JP3841172B2 - Method for manufacturing plasma display panel - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放電空間を挟んで一対の基板が周辺を封止されてなるプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、特に放電空間を形成するための封止方法に関する。
【0002】
放電空間は、一対の基板の周辺をシール材で封止して形成した気密空間で、排気と浄化処理を行って不純物のない安定した状態にされた後放電ガスが封入される。量産化に伴って、このような放電空間を迅速且つ確実に得ることのできる方法が求められている。
【0003】
【従来の技術】
まず、プラズマディスプレイパネル(以下PDPと称する)の代表例としてAC駆動の3電極面放電型PDPの構造を説明する。図19は、PDPの一部を切り出した状態の斜視図である。
【0004】
図19に示すように、前面ガラス基板50の内面には、基板面に沿った面放電を生じさせるための表示電極(サスティン電極とも称される)X,Yが、マトリクス表示のラインL毎に一対ずつ配列されている。表示電極対X,Yは、フォトリソグラフィ技術によって形成されるもので、それぞれがITO(Indium Tin Oxide)薄膜からなる幅の広い直線状の透明電極52と多層構造の金属薄膜からなる幅の狭い直線状のバス電極53とから構成されている。
【0005】
また、表示電極X,Yを放電空間に対して被覆するように、AC(交流)駆動のための誘電体層54がスクリーン印刷により設けられている。そして、誘電体層54の表面にはMgO(酸化マグネシウム)からなる保護膜55が蒸着されている。
【0006】
一方、背面ガラス基板51の内面には、アドレス放電を発生させるためのアドレス電極56が表示電極X,Yと直交するように一定ピッチで配列されている。このアドレス電極56もフォトリソグラフィ技術によって形成されるもので、バス電極53同様に多層構造の金属膜により形成される。
【0007】
このアドレス電極56上を含む背面ガラス基板51の全面には、スクリーン印刷により誘電体層57が形成され、その上層には、高さが150μm程度の直線状の複数の隔壁58が、各アドレス電極56の間に一つずつ設けられている。
【0008】
そして、アドレス電極56の上部を含めて、誘電体層57の表面及び隔壁58の側面を被覆するように、フルカラー表示のためのR(赤)、G(緑)、B(青)の3原色の蛍光体60がやはりスクリーン印刷により設けられている。
【0009】
また、放電空間59中には、放電時に紫外線を照射して蛍光体を励起するNe−Xe(NeとXeの混合ガス)等の放電ガスが数百torr程度の圧力で封入されている。そして放電空間59を封止するためのシール材(シールガラス層)61が基板周辺部に設けられている。
【0010】
前面ガラス基板50と背面ガラス基板51とはそれぞれ個別に形成され、最終的に両基板を放電空間を有するようにシール材61により貼り合わせてPDPは完成される。
【0011】
上記シール材61により外部と遮蔽される放電空間を形成する工程を含めた従来のPDPの製造方法を図20及び図21を参照しながら説明する。図20及び図21は従来技術を説明するための図であり、図20は封止工程時のPDP状態を示す断面図及び平面図、図21は時間経過に伴う加熱や排気の処理サイクルを示す図である。
【0012】
図19に示すシール材61は、ペースト状のガラス材を塗布した後、これを固化することで背面ガラス基板51側に形成されており、封止工程においてこのシールガラス層(シール材)を一旦溶融して再度固化させることにより前面ガラス基板50側との接合を行なうものである。
【0013】
図20に示すように、従来の封止工程におけるPDP71は、前面ガラス基板72と背面ガラス基板73とがシール材74を介在した状態で重ね合わされてその周辺を多数のクリップ77により固定されている。このクリップ77は、前面ガラス基板72と背面ガラス基板73を挟持固定するとともに、シール材74を溶融する際に所定の圧力をシール部分に加えるためのものである。
【0014】
つまり、シール材74により封止を行なう工程において、所望の放電空間76を得るには、一対のガラス基板72,73間に介在するシール材74を加熱により溶融させてから隔壁で規定される所定の高さまで押し潰す(圧縮させる)必要があり、そのためにはシール材74の溶融時に一対のガラス72,73が相互に近づく方向に所定の圧力を加えなければならない。この圧力を得るために、多数のクリップ77が必要であった。
【0015】
なお、背面ガラス基板73の周辺部には、導通管(ガラス管)75が放電空間76と連通するように設けられており、これを通して放電空間を排気しかつ放電ガスが充填される。
【0016】
このように多数のクリップ77を用いてガラス基板対72,73を挟持固定した状態で封止処理を行なう従来の方法においては、3mm程度の薄いガラス基板が直接クリップで挟持されるわけであるから、そのストレスによりガラス基板を損傷させる可能性がある。従って、弱い圧力で比較的長い時間をかけて封止を行なう必要がある。
【0017】
以上のような従来の処理サイクルを図21に示し、さらに詳しく説明する。
【0018】
図20に示すように複数のクリップ77で固定されたガラス基板対72,73は、加熱炉内に搬入され、導通管75にはシールヘッドが装着される。シールヘッドは、排気ポンプやガスボンベに接続されており、導通管75に密閉状態で装着される。
【0019】
このような状態において、まず加熱用のヒーターを動作させて加熱炉内の温度をシール材74の溶融温度に達するまで徐々に高める(温度上昇期間T1)。その後、加熱炉内をシール材74の溶融温度に一定時間保持させる(温度保持期間T2)。この温度保持期間において、シール材74が溶融してクリップ77の圧力によって前面ガラス基板72と背面ガラス基板73とを隔壁58(図19参照)で規定される間隙になるまで近接させる。
【0020】
この工程は、前述したように弱い圧力のクリップを挟持した状態でゆっくりと行なう必要があるため、温度保持期間T2は比較的長い時間を要する。
【0021】
しかして前面ガラス基板72と背面ガラス基板73との間隙が隔壁で規定される所定間隙になったところで、加熱炉内の温度をシール材74の固化温度まで低下させる(温度降下期間T3)。ここまでの期間では、放電空間76内の排気及びガス導入は実施されない。
【0022】
次に、温度降下期間T3において降下させた温度を一定時間保持させる(温度保持期間T4)。この温度は、シール材74が溶融することのないレベルで比較的高い温度に設定している。この温度保持期間T4の開始と同時に、放電空間76内は導通管75を介して排気される。
【0023】
この排気は、放電空間76内に存在する不純物を除去するために行なうものであり、誘電体層や保護膜等に吸着した不純なガスの離脱を促進するため、前記した高温状態の温度保持期間T4において行われる。従って、温度保持期間T4は、その不純なガスの離脱が終了する時間を基にして設定されている。
【0024】
この後、加熱炉を加熱するヒーターの動作を停止することで、加熱炉内の温度を低下させる(温度降下期間T5)。この間も排気は実施されて更なる不純物の除去が行なわれる。
【0025】
放電空間76内の不純物が除去され、加熱炉内が常温で安定したところ(常温期間T6)で、排気に替えて導通管75より放電ガスを導入する。放電ガスは、例えばネオン−キセノン混合ガスであり、配管に備えられるバルブの切替えにより導入を行なうことができる。
【0026】
以上説明した処理サイクルを経ることによって、前面ガラス基板72と背面ガラス基板73とがシール材により接着され、それら基板間に所定の放電空間76が形成される。
【0027】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の技術では、多数のクリップ77でPDP71の周辺を挟持することによって、封止時の圧力を得ているため、直接ガラス基板72,73に接触するクリップ77がストレスとなって、ガラス基板72,73を損傷させる恐れがある。そのため、弱い圧力で比較的長い時間をかけて封止を行なっている。
【0028】
従って、封止工程、即ち温度保持期間T2に多くの時間が必要となり、処理効率を悪くしている。また、クリップ圧力のばらつきにより局部的なストレスが加わったり、十分な圧力が得られない部分が生ずることで、ガラス基板が損傷したり不完全な封止部が形成されることになる。
【0029】
このような問題に対するものとして、特開昭50−3570には、一対の基板を封じ用フリットを介して配置、加熱し、このフリットが溶融状態となったときにパネル容器内を排気減圧して両基板を所定のギャップを隔てて封じるパネル容器の封止方法が開示されている。しかしながら、この特開昭50−3570では、放電空間内の不純物の除去を導通管75に相当するガラス管を介してのみ行っているので、不純物の除去に長時間掛かり、また不十分な除去となる恐れがある。
【0030】
本発明は、上記課題を解決して、効率良く、しかも確実な封止と不純物除去を行なうことのできる工程を含む量産に適したプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的としている。
【0031】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明は、シール材が溶融した時に基板対の内と外に圧力差を付与し、それによってシール材に加わる押圧力を利用して周辺シールを遂行する考え方を骨子とするものである。さらに具体的に述べると、本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、一対の基板を間に枠状のシール材を挟んで重ね合わせる工程と、一対の基板間の当該シール材が溶融するまでの加熱条件のもとで当該シール材で囲まれた空間内を排気し、さらに排気を継続しするとともに、当該シール材を加熱溶融させることにより、前記シール材を圧縮し基板対の間隙を規定する工程と、一旦溶融したシール材を固化させることにより、一対の基板を接着固定しそれら基板間に放電空間を形成する工程を順次行なうことを特徴とするものである。
【0032】
上記本発明によれば、一対の基板間を減圧にした状態で、シール材を溶融させるため、内外の圧力差によって、一対の基板がシール材を押し潰しながら引き寄せられる。そのため、外部から基板に加える圧力を最小にでき、従来のような局所的ストレスがなくなると共に、シール材により一対の基板が封止される時間を大幅に短縮するとともに、排気をシール材が融着する以前から開始するので、放電空間内の不純物除去を促進させることが可能となる。また、このように外部押圧力を不要とすることにより多数枚のパネルを1枚のガラス基板から切り出す製造プロセスにおけるシールプロセスに適用して量産効率を上げるうえで都合が良い。
【0033】
さらに、本発明は上述したような3電極型の面放電パネルにおいては、基板内面に放電空間を仕切るための所定パターンの多数の隔壁またはリブが設けられていて、この隔壁によって放電空間のギャップが保持される点に着目し、あらかじめ枠状のシール材の高さを放電空間に配置される隔壁の高さより高く形成し、基板対の組立体を真空加熱炉中に設置して基板対の周囲から排気を行うと共に、シール材の溶融時には基板間を直接排気することにより前記隔壁の高さで定まる所定の放電空間を隔てて周辺シールを行うことを特徴とするものである。
【0034】
かくして上記の本発明によれば、放電空間内に残留する固体状または気体状の不純物をシール材と基板間のリーク間隙を介してシール材が溶融する前の段階で排出除去できるので、プラズマディスプレイパネルの動作特性や表示特性を改善することが可能となる。
【0035】
また、本発明の対象とするプラズマディスプレイパネルでは、一方の基板、とくに背面側の基板に上述の隔壁とともに蛍光体が付設されており、従来その発光特性がシール時に劣化する傾向が見られたが、本発明によればシール材溶融時の加熱が真空雰囲気中で行なわれ、しかも内外の圧力差を利用した十分な清浄化が行われるので蛍光体の発光色の色温度を改善することができる。
【0036】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
【0037】
図1は本発明の製造方法における時間経過に伴う基本的な処理サイクルを示す図であり、図2は本発明の製造方法における封止工程のPDPの状態を示す図である。
【0038】
まず、これら図1及び図2を参照して本発明の原理を説明する。
【0039】
本発明では、封止時において溶融するシール材(シールガラス層)を押し潰すための押圧力を、一対のガラス基板間の放電空間となる空間内部とその外部との間に圧力差を発生させることで得るように構成している。つまり、放電空間を排気することで空間内部を減圧状態とし、各ガラス基板に相互に近づく方向の圧力を加えることでシール材を押圧するものである。
【0040】
従って、外部から圧力を加えるために従来用いていた多数のクリップが不要となり、ガラス基板対の位置ずれを防止するための僅かなクリップで基板対を仮固定した状態で封止を行なうことが可能となる。
【0041】
図2(A)(B)は、この封止工程時のPDPの状態を断面図及び平面図で示している。
【0042】
PDP1は、図2(A)に示すように、前面ガラス基板2と背面ガラス基板3とからなり、その間にシール材4が介在された状態でクリップ7にて挟持されている。前面ガラス基板2及び背面ガラス基板3の内面には、電極や誘電体層、隔壁等が形成されているが、図2では便宜上省略している。
【0043】
背面ガラス基板3には、放電空間6内に対して排気及びガス導入を行なうための導通管(ガラス管)5が上方に突出するように設けられており、シールヘッド10を介して配管9に接続されている。導通管5は、背面ガラス基板3に予め形成される貫通穴に接続されている。
【0044】
ここで注目すべき点は、図2(B)から明らかなように、クリップ7はPDP1の周辺部に位置ずれを防止する程度の僅かな数だけ配設しており、その挟持力も従来例に比べ弱いもので良い点である。
【0045】
このような状態でPDP1は、加熱炉8内に入れられて加熱や排気、ガス導入等の処理が施される。図では示していないが、実際には加熱炉8内には上下左右に並ぶ複数の載置棚が設けられていて、複数のPDP1が以下に説明する図1の処理サイクルに従って同時に処理される。
【0046】
図1に示すように、まず、加熱炉8内の温度をシール材(シールガラス層)4の溶融温度に達するまで徐々に高める(温度上昇期間T1)。その後、加熱炉内をシール材4の溶融温度に一定時間保持させる(温度保持期間T2)。この温度保持期間T2において排気を開始する。
【0047】
固化していたシール材(シールガラス層)4は、温度保持期間T2において溶融されて基板に接着するようになり、基板との間で間隙がなくなるので、この時に排気を実施することで、放電空間6の内部が減圧となって、前面ガラス基板2及び背面ガラス基板3に相互に近づく方向の圧力が加わり、溶融するシール材4が押し潰されることにより、放電空間6が隔壁で規定される所定の間隙となる。
【0048】
上記のようにガラス基板対2,3の間隙が所定間隙になったところで、加熱炉8内の温度をシール材4の固化温度まで降下させる(温度降下期間T3)。この間も排気は継続して行なっている。
【0049】
次に、温度降下期間T3において降下させた温度を一定時間保持させる(温度保持期間T4)。この温度は、シール材4が溶融することのないレベルで比較的高い温度に設定している。温度保持期間T4も更に排気は継続している。
【0050】
温度降下期間T3以降における排気は、放電空間6内に存在する不純物を除去するために行なうものであり、誘電体層や保護膜、隔壁ならびにシール材等に吸着した不純なガス(炭化水素など)や水分の離脱が高温下であれば促進されるため、比較的高い温度を継続させる温度保持期間T4を設けている。
【0051】
温度保持期間T4は、前記保護層等から離脱する不純なガス等が表示等に影響がない程度に微量になるまでの時間を基にして設定されている。その後加熱炉8におけるヒーターの動作を停止することで、加熱炉8内の温度を低下させる(温度降下期間T5)。このT5期間も排気は実施されて更なる不純物の除去が行なわれている。
【0052】
放電空間6内の不純物が除去され、加熱炉8内が常温で安定したところ(常温期間T6)で、排気に替えて導通管5より放電用のガスを導入する。放電ガスは例えばネオン−キセノン混合ガスであり、配管9に備えられるバルブを開くことで導入を行なうことができる。この時、排気ポンプの動作は停止されると共に、排気側のバルブは閉められる。
【0053】
この後、放電空間6内の気密状態を解くことなく、導通管5を除去すると共に導通管5の部分に形成されていた背面ガラス基板3の貫通穴を塞ぐことによりPDP1を完成させる。
【0054】
以上説明した本発明に係る処理サイクルによれば、ガラス基板対2,3に外部から圧力を加えることなく、放電空間内の圧力調整によって、シール材4を押し潰すことが可能となる。従って、ガラス基板2,3に直接接触するようなストレスがないため、放電空間6内が所定の圧力になるようにある程度急激に排気することで短時間での封止が可能となる。しかも、排気によって放電空間内の不純物を除去し清浄化できる。
【0055】
図3〜図5は、本発明の第1の実施形態を説明するための図であり、図3は封止がされるまでのPDP内部の状態を示す断面図、図4はシール材が形成された背面ガラス基板の斜視図、図5は処理サイクルを示す図である。
【0056】
図3(A)に示すように、前面ガラス基板12には、表示電極15と誘電体層16及び保護膜17が形成されている。一方背面ガラス基板13には、アドレス電極18と誘電体層19、及び放電領域と放電間隙を規定する隔壁20と隔壁20の間に配設される蛍光体21、更にシール材14とシール材14の内側への侵入を防止する障壁22が形成されている。
【0057】
前記電極、誘電体層、隔壁や蛍光体等のパネル構成部材の形成は、フォトリソグラフィやスクリーン印刷等の一般的なプロセスにより実施する。
【0058】
図4の斜視図は、シール材14と障壁22の構成をより明確に示している。すなわち、シール材(シールガラス層)14は背面ガラス基板13の周辺部に枠状に形成されており、障壁22はシール材14の僅かに内側に所定の間隔を介して断続的に形成されている。この障壁22は、排気する際にシール材14が表示領域に侵入することを防止するものであり、シール材14近傍に対する排気経路を確保するために間隔を有している。
【0059】
なお、図4においては、説明の便宜上、アドレス電極や誘電体層や隔壁等を省略し、シール材14と障壁22だけを示している
