JPH08160370A - Production of liquid crystal display device and apparatus for production used for the same - Google Patents

Production of liquid crystal display device and apparatus for production used for the same

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JPH08160370A
JPH08160370A JP30613294A JP30613294A JPH08160370A JP H08160370 A JPH08160370 A JP H08160370A JP 30613294 A JP30613294 A JP 30613294A JP 30613294 A JP30613294 A JP 30613294A JP H08160370 A JPH08160370 A JP H08160370A
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JP
Japan
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gas
manufacturing
chamber
mixed gas
substrate
Prior art date
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Application number
JP30613294A
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Japanese (ja)
Inventor
Takayuki Oishi
貴之 大石
Isao Tani
功 谷
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Mitsubishi Electric Corp
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd, Mitsubishi Electric Corp filed Critical Asahi Glass Co Ltd
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Publication of JPH08160370A publication Critical patent/JPH08160370A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To decrease the amt. of an electrically negative gas to be used and to improve productivity and production yield by treating respective production stages as well as inspection, substrate transfer, transportation, etc., in a chamber in which a gaseous mixture composed of air and the electrical negative gas is sealed. CONSTITUTION: For example, a rubbing device is composed of a moving table 4 placed with a glass substrate 1 deposited with elements 2 and oriented films 3, a roller 6 wound with rubbing cloth 5 and the chamber 10 in which the air and the gaseous S6 (electrically negative gas) is sealed. The volumetric ratio of the gaseous SF6 is specified to 30% and the total gaseous pressure to 0.1MPa. Vacuum evacuation is also executed down to 30% lower than 0.1MPa at the time of evacuating the inside of the chamber 10 by a vacuum pump 11. As a result, the less gaseous SF6 is necessitated and the operation time to execute vacuum evacuation is shortened. The gaseous SF6 suppresses the discharge by electrification during the production stage and does not damage the elements on the liquid crystal display device any more.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置を製造す
るための方法およびそれに用いる製造装置に関する。さ
らに詳しくは、生産性を向上させることができる液晶表
示装置の製造方法およびそれに用いる製造装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device and a manufacturing apparatus used therefor. More specifically, the present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device capable of improving productivity and a manufacturing device used for the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置は、たとえば透明絶縁性基
板と、その表面に形成された素子とから構成されてい
る。かかる液晶表示装置の製造方法における、洗浄、乾
燥、加熱、レジスト塗布、露光、現像、ウェットエッチ
ング、基板切断、ラビング、熱圧着、偏光板貼付、検
査、基板移載および搬送などの各工程においては、剥離
や摩擦などによって透明絶縁性基板が帯電し、その帯電
量によっては放電が生じることがある。このため、この
放電によって前記基板表面に形成された素子が損傷を受
け、不良となる危険性がある。したがって、帯電が生じ
ても放電が発生しないような対策を施すことは、歩留り
向上を図る上できわめて有用である。かかる対策を施し
た一例としては、図8に示すように、特開平2−106
720号で提案されたラビング装置がある。図8におい
て、101は透明絶縁性基板、102および103はこ
の上に被着した素子(電極)および配向膜、104は透
明絶縁性基板101を固定するためのステージ、105
はラビング処理を行なうためのラビング布、106はラ
ビング布105を巻きつけてあるローラ、107は電気
的負性ガス108の雰囲気を発生させるための発生器で
あり、全体を取り囲む密閉された容器になっている。発
生器107内を満たしている前記電気的負性ガス108
は、SF6 ガス(六フッ化イオウ)である。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display device comprises, for example, a transparent insulating substrate and an element formed on the surface thereof. In each of the steps such as cleaning, drying, heating, resist coating, exposure, development, wet etching, substrate cutting, rubbing, thermocompression bonding, polarizing plate attachment, inspection, substrate transfer and transport in the method for manufacturing a liquid crystal display device, The transparent insulating substrate may be charged by peeling, rubbing, or the like, and discharge may occur depending on the amount of charge. For this reason, there is a risk that the element formed on the surface of the substrate is damaged by this discharge and becomes defective. Therefore, it is extremely useful to take measures so that discharge does not occur even if charging occurs, in order to improve the yield. As an example of taking such measures, as shown in FIG.
There is a rubbing device proposed in No. 720. In FIG. 8, 101 is a transparent insulating substrate, 102 and 103 are elements (electrodes) and alignment films deposited thereon, 104 is a stage for fixing the transparent insulating substrate 101, and 105.
Is a rubbing cloth for performing a rubbing treatment, 106 is a roller around which the rubbing cloth 105 is wound, and 107 is a generator for generating an atmosphere of the electrically negative gas 108. Has become. The electrically negative gas 108 filling the inside of the generator 107.
Is SF 6 gas (sulfur hexafluoride).

