KR100309275B1 - PDP manufacturing method and PDP gas injection and exhaust machine - Google Patents

PDP manufacturing method and PDP gas injection and exhaust machine Download PDF

Info

Publication number
KR100309275B1
KR100309275B1 KR1019980038090A KR19980038090A KR100309275B1 KR 100309275 B1 KR100309275 B1 KR 100309275B1 KR 1019980038090 A KR1019980038090 A KR 1019980038090A KR 19980038090 A KR19980038090 A KR 19980038090A KR 100309275 B1 KR100309275 B1 KR 100309275B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pdp
exhaust
gas
chamber
gas injection
Prior art date
Application number
KR1019980038090A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20000019814A (en
Inventor
박명주
Original Assignee
구자홍
엘지전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, 엘지전자주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019980038090A priority Critical patent/KR100309275B1/en
Publication of KR20000019814A publication Critical patent/KR20000019814A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100309275B1 publication Critical patent/KR100309275B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/38Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20Constructional details
    • H01J11/48Sealing, e.g. seals specially adapted for leading-in conductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20Constructional details
    • H01J11/50Filling, e.g. selection of gas mixture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20Constructional details
    • H01J11/54Means for exhausting the gas

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 종래의 문제점이 PDP 제조 방법 및 배기/가스주입 장치가 챔버의 배기를 통해 PDP의 배기를 꾀하여 제작 시간이 많이 걸리고 방전 가스의 다량 소모로 생산 원가가 높은 문제점이 있기 때문에, 진공 챔버와 PDP를 각각 별도의 라인을 통해 배기하여 배기 속도를 증가시킴과 동시에 PDP의 내부에만 방전 가스를 주입하도록 함으로써, 제작 시간 및 방전 가스를 절약할 수 있으며 생산 원가를 절감할 수 있는 PDP 제조 방법과 가스주입 및 배기계에 관한 것이다.The present invention has a problem in that the PDP manufacturing method and the exhaust / gas injection device to exhaust the PDP through the exhaust of the chamber takes a lot of production time and has a high production cost due to the consumption of a large amount of discharge gas, By exhausting PDPs through separate lines to increase exhaust speed and injecting discharge gas only into PDP, PDP manufacturing method and gas can save production time and discharge gas and reduce production cost An injection and exhaust system.

본 발명의 PDP 제조 방법은 배기계를 PDP에 직접 압착시켜 PDP 내부의 불순 가스와 챔버 내부의 가스를 따로 배기하고, PDP의 내부로만 방전 가스를 주입하도록 하여 배기와 가스주입을 수행하도록 한 것을 특징으로 하고,;In the PDP manufacturing method of the present invention, the exhaust system is directly compressed to the PDP to exhaust the impurity gas in the PDP and the gas in the chamber separately, and discharge gas is injected only into the PDP to perform exhaust and gas injection. and,;

PDP의 가스주입 및 배기계는 양단에 게이트가 형성되고 상면과 저면에 각각 가스 도입구와 챔버배기구가 형성된 챔버와, 상기 PDP를 챔버 내에 정렬시키고 지지하는 얼라인 유니트와, 상기 PDP의 배기구에 직접 연결되어 배기 및 가스주입이 행해지는 가스주입/배기 유니트와, 상기 가스주입/배기 유니트에 연결되어 PDP 내부의 불순 가스를 배기시키는 배기 수단과, 상기 가스주입/배기 유니트에 연결되어 PDP의 내부로 방전 가스를 주입하는 가스주입 수단을 포함한 것 특징으로 한다.The gas injection and exhaust system of the PDP is connected to a chamber having gates at both ends and gas inlets and chamber exhaust ports respectively formed at upper and lower surfaces thereof, an alignment unit for aligning and supporting the PDP in the chamber, and an exhaust port of the PDP. A gas injection / exhaust unit through which exhaust and gas injection are performed, exhaust means connected to the gas injection / exhaust unit to exhaust impurity gas inside the PDP, and a discharge gas connected to the gas injection / exhaust unit into the PDP It characterized in that it comprises a gas injection means for injecting.

Description

PDP 제조 방법과 PDP의 가스주입 및 배기계PD Production Method and PD Injection and Exhaust Systems

본 발명은 PDP를 제조함에 있어 패널 안의 불순 가스를 배기하고 방전 가스를 주입하는 배기 및 가스주입 장치에 관한 것으로서, 특히 인라인형으로 구성되어 배기관이 설치되지 않은 상태로 배기 및 가스주입을 실시하는 PDP의 가스주입 및 배기계와 그 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust and gas injection device for exhausting impurity gas in a panel and injecting discharge gas in manufacturing a PDP. In particular, the present invention relates to a PDP which is configured inline to perform exhaust and gas injection without an exhaust pipe. The present invention relates to a gas injection and exhaust system and a method thereof.

일반적으로 PDP(Plasma Display Panel)는 전기 방전에 의해 발생되는 플라즈마를 이용하여 화상을 표시하는 장치로서, 도 1에 도시된 바와 같이 유리로 형성되어 상측에 위치되는 표면 기판(11a)과, 상기 표면 기판(11a)의 하측에 위치되는 배면 기판(12a)으로 구성되어 있다.In general, a plasma display panel (PDP) is an apparatus for displaying an image using a plasma generated by an electrical discharge. As shown in FIG. 1, a surface substrate 11a formed of glass and positioned on an upper side thereof, and the surface It consists of the back board 12a located under the board | substrate 11a.

배면 기판(12a)에는 스트라이프 형상으로 어드레스 전극(12b) 배설되고, 상기 어드레스 전극(12b)을 복수의 방전 셀로 분리하기 위해 어드레스 전극(12b)과 평행하게 격벽(12c)이 배치된다. 또, 상기 배면 기판(12a)의 격벽(12c) 사이에는 형광 물질(15)이 도포된다. 한편 표면 기판(11a)에는 하면에 복수의 표시전극(11b)을 설치하고, 유전체층(13)과 보호층(14)을 형성한다.The address electrode 12b is disposed in the back substrate 12a in a stripe shape, and the partition wall 12c is disposed in parallel with the address electrode 12b to separate the address electrode 12b into a plurality of discharge cells. In addition, the fluorescent material 15 is applied between the partition walls 12c of the rear substrate 12a. On the other hand, a plurality of display electrodes 11b are provided on the lower surface of the surface substrate 11a to form the dielectric layer 13 and the protective layer 14.

상기 표시전극(11b)과 어드레스 전극(12b)이 서로 직교하도록 표면 기판 (11a)과 배면 기판(12a)을 조립하여 유리질의 실링재(16)로 기밀시키고, 그 내부를 Ne(네온)등의 방전 가스를 채움으로써 PDP의 제조를 마친다.The surface substrate 11a and the rear substrate 12a are assembled so that the display electrode 11b and the address electrode 12b are orthogonal to each other, and are hermetically sealed with a glassy sealing material 16, and the inside thereof is discharged such as Ne (neon) or the like. Filling the gas completes the manufacture of the PDP.

일반적인 PDP의 제조 공정은 도 2에 도시된 바와 같이 표면 기판과 배면 기판을 각각 별도로 제조하고 이들을 융착시킨 후 방전 가스를 주입하여 완성하도록 되어 있다.A general PDP manufacturing process is completed by separately manufacturing the surface substrate and the back substrate as shown in FIG. 2 and fusing them, and then injecting a discharge gas.

표면 기판의 제조를 위해 유리 기판을 먼저 세정(c1)하고 표시 전극(1b)을 형성하기 위한 금속막을 증착(c2)한 후 포토 레지스트(Photo Resister)를 도포(c3)한다. 여기에 원하는 패턴이 새겨진 마스크를 대고 빛을 비추어 노광(Exposure;c4)시키면, 빛에 노출된 포토 레지스트가 현상액에 녹게(c5) 된다. 즉, 현상(Develop)공정을 통하여 원하는 부분에만 포토 레지스트를 남길 수 있다.In order to manufacture the surface substrate, the glass substrate is first cleaned (c1), a metal film for forming the display electrode 1b is deposited (c2), and then a photoresist is applied (c3). When the mask is engraved with a desired pattern, the light is exposed to light (Exposure; c4), and the photoresist exposed to the light is dissolved in the developer (c5). That is, the photoresist may be left only in a desired portion through the development process.