このような構造の前面ガラス基板12と背面ガラス基板13とを重ね合わせ、図3(B)の状態とする。この重ね合わせた状態の基板対を、当該基板にストレスを与えない程度の弱いバネ力を有した位置ずれ防止用のクリップにより固定する。この状態では、図3(B)から明らかなように、背面ガラス基板13に形成されるシール材14が前面ガラス基板12を支持しており、隔壁20と前面ガラス基板12(保護膜17)との間には間隙が空けられている。またシール材14の上端部の全てが平坦でないために、該シール材14と前面ガラス基板12との間には小さな間隙が形成されている。
【0060】
このようにして仮固定された前面ガラス基板12と背面ガラス基板13は、加熱炉内に搬入され加熱及び排気処理が開始される。(加熱炉内での状態は図2参照)
図5はこの処理サイクルを説明するための図で、(A)は加熱炉内の温度プロファイル、(B)は放電空間内の圧力プロファイルを示す。図5(A)で示されるように、加熱炉内ではまず、ヒーターを作動させることで、炉内温度を常温から徐々に上昇させる(温度上昇期間T1)。本実施形態で使用するシール材14は低融点ガラスを主成分とするものであり、その溶融温度はほぼ400℃であるため、温度上昇期間T1においては、400℃まで加熱炉内の温度を上昇させる。
【0061】
炉内温度が400℃付近になると、シール材14が溶融され、溶融状態のシール材上端面は、前面ガラス基板12に接着するので、シール材と前面ガラス基板12との間には、間隙が無くなる。この結果、前面ガラス基板12と背面ガラス基板13間の間隙(放電空間)は密閉状態となる。
【0062】
この後、シール材14を溶融する温度(400℃)を一定時間保持させる(温度保持期間T2)。この温度保持期間T2において、図5(B)で示すように排気を開始して、密閉状態の放電空間内部の圧力を所定の減圧、例えば50,000〜70,000Pa(パスカル)程度にする。この圧力は、溶融するシール材14を押し潰して前面ガラス基板12と背面ガラス基板13とを引き寄せるために必要な圧力であり、シール材14の材料や放電空間内の容積等に合わせて適宜選定するものである。
【0063】
放電空間内が所望の圧力(50,000〜70,000Pa)になったところで、一旦排気を停止して圧力を保持する。この時、シール材14は溶融しており、かつ放電空間内部が減圧状態になっているので、前面ガラス基板12と背面ガラス基板13とはシール材14を押し潰しながら引き寄せられる。一方、前記排気を途中で停止したことで、溶融状態のシール材は放電空間内に流出しない。
【0064】
所定の時間経過後、前面ガラス基板12と背面ガラス基板13とは、図3(c)に示す如く、隔壁20で支持される位置まで引き寄せられる。本実施形態では、温度保持期間T2を10分に設定しており、この設定時間により、所望の放電空間を得ることができた。
【0065】
その後、加熱炉内の温度をシール材14の固化温度まで降下させ(温度降下期間T3)、シール材14による封止を完了させる。
【0066】
次に、温度降下期間T3において降下させた温度を一定時間保持させる(温度保持期間T4)。この温度は、シール材14が溶融することのないレベルで比較的高い温度である350℃に設定している。
【0067】
温度保持期間T4の前半において、排気を再開し放電空間内の圧力を従来例同様の10-3Pa程度の高真空にしてから、導通管より放電用ガスであるネオン−キセノン混合ガスを放電空間内に導入し、その後、再度排気を開始する。ここで行なうガス導入は、放電空間内部の不純物を洗い出すためのものであり、空間内の隅々まで放電用ガスを送り込んだ後、これを排気することで、より確実な不純物除去を可能としている。
【0068】
この後、温度保持期間T4は所定の時間継続しているが、これは高温下にしておくことにより、誘電体層16,19や保護膜17等からの不純物ガスの発生を促進させて、これを除去するためである。
【0069】
また、温度保持期間T4のガス導入直後の排気時には、アドレス電極に所定電圧を印加することでエージング処理を行なっている。このエージング処理は、アドレス電極の安定化を図るものである。
【0070】
温度保持期間T4は、パネル構成部材からのガスの発生がなくなる時間で設定されており、その後加熱炉におけるヒーターの動作を停止することで、加熱炉内の温度を降下させる(温度降下期間T5)。この期間も排気は実施されて更なる不純物の除去が行なわれている。
【0071】
放電空間内の不純物が除去され、加熱炉内が常温で安定したところ(常温期間T6)で、排気に替えて導通管より放電ガス、すなわちネオン−キセノン混合ガスを導入する。
【0072】
このような処理サイクルを経ることによって、ガラス基板対12,13が貼り合わされてその間に隔壁で規定される所望の放電空間が形成され、放電空間には放電ガスが封入されれる。
【0073】
本実施形態によれば、従来数時間要していた封止工程、つまり温度保持期間T2を、数十分程度とすることが可能となる。また、多数のクリップを取り付ける工数も必要としないため、製造効率を大幅に向上させることとなる。
【0074】
また、本実施形態において製造したPDPについて、そのシール部分の厚みを複数箇所で測定したところ、予め設定した基準値とほぼ同等であり、所望の封止が実施されたことが確認された。
【0075】
更に、輝度や蛍光体の色温度が、従来のクリップ圧力で封止する場合に比べ向上し、色温度の場合20%弱向上することが確認されており、さらに電流値も安定していた。これは放電空間が精度良く形成されたことと、不純なガスが十分に排気されたこと、シール時における大気中の高温処理を回避したことによるものと思われる。
【0076】
図6は、本発明の第1の実施形態に係る障壁の変形例を説明するための平面図である。この変形例における障壁はシール材の表示領域への侵入をより確実に防止するものである。
【0077】
すなわち、図6に示すように、背面ガラス基板13’のシール材14の内側には、シール材14が延びている方向に対して傾斜する方向に排気経路を有する障壁22’が形成されている。このような形状の障壁22’であると、排気経路を確保しながら、シール材14の侵入を確実に防止することが可能となる。
【0078】
なお、本実施形態における障壁は、放電空間を排気する際に溶融するシール材が表示領域に侵入することを防ぐものであるが、排気力や排気時間を選定すればシール材は内方に引き込まれることはなく、その位置を保持させることができるため、障壁は必ずしも必要ではない。
【0079】
図7は、本発明の第2の実施形態に係るPDPを示す図であり、図7(A)は平面図、図7(B)は断面図である。本実施形態は、本発明が特に好適となる複数パネルの同時形成を行うものである。
【0080】
量産化に伴い、効率の良い製造を行なうために、1枚(対向する一対)のガラス基板から複数のPDPパネル基板を得る方法が採用され始めている。この方法は、大型のガラス基板上に電極や誘電体層、隔壁等の構成部材を複数のパネル相当数分同時に形成した後、その大型ガラス基板を1枚のパネル分毎に切断し分割することにより、最終的に複数のPDPを得る製造技術であり、製造効率を向上することができる。
【0081】
図7に示すPDP31(ここでは2枚が一体となっている状態もPDPと称する)は、上述したように電極や誘電体層等がそのパターンを変更することで、2枚分のPDPが同時に形成されている。
【0082】
2枚分の大きさを有する大型の前面ガラス基板32と背面ガラス基板33との間には、2組の枠状のシール材34a,34bが並列するように介在されており、また背面ガラス基板33には各シール材34a,34bで囲まれる領域に2組の導通管35a,35bが設けられている。
【0083】
このように2組のシール材34a,34bを形成した場合、基板の周辺部のみにシール材を形成する1枚の場合と異なり、ガラス基板の中央部にもシール材が配設されることになる。従って、クリップによってシール材に対する押圧力を得る従来の技術であると、中央部のシール材に圧力を加えることができない。そのため、上下からガラス基板の中央部に位置するシール材に押圧力を加えるための治具(大型クリップ等)が必要となり、その装置は大掛かりなものとなる。
【0084】
これに対して本発明は、放電空間内を減圧することによってシール材に対する押圧力を得る構成であるため、そのようなクリップ(大型クリップを含む)を必要としない。従って、本実施形態の如くガラス基板の中央部にシール材が存在する場合であっても、簡単且つ確実に封止を行なうことが可能となる。
【0085】
図7に示すPDP31は、この状態で加熱炉内に搬入され、封止及び排気処理が施される。
【0086】
加熱炉内においてPDP31は、導通管35a,35bにそれぞれ異なるシールヘッドが装着され、別系統の配管を介して放電空間の排気及び放電用ガスの導入が行なわれる。
【0087】
この後の処理サイクルは、図5に示す第1の実施形態と同様であるため、その説明は省略する。この処理サイクルを経て、第1の実施形態と同様、放電用ガスを導入し、導通管35a,35bを除去した後、PDP31を加熱炉より搬出して、前面ガラス基板32及び背面ガラス基板33を中央の切断線36に沿って切断することで、2枚のPDPを同時に完成させる。
【0088】
以上説明した本実施形態によれば、量産性を高めるためにPDPを2枚同時に形成する場合に、ガラスの中央部についても、外部から圧力を加えることなく、確実に封止することが可能となる。
【0089】
図8は、本発明の第3の実施形態に係るPDPを示す図であり、図8(A)は平面図、図8(B)は断面図である。本実施形態は、第2の実施形態に比して更に量産性を高めるために、4枚のPDPを同時に形成するものである。
【0090】
図8に示すPDP41(ここでは4枚が一体となっている状態もPDPと称する)は、上述したように電極や誘電体層等がそのパターンを変更することで、PDP4枚分同時に形成されている。
【0091】
この実施形態では、大型のガラス基板を切断線に沿った4つの領域に区画し、その各区画領域にそれぞれ枠状のシール材44a,44b,44c,44dを配置するとともに、背面ガラス基板43の各シール材で囲まれた領域内に4組の導通管45a,45b,45c,45dを配設している。
【0092】
ここで、4組の導通管45a,45b,45c,45dは、背面ガラス基板43上の4つの領域が互いに隣接している基板中心部において近接して設けられ、そうすることで共通の配管により同時に排気、放電ガスの導入が行えるように工夫されている。
【0093】
すなわち本実施形態のPDP41は、加熱炉内において図8(B)に示すように、4組の導通管45a,45b、45c、45dがシールヘッドを介して1本の配管47に接続されることになる。従って、矢印で示すように、配管47を介して排気及び放電ガスの導入を行なうと、それぞれ個別に形成される放電空間内に同時に処理がなされる。
【0094】
加熱炉内に搬入されたPDP41の処理は、図5に示す第1の実施形態と同様な処理サイクルであるため、その説明は省略するが、シール材44a,44b,44c,44dを溶融させた状態でそれぞれの放電空間内を減圧にするので、外部から圧力を加えることなく、容易に封止を行なうことができる。
【0095】
本実施形態においても、第2の実施形態と同様、ガラス基板の周辺部以外の領域(中央部)にもシール材が配設されているが、上述したように放電空間を減圧にすることにより、シール材を押圧する圧力を得て封止を行なうため、この部分の封止も確実に実施できる。
【0096】
このように封止を行なった後、放電空間内の不純物の除去、放電ガスの導入を行ない、更に導通管45a,45b,45c,45dを除去する。その後、PDP41を加熱炉より搬出して、前面ガラス基板42及び背面ガラス基板43を切断線46に沿って切断することで、4枚のPDPを同時に完成させる。
【0097】
以上説明した本実施形態によれば、量産性を高めるためにPDPを4枚同時に形成する場合に、ガラスの中央部についても、外部から圧力を加えることなく、確実に封止することが可能となる。
【0098】
また、導通管45a,45b,45c,45dを背面ガラス基板43の中央部に近接して設け、共通の配管47を介して、排気及び放電ガスの導入を行なうため、排気系の構造が簡単になり、その制御も容易となる。
【0099】
上記の実施形態において、放電空間中の不純物を洗い出すために温度保持期間T4中に放電空間にガスを導入したが、このガス導入時期は、図5に示したT2の温度保持期間を長く設定し、T2開始後10分程度経過した後に導通管より放電ガス、窒素ガスまたはアルゴンなどを放電空間内に導入して、その後、再度排気を開始しても同様の効果を得ることができる。
【0100】
また、上記実施形態において、排気は加熱炉内温度がシール材を溶融する温度に達してから開始させていたが、この排気開始はシール材溶融温度以下の状態で行ってもよい。
【0101】
第4の実施形態は、排気開始を加熱炉内の加熱処理の開始に同期させた例であり、図9(A)、(B)はその処理サイクルにおける炉内の温度プロファイルと放電空間内の圧力プロファイルを示す。
【0102】
この実施形態では、図9(A)に示す如く温度上昇開始時に排気を開始し、温度保持期間T2の半ばで排気を一時停止させている。このように、温度上昇と同時に導通管からの排気を開始すると、図9(B)に示すように、当初は放電空間内の圧力に変化はなく、シール材の溶融温度である400℃付近から放電空間内の圧力が低下し始める。
【0103】
つまり、炉内の温度がシール材の溶融温度に達するまでは、未溶融状態のシール材と前面ガラス基板との間に存在する間隙を介して、炉内のガス(空気)が放電空間内に引き込まれるために、放電空間内の圧力は変化しない。この時に、基板周辺部から放電空間に引き込まれる気流によって、放電空間内の不純物(炭化水素など)が導通管を介して放電空間の外部に排出される。従って、不純物除去をより一層向上できる。
【0104】
その後、シール材の溶融温度に達すると、シール材が前面ガラス基板と密着し始め、放電空間が密閉されていくため、排気を継続すると放電空間内の圧力が低下し、排気を停止した時点で圧力が一定となる。
【0105】
このように、本実施形態においては、排気をシール材が融着する以前から開始するので、放電空間内の不純物除去を促進させることができる。また、この場合に炉内の雰囲気を窒素などの清浄ガスにしておくと、更に効果的である。
【0106】
なお、圧力保持後の処理は、第1の実施形態と実質的に同様であるため、その説明は省略する。
【0107】
図10〜図12は、本発明の第5の実施形態を説明するための図であり、図10はガラス基板対101、102を重ね合わせた状態を示す断面図、図11はこの基板対101、102の封止工程を示す図、図12は処理サイクルを示す図である。前面ガラス基板101および背面ガラス基板102には、第1の実施形態と同様に、各種電極、誘電体層、保護膜、隔壁、蛍光体などが配置されている。
【0108】
この第5の実施例が上記第1〜4の実施形態と大きく異なる点は、シール材の封着前に当該シール材と基板との間に微小の間隙を形成し、この状態で基板対をシール材が溶融しない温度で加熱しながら真空排気することによって基板対周囲の間隙を通して基板対間内の不純ガスを排気することにある。
【0109】
前面ガラス基板101と背面ガラス基板102は、重ね合わされ、ニッケル/クローム/モリブデン鋼等の耐熱性で弾性力に富む材料で作られた複数のクリップ7で固定される。この時に、クリップ7の締めつけ位置は、前面ガラス基板101と背面ガラス基板102で形成される放電空間103のシール材104に直近の隔壁20に近い場所となるようにクリップ7を取り付ける。クリップ7を取り付けた状態で、隔壁20の頂部は、前面ガラス基板101のMgO保護膜(図示せず)と密着する程度にクリップ7の締めつけ力を調整する。この締めつけ力の調整は、予め用意してある各種の締めつけ力のクリップ7から最も好ましいクリップ7を選んでもよい。
【0110】
ここで、前面ガラス基板101と背面ガラス基板102の重ね合わせ工程が完了するが、このとき隔壁の高さよりもシール材の高さが大きいことと、クリップ7の締めつけ力によって基板対の周辺には図10に示すような反りが生じる。この工程で重要な点は、この基板対の反りと、シール材104自身の形成バラツキによるシール頂部の凹凸とによって、重ね合わせた前面ガラス基板101と背面ガラス基板102上のシール材104の頂部との間に、気体が自由に移動できる間隙105を形成することである。
【0111】
このように重ね合わせた基板対101、102(以下、PDP100と称する)の貫通穴115に、予め形成された成形ガラスフリット119を配置する(図11参照)。この成形フリットガラス119は、PDP100を次工程に搬送する際に、移動しない(位置ズレしない)程度に背面ガラス基板102に、低温加熱で分解する樹脂によって固定されている。
【0112】
つぎに、このPDP100は、加熱しながら真空排気可能な真空加熱炉110に投入される。この真空加熱炉110は、図示していないヒーターによって加熱され、排気口111を経由して接続されている真空ポンプ(図示せず)によって炉内を排気して、炉内を高真空状態にされることが可能である。また、後に説明する様に,放電空間103内のみの排気や、放電空間103への放電ガスの充填を行うための昇降型シールヘッド112がベローズ113を介して真空加熱炉110に設置されている。
【0113】
この真空加熱炉110でPDP100は、図12に示す処理サイクルを受ける。真空加熱炉110は、加熱を開始するとともに、炉内の真空排気を開始する。本実施例で使用するシール材104は、軟化点温度が420°C〜440°C程度の特性を有したものであり、溶融開始温度はおよそ370°〜390°Cである。この溶融開始温度の直前の350°〜370°C付近では、シール材104の頂部と基板との間の間隙105はまだ維持されている。したがって、この真空排気の温度領域では、PDP100の周囲から,この間隙105を介してPDP100の空間に残留している不純ガスを排気することが可能であり、この温度領域は最も効率よく不純ガスを除去できる温度領域である。このために、不純ガスが除去できるまで一時的に基板温度を維持する(図12のT2期間)。
【0114】
つぎに、温度を400°〜410°C程度まで上昇させ(図12のT3期間)、シール材104を軟化させる。この時に、クリップ7の締め付け力による前面ガラス基板101、背面ガラス基板102の応力によって、シール材104は変形し出すが、この応力がなければ変形しない程度の粘度となっている。この変形が進み,シール材104の高さが隔壁20と同じ高さまで変形した時点で、この変形は停止する。
【0115】
また、シール材104内には、このシール材104を成形および仮焼成する際に内在した微小気泡が存在する。PDP100の周囲を真空排気して低圧状態にした場合に、シール材104の粘度低下に伴ってこの微小気泡が巨大気泡となる恐れがある。この巨大気泡が存在すると、プラズマディスプレイパネルの放電空間103を気密維持するというシール材104の目的が維持出来ずに、このパネルの信頼性が低下する可能性がある。このために、基板対温度を370°Cから410°Cに昇温させる過程(図12のT3期間)で、PDP100の周囲の圧力を一時的に上昇させる。この操作によって、微小気泡が存在しても、気泡の極端な巨大化は起きることなく信頼性は確保できる。