【0003】前記ラビング装置においては、ローラ10
6の高さはラビング布105が配向膜103に適当な加
圧力で接触するように調整されている。ローラ106を
回転させた状態で透明絶縁性基板101を固定したステ
ージ104を水平方向に移動させる。この際、配向膜1
03がラビング布105でこすられて、ラビング処理が
なされる。このとき、ラビング布105と配向膜103
が接触して微小距離離れる瞬間に摩擦帯電により両者の
表面が帯電して電界が生じる。しかしこの電界強度より
もSF6 ガス108の絶縁耐力の方が高いため放電が発
生することはない。したがって放電による配向膜103
や素子102の損傷も生じない。
In the rubbing device, the roller 10
The height of 6 is adjusted so that the rubbing cloth 105 contacts the alignment film 103 with an appropriate pressure. With the roller 106 rotated, the stage 104 having the transparent insulating substrate 101 fixed thereto is moved in the horizontal direction. At this time, the alignment film 1
03 is rubbed with the rubbing cloth 105 to perform a rubbing process. At this time, the rubbing cloth 105 and the alignment film 103
At the moment when they come into contact with each other and leave a minute distance, both surfaces are charged by frictional charging and an electric field is generated. However, since the dielectric strength of SF 6 gas 108 is higher than this electric field strength, no discharge occurs. Therefore, the alignment film 103 due to the discharge
Also, the element 102 is not damaged.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ラ
ビング装置は、密閉容器の発生器107中にSF6 ガス
を満たすように構成されているので、処理を行なうたび
に容器内を充分真空状態にしたのち、SF6 ガスを満た
す必要がある。そのため、製造処理を行なうたびに多く
のSF6ガスを使用しなければならないという問題点が
ある。また、処理に多大な時間を要するという問題点も
ある。
However, since the rubbing apparatus is configured so that the generator 107 of the closed container is filled with SF 6 gas, the inside of the container is kept in a sufficiently vacuum state each time the treatment is performed. After that, it is necessary to fill SF 6 gas. Therefore, there is a problem that a large amount of SF 6 gas must be used every time the manufacturing process is performed. In addition, there is also a problem that it takes a lot of time for processing.

【0005】本発明は前記のような問題点を解消するた
めになされたもので、電気的負性ガスの使用量を少なく
するとともに、多大な時間を要すことなく、電気的負性
ガスの高い絶縁耐力を利用して、ガラス基板に帯電が生
じたばあいでも放電を抑制することができ、しかもガラ
ス基板上の素子を損傷させることなく製造することがで
きる液晶表示装置の製造方法およびそれに用いる製造装
置をうることを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is possible to reduce the amount of the electrically negative gas used and to reduce the amount of the electrically negative gas without requiring a great deal of time. Using a high dielectric strength, it is possible to suppress discharge even when the glass substrate is charged, and a method for manufacturing a liquid crystal display device that can be manufactured without damaging elements on the glass substrate, and The purpose is to obtain a manufacturing apparatus to be used.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
製造方法は、透明絶縁性基板と、その上に形成された素
子からなる液晶表示装置の製造方法において、洗浄、乾
燥、加熱、レジスト塗布、露光、現像、ウェットエッチ
ング、基板切断、ラビング、熱圧着、偏光板貼付、検
査、基板移載および搬送の各工程を含む製造工程の一部
またはすべてを、空気と電気的負性ガスとの混合ガスを
封入したチャンバ内で処理することを特徴としている。
A method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention is a method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a transparent insulating substrate and an element formed thereon, which includes cleaning, drying, heating and resisting. Part or all of the manufacturing process, including coating, exposure, development, wet etching, substrate cutting, rubbing, thermocompression bonding, polarizing plate pasting, inspection, substrate transfer and transport, is performed with air and electrically negative gas. It is characterized in that it is processed in a chamber filled with the mixed gas of.

【0007】前記混合ガス中の電気的負性ガスの容積比
が3〜90%であるのが好ましい。
The volume ratio of the electrically negative gas in the mixed gas is preferably 3 to 90%.

【0008】前記混合ガスを、定期的または継続的に撹
拌するのが好ましい。
It is preferable to stir the mixed gas regularly or continuously.

【0009】前記透明絶縁性基板の出入口を、基板処理
部よりも高い位置に設けるのが好ましい。
It is preferable that the entrance / exit of the transparent insulating substrate is provided at a position higher than the substrate processing section.

【0010】前記透明絶縁性基板が空気雰囲気にさらさ
れる前に混合ガス中で、透明絶縁性基板にイオンを照射
させるのが好ましい。
It is preferable to irradiate the transparent insulating substrate with ions in a mixed gas before exposing the transparent insulating substrate to an air atmosphere.

【0011】前記電気的負性ガスとしてSF6 ガスまた
はフレオンガスを用いるのが好ましい。
It is preferable to use SF 6 gas or Freon gas as the electrically negative gas.

