JPH08171708A

JPH08171708A - 薄膜磁気ヘッド及び磁気ディスク記録再生装置

Info

Publication number: JPH08171708A
Application number: JP31297294A
Authority: JP
Inventors: Kazufumi Azuma; 東　　和文; Kazunari Takemoto; 一成竹元; Kenji Tasaka; 健司田坂; Noriyuki Saiki; 教行斉木; Shinsuke Higuchi; 晋介樋口
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-12-16
Filing date: 1994-12-16
Publication date: 1996-07-02

Abstract

(57)【要約】【目的】良好な耐磨耗性と耐電圧特性のほか、磁性材料
の腐食防止性能にも優れた薄膜磁気ヘッドを提供するこ
と。【構成】保護膜の表面領域を無水素非晶質炭素（水素含
有率が５原子％以下）で構成し、本体領域を含水素非晶
質炭素（水素含有率が６〜５０原子％）で構成する。保
護膜は、無水素非晶質炭素からなる表面領域層と含水素
非晶質炭素からなる本体領域層の２層構造で構成する。
保護膜は、そのほか磁気ヘッドスライダの接触面から表
面に向かって水素含有率が減少する傾斜組成の非晶質炭
素膜で構成してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高記録密度磁気ディス
ク装置に使用して好適な薄膜磁気ヘッド、特に磁気ヘッ
ドスライダの空気支持面に保護膜を形成した薄膜磁気ヘ
ッド関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置は、取扱情報量
の増大に伴って記録密度の高度化が急速に進展してい
る。磁気ディスク装置の記録密度を高度化するために
は、磁気ディスク面上に対する薄膜磁気ヘッドの浮上量
（実際には薄膜磁気ヘッドを搭載したスライダの浮上
量）を１００ｎｍ近辺に設定する必要があるが、このよ
うに浮上量を小さくした場合は、高速で回転する磁気デ
ィスク面に磁気ヘッドスライダが接触又は衝突する機会
が増える。このため、磁気ヘッドスライダの空気支持面
に形成する保護膜は、薄くて強靱であることに加え、高
度の耐摩耗性を有することが必要である。また、磁気デ
ィスク装置の起動時には、磁気ヘッドに数ボルト程度の
電圧が掛かるが、保護膜は、この電圧に耐える必要があ
るほか、たとえ磁気ディスク面との接触又は衝突によっ
て摩耗が生じたとしても、それに伴って塵を出さない
（例えば気化する）ことが必要である。更に最近では、
超高密度の記録を実現するため、ＭＲヘッド（磁気抵抗
読取ヘッド）が使用されようになっているが、ＭＲヘッ
ドは、従来の誘導型ヘッドと異なり、磁性材料が腐食し
やすい欠点があるため、保護膜は、磁性材料の腐食を防
ぐ役割を備えることも必要になっている。

【０００３】このような様々の要求に対応するため、含
水素非晶質炭素からなる保護膜を採用する提案が例えば
特開平４−２７６３６７号公報に記載されている。含水
素非晶質炭素は、ダイヤモンドライク・カーボンとも呼
ばれており、耐電圧特性に優れているほか、組成が緻密
であるため、磁気ヘッド使用中における磁性材料の腐食
を防止する効果がある。しかし、含水素非晶質炭素から
なる保護膜は、硬度不足のため、耐摩耗性が不充分であ
る点で問題がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の前記問題点を解消し、良好な耐磨耗性と耐電圧特
性のほか、磁性材料の腐食防止性能にも優れた薄膜磁気
ヘッドを提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の前記課題は、保
護膜の表面領域を無水素非晶質炭素で構成することによ
って効果的に解決することができる。ここで「無水素非
晶質炭素」とは、水素含有率が５原子％以下である非晶
質炭素のことを意味する。即ち、保護膜の表面領域は、
良好な耐摩耗性を実現するため、水素を含まない非晶質
炭素で構成することが望ましいが、保護膜の形成過程で
僅かながら水素が混入するのを完全に阻止することが不
可能である。しかし、本発明者の試作実験の結果によれ
ば、仮りに水素が混入しても、その量が５原子％以下で
ある場合は、実用上充分な耐摩耗性を保護膜に付与する
ことが可能であることが判明した。

