JPH08181101A - エッチング装置およびエッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウェハ全面に渡って均一なエッチング
深さを得る。更に、マイクロピラミッドの生成を抑制し
てエッチング面の平坦性を向上させる。 【構成】 半導体ウェハ2 の装着により密閉できるウェ
ハ装着口1s、エッチング液流入口1h、およびエッチング
液流出口1iを有し、装着されたウェハ2 と共働してエッ
チング室1rを構成するエッチング容器1v、所定のエッチ
ング温度に対して下記エッチング液還流手段の給送区間
30a 内での温度低下分だけ高い温度にエッチング液4 を
保持して収容するエッチング液貯蔵槽7 、上記エッチン
グ液4 を、上記エッチング液貯蔵槽7 から上記エッチン
グ容器1vに供給する給送区間30a と、上記エッチング容
器1vから上記エッチング液貯蔵槽7 に戻す返送区間30b
とから成るエッチング液還流手段、および 上記エッチ
ング容器1v全体をエッチング温度に保持して収容する恒
温槽5 を備えて構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハのエッチ
ング装置およびエッチング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般にシリコン等の半導体ウェハの湿式
エッチングは、ウェハをエッチング液中に単に浸漬（ど
ぶ漬け）して行われる。その際、ウェハ面の部位により
エッチング深さにばらつきが生ずることが知られてい
る。

【０００３】その対策として、特開昭第６３−７６４４
０号公報に提案されたエッチング方法においては、シリ
コン基板をｐｎ接合基板とし電気化学エッチングにより
ｐ型層のみをエッチングすることにより、エッチング深
さのばらつきを防止する。しかしこの方法では、シリコ
ン基板上にｐ型層とｎ型層とを形成する必要があり、そ
のために工程が増加するという問題があった。

【０００４】また、特開平第３−２０１４３２号公報に
開示されたエッチング装置においては、ウェハとエッチ
ング液噴出ノズルとを対向させて配置し、ノズルからウ
ェハに向けてエッチング液を噴射させると共に、ウェハ
とノズルのいずれか一方を回転させるようにした。しか
し、一般に湿式エッチングにおいては、エッチング速度
を高めるために、エッチング液を室温よりも高い温度
（７０〜９０℃）でエッチングを行う。その際、上記の
エッチング装置では、噴出ノズル付近で高温であったエ
ッチング液がウェハ周辺で冷やされ、ウェハエッチング
面の中心部と周辺部とでエッチング深さが異なってしま
うという問題があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題を解消し、ウェハ全面に渡って均一な深さでエ
ッチングを行うことができる半導体ウェハのエッチング
装置およびエッチング方法を提供することを目的とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体ウェハのエッチング装置は、半導体
ウェハの装着により密閉できるウェハ装着口、エッチン
グ液流入口、およびエッチング液流出口を有し、装着さ
れたウェハと共働してエッチング室を構成するエッチン
グ容器、所定のエッチング温度に対して下記エッチング
液還流手段の給送区間内での温度低下分だけ高い温度に
エッチング液を保持して収容するエッチング液貯蔵槽、
上記エッチング液を、上記エッチング液貯蔵槽から上記
エッチング容器に供給する給送区間と、上記エッチング
容器から上記エッチング液貯蔵槽に戻す返送区間とから
成るエッチング液還流手段、および上記エッチング容器
全体をエッチング温度に保持して収容する恒温槽を備え
たことを特徴とする。

【０００７】上記本発明の装置を用いて行う本発明の半
導体ウェハのエッチング方法は、半導体ウェハの装着に
より密閉できるウェハ装着口、エッチング液流入口、お
よびエッチング液流出口を有するエッチング容器に上記
ウェハを装着してエッチング室を構成し、エッチング液
貯蔵槽内に、所定のエッチング温度に対して下記エッチ
ング液還流手段の給送区間内での温度低下分だけ高い温
度にエッチング液を保持して収容し、上記エッチング液
を、上記エッチング液貯蔵槽から上記エッチング容器に
供給する給送区間と、上記エッチング容器から上記エッ
チング液貯蔵槽に戻す返送区間とから成るエッチング液
還流手段を介して上記エッチング液を還流させ、恒温槽
内に、上記エッチング容器全体をエッチング温度に保持
して収容することを特徴とする。

