KR20000019581A - Gas injecting and discharging system and manufacturing method of pdp - Google Patents

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박병언
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구자홍
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Abstract

PURPOSE: PDP is manufactured in a chamber to exhaust inside of panel by discharging chamber. So production cost reduce. CONSTITUTION: Gas injecting and discharging system of PDP have many chambers forming along panel moving line, gates dividing the chambers, heating devices, cooling devices, ventilators discharge gas, injectors, sealing devices seal exhaust hole. A surface substrate(51) fix on a rear substrate(52) with sealant(53). The chamber is heated to melt the sealant. When sealant melt, the surface substrate combine with the rear substrate and it forms panel(50). The chamber is exhausted to exhaust inside of panel by using vacuum system. Discharging gas is injected by using injector(59). The exhausting hole is sealed. The panel is take out.

Description

PDP 제조 방법과 PDP의 가스주입 및 배기계PD Production Method and PD Injection and Exhaust Systems

본 발명은 PDP를 제조함에 있어 패널 안의 불순 가스를 배기하고 방전 가스를 주입하는 배기 및 가스주입 장치에 관한 것으로서, 특히 인라인형으로 구성되어 배기관이 설치되지 않은 상태로 배기 및 가스주입을 실시하는 PDP의 가스주입 및 배기계와 그 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust and gas injection device for exhausting impurity gas in a panel and injecting discharge gas in manufacturing a PDP. In particular, the present invention relates to a PDP which is configured inline to perform exhaust and gas injection without an exhaust pipe. The present invention relates to a gas injection and exhaust system and a method thereof.

일반적으로 PDP(Plasma Display Panel)는 전기 방전에 의해 발생되는 플라즈마를 이용하여 화상을 표시하는 장치로서, 도 1에 도시된 바와 같이 유리로 형성되어 상측에 위치되는 표면 기판(11a)과, 상기 표면 기판(11a)의 하측에 위치되는 배면 기판(12a)으로 구성되어 있다.In general, a plasma display panel (PDP) is an apparatus for displaying an image using a plasma generated by an electrical discharge. As shown in FIG. 1, a surface substrate 11a formed of glass and positioned on an upper side thereof, and the surface It consists of the back board 12a located under the board | substrate 11a.

배면 기판(12a)에는 스트라이프 형상으로 어드레스 전극(12b) 배설되고, 상기 어드레스 전극(12b)을 복수의 방전 셀로 분리하기 위해 어드레스 전극(12b)과 평행하게 격벽(12c)이 배치된다. 또, 상기 배면 기판(12a)의 격벽(12c) 사이에는 형광 물질(15)이 도포된다. 한편 표면 기판(11a)에는 하면에 복수의 표시전극(11b)을 설치하고, 유전체층(13)과 보호층(14)을 형성한다.The address electrode 12b is disposed in the back substrate 12a in a stripe shape, and the partition wall 12c is disposed in parallel with the address electrode 12b to separate the address electrode 12b into a plurality of discharge cells. In addition, the fluorescent material 15 is applied between the partition walls 12c of the rear substrate 12a. On the other hand, a plurality of display electrodes 11b are provided on the lower surface of the surface substrate 11a to form the dielectric layer 13 and the protective layer 14.

상기 표시전극(11b)과 어드레스 전극(12b)이 서로 직교하도록 표면 기판(11a)과 배면 기판(12a)을 조립하여 유리질의 실링재(16)로 기밀시키고, 그 내부를 Ne(네온)등의 방전 가스를 채움으로써 PDP의 제조를 마친다.The surface substrate 11a and the back substrate 12a are assembled so that the display electrode 11b and the address electrode 12b are orthogonal to each other, and are hermetically sealed with a glassy sealing material 16, and the inside thereof is discharged such as Ne (neon) or the like. Filling the gas completes the manufacture of the PDP.

일반적인 PDP의 제조 공정은 도 2에 도시된 바와 같이 표면 기판과 배면 기판을 각각 별도로 제조하고 이들을 융착시킨 후 방전 가스를 주입하여 완성하도록 되어 있다.A general PDP manufacturing process is completed by separately manufacturing the surface substrate and the back substrate as shown in FIG. 2 and fusing them, and then injecting a discharge gas.

표면 기판의 제조를 위해 유리 기판을 먼저 세정(c1)하고 표시 전극(1b)을 형성하기 위한 금속막을 증착(c2)한 후 포토 레지스트(Photo Resister)를 도포(c3)한다. 여기에 원하는 패턴이 새겨진 마스크를 대고 빛을 비추어 노광(Exposure;c4)시키면, 빛에 노출된 포토 레지스트가 현상액에 녹게(c5) 된다. 즉, 현상(Develop)공정을 통하여 원하는 부분에만 포토 레지스트를 남길 수 있다.In order to manufacture the surface substrate, the glass substrate is first cleaned (c1), a metal film for forming the display electrode 1b is deposited (c2), and then a photoresist is applied (c3). When the mask is engraved with a desired pattern, the light is exposed to light (Exposure; c4), and the photoresist exposed to the light is dissolved in the developer (c5). That is, the photoresist may be left only in a desired portion through the development process.

이후, 에칭액을 이용하여 부식시키는 식각(Etching) 공정을 시행하면 포토 레지스트가 남아 있지 않은 부분의 금속막이 녹게 된다. 따라서, 포토 레지스트를 제거(Strip)하면 그 하측에 남아 있는 금속만이 남게 되므로, 스트라이프 형상의 전극이 형성(c6)된다. 그 후 유전체를 상판의 전면에 도포(c6)하고, 이를 소성(baking;c8)한 후, 배면 기판(2a)과의 접착을 위해 유리질의 실링제를 도포(c9)함으로써, 상판 공정을 마치고 배면 기판(2a)과의 합착을 기다리게 된다.Subsequently, when the etching process is performed using the etching solution, the metal film of the portion where the photoresist is not left is melted. Therefore, stripping the photoresist leaves only the metal remaining under the photoresist, thereby forming a stripe electrode (c6). The dielectric is then applied to the entire surface of the top plate (c6), baked (c8), and then coated with a glassy sealing agent (c9) for adhesion with the back substrate 2a. It waits for bonding with the board | substrate 2a.

배면 기판(2a)도 역시 유리 기판을 세정(d1) 과정을 거친 후, 격벽(barrier rib)을 형성(d2)시킨다. 이어 표면 기판(1a)의 표시 전극(1b) 형성과 마찬가지로 어드레스 전극(2b)을 형성하기 위하여 증착(d3), 포토 레지스트 도포(d4), 노광(d5), 현상(d6), 식각 및 포토 레지스트 잔사 제거(d7)의 과정을 거치게 된다. 그 후, 형광체를 형성(d8)하게 되고, 마지막으로 소성(d9)한 후 표면 기판(1a)과의 합착을 기다리게 된다.The rear substrate 2a is also subjected to the cleaning (d1) process of the glass substrate, and then forms a barrier rib (d2). Subsequently, in order to form the address electrode 2b as in the formation of the display electrode 1b of the surface substrate 1a, deposition (d3), photoresist coating (d4), exposure (d5), development (d6), etching and photoresist The residue is removed (d7). Thereafter, the phosphor is formed (d8), and finally, after the firing (d9), the bonding with the surface substrate 1a is awaited.

이후, 유리질의 실링재가 도포된 표면 기판과 배면 기판을 합착(e1)하고, 내부의 불순 가스를 제거하고 방전 가스를 주입하며 MgO 활성화를 포함하는 배기/가스주입 공정(e2)을 행하게 된다. 그 후 숙성(e3)을 통해 PDP의 구동 전압을 적절히 낮추어 주고, 품질을 검사(e4)하여 PDP의 제조를 완료한다.Subsequently, the surface substrate and the rear substrate coated with the glassy sealing material are adhered (e1), the impurity gas is removed, the discharge gas is injected, and the exhaust / gas injection process (e2) including MgO activation is performed. Thereafter, the driving voltage of the PDP is appropriately lowered through aging (e3), the quality is inspected (e4), and the manufacture of the PDP is completed.

여기서, PDP의 품질을 결정하는 큰 요인 중의 하나인 배기 및 가스주입 공정인데, 이를 상세히 살펴보면 다음과 같다.Here, the exhaust and gas injection process is one of the major factors that determine the quality of the PDP, which will be described in detail as follows.

종래의 배기 및 가스주입 공정은 도 3에 도시된 바와 같이 표면 기판(12)과 배면 기판(11)을 일정 정도 이격되도록 정렬하는 제1공정과, 실런트(21)를 녹여 표면 기판(12)과 배면 기판(11)을 기밀시키고 배기관(23)을 부착시키는 제2공정과, 배기관(23)을 통해 패널(20) 내부의 가스를 배기시키는 제3공정과, 방전 가스를 주입하고 배기관(23)을 봉지하는 제4공정과, 클립(22)을 제거하고 패널(20)을 취출하는 제5공정으로 구성되어 있다.The conventional exhaust and gas injection process is a first process of aligning the surface substrate 12 and the rear substrate 11 to be spaced apart by a predetermined distance, as shown in Figure 3, melting the sealant 21 and the surface substrate 12 and A second step of hermetically sealing the back substrate 11 and attaching the exhaust pipe 23, a third step of exhausting the gas inside the panel 20 through the exhaust pipe 23, and injecting discharge gas into the exhaust pipe 23. And a fifth step of removing the clip 22 and taking out the panel 20.