【０００６】一方、含水素非晶質炭素膜は、水素含有率
が高い場合、良好な耐電圧特性を発揮する反面、組成の
緻密さが低下して腐食防止性能が劣化する。逆に、水素
の含有率が低い場合は、腐食防止性能が良好である反
面、耐電圧特性が劣化する。試作実験の結果、水素含有
率が６原子％〜５０原子％である含水素非晶質炭素を用
いて保護膜の本体領域（表面領域以外の領域）を構成し
た場合は、耐電圧特性及び腐食防止性能の両面において
満足すべき結果を得ることができた。但し、耐電圧特性
を特に重視する場合は、水素含有率が１０原子％以上で
あることが望ましく、一方、腐食防止性能を特に重視す
る場合は、水素含有率が４０原子％以下であることが望
ましい。従って、保護膜の本体領域を構成する含水素非
晶質炭素の水素含有率の最も望ましい範囲は、１０〜４
０原子％である。

【０００７】保護膜は、無水素非晶質炭素からなる表面
領域層と含水素非晶質炭素からなる本体領域層の２層構
造で構成することが可能であるほか、磁気ヘッドスライ
ダとの接触面から表面に向かって水素含有率が減少する
傾斜組成の非晶質炭素膜で構成することも可能である。

【０００８】無水素非晶質炭素は、含水素非晶質炭素に
比較して更に硬く、しかも更に緻密な組成を有する材料
であるが、成膜した場合の導電率が１０^-5Ｓ／ｃｍと高
いため、耐電圧特性の点で難点があり、従来は、磁気ヘ
ッドの保護膜として用いられていなかった。しかし、無
水素非晶質炭素を含水素非晶質炭素と組み合わせて保護
膜を形成した場合は、良好な耐電圧特性及び腐食防止性
能を保持しつつ、耐摩耗性を著しく向上させることがで
きる。無水素非晶質炭素膜は、含水素非晶質炭素膜と同
様、回転中の磁気ディスクと接触又は衝突した場合、破
砕した炭素が燃えて水と炭酸ガスとなって気化するた
め、塵を出さない点でも有利である。

【０００９】無水素非晶質炭素を成膜するには、公知の
スパッタリング法を利用することが可能であり、含水素
非晶質炭素を成膜するには、公知の反応性スパッタリン
グ法や高周波又はマイクロ波を用いた公知のプラズマＣ
ＶＤ法を利用することが可能である。後者の場合は、成
膜中のメタン又は水素の流量を変えるか、投入電力を変
えるなど、成膜条件を適宜調整することにより、非晶質
炭素の水素含有率を所望の値に制御するができるほか、
膜厚方向における水素含有率を任意に傾斜させることが
できる。組成傾斜は、連続的とするのが普通であるが、
必要に応じて段階的又は多次関数的とすることも可能で
ある。

【００１０】２層構造の保護膜及び組成傾斜の保護膜の
いずれを採用した場合も、磁気ヘッドスライダの浮上量
を極めて微小化することができるが、保護膜の厚さは、
目的に応じて４ｎｍ〜３０ｎｍの範囲に設定することが
望ましい。膜厚が４ｎｍ未満であると、ピンホールが発
生して保護膜としての機能が低下し、膜厚が３０ｎｍを
超えると、スペースロスが増大して記録再生特性が劣化
する。実用性から判断して最も望ましい保護膜の膜厚
は、４ｎｍ〜１５ｎｍの範囲であり、高密度記録と信頼
性を両立させることができる。

【００１１】更に、無水素非晶質炭素からなる表面領域
層の厚さは、２ｎｍ〜２８ｎｍの範囲であることが望ま
しい。膜厚が２ｎｍ未満であると、無水素非晶質炭素、
含水素非晶質炭素ともに、膜状にならずに島状になる傾
向がみられるからである。実用性から判断して最も望ま
しい表面領域層の厚さは、２ｎｍ〜１３ｎｍの範囲であ
る。

【００１２】

【実施例】以下、図面に示した実施例を参照して本発明
に係る薄膜磁気ヘッドを更に詳細に説明する。

【００１３】<実施例１>図１は、本発明の薄膜磁気ヘッ
ドを採用した磁気ディスク記録再生装置の一例を示す。
本装置は、情報を記録する磁気ディスク（記録媒体）１
４と、磁気ディスク１４を回転させるモータ（図示せ
ず）と、磁気ディスク１４に情報を書き込み又は磁気デ
ィスク１４から情報を読みだす磁気ヘッドを搭載した磁
気ヘッドスライダ１５と、磁気ヘッドスライダ１５を支
持し、磁気ディスク１４の目標位置に決めるアクチュエ
ータ１６及びボイスコイルモータ１７と、磁気ディスク
装置内部を清浄に保つエアフィルタ（図示せず）とをも
って構成されている。