이후, 에칭액을 이용하여 부식시키는 식각(Etching) 공정을 시행하면 포토 레지스트가 남아 있지 않은 부분의 금속막이 녹게 된다. 따라서, 포토 레지스트를 제거(Strip)하면 그 하측에 남아 있는 금속만이 남게 되므로, 스트라이프 형상의 전극이 형성(c6)된다. 그 후 유전체를 상판의 전면에 도포(c6)하고, 이를 소성 (baking;c8)한 후, 배면 기판(2a)과의 접착을 위해 유리질의 실링제를 도포(c9)함으로써, 상판 공정을 마치고 배면 기판(2a)과의 합착을 기다리게 된다.Subsequently, when the etching process is performed using the etching solution, the metal film of the portion where the photoresist is not left is melted. Therefore, stripping the photoresist leaves only the metal remaining under the photoresist, thereby forming a stripe electrode (c6). The dielectric is then applied to the entire surface of the top plate (c6), baked (c8), and then coated with a glassy sealing agent (c9) for adhesion with the back substrate 2a. It waits for bonding with the board | substrate 2a.

배면 기판(2a)도 역시 유리 기판을 세정(d1) 과정을 거친 후, 격벽(barrier rib)을 형성(d2)시킨다. 이어 표면 기판(1a)의 표시 전극(1b) 형성과 마찬가지로 어드레스 전극(2b)을 형성하기 위하여 증착(d3), 포토 레지스트 도포(d4), 노광 (d5), 현상(d6), 식각 및 포토 레지스트 잔사 제거(d7)의 과정을 거치게 된다. 그 후, 형광체를 형성(d8)하게 되고, 마지막으로 소성(d9)한 후 표면 기판(1a)과의 합착을 기다리게 된다.The rear substrate 2a is also subjected to the cleaning (d1) process of the glass substrate, and then forms a barrier rib (d2). Subsequently, in order to form the address electrode 2b as in the formation of the display electrode 1b of the surface substrate 1a, deposition (d3), photoresist coating (d4), exposure (d5), development (d6), etching and photoresist are performed. The residue is removed (d7). Thereafter, the phosphor is formed (d8), and finally, after the firing (d9), the bonding with the surface substrate 1a is awaited.

이후, 유리질의 실링재가 도포된 표면 기판과 배면 기판을 합착(e1)하고, 내부의 불순 가스를 제거하고 방전 가스를 주입하며 MgO 활성화를 포함하는 배기/가스주입 공정(e2)을 행하게 된다. 그 후 숙성(e3)을 통해 PDP의 구동 전압을 적절히 낮추어 주고, 품질을 검사(e4)하여 PDP의 제조를 완료한다.Subsequently, the surface substrate and the rear substrate coated with the glassy sealing material are adhered (e1), the impurity gas is removed, the discharge gas is injected, and the exhaust / gas injection process (e2) including MgO activation is performed. Thereafter, the driving voltage of the PDP is appropriately lowered through aging (e3), the quality is inspected (e4), and the manufacture of the PDP is completed.

여기서 PDP의 품질을 결정하는 큰 요인 중의 하나인 배기 및 가스주입 공정을 살펴보면 도 3에 도시된 바와 같이 표면 기판과 배면 기판을 밀착시킨 후 온도를 상승(f1)시켜 합착(f2)하고, MgO 활성화(f3) 과정 및 냉각(f4)과정을 거친 후, 진공계를 연결하여 그 내부의 불순물을 제거한 후 방전 가스를 주입하여 최종적으로 봉지(f5)하게 된다.In the exhaust and gas injection process, which is one of the major factors determining the quality of the PDP, as shown in FIG. 3, the surface substrate and the rear substrate are brought into close contact with each other, and the temperature is raised (f1) to be bonded (f2) to activate the MgO. After the process (f3) and the cooling (f4), the vacuum system is connected to remove impurities therein, and then discharge gas is injected to finally encapsulate (f5).

도 4 내지 도 6에 도시된 종래의 가스주입 및 배기 장치는 배기관이 없는 인라인형으로서, 총 7개의 챔버에서 PDP의 배기 및 방전 가스를 주입하는 작업 공정을 수행하게 된다. 또, PDP에 배기를 위한 배기관을 부착시키지 않고 도 7에 도시된 바와 같이 배기구를 뚫은 후 챔버 자체를 배기시킴으로써 PDP 내부의 불순 가스를 배기시키게 된다.The conventional gas injection and exhaust devices shown in FIGS. 4 to 6 are in-line type without exhaust pipes, and perform a work process of injecting exhaust and discharge gas of PDP in a total of seven chambers. In addition, the impurity gas in the PDP is exhausted by venting the chamber itself after drilling the exhaust port as shown in FIG. 7 without attaching the exhaust pipe for exhausting to the PDP.

종래의 가스주입 및 배기 장치는 PDP(10)가 로딩되는 로딩 챔버(21a)와, 표면 기판과 배면 기판을 합착시키는 합착 챔버(21b), PDP(10)의 온도를 MgO 활성화 온도까지 냉각시키는 제1냉각 챔버(21c), 세정 가스를 PDP(10)에 주입한 후 배기하여 PDP(10)의 내부를 세정하는 MgO활성/가스 세정 챔버(21d), PDP(10)의 온도를 약 200℃ 정도로 냉각시키는 제2냉각 챔버(21e), PDP(10) 내부의 가스를 모두 배기한 후 방전 가스를 주입하고 봉지하는 배기/가스주입 챔버(21f) 및 PDP를 실온으로 냉각시킨 후 언로딩시키는 냉각 & 언로딩 챔버(21g)와, 각 챔버(21)를 구획하는 게이트(22)와, 상기 챔버(21) 내의 공기를 배기시키는 펌프(23)와, PDP에 세정 가스 및 방전 가스를 주입하기 위한 가스주입 수단(24)과, 상기 가스주입 수단(24)으로 가스를 공급하는 가스 공급기(25)와, PDP를 가열하기 위한 히터(26)와, 배기구를 봉지하기 위한 봉지용 마개를 공급하는 봉지 마개 공급부(27)로 구성되어 있다.Conventional gas injection and exhaust devices include a loading chamber 21a on which the PDP 10 is loaded, a bonding chamber 21b for bonding the surface substrate and the back substrate, and a temperature for cooling the temperature of the PDP 10 to the MgO activation temperature. The cooling chamber 21c and the cleaning gas are injected into the PDP 10 and then exhausted to clean the interior of the PDP 10. The temperature of the MgO active / gas cleaning chamber 21d and the PDP 10 is about 200 ° C. After cooling all of the second cooling chamber 21e for cooling, the gas inside the PDP 10, the exhaust / gas injection chamber 21f for injecting and encapsulating discharge gas, and cooling and unloading the PDP after cooling to room temperature 21 g of unloading chambers, the gate 22 which partitions each chamber 21, the pump 23 which exhausts air in the said chamber 21, and the gas for injecting a cleaning gas and discharge gas into a PDP An injection means 24, a gas supply 25 for supplying gas to the gas injection means 24, and a heater for heating the PDP ( 26) and the sealing stopper supply part 27 which supplies the sealing stopper for sealing an exhaust port.

