を
形成する。Ｅタイプの磁気抵抗素子５８は、両端部に上
方に傾斜する傾斜部４６，４８を形成する。Ｅ′タイプ
の磁気抵抗素子６４は、Ｅタイプに第２の平行部５０，
５２を形成する。Ｅ″の磁気抵抗素子６６はＥ′タイプ
に第２の傾斜部５４，５６を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ハードディスク用磁
気抵抗効果（ＭＲ）型薄膜磁気ヘッド等に用いられる磁
気抵抗（ＭＲ）素子に関し、バルクハウゼンノイズの生
じない安定した単磁区状態を保つ形状に形成したもので
ある。
気抵抗効果（ＭＲ）型薄膜磁気ヘッド等に用いられる磁
気抵抗（ＭＲ）素子に関し、バルクハウゼンノイズの生
じない安定した単磁区状態を保つ形状に形成したもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲヘッドにおいては、図７に示すよう
に、磁気抵抗素子１０の内部に生じる磁壁１２の不連続
な移動に起因するバルクハウゼンノイズが大きな問題と
なっている。バルクハウゼンノイズを回避するために
は、図８に示すように、磁気抵抗素子１４全体を単磁区
化し、磁壁をなくす必要がある。そのための方法として
は、以下のような手法がある。
に、磁気抵抗素子１０の内部に生じる磁壁１２の不連続
な移動に起因するバルクハウゼンノイズが大きな問題と
なっている。バルクハウゼンノイズを回避するために
は、図８に示すように、磁気抵抗素子１４全体を単磁区
化し、磁壁をなくす必要がある。そのための方法として
は、以下のような手法がある。
【０００３】ｉ） 反強磁性膜（ＦｅＭｎ，ＮｉＯ等）
と磁気抵抗素子膜との交換結合を利用して、素子長手方
向にバイアス磁界をかける方法 ii） 永久磁石を利用して磁気抵抗素子長手方向にバイ
アス磁界をかける方法 iii) 磁気抵抗素子膜の形状を工夫して、静磁的に安定
な単磁区素子形状とする方法
と磁気抵抗素子膜との交換結合を利用して、素子長手方
向にバイアス磁界をかける方法 ii） 永久磁石を利用して磁気抵抗素子長手方向にバイ
アス磁界をかける方法 iii) 磁気抵抗素子膜の形状を工夫して、静磁的に安定
な単磁区素子形状とする方法
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁気抵抗素子を単磁区
化する前記(i) 〜(iii) の方法のうち、(iii) が製造プ
ロセス的に最も簡略であり、製造設備、コスト、歩留り
を考慮した場合メリットが大きい。
化する前記(i) 〜(iii) の方法のうち、(iii) が製造プ
ロセス的に最も簡略であり、製造設備、コスト、歩留り
を考慮した場合メリットが大きい。
【０００５】この発明は、上記(iii) の方法により磁気
抵抗素子を単磁区化するための磁気抵抗素子の具体的形
状を提供しようとするものである。
抵抗素子を単磁区化するための磁気抵抗素子の具体的形
状を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
上下辺が略々平行で細長形状に形成された平行部と、こ
の平行部の両端部にその上下辺を互いに接近する方向に
曲げて３０°以内の挟角で先細に形成した傾斜部とを具
備してなるものである。
上下辺が略々平行で細長形状に形成された平行部と、こ
の平行部の両端部にその上下辺を互いに接近する方向に
曲げて３０°以内の挟角で先細に形成した傾斜部とを具
備してなるものである。
【０００７】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記上下辺の曲がり始めの部分が連続した
曲線で形成されていることを特徴とするものである。
明において、前記上下辺の曲がり始めの部分が連続した
曲線で形成されていることを特徴とするものである。
【０００８】請求項３記載の発明は、上下辺が略々平行
で細長形状に形成された第１の平行部と、この第１の平
行部の両端部にその上下辺を互いに接近する方向に曲げ
て先細に形成した第１の傾斜部と、この第１の傾斜部の
途中でその上下辺を互いに略々平行な状態に戻して前記
第１の平行部と互いに略々平行に形成した第２の平行部
と、この第２の平行部の端部で先細に形成した第２の傾
斜部とを具備してなるものである。
で細長形状に形成された第１の平行部と、この第１の平
行部の両端部にその上下辺を互いに接近する方向に曲げ
て先細に形成した第１の傾斜部と、この第１の傾斜部の
途中でその上下辺を互いに略々平行な状態に戻して前記
第１の平行部と互いに略々平行に形成した第２の平行部
と、この第２の平行部の端部で先細に形成した第２の傾
斜部とを具備してなるものである。
【０００９】請求項４記載の発明は、上下辺が略々平行
で細長形状に形成された平行部と、この平行部の一端部
にその上辺を当該平行部に続けて真直ぐ延ばし、その下
辺を当該上辺方向に曲げて先細に形成した左右一方の傾
斜部と、前記平行部の他端部にその下辺を当該平行部に
続けて真直ぐ延ばし、その上辺を当該下辺方向に曲げて
先細に形成した左右他方の傾斜部とを具備してなるもの
である。
で細長形状に形成された平行部と、この平行部の一端部
にその上辺を当該平行部に続けて真直ぐ延ばし、その下
辺を当該上辺方向に曲げて先細に形成した左右一方の傾
斜部と、前記平行部の他端部にその下辺を当該平行部に