【００１４】磁気ディスク１４は、周知の以下の方法を
使って製作した。まず、アルミニウム・マグネシウム
（ＡlＭg）合金円板にニッケル燐（ＮiＰ）膜を鍍金法
により１０μｍ形成し、その表面を研磨した。その上に
スパッタ法によりクロム（Ｃr）を１００μｍ形成し、
更にコバルト（Ｃo）合金膜をスパッタリング法により
５０ｎｍ形成した。最後に、保護膜としてスパッタリン
グ法により非晶質炭素膜を数十ナノメータ形成してから
膜厚６ｎｍのパーフルオロエーテル系潤滑膜を付着させ
た。

【００１５】磁気ヘッドスライダ１５は、後述する実施
例２，３で製作した薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ヘッ
ドスライダを用いた。このようにして構成した磁気記録
再生装置について摺動試験を行ったところ、再生出力が
７０％低下した時の総回転数は４５０００回転であり、
このときにいずれのヘッドも、その表面に傷がないこと
を確認し、装置として良好な結果が得られた。

【００１６】<実施例２>本発明に係わる薄膜磁気ヘッド
の一実施例を製作工程を参照して図２に示す。図２ｄに
おいて、２３は、本発明の薄膜磁気ヘッドの断面図を示
し、空気支持面に２層構造の保護膜１０を形成した。保
護膜１０は、本体領域層の含水素非晶質炭素膜２１と表
面領域層の無水素非晶質炭素膜２２をもって構成した。
保護膜１０には接着層２０を介在させた。

【００１７】以下に薄膜磁気ヘッドの製作工程について
説明する。図２ａに示すように、材料がＡＬＴＩＣ（Ａ
l₂Ｏ₃ＴiＣ、酸化アルミニウム・炭化チタン）のスライ
ダ基板１の上に、周知の方法により薄膜磁気ヘッドの積
層体を形成した。即ち、スライダ基板１の上にスパッタ
リング法により下部磁性膜２を形成し、その上に２酸化
シリコン(ＳiＯ₂）、ポリイミド等の絶縁材料を成膜し
たあと、エッチング等により絶縁層３、コイル導体４を
形成した。これらの積層体の上に上部磁性膜５を成膜し
て薄膜磁気ヘッドの積層体６を形成した。続いて図２ｂ
に示すように、積層体６の上に、アルミナ、酸化シリコ
ン等の絶縁物をスパッタリング法により堆積して、保護
層７を形成した。ここまでの工程では、実際には、図２
ａの右に示すように、スライダ基板１の上に薄膜製作技
術を用いて、一括して多数の積層体を同時に形成した。
なお、基板１の厚さ方向がスライダの長さ方向になる。

【００１８】次に、図２ｂの一点鎖線の部分で、同図の
右に示すように、基板１を矩形に切断して数個ごとに分
離する。切断してから端面８を上にし、端面８を研削し
てから研磨し、図２ｃに示す空気支持面９を形成した。
空気支持面９は、ヘッド及びスライダの同一平面上に形
成される。空気支持面９の上に、本発明の保護膜１０を
次の方法により形成した。

【００１９】空気支持面９の全面に、シリコンをターゲ
ットとしたマグネトロンスパッタ法により膜厚２ｎｍの
シリコン膜を形成し、接着層２０とした。成膜の条件
は、１３．５６ＭＨz の高周波電力２００Ｗ、圧力０．
６７Ｐa（パスカル）、アルゴン流量２０ＳＣＣＭ（Sta
ndard Cubic cm/minute）とした。なお、スライダ基板
に炭素を含む材料を用いる場合には、非晶質炭素との密
着性に問題がなく、接着層２０を省略することができ
る。