【０００８】

【作用】本発明においては、所定のエッチング温度に対
して還流手段内での温度低下分だけ高い温度にエッチン
グ液を保持すると共に、ウェハを装着したエッチング容
器全体を恒温槽内に収容してエッチング温度に保持する
ことにより、エッチング室内のエッチング液もウェハエ
ッチング面全体も所定のエッチング温度に等しく保持さ
れるので、ウェハ全面に渡って均一なエッチング深さで
エッチングを行うことができる。

【０００９】本発明の望ましい態様においては、エッチ
ング容器の流入口は、装着されたウェハのエッチング面
上をウェハ外部へ放散する渦流としてエッチング液を噴
出するための偏向手段を有することにより、ウェハエッ
チング面上でのエッチング液の流れがより均一になる。
この態様においては、エッチング反応生成物をエッチン
グ面上に滞留させず速やかにウェハ面外へ排除できるの
で、エッチング面のマイクロピラミッド（微細なピラミ
ッド状の突起物）の生成をも防止することができ、更に
エッチング面の品質が向上するという付加的な効果が得
られる。

【００１０】以下に、添付図面を参照して、実施例によ
り本発明を更に詳細に説明する。

【００１１】

【実施例】

〔実施例１〕図１に本発明によるエッチング装置の一例
を示す。図１の装置のウェハ保持具１の詳細を図２に示
す。ウェハ保持具１は、エッチング対象であるシリコン
ウェハ２を下部のウェハ装着口１ｓに装着した状態を図
示した。

【００１２】ウェハ保持具１は、上半部のエッチング容
器１ｖと下半部のベース１ａから成り、エッチング容器
１ｖはアッパーケース１ｆとスペーサ１ｂとから成る。
エッチング容器１ｖとベース１ａとは、図示しない組付
けボルトにより締めつけられている。

【００１３】シリコンウェハ２は、ベース１ａの開口縁
部に嵌め込んだＯリング１ｄと、エッチング容器１ｖの
スペーサ１ｂの開口縁部に嵌め込んだＯリング１ｃとの
間に押圧されて保持されてエッチング容器１ｖの開口１
ｓを密閉し、エッチング室１ｒを構成している。エッチ
ング容器１ｖのアッパーケース１ｆとスペーサ１ｂと
は、アッパーケース開口縁部に嵌め込んだＯリング１ｊ
とスペーサ１ｂの上面との押圧により密閉接続されてい
る。

【００１４】恒温槽５は、水等の熱媒体５ａを満たした
ウォータバス等であり、内部にヒータ２０と攪拌器２１
とを設けてある。ウェハ２を装着した保持具１が、全体
を恒温槽５内に収容されている。ヒータ２０は、配管８
ｃを介してエッチング容器１ｖのエッチング液流入口１
ｈからエッチング室１ｒ内に流入するエッチング液と同
じ温度に、熱媒体５ａを加熱し維持している。攪拌器２
１は、熱媒体５ａの温度を恒温槽５内全体に渡って均一
にするためのものである。

【００１５】エッチング容器１ｖのエッチング液流入口
１ｈは、容器１ｖの内部に向けて口径が拡大しており、
その拡大下縁には図３（ａ）に示した円板状のエッチン
グ液噴流偏向器６がネジ１ｇにより取り付けてある。噴
流偏向器６は、ウェハ２の必要なエッチング領域を覆う
ような寸法および形状になっている。噴流偏向器６に
は、多数の貫通孔６ａが開けてある。貫通孔６ａは、図
３（ｂ）および（ｃ）に示したように、エッチング液に
侵されない材質（例えばアルカリ溶液ならＳＵＳ３１６
等）の金属円板をプレス加工して形成したもので、流出
側開口６ｂが円板の円周方向を向いており、これによ
り、エッチング液噴流４ａが貫通孔６ａを通過する際に
円板の円周方向に偏向される。