상기와 같이 구성된 종래의 가스주입 및 배기 장치는 다음과 같이 작동된다. 최초에 PDP가 로딩 챔버(21a)에 수납되면 게이트가 열리고 PDP는 챔버 하단의 롤러에 의해 합착 챔버(21b)로 이송된다. 합착 챔버(21b)로 이송된 PDP는 일시 정지 상태를 유지하면서 히터(26)에 의해 450℃까지 가열(f1)된다. 450℃에서 1시간동안 유지시키면 유리질의 실링제인 프릿 실이 용융 고착되어 표면 기판과 배면 기판을 합착(f2)시키게 된다. 전술한 바와 같이 PDP에 배기관이 연결되어 있지 않고 PDP의 내부가 챔버 내로 노출되어 있으므로, 모든 공정은 챔버 자체가 계속 배기되고 있는 상태에서 행해진다.The conventional gas injection and exhaust device configured as described above operates as follows. When the PDP is initially stored in the loading chamber 21a, the gate is opened and the PDP is transferred to the bonding chamber 21b by the roller at the bottom of the chamber. The PDP transferred to the bonding chamber 21b is heated f1 to 450 ° C by the heater 26 while maintaining the pause state. After 1 hour of holding at 450 ° C., the frit seal, a glassy sealing agent, is melt-bonded to bond the surface substrate and the rear substrate (f2). As described above, since the exhaust pipe is not connected to the PDP and the inside of the PDP is exposed into the chamber, all the processes are performed while the chamber itself is continuously exhausted.

합착 공정이 완료된 PDP는 게이트를 지나 냉각 챔버(21c)에 도입된다. 냉각 챔버(21c)에서 PDP는 MgO 활성화를 위한 온도인 350℃까지 냉각된다. 350℃의 온도에 도달한 PDP는 게이트(22)를 통해 다음 챔버인 MgO활성/가스세정 챔버(21d)에 도입된다.The PDP in which the bonding process is completed is introduced into the cooling chamber 21c through the gate. In the cooling chamber 21c, the PDP is cooled to 350 ° C, which is a temperature for MgO activation. After reaching the temperature of 350 ° C, the PDP is introduced into the next chamber, the MgO activation / gas cleaning chamber 21d, through the gate 22.

MgO활성/가스세정 챔버(21d)에서는 PDP의 온도가 350℃에서 유지되면서 MgO활성 공정(f3)을 거치게 된다. 이 공정중 세정가스가 도입되고 이를 배기함으로써 PDP내의 재료들로부터 발생되는 불순물을 제거한다. 이 과정을 거친 PDP는 냉각 챔버(21e)로 이동된다. PDP는 냉각챔버(21e)에서 200℃이하로 냉각된 후 배기/가스주입 챔버(21f)로 이동된다.In the MgO activation / gas cleaning chamber 21d, the temperature of the PDP is maintained at 350 ° C. and the MgO activation process f3 is performed. During this process, a cleaning gas is introduced and exhausted to remove impurities generated from the materials in the PDP. After this process, the PDP is moved to the cooling chamber 21e. The PDP is cooled to 200 ° C. or less in the cooling chamber 21e and then moved to the exhaust / gas injection chamber 21f.

PDP는 배기/가스주입 챔버(21f)에서 다음과 같은 방전가스주입 및 봉지 과정을 행하게 된다. 도 5와 도 6에는 배기/가스주입 챔버(21f)가 상세하게 도시되어 있는데, 배면 기판에 배기구(17)가 형성된 PDP(10)가 롤러(28)를 따라 이동되고, PDP(10)의 상측에는 히터(26)가 설치되고, 챔버의 하측에는 챔버 내의 가스를 배기시키기 위한 진공 배기관(29b)과 방전 가스를 주입하기 위한 가스주입관(29a)이 연결되어 있다. 가스주입관(29a)에는 PDP(10)의 배기구(17)를 봉지시키는 봉지용 마개(27a)를 이동시키는 구동 기구가 설치되며, 상기 봉지용 마개(27a)의 상측에는 봉지용 접합제(27b)가 도포되고, 봉지용 히터(27c)가 별도로 구비된다.The PDP performs the following discharge gas injection and encapsulation processes in the exhaust / gas injection chamber 21f. 5 and 6 illustrate the exhaust / gas injection chamber 21f in detail. The PDP 10 having the exhaust port 17 formed on the rear substrate is moved along the roller 28, and the upper side of the PDP 10 is shown. The heater 26 is installed in the lower part of the chamber, and a vacuum exhaust pipe 29b for exhausting the gas in the chamber and a gas injection pipe 29a for injecting discharge gas are connected to the lower side of the chamber. The gas injection pipe 29a is provided with a drive mechanism for moving the sealing plug 27a for sealing the exhaust port 17 of the PDP 10, and the sealing binder 27b on the upper side of the sealing plug 27a. ) Is applied, and a sealing heater 27c is provided separately.

PDP(10)가 도입된 후 배기/가스주입 챔버(21f) 내의 가스는 진공배기관(29d)을 통해 계속 배기되며, 약 10-7Torr 정도의 진공에 이르면 배기를 중지한다. 이후 가스주입관(29a)을 통해 방전가스가 도입되어 배기/가스주입 챔버(21f)를 채우게 된다. 따라서 PDP(10)의 내부도 방전가스가 채워진다.After the PDP 10 is introduced, the gas in the exhaust / gas injection chamber 21f is continuously exhausted through the vacuum exhaust pipe 29d, and the exhaust is stopped when the vacuum reaches about 10 −7 Torr. Thereafter, the discharge gas is introduced through the gas injection pipe 29a to fill the exhaust / gas injection chamber 21f. Therefore, the discharge gas is also filled inside the PDP 10.

이어 봉지용 히터(27c)상에서 약 420℃ 정도로 가열되어 있던 봉지용 마개 (27a)가 상승하여 배기구(17)를 봉지(f5)하게 된다. 봉지가 완료된 PDP(10)는 게이트(22)를 통과하여 냉각/언로딩 챔버(21g)로 이송되며 이곳에서 나머지 냉각 공정을 수행한 후 모든 공정을 끝내게 된다.Subsequently, the sealing plug 27a, which has been heated on the sealing heater 27c to about 420 ° C., rises to seal the exhaust port 17. The PDP 10 is sealed is passed through the gate 22 to the cooling / unloading chamber (21g) to complete all the processes after performing the rest of the cooling process.

상기와 같이 구성된 인라인형 배기/가스주입 공정은 일괄처리식(Batch type)과는 달리 공정 기술이 확정되지 않고 개념적인 상태에 있으므로 공정 및 구조에 있어서 많은 불합리를 내포하고 있다. 배기관이 없는 인라인형 배기/가스주입 공정에서의 문제점은 다음과 같다.Unlike the batch type, the in-line exhaust / gas injection process configured as described above has a lot of irrationalities in the process and structure since the process technology is not determined and is in a conceptual state. Problems in an in-line exhaust / gas injection process without exhaust pipes are as follows.

첫째, 인라인형 배기/가스주입공정은 장비의 구조상 각각의 PDP에 대해 각 챔버에서 정지한 상태로 그 공정이 행해지게 되는데, MgO 활성화/가스세정 공정과 배기/가스주입 공정은 그 내부를 고진공으로 유지해야 하고 챔버 전체에 세정가스 및 방전가스를 주입하여 PDP 내부를 세정 또는 가스주입을 실시하게 되므로 그 효율과 가스 소모량이 증가된다.First, the in-line exhaust / gas injection process is performed with each PDP stopped in each chamber due to the structure of the equipment. The MgO activation / gas cleaning process and the exhaust / gas injection process have high vacuum inside. Since the cleaning gas and the discharge gas are injected into the entire chamber, the inside of the PDP is cleaned or gas injected, thereby increasing efficiency and gas consumption.

둘째, 세정 가스의 주입 및 배기에 따라 고진공의 배기를 2번 실시하게 되므로 시간이 많이 걸리고 효율이 떨어진다. 즉, 가스세정 공정에서는 챔버 전체를 배기하여 배기구에 의해 챔버와 통해있는 PDP 내부를 배기한 후, 전체 챔버에 세정가스를 도입하여 PDP내에 세정가스를 주입하게 된다. 그 후 챔버 전체를 다시 배기하여 PDP내의 불순가스를 세정가스와 함께 제거하는 구조이다. 이 경우 PDP의 크기를 고려하여 300ℓ정도의 챔버 10-7Torr의 고진공 영역까지 2번 배기해야 하므로 많은 시간이 소모된다.Second, since the high vacuum is exhausted twice according to the injection and exhaust of the cleaning gas, it takes a long time and decreases the efficiency. That is, in the gas cleaning process, the entire chamber is exhausted, the exhaust port exhausts the inside of the PDP through the chamber, and then the cleaning gas is introduced into the entire chamber to inject the cleaning gas into the PDP. After that, the entire chamber is exhausted again to remove impurities in the PDP together with the cleaning gas. In this case, considering the size of the PDP, a large amount of time is consumed because it has to be exhausted twice to the high vacuum region of the chamber 10 -7 Torr of about 300ℓ.