【００２０】次に、マグネトロンスパッタ装置を用いた
反応性スパッタリング法により含水素非晶質炭素膜２１
を５ｎｍ成膜した。膜厚の測定は、シリコン膜２０及び
含水素非晶質炭素膜２１とも、分光エリプソメータを用
いて行ない、実際の膜厚を決定した。成膜は、グラファ
イトをターゲットとし、メタンとアルゴンの混合ガスを
メタンの分圧が２０％になるようにして流し、圧力０．
６７Ｐa として行なった。なお、目的に応じてメタンに
代え水素を用いることができる。また、１３．５６ＭＨ
z の高周波は、２．４５ＧＨz のマイクロ波に代えるこ
とができた。成膜した膜２１の水素量は、ＨＦＳ(Hydro
gen Forward Scattering）分析により、約３８原子％で
あった。また、膜の導電率は、１０のマイナス１３乗台
Ｓ／ｃｍを測定した。

【００２１】次に、同マグネトロンスパッタ装置の成膜
室を一旦高真空に引き、今度はメタンを止めて、アルゴ
ンのみを流して無水素非晶質炭素膜２２を８ｎｍ成膜し
た。メタンを止めて無水素非晶質炭素膜２２に水素を含
まないようにしたが、測定の結果５原子％の水素が認め
られた。これは、成膜室の中に吸着しているメタン、水
素が完全に除去できずに残留していたため混入したもの
である。膜２２の導電率は、１０のマイナス５乗台Ｓ／
ｃｍを測定した。

【００２２】以上のようにして図２ｄに示すように、空
気支持面に保護膜１０を有する薄膜磁気ヘッド２３を製
作した。薄膜磁気ヘッド２３を搭載した磁気ヘッドスラ
イダ全体の外観を図３ａに示す。保護膜１０を形成した
後、磁気ヘッドスライダに次の方法によりレール加工を
行なった。レールは、ヘッドスライダを所望の量（１０
０ｎｍ前後）だけ浮上させるように空気の流れを制御す
る働きをするものである。レールは、少なくとも一つ必
要である。レール加工では、まず、エッチングのマスク
となるポジ型の有機レジスト（東京応化製、ＯＦＰＲ−
８００）をロールコート印刷法により保護膜１０の上に
塗布した。これを通常のリソグラフィにより露光して現
像し、図３ｂに示すようにレールパターンのマスク１１
を形成した。このマスクを使ってアルゴンガスを用いた
イオンミリング法により、レールパターン以外の部分の
物質を所定の深さまで除去してレールの形状の残留マス
ク１２を形成した（図３ｃ）。残留したマスク１２を除
去して保護膜を有するレール１３を形成し磁気ヘッドス
ライダを完成させた（図３ｄ）。

【００２３】製作した薄膜磁気ヘッドを評価した。耐摩
耗性については、回転ディスクを用い、減速低浮上試験
に加えてＣＳＳ摩耗試験(Contact Start Stop)を行なっ
た。減速低浮上試験では、ディスクの接線方向速度５ｍ
／ｓ、浮上量２０ｎｍ、２０００ｒｐｍの条件で５００
時間後も問題はなく、浮上量４０ｎｍでのＣＳＳ摩耗試
験では、４５０００回後も損傷は見当らず、良好な耐摩
耗特性が得られた。また、耐電圧試験では、５．６Ｖ以
上の良好な結果が得られた（５Ｖを越えれば良好）。亜
硫酸ガスの２ｐｐｍ雰囲気下に放置した腐食試験では、
２０時間経過後も磁性材料表面での腐食は観測されず、
良好な保護特性を確認した（５時間経過後に腐食が認め
られなければ良好）。

【００２４】次に、含水素非晶質炭素膜２１を高周波プ
ラズマＣＶＤ装置に使って成膜する方法を実施した。接
着層２０を形成してから、その上に含水素非晶質炭素を
膜厚４ｎｍ成膜した。１３．５６ＭＨz の高周波を用
い、成膜室内にメタン、水素、アルゴンの混合ガス（そ
れぞれ１０：２０：２０ＳＣＣＭ）を導入した。なお、
原料ガスは、メタンのほか、エチレン、トルエン、ヘキ
サン等の炭化水素ガスを選択して用いることができる。
形成した膜２１の水素含有率は、４８原子％であった。
次に、ヘッドスライダをマグネトロンスパッタ装置のス
パッタリング室に移動し、前記したのと同様の条件で、
膜厚４ｎｍ、水素含有率４．２原子％の無水素非晶質炭
素膜２２を形成した。このようにして製作した薄膜磁気
ヘッドを評価した結果、前記薄膜磁気ヘッドと変わらな
い評価結果が得られた。

