JPH08166354A

JPH08166354A - パターン欠陥検出装置

Info

Publication number: JPH08166354A
Application number: JP31089194A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Sato; 俊一佐藤; Takashi Kubota; 崇久保田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-12-14
Filing date: 1994-12-14
Publication date: 1996-06-25
Anticipated expiration: 2015-05-22
Also published as: JP3043962B2

Abstract

(57)【要約】【目的】フーリエ変換された光の強度分布を変化させ
ることにより、欠陥判定のために必要な正規周期パター
ンと欠陥を連続的に取り込み、欠陥かどうかの判定を容
易にかつ高速に行う。【構成】光３は２光束に分割され、一方の光束６は、
被対検査象物体であるＴＦＴ基板７を照射し、信号光１
０ｂとして液晶空間変調素子１１の液晶層側２１から光
導電体層２２に入射する。液晶空間変調素子１１を位置
Ｂに位置すると、光導電体層２２上にはマスク７のフー
リエ変換像のピンボケ像が形成される。他方の光束１２
はミラー１３で反射され、基準光１４ａが前記ピンボケ
像が入射した液晶空間変調素子１１と同一場所に入射す
る。液晶空間変調素子１１から反射された位相共役光１
５ｂはモニターカメラ１６に入射し、ＴＦＴ基板７の正
規周期パターン（画素パターン）の像が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、パターン欠陥検出装置
に関し、より詳細には、光によるフーリエ変換と位相共
役光を利用し、液晶用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）
基板やＩＣ（Integrated Circuit）用フォトマスク等の
周期パターン中に存在する孤立欠陥を検出するためのパ
ターン欠陥検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光によるフーリエ変換と位相共役
光を利用したパターン欠陥検出装置としては、位相共役
光を発生させる位相共役光発生手段としてホログラムを
用いた方法がある。例えば、この方法をＩＣフォトマス
クの欠陥検査に応用した例が、文献：R.L.Fusek 他，
“Holographic optical Processing for submicrometer
defect detection"，pt.Eng.24，p731,1985に記載され
ている。

【０００３】図６は、従来のパターン欠陥検出装置の構
成図で、図中、１０１はパターン欠陥検出装置、１０２
は信号光、１０３はフォトマスク、１０４は１／４波長
板、１０５は偏光ビームスプリッタ、１０６はレンズ、
１０７はフィルタ、１０８はホログラム、１０９は参照
光、１１０は共役光、１１１は出力光である。

【０００４】コヒーレント光である信号光１０２をフォ
トマスク１０３に照射し、レンズ１０６によってフォト
マスク１０３のフーリエ変換像をフィルタ１０７上に形
成する。該フィルタ１０７を透過させることによって空
間周波数フィルタリングを行い、正規パターンの成分を
選択的に除去し、欠陥の周波数成分を参照光１０９との
干渉縞としてホログラム１０８に記録する。次に、この
ホログラム１０８に、参照光１０９に対する共役光１１
０を照射し、実像を再生して同じ光路を逆に戻すことに
よって、欠陥の像だけを出力光１１１として抽出する。
なお、１／４波長板１０４と偏光ビームスプリッタ１０
５は、光の利用効率を上げるために使用している。この
方法の利点は、ホログラム１０８によって発生した位相
共役光によりシステムのレンズ１０６や他の光学部品の
歪の影響を除去できることである。

【０００５】また、他の従来例としては、位相共役光発
生手段として、ＢａＴｉＯ₃やＢｉ₁₂ＳｉＯ₂₀（ＢＳ
Ｏ）等のフォトリフラクティブ結晶を用いる方法があ
る。例えば、この方法をＩＣの製造に使用されるフォト
マスク中の周期的特性の抑制と非周期的欠陥の強調を実
時間で行う装置の技術が、例えば、特開昭６２−５４２
８４号公報「光学的特性の強調を行う装置」に開示され
ている。また、同様な技術を液晶パネル用フォトマスク
の欠陥検査に適用した例が、文献：青木他、ＢＳを用
いた周期パターンの欠陥検査−検査面積の影響−，第53
回応用物理学会学術講演会予稿集 17p-2（1992）、及び
第54回応用物理学会学術講演会予稿集 27p-D-11（199
3）に記載されている。