셋째, PDP의 내부에는 많은 수의 격벽이 형성되고 있고 격벽간의 공간은 서로 매우 좁은 통로로 이루어져 있으나 배기구의 크기는 PDP의 구조상 한계가 있기 때문에 배기 및 세정 과정에서 효율이 떨어지고 공정 시간이 증가하게 된다.Third, a large number of bulkheads are formed inside the PDP, and the spaces between the bulkheads are very narrow passages, but the size of the exhaust port is limited due to the structural limitations of the PDP. .

넷째, PDP에 방전 가스를 주입할 때 대용량의 챔버에 방전 가스를 주입하는데 방전 가스는 그 특성상 순도가 매우 중요하여 챔버에 잔류된 방전 가스를 버리거나 재생 시스템을 추가 설치해야 하므로 제조 비용이 높아진다.Fourth, when injecting the discharge gas into the PDP, the discharge gas is injected into a large-capacity chamber. The purity of the discharge gas is very important in terms of its characteristics, and the manufacturing cost is high because the discharge gas remaining in the chamber must be discarded or a regeneration system must be additionally installed.

도 8은 종래 기술의 다른 예가 도시된 도면으로서, 일본 후지쯔사가 일본국 특개평 4-245138로 개시한 PDP 제조 방법과 관련한 도면이다. 즉, PDP에 배기관을 설치하여 배기/가스주입 공정을 실시하도록 한 일괄처리식 타입의 장치이다.8 is a view showing another example of the prior art, a view related to the PDP manufacturing method disclosed in Fujitsu, Japan, Japanese Patent Laid-Open No. 4-245138. That is, it is a batch type type apparatus in which the exhaust pipe is installed in the PDP to perform the exhaust / gas injection process.

후지쯔사의 PDP제조 방법은 PDP(30)의 배기관(31)과 가스도입/배기계(33)를 접속시켜 진공 배기를 실시하는 단계와, PDP(30) 내부가 10-4Torr가 되면 가열로 (32) 내부의 온도를 상승시키는 단계와, 가열로(32) 내부의 온도가 350℃로 되면 한쪽의 배기관(31)으로는 세정용 가스를 도입하면서 다른 쪽으로는 배기하되 30분마다 방향을 절환하면서 4회 정도 실시하는 단계와, 최종 배기후 자연 냉각시켜 상온이 되면 배기를 중지하는 단계와, 방전 가스를 주입한 후 전원을 인가하여 PDP (30) 내부에 불순물을 발생시키는 단계와, 방전 가스를 배기하고 최종 방전 가스를 주입하는 단계와, PDP(30)의 배기관(31)을 제거하는 단계로 구성되어 있다.Fujitsu's PDP manufacturing method comprises the steps of connecting the exhaust pipe 31 of the PDP 30 and the gas introduction / exhaust system 33 to perform vacuum exhaust, and when the inside of the PDP 30 reaches 10 -4 Torr, the heating furnace (32 The temperature inside the heating furnace 32 is increased to 350 ° C., while the cleaning gas is introduced into one of the exhaust pipes 31 and exhausted to the other side. Performing the process about several times, stopping the exhausting after the final exhaust is naturally cooled to room temperature, generating impurities in the PDP 30 by applying power after injecting the discharge gas, and exhausting the discharge gas. And discharging the final discharge gas, and removing the exhaust pipe 31 of the PDP 30.

즉, PDP(30) 내부의 낮은 콘덕턴스로 인해 불순물의 효과적인 제거가 곤란하므로 2개의 배기관(31)과 유로 절환 장치(33')를 이용하여 방향을 절환해 가면서 한쪽에서 세정 가스를 주입하고 다른 한쪽은 배기하도록 함으로써 PDP(30) 내부의 불순물을 용이하게 제거하고 세정 효율을 향상시킨다.That is, since it is difficult to effectively remove impurities due to the low conductance inside the PDP 30, the cleaning gas is injected from one side while switching directions using two exhaust pipes 31 and the flow path switching device 33 'and the other By exhausting one side, impurities in the PDP 30 can be easily removed and the cleaning efficiency is improved.

그러나, 상기한 PDP 제조 방법은 일괄처리식 장치에 국한되어 작업을 인라인화 하기가 어렵고 배기/가스주입에 따른 시간이 오래 걸리는 문제점이 있다.However, the above-described PDP manufacturing method is limited to a batch-type apparatus, which makes it difficult to inline work and takes a long time due to exhaust / gas injection.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, PDP 제조 작업을 인라인화 하여 작업이 용이하게 함과 동시에 배기 효율을 증가시키고 방전가스의 소모량을 줄여 생산성을 향상시키고 제조 비용을 절감할 수 있도록 하는 PDP 제조 방법과 가스주입 및 배기계를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and inline the PDP manufacturing operation to facilitate the operation while increasing the exhaust efficiency and reducing the consumption of discharge gas to improve productivity and reduce the manufacturing cost It is an object of the present invention to provide a PDP manufacturing method and a gas injection and exhaust system that can be used.

도 1a는 일반적인 PDP가 도시된 사시도,Figure 1a is a perspective view of a typical PDP,

도 1b는 PDP의 셀이 도시된 단면도,1B is a cross-sectional view showing a cell of the PDP;

도 2는 PDP의 제조 공정이 도시된 순서도,2 is a flowchart illustrating a manufacturing process of the PDP;

도 3은 배기 및 가스주입 공정이 도시된 공정도,3 is a process diagram showing the exhaust and gas injection process,

도 4는 종래의 인라인형 가스주입 및 배기 장치가 도시된 구성도,4 is a configuration diagram showing a conventional inline gas injection and exhaust device,

도 5는 종래의 요부 구성인 배기/가스주입 챔버가 도시된 구성도,5 is a configuration diagram showing an exhaust / gas injection chamber which is a conventional main configuration;

도 6a는 도 5의 "A" 부분이 도시된 상세도,FIG. 6A is a detailed view of portion “A” of FIG. 5;

도 6b는 도 5의 "B" 부분이 도시된 상세도,6B is a detailed view of the portion “B” of FIG. 5;

도 7은 PDP의 배기구 위치가 도시된 도면,7 is a view illustrating an exhaust port position of a PDP;

도 8은 종래의 PDP 제조 장치중 가스주입 및 배기계가 도시된 도면,8 is a view showing a gas injection and exhaust system of the conventional PDP manufacturing apparatus,

도 9는 본 발명에 의한 PDP의 가스주입 및 배기계의 배기/가스주입 공정이 도시된 공정도,9 is a process diagram showing the gas injection of the PDP and the exhaust / gas injection process of the exhaust system according to the present invention;

도 10은 본 발명에 의한 PDP의 가스주입 및 배기계의 장치 라인이 도시된 도면,10 is a view showing the device line of the gas injection and exhaust system of the PDP according to the present invention,

도 11은 본 발명에 의한 PDP의 가스주입 및 배기계가 도시된 구성도,11 is a configuration diagram showing a gas injection and exhaust system of the PDP according to the present invention;

도 12는 본 발명에 따른 PDP의 배기구가 도시된 도면이다.12 is a view showing an exhaust port of the PDP according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