【0116】
この圧力の一時的上昇は、Arなどの不活性ガスあるいは放電用ガスを真空加熱炉110に導入することによって達成できる。この時の炉内圧力は、シール材104の粘度とのバランスにより最適値が存在する。シール材の温度がシール材の軟化点より低く、粘度が中粘度範囲であれば、数10KPa程度まで減圧しても気泡の発生は見られず、さらに粘度の高い軟化開始温度付近であれば数10Pa以下の高真空であっても気泡の発生は見られない。このように、シール材の温度によって、気泡発生を抑圧する圧力は異なり、種々の処理温度を選択できる。本実施形態では、シール材104の軟化点の温度は420℃〜440℃のものを使用しており、このシール材104を最高410℃程度以下で処理する様にした。従って、基板対周囲の圧力を、大気圧よりもやや減圧状態である数10kPa程度で、気泡の発生を抑えることが可能となる。また、温度上昇と時間により脱ガスで圧力が上昇するので、常に真空加熱炉110の炉内圧力を減圧状態を保つように、排気口111に接続されている真空ポンプを制御する。
【0117】
さらに、シール材104の気密維持の信頼性を高めるためには、仮焼成されたシール材104中に存在する微小気泡の存在率を極小に形成しておくことが重要である。このためには、シール材104を仮焼成する際に、脱バインダプロファイル等の最適化を行うほかに、高温焼成や焼成雰囲気制御による脱泡焼成を予め処理しておくことが有効である。
【0118】
つぎに、シール材104をさらに軟化させるために、PDP100を温度400°〜410°C付近で保持する(図12のT4期間)。この時間T4は、シール材104の変形に要する時間のみであり、本実施例では数分〜数十分程度である。
【0119】
つぎに、PDP100の冷却工程(図12のT5〜T6の期間)に移り、シール材104が固化する350°〜400°C程度で炉内を再度排気し、高真空を維持したまま常温まで降温する。
【0120】
つぎに、貫通穴115および成形ガラスフリット119全体を覆う状態に昇降型シールヘッド112を装着する。
【0121】
この昇降型シールヘッド112の構造を図11を参照して説明する。昇降型シールヘッド112と背面ガラス基板102とが接触する部分には、真空を維持するために真空シール114が設けられている。この真空シール114によって、昇降型シールヘッド112を背面ガラス基板102に加圧密着することで真空加熱炉110は、気密を保てる構造になっている。また、この昇降型シールヘッド112には、排気および放電ガスの充填のための排気/ガス導入配管116が設けられている。この排気/ガス導入配管116には、図示しない真空ポンプや放電空間103に充填する放電ガスを構成する各気体のボンベが切り換え弁を経由して接続されている。またこの昇降型シールヘッド112には、石英ガラス窓118が設けてあり、この石英ガラス窓118越しに赤外線照射ランプ117からの赤外線光を成形ガラスフリット119に向けて照射することが可能となっている。
【0122】
真空シール114が背面ガラス基板102に密着するまで、この昇降型シールヘッド112を降ろした状態で、好ましくは排気/ガス導入配管116を経由して、一旦放電空間103内を排気する。その後、所定の放電ガスをこの放電空間103内に充填する。つぎに、赤外線吸収率の高い材料を使用している成形ガラスフリット119に向けて、石英ガラス窓118越しに赤外線照射ランプ117から赤外線光を照射し、成形ガラスフリット119を溶融して、貫通穴115を封止する。
【0123】
本第5の実施形態では、シール材104の高さが隔壁20よりも高いことを利用し、ガラス基板101、102を重ね合わせた際に、一方の基板とシール材104間に間隙105を生ぜしめ、この間隙105内の不純物をシール材104の溶融前まで基板対周囲を真空排気によって排気除去する工程を付加したので、シール材104に付着する乃至は含まれる不純物を放電空間103を経由することなく排除できるので、放電空間103を汚染することを防止できる。また、まだ密閉構造となっていない段階の放電空間103内の不純物をも除去することが可能となる。
【0124】
また、シール材104に、軟化点温度の高いものを使用し、シール材104が融着する前の不純ガスの除去を可能な限り高温まで実施可能とし、不純物の除去がより確実なものになり、プラズマディスプレイパネルの動作特性の改善が可能となる。
【0125】
さらに、不純物を効率的に除去することが可能になるので、高温下での排気時間を短縮することが可能となる。また、本実施例では導通管を使用せずに放電空間103内の排気や放電ガスの充填を行うようにしたので、導通管の破損に注意を払う必要がない分、製造工程でのPDP100の搬送、取扱、設置が容易である効果も有す。
【0126】
つぎに、図13、14に第6の実施形態を示す。この第6の実施形態は、量産製造方法として、より容易に設備化が可能な方法である。図13は、基板対101、102を含むPDP130の処理工程の状態を示す図、図14は処理サイクルを示す図である。実施形態1〜5と同じ機能を果たす部材には、同じ符号を付して説明を省略する。
【0127】
この第6の実施形態は、一連の工程中において、設備的に大規模となる真空加熱炉の適用が極一部期間に限定することが可能であり、また、貫通穴封着法にも従来と同じ手法を採用できるため、比較的容易な設備で対応できる特徴を有している。
【0128】
前面ガラス基板101および背面ガラス基板102は、第5の実施形態と同様に形成する。第5の実施形態と同様に、前面ガラス基板101と背面ガラス基板102は重ね合わされて、複数のクリップ7で固定される。クリップ7の締め付け位置についても第5の実施形態と同様に行う。
【0129】
使用する真空加熱炉140は、図示していないヒータによって加熱され、排気口141を経由して接続される真空ポンプ(図示せず)によって炉内が排気され、高真空状態にされることが可能である。
【0130】
つぎに、貫通穴を有する成形ガラスフリット131およびフレア加工を施した導通管132は、クリップ7’でこのフレア加工部を押圧することにより固定される。このクリップ7’のクリップ先端は、導通管132の管状部分を回避してフレア加工部を押圧するために、U字状の切り欠が設けられている。導通管132のフレア加工を施されていない先端には、シールヘッド133を装着する。ここで使用するシールヘッド133には、導通管132を周囲から締め付ける方向に加圧密着することで真空を維持できる樹脂が設けられている。この樹脂の耐熱性は、200°C程度であり、この樹脂全体を冷却するために、冷却水を循環させる冷却水配管135をシールヘッド133に設けてある。
【0131】
さらに、背面ガラス基板102の貫通穴115は、成形ガラスフリット131の孔、導通管132を介して、排気/ガス導入配管134に接続されている。この排気/ガス導入配管134は、図示していない切り換え弁を介して、真空設備と放電ガスを供給する設備に接続されている。
【0132】
真空加熱炉140に投入された重ね合わせた基板対は、不純ガスの影響による基板性能の変化が起きにくい350°C程度まで基板破損が発生しない程度の急激な昇温レートで昇温する(図14のT1)。
【0133】
つぎに、真空加熱炉140内を排気することによって、重ね合わせた基板対の周囲全体を真空排気し、かつ基板温度を350°〜370°C程度に維持しておく(図14のT2)。
【0134】
この時、シール材104、未溶融であるために、第5の実施形態と同様に基板から発生する不純ガスをシール材104と前面ガラス基板101との間隙105(図10を参照)から、効率良く除去することが可能となる。この不純ガスの除去が完了するまで、基板温度の維持を継続する。
【0135】
つぎに、重ね合わせ基板の温度を370°〜410°Cに昇温する(図14のT3)。この時、第5の実施形態と同様に、シール材104の溶融および融着が順次おこなわれ、同時に成形ガラスフリット131の溶融および背面ガラス基板102と導通管132のフレア部の融着も順次おこなわれる。シール材104および成形ガラスフリット131による融着が完了すると、重ね合わせた基板対によって形成された放電空間103と導通管132は、シールヘッド133を介して排気/ガス導入配管134に対して、閉じた系となりシールヘッド133を介して真空排気が可能となる。
【0136】
ここで、真空加熱炉140内の圧力に対して、閉じた系となった放電空間103内の圧力を負圧に制御し、炉内圧力を基板に対して常時加圧状態とし、この加圧力を利用して溶融したシール材104の変形を行う。
【0137】
この第6の実施形態では、第1〜4の実施形態と同様に、重ね合わせた基板を締め付け固定するクリップ7は、締め付け力を前面ガラス基板101、背面ガラス基板102が位置ズレしない程度に弱めたり、取り付け個数を減らしたりすることが可能となる。
【0138】
また、シール材104が完全に溶融するまでに、重ね合わせ基板の周囲を大気圧レベルまで戻す。この操作によって、第4の実施形態と同様にシール材104に内在する微小泡が巨大化することによる不具合を対策することが可能となる。本第6の実施形態では、重ね合わせ基板が閉じた系となった状態では、その内部は不純ガスによって汚染されないために、炉内を大気圧に戻すために導入するガスには、大気を用いることが可能となる。また、純度の高い不活性ガスや放電用ガスは重ね合わせ基板内部に充填する極僅かな量で処理することが可能となる。さらに、大気リーク後の工程(図14のT4〜T6)は、従来プロセスと同様に大気加熱炉内での処理が可能となる。
【0139】
つぎに、重ね合わせ基板内部の排気を継続し、不純ガスの残留が無い様に一定時間保持(図14のT4)するが、基板から発生する不純ガスの大半はシール材104の融着以前の周囲からの真空排気で除去されているために、従来方法よりも短時間で降温工程(図14のT5)に移行することが可能になる。
【0140】
また、第5の実施形態の様に、重ね合わせ基板内に真空加熱炉140内を経由する不活性ガスなどの導入を行わないために、不活性ガスの汚染による問題も少なく、歩留りも有利になる。
【0141】
つぎに、第5の実施形態と同様に重ね合わせ基板が常温となるまで降温(図14のT6)し、放電用ガスをシールヘッド133および導通管132を介して充填する。ついで、導通管132を切り取り、パネルを完成する。
【0142】
本第6の実施形態によれば、ガラス基板を弱い挟持で保持でき、かつ放電空間103内の不純物を十分に除去することができる。さらに、一連の工程中において、設備的に大規模となる真空加熱炉の適用が350°〜410°C程度の極一部期間(図14のT2〜T3)に限定することが可能であり、また、貫通穴115の封着法にも従来と同じ手法を採用できるため、比較的容易な設備で対応でき且つ、信頼性も向上する。
【0143】
次に第7の実施形態を図15〜18に示す。本実施形態では、第6の実施形態で使用したPDP130を使用する。図15は、基板対101、102を含むPDP130の処理工程の状態を示す図、図16は処理サイクルを示す図である。図17はシールヘッドの詳細を示し、図18はこのシールヘッドの動作を示す。第1〜6の実施形態の部材と同じ機能を果たす部材には、同じ符号を付して説明を省略する。
【0144】
第7の実施形態では、第6の実施形態の様に導通管132にシールヘッド150を常時、取り付けて置く必要が無い点と、同実施形態の様に、必要とする期間のみ基板対の周囲を高真空にすればよい点の両方を満足させた製造方法である。
【0145】
前面ガラス基板101および背面ガラス基板102は、第5の実施形態と同様に形成する。第5の実施形態と同様に、前面ガラス基板101と背面ガラス基板102は重ね合わされて、複数のクリップ7で固定される。クリップ7の締め付け位置についても第5の実施形態と同様に行う。
【0146】
つぎに、第6の実施形態と同様に、成形ガラスフリット131およびフレア加工を施した導通管132は、クリップ7’で固定される。導通管132のフレア加工が施されていない先端部は、第5の実施形態と異なり開放状態となっている。
【0147】
つぎに、重ね合わされた基板対は,真空加熱炉160に投入され、昇温される(図16のT1)。不純ガスの影響による基板性能の変化が起きにくい350°C程度までは基板破損が発生しない程度の急激な昇温レートで昇温する。
【0148】
つぎに、重ね合わせ基板の周囲全体を真空排気する。重ね合わせ基板の温度は、350°〜370°C程度に維持して置く(図16のT2)。
【0149】
この時に、シール材104は未溶融であるために、第5、6の実施形態と同様に前面および背面ガラス基板101、102などから発生する不純ガスを効率良く除去することが可能となる。不純ガスの除去が完了するまで、基板温度の維持を継続する(図16のT2)。
【0150】
つぎに、重ね合わせ基板の温度を、370°〜410°Cに昇温する(図16のT3)。この時に、第6の実施形態と同様に、シール材104の溶融および融着が順次行われると同時に、成形ガラスフリット131の溶融および背面ガラス基板102と導通管132のフレア部の融着も順次行われる。
【0151】
つぎに、第6の実施形態と同様にシール材104が完全に溶融するまでに、重ね合わせ基板の周囲の圧力を、排気/ガス導入配管151を介して導入する不活性ガスまたは放電ガスで上昇させる。これによって、第4、5の実施形態と同様にシール材104に内在する微小泡が巨大化することによる不具合を対策することが可能となる。
【0152】
つぎに、シール材104が固化する温度まで降温させるとともに(図16のT5)、再度重ね合わせ基板の周囲からの排気を開始する。この排気によって、図16のT4の期間に発生した僅かな不純ガスは、より確実に除去される。また、必要に応じて、図16のT5では温度を一定に保持してさらに確実な不純ガス除去を行う。
つぎに、冷却を行うが(図16のT6)、冷却効率を向上させる目的で、不純ガスを含まない放電ガスなどを排気/ガス導入配管151を介して、真空加熱炉160内に充填してもよい。
【0153】
つぎに、重ね合わせ基板が常温となるまで降温したのちに、シールヘッド150を図示しない昇降機構によって降下させ、導通管132に装着する。このシールヘッド150の詳細を図17、18を参照して説明する。
【0154】
シールヘッド150の駆動用エアー配管170には、図示していないエアー供給源から、バルブを介して高圧エアーが供給されている。この高圧エアーは、内部配管によって,円筒部171の側壁に設けられたOリング172に供給され、このOリング172の内径を可変にすることが可能となっている。また、円筒部171の頂部壁には、排気/ガス導入配管173が設けられている。一方、シールヘッド150の下部のL字状部先端には、導通管132の一部を融着し、封止するためのヒータ174が設けられている。
【0155】
つぎに、図18を参照してシールヘッドの動作を説明する。図18の(A)は、シールヘッド150が降下する前の状態を示し、同図の(B)は、シールヘッド150が導通管132に装着したときの状態を示し、同図の(C)はシールヘッド150を介して、放電空間に所定のガスを充填して、さらに導通管132をヒータ174で封着した後に,シールヘッド150が(A)の位置に戻った状態を示す。
【0156】
このシールヘッド150を下降させた位置で,Oリング172にエアーを供給して、Oリング172の内径部分と導通管132とを密着させる(図18の(B))。この密着によって、放電空間103は円筒部171を介して、排気/ガス導入配管173と接続される。つぎに、冷却時に導入したガスを排気/ガス導入配管173に接続した真空ポンプ(図示せず)により排気した後に、放電用ガスを排気/ガス導入配管173、シールヘッド150および導通管132を経由して規定の圧力になるまで、放電空間103内に充填する。ここで、冷却用ガスに放電用ガスを使用した場合には、放電用ガスの充填圧力の調整のみを行う。
【0157】
この充填後に,ヒータ174に通電して,前記したように導通管132の一部を融着し,封止し,シールヘッド150を上昇させる(図18の(C))。このヒータ174で導通管132の一部を溶融する際に点溶融箇所が管径内側方向に容易に変形する様に、一対の基板の外周囲または溶融箇所の近傍を放電空間内圧よりも高圧に保持してもよい。
【0158】
本実施形態では、第5、6の実施形態の不純物排除の効果に加え、第6の実施形態の様に導通管132にシールヘッド133を常時、取り付けて置く必要が無いので、重ね合わせ基板の搬送などが容易になり、またシールヘッドを常温付近のみで使用するので、シールヘッドからの不純ガスの発生を回避でき、また耐高温性の部材等を使用せずに済み比較的容易な設備で対応でき且つ、信頼性も向上する。
【0159】
また、本第7の実施形態で使用したシールヘッド150は、耐熱性部品を使用したり、冷却水を循環する構造とすることによって第6の実施形態でも使用でき、本第7の実施形態と同様に常時、取り付けて置く必要が無いので、重ね合わせ基板の搬送などが容易になる効果がある。
【0160】
【発明の効果】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法によれば、一対の基板間を減圧にした状態で、シール材を溶融させるため、その内外の圧力差によって、一対の基板がシール材を押し潰しながら引き寄せられることで封止が行なわれる。そのた外部から基板に圧力を加える必要がなくストレスのない状態で封止可能となると共に、シール材により一対の基板が封止される時間を大幅に短縮することが可能となる。また、外部から圧力を加えるための治具の設置時間も短縮され、量産性を向上させることができる。
【0161】
更に、1枚の基板から複数のPDPを得る場合には、基板の中央部のシール材が配設されるが、この中央部の封止も治具を用いることなく確実に実施することが可能となる。
【0162】
更に本発明によれば、放電空間内の不純物をシール材と基板間の間隙を介して除去するのでより確実に放電空間内の不純物を除去することと、シール材から発生する不純物がこの放電空間に残留することを軽減でき、蛍光体の発光特性(色温度)を含めてプラズマディスプレイパネルの動作特性や表示特性改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の基本的な処理サイクルを示す図である。
【図2】 本発明に係る封止工程時の状態を示す図である。
【図3】 本発明の第1の実施形態に係る封止工程を示すPDP断面図である。
【図4】 本発明の第1の実施形態に係る背面ガラス基板の斜視図である。
【図5】 本発明の第1の実施形態に係る処理サイクルを示す図である。
【図6】 本発明の第1の実施形態に係る障壁の変形例を示す図である。
【図7】 本発明の第2の実施形態に係るPDPを示す図である。
【図8】 本発明の第3の実施形態に係るPDPを示す図である。