즉, 앞 공정에서 실런트가 인쇄되어진 표면 기판(12) 위에 배기홀(11')이 형성된 배면 기판(11)을 위치시켜 정렬하고 클립(22)으로 고정하여 합착시킨다. 상기 클립(22)을 이용한 패널의 고정 상태는 도 4에 도시되어 있다.That is, the rear substrate 11 having the exhaust hole 11 'formed on the surface substrate 12 on which the sealant is printed in the previous step is aligned and fixed by the clip 22 to be bonded. The fixing state of the panel using the clip 22 is shown in FIG.

합착된 패널(20)을 매거진의 내부에 위치시킨 후, 배면 기판(11)의 배기홀(11')에 배기관(23)과 배기관 부착을 위한 프릿(24)을 위치시킨다. 이후, 매거진 내부의 온도가 약 450℃가 되도록 가열하여 30분간 유지시킴으로써 실런트(21)를 녹여 표면 기판(12)과 배면 기판(11)을 실링하는 동시에 프릿(24)을 녹여 배기관(23)을 배면 기판(11)에 부착시킨다.After the bonded panel 20 is positioned inside the magazine, the exhaust pipe 23 and the frit 24 for attaching the exhaust pipe are positioned in the exhaust hole 11 ′ of the rear substrate 11. Thereafter, the temperature inside the magazine is heated to about 450 ° C. and maintained for 30 minutes to melt the sealant 21 to seal the surface substrate 12 and the rear substrate 11 and melt the frit 24 to dissolve the exhaust pipe 23. It is attached to the back substrate 11.

배기관(23)이 배면 기판(11)에 부착되면 진공 펌프(27)를 이용하여 패널(20) 내부를 10-6Torr가 되도록 배기시킨다. 즉, 배기관(23)에 배기 헤드(25)를 부착하고 배기 파이프(26)를 통해 배기 헤드(25)와 진공 펌프(27)를 연결함으로써 진공 펌프(27)의 동작에 따라 패널(20) 내부가 배기되도록 한다. 이때, 패널(20) 내부의 보호막이 활성화 되도록 약 350℃에서 2 시간 정도 배기를 실시한다.When the exhaust pipe 23 is attached to the rear substrate 11, the inside of the panel 20 is evacuated to 10 −6 Torr using the vacuum pump 27. That is, by attaching the exhaust head 25 to the exhaust pipe 23 and connecting the exhaust head 25 and the vacuum pump 27 through the exhaust pipe 26 to the inside of the panel 20 in accordance with the operation of the vacuum pump 27. To be exhausted. At this time, the exhaust film is exhausted at about 350 ° C. for 2 hours to activate the protective film inside the panel 20.

배기가 완료되면 Ne, Xe 등의 방전가스를 패널(20) 내부에 주입하고 배기관(23)을 밀봉한다. 즉, 방전 가스 주입구(28)를 통하여 500 Torr 정도로 방전 가스를 패널(20) 내부에 주입하고, 일정한 압력을 유지한 상태에서 버너(29)를 이용하여 배기관(23)을 밀봉한다. 여기서, 미설명 부호 30은 배기관 밀봉제이다.When the exhaust is completed, the discharge gas such as Ne, Xe, etc. is injected into the panel 20 and the exhaust pipe 23 is sealed. That is, the discharge gas is injected into the panel 20 to about 500 Torr through the discharge gas inlet 28, and the exhaust pipe 23 is sealed using the burner 29 while maintaining a constant pressure. Here, reference numeral 30 denotes an exhaust pipe sealant.

배기관(23)의 밀봉이 완료되면 패널(20)이 완성되었으므로 클립(22)을 제거하고, 패널 제품을 매거진으로부터 취출한다.When the sealing of the exhaust pipe 23 is completed, since the panel 20 is completed, the clip 22 is removed and the panel product is taken out from the magazine.

상기한 공정이 이루어지는 종래의 배기 및 가스주입 장치는 도 5와 도 6에 도시된 바와 같이 공기 흡입구(44)와 공기 배출구(43)가 형성된 노체(40)와, 상기 노체(40)에 설치된 히터(42)와, 상기 노체(40)의 내부에 설치되고 패널(20)이 내부에 위치되는 매거진(41)과, 상기 히터(42)에 의해 가열된 공기를 상기 매거진(41)으로 송풍하는 팬(45) 및 모터(45')와, 상기 매거진(41)의 측방에 위치되어 매거진(41)으로 공급되는 열량을 조절하는 열량 조절판(46)으로 구성되어 있다.The conventional exhaust and gas injection device in which the above process is performed includes a furnace body 40 having an air inlet 44 and an air outlet 43 as shown in FIGS. 5 and 6, and a heater installed in the furnace body 40. (42), a magazine (41) installed inside the furnace body (40) and a panel (20) located therein, and a fan for blowing air heated by the heater (42) to the magazine (41). 45 and a motor 45 'and a calorific control plate 46 positioned on the side of the magazine 41 to regulate the amount of heat supplied to the magazine 41.

상기와 같이 구성된 종래의 배기 및 가스주입 장치는 매거진의 내부에 복수개의 패널을 위치시켜 배기 및 가스주입 공정이 복수개의 패널에 대하여 동시에 이루어지도록 한다.In the conventional exhaust and gas injection device configured as described above, a plurality of panels are placed inside the magazine so that the exhaust and gas injection process is simultaneously performed on the plurality of panels.

표면 기판(12)과 배면 기판(11)을 클립(22)으로 합착시킨 후 매거진(41)의 내부에 수동으로 위치시키고, 배면 기판(11)의 배기홀(11')에 배기관(23)과 프릿(24)을 부착시키고 히터(42)를 동작시킨다. 히터(42)의 동작에 따라 공기 흡입구(44)를 통해 흡입된 공기는 가열되고, 가열된 공기는 팬(45)에 의해 매거진(41) 쪽으로 이동된다. 따라서, 매거진(41)의 온도는 상승하게 되는데, 매거진(41)의 내부 온도가 약 450℃를 유지하도록 열량 조절판(46)을 조작하면 패널(20)이 실링되고 동시에 배기관(23)이 패널(20)의 배기홀(11')에 부착된다.The surface substrate 12 and the rear substrate 11 are bonded to each other with the clip 22, and then manually positioned in the magazine 41, and the exhaust pipe 23 and the exhaust hole 11 'of the rear substrate 11 are disposed. The frit 24 is attached and the heater 42 is operated. According to the operation of the heater 42, the air sucked through the air inlet 44 is heated, and the heated air is moved toward the magazine 41 by the fan 45. Accordingly, the temperature of the magazine 41 is increased. When the calorific control plate 46 is operated to maintain the internal temperature of the magazine 41 at about 450 ° C., the panel 20 is sealed and at the same time the exhaust pipe 23 is connected to the panel ( 20 is attached to the exhaust hole 11 '.

이후, 배기 헤드(25)를 배기관(23)에 부착하여 패널(20) 내부를 10-6Torr 정도로 배기시키고, 배기 파이프(26)를 통하여 방전 가스를 500 Torr 정도로 패널(20) 내부에 주입시킨다. 방전 가스의 주입이 완료되면 버너(29)를 이용하여 배기관(23)을 밀봉함으로써 패널(20)을 완성시킨다.Thereafter, the exhaust head 25 is attached to the exhaust pipe 23 to exhaust the inside of the panel 20 to about 10 −6 Torr, and the discharge gas is injected into the panel 20 through the exhaust pipe 26 to about 500 Torr. . When the injection of the discharge gas is completed, the panel 20 is completed by sealing the exhaust pipe 23 by using the burner 29.

여기서, 패널(20)의 배기관(23)과 배기 헤드(25)의 연결부를 살펴보면 배기 헤드(25)가 도 6에 도시된 바와 같이 냉각수가 출입되는 냉각수 입구(25a) 및 냉각수 출구(25b)가 각각 형성된 배기 헤드 케이스와, 상기 배기 헤드 케이스의 내부에 위치되고 패널(20)로부터 돌출된 배기관(23)의 둘레에서 가스가 새지 않도록 기밀시키는 오-링(25c)으로 구성됨을 알 수 있다.Here, the connection between the exhaust pipe 23 and the exhaust head 25 of the panel 20 shows that the exhaust head 25 has the coolant inlet 25a and the coolant outlet 25b through which the coolant flows in and out as shown in FIG. 6. It can be seen that each of the exhaust head case is formed, and the O-ring (25c) which is airtight so as not to leak gas around the exhaust pipe 23 protruding from the panel 20 and located inside the exhaust head case.

도 7은 배기 및 가스주입 공정에서의 온도 프로파일이 도시된 도면으로서, 공정 진행시 시간과 그에 따른 세부 공정별 온도 분포 및 압력 분포를 나타내고 잇다.FIG. 7 is a view illustrating a temperature profile in an exhaust and gas injection process, and illustrates a time and a detailed temperature distribution and pressure distribution according to a process progress time accordingly.