50 : PDP 51 : 배기구50: PDP 51: exhaust port

60 : 챔버 61 : 챔버급기구60 chamber 61 chamber supply mechanism

62 : 챔버배기구 63 : 게이트62: chamber exhaust 63: gate

64 : 얼라인 유니트 65 : 가스주입/배기 유니트64: alignment unit 65: gas injection / exhaust unit

65a : 가스 주입관 65b : 배기용 배관65a: gas injection pipe 65b: exhaust pipe

66 : 봉지용 치구 67 : 롤러66: sealing jig 67: roller

68 : 히터68: heater

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 PDP 제조 방법은 챔버 내부에 작업이 이루어지는 PDP의 표면기판과 배면기판을 가열하여 합착시키는 단계와, 합착된 PDP 내부의 불순가스를 배기하는 단계와, PDP 내부로 방전가스를 유입하는 단계를 포함하여 구성된 PDP 제조 방법에 있어서,PDP manufacturing method of the present invention for achieving the above object is a step of heating and bonding the surface substrate and the back substrate of the PDP is working inside the chamber, exhausting the impurity gas in the bonded PDP, and inside the PDP In the PDP manufacturing method comprising the step of introducing a discharge gas furnace,

PDP 내부의 불순가스를 배기하는 단계는 챔버 내부의 불순가스를 배기하는 챔버배기구와 차별화되도록 상기 PDP의 일 부분에 형성된 홀에 설치되는 배기유니트를 통하요 PDP 내부의 불순가스를 외부로 배기함과 아울러 챔버배기구를 통하여 PDP가 위치한 챔버 내의 가스를 외부로 배기시켜 챔버 내의 압력을 강하시키는 과정을 포함하고,The step of evacuating the impurity gas inside the PDP is through an exhaust unit installed in a hole formed in a portion of the PDP so as to differentiate the impurity gas inside the chamber. In addition, a process of lowering the pressure in the chamber by exhausting the gas in the chamber where the PDP is located through the chamber exhaust port,

PDP 내부로 방전가스를 주입하는 단계는 PDP의 일 부분에 형성된 홀에 설치되는 가스주입유니트를 통하여 PDP 내부로 방전가스를 주입함과 아울러 챔버급기구를 통하여 PDP가 위치한 챔버 내로 가스를 주입하여 챔버 내의 압력을 상승시키는 과정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The step of injecting the discharge gas into the PDP is to inject the discharge gas into the PDP through a gas injection unit installed in a hole formed in a part of the PDP and to inject the gas into the chamber where the PDP is located through the chamber supply mechanism. Characterized in that it comprises a process of increasing the pressure in the interior.

또, 본 발명에 의한 PDP의 가스주입 및 배기계는 라인을 따라 형성된 복수개의 챔버를 이용하여 PDP의 표면 기판과 배면 기판을 압착한 후 불순 가스를 제거하고 방전 가스를 주입하여 PDP를 제조하는 인라인형 PDP 제조 장치에 있어서,In addition, the gas injection and exhaust system of the PDP according to the present invention uses a plurality of chambers formed along a line to squeeze the surface substrate and the back substrate of the PDP, remove the impurity gas and inject the discharge gas to manufacture the PDP In the PDP manufacturing apparatus,

양단에 게이트가 형성되고 상면과 저면에 각각 가스 도입구와 챔버배기구가 형성된 챔버와, 상기 챔버의 내부에 위치되어 PDP를 이동시키는 롤러와, 상기 챔버내에서 PDP를 촬상 수단을 이용하여 위치를 확인한 후에 정위치시키고, PDP 지지수단을 이용하여 PDP가 흔들리지 않도록 지지하도록 하는 얼라인 유니트와, 상기 PDP의 배기구에 직접 연결되어 배기 및 가스주입이 행해지는 가스주입/배기 유니트와, 상기 가스주입/배기 유니트에 연결되어 PDP 내부의 불순 가스를 배기시키는 배기 수단과, 상기 가스주입/배기 유니트에 연결되어 PDP의 내부로 방전 가스를 주입하는 가스주입 수단과, 상기 가스주입/배기 유니트의 내부에 위치되고 방전 가스주입이 완료된 후 PDP의 배기구를 막아주는 봉지용 치구와, 상기 PDP의 내부 압력과 챔버 내부 압력을 비교하여 PDP가 파괴되지 않도록 압력을 조절하는 압력 조절부로 구성된 것을 특징으로 한다.After the gates are formed at both ends and the gas inlet and the chamber exhaust are respectively formed on the upper and lower surfaces, the rollers are positioned inside the chamber to move the PDP, and the PDP is checked in the chamber using the imaging means. An alignment unit for positioning and supporting the PDP by shaking using a PDP support means, a gas injection / exhaust unit directly connected to an exhaust port of the PDP to perform exhaust and gas injection, and the gas injection / exhaust unit Exhaust means connected to exhaust the impurity gas inside the PDP, gas injection means connected to the gas injection / exhaust unit to inject discharge gas into the PDP, and located inside the gas injection / exhaust unit and discharged. A sealing jig that blocks the exhaust port of the PDP after gas injection is completed, and P is compared by comparing the internal pressure of the PDP with the internal pressure of the chamber. It is characterized in that the pressure control unit for adjusting the pressure so that the DP is not destroyed.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 의한 PDP의 가스주입 및 배기계의 장치 라인은 도 10에 도시된 바와 같이 기준 공정 시간에 따라 게이트(63)에 의해 구분되어진 복수개의 챔버(60)와, 챔버(60) 내에 있는 PDP(50)의 내부로부터 불순 가스를 배기시키고 방전 가스를 주입시키기 위한 진공 펌프 및 가스장치(70)로 구성된다.The apparatus line of the gas injection and exhaust system of the PDP according to the present invention includes a plurality of chambers 60 separated by the gate 63 according to the reference process time as shown in FIG. And a vacuum pump and a gas apparatus 70 for exhausting impurity gas and injecting discharge gas from the inside of 50).

즉, 장치 라인은 공정 별로 챔버(60)가 구분되지 않고 인라인 공정의 특성상 단일 챔버에서 처리해야만 하는 공정의 최소 공정시간(즉, 기준 공정 시간)을 기준으로 모든 공정 챔버가 구분된다. 즉 가스세정/방전가스주입/봉지 공정을 수행할 수 있는 시간(기준 공정 시간)을 기준으로 가열, 합착, MgO활성, 냉각 공정이 여러 개의 챔버로 구성되어 게이트(63)로 구분된다. 또, 한 개의 챔버(60)에서 2개의 PDP(50)가 처리되도록 하고, 각 챔버(60)는 2층 구조로 설치되어 각각의 공정에서 총 4개의 PDP(50)가 처리되도록 한다.That is, in the device line, the chamber 60 is not divided by processes, and all process chambers are classified based on the minimum process time (that is, reference process time) of a process that must be processed in a single chamber due to the characteristics of the inline process. That is, the heating, bonding, MgO activity, and cooling processes are divided into gates 63 based on the time (standard process time) for performing the gas cleaning / discharging gas injection / encapsulation process. In addition, two PDPs 50 are processed in one chamber 60, and each chamber 60 is installed in a two-layer structure such that a total of four PDPs 50 are processed in each process.

본 발명에 의한 PDP의 가스주입 및 배기계는 도 11에 도시된 바와 같이 양단에 게이트(63)가 형성되고 상면과 저면에 각각 가스 도입구(61)와 챔버배기구(62)가 형성된 챔버(60)와, 상기 챔버(60)의 내부에 위치되어 PDP(50)를 이동시키는 롤러(67)와, 상기 PDP(50)를 챔버(60) 내에 정렬시키고 지지하는 얼라인 유니트(64)와, 상기 PDP(50)의 배기구(51)에 직접 연결되어 배기 및 가스주입이 행해지는 가스주입/배기 유니트(65)와, 상기 가스주입/배기 유니트(65)에 연결되어 PDP(50) 내부의 불순 가스를 배기시키는 배기용 배관 및 밸브(65b)와, 상기 가스주입/배기 유니트(65)에 연결되어 PDP(50)의 내부로 방전 가스를 주입하는 가스주입관 및 밸브 (65a)와, 상기 가스주입/배기 유니트(65)의 내부에 위치되고 방전 가스주입이 완료된 후 PDP(50)의 배기구(51)를 막아주는 봉지용 치구(66)로 구성된다.In the gas injection and exhaust system of the PDP according to the present invention, as shown in FIG. 11, a gate 63 is formed at both ends, and a gas inlet 61 and a chamber exhaust port 62 are formed at upper and lower surfaces, respectively. And a roller 67 positioned inside the chamber 60 to move the PDP 50, an alignment unit 64 for aligning and supporting the PDP 50 in the chamber 60, and the PDP. A gas injection / exhaust unit 65 which is directly connected to the exhaust port 51 of the exhaust gas 50 and performs gas injection and exhaust gas, and is connected to the gas injection / exhaust unit 65 to discharge impurity gas inside the PDP 50. An exhaust pipe and valve 65b for exhausting, a gas injection pipe and valve 65a connected to the gas injection / exhaust unit 65 for injecting discharge gas into the PDP 50, and the gas injection / An encapsulation jig 66 located inside the exhaust unit 65 and blocking the exhaust port 51 of the PDP 50 after the discharge gas injection is completed. It is configured.