【０００６】図７は、従来のパターン欠陥検出装置の他
の構成図で、図中、１２１はパターン欠陥検出装置、１
２２はマスク、１２３は信号光、１２４はビームスプリ
ッタ、１２５はレンズ、１２６はＢＳＯ（フーリエ変換
面）、１２７，１２８はポンプ光、１２９は出力光であ
る。

【０００７】縮退４光波混合の光学系配置で、マスク１
２２を透過した信号光１２３をレンズ１２５によりフー
リエ変換する。フーリエ変換面（ＢＳＯ面）１２６にお
ける光強度に応じて、各周波数成分の位相共役光の発生
効率に差が生じ、非線形フィルタリングが実現できる。
したがって、信号光１２３とポンプ光１２７，１２８の
強度比を適当に設定すれば、必要な成分が強調される。

【０００８】また、従来のフーリエ変換のみによるパタ
ーン欠陥検出においては、フォトマスクの周期パターン
と欠陥の位置関係により、欠陥の致命度や疑似欠陥の判
定を行うために、フィルタリングに用いるコヒーレント
光の波長と異なる波長域のインコヒーレント光を同一光
軸で導入し、欠陥分布と正規周期パターン（画素パター
ン）を重畳した画像を取り込むことも行われている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前述のように、図６に
示した従来のパターン欠陥検出装置においては、ホログ
ラムの現像が必要なため、実時間で測定条件（フィルタ
リング条件）を変えて検査することができないという問
題点があった。すなわち、欠陥判定のために必要な正規
周期パターン（画素パターン）と欠陥を連続的に取り込
むことができず、欠陥かどうかの判定を行うことができ
なかった。また、被検査対象物体であるＩＣフォトマス
クに適したフィルタを作製しなければならないという問
題点があった。

【００１０】また、図７に示したパターン欠陥検出装置
は、実時間で処理が行え、かつフィルタの作製も不要で
あるものの、信号光１２３とポンプ光１２７，１２８の
強度比を適当に設定する等の測定条件の設定だけでは、
欠陥と欠陥判定のために必要な正規周期パターン（画素
パターン）の両方を検出することが難しいという問題点
があった。

【００１１】また、ホログラム方式のフィルタリングで
は、同一光学系でインコヒーレントな光を使うことがで
きないので、フォトマスクの周期パターンと欠陥の位置
関係により欠陥の致命度や疑似欠陥の判定を行うため
に、フィルタリングに用いるコヒーレント光の波長と異
なる波長域のインコヒーレント光を同一光軸で導入し、
欠陥分布と正規周期パターン（画素パターン）を重畳し
た画像を取り込むことができないという問題点があっ
た。

【００１２】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たもので、フーリエ変換された光の強度分布を変化させ
ることにより、欠陥判定のために必要な正規周期パター
ンと欠陥を連続的に取り込み、欠陥かどうかの判定を容
易に、かつ高速に行うようにしたパターン欠陥検出装置
を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、（１）コヒーレント光を発生する発生手
段と、該発生手段により発生する前記コヒーレント光を
被検査対象物体に照射する照射手段と、該照射手段によ
り前記被検査対象物体に照射した光束をフーリエ変換す
るフーリエ変換手段と、該フーリエ変換手段により前記
フーリエ変換した光の位相共役光を発生させる位相共役
光発生手段と、前記フーリエ変換手段によりフーリエ変
換された光の強度分布を変化させる変化手段とを有する
こと、更には、（２）前記変化手段が、前記位相共役光
発生手段を前記被検査対象物体に照射した光束の光軸上
で移動させる移動手段であることを特徴としたものであ
る。

【００１４】

【作用】前記構成を有する本発明のパターン欠陥検出装
置は、（１）請求項１記載の発明において、コヒーレン
ト光を発生し、前記被検査対象物体に照射した光束をフ
ーリエ変換し、前記フーリエ変換した光の位相共役光を
発生させ、フーリエ変換された光の強度分布を変化させ
ることにより、欠陥判定のために必要な正規周期パター
ン（画素パターン）と欠陥を連続的に取り込むことがで
き、欠陥かどうかの判定を容易に、かつ高速に行うこと
ができる。