【図9】 本発明の第4の実施形態に係る処理サイクルを示す図である。
【図10】 本発明の第5の実施形態に係るガラス基板対を重ね合わせた状態を示す図である。
【図11】 本発明の第5の実施形態に係る封止工程時の状態を示す図である。
【図12】 本発明の第5の実施形態に係る処理サイクルを示す図である。
【図13】 本発明の第6の実施形態に係る封止工程時の状態を示す図である。
【図14】 本発明の第6の実施形態に係る処理サイクルを示す図である。
【図15】 本発明の第7の実施形態に係る封止工程時の状態を示す図である。
【図16】 本発明の第7の実施形態に係る処理サイクルを示す図である。
【図17】 本発明の第7の実施形態に係るシールヘッドの詳細を示す図である。
【図18】 本発明の第7の実施形態に係るシールヘッドの動作を示す図である。
【図19】 PDPの構造を説明するための斜視図である。
【図20】 従来技術に係る封止工程時の状態を示す図である。
【図21】 従来の処理サイクルを示す図である。
【符号の説明】
1,11,31,41,100,130 PDP
2,12,32,42,101 前面ガラス基板
3,13,33,43,102 背面ガラス基板
4,14,34,44,104 シール材
5,35,45,132 導通管
6,103 放電空間
7 クリップ
8 加熱炉
9 配管
10,133,150 シールヘッド
22 障壁
110,140,160 真空加熱炉
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a plasma display panel in which a pair of substrates are sealed around a discharge space, and more particularly to a sealing method for forming a discharge space.
[0002]
The discharge space is an airtight space formed by sealing the periphery of a pair of substrates with a sealing material, and after being exhausted and purified to a stable state without impurities, a discharge gas is enclosed. Along with mass production, a method capable of quickly and reliably obtaining such a discharge space is required.
[0003]
[Prior art]
First, the structure of an AC-driven three-electrode surface discharge type PDP will be described as a typical example of a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP). FIG. 19 is a perspective view of a state in which a part of the PDP is cut out.
[0004]
As shown in FIG. 19, on the inner surface of the front glass substrate 50, display electrodes (also referred to as sustain electrodes) X and Y for generating surface discharge along the substrate surface are provided for each line L of the matrix display. A pair is arranged. The display electrode pairs X and Y are formed by a photolithography technique, each having a wide linear transparent electrode 52 made of an ITO (Indium Tin Oxide) thin film and a narrow straight line made of a metal thin film having a multilayer structure. The bus electrode 53 is in the form of a ring.
[0005]
In addition, a dielectric layer 54 for AC (alternating current) driving is provided by screen printing so as to cover the display electrodes X and Y with respect to the discharge space. A protective film 55 made of MgO (magnesium oxide) is deposited on the surface of the dielectric layer 54.
[0006]
On the other hand, on the inner surface of the rear glass substrate 51, address electrodes 56 for generating an address discharge are arranged at a constant pitch so as to be orthogonal to the display electrodes X and Y. This address electrode 56 is also formed by a photolithography technique, and is formed by a metal film having a multi-layer structure, like the bus electrode 53.
[0007]
A dielectric layer 57 is formed by screen printing on the entire surface of the rear glass substrate 51 including the address electrode 56, and a plurality of linear partition walls 58 having a height of about 150 μm are formed on the upper layer of the dielectric layer 57. 56 are provided one by one.
[0008]
The three primary colors of R (red), G (green), and B (blue) for full color display so as to cover the surface of the dielectric layer 57 and the side surface of the partition wall 58 including the upper portion of the address electrode 56. The phosphor 60 is also provided by screen printing.
[0009]
Further, in the discharge space 59, a discharge gas such as Ne—Xe (mixed gas of Ne and Xe) that excites the phosphor by irradiating ultraviolet rays during discharge is sealed at a pressure of about several hundred torr. A sealing material (seal glass layer) 61 for sealing the discharge space 59 is provided on the periphery of the substrate.
[0010]
The front glass substrate 50 and the rear glass substrate 51 are individually formed, and finally the two substrates are bonded together with a sealing material 61 so as to have a discharge space, thereby completing the PDP.
[0011]
A conventional method for manufacturing a PDP including a step of forming a discharge space shielded from the outside by the sealing material 61 will be described with reference to FIGS. 20 and 21 are diagrams for explaining the prior art. FIG. 20 is a cross-sectional view and a plan view showing the PDP state during the sealing process, and FIG. 21 shows a processing cycle of heating and exhausting over time. FIG.
[0012]
The sealing material 61 shown in FIG. 19 is formed on the back glass substrate 51 side by applying a paste-like glass material and then solidifying it, and this sealing glass layer (sealing material) is temporarily applied in the sealing process. It is joined to the front glass substrate 50 side by melting and solidifying again.
[0013]
As shown in FIG. 20, the PDP 71 in the conventional sealing step is overlapped with a front glass substrate 72 and a rear glass substrate 73 with a sealant 74 interposed therebetween, and the periphery thereof is fixed by a number of clips 77. . The clip 77 sandwiches and fixes the front glass substrate 72 and the rear glass substrate 73 and applies a predetermined pressure to the seal portion when the sealing material 74 is melted.
[0014]
That is, in the step of sealing with the sealing material 74, in order to obtain a desired discharge space 76, the sealing material 74 interposed between the pair of glass substrates 72 and 73 is melted by heating and then defined by the partition walls. For this purpose, a predetermined pressure must be applied in the direction in which the pair of glasses 72 and 73 approach each other when the sealing material 74 is melted. A large number of clips 77 were necessary to obtain this pressure.
[0015]
Note that a conductive tube (glass tube) 75 is provided around the rear glass substrate 73 so as to communicate with the discharge space 76, and the discharge space is exhausted and filled with the discharge gas.
[0016]
In the conventional method in which the sealing process is performed in such a manner that the glass substrate pairs 72 and 73 are sandwiched and fixed using a large number of clips 77 as described above, a thin glass substrate of about 3 mm is directly sandwiched by the clips. The stress may damage the glass substrate. Therefore, it is necessary to perform sealing for a relatively long time with a weak pressure.
[0017]
The conventional processing cycle as described above is shown in FIG. 21 and will be described in more detail.
[0018]
As shown in FIG. 20, the glass substrate pairs 72 and 73 fixed by a plurality of clips 77 are carried into a heating furnace, and a seal head is attached to the conducting tube 75. The seal head is connected to an exhaust pump and a gas cylinder, and is attached to the conduction pipe 75 in a sealed state.
[0019]
In such a state, first, the heater for heating is operated to gradually increase the temperature in the heating furnace until the melting temperature of the sealing material 74 is reached (temperature rise period T1). Thereafter, the inside of the heating furnace is held at the melting temperature of the sealing material 74 for a certain time (temperature holding period T2). In this temperature holding period, the sealing material 74 is melted and the front glass substrate 72 and the rear glass substrate 73 are brought close to each other by the pressure of the clip 77 until the gap defined by the partition wall 58 (see FIG. 19) is reached.
[0020]
As described above, this step needs to be performed slowly in a state where the low-pressure clip is sandwiched, so that the temperature holding period T2 takes a relatively long time.
[0021]
Accordingly, when the gap between the front glass substrate 72 and the rear glass substrate 73 becomes a predetermined gap defined by the partition walls, the temperature in the heating furnace is lowered to the solidification temperature of the sealing material 74 (temperature drop period T3). In the period up to this point, exhaust and gas introduction in the discharge space 76 are not performed.
[0022]
Next, the temperature lowered in the temperature drop period T3 is held for a certain time (temperature hold period T4). This temperature is set to a relatively high temperature at a level at which the sealing material 74 does not melt. Simultaneously with the start of this temperature holding period T4, the discharge space 76 is exhausted through the conducting tube 75.