続けて真直ぐ延ばし、その上辺を当該下辺方向に曲げて
先細に形成した左右他方の傾斜部とを具備してなるもの
である。
【００１０】請求項５記載の発明は、上下辺が略々平行
で細長形状に形成された第１の平行部と、この第１の平
行部の一端部にその上辺を当該第１の平行部に続けて真
直ぐ延ばし、その下辺を当該上辺方向に曲げて先細に形
成した左右一方の第１の傾斜部と、前記第１の平行部の
他端部にその下辺を当該第１の平行部に続けて真直ぐ延
ばし、その上辺を当該下辺方向に曲げて先細に形成した
左右他方の第１の傾斜部と前記左右一方の第１の傾斜部
の途中でその下辺をその上辺に略々平行な状態に戻して
前記第１の平行部と略々平行に形成した左右一方の第２
の平行部と、前記左右他方の第１の傾斜部の途中でその
上辺をその下辺に略々平行な状態に戻して前記第１の平
行部と略々平行に形成した左右他方の第２の平行部と、
前記左右各第２の平行部の端部で先細に形成した左右各
第２の傾斜部とを具備してなるものである。
で細長形状に形成された第１の平行部と、この第１の平
行部の一端部にその上辺を当該第１の平行部に続けて真
直ぐ延ばし、その下辺を当該上辺方向に曲げて先細に形
成した左右一方の第１の傾斜部と、前記第１の平行部の
他端部にその下辺を当該第１の平行部に続けて真直ぐ延
ばし、その上辺を当該下辺方向に曲げて先細に形成した
左右他方の第１の傾斜部と前記左右一方の第１の傾斜部
の途中でその下辺をその上辺に略々平行な状態に戻して
前記第１の平行部と略々平行に形成した左右一方の第２
の平行部と、前記左右他方の第１の傾斜部の途中でその
上辺をその下辺に略々平行な状態に戻して前記第１の平
行部と略々平行に形成した左右他方の第２の平行部と、
前記左右各第２の平行部の端部で先細に形成した左右各
第２の傾斜部とを具備してなるものである。
【００１１】請求項６記載の発明は、上下辺が略々平行
で細長形状に形成された平行部と、この平行部の両端部
に、その上下辺をともに上方に曲げて形成した傾斜部と
を具備してなるものである。
で細長形状に形成された平行部と、この平行部の両端部
に、その上下辺をともに上方に曲げて形成した傾斜部と
を具備してなるものである。
【００１２】請求項７記載の発明は、上下辺が略々平行
で細長形状に形成した第１の平行部と、この第１の平行
部の両端部に、その上下辺をともに上方に曲げて形成し
た傾斜部と、この傾斜部の途中でその上下辺を互いに略
々平行な状態に戻して前記第１の平行部と互いに略々平
行に形成した第２の平行部とを具備してなるものであ
る。
で細長形状に形成した第１の平行部と、この第１の平行
部の両端部に、その上下辺をともに上方に曲げて形成し
た傾斜部と、この傾斜部の途中でその上下辺を互いに略
々平行な状態に戻して前記第１の平行部と互いに略々平
行に形成した第２の平行部とを具備してなるものであ
る。
【００１３】請求項８記載の発明は、上下辺が略々平行
で細長形状に形成された第１の平行部と、この第１の平
行部の両端部に、その上下辺をともに上方に曲げて形成
した第１の傾斜部と、この第１の傾斜部の途中でその上
下辺を互いに略々平行な状態に戻して前記第１の平行部
と互いに略々平行に形成した第２の平行部と、この第２
の平行部の端部で先細に形成した第２の傾斜部とを具備
してなるものである。
で細長形状に形成された第１の平行部と、この第１の平
行部の両端部に、その上下辺をともに上方に曲げて形成
した第１の傾斜部と、この第１の傾斜部の途中でその上
下辺を互いに略々平行な状態に戻して前記第１の平行部
と互いに略々平行に形成した第２の平行部と、この第２
の平行部の端部で先細に形成した第２の傾斜部とを具備
してなるものである。
【００１４】
【作用】請求項１記載の発明によれば、平行部の両端部
を３０°以内の挟角で先細に形成したので、磁壁が生じ
にくくなる。請求項２記載の発明によれば、請求項１の
形状において、傾斜部の上下辺の曲がり始めの部分を連
続した曲線で形成したので、平行部と傾斜部のつながり
がよくなり、磁壁をより生じにくくすることができる。
を３０°以内の挟角で先細に形成したので、磁壁が生じ
にくくなる。請求項２記載の発明によれば、請求項１の
形状において、傾斜部の上下辺の曲がり始めの部分を連
続した曲線で形成したので、平行部と傾斜部のつながり
がよくなり、磁壁をより生じにくくすることができる。
【００１５】請求項３記載の発明によれば、第１の傾斜
部と第２の平行部の作用により、磁壁を生じにくくする
ことができる。また、第２の傾斜部の作用により、第２
の平行部の端部で磁壁を生じにくくすることができる。
請求項４記載の発明によれば、平行部の一端部で上辺を
曲げ、他端部で下辺を曲げた形状にすることにより、磁
壁を生じにくくすることができる。請求項５記載の発明
によれば、請求項４の形状において、傾斜部の端部に第
２の平行部を形成したので、磁壁をより生じにくくする
ことができる。また、第２の傾斜部の作用により、第２
の平行部の端部で磁壁を生じにくくすることができる。
部と第２の平行部の作用により、磁壁を生じにくくする
ことができる。また、第２の傾斜部の作用により、第２
の平行部の端部で磁壁を生じにくくすることができる。
請求項４記載の発明によれば、平行部の一端部で上辺を
曲げ、他端部で下辺を曲げた形状にすることにより、磁