【００１５】（２）また、請求項２記載の発明におい
て、前記フーリエ変換された光の強度分布を変化させる
ことが、前記位相共役光の発生を、前記被検査対象物体
に照射した光束の光軸上で移動させることにより、簡便
にフィルタリング条件を変えることが可能となり、欠陥
判定のために必要な正規周期パターン（画素パターン）
と欠陥を連続的に取り込める。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。図１は、本発明によるパターン欠陥検出
装置の一実施例を説明するための構成図で、図中、１は
パターン欠陥検出装置、２はＨｅＮｅレーザ、３は光、
４はビームエキスパンダー、５はハーフミラー、６は光
束、７はＴＦＴ（Ｔhin ＦilmＴransistor：薄膜トラン
ジスタ）基板、８はハーフミラー、９はレンズ、１０
ａ，１０ｂは信号光、１１は液晶空間変調素子、１２は
光束、１３はミラー、１４ａ，１４ｂは基準光、１５
ａ，１５ｂは位相共役光、１６はモニターカメラ、２１
は液晶層、２２は光導電層である。

【００１７】本実施例では、被検査対象物体として液晶
用ＴＦＴ基板を設置している。まず、ＴＦＴ基板中の欠
陥を検出する場合について説明する。パターン欠陥検出
装置１において、ＨｅＮｅレーザ２から出射された光３
は、ビームエキスパンダー４によりビーム径が拡大さ
れ、ハーフミラー５により２光束に分割される。分割さ
れた光束の一方は、光束６として被検査対象物体である
ＴＦＴ基板７を照射し、ハーフミラー８とレンズ９を通
過し、信号光１０として液晶空間変調素子１１の液晶層
側２１から光導電体層２２に入射する。液晶空間変調素
子１１をレンズ９の焦点位置に配置（位置Ａ）すると、
液晶空間変調素子１１の光導電体層３６上にはマスク７
のフーリエ変換像が形成される。

【００１８】もう一方の光束１２は、ミラー１３で反射
され、基準光１４ａ（点線）として前記フーリエ変換像
が入射した液晶空間変調素子１１と同一場所に入射す
る。ただし、基準光１４ａは、液晶空間光変調素子１１
に対してほぼ垂直入射（入射角０°）としている。液晶
空間変調素子１１から反射された位相共役光１５は、再
びレンズ９により逆フーリエ変換され、ハーフミラー８
によって分離され、モニターカメラ１６に入射する。該
モニターカメラ１６上には、ＴＦＴ基板７の正規周期パ
ターン（画素パターン）が除去され、孤立した欠陥の像
だけが得られる。

【００１９】次に、ＴＦＴ基板の周期パターン（画素パ
ターン）を検出する場合について説明する。被検査対象
物体であるＴＦＴ基板７に照射した光束の光軸方向に、
液晶空間変調素子１１を距離ｄだけ移動させる。図１で
は、レンズ９から遠ざかる方向に液晶空間変調素子１１
を移動させたが、近づく方向に移動させてもよい。欠陥
検出と同様に、パターン欠陥検出装置１において、Ｈｅ
Ｎｅレーザ２から出射された光３は、ビームエキスパン
ダー４によりビーム径が拡大され、ハーフミラー５によ
り２光束に分割される。分割された光束の一方は、光束
６として被対検査象物体であるＴＦＴ基板７を照射し、
ハーフミラー８とレンズ９を通過し、信号光１０ｂとし
て、液晶空間変調素子１１の液晶層側２１から光導電体
層２２に入射する。ここで、液晶空間変調素子１１をレ
ンズ９の焦点位置から距離ｄだけ移動させた位置に配置
（位置Ｂ）すると、液晶空間変調素子１１の光導電体層
２２上にはマスク７のフーリエ変換像の焦点はずれの像
（ピンボケ像）が形成される。

【００２０】もう一方の光束１２はミラー１３で反射さ
れ、基準光１４ａ（実線）が前記ピンボケ像が入射した
液晶空間変調素子１１と同一場所に入射する。このと
き、ミラー１３は、基準光１４ｂの方向を変える必要が
あるため、角度調整を行う。液晶空間変調素子１１から
反射された位相共役光１５ｂは再び同じ光路を通り、ハ
ーフミラー８によって分離され、モニターカメラ１６に
入射する。該モニターカメラ１６上には、ＴＦＴ基板７
の正規周期パターン（画素パターン）の像が得られる。