【0012】さらに、本発明の液晶表示装置の製造方法
に用いる製造方法は、前記チャンバが、真空ポンプと、
電気的負性ガスボンベと、混合ガスの容積比を調整する
ためのバルブとを備えてなることを特徴としている。
Further, in the manufacturing method used for the manufacturing method of the liquid crystal display device of the present invention, the chamber is a vacuum pump,
It is characterized by comprising an electrically negative gas cylinder and a valve for adjusting the volume ratio of the mixed gas.

【0013】前記チャンバ内に、混合ガスを定期的また
は継続的に撹拌させるための撹拌装置が備えられている
のが好ましい。
A stirring device for stirring the mixed gas periodically or continuously is preferably provided in the chamber.

【0014】前記チャンバに、透明絶縁性基板の出入口
が、基板処理部よりも高い位置に設けられているのが好
ましい。
It is preferable that the chamber has an inlet / outlet port for the transparent insulating substrate at a position higher than that of the substrate processing section.

【0015】前記チャンバに、透明絶縁性基板が空気雰
囲気にさらされる前に混合ガス中で、透明絶縁性基板に
イオンを照射させるためのイオン発生装置が備えられて
いるのが好ましい。
It is preferable that the chamber is provided with an ion generator for irradiating the transparent insulating substrate with ions in a mixed gas before the transparent insulating substrate is exposed to an air atmosphere.

【0016】[0016]

【作用】本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、空
気と電気的負性ガスとの混合ガス中で製造処理される。
そのため、従来より電気的負性ガスの使用量が少なくて
済み、チャンバ内を真空引きする時間が短縮されて、生
産性が向上する。しかも、電気的負性ガスの高い絶縁耐
力により、基板に帯電が生じても放電を抑制するので、
液晶表示装置上の素子を損傷させることがなく、歩留り
を向上させることができる。
According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, the manufacturing process is carried out in a mixed gas of air and an electrically negative gas.
Therefore, the amount of electrically negative gas used is smaller than in the conventional case, the time for vacuuming the inside of the chamber is shortened, and the productivity is improved. Moreover, the high dielectric strength of the electrically negative gas suppresses the discharge even if the substrate is charged,
The yield can be improved without damaging the elements on the liquid crystal display device.

【0017】[0017]

【実施例】以下、添付図面に基づいて本発明の液晶表示
装置の製造方法およびそれに用いる製造装置を説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention and a manufacturing apparatus used therefor will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0018】[実施例1]図1は本発明の液晶表示装置
の製造方法の一実施例を適用したラビング装置である。
このラビング装置は、その表面上に素子(電極)2およ
び配向膜3が被着されたガラス基板などの透明絶縁性基
板1を載置した移動テーブル4と、ラビング処理を行な
うためのラビング布5を巻き付けているローラ6と、空
気とSF6ガス(電気的負性ガス)との混合ガス9が封
入されたチャンバ10とから構成されている。そして、
該チャンバ10には、その一端が真空ポンプ11に、ま
たその他端がSF6ガスのボンベ12に接続される二股
状の導入管15が連結されている。また前記真空ポンプ
11およびボンベ12の直前には、それぞれ調整バルブ
13、14が接続されている。なお、前記電気的負性ガ
スとしては、SF6 ガスに限定されるものではなく、電
子を捕捉することにより放電を防止することができるガ
ス、たとえばCHF2 Cl(F−22)などのフレオン
ガスを用いることもできる。本実施例では、前記混合ガ
ス9中のSF6 ガスの容積比は30%とされ、全ガス圧
力は0.1MPaとされている。
[Embodiment 1] FIG. 1 shows a rubbing apparatus to which an embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is applied.
This rubbing apparatus has a moving table 4 on which a transparent insulating substrate 1 such as a glass substrate having an element (electrode) 2 and an alignment film 3 adhered on its surface is placed, and a rubbing cloth 5 for rubbing treatment. And a chamber 10 in which a mixed gas 9 of air and SF 6 gas (electrically negative gas) is enclosed. And
The said chamber 10, one end of the vacuum pump 11 or other end thereof is connected the bifurcated inlet pipe 15 connected to the cylinder 12 of the SF 6 gas. Immediately before the vacuum pump 11 and the cylinder 12, adjustment valves 13 and 14 are connected, respectively. The electrically negative gas is not limited to SF 6 gas, and a gas capable of preventing discharge by trapping electrons, for example, Freon gas such as CHF 2 Cl (F-22). It can also be used. In this embodiment, the volume ratio of SF 6 gas in the mixed gas 9 is 30%, and the total gas pressure is 0.1 MPa.

【0019】つぎに本発明の液晶表示装置の製造方法を
ラビング装置について説明する。
Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to a rubbing device.