【００１６】この噴流偏向器６を設けたことにより、エ
ッチング室１ｒ内に流入するエッチング液噴流は、ウェ
ハ２のエッチング面２ａ上を外方に放散する形の渦流と
して流れ、ウェハエッチング面２全体をエッチング液流
が均等にカバーして均一なエッチングを可能とし、同時
にエッチング生成物をウェハエッチング面２の外部に排
除してマイクロピラミッドの生成を防止する。

【００１７】噴流偏向器６は図４に示した如く、エッチ
ング液に侵されないテフロン等の材質で作製してもよ
い。噴流偏向器６は、図４（ａ）平面図および（ｂ）側
面図に示したように円板に多数の貫通孔６ａを開けたも
のである。ただし貫通孔６ａは図３の例とは異なり、図
４（ｃ）拡大平面図および（ｄ）拡大断面図に示したよ
うに、板の両面から板厚の途中まで機械加工等により掘
り込んだ孔同士が板厚内で繋がって一つの貫通孔を構成
したものである。図４（ｄ）に示したように、各孔は一
つの側面が円周方向の斜面となっておりこれらが繋がる
ことで、円周方向にを向いた貫通孔が形成されている。
この貫通孔６ａを通過するエッチング液噴流は、円周方
向に偏向されて全体として渦巻き状になり、その渦巻き
の中心から外へ向かって放散する渦流となる。図４の例
でも、偏向器６はウェハ２の必要なエッチング対象領域
を覆うような寸法形状で作製してある。図３および図４
は本発明の噴流偏向手段の例を示したに過ぎず、ウェハ
のエッチング面をウェハ外方に放散する渦流としてエッ
チング液を供給できるものであれば他のいかなる形態の
ものを用いてもよいことは勿論である。

【００１８】ベース１ａは中央部が窪んでウェハ２との
間に空間１ｋが形成されている。この空間１ｋは、Ｏリ
ング１ｄに対する締付力がウェハ２の必要な中央部に影
響しないために設けたものであり、その心配がない場合
には設ける必要はない。空間１ｋ内の空気は保持具１の
温度により膨張・収縮するので、それによる圧力がウェ
ハ２に影響を及ぼさないように、圧力逃し用導管１ｅが
設けてある。

【００１９】ベース１ａの形状は、基本的にはスペーサ
１ｂとの間にウェハ２を密閉保持できる形状であればよ
く、例えば空間１ｋに対応する位置のベース中央部１ｎ
を中空にしたリング状としてもよい。その場合にはウェ
ハ２の下面が恒温槽５内の熱媒体５ａに直接接触する
が、熱媒体５ａとして通常は純水が用いられるので、ウ
ェハ２に対する悪影響は無い。熱媒体５ａの種類によっ
てはウェハ２に対する腐食作用等の無いように配慮する
必要がある。

【００２０】ただ、図示したようにベース１ａが中央部
１ｎも中実な連続形状であると、ある程度の厚さがある
その部分の熱容量が薄いウェハよりも大きいことによっ
て、外乱に対してウェハ２全体の均熱化を安定に行うた
めには有利である。

【００２１】エッチング液貯蔵槽７内のエッチング液４
は、配管８ａ、送液ポンプ３、配管８ｂ、フィルタ９、
および配管８ｃを介して、エッチング容器１ｖのエッチ
ング液流入口１ｈを通してエッチング室１ｒ内に供給さ
れる。ウェハ２のエッチング面２ａをエッチングした後
のエッチング液４は、エッチング容器１ｖのエッチング
液流出口１ｉから配管８ｄを介して貯蔵槽７に戻る。

【００２２】配管８ａ、送液ポンプ３、配管８ｂ、フィ
ルタ９、および配管８ｃによりエッチング液還流手段の
給送区間３０ａが構成され、配管８ｄによりエッチング
液還流手段の返送区間３０ｂが構成される。

【００２３】エッチング液貯蔵槽７は、その内部に設け
た攪拌器１０により、エッチング液４の濃度および温度
を槽内全体に渡って均一に保つようになっている。エッ
チング液貯蔵槽７は、全体が恒温槽１１内に収められて
いる。恒温槽１１は例えばウォータバスであり、内部に
設けたヒータ１２により水等の熱媒体１１ａを加熱す
る。この恒温槽１１も内部に攪拌器１３が設けてあり、
水等の熱媒体１１ａの温度を槽内全体に渡って均一にす
るようになっている。