壁を生じにくくすることができる。請求項５記載の発明
によれば、請求項４の形状において、傾斜部の端部に第
２の平行部を形成したので、磁壁をより生じにくくする
ことができる。また、第２の傾斜部の作用により、第２
の平行部の端部で磁壁を生じにくくすることができる。
【００１６】請求項６記載の発明によれば、平行部の両
端部で上下辺をともに上方に曲げた形状とすることによ
り、磁壁を生じにくくすることができる。請求項７記載
の発明によれば、請求項６記載の形状において、傾斜部
の途中でさらに平行に戻して第２の平行部を形成するこ
とにより、磁壁をより生じにくくすることができる。請
求項８記載の発明によれば、請求項７記載の形状におい
て、第２の平行部の端部に第２の傾斜部を形成したの
で、第２の平行部の端部で磁壁を生じにくくすることが
できる。
端部で上下辺をともに上方に曲げた形状とすることによ
り、磁壁を生じにくくすることができる。請求項７記載
の発明によれば、請求項６記載の形状において、傾斜部
の途中でさらに平行に戻して第２の平行部を形成するこ
とにより、磁壁をより生じにくくすることができる。請
求項８記載の発明によれば、請求項７記載の形状におい
て、第２の平行部の端部に第２の傾斜部を形成したの
で、第２の平行部の端部で磁壁を生じにくくすることが
できる。
【００１７】
【実施例】この発明の一実施例を以下説明する。ここで
はこの発明をハードディスク用磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド用磁気抵抗素子として構成する場合について説明
する。ハードディスク用磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
は、図４に示すように構成されている。すなわち、磁気
抵抗素子１６は例えばパーマロイ蒸着膜で構成され、上
下シールド１８，２０間にギャップ２２，２４（絶縁
物：Ａｌ2 Ｏ2 等）を介して挟まれている。磁気抵抗素
子１６の両端には、センス電流を流し、信号を読み取る
ためのリード２６，２８が接続されている。なお、ギャ
ップ２４上への磁気抵抗素子１６の成膜は、後述する図
６のＳ２〜Ｓ５の工程で行なうことができる。
はこの発明をハードディスク用磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド用磁気抵抗素子として構成する場合について説明
する。ハードディスク用磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
は、図４に示すように構成されている。すなわち、磁気
抵抗素子１６は例えばパーマロイ蒸着膜で構成され、上
下シールド１８，２０間にギャップ２２，２４（絶縁
物：Ａｌ2 Ｏ2 等）を介して挟まれている。磁気抵抗素
子１６の両端には、センス電流を流し、信号を読み取る
ためのリード２６，２８が接続されている。なお、ギャ
ップ２４上への磁気抵抗素子１６の成膜は、後述する図
６のＳ２〜Ｓ５の工程で行なうことができる。
【００１８】請求項１〜８に記載の発明の各実施例を図
１〜図３に示す。図１のＡタイプは請求項１記載の発明
の一実施例を示すものである。この磁気抵抗素子３０
は、上下辺３２，３４が略々平行で細長形状に形成され
た平行部３６と、この平行部３６の両端部にその上下辺
３２，３４を互いに接近する方向に曲げて３０°以内の
挟角で先細に形成した傾斜部４６，４８とで構成されて
いる。
１〜図３に示す。図１のＡタイプは請求項１記載の発明
の一実施例を示すものである。この磁気抵抗素子３０
は、上下辺３２，３４が略々平行で細長形状に形成され
た平行部３６と、この平行部３６の両端部にその上下辺
３２，３４を互いに接近する方向に曲げて３０°以内の
挟角で先細に形成した傾斜部４６，４８とで構成されて
いる。
【００１９】Ａ′タイプは請求項２記載の発明の一実施
例を示すものである。この磁気抵抗素子４２は、上下辺
３２，３４の曲がり始めの部分３２′，３４′を連続し
た曲線で形成したものである。
例を示すものである。この磁気抵抗素子４２は、上下辺
３２，３４の曲がり始めの部分３２′，３４′を連続し
た曲線で形成したものである。
【００２０】Ｂタイプは請求項３記載の発明の一実施例
を示すものである。この磁気抵抗素子４４は、上下辺３
２，３４が略々平行で細長形状に形成された第１の平行
部３６と、この第１の平行部３６の両端部にその上下辺
３２，３４を互いに接近する方向に曲げて先細に形成し
た第１の傾斜部４６，４８と、この第１の傾斜部４６，
４８の途中でその上下辺３２，３４を互いに略々平行な
状態に戻して前記第１の平行部３６と互いに略々平行に
形成した第２の平行部５０，５２と、この第２の平行部
５０，５２の端部でその上下辺３２，３４を互いに接近
する方向に曲げて先細に形成した第２の傾斜部５４，５
６とで構成されている。
を示すものである。この磁気抵抗素子４４は、上下辺３
２，３４が略々平行で細長形状に形成された第１の平行
部３６と、この第１の平行部３６の両端部にその上下辺
３２，３４を互いに接近する方向に曲げて先細に形成し
た第１の傾斜部４６，４８と、この第１の傾斜部４６，
４８の途中でその上下辺３２，３４を互いに略々平行な
状態に戻して前記第１の平行部３６と互いに略々平行に
形成した第２の平行部５０，５２と、この第２の平行部