【0020】前記チャンバ10内に混合ガス9を導入す
る際、まずバルブ14を閉じた状態でバルブ13を開
き、真空ポンプ11によりチャンバ10内を真空引きす
る。このとき、混合ガス9内のSF6 ガスの容積比を3
0%と調整するので、真空引きも0.1MPaよりも3
0%減まで行なえばよく、短時間ですむ。そののち、バ
ルブ13を閉じ、バルブ14を開いてボンベ12からチ
ャンバ10内へSF6 ガスをチャンバ内の全圧力が0.
1MPaになるまで導入する。
When introducing the mixed gas 9 into the chamber 10, first, the valve 14 is closed, the valve 13 is opened, and the inside of the chamber 10 is evacuated by the vacuum pump 11. At this time, the volume ratio of SF 6 gas in the mixed gas 9 is set to 3
Since it is adjusted to 0%, vacuuming is 3 MPa than 0.1 MPa.
It only needs to be reduced to 0%, and it can be done in a short time. After that, the valve 13 is closed and the valve 14 is opened to supply SF 6 gas from the cylinder 12 into the chamber 10 so that the total pressure in the chamber is 0.
It is introduced until it reaches 1 MPa.

【0021】0.1MPaにおける絶縁耐力は、空気が
30kV/cm、SF6 ガスが88kV/cmであり、
SF6 ガスは空気の約3倍の絶縁耐力を示す。これら2
つのガスを混合したばあいの、SF6 ガスの混合容積比
と、混合ガスの絶縁耐力との関係を図2に示す。この図
2より空気にわずかのSF6 ガスを混合することによっ
て、絶縁耐力は混合比以上に向上することがわかる。本
実施例のばあいSF6ガスの容積比30%で、絶縁耐力
はSF6 ガス単体の約90%が実現できている。したが
って、ラビング処理により帯電が生じても放電を抑制す
ることができる。
The dielectric strength at 0.1 MPa is 30 kV / cm for air and 88 kV / cm for SF 6 gas,
SF 6 gas has a dielectric strength about three times that of air. These two
FIG. 2 shows the relationship between the mixing volume ratio of SF 6 gas and the dielectric strength of the mixed gas when two gases are mixed. It can be seen from FIG. 2 that the dielectric strength is improved above the mixing ratio by mixing a small amount of SF 6 gas with air. Volume ratio of 30% when SF 6 gas of this embodiment, the dielectric strength is realized is approximately 90% of SF 6 gas alone. Therefore, even if the rubbing process causes charging, the discharge can be suppressed.

【0022】以上のように、本実施例では、チャンバ1
0内への混合ガス9の導入作業時間が短時間で済み、し
かも帯電が発生しても放電を起こすことなく、したがっ
て、素子2の損傷も生じることなく処理を行なうことが
できる。SF6 ガスの使用量も、チャンバ10内をすべ
てSF6 ガスで満たすよりも少なくて済み、経済的にも
有利である。
As described above, in this embodiment, the chamber 1
The time required for introducing the mixed gas 9 into the chamber 0 is short, and even if charging occurs, discharge does not occur, so that the treatment can be performed without causing damage to the element 2. The amount of SF 6 gas used is also smaller than filling the entire chamber 10 with SF 6 gas, which is economically advantageous.

【0023】また、本実施例ではSF6 ガスの容積比を
30%としたが、容積比3%としても、その絶縁耐力は
SF6 ガス単体の約50%、空気単体の150%とな
り、充分に放電を抑えることができ、しかも混合ガスの
導入作業時間は極めて短時間でよい。また、容積比を9
0%としたばあいでも、導入作業における空気引きは
0.1MPaから0.01MPaまで行なえばよく、長
時間の作業を要せず、絶縁耐力の面でも問題はなく、充
分に放電を抑制することができる。
Although the volume ratio of SF 6 gas is 30% in this embodiment, the dielectric strength is about 50% of SF 6 gas alone and 150% of air alone even if the volume ratio is 3%. In addition, the discharge can be suppressed, and the work time for introducing the mixed gas can be extremely short. Also, set the volume ratio to 9
Even if it is 0%, air drawing in the introduction work may be performed from 0.1 MPa to 0.01 MPa, long time work is not required, there is no problem in terms of dielectric strength, and discharge is sufficiently suppressed. be able to.