【００２１】ここで、液晶空間変調素子１１を移動させ
た前後で、モニターカメラ１６に取り込まれる画像の座
標を予め測定しておけば、ＴＦＴ基板７の正規周期パタ
ーン（画素パターン）と欠陥像の位置関係がわかり、欠
陥の分類や判定が容易になる。なお、液晶空間変調素子
１１の移動手段としては、振動が小さいほうがよいの
で、コンピュータで制御されたリニアモータを用いた直
線移動ステージ等を使用する。また、液晶空間光変調素
子１１の液晶層２１は、ホモジニアス（平行）配向ネマ
ティック液晶を用いている。ＨｅＮｅレーザ２から出射
された光３の偏光方向は紙面内平面にあり、液晶層２１
はこの偏光を最も効率的に位相変調できる方向にホモジ
ニアス（平行）配向している。

【００２２】図２は、本発明によるパターン欠陥検出装
置に用いられる液晶空間光変調素子の断面図で、図中、
３１は液晶空間光変調素子、３１ａ，３１ｂはガラス基
板、３２ａ，３２ｂは透明電極、３３ａ，３３ｂは配向
膜、３４は液晶層、３５はスペーサ、３６は光導電層、
３７は交流電圧電源部である。

【００２３】液晶空間光変調素子３１は、ＩＴＯ（酸化
インジウム）等の透明電極３２ａ，３２ｂが片面にコー
トされたガラス基板３１ａ，３１ｂの間に、ネマティッ
ク液晶層３４，液晶分子をホモジニアス（平行）配向さ
せるための液晶配向膜３３ａ，３３ｂおよび光導電層３
６である水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）
膜を挟んだ構造となっている。なお、スペーサ３５は液
晶層のスペースを保持するためのものである。

【００２４】光導電層３６であるａ−Ｓｉ：Ｈ膜の形成
は、透明電極３２ｂが形成されたガラス基板３１ｂ上
に、ＣＶＤ（Ｃhemical Ｖapor Ｄeposition：蒸着化
学）法により成膜を行った。このように形成したａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜の特性は、暗導電率が１０−１０Ｓ／cm、光導
電率が１０−７Ｓ／cm以上であり、その膜厚を１.０μm
とした。さらに、透明電極３２ｂと光導電層３６とが形
成されたガラス基板３１ｂと、透明電極３２ａが形成さ
れたガラス基板３１ａのそれぞれに、ネマティック液晶
層３４をホモジニアス（平行）配向させるための液晶配
向膜３３ａ及び３３ｂを形成した。

【００２５】本実施例においては、この液晶配向膜３３
ａ及び液晶配向膜３３ｂとして、ＳｉＯをガラス基板面
の法線方向に対して８５°の角度で斜方蒸着により形成
した。なお、本実施例では、液晶配向膜３３ａ及び液晶
配向膜３３ｂとして斜方蒸着により形成したＳｉＯ膜を
用いたが、ポリイミドあるいはポリビニルアルコールに
ラビング処理を施した液晶配向膜や、あるいはその他の
配向剤を塗布して形成した液晶配向膜などを用いても良
い。

【００２６】このように形成した液晶配向膜３３ａ及び
液晶配向膜３３ｂを対向させ、スペーサ３５により隙間
を形成し、この隙間にネマティック液晶を充填し、液晶
層３４を形成した。本実施例では、ネマティック液晶と
して、位相シフト量を十分に大きくするために大きな複
屈折を示すものが望ましく、メルク社のＥ４４を用い
た。なお、本実施例では、ネマティック液晶が印加され
る電圧の強さに応じて、ガラス基板面とほぼ平行な状態
からガラス基板面と垂直の状態に配向の方向が変化する
正の誘電異方性を示すネマティック液晶をホモジニアス
配向にして用いたが、負の誘電異方性を示すネマティッ
ク液晶をホメオトロピック配向にして用いても良い。

【００２７】なお、本発明の画像処理装置に用いる液晶
空間変調素子１１は、高空間分解能（高解像度）が要求
されるため、液晶層の厚さは薄い方が望ましく、本実施
例では、液晶層の厚さを２μmとした。以上の説明で
は、液晶空間変調素子１１の液晶層にネマティック液晶
を用いたが、強誘電性液晶を用いることもできる。ま
た、液晶層３４と光導電層３６の間に誘電体多層膜ミラ
ーを介在させることにより、光導電層３６に入射する光
と反射する光とを調整することもできる。