５０，５２の端部でその上下辺３２，３４を互いに接近
する方向に曲げて先細に形成した第２の傾斜部５４，５
６とで構成されている。
【００２１】図２のＣタイプは請求項４記載の発明の一
実施例を示すものである。この磁気抵抗素子５８は上下
辺３２，３４が略々平行で細長形状に形成された平行部
３６と、この平行部３６の一端部にその上辺３２を当該
平行部３６に続けて真直ぐ延ばし、その下辺３４を当該
上辺３２方向に曲げて先細に形成した左右一方の傾斜部
４８と、前記平行部３６の他端部にその下辺３４を当該
平行部３６に続けて真直ぐ延ばし、その上辺３２を当該
下辺３４方向に曲げて先細に形成した左右他方の傾斜部
４６とで構成されている。
実施例を示すものである。この磁気抵抗素子５８は上下
辺３２，３４が略々平行で細長形状に形成された平行部
３６と、この平行部３６の一端部にその上辺３２を当該
平行部３６に続けて真直ぐ延ばし、その下辺３４を当該
上辺３２方向に曲げて先細に形成した左右一方の傾斜部
４８と、前記平行部３６の他端部にその下辺３４を当該
平行部３６に続けて真直ぐ延ばし、その上辺３２を当該
下辺３４方向に曲げて先細に形成した左右他方の傾斜部
４６とで構成されている。
【００２２】Ｄタイプは請求項５記載の発明の一実施例
を示すものである。この磁気抵抗素子６０は、上下辺３
２，３４が略々平行で細長形状に形成された第１の平行
部３６と、この第１の平行部３６の一端部にその上辺３
２を当該第１の平行部３６に続けて真直ぐ延ばし、その
下辺３４を当該上辺３２方向に曲げて先細に形成した左
右一方の第１の傾斜部４８と、前記第１の平行部３６の
他端部にその下辺３４を当該第１の平行部３６に続けて
真直ぐ延ばし、その上辺３２を当該下辺３４方向に曲げ
て先細に形成した左右他方の第１の傾斜部４６と、前記
左右一方の第１の傾斜部４８の途中でその下辺３４をそ
の上辺３２に略々平行な状態に戻して前記第１の平行部
３６と略々平行に形成した左右一方の第２の平行部５２
と、前記左右他方の第１の傾斜部４６の途中でその上辺
５２をその下辺５４に略々平行な状態に戻して前記第１
の平行部３６と略々平行に形成した左右他方の第２の平
行部５０と、前記左右各第２の平行部５０，５２の端部
でその上下辺３２，３４を互いに接近する方向に曲げて
先細に形成した左右各第２の傾斜部５４，５６とで構成
されている。
を示すものである。この磁気抵抗素子６０は、上下辺３
２，３４が略々平行で細長形状に形成された第１の平行
部３６と、この第１の平行部３６の一端部にその上辺３
２を当該第１の平行部３６に続けて真直ぐ延ばし、その
下辺３４を当該上辺３２方向に曲げて先細に形成した左
右一方の第１の傾斜部４８と、前記第１の平行部３６の
他端部にその下辺３４を当該第１の平行部３６に続けて
真直ぐ延ばし、その上辺３２を当該下辺３４方向に曲げ
て先細に形成した左右他方の第１の傾斜部４６と、前記
左右一方の第１の傾斜部４８の途中でその下辺３４をそ
の上辺３２に略々平行な状態に戻して前記第１の平行部
３６と略々平行に形成した左右一方の第２の平行部５２
と、前記左右他方の第１の傾斜部４６の途中でその上辺
５２をその下辺５４に略々平行な状態に戻して前記第１
の平行部３６と略々平行に形成した左右他方の第２の平
行部５０と、前記左右各第２の平行部５０，５２の端部
でその上下辺３２，３４を互いに接近する方向に曲げて
先細に形成した左右各第２の傾斜部５４，５６とで構成
されている。
【００２３】Ｅタイプは請求項６記載の発明の一実施例
を示すものである。この磁気抵抗素子６２は、上下辺３
２，３４が略々平行で細長形状に形成された平行部３６
と、この平行部３６の両端部に、その上下辺３２，３４
をともに上方に曲げて形成した傾斜部４６，４８とで構
成されている。
を示すものである。この磁気抵抗素子６２は、上下辺３
２，３４が略々平行で細長形状に形成された平行部３６
と、この平行部３６の両端部に、その上下辺３２，３４
をともに上方に曲げて形成した傾斜部４６，４８とで構
成されている。
【００２４】図３のＥ′タイプは請求項７記載の発明の
一実施例を示すものである。この磁気抵抗素子６４は、
上下辺３２，３４が略々平行で細長形状に形成した第１
の平行部３６と、この第１の平行部３６の両端部に、そ
の上下辺３２，３４をともに上方に曲げて形成した傾斜
部４６，４８と、この傾斜部４６，４８の途中でその上
下辺３２，３４を互いに略々平行な状態に戻して前記第
１の平行部３６と互いに略々平行に形成した第２の平行
部５０，５２とで構成されている。
一実施例を示すものである。この磁気抵抗素子６４は、
上下辺３２，３４が略々平行で細長形状に形成した第１
の平行部３６と、この第１の平行部３６の両端部に、そ
の上下辺３２，３４をともに上方に曲げて形成した傾斜
部４６，４８と、この傾斜部４６，４８の途中でその上
下辺３２，３４を互いに略々平行な状態に戻して前記第
１の平行部３６と互いに略々平行に形成した第２の平行
部５０，５２とで構成されている。
【００２５】Ｅ″タイプは、請求項８記載の発明の一実
施例を示すものである。この磁気抵抗素子６６は、上下
辺３２，３４が略々平行で細長形状に形成された第１の
平行部３６と、この第１の平行部の両端部に、その上下
辺３２，３４をともに上方に曲げて形成した第１の傾斜
部４６，４８と、この第１の傾斜部４６，４８の途中で