[0023]
This evacuation is performed to remove impurities present in the discharge space 76, and in order to promote the separation of the impure gas adsorbed on the dielectric layer, the protective film, etc., the temperature holding period in the high temperature state described above is used. Performed at T4. Therefore, the temperature holding period T4 is set on the basis of the time when the impure gas separation ends.
[0024]
Thereafter, the temperature of the heating furnace is lowered by stopping the operation of the heater for heating the heating furnace (temperature drop period T5). During this time, evacuation is performed to further remove impurities.
[0025]
When the impurities in the discharge space 76 are removed and the inside of the heating furnace is stabilized at normal temperature (normal temperature period T6), a discharge gas is introduced from the conducting tube 75 instead of exhaust. The discharge gas is, for example, a neon-xenon mixed gas, and can be introduced by switching a valve provided in the pipe.
[0026]
By passing through the process cycle demonstrated above, the front glass substrate 72 and the back glass substrate 73 are adhere | attached with a sealing material, and the predetermined discharge space 76 is formed between these substrates.
[0027]
[Problems to be solved by the invention]
In the above conventional technique, since the pressure at the time of sealing is obtained by sandwiching the periphery of the PDP 71 with a large number of clips 77, the clip 77 that directly contacts the glass substrates 72 and 73 becomes stress, and the glass substrate 72, 73 may be damaged. Therefore, sealing is performed over a relatively long time with a weak pressure.
[0028]
Therefore, a lot of time is required for the sealing step, that is, the temperature holding period T2, and the processing efficiency is deteriorated. Further, local stress is applied due to variations in the clip pressure, or a portion where sufficient pressure cannot be obtained occurs, so that the glass substrate is damaged or an incomplete sealing portion is formed.
[0029]
As a countermeasure against this problem, Japanese Patent Laid-Open No. 50-3570 discloses that a pair of substrates are placed and heated via a sealing frit, and when the frit is in a molten state, the inside of the panel container is evacuated and depressurized. A panel container sealing method is disclosed in which both substrates are sealed with a predetermined gap therebetween. However, in Japanese Patent Laid-Open No. 50-3570, since the impurities in the discharge space are removed only through the glass tube corresponding to the conducting tube 75, it takes a long time to remove the impurities, and the insufficient removal. There is a fear.
[0030]
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a plasma display panel manufacturing method suitable for mass production including a process capable of performing efficient and reliable sealing and impurity removal.
[0031]
[Means for Solving the Problems]
The present invention for solving the above problems is based on the idea of performing a peripheral seal by applying a pressure difference between the inside and outside of a pair of substrates when the sealing material is melted, and thereby using a pressing force applied to the sealing material. It is what. More specifically, the method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention includes a step of stacking a pair of substrates with a frame-shaped sealing material interposed therebetween, and a process until the sealing material between the pair of substrates is melted. The space surrounded by the sealing material is evacuated under heating conditions, and the evacuation is continued and the sealing material is heated and melted to compress the sealing material and define the gap between the substrate pair. It is characterized by sequentially performing a process and a process of forming a discharge space between the substrates by bonding and fixing the pair of substrates by solidifying the once melted sealing material.
[0032]
According to the present invention, since the sealing material is melted in a state where the pressure between the pair of substrates is reduced, the pair of substrates are attracted while crushing the sealing material due to a pressure difference between inside and outside. Therefore, the pressure applied to the substrate from the outside can be minimized, the local stress as in the past is eliminated, the time for sealing the pair of substrates with the sealing material is greatly shortened, and the exhaust is fused to the sealing material. Since the process is started before the removal, it is possible to promote the removal of impurities in the discharge space. Further, by eliminating the need for an external pressing force in this way, it is convenient to increase mass production efficiency by applying to a sealing process in a manufacturing process in which a large number of panels are cut out from a single glass substrate.
[0033]
Further, according to the present invention, in the three-electrode surface discharge panel as described above, a plurality of barrier ribs or ribs having a predetermined pattern for partitioning the discharge space are provided on the inner surface of the substrate, and the gap of the discharge space is formed by the barrier ribs. Paying attention to the points held, the frame-shaped sealing material is formed in advance higher than the height of the partition wall arranged in the discharge space, and the assembly of the substrate pair is installed in a vacuum heating furnace to surround the substrate pair. In addition, when the sealing material is melted, the substrate is directly evacuated to seal the periphery with a predetermined discharge space determined by the height of the partition wall.
[0034]
Thus, according to the present invention, the solid or gaseous impurities remaining in the discharge space can be discharged and removed at a stage before the sealing material melts through the leak gap between the sealing material and the substrate. It is possible to improve the operation characteristics and display characteristics of the panel.
[0035]
In addition, in the plasma display panel which is the subject of the present invention, a phosphor is attached to one of the substrates, particularly the substrate on the back side, together with the above-mentioned partition walls, and conventionally, the light emission characteristics tend to be deteriorated at the time of sealing. According to the present invention, heating at the time of melting the sealing material is performed in a vacuum atmosphere, and furthermore, sufficient cleaning is performed using a pressure difference between the inside and outside, so that the color temperature of the luminescent color of the phosphor can be improved. .
[0036]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0037]
FIG. 1 is a diagram showing a basic processing cycle with time in the manufacturing method of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a state of a PDP in a sealing process in the manufacturing method of the present invention.
[0038]
First, the principle of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0039]
In the present invention, the pressing force for crushing the sealing material (seal glass layer) that melts at the time of sealing generates a pressure difference between the inside of the space serving as the discharge space between the pair of glass substrates and the outside thereof. It is configured to get by. That is, the discharge space is evacuated to reduce the pressure in the space, and the sealing material is pressed by applying pressure in a direction approaching each glass substrate.
[0040]
This eliminates the need for a large number of clips used in the past to apply pressure from the outside, and enables sealing in a state where the substrate pair is temporarily fixed with a small number of clips to prevent displacement of the glass substrate pair. It becomes.
[0041]
2A and 2B show the state of the PDP in the sealing process in a cross-sectional view and a plan view.
[0042]
As shown in FIG. 2A, the PDP 1 includes a front glass substrate 2 and a rear glass substrate 3, and is sandwiched between clips 7 with a sealant 4 interposed therebetween. Electrodes, dielectric layers, partitions, and the like are formed on the inner surfaces of the front glass substrate 2 and the rear glass substrate 3, but are omitted for convenience in FIG.
[0043]
On the rear glass substrate 3, a conducting tube (glass tube) 5 for exhausting and introducing gas into the discharge space 6 is provided so as to protrude upward, and is connected to the pipe 9 through the seal head 10. It is connected. The conducting tube 5 is connected to a through hole formed in the rear glass substrate 3 in advance.
[0044]
The point to be noted here is that, as is clear from FIG. 2 (B), only a few clips 7 are arranged on the periphery of the PDP 1 so as to prevent displacement, and the clamping force is also the same as the conventional example. It is a good point if it is weak.
[0045]
In this state, the PDP 1 is placed in the heating furnace 8 and subjected to processing such as heating, exhaust, and gas introduction. Although not shown in the figure, a plurality of mounting shelves arranged in the vertical and horizontal directions are actually provided in the heating furnace 8, and a plurality of PDPs 1 are simultaneously processed according to the processing cycle shown in FIG.
[0046]
As shown in FIG. 1, first, the temperature in the heating furnace 8 is gradually increased until the melting temperature of the sealing material (seal glass layer) 4 is reached (temperature increase period T1). Thereafter, the inside of the heating furnace is held at the melting temperature of the sealing material 4 for a certain time (temperature holding period T2). Exhaust is started in this temperature holding period T2.
[0047]
The solidified sealing material (seal glass layer) 4 is melted and adhered to the substrate in the temperature holding period T2, and there is no gap with the substrate. The inside of the space 6 is depressurized, pressure is applied to the front glass substrate 2 and the back glass substrate 3 in a direction approaching each other, and the melted sealing material 4 is crushed, whereby the discharge space 6 is defined by the partition walls. It becomes a predetermined gap.
[0048]
As described above, when the gap between the glass substrate pair 2 and 3 becomes a predetermined gap, the temperature in the heating furnace 8 is lowered to the solidification temperature of the sealing material 4 (temperature drop period T3). During this time, exhaustion continues.
[0049]
Next, the temperature lowered in the temperature drop period T3 is held for a certain time (temperature hold period T4). This temperature is set to a relatively high temperature at a level at which the sealing material 4 does not melt. Exhaust continues further during the temperature holding period T4.
[0050]
The exhaust after the temperature drop period T3 is performed to remove impurities present in the discharge space 6, and impure gas (hydrocarbon, etc.) adsorbed on the dielectric layer, the protective film, the partition walls, the sealing material, and the like. In addition, since the release of moisture is promoted at a high temperature, a temperature holding period T4 for maintaining a relatively high temperature is provided.
[0051]
The temperature holding period T4 is set on the basis of the time until impure gas or the like leaving from the protective layer or the like becomes a minute amount so as not to affect the display or the like. Thereafter, the operation of the heater in the heating furnace 8 is stopped to lower the temperature in the heating furnace 8 (temperature drop period T5). During this T5 period, the exhaust is carried out to further remove impurities.
[0052]
When the impurities in the discharge space 6 are removed and the inside of the heating furnace 8 is stabilized at normal temperature (normal temperature period T6), a discharge gas is introduced from the conducting tube 5 instead of exhaust. The discharge gas is, for example, a neon-xenon mixed gas, and can be introduced by opening a valve provided in the pipe 9. At this time, the operation of the exhaust pump is stopped and the valve on the exhaust side is closed.
[0053]
After that, the PDP 1 is completed by removing the conducting tube 5 and closing the through hole of the back glass substrate 3 formed in the conducting tube 5 without releasing the airtight state in the discharge space 6.
[0054]
According to the processing cycle according to the present invention described above, the sealing material 4 can be crushed by adjusting the pressure in the discharge space without applying pressure to the glass substrate pairs 2 and 3 from the outside. Accordingly, since there is no stress that directly contacts the glass substrates 2 and 3, it is possible to seal in a short time by exhausting to some extent so that the inside of the discharge space 6 becomes a predetermined pressure. In addition, impurities in the discharge space can be removed and cleaned by exhaust.
[0055]
3 to 5 are diagrams for explaining the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the inside of the PDP until sealing is performed, and FIG. FIG. 5 is a perspective view of the processed rear glass substrate, and FIG.
[0056]
As shown in FIG. 3A, the front glass substrate 12 is provided with a display electrode 15, a dielectric layer 16, and a protective film 17. On the other hand, on the rear glass substrate 13, the address electrodes 18 and the dielectric layer 19, the partition wall 20 defining the discharge region and the discharge gap, and the phosphor 21 disposed between the partition walls 20, and the sealing material 14 and the sealing material 14 are provided. A barrier 22 is formed to prevent intrusion into the inside.
[0057]
Formation of panel constituent members such as electrodes, dielectric layers, barrier ribs and phosphors is performed by a general process such as photolithography or screen printing.
[0058]
The perspective view of FIG. 4 shows the configuration of the sealing material 14 and the barrier 22 more clearly. That is, the sealing material (seal glass layer) 14 is formed in a frame shape around the rear glass substrate 13, and the barrier 22 is formed slightly inside the sealing material 14 at a predetermined interval. Yes. The barrier 22 prevents the sealing material 14 from entering the display area when exhausting, and has an interval to secure an exhaust path with respect to the vicinity of the sealing material 14.
[0059]
In FIG. 4, for convenience of explanation, the address electrode, the dielectric layer, the partition wall, and the like are omitted, and only the sealing material 14 and the barrier 22 are shown.
The front glass substrate 12 and the back glass substrate 13 having such a structure are overlapped to obtain the state shown in FIG. The overlapped substrate pair is fixed by a misalignment prevention clip having a weak spring force that does not apply stress to the substrate. In this state, as is clear from FIG. 3B, the sealing material 14 formed on the rear glass substrate 13 supports the front glass substrate 12, and the partition walls 20, the front glass substrate 12 (protective film 17), There is a gap between them. Further, since all of the upper end portion of the sealing material 14 is not flat, a small gap is formed between the sealing material 14 and the front glass substrate 12.
[0060]
The front glass substrate 12 and the rear glass substrate 13 temporarily fixed in this manner are carried into a heating furnace, and heating and exhaust processing are started. (See Fig. 2 for the state in the heating furnace)
FIG. 5 is a diagram for explaining this processing cycle, wherein (A) shows the temperature profile in the heating furnace, and (B) shows the pressure profile in the discharge space. As shown in FIG. 5A, in the heating furnace, first, the heater is operated to gradually increase the furnace temperature from the normal temperature (temperature increase period T1). The sealing material 14 used in the present embodiment is mainly composed of low-melting glass, and its melting temperature is approximately 400 ° C., and therefore the temperature in the heating furnace is increased to 400 ° C. during the temperature increase period T1. Let
[0061]
When the furnace temperature reaches around 400 ° C., the sealing material 14 is melted, and the upper end surface of the molten sealing material adheres to the front glass substrate 12, so that there is a gap between the sealing material and the front glass substrate 12. Disappear. As a result, the gap (discharge space) between the front glass substrate 12 and the rear glass substrate 13 is sealed.
[0062]
Thereafter, the temperature (400 ° C.) at which the sealing material 14 is melted is held for a certain time (temperature holding period T2). In this temperature holding period T2, evacuation is started as shown in FIG. 5B, and the pressure inside the sealed discharge space is reduced to a predetermined reduced pressure, for example, about 50,000 to 70,000 Pa (Pascal). This pressure is a pressure necessary for crushing the sealing material 14 to be melted to draw the front glass substrate 12 and the rear glass substrate 13, and is appropriately selected according to the material of the sealing material 14, the volume in the discharge space, and the like. To do.
[0063]
When the discharge space reaches a desired pressure (50,000 to 70,000 Pa), the exhaust is temporarily stopped to maintain the pressure. At this time, since the sealing material 14 is melted and the inside of the discharge space is in a reduced pressure state, the front glass substrate 12 and the back glass substrate 13 are drawn while crushing the sealing material 14. On the other hand, since the exhaust is stopped in the middle, the molten sealing material does not flow into the discharge space.
[0064]
After a predetermined time has elapsed, the front glass substrate 12 and the back glass substrate 13 are drawn to a position where they are supported by the partition walls 20 as shown in FIG. In the present embodiment, the temperature holding period T2 is set to 10 minutes, and a desired discharge space can be obtained by this set time.
[0065]
Thereafter, the temperature in the heating furnace is lowered to the solidification temperature of the sealing material 14 (temperature drop period T3), and the sealing with the sealing material 14 is completed.
[0066]
Next, the temperature lowered in the temperature drop period T3 is held for a certain time (temperature hold period T4). This temperature is set to 350 ° C., which is a relatively high temperature at a level at which the sealing material 14 does not melt.
[0067]
In the first half of the temperature holding period T4, the exhaust is resumed and the pressure in the discharge space is set to 10 as in the conventional example. -3 After a high vacuum of about Pa, a neon-xenon mixed gas, which is a discharge gas, is introduced into the discharge space from the conducting tube, and then evacuation is started again. The gas introduction performed here is for washing out impurities inside the discharge space, and after discharging the discharge gas to every corner of the space, it is exhausted to enable more reliable impurity removal. .