우선, 승온공정은 상온에서 450℃까지 승온시키는 공정이며, 약 3시간 정도가 걸린다. 이때, 400℃에서 10분 정도의 시간을 유지하는 것은 패널이 열로 인하여 받은 열적 스트레스를 해소시키기 위한 부분이다. 일반적으로 유리 기판의 재료인 소다석회의 승온 속도는 6㎜ 두께에서 50℃/min으로 규정되어 있으나, 이를 PDP 패널에 직접 적용하기에는 무리가 있다. 왜냐하면 PDP 패널은 여러 가지 재료를 사용하고 고온에서의 소성 과정을 거치게 되므로 물리적 성질이 기본 원료와는 커다란 차이가 있기 때문이다. 따라서, 승온 속도를 결정하는 것은 패널 메이커만의 노하우에 해당된다고 할 수 있다.First, the temperature raising step is a step of raising the temperature from room temperature to 450 ° C., and takes about 3 hours. At this time, maintaining a time of about 10 minutes at 400 ℃ is a part for releasing the thermal stress received by the panel due to heat. In general, the temperature rise rate of soda lime, which is a material of a glass substrate, is defined as 50 ° C./min at a thickness of 6 mm, but it is unreasonable to apply it directly to a PDP panel. Because PDP panels are made of various materials and subjected to firing at high temperatures, their physical properties are significantly different from those of basic raw materials. Therefore, it can be said that determining the temperature increase rate corresponds to the know-how of panel makers.

실링 공정은 표면 기판과 배면 기판을 접착하기 위하여 사용되는 실런트의 특성을 고려하여 시간을 결정하며, 현재의 공정에서는 실런트의 경화 온도 및 시간에 맞추어 450℃에서 30분 정도로 하고 있다. 이 부분의 시간과 온도를 줄이기 위해서는 새로운 실런트의 개발이 필요하다.The sealing process is determined in consideration of the characteristics of the sealant used to bond the surface substrate and the back substrate, and in the current process, the sealing process is performed at 450 ° C. for about 30 minutes in accordance with the curing temperature and time of the sealant. To reduce the time and temperature in this area, new sealants need to be developed.

보호막 활성화 공정은 표면 기판에 코팅되어 있는 보호막의 성능을 최대로 유지시키기 위하여 350℃, 10-6Torr의 조건 하에서 2시간 정도 보호막을 활성화시킨다. 보호막은 대기층에 노출될 경우 대기중의 수분과 탄산가스와의 반응으로 인해 보호막이 오염되므로, 활성화를 통해 대기와의 반응을 억제한다.The protective film activation process activates the protective film for about 2 hours under conditions of 350 ° C. and 10 −6 Torr in order to maximize the performance of the protective film coated on the surface substrate. When the protective film is exposed to the atmospheric layer, the protective film is contaminated due to the reaction between moisture in the atmosphere and carbon dioxide gas, so that the protective film suppresses the reaction with the atmosphere through activation.

강온 공정은 보호막 활성화 공정이 끝난후 패널을 350℃에서 상온으로 냉각시키는 공정이며, 서서히 냉각시키게 되므로 9.5시간 정도가 걸리게 되어 공정의 목부(Neck) 공정에 해당된다. 이 공정은 패널이 열적 스트레스를 가장 많이 받는 공정이므로 강온 속도가 무엇보다 중요한데, 강온 속도가 맞지 않으면 패널에 크랙이 발생되어 소상되기 때문이다. 따라서, 가장 이상적인 강온 속도는 자연적으로 냉각시키는 것인데, 제품의 생산성에 비해 너무 큰 목부를 형성하기 때문에, 크랙의 발생없이 강온 속도를 빠르게 하는 것이 향후의 과제이다.The temperature reduction process is a process of cooling the panel to room temperature at 350 ° C. after the protective film activation process is completed, and it takes about 9.5 hours because it gradually cools, which corresponds to the neck process of the process. This process is the most thermally stressed process, so the temperature-fall rate is most important, because if the temperature rate is not correct, the panel is cracked and burned. Therefore, the most ideal temperature-fall rate is to naturally cool, because it forms a neck too large for the productivity of the product, it is a future problem to increase the temperature-fall rate without the occurrence of cracks.

방전 가스 주입 공정은 패널이 상온으로 냉각되어진 이후 패널 내부에 방전 가스(Ne, Xe)를 500 Torr 정도 주입하고 배기관을 밀봉한다. 배기관의 밀봉 공정은 보통 버너를 이용하여 수동으로 하고 있으므로 생산성 저하의 다른 원인이 된다. 이상의 공정으로 PDP 패널의 제작이 완료된다.The discharge gas injection process injects about 500 Torr of discharge gas (Ne, Xe) into the panel after the panel is cooled to room temperature and seals the exhaust pipe. Since the sealing process of the exhaust pipe is usually performed manually by using a burner, it becomes another cause of productivity decrease. The production of the PDP panel is completed by the above steps.

그러나, 상기와 같이 구성된 종래의 PDP 제조 방법과 PDP의 배기 및 가스주입 장치는 복수개의 패널을 하나의 챔버에 넣고 전공정을 동시에 진행하는 배치 방식으로 되어 있고 여러 공정이 수동으로 진행되어 작업 시간이 길어지고 효율성이 낮은 문제점이 있다.However, the conventional PDP manufacturing method and the PDP exhaust and gas injection device configured as described above are arranged in a batch manner in which a plurality of panels are put in one chamber and the whole process is carried out at the same time. There is a problem of lengthening and low efficiency.

첫째, 한 챔버 내에서 모든 공정을 진행하기 때문에 외부적인 요인으로 시스템이 중단되는 경우 챔버 내의 모든 패널이 손상된다.First, all processes in one chamber damage all panels in the chamber if the system is shut down due to external factors.

둘째, 배치 타입으로 공정 시간이 길고 장비의 스페이스가 크며 일정한 수율에 비해 투자비가 많이 든다.Second, the batch type requires a long process time, large equipment space, and high investment costs compared to a constant yield.

셋째, PDP 패널의 내부로 방전 가스를 주입하기 위하여 별도의 배기관을 부착하고 배기관을 수동으로 밀봉하므로 공정 시간이 길어지고, 수작업으로 인한 배기관의 파손 등으로 인해 수율 저하 및 제품의 생산량 저하를 초래한다.Third, a separate exhaust pipe is attached and the exhaust pipe is manually sealed to inject discharge gas into the inside of the PDP panel, so the process time is long, resulting in lower yield and lower product yield due to damage of the exhaust pipe by manual labor. .

넷째, 상당한 공정을 수작업으로 진행하기 때문에 장비의 자동화 및 연속 공정 진행이 어렵다.Fourth, the automation of the equipment and the continuous process is difficult because the considerable process is performed manually.

다섯째, 한 챔버 내에서 승온 및 강온을 반복적으로 수행하기 때문에 열효율이 낮다.Fifth, the thermal efficiency is low because the temperature and temperature are repeatedly performed in one chamber.

일본국 특개평10-21382호에는 PDP 패널의 표면 기판과 배면 기판의 실링 공정을 먼저 수행한 후 배기와 밀봉을 연속적으로 처리할 수 있도록 하는 PDP 배기 & 밀봉 방법과 그 설비가 개시되어 있다. 표면 기판과 배면 기판이 실링된 패널을 수직으로 세워 배기 카트의 지지대에 고정하고, 배면 기판에 설치된 배기관에 배기 헤드를 연결하고 가열로 속으로 배기 카트가 순환하면서 배기와 방전 가스 주입 및 봉지 공정을 수행하도록 되어 있다. 이때, 배기관의 봉지는 배기관 주위에 히터를 설치하여 봉지용 부재를 녹임으로써 배기관을 봉지하도록 되어 있다.Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 10-21382 discloses a PDP exhausting and sealing method and a facility for performing a sealing process of a surface substrate and a rear substrate of a PDP panel first, followed by continuous exhaust and sealing processing. The panel on which the surface substrate and the back substrate are sealed is vertically fixed to the support of the exhaust cart, the exhaust head is connected to the exhaust pipe installed on the rear substrate, and the exhaust cart is circulated into the heating furnace to perform the exhaust and discharge gas injection and encapsulation processes. It is supposed to perform. At this time, the sealing of the exhaust pipe is to seal the exhaust pipe by installing a heater around the exhaust pipe to melt the sealing member.

상기한 PDP 배기 & 밀봉 방법은 배기와 방전 가스 주입 및 봉지를 자동화하여 라인 작업이 가능하도록 한점에서는 일부 이점이 있으나, 별도의 시스템에서 표면 기판과 배면 기판을 실링하여야 하므로 작업이 복잡하고, 카트의 이동시 배기관에 크랙이 발생할 수 있어 취급상 어려움과 위험성이 있으며, 배기 카트를 이용하므로 배기 카트의 리턴을 위한 별도의 스페이스를 요구하는 단점이 있다.The above-mentioned PDP exhaust & sealing method has some advantages to automate the exhaust and discharge gas injection and encapsulation to enable line work, but the work is complicated because the surface substrate and the back substrate must be sealed in a separate system. Cracks may occur in the exhaust pipe during the movement, and there are difficulties in handling and risks, and there is a disadvantage in that a separate space for return of the exhaust cart is required because the exhaust cart is used.