【００２４】恒温槽１１、前記の恒温槽５およびエッチ
ング容器１ｖのエッチング液流入口１ｈの温度は、図１
に示した温度センサ３１、３２、３３によってそれぞれ
検知する。

【００２５】エッチング液貯蔵槽７内のエッチング液面
を検出する液面センサ１５からの信号により、液面制御
装置（レベルコントローラ）１４が配管１８に設けた電
磁弁１９を開閉する。これにより、水槽１６内の純水１
７を必要に応じてエッチング液貯蔵槽７に供給し、槽内
のエッチング液面を常に一定に維持する。このように純
水の供給が必要な理由は、既に説明したように通常はエ
ッチング液を７０〜９０℃程度に加熱して用いるので、
エッチング液から蒸発により失われる水分を補充してエ
ッチング液濃度を一定に維持するためである。

【００２６】上記構成の本発明のエッチング装置の作動
例を以下に説明する。例えばエッチングを９０℃で行う
場合には下記のように作動させる。まずエッチング液貯
蔵槽７内のエッチング液４を加熱するために、ウォータ
バス１１内の水１１ａをヒータ１２で加熱する。その
際、配管部８ａ、８ｂ、８ｃ、ポンプ３、フィルタ９を
通過する際のエッチング液温度低下分を予備試験により
決定しておく。例えばこの温度低下分が３℃であった場
合には、上記ヒータ１２による水の加熱温度は９３℃
（＝９０℃＋３℃）とする。この加熱は、図示しない適
当な温度制御装置等を用いて行うことが望ましい。加熱
を行う際には、攪拌器１３を作動させて、水１１ａがバ
ス１１内で常に均一に加熱されるようにする。

【００２７】これと併行して、ウェハ保持具１を収容し
ているウォータバス５内の水５ａを、ヒータ２０により
９０℃に加熱する。この場合も、攪拌器２１を用いて均
一加熱するように行う。また温度制御装置を用いること
が望ましい。

【００２８】エッチング液貯蔵槽７、エッチング容器１
ｖ、ウォータバス５はそれぞれ温度センサ３１，３２，
３３により、内部の温度を連続してモニタする。

【００２９】そして、貯蔵槽７内のエッチング液４が９
３℃になり、且つウォータバス５が９０℃になってか
ら、ポンプ３を始動させてエッチング液４の給送を開始
する。これにより、エッチング液４は、貯蔵槽７から、
配管８ａ、ポンプ３、配管８ｂ、フィルタ９、配管８ｃ
を順に通って、エッチング容器１ｖの流入口１ｈからエ
ッチング室１ｒ内に流入し、ウェハ２のエッチングが開
始する。

【００３０】その際、図３に示した噴流偏向器６の貫通
孔６ａによりエッチング液はウェハ２の円周方向に偏向
して噴出し、ウェハ２のエッチング面２に吹き付けられ
る。これにより、エッチング室１ｒ内に流入するエッチ
ング液噴流は、ウェハ２のエッチング面２ａ上を外方に
放散する形の渦流として流れ、ウェハエッチング面２全
体をエッチング液流が均等にカバーして均一なエッチン
グを可能とし、同時にエッチング生成物をウェハエッチ
ング面２の外部に排除してマイクロピラミッドの生成を
防止し、エッチング面の平坦性を向上させることができ
る。

【００３１】エッチング液貯蔵槽７内のエッチング液４
の温度は９３℃に保持されているが、給送区間３０ａ
（配管８ａ，８ｂ，８ｃ、ポンプ３、およびフィルタ
９）の通過中に温度降下し、エッチング容器１ｖの流入
口１ｈでは所定のエッチング温度である９０℃になって
いる。エッチング容器１ｖもウォータバス５により同じ
くエッチング温度の９０℃に加熱保持されている。これ
により、シリコンウェハ２のエッチング面２全体に渡っ
て均一なエッチング温度９０℃でのエッチングが行わ
れ、均一なエッチング深さが実現できる。