その上下辺を互いに略々平行な状態に戻して前記第１の
平行部３６と互いに略々平行に形成した第２の平行部５
０，５２と、この第２の平行部５０，５２の端部でその
上下辺３２，３４を互いに接近する方向に曲げて先細に
形成した第２の傾斜部５４，５６とで構成されている。
施例を示すものである。この磁気抵抗素子６６は、上下
辺３２，３４が略々平行で細長形状に形成された第１の
平行部３６と、この第１の平行部の両端部に、その上下
辺３２，３４をともに上方に曲げて形成した第１の傾斜
部４６，４８と、この第１の傾斜部４６，４８の途中で
その上下辺を互いに略々平行な状態に戻して前記第１の
平行部３６と互いに略々平行に形成した第２の平行部５
０，５２と、この第２の平行部５０，５２の端部でその
上下辺３２，３４を互いに接近する方向に曲げて先細に
形成した第２の傾斜部５４，５６とで構成されている。
【００２６】上記各タイプの磁気抵抗素子について、様
々な寸法のサンプルを作り磁壁の形成状況について観察
した結果について説明する。ここでは、まずＡ，Ｃ，
Ｅ′の各タイプの磁気抵抗素子３０，５８，６４と、Ｂ
タイプにおいて第２の傾斜部５４，５６をなくした磁気
抵抗素子４４′（「Ｂ′タイプ」とする。）と、Ｄタイ
プにおいて第２の傾斜部５４，５６をなくした磁気抵抗
素子６０′（「Ｄ′タイプ」とする。）の５種類につい
て実験を行なった。これら各タイプの寸法を図５に示す
ように規定し、作成した各サンプルの寸法を表１に示
す。
々な寸法のサンプルを作り磁壁の形成状況について観察
した結果について説明する。ここでは、まずＡ，Ｃ，
Ｅ′の各タイプの磁気抵抗素子３０，５８，６４と、Ｂ
タイプにおいて第２の傾斜部５４，５６をなくした磁気
抵抗素子４４′（「Ｂ′タイプ」とする。）と、Ｄタイ
プにおいて第２の傾斜部５４，５６をなくした磁気抵抗
素子６０′（「Ｄ′タイプ」とする。）の５種類につい
て実験を行なった。これら各タイプの寸法を図５に示す
ように規定し、作成した各サンプルの寸法を表１に示
す。
【００２７】
【表１】 表１において、縦割りの大きな区切り１，２，３は、１
がＨ１＝４μｍ、Ｌ１＝１０μｍのサンプル群、２がＨ
１＝４μｍ、Ｌ１＝３０μｍのサンプル群、３がＨ１＝
８μｍ、Ｌ１＝２０μｍのサンプル群である。また、サ
ンプル名は、例えば「１Ａ２」を例にとれば、頭の
「１」が上記縦割りの列の番号を示し、次の「Ａ」がタ
イプ名を示し、最後の「２」が「１Ａ」の枠内でのＬ
２，Ｌ３の寸法の違いによる区別である。
がＨ１＝４μｍ、Ｌ１＝１０μｍのサンプル群、２がＨ
１＝４μｍ、Ｌ１＝３０μｍのサンプル群、３がＨ１＝
８μｍ、Ｌ１＝２０μｍのサンプル群である。また、サ
ンプル名は、例えば「１Ａ２」を例にとれば、頭の
「１」が上記縦割りの列の番号を示し、次の「Ａ」がタ
イプ名を示し、最後の「２」が「１Ａ」の枠内でのＬ
２，Ｌ３の寸法の違いによる区別である。
【００２８】実験の手順を図６に示す。ガラス基板を用
意し（Ｓ１）、この基板上に磁気抵抗素子材料としてパ
ーマロイを磁界中で４５０オングストローム蒸着する
（Ｓ２）。その上にレジストを塗布し、上記磁界による
誘導異方性の方向が磁気抵抗素子の長手方向となるよう
にレジストを露光、現像してパターンカットする（Ｓ
３）。このパターンカットによってレジストを各サンプ
ルの形状に残す。パターンカットによって残されたレジ
ストの周囲に露出しているパーマロイ膜をイオンミリン
グによって除去する（Ｓ４）。その後、残されたレジス
トを除去することによりパーマロイ製の各タイプの磁気
抵抗素子が完成する（Ｓ５）。
意し（Ｓ１）、この基板上に磁気抵抗素子材料としてパ
ーマロイを磁界中で４５０オングストローム蒸着する
（Ｓ２）。その上にレジストを塗布し、上記磁界による
誘導異方性の方向が磁気抵抗素子の長手方向となるよう
にレジストを露光、現像してパターンカットする（Ｓ
３）。このパターンカットによってレジストを各サンプ
ルの形状に残す。パターンカットによって残されたレジ
ストの周囲に露出しているパーマロイ膜をイオンミリン
グによって除去する（Ｓ４）。その後、残されたレジス
トを除去することによりパーマロイ製の各タイプの磁気
抵抗素子が完成する（Ｓ５）。
【００２９】磁気抵抗素子が完成したら、そのままの状
態で（つまり、特定の方向への着磁、消磁等の操作は行
なわずに。以下、「ａｓ ｄｅｐ」（ａｓ ｄｅｐｏｓ
ｉｔｅｄ（成膜のまま）の略）という。）磁性コロイド
を用いてビター法で磁区観察を行なう（Ｓ６）。洗浄後
（Ｓ７）、単磁区状態の安定性を調べるために、２方向
に磁界を印加して磁区観察する。すなわち、まず、膜面
内長手方向に垂直にＨ＝２００ Oe の磁界を印加後（Ｓ
８）、磁区観察する（Ｓ９）。洗浄後（Ｓ１０）、今度
は膜面に垂直にＨ＝２００ Oe の磁界を印加後（Ｓ１
１）、磁区観察する（Ｓ１２）。
態で（つまり、特定の方向への着磁、消磁等の操作は行
なわずに。以下、「ａｓ ｄｅｐ」（ａｓ ｄｅｐｏｓ
ｉｔｅｄ（成膜のまま）の略）という。）磁性コロイド
を用いてビター法で磁区観察を行なう（Ｓ６）。洗浄後
（Ｓ７）、単磁区状態の安定性を調べるために、２方向
に磁界を印加して磁区観察する。すなわち、まず、膜面
内長手方向に垂直にＨ＝２００ Oe の磁界を印加後（Ｓ
８）、磁区観察する（Ｓ９）。洗浄後（Ｓ１０）、今度