또, 일본국 특개평 10-31957호에는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법이 개시되어 있다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이 패널(P)에 일측이 봉지용 부재(J2)에 의해 막혀진 배기관(J1)을 부착한 후, 챔버의 온도를 승온시켜 패널(P)의 표면 기판(J4)과 배면 기판(J5)이 서로 합착되도록 하고 동시에 배기관(J1)이 표면 기판에 봉착제(J3)에 의해 견고하게 부착되도록 한다. 패널(P) 내부의 가스를 배기하거나 방전 가스를 패널(P)에 주입할 경우에는 히터(J8)를 이용하여 배기관(J1)을 막고 있는 봉지용 부재(J2)를 제거하고, 가스 봉입 장치(J9)를 통하여 패널(P) 내의 가스 제거 및 방전 가스의 주입이 이루어지도록 한다. 방전 가스의 주입이 완료되면 관제거용 히터(J7)를 이용하여 막혀진 배기관(J1)을 제거함과 동시에 봉지하도록 하고 있다.In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 10-31957 discloses a method of manufacturing a plasma display panel. That is, as shown in FIG. 8, after attaching the exhaust pipe J1, one side of which is blocked by the sealing member J2, to the panel P, the temperature of the chamber is raised to increase the surface substrate J4 of the panel P. ) And the back substrate J5 are bonded to each other and at the same time the exhaust pipe J1 is firmly attached to the surface substrate by the sealant J3. When exhausting the gas inside the panel P or injecting the discharge gas into the panel P, the sealing member J2 blocking the exhaust pipe J1 is removed using the heater J8, and the gas encapsulation device ( Through J9), the gas is removed in the panel P and the discharge gas is injected. When the injection of the discharge gas is completed, the blocked exhaust pipe J1 is removed using the tube removal heater J7 and sealed at the same time.

상기한 플라즈마 디스플레이 제조 방법은 챔버 내부에서 표면 기판과 배면 기판을 실링하고 일측이 봉지용 부재에 의해 막혀 있는 배기관을 부착한 후 외부로 취출한 후 가스 봉입 장치를 이용하여 배기 및 가스 주입을 수행하도록 한 것으로서, 봉지용 부재에 의해 막혀있는 배기관을 이용함으로써 배기 시간을 단축하고 생산성을 향상시키며 배기관과 진공배기계를 직접 접속시키지 않아 배기관의 파손을 방지할 수 있는 이점이 있으나, 배기관을 사용하므로 취급상 어려움이 있고 하나의 챔버에서 공정을 완료하는 배치 타입으로 공정 자동화가 곤란하며 상당한 공정을 수작업으로 실시하여야 하므로 작업 시간이 길어진다.In the plasma display manufacturing method, the surface substrate and the rear substrate are sealed inside the chamber, and one side is attached to the exhaust pipe blocked by the sealing member, and then taken out to perform exhaust and gas injection using a gas filling device. As an example, the use of the exhaust pipe blocked by the sealing member shortens the exhaust time, improves the productivity, and prevents damage of the exhaust pipe by not directly connecting the exhaust pipe and the vacuum exhaust machine. It is difficult to automate the process because it is difficult and batch type to complete the process in one chamber, and the work time is long because a considerable process must be performed by hand.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, PDP 제조 작업을 인라인화 하여 작업이 용이하게 함과 동시에 배기관을 사용하지 않고 챔버 자체를 배기시켜 패널 내부가 배기되도록 함으로써, 자동화가 가능하고 열효율이 증가되어 제조 비용을 절감할 수 있도록 하는 PDP 제조 방법과 PDP의 배기 및 가스 주입 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, by inlining the PDP manufacturing operation to facilitate the operation and at the same time by exhausting the chamber itself without using an exhaust pipe to exhaust the inside of the panel, It is an object of the present invention to provide a PDP manufacturing method and an exhaust and gas injecting device of the PDP, which is capable of reducing the manufacturing cost by increasing the thermal efficiency.

도 1a는 일반적인 PDP가 도시된 사시도,Figure 1a is a perspective view of a typical PDP,

도 1b는 PDP의 셀이 도시된 단면도,1B is a cross-sectional view showing a cell of the PDP;

도 2는 PDP의 제조 공정이 도시된 순서도,2 is a flowchart illustrating a manufacturing process of the PDP;

도 3은 배기 및 가스주입 공정이 도시된 공정도,3 is a process diagram showing the exhaust and gas injection process,

도 4는 패널의 고정 상태가 도시된 도면,4 is a view showing a fixed state of the panel,

도 5는 종래의 배기 및 가스주입 장치가 도시된 구성도,5 is a configuration diagram showing a conventional exhaust and gas injection device,

도 6은 도 5의 "A" 부분이 도시된 상세도,FIG. 6 is a detailed view of portion “A” of FIG. 5;

도 7은 종래의 배기 및 가스주입시의 온도 프로파일이 도시된 그래프,7 is a graph showing a temperature profile at the time of the conventional exhaust and gas injection,

도 8은 일본국 특개평10-31957호에 개시된 플라즈마 디스플레이 패널 제조 방법에 따른 배기 및 가스주입 장치가 도시된 구성도,8 is a block diagram showing an exhaust and gas injection device according to the plasma display panel manufacturing method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 10-31957;

도 9는 본 발명에 의한 PDP의 배기 및 가스주입 방법에 따른 공정도,9 is a process chart according to the exhaust and gas injection method of the PDP according to the present invention,

도 10은 본 발명에 의한 PDP의 배기 및 가스주입 시스템이 도시된 구성도,10 is a configuration diagram showing an exhaust and gas injection system of the PDP according to the present invention;

도 11은 본 발명의 요부 구성인 배기 챔버가 도시된 구성도,11 is a configuration diagram showing an exhaust chamber which is a main configuration of the present invention;

도 12a는 세터의 패널지지 상태가 도시된 구성도,12A is a configuration diagram showing a panel support state of the setter;

도 12b는 세터의 요부 구성인 클램프 장치가 도시된 상세도,12B is a detailed view showing a clamp device that is a main configuration of the setter;

도 13은 본 발명에 적용되는 배면 기판의 구조가 도시된 도면,13 is a view showing a structure of a rear substrate applied to the present invention,

도 14는 본 발명의 PDP의 배기 및 가스주입 방법에 따른 온도 프로파일이 도시된 그래프이다.14 is a graph showing a temperature profile according to the exhaust and gas injection method of the PDP of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

50 : PDP 패널 51 : 표면 기판50: PDP panel 51: surface substrate

52 : 배면 기판 52' : 배기홀52 back substrate 52 'exhaust hole

53 : 실런트 54 : 히터53: sealant 54: heater

55 : 냉각수 파이프 56 : 챔버55 coolant pipe 56 chamber

60 : 챔버부 60a : 가열부60: chamber portion 60a: heating portion

60b : 배기부 60c : 냉각부60b: exhaust part 60c: cooling part

61 : 게이트 62 : 진공장치부61: gate 62: vacuum unit

63 : 진공펌프 63' : 배기 파이프63: vacuum pump 63 ': exhaust pipe

64 : 가스주입 밸브 65 : 봉지 장치64 gas injection valve 65 sealing device

65b : 히터 65e : 캡(밀봉용)65b: Heater 65e: Cap (for sealing)

66 : 세터 지지롤러 67 : 세터 이송롤러66: setter support roller 67: setter feed roller

70 : 세터 71 : 세터 베이스70: setter 71: setter base

72 : 클램프 장치 72a : 지지판72: clamp device 72a: support plate

72b : 지지링크 72c : 스프링72b: support link 72c: spring

72d : 압력조절 레버 72f : 지지패드72d: Pressure regulating lever 72f: Support pad

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 PDP 제조 방법은 표면 기판과 배면 기판을 정렬하고 둘 사이가 일정 정도 이격되도록 실런트를 사이에 두고 고정하는 제1단계와, 기판이 위치된 챔버의 온도를 승온시켜 실런트를 녹임으로써 표면 기판과 배면 기판을 실링하여 패널로 형성하는 제2단계와, 진공 시스템을 이용하여 챔버를 배기시킴으로써 패널 내부가 배기되도록 하는 제3단계와, 챔버에 방전 가스를 주입하여 배기홀을 통해 패널 내부에 방전 가스를 충진하고 배기홀을 봉지하는 제4단계와, 봉지가 완료된 패널을 챔버 밖으로 취출하는 제5단계로 구성된 것을 특징으로 한다.PDP manufacturing method of the present invention for achieving the above object is a first step of aligning the surface substrate and the rear substrate and fixed with a sealant therebetween so as to be spaced apart by a certain degree, and the temperature of the chamber in which the substrate is located The second step of sealing the surface substrate and the back substrate to form a panel by melting the sealant, and the third step of evacuating the interior of the panel by evacuating the chamber using a vacuum system; The fourth step of filling the discharge gas into the panel through the hole and sealing the exhaust hole, and the fifth step of taking out the sealed panel out of the chamber.

본 발명의 PDP의 배기 및 가스주입 장치는 표면 기판과 배면 기판으로 이루어진 패널이 이동되는 라인을 따라 형성된 복수개의 챔버와, 라인상에서 각 챔버에서의 공정 시간이 동일하도록 챔버를 구분하는 게이트와, 상기 챔버에 설치되어 챔버 내를 가열함으로써 패널을 기밀시키는 가열 수단과, 상기 챔버에 설치되어 챔버 내를 냉각시키는 냉각 수단과, 상기 챔버에 연결되어 챔버 내부를 배기시키는 배기 수단과, 상기 챔버에 연결되어 챔버 내부로 방전 가스를 주입함으로써 패널 내부에 방전 가스를 충진시키는 방전가스 주입수단과, 상기 챔버 내부의 패널에 형성된 배기홀을 봉지하는 봉지 수단으로 구성된 것을 특징으로 한다.The exhaust and gas injection device of the PDP of the present invention comprises a plurality of chambers formed along a line through which a panel consisting of a surface substrate and a rear substrate is moved, a gate separating the chambers so that the process time in each chamber on the line is the same; Heating means installed in the chamber to seal the panel by heating the chamber, cooling means installed in the chamber to cool the chamber, exhaust means connected to the chamber to exhaust the inside of the chamber, and Discharge gas injection means for filling the discharge gas into the panel by injecting the discharge gas into the chamber, and sealing means for sealing the exhaust hole formed in the panel inside the chamber.