[0068]
After this, the temperature holding period T4 continues for a predetermined time. By keeping this at a high temperature, the generation of impurity gas from the dielectric layers 16 and 19 and the protective film 17 is promoted. It is for removing.
[0069]
Further, at the time of evacuation immediately after the introduction of the gas during the temperature holding period T4, the aging process is performed by applying a predetermined voltage to the address electrodes. This aging process is intended to stabilize the address electrodes.
[0070]
The temperature holding period T4 is set to a time when gas is no longer generated from the panel constituent members, and then the operation of the heater in the heating furnace is stopped to lower the temperature in the heating furnace (temperature drop period T5). . During this period as well, evacuation is carried out to further remove impurities.
[0071]
When the impurities in the discharge space are removed and the inside of the heating furnace is stabilized at normal temperature (normal temperature period T6), a discharge gas, that is, a neon-xenon mixed gas is introduced from the conducting tube instead of exhaust.
[0072]
By passing through such a processing cycle, the glass substrate pairs 12 and 13 are bonded together to form a desired discharge space defined by the partition wall, and a discharge gas is sealed in the discharge space.
[0073]
According to the present embodiment, the sealing process that has conventionally required several hours, that is, the temperature holding period T2, can be set to several tens of minutes. In addition, since the number of steps for attaching a large number of clips is not required, the production efficiency is greatly improved.
[0074]
Further, when the thickness of the seal portion of the PDP manufactured in this embodiment was measured at a plurality of locations, it was almost the same as the preset reference value, and it was confirmed that the desired sealing was performed.
[0075]
Furthermore, it has been confirmed that the luminance and the color temperature of the phosphor are improved as compared with the case of sealing with the conventional clip pressure, and the color temperature is improved by a little less than 20%, and the current value is also stable. This is probably because the discharge space was formed with high accuracy, the impure gas was exhausted sufficiently, and the high-temperature treatment in the atmosphere during sealing was avoided.
[0076]
FIG. 6 is a plan view for explaining a modified example of the barrier according to the first embodiment of the present invention. The barrier in this modification more reliably prevents the seal material from entering the display area.
[0077]
That is, as shown in FIG. 6, a barrier 22 ′ having an exhaust path in a direction inclined with respect to the direction in which the sealing material 14 extends is formed inside the sealing material 14 of the rear glass substrate 13 ′. . When the barrier 22 ′ has such a shape, it is possible to reliably prevent the sealing material 14 from entering while securing the exhaust path.
[0078]
The barrier in this embodiment prevents the sealing material that melts when the discharge space is exhausted from entering the display area. However, if the exhaust force or the exhaust time is selected, the sealing material is drawn inward. The barrier is not necessarily required because it can be held in place.
[0079]
7A and 7B are diagrams showing a PDP according to the second embodiment of the present invention. FIG. 7A is a plan view and FIG. 7B is a cross-sectional view. In the present embodiment, a plurality of panels that are particularly suitable for the present invention are formed simultaneously.
[0080]
Along with mass production, a method of obtaining a plurality of PDP panel substrates from a single (a pair of opposing) glass substrates has started to be employed for efficient production. In this method, components such as electrodes, dielectric layers and partition walls are simultaneously formed on a large glass substrate for a number corresponding to a plurality of panels, and then the large glass substrate is cut and divided for each panel. Thus, this is a manufacturing technique for finally obtaining a plurality of PDPs, and the manufacturing efficiency can be improved.
[0081]
The PDP 31 shown in FIG. 7 (here, the state in which the two sheets are integrated together is also referred to as PDP), and as described above, the patterns of the electrodes, dielectric layers, etc. are changed so that two PDPs can be simultaneously Is formed.
[0082]
Two sets of frame-shaped sealing materials 34a and 34b are interposed between the large front glass substrate 32 and the rear glass substrate 33 having the size of two sheets, and the rear glass substrate. 33 is provided with two sets of conducting pipes 35a and 35b in a region surrounded by the sealing materials 34a and 34b.
[0083]
When two sets of sealing materials 34a and 34b are formed in this way, the sealing material is disposed also in the central portion of the glass substrate, unlike the case where one sealing material is formed only in the peripheral portion of the substrate. Become. Therefore, in the conventional technique for obtaining the pressing force against the sealing material by the clip, it is not possible to apply pressure to the sealing material at the central portion. Therefore, a jig (such as a large clip) for applying a pressing force to the sealing material located at the center of the glass substrate from above and below is required, and the apparatus becomes large.
[0084]
On the other hand, since this invention is the structure which obtains the pressing force with respect to a sealing material by decompressing the inside of discharge space, such a clip (a large-sized clip is included) is not required. Therefore, even when the sealing material is present at the center of the glass substrate as in this embodiment, it is possible to perform sealing easily and reliably.
[0085]
The PDP 31 shown in FIG. 7 is carried into the heating furnace in this state, and sealed and exhausted.
[0086]
In the heating furnace, the PDP 31 is provided with different seal heads on the conducting pipes 35a and 35b, respectively, and discharge of the discharge space and introduction of the discharge gas are performed through separate piping.
[0087]
The subsequent processing cycle is the same as that of the first embodiment shown in FIG. After this processing cycle, as in the first embodiment, after introducing the discharge gas and removing the conducting tubes 35a and 35b, the PDP 31 is unloaded from the heating furnace, and the front glass substrate 32 and the back glass substrate 33 are mounted. By cutting along the central cutting line 36, two PDPs are completed simultaneously.
[0088]
According to the present embodiment described above, when two PDPs are formed at the same time in order to improve mass productivity, the central portion of the glass can be reliably sealed without applying pressure from the outside. Become.
[0089]
8A and 8B are views showing a PDP according to the third embodiment of the present invention. FIG. 8A is a plan view and FIG. 8B is a cross-sectional view. In the present embodiment, four PDPs are formed at the same time in order to further increase mass productivity as compared with the second embodiment.
[0090]
The PDP 41 shown in FIG. 8 (here, the state in which the four sheets are integrated is also referred to as a PDP) is formed by simultaneously forming four PDP sheets by changing the pattern of electrodes, dielectric layers, and the like as described above. Yes.
[0091]
In this embodiment, the large glass substrate is partitioned into four regions along the cutting line, and frame-shaped sealing materials 44a, 44b, 44c, and 44d are disposed in the partitioned regions, and the rear glass substrate 43 Four sets of conducting pipes 45a, 45b, 45c, and 45d are disposed in a region surrounded by each sealing material.
[0092]
Here, the four sets of conducting tubes 45a, 45b, 45c, and 45d are provided close to each other in the central part of the substrate where the four regions on the rear glass substrate 43 are adjacent to each other, so that the common piping is used. At the same time, it is devised so that exhaust and discharge gas can be introduced.
[0093]
That is, in the PDP 41 of the present embodiment, four sets of conducting pipes 45a, 45b, 45c, and 45d are connected to one pipe 47 via the seal head in the heating furnace as shown in FIG. 8B. become. Therefore, as shown by the arrows, when exhaust and discharge gas are introduced through the pipe 47, processing is simultaneously performed in the discharge spaces formed individually.
[0094]
Since the processing of the PDP 41 carried into the heating furnace is the same processing cycle as that of the first embodiment shown in FIG. 5, the description thereof is omitted, but the sealing materials 44a, 44b, 44c, and 44d are melted. Since each discharge space is depressurized in a state, sealing can be easily performed without applying pressure from the outside.
[0095]
Also in the present embodiment, as in the second embodiment, the sealing material is also disposed in the region (central portion) other than the peripheral portion of the glass substrate, but by reducing the discharge space as described above, Since the sealing is performed by obtaining the pressure for pressing the sealing material, the sealing of this portion can be performed reliably.
[0096]
After sealing in this way, impurities in the discharge space are removed, discharge gas is introduced, and the conducting tubes 45a, 45b, 45c, and 45d are further removed. Thereafter, the PDP 41 is unloaded from the heating furnace, and the front glass substrate 42 and the rear glass substrate 43 are cut along the cutting line 46 to complete four PDPs simultaneously.
[0097]
According to the present embodiment described above, when four PDPs are formed at the same time in order to increase mass productivity, the central portion of the glass can be reliably sealed without applying external pressure. Become.
[0098]
Further, since the conducting tubes 45a, 45b, 45c, and 45d are provided close to the center portion of the rear glass substrate 43 and exhaust and discharge gas are introduced through the common pipe 47, the structure of the exhaust system is simple. And its control becomes easy.
[0099]
In the above embodiment, gas is introduced into the discharge space during the temperature holding period T4 in order to wash out impurities in the discharge space. This gas introduction time is set to extend the temperature holding period of T2 shown in FIG. A similar effect can be obtained by introducing discharge gas, nitrogen gas, argon, or the like from the conducting tube into the discharge space after about 10 minutes have elapsed from the start of T2, and then starting exhaust again.
[0100]
Moreover, in the said embodiment, although exhaust_gas | exhaustion was started after the temperature in a heating furnace reached the temperature which fuse | melts a sealing material, you may perform this exhaustion start in the state below a sealing material melting temperature.
[0101]
The fourth embodiment is an example in which the start of exhaust is synchronized with the start of the heat treatment in the heating furnace, and FIGS. 9A and 9B show the temperature profile in the furnace and the discharge space in the treatment cycle. The pressure profile is shown.
[0102]
In this embodiment, as shown in FIG. 9A, exhaust is started at the start of temperature rise, and exhaust is temporarily stopped in the middle of the temperature holding period T2. Thus, when exhaust from the conducting tube is started at the same time as the temperature rises, as shown in FIG. 9B, the pressure in the discharge space does not change at first, and it starts from around 400 ° C. which is the melting temperature of the sealing material. The pressure in the discharge space begins to drop.
[0103]
In other words, until the temperature in the furnace reaches the melting temperature of the sealing material, the gas (air) in the furnace enters the discharge space through the gap existing between the unmelted sealing material and the front glass substrate. Due to the drawing, the pressure in the discharge space does not change. At this time, impurities (such as hydrocarbons) in the discharge space are discharged to the outside of the discharge space through the conducting tube by the airflow drawn into the discharge space from the periphery of the substrate. Therefore, impurity removal can be further improved.
[0104]
After that, when the melting temperature of the sealing material is reached, the sealing material starts to come into close contact with the front glass substrate, and the discharge space is sealed. Therefore, when the exhaust is continued, the pressure in the discharge space decreases and the exhaust is stopped. The pressure becomes constant.
[0105]
Thus, in this embodiment, since exhaust is started before the sealing material is fused, removal of impurities in the discharge space can be promoted. In this case, it is more effective if the atmosphere in the furnace is a clean gas such as nitrogen.
[0106]
Note that the processing after holding the pressure is substantially the same as that of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
[0107]
10 to 12 are views for explaining a fifth embodiment of the present invention. FIG. 10 is a cross-sectional view showing a state in which the glass substrate pairs 101 and 102 are overlapped, and FIG. , 102 shows a sealing process, and FIG. 12 shows a processing cycle. Various electrodes, dielectric layers, protective films, barrier ribs, phosphors, and the like are arranged on the front glass substrate 101 and the rear glass substrate 102 as in the first embodiment.
[0108]
The fifth embodiment differs greatly from the first to fourth embodiments described above in that a minute gap is formed between the sealing material and the substrate before sealing the sealing material, and the substrate pair is connected in this state. The object is to exhaust the impure gas in the pair of substrates through the gap between the substrate pair by evacuating while heating at a temperature at which the sealing material does not melt.
[0109]
The front glass substrate 101 and the back glass substrate 102 are overlapped and fixed with a plurality of clips 7 made of a heat-resistant and elastic material such as nickel / chrome / molybdenum steel. At this time, the clip 7 is attached so that the fastening position of the clip 7 is close to the partition wall 20 closest to the sealing material 104 of the discharge space 103 formed by the front glass substrate 101 and the rear glass substrate 102. With the clip 7 attached, the tightening force of the clip 7 is adjusted so that the top of the partition wall 20 is in close contact with the MgO protective film (not shown) of the front glass substrate 101. For the adjustment of the tightening force, the most preferable clip 7 may be selected from clips 7 having various tightening forces prepared in advance.
[0110]
Here, the overlapping process of the front glass substrate 101 and the rear glass substrate 102 is completed. At this time, the height of the sealing material is larger than the height of the partition wall, and the clamping force of the clip 7 causes the periphery of the substrate pair. Warping as shown in FIG. 10 occurs. An important point in this process is that the top of the sealing material 104 on the front glass substrate 101 and the back glass substrate 102 overlapped due to the warpage of the pair of substrates and the unevenness of the sealing top due to the variation in the formation of the sealing material 104 itself. In this manner, a gap 105 in which the gas can freely move is formed.
[0111]
A formed glass frit 119 formed in advance is placed in the through hole 115 of the pair of substrates 101 and 102 (hereinafter referred to as PDP 100) thus superposed (see FIG. 11). The formed frit glass 119 is fixed to the rear glass substrate 102 with a resin that decomposes by low-temperature heating to such an extent that the molded frit glass 119 does not move (is not displaced) when the PDP 100 is transported to the next process.
[0112]
Next, the PDP 100 is put into a vacuum heating furnace 110 that can be evacuated while being heated. The vacuum heating furnace 110 is heated by a heater (not shown), and the inside of the furnace is evacuated by a vacuum pump (not shown) connected via an exhaust port 111 to bring the furnace into a high vacuum state. Is possible. Further, as will be described later, an elevating seal head 112 for exhausting only the discharge space 103 or filling the discharge space 103 with a discharge gas is installed in the vacuum heating furnace 110 via a bellows 113. .
[0113]
In this vacuum heating furnace 110, the PDP 100 is subjected to the processing cycle shown in FIG. The vacuum heating furnace 110 starts heating and evacuates the furnace. The sealing material 104 used in this example has a characteristic that the softening point temperature is about 420 ° C. to 440 ° C., and the melting start temperature is about 370 ° C. to 390 ° C. In the vicinity of 350 ° C. to 370 ° C. just before the melting start temperature, the gap 105 between the top of the sealing material 104 and the substrate is still maintained. Therefore, in this temperature range of the vacuum exhaust, it is possible to exhaust the impure gas remaining in the space of the PDP 100 from the periphery of the PDP 100 through the gap 105. This is the temperature region that can be removed. Therefore, the substrate temperature is temporarily maintained until the impure gas can be removed (period T2 in FIG. 12).
[0114]
Next, the temperature is raised to about 400 ° C. to 410 ° C. (period T3 in FIG. 12), and the sealing material 104 is softened. At this time, the sealing material 104 starts to deform due to the stress of the front glass substrate 101 and the rear glass substrate 102 due to the tightening force of the clip 7, but the viscosity is such that it does not deform without this stress. When the deformation progresses and the height of the sealing material 104 is deformed to the same height as the partition wall 20, the deformation stops.
[0115]
Further, in the sealing material 104, there are microbubbles that exist when the sealing material 104 is molded and pre-baked. When the periphery of the PDP 100 is evacuated to a low pressure state, the microbubbles may become giant bubbles as the viscosity of the sealing material 104 decreases. If the giant bubbles are present, the purpose of the sealing material 104 for maintaining the discharge space 103 of the plasma display panel in an airtight state cannot be maintained, and the reliability of the panel may be lowered. For this purpose, the pressure around the PDP 100 is temporarily raised in the process of raising the temperature of the substrate from 370 ° C. to 410 ° C. (period T3 in FIG. 12). By this operation, even if microbubbles are present, reliability can be ensured without causing the bubbles to become extremely large.