상기 PDP(50)의 내부 압력과 챔버(60) 내부 압력을 비교하여 PDP(50)가 파괴되지 않도록 압력을 조절하는 압력 조절부(미 도시)가 부가된다. 상기 얼라인 유니트(64)는 촬상 수단을 이용하여 PDP의 위치를 확인하여 정위치시키고, PDP 지지수단을 이용하여 PDP가 흔들리지 않도록 지지한다. 또, 상기 가스주입/배기 유니트 (65)와 PDP(50)의 배기구(51)가 연결되는 부분에 실링 재료(미 도시)가 장치된다.A pressure controller (not shown) for adjusting the pressure so that the PDP 50 is not destroyed by comparing the internal pressure of the PDP 50 with the internal pressure of the chamber 60 is added. The alignment unit 64 checks the position of the PDP by using the image pickup means, and positions the PDP. The alignment unit 64 supports the PDP so as not to shake by using the PDP support means. In addition, a sealing material (not shown) is provided at a portion where the gas injection / exhaust unit 65 and the exhaust port 51 of the PDP 50 are connected.

상기와 같이 구성된 본 발명의 PDP의 가스주입 및 배기계 및 장치 라인은 도 9에 도시된 공정에 따라 PDP의 불순 가스 제거 및 방전 가스주입을 실시하게 되는데, 세부적인 공정은 다음과 같다.The gas injection and exhaust system and the device line of the PDP of the present invention configured as described above is to perform the impurity gas removal and discharge gas injection of the PDP according to the process shown in Figure 9, the detailed process is as follows.

먼저, PDP(50)가 장치 라인으로 공급되고, 3개의 챔버(Ch1,Ch2,Ch3)를 거치는 동안 히터에 의해 가열된다. 각각의 가열 챔버에서는 기준 공정 시간 동안 정해진 온도만큼 PDP(50)를 가열하고, PDP(50)가 다음 공정 챔버로 이동한 후에 바로 전 공정 챔버로부터 들어오는 PDP(50)를 계속 가열한다.First, the PDP 50 is supplied to the device line and heated by the heater while passing through the three chambers Ch1, Ch2, Ch3. Each heating chamber heats the PDP 50 by a predetermined temperature for a reference process time and continues to heat the PDP 50 coming from the previous process chamber immediately after the PDP 50 moves to the next process chamber.

가열 공정에서는 챔버의 내부를 진공으로 하지 않고 대기압에서 가열 공정을 행한다. 이때, 오염제어를 위해 필터가 설치된 흡기구와 배기구를 두어 게이트(63)를 통해 외부로부터 유입되는 오염 입자들을 제거한다.In a heating process, a heating process is performed at atmospheric pressure, without making the inside of a chamber into a vacuum. At this time, the contamination is introduced from the outside through the gate 63 by removing the inlet and the exhaust port in which the filter is installed for pollution control.

Ch3에서 나머지 가열을 끝낸 PDP(50)를 30분 동안 450℃의 온도로 유지하면서 합착 공정을 행한다. 합착 공정이 완료된 PDP(50)는 냉각 공정(Ch4)으로 롤러 (67)에 의해 이송되고 Ch3에는 다음 PDP(50)를 바로 받아들이게 된다.The bonding process is performed while maintaining the temperature of 450 degreeC for 30 minutes in the PDP 50 which finished the remaining heating in Ch3. The PDP 50 in which the bonding process is completed is transferred by the roller 67 to the cooling process Ch4, and immediately receives the next PDP 50 in Ch3.

이후, 2개의 챔버(Ch4,Ch5)에서 합착된 PDP(50)를 MgO 활성화를 위한 350℃로 냉각하는 공정을 수행한다. 특히, Ch5에서는 냉각과 MgO 활성화 공정을 동시에 행하게 되는데, MgO 활성화 공정의 특성상 10-7Torr의 진공역이 유지되어야 하므로 Ch4를 Ch5의 진공도를 지속적으로 유지시켜야 한다. 따라서, Ch4와 Ch5를 진공 버퍼로 사용할 수 있도록 하기 위해 PDP(50)가 Ch4에 도입되면 Ch5의 진공도에 도달할 때까지 챔버를 계속 배기시키게 된다. 결국, Ch5는 진공도의 변함이 없이 MgO 활성화 공정을 수행할 수 있다.Thereafter, the PDP 50 bonded in the two chambers Ch4 and Ch5 is cooled to 350 ° C. for MgO activation. Particularly, in Ch5, cooling and MgO activation process are performed at the same time. Due to the nature of the MgO activation process, a vacuum range of 10 -7 Torr must be maintained, so Ch4 must be continuously maintained at the vacuum degree of Ch5. Therefore, when the PDP 50 is introduced into Ch4 to use Ch4 and Ch5 as the vacuum buffer, the chamber is continuously evacuated until the vacuum degree of Ch5 is reached. As a result, Ch5 may perform the MgO activation process without changing the degree of vacuum.

Ch5에서 MgO 활성화를 위한 온도인 350℃에 도달하면 MgO 활성화 공정이 시작된다. Ch5에서 기준 공정시간이 도달하면 PDP(50)는 Ch6으로 이동되어 계속 MgO 활성화 공정을 수행하게 된다. Ch5와 Ch6 사이의 게이트(63)가 열리는 순간에 두 챔버의 온도와 압력은 각각 350℃와 10-7Torr로 동일하다.The MgO activation process starts when Ch5 reaches 350 ° C, the temperature for MgO activation. When the reference process time at Ch5 is reached, the PDP 50 is moved to Ch6 to continue the MgO activation process. At the moment the gate 63 between Ch5 and Ch6 is opened, the temperature and pressure of the two chambers are the same at 350 ° C. and 10 −7 Torr, respectively.

이후, PDP(50)는 Ch7로 이동되어 가스 세정 및 방전가스주입과 봉지를 수행하게 된다. MgO 활성화 공정이 완료된 PDP(50)가 Ch7에 도입된 후 게이트(63)가 닫히게 되는데, 챔버(60) 내부는 챔버배기구(62)와 PDP 배기용 배관(65b)을 통하여 이미 10-5Torr 이상 배기되어 있는 상태이고, PDP(50)가 도입되었을 때 챔버(60)와 PDP(50)의 내부는 같은 압력을 유지한다.Thereafter, the PDP 50 is moved to Ch7 to perform gas cleaning and discharge gas injection and encapsulation. The gate 63 is closed after the PDP 50 in which the MgO activation process is completed is introduced into Ch7, and the chamber 60 is already 10 -5 Torr or more through the chamber exhaust port 62 and the PDP exhaust pipe 65b. In the exhausted state, when the PDP 50 is introduced, the chamber 60 and the inside of the PDP 50 maintain the same pressure.