상기 챔버중 일부에는 패널 내부를 배기시키고 방전 가스를 충진시키는 배기 및 가스주입부가 설치되며; 상기 배기 및 가스주입부는 챔버의 내부에 설치된 히터와, 상기 챔버의 내부에 위치되고 PDP 패널을 고정시키는 세터와, 상기 세터를 이동시키는 세터 이송 수단과, 상기 세터를 지지하는 세터 지지수단과, 상기 챔버의 내부에 연결되어 챔버와 패널 내부를 배기시키는 배기수단과, 상기 배기 수단에 연결되어 패널 내부로 방전 가스를 주입하는 가스주입 수단과, 상기 챔버 내부의 패널에 형성된 배기홀을 봉지하는 봉지 수단으로 구성된 것을 특징으로 한다.Some of the chambers are provided with an exhaust and gas injection unit for exhausting the inside of the panel and filling the discharge gas; The exhaust and gas injection unit is provided with a heater installed inside the chamber, a setter positioned inside the chamber to fix the PDP panel, setter transfer means for moving the setter, setter support means for supporting the setter, and An exhaust means connected to the inside of the chamber to exhaust the chamber and the panel, a gas injection means connected to the exhaust means to inject discharge gas into the panel, and an encapsulation means to seal the exhaust hole formed in the panel inside the chamber. Characterized in that consisting of.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 의한 PDP 제조 공정은 도 9에 도시된 바와 같이 상하판 합착 공정과, 실링 공정, 배기 공정, 방전가스 주입 및 봉지 공정 및 취출 공정으로 구성된다.As shown in FIG. 9, the PDP manufacturing process according to the present invention includes a top and bottom plate bonding process, a sealing process, an exhaust process, a discharge gas injection and encapsulation process, and a takeout process.

즉, 선작업을 통해 제조한 표면 기판(51)과 배면 기판(52)을 정렬하고 둘 사이가 일정 정도 이격되도록 실런트(53)를 사이에 두고 고정하여 합착시킨다. 기판의 합착이 완료되면 기판이 위치된 챔버(56)의 온도를 약 450℃ 정도로 승온시켜 실런트(53)를 녹이게 되고, 실런트(53)가 녹으면서 표면 기판(51)과 배면 기판(52) 사이를 접착하여 실링하고 표면 기판(51)과 배면 기판(52)이 일체화된 패널(50)로 제조한다.That is, the surface substrate 51 and the rear substrate 52 manufactured by the line work are aligned, and the sealant 53 is interposed so as to be spaced apart from each other by a fixed amount, and then bonded. When the bonding of the substrate is completed, the temperature of the chamber 56 in which the substrate is positioned is raised to about 450 ° C. to melt the sealant 53, and the sealant 53 melts to form the surface substrate 51 and the rear substrate 52. Sealing is carried out by bonding between them, and the surface substrate 51 and the back substrate 52 are integrated into a panel 50.

이후, 챔버(56)에 진공 시스템(58)을 연결하여 배기시키게 되고, 챔버(56)의 배기와 함께 패널 내부의 불량 가스를 배기시켜 패널 내부가 10-6Torr가 되도록 한다. 배기가 완료되면 방전가스 주입장치(59)를 이용하여 챔버(56)에 방전 가스(Ne,Xe)를 주입하여 배기홀(52')을 통해 패널(50) 내부에 방전 가스를 충진하고 배기홀(52')을 봉지한다. 이때, 챔버 내부에 잔류된 방전가스는 방전가스 재생장치(59')를 이용하여 회수한 후 재생처리하여 재사용한다. 이후, 봉지가 완료된 패널(50)을 챔버(56)밖으로 취출하여 패널 제조를 완료한다.Thereafter, the vacuum system 58 is connected to the chamber 56 and exhausted, and the exhaust gas of the chamber 56 is exhausted together with the exhaust of the chamber 56 so that the interior of the panel becomes 10 −6 Torr. When the exhaust is completed, the discharge gas (Ne, Xe) is injected into the chamber 56 by using the discharge gas injector 59 to fill the discharge gas into the panel 50 through the exhaust hole 52 'and exhaust the exhaust hole. Seal 52 '. At this time, the discharge gas remaining in the chamber is recovered by using the discharge gas regeneration device 59 'and then recycled and reused. Subsequently, the panel 50 in which the sealing is completed is taken out of the chamber 56 to complete the panel manufacturing.

상기한 공정을 수행하기 위한 PDP의 배기 및 가스주입 장치가 공정 프로세스에 따라 도 10에 도시되어 있다. 도 10에 도시된 PDP의 배기 및 가스주입 장치는 라인상에서 동일한 공정시간에 따라 게이트(61)에 의해 구분되어진 복수개의 챔버부(60)가 구비된 프로세스 진행부(B)와 패널 반송용 세터를 언로딩부에서 로딩부로 리턴시키는 리턴부(A)로 구성된다. 각 챔버부(60)는 가열부(60a)와 배기부(60b) 및 냉각부(60c)로 구분되고, 배기부(60b)에는 챔버(60)의 배기를 위한 진공장치부(62)가 구비된다. 특히, 배기부(60b)를 이루는 배기 챔버는 본 발명의 요부 구성으로 도 11에 도시되어 있다.An exhaust and gas injection device of the PDP for performing the above process is shown in FIG. 10 according to the process process. The exhaust and gas injection device of the PDP shown in FIG. 10 includes a process progressing unit B and a panel conveying setter provided with a plurality of chamber portions 60 separated by gates 61 according to the same process time on a line. It consists of a return unit (A) for returning from the unloading unit to the loading unit. Each chamber part 60 is divided into a heating part 60a, an exhaust part 60b, and a cooling part 60c, and the exhaust part 60b is provided with a vacuum device part 62 for exhausting the chamber 60. do. In particular, the exhaust chamber constituting the exhaust portion 60b is shown in FIG. 11 in the principal configuration of the present invention.

도 11에 도시된 배기 챔버는 배기 및 가스주입부로서, 패널(50)이 내부에 위치되고 냉각 파이프(55)가 형성된 챔버(56)와, 상기 챔버(56)의 내부에 설치된 히터(54)와, 상기 챔버(56)의 내부에 위치되고 PDP 패널(50)을 고정시키는 세터(70)와, 상기 세터(70)를 이동시키는 세터 이송 롤러(67) 및 구동 모터(67')와, 상기 세터(70)를 지지하는 세터 지지롤러(66)와, 상기 챔버(56)의 내부에 연결되어 챔버(56)와 패널(50) 내부를 배기시키는 진공 펌프(63) 및 배기 파이프(63')와, 상기 배기 파이프(63')에 연결되어 패널(50) 내부로 방전 가스를 주입하는 가스주입 밸브(64)와, 상기 챔버(56) 내부의 패널(50)에 형성된 배기홀을 봉지하는 봉지 장치(65)로 구성된다.The exhaust chamber illustrated in FIG. 11 is an exhaust and gas injection unit, and includes a chamber 56 in which a panel 50 is located and a cooling pipe 55 formed therein, and a heater 54 installed in the chamber 56. And a setter 70 positioned inside the chamber 56 to fix the PDP panel 50, a setter feed roller 67 and a drive motor 67 ′ to move the setter 70. A setter support roller 66 supporting the setter 70, a vacuum pump 63 and an exhaust pipe 63 ′ connected to the inside of the chamber 56 to exhaust the inside of the chamber 56 and the panel 50. And a gas injection valve 64 connected to the exhaust pipe 63 ′ for injecting discharge gas into the panel 50 and an exhaust hole formed in the panel 50 inside the chamber 56. It is composed of a device (65).

상기 봉지 장치(65)는 PDP 패널(50)의 배기홀을 막아주는 캡(65e)과, 상기 캡(65e)의 상면에 도포되어 캡(65e)과 패널(50)을 기밀시키는 용융제(65d)와, 상기 캡(65e)이 얹혀지고 상기 용융제(65d)를 녹이는 히터(65b)가 장치된 히터 블록(65c)과, 상기 히터 블록(65c)의 하부에 위치된 지지대(65a)를 상하 이동시키는 구동 모터(65f)로 구성된다.The encapsulation device 65 includes a cap 65e that blocks an exhaust hole of the PDP panel 50 and a melter 65d that is applied to an upper surface of the cap 65e to seal the cap 65e and the panel 50. ), A heater block 65c on which the cap 65e is placed, and equipped with a heater 65b for melting the melt 65d, and a support 65a positioned below the heater block 65c. It consists of the drive motor 65f which moves.