は膜面に垂直にＨ＝２００ Oe の磁界を印加後（Ｓ１
１）、磁区観察する（Ｓ１２）。
【００３０】ａｓ ｄｅｐ、膜面内長手方向に垂直な方
向への磁界印加、膜面垂直方向への磁界印加ごとの各サ
ンプルの磁区観察結果を表２に示す。なお、ここでは、
単磁区状態の評価を次の判定基準で行なった。
向への磁界印加、膜面垂直方向への磁界印加ごとの各サ
ンプルの磁区観察結果を表２に示す。なお、ここでは、
単磁区状態の評価を次の判定基準で行なった。
【００３１】○ ： パターン内のどこにも磁壁なし △ ： パターンの両端部のみに磁壁あり × ： 両端部以外にも磁壁あり
【００３２】
【表２】 表２によれば、ａｓ ｄｅｐ状態では単磁区化していた
パターンでも磁界印加によって磁壁が発生する場合があ
ることがわかる。表２において各サンプルについて磁界
３条件（ｓａ ｄｅｐ、膜面内長手方向垂直、膜面垂
直）の中で最も悪いケースを抜き出したものを表３に示
す。また、表３の中で○印のみ抜き出したものを表４に
示す。
パターンでも磁界印加によって磁壁が発生する場合があ
ることがわかる。表２において各サンプルについて磁界
３条件（ｓａ ｄｅｐ、膜面内長手方向垂直、膜面垂
直）の中で最も悪いケースを抜き出したものを表３に示
す。また、表３の中で○印のみ抜き出したものを表４に
示す。
【００３３】
【表３】
【００３４】
【表４】 表３、表４によれば、ＡタイプおよびＣタイプで安定な
単磁区状態が得られることがわかる。また、表３によれ
ば、Ｂ′タイプ、Ｅ′タイプでは、すべて両端部に磁壁
が発生することがわかる。この両端部の磁壁をなくすに
は、前記図１〜図３のＢタイプ、Ｄタイプ、Ｅ″タイプ
のように両端部に先細の傾斜部５４，５６を形成すれば
よいことがわかった。
単磁区状態が得られることがわかる。また、表３によれ
ば、Ｂ′タイプ、Ｅ′タイプでは、すべて両端部に磁壁
が発生することがわかる。この両端部の磁壁をなくすに
は、前記図１〜図３のＢタイプ、Ｄタイプ、Ｅ″タイプ
のように両端部に先細の傾斜部５４，５６を形成すれば
よいことがわかった。
【００３５】表３の中でもともと安定に単磁区化してい
るもの（○印）と、両端部に先細の傾斜部５４，５６を
形成することにより安定に単磁区化するもの（△印）を
抜き出したものを表５に示す。
るもの（○印）と、両端部に先細の傾斜部５４，５６を
形成することにより安定に単磁区化するもの（△印）を
抜き出したものを表５に示す。
【００３６】
【表５】 なお、Ａタイプでは、左右の両端部の挟角θ１（図１）
が大きいと磁壁が発生しやすくなるので、θ１は３０°
以内が望ましい。また、Ｂタイプ、Ｄタイプ、Ｅタイ
プ、Ｅ′タイプ、Ｅ″タイプでは角度θ２（図１，２，
３）が大きいと磁壁が発生しやすくなるのでθ２は２０
°（より望ましくは１５°）以内が望ましい。また、Ｃ
タイプでは挟角θ３（図２）が大きいと磁壁が発生しや
すくなるので、θ３は１５°以内が望ましい。また、Ｂ
タイプ、Ｄタイプ、Ｅ″タイプでは、両端の傾斜部５
４，５６の挟角θ４（図１，２，３）が大きいとこの部
分で磁壁が発生しやすくなるので、θ４は３０°以内が
望ましい。
が大きいと磁壁が発生しやすくなるので、θ１は３０°
以内が望ましい。また、Ｂタイプ、Ｄタイプ、Ｅタイ
プ、Ｅ′タイプ、Ｅ″タイプでは角度θ２（図１，２，
３）が大きいと磁壁が発生しやすくなるのでθ２は２０
°（より望ましくは１５°）以内が望ましい。また、Ｃ
タイプでは挟角θ３（図２）が大きいと磁壁が発生しや
すくなるので、θ３は１５°以内が望ましい。また、Ｂ
タイプ、Ｄタイプ、Ｅ″タイプでは、両端の傾斜部５
４，５６の挟角θ４（図１，２，３）が大きいとこの部
分で磁壁が発生しやすくなるので、θ４は３０°以内が
望ましい。
【００３７】また、図３のＥ′タイプは両端部の傾斜部
５４，５６が無い分Ｅ″タイプに比べて両端で磁壁が発
生しやすいが、角度θ２を小さくすれば（例えば２０°
（より望ましくは１５°）以内）、従来の長方形の磁気
抵抗素子（図７，８）に比べて磁壁の発生を抑えること
ができる。また、図２のＥタイプは第２の水平部５０，
５２が無い分Ｅ′タイプに比べて磁壁が発生しやすい
が、角度θ２を小さくすれば（例えば２０°（より望ま
しくは１５°）以内）、従来の長方形の磁気抵抗素子に
比べて磁壁の発生を抑えることができる。
５４，５６が無い分Ｅ″タイプに比べて両端で磁壁が発
生しやすいが、角度θ２を小さくすれば（例えば２０°
（より望ましくは１５°）以内）、従来の長方形の磁気
抵抗素子（図７，８）に比べて磁壁の発生を抑えること
ができる。また、図２のＥタイプは第２の水平部５０，
５２が無い分Ｅ′タイプに比べて磁壁が発生しやすい
が、角度θ２を小さくすれば（例えば２０°（より望ま
しくは１５°）以内）、従来の長方形の磁気抵抗素子に
比べて磁壁の発生を抑えることができる。
【００３８】また、図１のＡ′タイプは、Ａタイプに比
べて傾斜部３８，４０の上下辺の曲がり始めの部分３
２′，３４′が連続した曲線で形成されているので、こ
の部分で磁壁がより発生しにくくなる。このような角を
取った構造は他のタイプにも適用できる。
べて傾斜部３８，４０の上下辺の曲がり始めの部分３
２′，３４′が連続した曲線で形成されているので、こ
の部分で磁壁がより発生しにくくなる。このような角を