[0116]
This temporary increase in pressure can be achieved by introducing an inert gas such as Ar or a discharge gas into the vacuum heating furnace 110. The furnace pressure at this time has an optimum value depending on the balance with the viscosity of the sealing material 104. If the temperature of the sealing material is lower than the softening point of the sealing material and the viscosity is in the middle viscosity range, no bubbles are observed even if the pressure is reduced to about several tens of KPa, and if the viscosity is near the softening start temperature, which is higher No bubbles are observed even at a high vacuum of 10 Pa or less. Thus, the pressure which suppresses bubble generation differs depending on the temperature of the sealing material, and various processing temperatures can be selected. In this embodiment, the temperature of the softening point of the sealing material 104 is 420 ° C. to 440 ° C., and the sealing material 104 is treated at a maximum of about 410 ° C. or less. Accordingly, it is possible to suppress the generation of bubbles when the pressure around the substrate is about several tens of kPa, which is a slightly reduced pressure than the atmospheric pressure. Further, since the pressure increases due to degassing due to temperature rise and time, the vacuum pump connected to the exhaust port 111 is controlled so that the pressure inside the vacuum heating furnace 110 is always kept in a reduced pressure state.
[0117]
Furthermore, in order to improve the reliability of maintaining the hermeticity of the sealing material 104, it is important to form the existence ratio of microbubbles existing in the temporarily fired sealing material 104 to a minimum. For this purpose, it is effective to preliminarily perform defoaming firing by high-temperature firing or firing atmosphere control in addition to optimizing the binder removal profile and the like when the sealing material 104 is temporarily fired.
[0118]
Next, in order to further soften the sealing material 104, the PDP 100 is held at a temperature in the vicinity of 400 ° to 410 ° C. (period T4 in FIG. 12). This time T4 is only the time required for the deformation of the sealing material 104, and is about several minutes to several tens of minutes in this embodiment.
[0119]
Next, the process proceeds to the cooling process of the PDP 100 (period T5 to T6 in FIG. 12), and the furnace is evacuated again at about 350 ° to 400 ° C where the sealing material 104 is solidified, and the temperature is lowered to room temperature while maintaining a high vacuum. To do.
[0120]
Next, the elevating seal head 112 is mounted so as to cover the through hole 115 and the entire molded glass frit 119.
[0121]
The structure of the elevating seal head 112 will be described with reference to FIG. A vacuum seal 114 is provided at a portion where the elevating seal head 112 and the rear glass substrate 102 are in contact with each other in order to maintain a vacuum. The vacuum heating furnace 110 has a structure in which the vacuum heating furnace 110 is kept airtight by press-contacting the elevating seal head 112 to the rear glass substrate 102 by the vacuum seal 114. Further, the elevating seal head 112 is provided with an exhaust / gas introduction pipe 116 for filling exhaust gas and discharge gas. The exhaust / gas introduction pipe 116 is connected to a vacuum pump (not shown) or each gas cylinder constituting the discharge gas filling the discharge space 103 via a switching valve. Further, the elevating seal head 112 is provided with a quartz glass window 118, and infrared light from an infrared irradiation lamp 117 can be irradiated to the molded glass frit 119 through the quartz glass window 118. Yes.
[0122]
The inside of the discharge space 103 is once evacuated, preferably via the exhaust / gas introduction pipe 116, with the elevating seal head 112 lowered until the vacuum seal 114 is in close contact with the back glass substrate 102. Thereafter, the discharge space 103 is filled with a predetermined discharge gas. Next, infrared light is irradiated from an infrared irradiation lamp 117 through a quartz glass window 118 toward a molded glass frit 119 using a material having a high infrared absorption rate, and the molded glass frit 119 is melted to form a through hole. 115 is sealed.
[0123]
In the fifth embodiment, utilizing the fact that the height of the sealing material 104 is higher than that of the partition wall 20, a gap 105 is generated between one substrate and the sealing material 104 when the glass substrates 101 and 102 are overlapped. In addition, a process for removing the impurities in the gap 105 by evacuating the periphery of the substrate pair by vacuum evacuation until the sealing material 104 is melted is added. Therefore, it is possible to prevent the discharge space 103 from being contaminated. It is also possible to remove impurities in the discharge space 103 at a stage that has not yet been sealed.
[0124]
In addition, a material having a high softening point temperature is used as the sealing material 104, so that the impurity gas can be removed to the highest possible temperature before the sealing material 104 is fused, and impurities can be removed more reliably. The operating characteristics of the plasma display panel can be improved.
[0125]
Furthermore, since impurities can be efficiently removed, the exhaust time at high temperatures can be shortened. Further, in this embodiment, since the discharge space 103 is exhausted and filled with discharge gas without using a conducting tube, there is no need to pay attention to breakage of the conducting tube. It also has the effect of being easy to transport, handle and install.
[0126]
Next, a sixth embodiment is shown in FIGS. The sixth embodiment is a method that can be easily installed as a mass production method. FIG. 13 is a diagram showing the state of the processing steps of the PDP 130 including the substrate pairs 101 and 102, and FIG. 14 is a diagram showing the processing cycle. Members having the same functions as those of the first to fifth embodiments are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0127]
In the sixth embodiment, it is possible to limit the application of a large-scale vacuum heating furnace in a series of steps to a partial period, and the conventional through-hole sealing method is also possible. Since the same method can be adopted, it has a feature that can be handled with relatively easy equipment.
[0128]
The front glass substrate 101 and the rear glass substrate 102 are formed in the same manner as in the fifth embodiment. Similar to the fifth embodiment, the front glass substrate 101 and the rear glass substrate 102 are overlapped and fixed by a plurality of clips 7. The clip 7 is tightened in the same manner as in the fifth embodiment.
[0129]
The vacuum heating furnace 140 to be used is heated by a heater (not shown), and the inside of the furnace can be exhausted by a vacuum pump (not shown) connected via an exhaust port 141 to be in a high vacuum state. It is.
[0130]
Next, the molded glass frit 131 having a through hole and the flared conducting tube 132 are fixed by pressing the flared portion with the clip 7 ′. The clip tip of the clip 7 ′ is provided with a U-shaped notch to avoid the tubular portion of the conducting tube 132 and press the flared portion. A seal head 133 is attached to the tip of the conducting tube 132 that is not flared. The seal head 133 used here is provided with a resin capable of maintaining a vacuum by press-contacting in a direction in which the conducting tube 132 is tightened from the periphery. The heat resistance of this resin is about 200 ° C., and a cooling water pipe 135 for circulating the cooling water is provided in the seal head 133 in order to cool the entire resin.
[0131]
Further, the through hole 115 of the rear glass substrate 102 is connected to the exhaust / gas introduction pipe 134 through the hole of the molded glass frit 131 and the conduction pipe 132. The exhaust / gas introduction pipe 134 is connected to a vacuum facility and a facility for supplying discharge gas via a switching valve (not shown).
[0132]
The superposed substrate pair put into the vacuum heating furnace 140 is heated at a rapid temperature increase rate so that the substrate is not damaged up to about 350 ° C. where the change in the substrate performance due to the influence of impure gas hardly occurs (see FIG. 14 T1).
[0133]
Next, by evacuating the inside of the vacuum heating furnace 140, the entire periphery of the superposed substrate pair is evacuated and the substrate temperature is maintained at about 350 ° C. to 370 ° C. (T2 in FIG. 14).
[0134]
At this time, since the sealing material 104 is not melted, the impure gas generated from the substrate is removed from the gap 105 (see FIG. 10) between the sealing material 104 and the front glass substrate 101 as in the fifth embodiment. It can be removed well. The substrate temperature is maintained until the removal of the impure gas is completed.
[0135]
Next, the temperature of the superimposed substrate is raised to 370 ° to 410 ° C. (T3 in FIG. 14). At this time, similarly to the fifth embodiment, the sealing material 104 is sequentially melted and fused, and at the same time, the molded glass frit 131 is melted and the flare portion of the back glass substrate 102 and the conducting tube 132 is also sequentially fused. It is. When fusion with the sealing material 104 and the molded glass frit 131 is completed, the discharge space 103 and the conductive tube 132 formed by the overlapped substrate pair are closed with respect to the exhaust / gas introduction pipe 134 via the seal head 133. The system can be evacuated through the seal head 133.
[0136]
Here, with respect to the pressure in the vacuum heating furnace 140, the pressure in the discharge space 103, which is a closed system, is controlled to a negative pressure, and the pressure in the furnace is constantly pressurized against the substrate. The melted sealing material 104 is deformed by using.
[0137]
In the sixth embodiment, similar to the first to fourth embodiments, the clip 7 that fastens and fixes the stacked substrates weakens the tightening force to the extent that the front glass substrate 101 and the rear glass substrate 102 are not misaligned. Or the number of attachments can be reduced.
[0138]
Further, the periphery of the superimposed substrate is returned to the atmospheric pressure level until the sealing material 104 is completely melted. As a result of this operation, it is possible to take measures against problems caused by enlarging microbubbles present in the sealing material 104 as in the fourth embodiment. In the sixth embodiment, since the inside of the superposed substrate is in a closed system, the inside is not contaminated by impure gas, so the atmosphere is used as the gas introduced to return the inside of the furnace to atmospheric pressure. It becomes possible. Moreover, it becomes possible to process the inert gas and the discharge gas with high purity in an extremely small amount filled in the overlapping substrate. Furthermore, the process after the atmospheric leak (T4 to T6 in FIG. 14) can be processed in the atmospheric heating furnace as in the conventional process.
[0139]
Next, the inside of the stacked substrate is continuously exhausted and held for a certain period of time so that no impure gas remains (T4 in FIG. 14), but most of the impure gas generated from the substrate is before the sealing material 104 is fused. Since it is removed by evacuation from the surroundings, it is possible to shift to the temperature lowering step (T5 in FIG. 14) in a shorter time than the conventional method.
[0140]
In addition, as in the fifth embodiment, since inert gas or the like that passes through the vacuum heating furnace 140 is not introduced into the overlapped substrate, there are few problems due to contamination of the inert gas, and the yield is also advantageous. Become.
[0141]
Next, as in the fifth embodiment, the temperature is lowered (T6 in FIG. 14) until the stacked substrate reaches room temperature, and the discharge gas is filled through the seal head 133 and the conducting tube 132. Next, the conducting tube 132 is cut off to complete the panel.
[0142]
According to the sixth embodiment, the glass substrate can be held with weak clamping, and impurities in the discharge space 103 can be sufficiently removed. Furthermore, in a series of processes, it is possible to limit the application of a vacuum heating furnace that is large in scale to a limited part period (T2 to T3 in FIG. 14) of about 350 ° to 410 ° C, Further, since the same method as the conventional method can be adopted for the sealing method of the through hole 115, it can be handled with relatively easy equipment and the reliability is improved.
[0143]
Next, a seventh embodiment is shown in FIGS. In this embodiment, the PDP 130 used in the sixth embodiment is used. FIG. 15 is a diagram illustrating a state of a processing process of the PDP 130 including the substrate pair 101 and 102, and FIG. 16 is a diagram illustrating a processing cycle. FIG. 17 shows details of the seal head, and FIG. 18 shows the operation of the seal head. Members having the same functions as those of the first to sixth embodiments are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
[0144]
In the seventh embodiment, it is not necessary to always attach the seal head 150 to the conducting tube 132 as in the sixth embodiment, and the periphery of the pair of substrates only during a necessary period as in the same embodiment. Is a manufacturing method that satisfies both of the points that should be made high vacuum.
[0145]
The front glass substrate 101 and the rear glass substrate 102 are formed in the same manner as in the fifth embodiment. Similar to the fifth embodiment, the front glass substrate 101 and the rear glass substrate 102 are overlapped and fixed by a plurality of clips 7. The clip 7 is tightened in the same manner as in the fifth embodiment.
[0146]
Next, similarly to the sixth embodiment, the formed glass frit 131 and the conducting tube 132 subjected to the flaring process are fixed by the clip 7 ′. Unlike the fifth embodiment, the leading end of the conducting tube 132 that is not subjected to flare processing is in an open state.
[0147]
Next, the superposed substrate pair is put into a vacuum heating furnace 160 and heated (T1 in FIG. 16). The temperature is raised at a rapid temperature increase rate that does not cause the substrate damage up to about 350 ° C. where the substrate performance hardly changes due to the impure gas.
[0148]
Next, the entire periphery of the superimposed substrate is evacuated. The temperature of the superimposed substrate is maintained at about 350 ° to 370 ° C. (T2 in FIG. 16).
[0149]
At this time, since the sealing material 104 is not melted, it is possible to efficiently remove the impure gas generated from the front and back glass substrates 101 and 102 as in the fifth and sixth embodiments. The substrate temperature is maintained until the removal of the impure gas is completed (T2 in FIG. 16).
[0150]
Next, the temperature of the superimposed substrate is raised to 370 ° C. to 410 ° C. (T3 in FIG. 16). At this time, as in the sixth embodiment, the sealing material 104 is sequentially melted and fused, and at the same time, the molded glass frit 131 is melted and the back glass substrate 102 and the flare portion of the conductive tube 132 are fused. Done.
[0151]
Next, as in the sixth embodiment, until the sealing material 104 is completely melted, the pressure around the overlapped substrate is increased by the inert gas or the discharge gas introduced through the exhaust / gas introduction pipe 151. Let As a result, as in the fourth and fifth embodiments, it is possible to take measures against problems caused by enlarging microbubbles present in the sealing material 104.
[0152]
Next, the temperature is lowered to a temperature at which the sealing material 104 is solidified (T5 in FIG. 16), and exhaust from the periphery of the superimposed substrate is started again. By this exhaust, the slight impurity gas generated during the period T4 in FIG. 16 is more reliably removed. Further, if necessary, the temperature is kept constant at T5 in FIG. 16 to perform more reliable impurity gas removal.
Next, cooling is performed (T6 in FIG. 16). For the purpose of improving the cooling efficiency, a discharge gas that does not contain an impure gas is filled into the vacuum heating furnace 160 through the exhaust / gas introduction pipe 151. Also good.
[0153]
Next, after the temperature of the superposed substrate is lowered to room temperature, the seal head 150 is lowered by an elevating mechanism (not shown) and attached to the conductive tube 132. Details of the seal head 150 will be described with reference to FIGS.
[0154]
High pressure air is supplied to the driving air piping 170 of the seal head 150 from an air supply source (not shown) via a valve. The high-pressure air is supplied to an O-ring 172 provided on the side wall of the cylindrical portion 171 by an internal pipe, and the inner diameter of the O-ring 172 can be made variable. An exhaust / gas introduction pipe 173 is provided on the top wall of the cylindrical portion 171. On the other hand, a heater 174 for fusing and sealing a part of the conducting tube 132 is provided at the tip of the lower L-shaped portion of the seal head 150.
[0155]
Next, the operation of the seal head will be described with reference to FIG. 18A shows a state before the seal head 150 is lowered, and FIG. 18B shows a state when the seal head 150 is attached to the conducting tube 132. FIG. Shows a state in which the seal head 150 returns to the position (A) after the discharge space is filled with a predetermined gas through the seal head 150 and the conducting tube 132 is sealed with the heater 174.