상기 세터(70)는 도 11과 도 12에 도시된 바와 같이 PDP 패널(50)이 얹혀지는 세터 베이스(71)와, 상기 세터 베이스(71)에 고정되어 상기 PDP 패널(50)을 잡아주는 클램프 장치(72)로 구성되고, 상기 클램프 장치(72)는 상기 세터 베이스(72)에 밀착되는 지지판(72a)과, 스프링(72c)의 힘을 이용하여 PDP 패널(50)의 가장자리 부분을 지지하는 지지링크(72b)와, 상기 지지링크(72b)를 일정 정도 회동시키는 손잡이(72e)와, 상기 스프링(72c)의 탄성력을 조절하기 위한 압력 조절 레버(72d)와, 상기 지지판(72a)을 상기 세터 베이스(71)에 결합시키는 고정 볼트(72g)와, 상기 지지링크(72b)의 선단 부분에 설치되어 PDP 패널(50)에 접촉되어 패널을 보호하는 지지패드(72f)로 구성된다.The setter 70 has a setter base 71 on which the PDP panel 50 is placed as shown in FIGS. 11 and 12, and a clamp fixed to the setter base 71 to hold the PDP panel 50. The device 72 is configured to support the edge of the PDP panel 50 using the force of the spring 72c and the support plate 72a in close contact with the setter base 72. The support link 72b, the handle 72e for rotating the support link 72b to a certain degree, the pressure adjusting lever 72d for adjusting the elastic force of the spring 72c, and the support plate 72a A fixing bolt 72g coupled to the setter base 71 and a support pad 72f installed at the tip of the support link 72b to be in contact with the PDP panel 50 to protect the panel.

상기와 같이 구성된 본 발명의 PDP의 배기 및 가스주입 장치는 로딩→가열1→가열2→가열/접착→냉각1→보호막활성화/배기→가스주입/밀봉→냉각2→냉각3→언로딩의 공정에 따라 작동되며, 그 상세한 동작은 다음과 같다.PDP exhaust and gas injection device of the present invention configured as described above is a process of loading → heating 1 → heating 2 → heating / adhesion → cooling 1 → protective film activation / exhaust → gas injection / sealing → cooling 2 → cooling 3 → unloading It operates according to, the detailed operation is as follows.

로딩 공정에서는 표면 기판(51)과 배면 기판(52)이 합착된 패널(50)을 도입시키기 위하여 세터 베이스(71) 위에 패널(50)을 얹어 정렬한 후 클램프 장치(72)를 이용하여 고정한다. 클램프 장치(72)를 이용하여 패널(50)을 고정시키는 이유는 표면 기판(51)과 배면 기판(52)을 실링할 때 표면 기판(51)과 배면 기판(52) 사이의 실런트(53)를 용융시켜 접합할 때 표면 기판(51)에 일정한 압력을 가해주기 위한 것이다. 만약, 압력을 가하지 않는 경우에는 패널(50)의 실링을 완료한 경우라도 압력 누설이 발생될 수 있다.In the loading process, the panel 50 is placed on the setter base 71 in order to introduce the panel 50 to which the surface substrate 51 and the rear substrate 52 are bonded, and then fixed using the clamp device 72. . The reason for fixing the panel 50 by using the clamp device 72 is to seal the sealant 53 between the surface substrate 51 and the rear substrate 52 when sealing the surface substrate 51 and the rear substrate 52. It is for applying a constant pressure to the surface substrate 51 at the time of melting and bonding. If no pressure is applied, pressure leakage may occur even when the sealing of the panel 50 is completed.

가열1 공정에서는 표면 기판(51)과 배면 기판(52) 사이를 실링하기 위해서 히터(54)로 패널(50)의 온도가 약 140℃ 정도가 될 때까지 2.7℃/min의 속도로 가열한다. 표면 기판(51)과 배면 기판(52) 사이의 실런트(53)를 용융시키기 위해서는 약 450℃ 정도까지 가열해야 하나, 갑자기 고온으로 가열하면 패널(50)에 열응력이 발생되어 크랙이 발생되기 때문에 일정한 승온 속도로 온도를 상승시킨다.In the heating 1 process, in order to seal between the surface board | substrate 51 and the back board | substrate 52, it heats at the speed | rate of 2.7 degreeC / min with the heater 54 until the temperature of the panel 50 becomes about 140 degreeC. In order to melt the sealant 53 between the surface substrate 51 and the rear substrate 52, the sealant 53 needs to be heated to about 450 ° C., but when suddenly heated to a high temperature, thermal stress is generated in the panel 50, causing cracks. The temperature is raised at a constant rate of temperature increase.

가열2 공정은 패널(50)의 온도를 다시 약 260℃ 정도가 되도록 2.0℃/min의 속도로 가열한다. 가열1, 2 공정의 구분은 온도별 승온 속도의 차이와 전 공정이 자동으로 연속 처리되도록 하기 위한 것으로서, 공정시간에 따라 가열1 공정의 시간이 결정되므로 2개의 구역으로 나눌 필요가 있다.In the heating 2 process, the temperature of the panel 50 is heated at a rate of 2.0 ° C./min so as to be about 260 ° C. again. The division of the heating 1 and 2 processes is to make the difference of the temperature increase rate according to the temperature and the entire process automatically and continuously. Since the time of the heating 1 process is determined according to the process time, it is necessary to divide it into two zones.

가열/접착 공정은 패널(50)의 온도를 약 450℃정도까지 상승시켜 30분 정도를 유지하면서 표면 기판(51)과 배면 기판(52) 사이의 실런트(53)를 녹여 둘 사이를 접착하고 실링한다. 냉각1 공정은 약 450℃ 정도까지 상승된 패널 내부의 온도를 350℃ 정도까지 냉각시키는 공정으로서, 실링시 발생된 오염원 및 패널 내부의 보호막 활성화 조건이 약 350℃인점을 고려하여 냉각시키는 공정이다.In the heating / adhesion process, the temperature of the panel 50 is raised to about 450 ° C. and maintained for about 30 minutes while melting the sealant 53 between the surface substrate 51 and the back substrate 52 to bond and seal the two. do. The cooling process 1 is a process of cooling the temperature inside the panel raised to about 450 ° C. to about 350 ° C., and cooling the contaminant generated during the sealing and the protection film activation condition inside the panel to about 350 ° C.

보호막활성화/배기 공정은 챔버(56)에 연결된 진공펌프(63)를 이용하여 패널 내부 압력을 10-6Torr, 온도를 350℃로 유지시키면서 패널(50) 내부의 보호막에 오염된 오염원을 제거하여 보호막의 특성을 향상시키며, 방전 가스를 챔버(56) 내부에 주입하고 패널(50)에 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시킴으로써 패널(50) 내부를 세정하고 배기시키는 공정이다.The protective film activation / exhaust process uses a vacuum pump 63 connected to the chamber 56 to remove contaminants contaminated by the protective film inside the panel 50 while maintaining the pressure inside the panel at 10 −6 Torr and the temperature at 350 ° C. The process of cleaning and exhausting the inside of the panel 50 by improving the characteristics of the protective film and injecting discharge gas into the chamber 56 and applying power to the panel 50 to generate plasma.

패널(50) 내부를 세정하는 이유는 보호막에 오염원이 포함되어 있으면 패널(50) 제작후 패널(50)에 전압을 인가하여 방전시킬 때 오염원이 방출되어 패널(50) 내부에 2차적인 오염이 일어나도록 하여 패널(50)의 특성을 저하시키기 때문이다. 또, 보호막 활성화 공정을 높은 온도 및 고진공에서 시행하는 이유는 보호막에서 방출되어지는 오염원 성분이 고진공에서 빨리 방출되어지고 온도가 높을수록 방출 속도가 빨라지기 때문이다. 그러나, 온도가 350℃를 초과하는 경우 보호막의 성질이 변화되어 패널(50)의 특성을 저하시키므로 주의해야 한다.The reason for cleaning the inside of the panel 50 is that if the protective film contains a pollutant, the pollutant is released when the panel 50 is discharged by applying a voltage to the panel 50 after fabrication of the panel 50, thereby causing secondary contamination inside the panel 50. This is because the characteristics of the panel 50 are reduced by causing them to occur. In addition, the reason why the protective film activation process is performed at high temperature and high vacuum is that the pollutant component released from the protective film is quickly released in high vacuum, and the higher the temperature, the faster the release rate. However, care must be taken when the temperature exceeds 350 ° C., since the properties of the protective film are changed to degrade the characteristics of the panel 50.

보호막 활성화 공정 이후에도 형광체 및 유전체 등의 재료에 고착되어 있는 오염원은 플라즈마를 이용하여 클리닝시키게 되는데, 챔버(56) 내부에 방전 가스를 주입하고 세터(70)에 고정된 전압 인가 커넥터(미 도시)에 전압을 인가하여 패널(50) 내부에서 플라즈마 방전을 발생시킴으로써 패널(50) 내부에 고착된 오염원을 탈리시켜 배기한다.After the protective film activation process, the contaminants stuck to the material such as the phosphor and the dielectric are cleaned by using plasma. The discharge gas is injected into the chamber 56 and the voltage applying connector (not shown) fixed to the setter 70 is applied. By applying a voltage to generate a plasma discharge inside the panel 50, the pollutant fixed in the panel 50 is detached and exhausted.

가스주입/봉지 공정은 보호막이 활성화된 이후에 패널(50) 내부에 방전 가스를 고압으로 충진하는 공정이다. 즉, 챔버(50) 내부에 방전 가스를 500 Torr의 압력으로 주입하면 패널(50)의 배기홀(52')로 인해 패널(50)의 내부도 동일한 압력의 방전 가스가 충진된다. 이후, 용융제(65d)가 도포된 캡(65e)을 히터(65b)로 용융시켜 패널(50)의 하부에 형성된 배기홀(52')을 밀봉시키게 된다.The gas injection / encapsulation process is a process of filling the discharge gas into the high pressure inside the panel 50 after the protective film is activated. That is, when the discharge gas is injected into the chamber 50 at a pressure of 500 Torr, the inside of the panel 50 is filled with the discharge gas at the same pressure due to the exhaust hole 52 ′ of the panel 50. Thereafter, the cap 65e to which the molten agent 65d is applied is melted by the heater 65b to seal the exhaust hole 52 'formed in the lower portion of the panel 50.