【００３２】ウェハ２をエッチングしたエッチング液
は、還流手段の返送区間３０ｂ（配管８ｄ）を通ってエ
ッチング液貯蔵槽７に戻る。

【００３３】エッチング液貯蔵槽７内のエッチング液４
は９３℃という高温に加熱されているため水分が蒸発に
より失われる。この水分損失によるエッチング液濃度の
変動を防止するために、超純水１７をエッチング液４に
補充する。それには、貯蔵槽７内のエッチング液４の液
面を液面センサ１５により常に検出し、水分蒸発による
液面低下分を相殺するようにレベルコントローラ１４に
より電磁弁１９の開閉を制御して超純水１７の補充を行
う。

【００３４】以上の装置構成を用い、上記説明したよう
な作動を行って本発明による半導体ウェハのエッチング
を行った。また比較のために、ウォータバス５によりエ
ッチング容器１ｖの加熱保持を行わず、また噴流偏向器
６も用いない他は上記と同様の装置構成および作動によ
るエッチングを行った。

【００３５】その結果、比較法によりエッチングを行っ
たシリコンウェハはエッチング深さのばらつきが±４％
であったが、本発明によりエッチングを行ったシリコン
ウェハはエッチング深さのばらつきが±０．６％に低減
しており、エッチングの均一性が大幅に改善された。

【００３６】マイクロピラミッドについても、本発明に
よりエッチングを行ったウェハは比較法によりエッチン
グを行ったウェハに比べて、生成したマイクロピラミッ
ドの大きさが１／５以下となり、エッチング面の平坦性
が著しく改善された。

【００３７】〔実施例２〕図５に本発明によるエッチン
グ装置の別の構成例を示す。実施例１では、ウェハ保持
具１を収容した恒温槽５の加熱温度およびエッチング液
貯蔵槽７の加熱温度は、予め実験により給送区間３０ａ
（配管８ａ、８ｂ、８ｃ、ポンプ３、およびフィルタ
９）での放熱による温度低下分を測定し、この温度低下
分を上乗せした温度にエッチング液貯蔵槽７の加熱用恒
温槽１１を設定した。

【００３８】これに代わり本実施例においては、図５に
示すように、エッチング液貯蔵槽７、エッチング容器１
ｖを含む保持具１の加熱用恒温槽５、およびエッチング
容器１ｖの流入口１ｈ内にそれぞれ設けた温度センサ３
１、３２、３３の検知信号を用いて集中温度コントロー
ラ８０により自動的に温度制御する。

【００３９】この場合の装置の作動は、例えばエッチン
グ温度が９０℃である場合、下記のように行われる。エ
ッチング液貯蔵槽７の初期設定温度はこのエッチング温
度９０℃よりも少し高め（例えば９２℃）に、保持具１
の加熱用恒温槽５の設定温度はエッチング温度９０℃
に、それぞれ設定して各ヒータ１２および２０を始動さ
せる。そして、エッチング貯蔵槽７および保持具用恒温
槽５がそれぞれ上記の設定温度（９２℃、９０℃）にな
ったら、ポンプ３を始動させて、エッチング液４の還流
を開始する。

【００４０】その後、エッチング容器１ｖの流入口１ｈ
の温度センサ３３の出力に応じて、エッチング貯蔵槽７
の温度設定を初期設定温度９２℃から微調整する制御を
コントローラ８０により自動的に行う。例えば、エッチ
ング中の流入口１ｈの温度センサ３３の出力が８９．１
℃であれば、コントローラ８０はエッチング液貯蔵槽７
の温度設定を０．９℃分だけ上げて９２．９℃とする制
御を行う。これにより、エッチング容器１ｖの流入口１
ｈからエッチング室１ｒ内に流入するエッチング液噴流
は常に所定のエッチング温度９０℃に維持される。