【００２８】図３は、図２におけるＡ部拡大図であり、
液晶層と光導電層とから構成される液晶空間光変調素子
の位相共役光発生についての説明図である。図中、３８
は干渉パターン、３９は位相回折格子で、その他、図２
と同じ作用をする部分は同一の符号を付してある。

【００２９】図３において、透明電極３２ａ，３２ｂ間
には、予め外部から図２に示したような交流電圧３７が
印加されている。信号ビーム１０ａ（１０ｂ）および基
準光１４ａ（１４ｂ）は、液晶層３４を通過し、光導電
層３６に入射する。各ビームの残りの部分は、液晶層３
４と光導電層３６の界面で反射される。光導電層３６
は、信号ビーム１０ａ（１０ｂ）と基準光１４ａ（１４
ｂ）の干渉パターン３８が形成される。この干渉パター
ン３８により、光導電層３６に空間的インピーダンス分
布が形成させられる。

【００３０】さらに、液晶層３４と光導電層３６は直列
的に電気接続されているため、これらのインピーダンス
変化は、液晶層３４への印加電圧の空間的変化として反
映される。この電圧の空間的変化に応じて、液晶分子の
配向方向が変化し、屈折率分布（位相回折格子）３９が
形成される。このようにして、干渉パターン３８は、液
晶層３４上に転写される。

【００３１】結果として、液晶層３４と光導電層３６の
界面で反射された基準光１４ａ（１４ｂ）は、干渉パタ
ーン３８によって形成された位相回折格子３９により変
調される。これによって、信号ビーム１０ａ（１０ｂ）
の位相と共役な位相の光１５ａ（１５ｂ）を発生するこ
とができる。以上の説明は、信号ビーム１０ａ（１０
ｂ）と基準光１４ａ（１４ｂ）の光強度が等しい場合、
最もよく干渉し、位相共役光１５ａ（１５ｂ）を発生で
きる。逆に言えば、信号ビーム１０ａ（１０ｂ）と基準
光１４ａ（１４ｂ）の光強度が大きく異なる場合は、位
相共役光１５ａ（１５ｂ）を発生することは難しくな
る。

【００３２】図１において、被対象体であるＴＦＴ基板
７をフーリエ変換した光強度パターンは、その画像の空
間周波数の成分の大きさに応じて光強度が異なる。すな
わち、フーリエ変換面である位置Ａに設置された液晶空
間光変調素子１１上では、正規周期パターン（画素パタ
ーン）の空間周波数成分の光強度は大きくなり、欠陥の
空間周波数成分の光強度は小さくなる。このときの信号
光１０ａと基準光１４ａの光強度分布の様子を図４に示
す。

【００３３】図４に示すように、基準光１４ａの光強度
を欠陥の空間周波数成分の光強度とほぼ等しくなるよう
に調整することにより、欠陥成分の光４１と基準光１４
ａが良く干渉し、液晶層に位相回折格子３９を形成する
ことができる。一方、正規周期パターン（画素パター
ン）の光４２ａは、鋭いピーク状の大きな光強度とな
り、基準光１４ａと良く干渉せず、液晶層に位相回折格
子を形成することができない。この液晶層３４に形成さ
れた位相回折格子により、欠陥の空間周波数成分のみを
位相共役光１５ａとして反射させることができる。すな
わち、欠陥検出が可能となる。

【００３４】次に、液晶空間光変調素子３１を移動させ
ることにより、位置Ｂでの液晶空間光変調素子３１上で
は、正規周期パターン（画素パターン）の空間周波数成
分の光強度は小さく（ピンボケ状態）なる。このときの
信号光１０ｂと基準光１４ｂの光強度分布の様子を図５
に示す。図５に示すように、基準光１４ｂの光強度が基
準光１４ａの光強度と等しいとすると、正規周期パター
ン（画素パターン）の光４２ｂは、鈍い山の光強度とな
り、基準光１４ｂと良く干渉し、今度は液晶層に位相回
折格子３９を形成することができるようになる。

【００３５】また、欠陥成分の光４１ｂもピンボケ状態
となるが、もともと小さな光強度であったので、光強度
はあまり変化せず、基準光１４ｂと干渉する。この結
果、液晶層３４に形成された位相回折格子３９により、
正規周期パターン（画素パターン）と欠陥の空間周波数
成分の両方を位相共役光１５ｂとして反射させることが
できる。すなわち、正規周期パターン（画素パターン）
を取り込むことができる。