냉각2 공정과 냉각3 공정은 챔버(56) 내의 패널(50) 온도를 고온에서 상온까지 냉각시키는 공정으로서, 냉각2 공정은 350℃에서 200℃까지 서서히(4℃/min) 냉각시키고 냉각3 공정은 200℃에서 상온까지 냉각(6℃/min)시키는 공정이다. 패널(50)을 냉각시키기 위하여 냉각수 파이프(55) 및 퍼지 가스 도입 밸브(75)를 이용하여 냉각수 및 퍼지 가스를 도입하는데, 이는 패널(50)의 온도를 서서히 하강시켜 급격한 온도 변화로 인한 열적 변형을 최소화하기 위한 것이다.The cooling 2 process and the cooling 3 process are to cool the panel 50 in the chamber 56 from high temperature to room temperature, and the cooling 2 process is gradually cooled from 350 ° C. to 200 ° C. (4 ° C./min) and the cooling 3 step Is a step of cooling (6 ° C./min) from 200 ° C. to room temperature. In order to cool the panel 50, the coolant pipe 55 and the purge gas introduction valve 75 are used to introduce the coolant and the purge gas, which gradually lowers the temperature of the panel 50, causing thermal deformation due to a sudden temperature change. To minimize this.

언로딩 공정은 공정이 완료된 패널(50)을 세터(70)로부터 취출하고 세터(70)는 다시 상부의 롤러(68)를 이용하여 로더부로 회수하는 공정이다.The unloading process is a process of taking out the completed panel 50 from the setter 70 and collecting the setter 70 back to the loader by using the roller 68 at the upper portion.

도 10을 참조하여 챔버에 설치된 여러 가지 장치의 동작을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the operation of the various devices installed in the chamber with reference to Figure 10 as follows.

합착된 패널(50)을 세터(70)의 세터 베이스(71)에 위치시킨 후 세터 베이스(71)에 고정된 클램프 장치(72)를 이용하여 패널(50)을 지지한 상태로 로더 위에 위치시키면 구동 롤러(67)에 의해 세터(70)가 다음 공정으로 이송된다. 세터(70)가 가열1 존(zone)으로 이송되면 챔버(56)의 상하부에 설치된 히터(54)에 의해 패널(50)의 온도가 일정 온도까지 승온되어지고, 이때의 온도 조절은 챔버(56) 외벽에 형성된 냉각 파이프(55)를 흐르는 냉각수를 이용한다.When the bonded panel 50 is positioned on the setter base 71 of the setter 70 and then positioned on the loader while the panel 50 is supported by the clamp device 72 fixed to the setter base 71. The setter 70 is transferred to the next process by the drive roller 67. When the setter 70 is transferred to the heating 1 zone, the temperature of the panel 50 is raised to a predetermined temperature by the heater 54 installed above and below the chamber 56, and the temperature control at this time is performed by the chamber 56. ) Cooling water flowing through the cooling pipe 55 formed on the outer wall is used.

패널(50)의 온도가 일정 수준(140℃)까지 승온되면 모터(67')에 의해 구동된 롤러(67) 및 지지롤러(66)에 의해 패널(50)이 가열2 존으로 이송된다. 가열2 존에서는 패널(50)의 온도를 일정 수준(260℃)까지 상승시켜 가열/실링 존으로 이송시키고, 가열/실링 존에서는 패널의 온도를 일정 온도(450℃)까지 승온시켜 표면 기판(51)과 배면 기판(52)을 실링한 후 진공 배기시키면서 다음 존으로 패널(50)을 이송시키게 된다. 냉각1 존에서는 진공 펌프(63)를 이용하여 챔버(56) 내부를 진공시키면서 패널(50)을 일정 정도 냉각(400℃)시키게 된다.When the temperature of the panel 50 is raised to a predetermined level (140 ° C.), the panel 50 is transferred to the heating zone 2 by the roller 67 and the support roller 66 driven by the motor 67 '. In the heating 2 zone, the temperature of the panel 50 is raised to a predetermined level (260 ° C.) and transferred to the heating / sealing zone. In the heating / sealing zone, the temperature of the panel is raised to a constant temperature (450 ° C.) and the surface substrate 51 ) And the rear substrate 52 are sealed, and the panel 50 is transferred to the next zone while evacuating. In the cooling zone 1, the panel 50 is cooled (400 ° C.) to a certain degree while vacuuming the inside of the chamber 56 using the vacuum pump 63.

배기/보호막 활성 존에서는 온도를 400℃에서 350℃까지 냉각시킴과 동시에 10-6Torr까지 진공 배기시키면서 방전 가스를 챔버(56) 내로 유입시키게 된다. 방전 가스는 방전 가스 주입구(64)를 이용하여 챔버(56) 내부에 주입하는데, 온도를 350℃로 유지시킨 상태에서 10-6Torr의 진공을 1.5시간 정도 유지시킴으로써 패널(50) 내부의 오염원을 제거한다.In the exhaust / protective film active zone, the discharge gas is introduced into the chamber 56 while cooling the temperature from 400 ° C. to 350 ° C. while simultaneously evacuating to 10 −6 Torr. The discharge gas is injected into the chamber 56 by using the discharge gas inlet 64. The source of contamination inside the panel 50 is maintained by maintaining a vacuum of 10 -6 Torr for about 1.5 hours while maintaining the temperature at 350 ° C. Remove

가스주입/밀봉 존에서는 방전 가스 주입구(64)로 방전 가스를 약 500 Torr 정도로 주입시키고, 모터(65f)를 이용하여 용융제(65d)가 도포된 캡(65e)을 상승시켜 패널(50)의 배기홀(52')을 밀봉하게 된다. 밀봉 시스템(65)의 히터(65b) 위에 캡(65e)을 위치시킨 후 캡(65e)에 도포된 용융제(65d)를 녹여 패널(50)의 배기홀(52')을 밀봉하게 된다.In the gas injection / sealing zone, the discharge gas is injected into the discharge gas inlet 64 at about 500 Torr, and the cap 65e coated with the molten agent 65d is raised using the motor 65f to raise the cap 50e. The exhaust hole 52 'is sealed. After placing the cap 65e on the heater 65b of the sealing system 65, the melt 65 d applied to the cap 65e is melted to seal the exhaust hole 52 ′ of the panel 50.

패널(50)의 밀봉이 완료되면 냉각수와 퍼지 가스를 이용하여 챔버(56) 내부의 온도를 350℃에서 상온까지 냉각시키게 된다. 챔버(56) 내에 퍼지 가스를 도입할 때 패널(50) 내부의 온도를 균일하게 유지시키기 위하여 메쉬 구조로 된 스테인리스 망을 사용할 수 있다. 냉각된 패널(50)은 언로더로 진행되어 다음 공정으로 이송되고, 세터(70)는 챔버(56)의 상측에 있는 리턴부(B)를 통해 로더로 회수된다.When the sealing of the panel 50 is completed, the temperature inside the chamber 56 is cooled from 350 ° C. to room temperature using cooling water and purge gas. When introducing the purge gas into the chamber 56, a stainless steel mesh having a mesh structure may be used to maintain a uniform temperature inside the panel 50. The cooled panel 50 proceeds to the unloader and is transferred to the next process, and the setter 70 is recovered to the loader through the return portion B above the chamber 56.

여기서, 본 발명의 배기 및 가스주입 공정을 위한 온도 프로파일을 살펴보면 도 14에 도시된 바와 나타낼 수 있다. 즉, 공정을 진행할 때의 리드 타임에 따라 소요되는 시간과 그 때의 공정별 온도 분포 및 압력 분포가 도시되어 있다.Here, looking at the temperature profile for the exhaust and gas injection process of the present invention can be shown as shown in FIG. That is, the time required by the lead time at the time of carrying out a process, the temperature distribution by each process, and the pressure distribution at that time are shown.

승온 공정은 상온에서 450℃까지 승온시키는 공정으로 약 3시간 정도가 소요되는데, 400℃에서 10분정도 온도를 유지하여 패널의 가열에 따라 발생되는 패널의 열적 스트레스를 해소시킨다.The temperature increase process is a process of raising the temperature from room temperature to 450 ° C., which takes about 3 hours, and maintains the temperature at 400 ° C. for 10 minutes to relieve thermal stress of the panel generated by heating the panel.

실링 공정은 표면 기판과 배면 기판을 기밀시킬 때 사용되는 실런트의 특성에 따라 시간이 정해지며, 여기서는 실런트의 경화 온도 및 시간에 따라 450℃에서 30분 정도로 하고 있다.The sealing process is timed according to the characteristics of the sealant used when the surface substrate and the back substrate are hermetically sealed, and here, it is about 30 minutes at 450 ° C depending on the curing temperature and time of the sealant.