【００２５】なお、以上の他に水素含有率の範囲を広げ
て、含水素非晶質炭素膜２１の水素含有率が５原子％〜
６０原子％の範囲及び無水素非晶質炭素膜２２の水素含
有率が３原子％〜５原子％の範囲について７例を試作
し、その特性を調べた。各膜厚は、接着層２０が２ｎ
ｍ、含水素非晶質炭素膜２１が４ｎｍ〜８ｎｍ、無水素
非晶質炭素膜２２が３ｎｍ〜７ｎｍの範囲とした。試作
結果を表１に示す。

【００２６】

【表１】

【００２７】耐摩耗性は、無水素非晶質炭素膜２２の水
素含有率を５原子％以下としたためいずれも良好であっ
た。また、試作Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５は、耐電圧、腐食保
護とも良好であった。試作Ｎｏ．６は、耐電圧が不足
し、試作Ｎｏ．７は、腐食保護が不十分であった。以上
の結果、含水素非晶質炭素膜２１の水素含有率は、６原
子％〜５０原子％が望ましく、６原子％未満或いは５０
原子％を超える水素含有率は、採用できないことが判明
した。なお、試作Ｎｏ．１及び試作Ｎｏ．５の結果か
ら、腐食保護を特に重視する用途によっては４０原子％
以下、耐電圧を特に重視する用途によっては１０原子％
以上とすることが望ましいことが分かった。従って、水
素含有率の１０原子％〜４０原子％が最も望ましい範囲
であることが判明した。

【００２８】<実施例３>実施例２と同様の方法で図２ｃ
に示す空気支持面９を形成し、その上に接着層２０を成
膜してから、以下の方法により傾斜組成の保護膜を形成
した。実施例２と同様のマグネトロンスパッタ装置を用
い、成膜ガスとして最初にメタンを８ＳＣＣＭ及びアル
ゴンを１２ＳＣＣＭ流して、ガス圧０.６７Ｐa、高周波
電力１２００Ｗの条件で成膜を開始した。この初期条件
は、膜の水素含有率を５０原子％とする条件である。成
膜を開始してから直ちに全ガス流量と成膜圧力を一定に
したままで１次関数的にメタン流量を減少させ、同時に
アルゴン流量を増大させ、成膜終了直前のガス流量を、
メタン０．５ＳＣＣＭ、アルゴン１９．５ＳＣＣＭとし
た。この終了時の条件は、膜の水素含有率を５原子％と
する条件である。膜厚は、１１ｎｍを得た。傾斜組成の
保護膜は、このような反応性スパッタリング法を用いて
形成することができるほか、メタンなどを用いたプラズ
マＣＶＤ法を用いて形成することができる。いずれの方
法も成膜中のメタンや水素の流量を時間とともに減少さ
せたり、投入電力を制御することにより、膜中への水素
の入り方を連続的に減少させることがでた。

【００２９】傾斜組成の保護膜を形成した後、実施例２
と同様の方法でレールを形成して磁気ヘッドスライダを
完成させ、その特性を評価した。回転ディスクを用いた
摺動試験の結果、減速低浮上試験では、ディスクの接線
方向の速度５ｍ／ｓ、浮上量２０ｎｍ、２０００ｒｐｍ
の条件で５００時間後も問題はなく、浮上量４０ｎｍで
のＣＳＳ摩耗試験では、４５０００回後も損傷は見当ら
ず、良好な耐摩耗性が得られた。耐電圧試験では、６Ｖ
以上の良好な結果が得られた。また、亜硫酸ガスの２ｐ
ｐｍ雰囲気下に放置した腐食試験では、２０時間経過後
も磁性材料表面での腐食は観測されず、良好な保護特性
を確認した。

【００３０】なお、以上の他に水素含有率の範囲を広げ
て、成膜開始時の磁気ヘッドスライダとの接触面の水素
含有率が５原子％〜６０原子％の範囲及び成膜終了時の
最表面の水素含有率が５原子％〜６原子％の範囲につい
て４例を試作し、その特性を調べた。膜厚は、９ｎｍ〜
１２ｎｍの範囲とした。試作結果を表２に示す。