【0024】[実施例2]つぎに本発明の実施例2を説
明する。前記実施例1ではチャンバ10として密閉され
たものを示したが、本実施例は図3に示したようにチャ
ンバ20への基板1の入口20aおよび出口20bを基
板処理部Aよりも高い位置に設けている。SF6 ガスの
比重は空気を1とすると5.1であるので、空気とSF
6 ガスとの混合ガス9の比重は空気より大きくなる。し
たがって、チャンバ20の基板出入口20a、20bよ
りも低い領域は混合ガス9で満たされ、基板出入口20
a、20bより低いところにある基板処理部Aも混合ガ
ス9の雰囲気となり、帯電による放電を抑えることがで
きる。また、本実施例では基板処理ごとに混合ガスを導
入する作業自体が不要となり、より生産性を上げること
ができる。
[Second Embodiment] Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment, the chamber 10 is hermetically sealed, but in this embodiment, as shown in FIG. 3, the inlet 20a and the outlet 20b of the substrate 1 to the chamber 20 are located at a position higher than the substrate processing unit A. It is provided. The specific gravity of SF 6 gas is 5.1, assuming that air is 1.
The specific gravity of the mixed gas 9 with 6 gas is larger than that of air. Therefore, the region of the chamber 20 lower than the substrate inlet / outlet ports 20 a and 20 b is filled with the mixed gas 9, and the substrate inlet / outlet port 20 a
The substrate processing part A located at a position lower than a and 20b also becomes the atmosphere of the mixed gas 9, and the discharge due to charging can be suppressed. Further, in this embodiment, the work itself of introducing the mixed gas for each substrate processing is unnecessary, and the productivity can be further improved.

【0025】[実施例3]つぎに本発明の実施例3を説
明する。前記実施例2で示したような比重の関係で、混
合ガスを導入しても時間とともにSF6 ガスがチャンバ
の底部に滞留し、基板処理部Aが混合ガス雰囲気ではな
く、空気雰囲気になり、絶縁耐力が低下することが懸念
される。そこで、本実施例は図4に示したようにチャン
バ30の底部30aに混合ガス9を定期的または継続的
に撹拌する装置16、たとえば送風機を設けている。な
お、17は送風機の電源である。これにより、基板処理
部Aは常時混合ガス9の雰囲気になるため絶縁耐力が低
下することなく、帯電による放電を抑えることができ
る。
[Third Embodiment] Next, a third embodiment of the present invention will be described. Due to the specific gravity as shown in Example 2, even if the mixed gas is introduced, the SF 6 gas stays at the bottom of the chamber with time, and the substrate processing section A becomes an air atmosphere instead of a mixed gas atmosphere. There is concern that the dielectric strength will decrease. Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 4, a device 16 for periodically or continuously stirring the mixed gas 9 such as a blower is provided at the bottom portion 30a of the chamber 30. Reference numeral 17 is a power source for the blower. As a result, the substrate processing unit A is always in the atmosphere of the mixed gas 9, so that it is possible to suppress discharge due to charging without lowering the dielectric strength.

【0026】また本実施例では撹拌装置16を前記実施
例1に適用した例を示したが、前記実施例2に適用して
も同様の効果がえられる。
In this embodiment, the stirring device 16 is applied to the first embodiment, but the same effect can be obtained by applying the second embodiment to the second embodiment.

【0027】[実施例4]つぎに本発明の実施例4を説
明する。本実施例は図5に示すように前記実施例2で示
した装置のチャンバにイオン照射装置47が取り付けら
れている。なお、図5において48はその電源、49は
イオン照射装置47から発生したイオンである。イオン
照射装置47は、ラビング処理が終了したのち、基板1
が空気とSF6 ガスとの混合ガス9中からチャンバ40
の基板出口40bの空気雰囲気に出る前に、混合ガス9
中で基板1にイオン49を照射する。このように本実施
例によれば、絶縁耐力が混合ガス9よりも低い雰囲気に
さらされる前に配向膜3の帯電を除去することができる
ので、空気雰囲気にさらされたのちに配向膜3と接地部
(たとえばチャンバ40)とのあいだで放電が発生する
ことがなく、素子2や配向膜3の損傷を抑えることがで
きる。かつ基板処理ごとに混合ガスを導入する作業自体
が不要となり、より生産性を上げることができる。
[Fourth Embodiment] Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, as shown in FIG. 5, an ion irradiation device 47 is attached to the chamber of the device shown in the second embodiment. In FIG. 5, reference numeral 48 is the power source, and 49 is the ions generated from the ion irradiation device 47. After the rubbing process is completed, the ion irradiation device 47 is provided with the substrate 1
From the mixed gas 9 of air and SF 6 gas to the chamber 40
Before exiting to the air atmosphere at the substrate outlet 40b of the mixed gas 9
The substrate 1 is irradiated with ions 49 therein. As described above, according to this embodiment, the charge of the alignment film 3 can be removed before the alignment film 3 is exposed to the atmosphere having a dielectric strength lower than that of the mixed gas 9. Therefore, the alignment film 3 is exposed to the air atmosphere. No discharge is generated between the grounding portion (for example, the chamber 40) and damage to the element 2 and the alignment film 3 can be suppressed. Moreover, the work itself of introducing the mixed gas for each substrate processing is not required, and the productivity can be further improved.