[0156]
Air is supplied to the O-ring 172 at a position where the seal head 150 is lowered, and the inner diameter portion of the O-ring 172 and the conducting tube 132 are brought into close contact with each other ((B) in FIG. 18). With this close contact, the discharge space 103 is connected to the exhaust / gas introduction pipe 173 via the cylindrical portion 171. Next, after the gas introduced at the time of cooling is exhausted by a vacuum pump (not shown) connected to the exhaust / gas introduction pipe 173, the discharge gas is passed through the exhaust / gas introduction pipe 173, the seal head 150, and the conducting pipe 132. Then, the discharge space 103 is filled until a predetermined pressure is reached. Here, when the discharge gas is used as the cooling gas, only the charging pressure of the discharge gas is adjusted.
[0157]
After this filling, the heater 174 is energized to fuse and seal a portion of the conducting tube 132 as described above, and the seal head 150 is raised ((C) in FIG. 18). When the heater 174 melts a part of the conducting tube 132, the outer periphery of the pair of substrates or the vicinity of the melted portion is made higher than the internal pressure of the discharge space so that the point melted portion is easily deformed in the tube diameter inner direction. It may be held.
[0158]
In this embodiment, in addition to the effect of eliminating impurities in the fifth and sixth embodiments, there is no need to always attach the seal head 133 to the conducting tube 132 as in the sixth embodiment. It is easy to transport, and since the seal head is used only near room temperature, the generation of impure gas from the seal head can be avoided, and it is a relatively easy facility that does not require the use of high temperature resistant materials. It can be handled and reliability is improved.
[0159]
The seal head 150 used in the seventh embodiment can also be used in the sixth embodiment by using heat-resistant parts or a structure for circulating cooling water. Similarly, since there is no need to always attach and place, there is an effect that transportation of the superposed substrate becomes easy.
[0160]
【The invention's effect】
According to the method for manufacturing a plasma display panel of the present invention, the sealing material is melted in a state where the pressure between the pair of substrates is reduced, so that the pair of substrates are drawn while crushing the sealing material due to the pressure difference between the inside and the outside. In this way, sealing is performed. In addition, since it is not necessary to apply pressure to the substrate from the outside, the substrate can be sealed without stress, and the time for sealing the pair of substrates with the sealing material can be greatly shortened. Moreover, the installation time of the jig for applying pressure from the outside is also shortened, and mass productivity can be improved.
[0161]
Furthermore, when a plurality of PDPs are obtained from a single substrate, a sealing material is provided at the central portion of the substrate, but this central portion can also be reliably sealed without using a jig. It becomes.
[0162]
Furthermore, according to the present invention, impurities in the discharge space are removed through the gap between the sealing material and the substrate, so that impurities in the discharge space can be more reliably removed and impurities generated from the sealing material can be removed from the discharge space. It is possible to improve the operating characteristics and display characteristics of the plasma display panel, including the light emission characteristics (color temperature) of the phosphor.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a basic processing cycle of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a state during a sealing process according to the present invention.
FIG. 3 is a PDP sectional view showing a sealing step according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a perspective view of a rear glass substrate according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a processing cycle according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view showing a modification of the barrier according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram showing a PDP according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a diagram illustrating a PDP according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a diagram showing a processing cycle according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a diagram showing a state in which glass substrate pairs according to a fifth embodiment of the present invention are overlaid.
FIG. 11 is a diagram showing a state during a sealing process according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a diagram showing a processing cycle according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a view showing a state during a sealing step according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a diagram showing a processing cycle according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a view showing a state during a sealing step according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a diagram showing a processing cycle according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 17 is a view showing details of a seal head according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 18 is a diagram showing an operation of a seal head according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 19 is a perspective view for explaining the structure of a PDP.
FIG. 20 is a diagram illustrating a state during a sealing process according to a conventional technique.
FIG. 21 is a diagram showing a conventional processing cycle.
[Explanation of symbols]
1, 11, 31, 41, 100, 130 PDP
2, 12, 32, 42, 101 Front glass substrate
3, 13, 33, 43, 102 Rear glass substrate
4, 14, 34, 44, 104 Sealing material
5, 35, 45, 132 Conducting tube
6,103 discharge space
7 clips
8 Heating furnace
9 Piping
10, 133,150 Seal head
22 Barrier
110,140,160 Vacuum heating furnace

Claims (20)

一対の基板の間にシール材で封止された放電空間を有してなるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
少なくとも一方の基板に枠状のシール材を形成した後、該シール材を介して他方の基板を一方の基板に重ね合わせる第1の工程と、
前記重ね合わせた一対の基板を加熱炉内に配置して、前記シール材が溶融するまでの加熱条件のもとで一対の基板間に存在している空間内を排気し、さらに排気を継続して前記空間内を減圧すると共に、前記加熱炉を所定温度に加熱して前記シール材を溶融させる第2の工程と、
前記シール材を固化させることにより、前記一対の基板を固着させると共に、規定の放電空間を形成する第3の工程と、
前記放電空間内を排気して、不純物を除去する第4の工程と、
前記放電空間内に放電用ガスを充填する第5の工程とを含んでなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In a method for manufacturing a plasma display panel having a discharge space sealed with a sealing material between a pair of substrates,
A first step of forming a frame-shaped sealing material on at least one substrate and then superimposing the other substrate on the one substrate via the sealing material;
The superposed pair of substrates is placed in a heating furnace, the space existing between the pair of substrates is evacuated under the heating conditions until the sealing material melts, and the evacuation is continued. A second step of depressurizing the space and heating the heating furnace to a predetermined temperature to melt the sealing material;
A third step of fixing the pair of substrates by solidifying the sealing material and forming a prescribed discharge space;
A fourth step of evacuating the discharge space to remove impurities;
And a fifth step of filling the discharge space with a discharge gas. A method of manufacturing a plasma display panel, comprising:
前記基板間の空間内を減圧にするための排気処理と、シール材を溶融させる加熱処理とを同時に開始することを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。2. The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein an exhaust process for reducing the pressure in the space between the substrates and a heat process for melting the sealing material are simultaneously started. 前記第2の工程において溶融状態になる前記シール材の内方への侵入を防止する障壁を予め前記シール材の内側の近傍位置に設けることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。3. The plasma display according to claim 1, wherein a barrier for preventing intrusion of the sealing material in a molten state in the second step is provided in advance in a position near the inside of the sealing material. Panel manufacturing method. 前記第1の工程において前記枠状のシール材は基板上に複数並べて形成され、該複数のシール材及び該複数のシール材によりそれぞれ形成される複数の空間に対して、前記第2〜第5の工程を実施することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。In the first step, a plurality of the frame-shaped sealing materials are formed side by side on the substrate, and the second to fifth spaces are formed with respect to the plurality of sealing materials and the plurality of spaces respectively formed by the plurality of sealing materials. The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the process is performed. 前記第1の工程において、前記一対の基板は周辺部を仮固定用のクリップにより挟持されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。5. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein, in the first step, the peripheral portion of the pair of substrates is sandwiched between clips for temporary fixing. 請求項1に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第4の工程で前記放電空間内に清浄ガスを導入して放電空間内の不純物を洗い出すことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 1,
A method of manufacturing a plasma display panel, wherein a clean gas is introduced into the discharge space in the fourth step to wash out impurities in the discharge space.
内面に隣接電極間での放電を発生させるための複数の電極を備えた一方の基板と、内面に前記放電によって蛍光を発する複数色の蛍光体およびそれら蛍光体を区分けするように設けられた所定パターンの隔壁を有する他方の基板とを対向配置して周辺を封じてなるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記一対の基板の周辺を封止する工程が、前記他方の基板周辺にその上の前記隔壁よりも高さの高いシール材を配置するプロセスと、
前記一対の基板を加熱炉内に配置して前記シール材が溶融するまでの加熱条件のもとで前記対向した基板間の間隙を排気するプロセスと、
引き続き前記基板間の間隙を排気減圧した状態でシール材が溶融する温度まで前記加熱炉を加熱するプロセスとを含んでなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
One substrate provided with a plurality of electrodes for generating a discharge between adjacent electrodes on the inner surface, a plurality of color phosphors that emit fluorescence by the discharge on the inner surface, and a predetermined provided to classify the phosphors In the method of manufacturing a plasma display panel in which the other substrate having a pattern partition wall is arranged oppositely and the periphery is sealed,
The step of sealing the periphery of the pair of substrates is a process of arranging a sealing material having a height higher than the partition on the periphery of the other substrate,
A process of evacuating the gap between the opposed substrates under the heating conditions until the pair of substrates are placed in a heating furnace and the sealing material melts;
And a process of heating the heating furnace to a temperature at which the sealing material melts in a state where the gap between the substrates is exhausted and decompressed.
一対の基板の少なくとも一方に放電空間を維持する隔壁とシール材とを有し、前記シール材によって前記一対の基板を融着するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
少なくとも一方の前記基板に枠状の前記シール材を形成し、前記一対のガラス基板を重ね合わせる第1の工程と、
前記重ね合わせた前記一対の基板を加熱昇温するとともに前記一対の基板の外周囲を真空排気し、基板間の不純物を除去する第2の工程と、
前記シール材を溶融させるとともに、あらかじめ前記一対の基板のいずれかに設けた貫通穴を介して前記一対の基板間の対向空間を減圧することにより、前記一対の基板間に介在する溶融した前記シール材を押圧して変形させ、前記隔壁の高さで定まる所定の放電空間を形成する第3の工程と、
前記一対の基板を冷却し、前記シール材を固化させる第4の工程と、
前記放電空間内に放電用ガスを充填する第5の工程と、
放電用ガスの充填に使用した貫通穴を封着する第6の工程とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In a manufacturing method of a plasma display panel, having a partition wall and a sealing material for maintaining a discharge space in at least one of a pair of substrates, and fusing the pair of substrates with the sealing material,
Forming a frame-shaped sealing material on at least one of the substrates, and superimposing the pair of glass substrates;
A second step of heating and raising the temperature of the pair of stacked substrates and evacuating the outer periphery of the pair of substrates to remove impurities between the substrates;
The melted seal interposed between the pair of substrates by melting the sealant and depressurizing a facing space between the pair of substrates through a through hole previously provided in one of the pair of substrates. A third step of pressing and deforming the material to form a predetermined discharge space determined by the height of the partition;
A fourth step of cooling the pair of substrates and solidifying the sealing material;
A fifth step of filling the discharge space with a discharge gas;
And a sixth step of sealing the through hole used for filling the discharge gas.
請求項8に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第1の工程で、前記シール材の高さを前記隔壁の高さより高く形成し、前記一対の基板を挟み固定するクリップが前記一対の基板を押圧する位置を、前記隔壁の形成されている範囲に置き、基板を反らせてシール材に基板の反りによる応力が加えられている状態で、前記第1から第3の工程を行い、前記放電空間を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 8,
In the first step, the height of the sealing material is formed to be higher than the height of the partition wall, and the partition wall is formed at a position where a clip that sandwiches and fixes the pair of substrates presses the pair of substrates. The plasma display panel is characterized in that the discharge space is formed by performing the first to third steps in a state where the substrate is warped and stress due to warping of the substrate is applied to the sealing material. Production method.
請求項8に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第3の工程で、前記一対の基板周囲の圧力を前記放電空間内の圧力よりも高くすることにより、前記一対の基板周囲から前記放電空間にむけて押圧することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 8,
In the third step, the pressure around the pair of substrates is made higher than the pressure in the discharge space, so that the plasma display panel is pressed from the periphery of the pair of substrates toward the discharge space. Manufacturing method.
請求項8に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第3の工程において、前記放電空間と前記一対の基板の外周囲とを連通する箇所を塞ぐことにより、前記放電空間と前記一対の基板の外周囲との圧力差を均一にすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 8,
In the third step, a pressure difference between the discharge space and the outer periphery of the pair of substrates is made uniform by closing a portion where the discharge space communicates with the outer periphery of the pair of substrates. A method for manufacturing a plasma display panel.
請求項8に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第2の工程において、前記一対の基板からの脱ガスが活発化する温度付近からシール材が前記基板に融着するまでの期間のみ前記一対の基板の外周囲から排気を行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 8,
In the second step, evacuation is performed from the outer periphery of the pair of substrates only during a period from the vicinity of the temperature at which degassing from the pair of substrates is activated until the sealing material is fused to the substrate. A method of manufacturing a plasma display panel.
請求項8に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
あらかじめ孔を有するガラスフリットを前記貫通穴と前記孔が連通する用に配置し前記第6の工程で前記孔を封着することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 8,
A method for manufacturing a plasma display panel, wherein a glass frit having a hole is disposed in advance so that the through hole and the hole communicate with each other, and the hole is sealed in the sixth step.
請求項8に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記基板の貫通穴と連通する導通管を設けるとともに該導通管を介して排気が可能なシールヘッドを配置し、前記第3の工程で前記貫通管と前記シールヘッドとを介して前記放電空間内を排気して減圧することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 8,
A conductive tube that communicates with the through hole of the substrate is provided, and a seal head that can be evacuated through the conductive tube is disposed, and in the discharge space, the through tube and the seal head are disposed in the third step. A method of manufacturing a plasma display panel, wherein the pressure is reduced by exhausting the gas.
請求項8に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第3の工程で、一対の基板対周囲の温度を前記シール材の軟化点度よりも低い温度にして、シール材中に存在する気泡が拡大しない程度に前記一対の基板周囲の圧力を上昇させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 8,
In the third step, the temperature around the pair of substrates is set to a temperature lower than the softening point degree of the sealing material so that bubbles existing in the sealing material do not expand. A method for manufacturing a plasma display panel, comprising:
請求項8に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記シール材の融着後に、一対の基板対周囲の温度を前記シール材の軟化点温度よりも低い温度にして、シール材中に存在する気泡が拡大しない程度に前記一対の基板周囲の圧力を上昇させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 8,
After the sealing material is fused, the temperature around the pair of substrates is set to a temperature lower than the softening point temperature of the sealing material so that bubbles existing in the sealing material do not expand. A method of manufacturing a plasma display panel, wherein the plasma display panel is raised.
請求項8に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第3の工程を前記シール材の軟化開始温度よりも高い温度で実施して、前記シール材中に存在する気泡を拡大させないことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 8,
A method of manufacturing a plasma display panel, wherein the third step is performed at a temperature higher than a softening start temperature of the sealing material so that bubbles existing in the sealing material are not expanded.
請求項14に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第5の工程において、前記導通管と前記シールヘッドとを介して放電用ガスを前記放電空間に導入することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 14,
In the fifth step, a plasma display panel manufacturing method is characterized in that a discharge gas is introduced into the discharge space through the conducting tube and the seal head.
請求項18に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記シールヘッドは前記導通管を加熱し溶融するヒータを有し、前記導通管を介して前記放電空間に放電ガスを導入した後に、前記ヒータで前記導通管を加熱し前記導通管の一部を溶融することにより、前記放電空間を密閉することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 18,
The seal head has a heater that heats and melts the conducting tube, and after introducing discharge gas into the discharge space through the conducting tube, the conducting tube is heated by the heater so that a part of the conducting tube is formed. A method for manufacturing a plasma display panel, wherein the discharge space is sealed by melting.
請求項19に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記導通管の一部を溶融する際に、前記一対の基板周囲または前記溶融箇所の近傍を前記放電空間内の圧力よりも高くすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 19,
A method for manufacturing a plasma display panel, wherein when a part of the conducting tube is melted, the pressure around the pair of substrates or in the vicinity of the melting point is made higher than the pressure in the discharge space.
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