取った構造は他のタイプにも適用できる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、平行部の両端部を３０°以内の挟角で先細
に形成したので、磁壁が生じにくくなる。請求項２記載
の発明によれば、請求項１の形状において、傾斜部の上
下辺の曲がり始めの部分を連続した曲線で形成したの
で、平行部と傾斜部のつながりがよくなり、磁壁をより
生じにくくすることができる。
明によれば、平行部の両端部を３０°以内の挟角で先細
に形成したので、磁壁が生じにくくなる。請求項２記載
の発明によれば、請求項１の形状において、傾斜部の上
下辺の曲がり始めの部分を連続した曲線で形成したの
で、平行部と傾斜部のつながりがよくなり、磁壁をより
生じにくくすることができる。
【００４０】請求項３記載の発明によれば、第１の傾斜
部と第２の平行部の作用により、磁壁を生じにくくする
ことができる。また、第２の傾斜部の作用により、第２
の平行部の端部で磁壁を生じにくくすることができる。
請求項４記載の発明によれば、平行部の一端部で上辺を
曲げ、他端部で下辺を曲げた形状にすることにより、磁
壁を生じにくくすることができる。請求項５記載の発明
によれば、請求項４の形状において、傾斜部の端部に第
２の平行部を形成したので、磁壁をより生じにくくする
ことができる。また、第２の傾斜部の作用により、第２
の平行部の端部で磁壁を生じにくくすることができる。
部と第２の平行部の作用により、磁壁を生じにくくする
ことができる。また、第２の傾斜部の作用により、第２
の平行部の端部で磁壁を生じにくくすることができる。
請求項４記載の発明によれば、平行部の一端部で上辺を
曲げ、他端部で下辺を曲げた形状にすることにより、磁
壁を生じにくくすることができる。請求項５記載の発明
によれば、請求項４の形状において、傾斜部の端部に第
２の平行部を形成したので、磁壁をより生じにくくする
ことができる。また、第２の傾斜部の作用により、第２
の平行部の端部で磁壁を生じにくくすることができる。
【００４１】請求項６記載の発明によれば、平行部の両
端部で上下辺をともに上方に曲げた形状とすることによ
り、磁壁を生じにくくすることができる。請求項７記載
の発明によれば、請求項６記載の形状において、傾斜部
の途中でさらに平行に戻して第２の平行部を形成するこ
とにより、磁壁をより生じにくくすることができる。請
求項８記載の発明によれば、請求項７記載の形状におい
て、第２の平行部の端部に第２の傾斜部を形成したの
で、第２の平行部の端部で磁壁を生じにくくすることが
できる。
端部で上下辺をともに上方に曲げた形状とすることによ
り、磁壁を生じにくくすることができる。請求項７記載
の発明によれば、請求項６記載の形状において、傾斜部
の途中でさらに平行に戻して第２の平行部を形成するこ
とにより、磁壁をより生じにくくすることができる。請
求項８記載の発明によれば、請求項７記載の形状におい
て、第２の平行部の端部に第２の傾斜部を形成したの
で、第２の平行部の端部で磁壁を生じにくくすることが
できる。
【図１】 請求項１〜３記載の発明の一実施例を示す磁
気抵抗素子の平面パターン図である。
気抵抗素子の平面パターン図である。
【図２】 請求項４〜６記載の発明の一実施例を示す磁
気抵抗素子の平面パターン図である。
気抵抗素子の平面パターン図である。
【図３】 請求項７〜８記載の発明の一実施例を示す磁
気抵抗素子の平面パターン図である。
気抵抗素子の平面パターン図である。
【図４】 ハードディスク用磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの構成例を示す分解斜視図および記録媒体対向面の
端面図である。
ッドの構成例を示す分解斜視図および記録媒体対向面の
端面図である。
【図５】 磁区観察実験を行なった各種磁気抵抗素子の
平面パターン図である。
平面パターン図である。
【図６】 磁区観察の手順を示す工程図である。
【図７】 磁区分割した従来の磁気抵抗素子を示す平面
図である。
図である。
【図８】 単磁区化した従来の磁気抵抗素子を示す平面
図である。
図である。
３０，４２，４４，５８，６０，６２ 磁気抵抗素子 ３２ 上辺 ３４ 下辺 ３６ 平行部、第１の平行部 ４６，４８ 傾斜部、第１の傾斜部 ５０，５２ 第２の平行部 ５４，５６ 第２の傾斜部
Claims (8)
- 【請求項１】上下辺が略々平行で細長形状に形成された
平行部と、 この平行部の両端部にその上下辺を互いに接近する方向
に曲げて３０°以内の挟角で先細に形成した傾斜部とを
具備してなる磁気抵抗素子。 - 【請求項２】前記上下辺の曲がり始めの部分が連続した
曲線で形成されていることを特徴とする請求項１記載の
磁気抵抗素子。 - 【請求項３】上下辺が略々平行で細長形状に形成された
第１の平行部と、 この第１の平行部の両端部にその上下辺を互いに接近す
る方向に曲げて先細に形成した第１の傾斜部と、 この第１の傾斜部の途中でその上下辺を互いに略々平行
な状態に戻して前記第１の平行部と互いに略々平行に形
成した第２の平行部と、 この第２の平行部の端部で先細に形成した第２の傾斜部
とを具備してなる磁気抵抗素子。 - 【請求項４】上下辺が略々平行で細長形状に形成された
平行部と、 この平行部の一端部にその上辺を当該平行部に続けて真
直ぐ延ばし、その下辺を当該上辺方向に曲げて先細に形
成した左右一方の傾斜部と、 前記平行部の他端部にその下辺を当該平行部に続けて真
直ぐ延ばし、その上辺を当該下辺方向に曲げて先細に形
成した左右他方の傾斜部とを具備してなる磁気抵抗素
子。 - 【請求項５】上下辺が略々平行で細長形状に形成された
第１の平行部と、 この第１の平行部の一端部にその上辺を当該第１の平行
部に続けて真直ぐ延ばし、その下辺を当該上辺方向に曲
げて先細に形成した左右一方の第１の傾斜部と、 前記第１の平行部の他端部にその下辺を当該第１の平行
部に続けて真直ぐ延ばし、その上辺を当該下辺方向に曲
げて先細に形成した左右他方の第１の傾斜部と前記左右
一方の第１の傾斜部の途中でその下辺をその上辺に略々
平行な状態に戻して前記第１の平行部と略々平行に形成
した左右一方の第２の平行部と、 前記左右他方の第１の傾斜部の途中でその上辺をその下
辺に略々平行な状態に戻して前記第１の平行部と略々平
行に形成した左右他方の第２の平行部と、 前記左右各第２の平行部の端部で先細に形成した左右各
第２の傾斜部とを具備してなる磁気抵抗素子。 - 【請求項６】上下辺が略々平行で細長形状に形成された
平行部と、 この平行部の両端部に、その上下辺をともに上方に曲げ
て形成した傾斜部とを具備してなる磁気抵抗素子。 - 【請求項７】上下辺が略々平行で細長形状に形成した第
１の平行部と、 この第１の平行部の両端部に、その上下辺をともに上方
に曲げて形成した傾斜部と、 この傾斜部の途中でその上下辺を互いに略々平行な状態
に戻して前記第１の平行部と互いに略々平行に形成した
第２の平行部とを具備してなる磁気抵抗素子。 - 【請求項８】上下辺が略々平行で細長形状に形成された
第１の平行部と、 この第１の平行部の両端部に、その上下辺をともに上方
に曲げて形成した第１の傾斜部と、 この第１の傾斜部の途中でその上下辺を互いに略々平行
な状態に戻して前記第１の平行部と互いに略々平行に形
成した第２の平行部と、 この第２の平行部の端部で先細に形成した第２の傾斜部
とを具備してなる磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6171652A JPH0818120A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6171652A JPH0818120A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818120A true JPH0818120A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15927189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6171652A Pending JPH0818120A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818120A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426853B1 (en) | 1999-10-05 | 2002-07-30 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effect sensor, thin-film magnetic head and thin-film wafer with the thin-film magnetic heads |
| JP2006108566A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子 |
| KR100780130B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2007-11-27 | 가부시끼가이샤 도시바 | 자기 저항 효과 소자 및 자기 메모리 |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP6171652A patent/JPH0818120A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426853B1 (en) | 1999-10-05 | 2002-07-30 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effect sensor, thin-film magnetic head and thin-film wafer with the thin-film magnetic heads |
| KR100780130B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2007-11-27 | 가부시끼가이샤 도시바 | 자기 저항 효과 소자 및 자기 메모리 |
| JP2006108566A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子 |
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