【0028】なお、本実施例はイオン照射装置47が、
混合ガス9中にさらされている例を示したが、チャンバ
40内の空気雰囲気中に設置し、イオン49が空気雰囲
気中から混合ガス9中へ入り、そののち配向膜3に照射
されるようにしてもよい。
In this embodiment, the ion irradiation device 47 is
Although an example in which it is exposed to the mixed gas 9 is shown, it is installed in the chamber 40 in an air atmosphere so that the ions 49 enter the mixed gas 9 from the air atmosphere and then the alignment film 3 is irradiated with the ions 49. You may

【0029】また、本実施例では前記実施例2で示した
装置にイオン照射装置を取り付けた例を示したが、前記
実施例3で示した、送風機により撹拌させる装置に取り
付けても同様の効果がある。
Further, in the present embodiment, an example in which the ion irradiation device is attached to the device shown in the second embodiment has been shown, but the same effect can be obtained even if it is attached to the device for stirring by the blower shown in the third embodiment. There is.

【0030】また、前記実施例1で示した方法では、チ
ャンバ10が密閉されているので処理が終了したのち基
板1を取り出すために、チャンバ10の密閉をやぶる必
要があり、このとき基板1が空気雰囲気にさらされる。
そこでチャンバ10の密閉がやぶられる前にイオンを照
射するようにしてもよい。
Further, in the method shown in the first embodiment, since the chamber 10 is sealed, it is necessary to close the chamber 10 in order to take out the substrate 1 after the processing is completed. Exposed to air atmosphere.
Therefore, the ions may be irradiated before the sealing of the chamber 10 is broken.

【0031】[実施例5]前記実施例1〜4ではラビン
グ装置に本発明の液晶表示装置の製造方法を適用した例
を示した。しかし、液晶表示装置の製造工程では、ラビ
ング工程以外の洗浄、乾燥、加熱、レジスト塗布、露
光、現像、ウェットエッチング、基板切断、熱圧着、偏
光板貼付、検査、基板移載および搬送などの各工程でも
剥離や摩擦などによって基板が帯電し、接地部との間で
放電が発生しやすい。したがって、これらの工程にも本
発明を適用することができる。乾燥工程に本発明を実施
した例を図6に示す。図6において51は基板1を加熱
乾燥させるためのホットプレート、52は乾燥処理終了
後、ホットプレート51から基板1を持ち上げるための
ピンであり、通常はホットプレート51内に収納されて
いる。53はチャンバ50に取り付けられた基板1の位
置を検出するためのセンサーである。乾燥処理中はピン
52がホットプレート51内に収納されており、基板1
はホットプレート51に密着している。処理後ピン52
により基板1がホットプレート51から引き離されると
剥離帯電が生じ、基板1が帯電する。これによって基板
1と接地部、たとえば位置センサー53とのあいだの電
界が高くなるが混合ガス9の絶縁耐力が高いため、放電
は発生せず、前記実施例1と同様の効果がある。
[Fifth Embodiment] In the first to fourth embodiments, an example in which the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is applied to a rubbing device is shown. However, in the manufacturing process of the liquid crystal display device, other than the rubbing process, such as cleaning, drying, heating, resist coating, exposure, development, wet etching, substrate cutting, thermocompression bonding, polarizing plate pasting, inspection, substrate transfer and transportation. Even in the process, the substrate is electrically charged due to peeling or friction, and discharge is likely to occur between the substrate and the ground. Therefore, the present invention can be applied to these steps as well. An example in which the present invention is applied to the drying step is shown in FIG. In FIG. 6, reference numeral 51 is a hot plate for heating and drying the substrate 1, 52 is a pin for lifting the substrate 1 from the hot plate 51 after the completion of the drying process, which is usually housed in the hot plate 51. Reference numeral 53 is a sensor for detecting the position of the substrate 1 attached to the chamber 50. During the drying process, the pins 52 are stored in the hot plate 51,
Is in close contact with the hot plate 51. Pin 52 after processing
As a result, when the substrate 1 is separated from the hot plate 51, peeling charging occurs and the substrate 1 is charged. As a result, the electric field between the substrate 1 and the ground, for example, the position sensor 53 is increased, but the dielectric strength of the mixed gas 9 is high, so that no discharge occurs and the same effect as in the first embodiment is obtained.

【0032】[実施例6]前記実施例1〜5では、各工
程を独立させて、各工程毎に本発明を適用した例を示し
たが、一部の工程またはすべての工程に本発明を適用し
てもよい。その一例として、洗浄工程と乾燥工程を搬送
系で接続した例を図7に示す。図7において64は基板
1を洗浄するための純水、65は純水64を噴射するた
めのノズルである。66は洗浄が終った基板1を乾燥工
程に搬送するためのローラーである。
[Embodiment 6] In the above-mentioned Embodiments 1 to 5, the present invention is applied to each step by making each step independent, but the present invention is applied to some or all steps. You may apply. As an example, FIG. 7 shows an example in which the cleaning process and the drying process are connected by a transport system. In FIG. 7, reference numeral 64 is pure water for cleaning the substrate 1, and 65 is a nozzle for spraying the pure water 64. Reference numeral 66 is a roller for carrying the substrate 1 that has been cleaned to the drying step.