PDP(50)가 챔버 중앙부에 위치하면 얼라인 유니트(64)에 설치된 카메라가 작동되어 PDP(50)를 정확한 위치에 위치시키고, PDP(50) 상부의 PDP 지지수단이 하강되어 PDP(50)와 접촉하며 동시에 PDP(50) 하부의 가스주입/배기 유니트(65)가 상승되어 PDP(50)와 접촉된다. 가스주입/배기 유니트(65)의 끝단에 있는 실링 재료는 상부에서 하강된 PDP 지지수단의 도움으로 PDP(50)의 배기구와 밀착하여 배기계와 PDP(50)의 내부를 연결시키게 된다.When the PDP 50 is located at the center of the chamber, the camera installed in the alignment unit 64 is operated to position the PDP 50 at the correct position, and the PDP support means on the upper portion of the PDP 50 is lowered to the PDP 50. At the same time, the gas injection / exhaust unit 65 under the PDP 50 is raised to be in contact with the PDP 50. The sealing material at the end of the gas injection / exhaust unit 65 is in close contact with the exhaust port of the PDP 50 with the aid of the PDP support means lowered from the top to connect the exhaust system and the inside of the PDP 50.

가스주입/배기 유니트(65)와 PDP(50)가 서로 밀착되면 PDP(50) 내부는 PDP 배기용 배관(65b)을 통하여 계속 배기되어 10-7Torr까지 배기된다. 이때 챔버 역시 챔버배기구(62)를 통해 계속 배기된다. 배기가 완료되면 배기용 배관(65b)의 밸브가 닫혀 배기계와 PDP(50)가 분리되고, 가스주입관(65a)이 열려 세정가스를 세정가스주입용 배기구(51a)로 주입하면서 세정가스 배기용 배기구(51b)로 배기시키게 된다. 따라서, 세정가스는 PDP(50)의 격벽(52) 사이를 이동하면서 PDP 내부에 잔류된 불순물을 제거하게 된다. 이때 PDP(50)와 챔버 사이의 압력차에 의한 PDP(50)의 파괴를 방지하기 위해 가스 도입구(61)를 통하여 챔버 내부로 N2가스 등을 도입하여 PDP(50)내부와 비슷하도록 압력이 되도록 한다.When the gas injection / exhaust unit 65 and the PDP 50 are in close contact with each other, the inside of the PDP 50 is continuously exhausted through the PDP exhaust pipe 65b and exhausted to 10 −7 Torr. At this time, the chamber is also continuously exhausted through the chamber exhaust port 62. When the exhaust is completed, the valve of the exhaust pipe 65b is closed to separate the exhaust system and the PDP 50, and the gas injection pipe 65a is opened to inject cleaning gas into the cleaning gas injection exhaust port 51a for exhausting the cleaning gas. The exhaust port 51b is exhausted. Therefore, the cleaning gas moves between the partition walls 52 of the PDP 50 to remove impurities remaining in the PDP. At this time, in order to prevent destruction of the PDP 50 due to the pressure difference between the PDP 50 and the chamber, N 2 gas or the like is introduced into the chamber through the gas inlet 61 to be similar to the inside of the PDP 50. To be

가스 세정 공정이 지나면 가스주입관(65)이 닫히고 배기용 배관(65b)이 열려 PDP(50)를 10-7Torr까지 배기한다. 이때는 챔버(60) 내부의 압력이 PDP(50) 내부의 압력보다 높아 PDP(50) 파괴의 위험이 적으므로 챔버(60)는 PDP(50)와 함께 배기해 줄 필요가 없다. 이는 PDP(50)가 내압에 견디는 힘은 약하나 외압에는 비교적 큰 힘에도 견딜 수 있는 특징에 따른 것이다.After the gas cleaning process, the gas injection pipe 65 is closed and the exhaust pipe 65b is opened to exhaust the PDP 50 to 10 −7 Torr. At this time, since the pressure inside the chamber 60 is higher than the pressure inside the PDP 50, there is little risk of destruction of the PDP 50. Therefore, the chamber 60 does not need to be exhausted together with the PDP 50. This is because the PDP 50 has a weak force to withstand internal pressure but can withstand a relatively large force to external pressure.

PDP(50)내부가 10-7Torr 까지 배기되면 배기용 배관(65b)이 닫히고 가스주입관(65a)의 밸브가 열려 방전가스가 주입된다. 방전가스는 PDP(50) 내에서 상온에서 300~500 Torr의 압력을 가져야 하므로, 350℃의 고온에서 주입될 때 주입시의 온도가 고려된 계산에 의한 압력으로 주입한다. 이때, PDP(50) 내부의 압력이 상승하게 되므로 PDP(50)의 내압에 의한 파괴를 방지하기 위하여 챔버(60) 내에도 이에 상응하는 압력의 N2등의 가스를 동시에 주입하여 PDP 내부의 압력과 일치시킨다.When the inside of the PDP 50 is exhausted to 10 -7 Torr, the exhaust pipe 65b is closed and the valve of the gas injection pipe 65a is opened to inject discharge gas. Since the discharge gas should have a pressure of 300 ~ 500 Torr at room temperature in the PDP 50, when the injection gas is injected at a high temperature of 350 ℃ it is injected at a pressure based on the calculation considering the temperature. At this time, since the pressure inside the PDP 50 is increased, in order to prevent destruction due to the internal pressure of the PDP 50, the pressure inside the PDP is simultaneously injected into the chamber 60 such as N 2 . Matches

방전가스가 적절한 압력으로 PDP(50)내부에 채워지면, 배기용 배관(10d)과 마개 공급실을 구분하는 밸브가 열리고, 그 내부에서 마개 공급용 치구(66)가 상승되어 마개를 배기구(51)에 밀착시킴으로써 배기구(51)를 봉지하게 된다.When the discharge gas is filled into the PDP 50 at an appropriate pressure, a valve for separating the exhaust pipe 10d and the plug supply chamber is opened, and the stopper supply jig 66 is raised therein to stop the plug from the exhaust port 51. The exhaust port 51 is sealed by being in close contact with the air.

봉지가 완료된 PDP(50)는 Ch8과 Ch9를 지나면서 상온으로 냉각된 후 라인으로부터 언로딩된다.PDP 50 is sealed is unloaded from the line after cooling to room temperature while passing through Ch8 and Ch9.

이와 같이, 본 발명의 PDP 제조 방법과 가스주입 및 배기계는 진공 챔버와 PDP를 각각 별도의 라인을 통해 배기하여 배기 속도를 증가시키고 인라인화를 통한 공정 단순화로 제작 시간을 단축하고 생산 원가를 절감할 수 있는 이점이 있다.As described above, the PDP manufacturing method and the gas injection and exhaust system of the present invention exhaust the vacuum chamber and the PDP through separate lines to increase the exhaust speed and reduce the production time and reduce the production cost by simplifying the process through inline. There is an advantage to this.

또, 세정 가스를 이용하여 PDP의 내부를 세정함에 있어 PDP의 내부로만 세정 가스를 강제 급/배기하여 세정 효율을 높일 수 있고, PDP의 내부에만 방전 가스를 주입하여 방전 가스를 절약할 수 있으며 방전 가스의 재생이 필요하지 않아 생산 원가를 절감할 수 있는 다른 이점이 있다.In addition, when cleaning the inside of the PDP by using the cleaning gas, cleaning efficiency can be increased by forcibly supplying / exhausting the cleaning gas to the inside of the PDP, and discharge gas can be saved by injecting discharge gas only into the inside of the PDP. There is another advantage of reducing production costs since no regeneration of gas is required.