【００４１】なお、図５に示した装置構成においては、
エッチング液貯蔵槽７の中にヒータ１２ａを直接挿入し
てあり、これによりエッチング液４の加熱を行うように
してある。したがって、実施例１で用いたエッチング液
貯蔵槽加熱用の恒温槽１１は用いていない。この場合、
ヒータ１２ａは高温のエッチング液４と直接接触するの
で、エッチング液４に悪影響を及ぼさないようにヒータ
１２はテフロン（デュポン社登録商標）等により被覆し
ておく必要がある。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のエッチン
グ装置およびエッチング方法によれば、エッチング容器
全体を恒温槽内でエッチング温度に保持することによ
り、ウェハ全面に渡って均一な深さでエッチングを行う
ことができる。また、エッチング液をウェハ外方へ放散
する渦流としてウェハエッチング面上に供給することに
より、エッチングの均一性を更に高めると同時に、マイ
クロピラミッドの生成を抑制してエッチング面の平坦性
を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明によるエッチング装置の構成例
の断面および配置図である。

【図２】図２は、図１のエッチング装置に用いるウェハ
保持具を示す断面図である。

【図３】図３は、図２のウェハ保持具の構成部材である
エッチング容器のエッチング液流入口に設ける本発明の
エッチング液噴流偏向器の一例を示す（ａ）平面図、
（ｂ）側面図、および（ｃ）断面図である。

【図４】図４は、図３の噴流偏向器の貫通孔の形状を変
更した一例を示す（ａ）平面図、（ｂ）側面図、（ｃ）
拡大平面図、および（ｄ）拡大断面図である。

【図５】図５は、本発明によるエッチング装置の別の構
成例を示す断面および配置図である。

【符号の説明】

１…ウェハ保持具 １ｈ…エッチング液流入口 １ｉ…エッチング液流出口 １ｒ…エッチング室 １ｓ…ウェハ装着口 １ｖ…エッチング容器（ウェハ保持具１の上半部を構成
する） ２…シリコンウェハ ４…エッチング液 ６…エッチング液噴流偏向手段 ７…エッチング液貯蔵槽 ３０ａ…エッチング液還流手段の給送区間 ３０ｂ…エッチング液還流手段の返送区間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河合 寿 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所内 (72)発明者 中野 次郎 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内 (72)発明者 藤川 東馬 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内 (72)発明者 杉本 雅裕 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内 (72)発明者 横山 敦子 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェハの装着により密閉できるウ
   ェハ装着口、エッチング液流入口、およびエッチング液
   流出口を有し、装着されたウェハと共働してエッチング
   室を構成するエッチング容器、 所定のエッチング温度に対して下記エッチング液還流手
   段の給送区間内での温度低下分だけ高い温度にエッチン
   グ液を保持して収容するエッチング液貯蔵槽、 上記エッチング液を、上記エッチング液貯蔵槽から上記
   エッチング容器に供給する給送区間と、上記エッチング
   容器から上記エッチング液貯蔵槽に戻す返送区間とから
   成るエッチング液還流手段、および上記エッチング容器
   全体をエッチング温度に保持して収容する恒温槽を備え
   たことを特徴とする半導体ウェハのエッチング装置。
2. 【請求項２】 前記エッチング容器の流入口は、前記装
   着されたウェハのエッチング面上をウェハ外部へ放散す
   る渦流として上記エッチング液を噴出するための偏向手
   段を有することを特徴とする請求項１記載の半導体ウェ
   ハのエッチング装置。
3. 【請求項３】 半導体ウェハの装着により密閉できるウ
   ェハ装着口、エッチング液流入口、およびエッチング液
   流出口を有するエッチング容器に上記ウェハを装着して
   エッチング室を構成し、 エッチング液貯蔵槽内に、所定のエッチング温度に対し
   て下記エッチング液還流手段の給送区間内での温度低下
   分だけ高い温度にエッチング液を保持して収容し、 上記エッチング液を、上記エッチング液貯蔵槽から上記
   エッチング容器に供給する給送区間と、上記エッチング
   容器から上記エッチング液貯蔵槽に戻す返送区間とから
   成るエッチング液還流手段を介して上記エッチング液を
   還流させ、 恒温槽内に、上記エッチング容器全体をエッチング温度
   に保持して収容することを特徴とする半導体ウェハのエ
   ッチング方法。
4. 【請求項４】 前記エッチング容器の流入口において、
   前記装着されたウェハのエッチング面上をウェハ外部へ
   放散する渦流として上記エッチング液を噴出するように
   偏向させることを特徴とする請求項３記載の半導体ウェ
   ハのエッチング方法。