【0033】各工程間で基板1が空気雰囲気にさらされ
ることがなく、放電を抑制することができるとともに、
工程間でチャンバ60を開く必要がなくなるため、混合
ガス9の導入は1度でよく、経済的であり、生産性も向
上する。
Between the steps, the substrate 1 is not exposed to the air atmosphere, discharge can be suppressed, and
Since it is not necessary to open the chamber 60 between steps, it is sufficient to introduce the mixed gas 9 only once, which is economical and improves productivity.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の液晶表示
装置の製造方法によれば、空気とSF6 ガスなどの電気
的負性ガスとの混合ガス、たとえばSF6 ガスの容積比
を3〜90%とした混合ガスのもとで製造処理が行なわ
れる。そのため、製造処理に使用される電気的負性ガス
が少なくて済むとともに、チャンバ内を真空引きする作
業時間が、従来充分な真空状態にする必要があったのに
比べて、短時間になる。その結果、液晶表示装置の生産
性を向上させることができる。
As described in the foregoing, according to the manufacturing method of the liquid crystal display device of the present invention, a mixed gas of electrically negative gas such as air and SF6 gas, for example, the volume ratio of SF 6 gas 3 to 90 The manufacturing process is carried out under a mixed gas of 100%. Therefore, the amount of electrically negative gas used in the manufacturing process can be reduced, and the working time for evacuating the inside of the chamber is shorter than that required in the conventional case where a sufficient vacuum state was required. As a result, the productivity of the liquid crystal display device can be improved.

【0035】また、電気的負性ガスの高い絶縁耐力が、
製造工程における剥離や摩擦などによって生じる帯電に
よる放電を抑制する。そのため、液晶表示装置上の素子
を損傷させることがない。その結果、製造の歩留りを向
上させることができる。また、混合ガスを定期的または
継続的に撹拌させることにより、基板処理部を常時混合
ガスの雰囲気にさせるため、放電を抑制し、歩留りを向
上させることができる。
Further, the high dielectric strength of the electrically negative gas is
Suppresses discharge due to electrification caused by peeling and friction in the manufacturing process. Therefore, the elements on the liquid crystal display device are not damaged. As a result, the manufacturing yield can be improved. In addition, since the substrate processing section is constantly kept in the mixed gas atmosphere by periodically or continuously stirring the mixed gas, it is possible to suppress discharge and improve the yield.

【0036】また、基板の出入口を基板処理部よりも高
い位置に設けることにより、基板処理ごとに混合ガスを
導入する作業が不要となり、より生産性を向上させるこ
とができる。
Further, by providing the entrance and exit of the substrate at a position higher than the substrate processing section, the work of introducing the mixed gas for each substrate processing becomes unnecessary, and the productivity can be further improved.

【0037】また、基板を製造処理したのち、空気雰囲
気にさらされる前に、イオンを照射させることにより、
基板上の帯電を除去することができるため、さらに歩留
りを向上させることができる。
Also, after the substrate is manufactured, it is irradiated with ions before it is exposed to the air atmosphere.
Since the charge on the substrate can be removed, the yield can be further improved.

【0038】さらに、本発明の製造装置は、チャンバに
真空ポンプと、電気的負性ガスボンベと、混合ガスの容
積比を調整するためのバルブを備え付けるだけでよいの
で、構造が簡単であり、設備コストを低減させることが
できる。
Furthermore, the manufacturing apparatus of the present invention has a simple structure and requires only a vacuum pump, an electrically negative gas cylinder, and a valve for adjusting the volume ratio of the mixed gas in the chamber. The cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の液晶表示装置の製造方法をラビング
工程に適用した実施例1を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment in which a method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is applied to a rubbing process.

【図2】 空気とSF6 ガスの混合ガスの、SF6 ガス
混合容積比に対する絶縁耐力を示す特性図である。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing dielectric strength of a mixed gas of air and SF 6 gas with respect to a mixed volume ratio of SF 6 gas.

【図3】 本発明の液晶表示装置の製造方法をラビング
工程に適用した実施例2を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a second embodiment in which the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is applied to a rubbing process.

【図4】 本発明の液晶表示装置の製造方法をラビング
工程に適用した実施例3を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a third embodiment in which the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is applied to a rubbing process.

【図5】 本発明の液晶表示装置の製造方法をラビング
工程に適用した実施例4を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment in which the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is applied to a rubbing process.

【図6】 本発明の液晶表示装置の製造方法を乾燥工程
に適用した実施例5を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a fifth embodiment in which the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is applied to a drying step.