배기/보호막 활성화 공정은 표면 기판에 코팅되어 있는 보호막의 성능을 최대로 유지시키기 위하여 400→300℃, 10-6Torr 조건하에서 1.5 시간 정도 보호막을 활성화시키는 공정이다. 보호막은 대기중에 노출될 경우 수분 및 탄산가스와 반응하게 되므로 보호막이 오염되고 패널의 특성을 약화시키게 되므로, 이 오염을 없애기 위하야 활성화 공정을 시행한다.The exhaust / protective film activation process is a process of activating the protective film for about 1.5 hours under conditions of 400 → 300 ° C. and 10 −6 Torr to maintain the maximum performance of the protective film coated on the surface substrate. When the protective film is exposed to the atmosphere, it reacts with moisture and carbon dioxide, so that the protective film is contaminated and weakens the characteristics of the panel. Therefore, an activation process must be performed to remove the contamination.

방전가스 주입/밀봉 공정은 패널 내부를 완전히 배기시킨 후 방전 가스를 주입하는 공정으로, 패널 내부에 방전 가스를 약 500 Torr 정도로 주입하고 패널의 배기홀을 밀봉한다.The discharge gas injection / sealing process is a process of completely discharging the inside of the panel and then injecting the discharge gas. The discharge gas is injected into the panel at about 500 Torr to seal the exhaust hole of the panel.

강온 공정은 패널의 밀봉이 완료된 후 패널의 온도를 350℃에서 상온으로 냉각시키는 공정으로, 패널이 열적 스트레스를 가장 많이 받는 공정이므로 강온 속도가 매우 중요하다. 이상적인 강온 속도는 자연 냉각이나, 이는 제품의 생산성에 지대한 악영향을 끼치게 되므로, 패널이 열적 스트레스를 받지 않는 한도 내에서 강온 속도를 줄이는 방법이 요구되고 있다.The temperature reduction process is a process of cooling the panel temperature at room temperature at 350 ° C. after the sealing of the panel is completed. Since the panel is subjected to the most thermal stress, the temperature reduction rate is very important. The ideal rate of fall is natural cooling, but this has a significant negative impact on the productivity of the product, so there is a need for a method of reducing the rate of fall as long as the panel is not subjected to thermal stress.

이와 같이, 본 발명의 PDP 제조 방법과 PDP의 배기 및 가스주입 장치는 패널의 내부를 배기시키고 방전 가스를 주입함에 있어 공정 자동화를 실시함으로써 제품의 생산성 향상 및 불량률 저감을 달성할 수 있는 이점이 있다.As described above, the PDP manufacturing method of the present invention and the exhaust and gas injection device of the PDP have advantages in that the productivity of the product can be improved and the defect rate can be reduced by performing the process automation in exhausting the inside of the panel and injecting the discharge gas. .

또, 방전 가스를 패널에 주입할 때 챔버에 잔류된 방전 가스를 회수하여 처리후 재사용할 수 있도록 하므로 방전 가스의 소모량이 저감되고 가열 챔버 내의 온도를 가변시키지 않고 일정한 온도로 유지시킴으로써 가열 비용을 절감할 수 있는 다른 이점이 있다.In addition, since the discharge gas remaining in the chamber can be recovered and reused after being processed when the discharge gas is injected into the panel, the consumption of the discharge gas is reduced and the heating cost is reduced by maintaining the constant temperature without changing the temperature in the heating chamber. There is another advantage that can be done.

Claims (7)

표면 기판과 배면 기판을 정렬하고 둘 사이가 일정 정도 이격되도록 실런트를 사이에 두고 고정하는 제1단계와, 기판이 위치된 챔버의 온도를 승온시켜 실런트를 녹임으로써 표면 기판과 배면 기판을 실링하여 패널로 형성하는 제2단계와, 진공 시스템을 이용하여 챔버를 배기시킴으로써 패널 내부가 배기되도록 하는 제3단계와, 챔버에 방전 가스를 주입하여 배기홀을 통해 패널 내부에 방전 가스를 충진하고 배기홀을 봉지하는 제4단계와, 봉지가 완료된 패널을 챔버 밖으로 취출하는 제5단계로 구성된 것을 특징으로 하는 PDP 제조 방법.A first step of aligning the surface substrate and the back substrate and fixing the sealant with the sealant therebetween so as to be spaced apart from each other, and sealing the surface substrate and the back substrate by melting the sealant by raising the temperature of the chamber in which the substrate is located. And a third step of evacuating the chamber by evacuating the chamber using a vacuum system, and injecting a discharge gas into the chamber to fill the discharge gas into the panel through the exhaust hole, And a fourth step of encapsulating and a fifth step of taking out the encapsulated panel out of the chamber. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제4단계는 패널 봉지가 완료된 후 챔버 내부의 방전 가스를 포집하여 재생후 재사용하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 PDP 제조 방법.The fourth step is a method of manufacturing a PDP comprising the step of collecting the discharge gas inside the chamber after the panel sealing is completed, re-use and reuse. 표면 기판과 배면 기판으로 이루어진 패널이 이동되는 라인을 따라 형성된 복수개의 챔버와, 라인상에서 각 챔버에서의 공정 시간이 동일하도록 챔버를 구분하는 게이트와, 상기 챔버에 설치되어 챔버 내를 가열함으로써 패널을 기밀시키는 가열 수단과, 상기 챔버에 설치되어 챔버 내를 냉각시키는 냉각 수단과, 상기 챔버에 연결되어 챔버 내부를 배기시키는 배기 수단과, 상기 챔버에 연결되어 챔버 내부로 방전 가스를 주입함으로써 패널 내부에 방전 가스를 충진시키는 방전가스 주입수단과, 상기 챔버 내부의 패널에 형성된 배기홀을 봉지하는 봉지 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 PDP의 배기 및 가스주입 장치.A plurality of chambers formed along a line through which the panel consisting of the surface substrate and the back substrate is moved; a gate for separating the chambers so that the process time in each chamber on the line is the same; and a panel installed in the chamber to heat the chamber. Airtight heating means, cooling means installed in the chamber to cool the inside of the chamber, exhaust means connected to the chamber to exhaust the inside of the chamber, and connected to the chamber to inject discharge gas into the inside of the panel. A discharge and gas injection device for a PDP, comprising: discharge gas injection means for filling discharge gas; and sealing means for sealing an exhaust hole formed in a panel inside the chamber. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 챔버중 일부에는 패널 내부를 배기시키고 방전 가스를 충진시키는 배기 및 가스주입부가 설치되며; 상기 배기 및 가스주입부는 챔버의 내부에 설치된 히터와, 상기 챔버의 내부에 위치되고 PDP 패널을 고정시키는 세터와, 상기 세터를 이동시키는 세터 이송 수단과, 상기 세터를 지지하는 세터 지지수단과, 상기 챔버의 내부에 연결되어 챔버와 패널 내부를 배기시키는 배기수단과, 상기 배기 수단에 연결되어 패널 내부로 방전 가스를 주입하는 가스주입 수단과, 상기 챔버 내부의 패널에 형성된 배기홀을 봉지하는 봉지 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 PDP의 배기 및 가스주입 장치.Some of the chambers are provided with an exhaust and gas injection unit for exhausting the inside of the panel and filling the discharge gas; The exhaust and gas injection unit is provided with a heater installed inside the chamber, a setter positioned inside the chamber to fix the PDP panel, setter transfer means for moving the setter, setter support means for supporting the setter, and An exhaust means connected to the inside of the chamber to exhaust the chamber and the panel, a gas injection means connected to the exhaust means to inject discharge gas into the panel, and an encapsulation means to seal the exhaust hole formed in the panel inside the chamber. PDP exhaust and gas injection device, characterized in that consisting of. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 세터는 PDP 패널이 얹혀지는 세터 베이스와, 상기 세터 베이스에 고정되어 상기 PDP 패널을 잡아주는 클램프 장치로 구성되고, 상기 클램프 장치는 상기 세터 베이스에 밀착되는 지지판과, 스프링의 힘을 이용하여 PDP 패널의 가장자리 부분을 지지하는 지지링크와, 상기 지지링크를 일정 정도 회동시키는 손잡이와, 상기 스프링의 탄성력을 조절하기 위한 압력 조절 레버와, 상기 지지판을 상기 세터 베이스에 결합시키는 고정 볼트로 구성된 것을 특징으로 하는 PDP의 배기 및 가스주입 장치.The setter includes a setter base on which the PDP panel is mounted, a clamp device fixed to the setter base to hold the PDP panel, and the clamping device includes a support plate closely attached to the setter base, and a PDP using a spring force. A support link for supporting an edge of the panel, a handle for pivoting the support link to a certain degree, a pressure adjusting lever for adjusting the elastic force of the spring, and a fixing bolt for coupling the support plate to the setter base. PDP exhaust and gas injection device. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 지지링크는 PDP 패널에 접촉되는 선단 부분에 지지패드가 설치된 것을 특징으로 하는 PDP의 배기 및 가스주입 장치.The support link is an exhaust and gas injection device of the PDP, characterized in that the support pad is installed on the front end portion in contact with the PDP panel. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 봉지 수단은 PDP 패널의 배기홀을 막아주는 캡과, 상기 캡의 상면에 도포되어 캡과 패널을 기밀시키는 용융제와, 상기 캡이 얹혀지고 상기 용융제를 녹이는 히터가 장치된 히터 블록과, 상기 히터 블록의 하부에 위치된 지지대를 상하 이동시키는 구동수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 PDP의 배기 및 가스주입 장치.The encapsulation means includes a cap that blocks an exhaust hole of a PDP panel, a melter applied to an upper surface of the cap to seal the cap and the panel, a heater block on which the cap is placed, and a heater to melt the melt; Exhaust and gas injection device of the PDP, characterized in that the drive means for moving up and down the support located in the lower portion of the heater block.
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