【００３６】モニターカメラ１６で得られた正規周期パ
ターン（画素パターン）の画像と欠陥の画像とを、図示
していないコンピュータ等により、処理，比較すること
により、欠陥の判定や分類を行うことができる。具体的
には、正規周期パターン（画素パターン）をＴＦＴ領域
と配線領域と開口部等の領域とに分け、検出した欠陥が
どの領域に存在するか、あるいはどの領域にまたがって
いるかのデータを得ることができる。この結果、各領域
毎に存在る欠陥の致命性判定の重みづけを行うことで、
特定の領域に存在する欠陥のみを抽出したり、領域毎に
欠陥出力とする欠陥の大きさを変えることもできる。前
述した実施例では、位相共役光を発生させる位相共役光
発生手段として液晶空間光変調素子を用いたが、ＢａＴ
ｉＯ₃やＢｉ₁₂ＳｉＯ₂₀（ＢＳＯ）等のフォトリフラク
ティブ結晶を用いてもよい。

【００３７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によると、以下のような効果がある。（１）請求項１に対応する効果：本発明のパターン欠陥
検出装置は、コヒーレント光を発生する発生手段と、前
記コヒーレント光を被検査対象物体に照射する照射手段
と、前記被検査対象物体に照射した光束をフーリエ変換
するフーリエ変換手段と、前記フーリエ変換した光の位
相共役光を発生させる位相共役光発生手段とを具備し、
フーリエ変換された光の強度分布を変化させる変化手段
を有することにより、欠陥判定のために必要な正規周期
パターン（画素パターン）と欠陥を連続的に取り込むこ
とができ、欠陥かどうかの判定を容易に、かつ高速に行
うことができる。（２）請求項２に対応する効果：前記フーリエ変換され
た光の強度分布を変化させる変化手段が、前記位相共役
光を発生させる位相共役光発生手段を前記被検査対象物
体に照射した光束の光軸上で移動させる移動手段である
ことにより、簡便にフィルタリング条件を変えることが
可能となり、欠陥判定のために必要な正規周期パターン
（画素パターン）と欠陥を連続的に取り込める。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるパターン欠陥検出装置の一実施例
を説明するための構成図である。

【図２】本発明における液晶空間光変調素子の構造を示
す断面図である。

【図３】本発明における液晶空間光変調素子の動作説明
図である。

【図４】本発明における欠陥検出時の液晶空間光変調素
子上での光強度分布図である。

【図５】本発明における正規周期パターンの取り込み時
の液晶空間光変調素子上での光強度分布図である。

【図６】従来のパターン欠陥検出装置の構成図である。

【図７】従来の他のパターン欠陥検出装置の構成図であ
る。

【符号の説明】

１…パターン欠陥検出装置、２…ＨｅＮｅレーザ、３…
光、４…ビームエキスパンダー、５…ハーフミラー、６
…光束、７…ＴＦＴ基板、８…ハーフミラー、９…レン
ズ、１０ａ，１０ｂ…信号光、１１…液晶空間変調素
子、１２…光束、１３…ミラー、１４ａ，１４ｂ…基準
光、１５ａ，１５ｂ…位相共役光、１６…モニターカメ
ラ、２１…液晶層、２２…光導電層、３１…液晶空間光
変調素子、３１ａ，３１ｂ…ガラス基板、３２ａ，３２
ｂ…透明電極、３３ａ，３３ｂ…配向膜、３４…液晶
層、３５…スペーサ、３６…光導電層、３７…交流電圧
電源部、３８…干渉パターン、３９…位相回折格子、４
１…光、４２ａ…光。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】コヒーレント光を発生する発生手段と、
該発生手段により発生する前記コヒーレント光を被検査
対象物体に照射する照射手段と、該照射手段により前記
被検査対象物体に照射した光束をフーリエ変換するフー
リエ変換手段と、該フーリエ変換手段により前記フーリ
エ変換した光の位相共役光を発生させる位相共役光発生
手段と、前記フーリエ変換手段によりフーリエ変換され
た光の強度分布を変化させる変化手段とを有することを
特徴とするパターン欠陥検出装置。
【請求項２】前記変化手段が、前記位相共役光発生手
段を前記被検査対象物体に照射した光束の光軸上で移動
させる移動手段であることを特徴とする請求項１記載の
パターン欠陥検出装置。