【図7】 本発明の液晶表示装置の製造方法を搬送系で
接続した洗浄工程と乾燥工程に適用した実施例6を示す
断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a sixth embodiment in which the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is applied to a cleaning step and a drying step connected by a transport system.

【図8】 従来のラビング装置を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a conventional rubbing device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透明絶縁性基板、2 素子、3 配向膜、9混合ガ
ス、10、20、30、40、50、60 チャンバ、
11 真空ポンプ、12 ボンベ、13、14調整バル
ブ、16 撹拌装置、47 イオン照射装置、49 イ
オン。
1 transparent insulating substrate, 2 elements, 3 alignment film, 9 mixed gas, 10, 20, 30, 40, 50, 60 chamber,
11 vacuum pump, 12 cylinders, 13, 14 adjusting valve, 16 stirrer, 47 ion irradiation device, 49 ion.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明絶縁性基板と、その上に形成された
素子からなる液晶表示装置の製造方法において、洗浄、
乾燥、加熱、レジスト塗布、露光、現像、ウェットエッ
チング、基板切断、ラビング、熱圧着、偏光板貼付、検
査、基板移載および搬送の各工程を含む製造工程の一部
またはすべてを、空気と電気的負性ガスとの混合ガスを
封入したチャンバ内で処理することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。
1. A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a transparent insulating substrate and an element formed thereon, cleaning,
Part or all of the manufacturing process, including drying, heating, resist coating, exposure, development, wet etching, substrate cutting, rubbing, thermocompression bonding, polarizing plate attachment, inspection, substrate transfer, and transportation, is performed with air and electricity. A method for manufacturing a liquid crystal display device, which comprises processing in a chamber in which a mixed gas with a negative gas is sealed.
【請求項2】 前記混合ガス中の電気的負性ガスの容積
比が3〜90%である請求項1記載の製造方法。
2. The manufacturing method according to claim 1, wherein the volume ratio of the electrically negative gas in the mixed gas is 3 to 90%.
【請求項3】 前記混合ガスを、定期的または継続的に
撹拌する請求項1または2記載の製造方法。
3. The manufacturing method according to claim 1, wherein the mixed gas is agitated periodically or continuously.
【請求項4】 前記透明絶縁性基板の出入口を、基板処
理部よりも高い位置に設けてなる請求項1、2または3
記載の製造方法。
4. The entrance / exit of the transparent insulating substrate is provided at a position higher than the substrate processing section.
The manufacturing method described.
【請求項5】 前記透明絶縁性基板が空気雰囲気にさら
される前に混合ガス中で、透明絶縁性基板にイオンを照
射させる請求項1、2、3または4記載の製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein the transparent insulating substrate is irradiated with ions in a mixed gas before the transparent insulating substrate is exposed to an air atmosphere.
【請求項6】 前記電気的負性ガスとしてSF6 ガスま
たはフレオンガスを用いる請求項1、2、3、4または
5記載の製造方法。
6. The manufacturing method according to claim 1, wherein SF 6 gas or Freon gas is used as the electrically negative gas.
【請求項7】 請求項1記載の製造方法に用いる製造装
置であって、前記チャンバが、真空ポンプと、電気的負
性ガスボンベと、混合ガスの容積比を調整するためのバ
ルブとを備えてなることを特徴とする製造装置。
7. The manufacturing apparatus used in the manufacturing method according to claim 1, wherein the chamber comprises a vacuum pump, an electrically negative gas cylinder, and a valve for adjusting the volume ratio of the mixed gas. A manufacturing apparatus characterized by:
【請求項8】 前記チャンバ内に、混合ガスを定期的ま
たは継続的に撹拌させるための撹拌装置が備えられてい
る請求項7記載の製造装置。
8. The manufacturing apparatus according to claim 7, wherein a stirring device for stirring the mixed gas periodically or continuously is provided in the chamber.
【請求項9】 前記チャンバに、透明絶縁性基板の出入
口が、基板処理部よりも高い位置に設けられている請求
項7または8記載の製造装置。
9. The manufacturing apparatus according to claim 7, wherein an entrance of the transparent insulating substrate is provided in the chamber at a position higher than that of the substrate processing section.
【請求項10】 前記チャンバに、透明絶縁性基板が空
気雰囲気にさらされる前に混合ガス中で、透明絶縁性基
板にイオンを照射させるためのイオン発生装置が備えら
れている請求項7、8または9記載の製造装置。
10. The ion generator for irradiating the transparent insulating substrate with ions in a mixed gas before the transparent insulating substrate is exposed to an air atmosphere is provided in the chamber. Or the manufacturing apparatus according to 9.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6246253B1 (en) 1998-06-18 2001-06-12 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. System for testing liquid crystal and end seal of LCD cell

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