【００３１】

【表２】

【００３２】成膜開始時の水素含有率が６原子％〜５０
原子％の範囲及び成膜終了時の水素含有率が５原子％以
下で良好な特性が得られることが分かった。なお、試作
Ｎo．５は、耐電圧が不十分であり、試作Ｎo．４は、腐
食保護が不十分であった。従って、成膜開始時の水素含
有率が６原子％未満又は５０原子％を超えるのは望まし
くないことが判明した。また、６原子％〜５０原子％の
範囲でも、耐電圧特性を特に重視する場合は、１０原子
％以上とし、腐食保護を特に重視する場合は、４０原子
％以下とすることが望ましく、従って、成膜開始時の水
素含有率の最も望ましい範囲は、１０原子％〜４０原子
％であることが判明した。

【００３３】なお、メタン流量及びアルゴン流量を増減
させる方法については、１次関数的に連続させるほか、
段階的に変化させる方法、多次関数的に変化させる方法
についても実施したが、成膜開始時及び成膜終了時の水
素含有率を前記したのと同様の範囲とすることにより、
良好な結果が得られた。

【００３４】

【発明の効果】本発明によれば、保護膜の表面領域を無
水素非晶質炭素で構成したため、良好な耐磨耗性と耐電
圧特性のほか、磁性材料の腐食防止性能にも優れた薄膜
磁気ヘッドを実現することが可能となる。このような薄
膜磁気ヘッドを採用することによって、信頼性の高い高
密度記録の磁気記録再生装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる磁気ディスク記録再生装置の一
実施例を説明するための構造斜視図。

【図２】本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの一実施例を製
作工程を参照して説明するための断面図。

【図３】図２の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ヘッドス
ライダにレールを成形する工程を説明するための構造
図。

【符号の説明】

１…スライダ基板２…下部磁性層３…絶縁層４…コイル導体５…上部磁性膜６…薄膜磁気ヘッドの積層体７…保護層８…端面９…空気支持面１０…保護膜１１…レールパターンのマスク１２…残留したマスク１３…レール１４…磁気ディスク１５…磁気ヘッドスライダ１６…アクチュエータ１７…ボイスコイルモータ２０…接着層２１…含水素非晶質炭素膜２２…無水素非晶質炭素膜２３…保護膜を有する薄膜磁気ヘッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者斉木教行神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者樋口晋介神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気ヘッドスライダの空気支持面に含水素
非晶質炭素からなる保護膜を形成してなる磁気ヘッドに
おいて、当該保護膜の表面領域は、無水素非晶質炭素
（水素含有率が５原子％以下である非晶質炭素をいう。
以下同じ）で構成されていることを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。
【請求項２】前記保護膜の本体領域（表面領域以外の領
域）を構成する含水素非晶質炭素の水素含有率が６原子
％〜５０原子％であることを特徴とする請求項１に記載
の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記保護膜の本体領域（表面領域以外の領
域）を構成する含水素非晶質炭素の水素含有率が１０原
子％〜４０原子％であることを特徴とする請求項１に記
載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記保護膜は、無水素非晶質炭素からなる
表面領域層と含水素非晶質炭素からなる本体領域層の２
層構造で構成されていることを特徴とする請求項１〜請
求項３のいずれか一に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】前記無水素非晶質炭素からなる表面領域層
の膜厚が２ｎｍ〜２８ｎｍであることを特徴とする請求
項４に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】前記無水素非晶質炭素からなる表面領域層
の膜厚が２ｎｍ〜１３ｎｍであることを特徴とする請求
項４に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】前記保護膜は、磁気ヘッドスライダとの接
触面から表面に向かって水素含有率が減少する傾斜組成
の非晶質炭素膜で構成されていることを特徴とする請求
項１〜請求項３のいずれか一に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】前記傾斜組成の非晶質炭素膜で構成されて
いる保護膜の膜厚が４ｎｍ〜３０ｎｍであることを特徴
とする請求項７に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】前記傾斜組成の非晶質炭素膜で構成されて
いる保護膜の膜厚が４ｎｍ〜１５ｎｍであることを特徴
とする請求項７に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】前記保護膜上に空気流制御用レールが配
設されていることを特徴とする請求項１〜請求項９のい
ずれか一に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】請求項１〜請求項１０のいずれか一に記
載の薄膜磁気ヘッドを用いて構成したことを特徴とする
磁気ディスク記録再生装置。