Claims (3)

챔버 내부에 작업이 이루어지는 PDP의 표면기판과 배면기판을 가열하여 합착시키는 단계와, 합착된 PDP 내부의 불순가스를 배기하는 단계와, PDP 내부로 방전가스를 유입하는 단계를 포함하여 구성된 PDP 제조 방법에 있어서; PDP 내부의 불순가스를 배기하는 단계는 챔버 내부의 불순가스를 배기하는 챔버배기구와 차별화되도록 상기 PDP의 일 부분에 형성된 홀에 설치되는 배기유니트를 통하여 PDP 내부의 불순가스를 외부로 배기함과 아울러 챔버배기구를 통하여 PDP가 위치한 챔버 내의 가스를 외부로 배기시켜 챔버 내의 압력을 강하시키는 과정을 포함하고; PDP 내부로 방전가스를 주입하는 단계는 PDP의 일 부분에 형성된 홀에 설치되는 가스주입유니트를 통하여 PDP 내부로 방전가스를 주입함과 아울러 챔버급기구를 통하여 PDP가 위치한 챔버 내로 가스를 주입하여 챔버 내의 압력을 상승시키는 과정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 PDP 제조 방법.PDP manufacturing method comprising the step of heating and bonding the surface substrate and the back substrate of the PDP to be worked inside the chamber, exhausting the impure gas in the bonded PDP, and introducing a discharge gas into the PDP To; The step of evacuating the impurity gas inside the PDP is to exhaust the impurity gas inside the PDP to the outside through an exhaust unit installed in a hole formed in a portion of the PDP so as to differentiate the impurity gas inside the chamber. Exhausting the gas in the chamber where the PDP is located to the outside through the chamber exhaust port to lower the pressure in the chamber; The step of injecting the discharge gas into the PDP is to inject the discharge gas into the PDP through a gas injection unit installed in a hole formed in a part of the PDP and to inject the gas into the chamber where the PDP is located through the chamber supply mechanism. PDP manufacturing method comprising the step of raising the pressure in the interior. 라인을 따라 형성된 복수개의 챔버를 이용하여 PDP의 표면 기판과 배면 기판을 압착한 후 불순 가스를 제거하고 방전 가스를 주입하여 PDP를 제조하는 인라인형 PDP 제조 장치에 있어서, 양단에 게이트가 형성되고 상면과 저면에 각각 가스 도입구와 챔버배기구가 형성된 챔버와, 상기 챔버의 내부에 위치되어 PDP를 이동시키는 롤러와, 상기 챔버내에서 PDP를 촬상 수단을 이용하여 위치를 확인한 후에 정위치시키고, PDP 지지수단을 이용하여 PDP가 흔들리지 않도록 지지하도록 하는 얼라인 유니트와, 상기 PDP의 배기구에 직접 연결되어 배기 및 가스주입이 행해지는 가스주입/배기 유니트와, 상기 가스주입/배기 유니트에 연결되어 PDP 내부의 불순 가스를 배기시키는 배기 수단과, 상기 가스주입/배기 유니트에 연결되어 PDP의 내부로 방전 가스를 주입하는 가스주입 수단과, 상기 가스주입/배기 유니트의 내부에 위치되고 방전 가스주입이 완료된 후 PDP의 배기구를 막아주는 봉지용 치구와, 상기 PDP의 내부 압력과 챔버 내부 압력을 비교하여 PDP가 파괴되지 않도록 압력을 조절하는 압력 조절부로 구성된 것을 특징으로 하는 PDP의 가스주입 및 배기계.An in-line PDP manufacturing apparatus for manufacturing a PDP by pressing a surface substrate and a back substrate of a PDP using a plurality of chambers formed along a line, removing impurity gas, and injecting a discharge gas, wherein gates are formed at both ends, and an upper surface thereof is formed. A chamber having a gas inlet and a chamber exhaust at the bottom and bottom, a roller positioned inside the chamber to move the PDP, and positioning the PDP within the chamber using an image pickup means, and then positioning the PDP support means. An alignment unit which supports the PDP so as not to shake, a gas injection / exhaust unit directly connected to the exhaust port of the PDP to perform exhaust and gas injection, and an impurity inside the PDP connected to the gas injection / exhaust unit Connected to the gas injection / exhaust unit to exhaust gas and to inject discharge gas into the inside of the PDP; An injection means, an encapsulation jig located inside the gas injection / exhaust unit and blocking the exhaust port of the PDP after discharge gas injection is completed, and a pressure so as not to destroy the PDP by comparing the internal pressure of the PDP with the internal pressure of the chamber. Gas injection and exhaust system of the PDP, characterized in that consisting of a pressure control unit for adjusting the. 제 2 항에 있어서, 상기 가스주입/배기 유니트는 PDP의 배기구와 연결되는 부분에 실링 재료가 장치된 것을 특징으로 하는 PDP의 가스주입 및 배기계.3. The gas injection and exhaust system according to claim 2, wherein the gas injection / exhaust unit is provided with a sealing material at a portion connected to the exhaust port of the PDP.
KR1019980038090A 1998-09-15 1998-09-15 PDP manufacturing method and PDP gas injection and exhaust machine KR100309275B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980038090A KR100309275B1 (en) 1998-09-15 1998-09-15 PDP manufacturing method and PDP gas injection and exhaust machine

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980038090A KR100309275B1 (en) 1998-09-15 1998-09-15 PDP manufacturing method and PDP gas injection and exhaust machine

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000019814A KR20000019814A (en) 2000-04-15
KR100309275B1 true KR100309275B1 (en) 2001-12-17

Family

ID=19550705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980038090A KR100309275B1 (en) 1998-09-15 1998-09-15 PDP manufacturing method and PDP gas injection and exhaust machine

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100309275B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100394060B1 (en) * 2001-01-12 2003-08-06 주식회사 유피디 Exhausting method and apparatus for flat display pannel

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09251839A (en) * 1996-01-11 1997-09-22 Chugai Ro Co Ltd Manufacture of plasma display panel
JPH1021832A (en) * 1996-07-01 1998-01-23 Chugai Ro Co Ltd Gas evacuating and sealing method for plasma display panel and facility therefor
JPH1040818A (en) * 1996-07-19 1998-02-13 Dainippon Printing Co Ltd Plasma display panel and its manufacture
JPH10172435A (en) * 1996-12-10 1998-06-26 Chugai Ro Co Ltd Evacuating/sealing furnace for plasma display panel

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09251839A (en) * 1996-01-11 1997-09-22 Chugai Ro Co Ltd Manufacture of plasma display panel
JPH1021832A (en) * 1996-07-01 1998-01-23 Chugai Ro Co Ltd Gas evacuating and sealing method for plasma display panel and facility therefor
JPH1040818A (en) * 1996-07-19 1998-02-13 Dainippon Printing Co Ltd Plasma display panel and its manufacture
JPH10172435A (en) * 1996-12-10 1998-06-26 Chugai Ro Co Ltd Evacuating/sealing furnace for plasma display panel

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000019814A (en) 2000-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100585244B1 (en) Manufacturing method of plasma display panels
JP3554432B2 (en) Method for manufacturing plasma display panel
KR100406840B1 (en) Plasma display panel manufacturing apparatus and manufacturing method
JP2002245941A (en) Manufacturing method of plasma display panel
KR100309275B1 (en) PDP manufacturing method and PDP gas injection and exhaust machine
KR100727735B1 (en) Method and device for producing gas electric discharge panels
KR19990053755A (en) Manufacturing apparatus of plasma display panel and manufacturing method of plasma display panel using same
KR20000019581A (en) Gas injecting and discharging system and manufacturing method of pdp
KR100370075B1 (en) Equipment and process for fabricating of plasma display panel
KR100502697B1 (en) a vacuum ventilation method for fabricating Plasma Display Panel
KR100323509B1 (en) PDP &its manufacturing method
JP3165453B2 (en) Method for manufacturing plasma display panel
KR100370038B1 (en) Equipment for fabricating plasma display panel
JP3618177B2 (en) Method for manufacturing plasma display panel
JP3547006B2 (en) Method and apparatus for manufacturing gas discharge panel
KR101079884B1 (en) Method of manufacturing display panel
KR100313109B1 (en) Manufacturing method for plasma display panel
KR100603271B1 (en) Method for injecting the plasma discharge gas into the apparatus of plasma display panel
KR100745169B1 (en) Gas ventilation/ injection method of display panel using discharge
KR100287732B1 (en) Connection method for front/rear panel of PDP
KR100603272B1 (en) Method and apparatus for exhausting plasma display panel
KR20030067756A (en) Method of manufacturing gas discharge panel
KR100732240B1 (en) Display panel structure using discharge
KR20030039522A (en) Equipment and process for fabricating of plasma display panel
KR100323510B1 (en) Connection method for front/rear panel of PDP

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080618

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee