JPH08159901A - 静電容量型圧力センサとその製造方法 - Google Patents
静電容量型圧力センサとその製造方法Info
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- JPH08159901A JPH08159901A JP32389194A JP32389194A JPH08159901A JP H08159901 A JPH08159901 A JP H08159901A JP 32389194 A JP32389194 A JP 32389194A JP 32389194 A JP32389194 A JP 32389194A JP H08159901 A JPH08159901 A JP H08159901A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な工程で、正確なギャップ形成を可能に
し、測定精度も高くする。 【構成】 流体の圧力が印加されるアルミナ等のダイア
フラム１１と、このダイアフラム１１の裏面に平面的に
印刷または真空蒸着等により形成された第一電極１３
と、ダイアフラム１１と一定間隔を隔てて対面して設け
られたアルミナ等の絶縁体のベース基板１２と、このベ
ース基板１２の表面に形成された第二電極１４とを有す
る。ダイアフラム１１とベース基板１２とを接合する封
着剤１５をギャップ形成材を含まないものにして、ベー
ス基板１２の所定位置に所定の厚さで塗布し、この後、
封着剤１５が塗布されたベース基板１２を封着剤１５が
溶融する温度で仮焼成する。仮焼成したベース基板１２
とダイアフラム１１とを互いに位置合わせして重ね合わ
せる。この後、ベース基板１２の自重のみが封着剤１５
にかかった状態で本焼成する。
し、測定精度も高くする。 【構成】 流体の圧力が印加されるアルミナ等のダイア
フラム１１と、このダイアフラム１１の裏面に平面的に
印刷または真空蒸着等により形成された第一電極１３
と、ダイアフラム１１と一定間隔を隔てて対面して設け
られたアルミナ等の絶縁体のベース基板１２と、このベ
ース基板１２の表面に形成された第二電極１４とを有す
る。ダイアフラム１１とベース基板１２とを接合する封
着剤１５をギャップ形成材を含まないものにして、ベー
ス基板１２の所定位置に所定の厚さで塗布し、この後、
封着剤１５が塗布されたベース基板１２を封着剤１５が
溶融する温度で仮焼成する。仮焼成したベース基板１２
とダイアフラム１１とを互いに位置合わせして重ね合わ
せる。この後、ベース基板１２の自重のみが封着剤１５
にかかった状態で本焼成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、流体圧力をダイアフ
ラムに導いてその歪を静電容量の変化として検出し、圧
力の値を電気的に得る静電容量型圧力センサとその製造
方法に関する。
ラムに導いてその歪を静電容量の変化として検出し、圧
力の値を電気的に得る静電容量型圧力センサとその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の静電容量型圧力センサは、特開昭
５７−９７４２２号公報や特公平６−５２２１２号公報
に開示されているように、セラミックス等の非導電性の
円板状の薄板からなり裏面側の中央部に円板状の第一電
極が形成されたダイアフラムと、これと平行に対面する
ように第二電極が形成されたベース基板とからなるもの
である。そして、第一電極と第二電極との間隔は、ダイ
アフラム及びベース基板の周縁部に設けられたガラスフ
リットから成る封着剤により、１０〜数十μｍ程度の一
定の間隔に設定されている。そして、ダイアフラム及び
ベース基板の両者が、上記間隔を空けて周縁部が接合さ
れている。
５７−９７４２２号公報や特公平６−５２２１２号公報
に開示されているように、セラミックス等の非導電性の
円板状の薄板からなり裏面側の中央部に円板状の第一電
極が形成されたダイアフラムと、これと平行に対面する
ように第二電極が形成されたベース基板とからなるもの
である。そして、第一電極と第二電極との間隔は、ダイ
アフラム及びベース基板の周縁部に設けられたガラスフ
リットから成る封着剤により、１０〜数十μｍ程度の一
定の間隔に設定されている。そして、ダイアフラム及び
ベース基板の両者が、上記間隔を空けて周縁部が接合さ
れている。
【０００３】この静電容量型圧力センサの製造方法は、
ダイアフラムとベース基板とを封着剤により接合する際
に、その間隔を一定にするために、ビーズ等のギャップ
形成剤を混合した封着剤を用いて、焼成時に荷重を加え
ながら焼成しているものであった。さらに、この焼成時
には、荷重を加えているために、ダイアフラムとベース
基板間で位置ずれが生じやすく、位置ずれ防止用の治具
を必要としていた。
ダイアフラムとベース基板とを封着剤により接合する際
に、その間隔を一定にするために、ビーズ等のギャップ
形成剤を混合した封着剤を用いて、焼成時に荷重を加え
ながら焼成しているものであった。さらに、この焼成時
には、荷重を加えているために、ダイアフラムとベース
基板間で位置ずれが生じやすく、位置ずれ防止用の治具
を必要としていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、荷重を加えるための重りを乗せてダイアフラムとベ
ース基板との接合時の焼成を行うため、この重りは通常
ダイアフラムより大きくその重りによる焼成スペースを
必要とし、さらに、この重りにより焼成時の熱が奪わ
れ、焼成時のスペース効率及び熱効率が悪いという問題
があった。また、その重りの取扱も面倒なものであっ
た。さらに、１０μｍ以下のギャップを高精度に形成す
るギャップ形成材は、比較的高価であり、コストアップ
の原因となるものであった。また、位置ずれ防止用の治
具や位置センサ等の装置も複雑となり、しかも高精度に
位置決めすることは、高温中で焼成するものであること
からきわめて困難なものであった。さらに、封着剤の仮
焼成を行わずに、荷重をかけた状態で、ダイアフラムと
ベース基板とを接合し焼成を行うと、図５に示すよう
に、封着剤の境界線で、封着剤が不規則にはみ出し、封
着部の境界線がきれいに形成されないものであった。従
って、図６に示すように、ダイアフラムが圧力による撓
む際に、個々のセンサ毎に封着剤のはみ出し方が異な
り、ダイアフラムの撓み方がばらつき、これによる静電
容量変化の測定値にばらつきを生じさせていた。
合、荷重を加えるための重りを乗せてダイアフラムとベ
ース基板との接合時の焼成を行うため、この重りは通常
ダイアフラムより大きくその重りによる焼成スペースを
必要とし、さらに、この重りにより焼成時の熱が奪わ
れ、焼成時のスペース効率及び熱効率が悪いという問題
があった。また、その重りの取扱も面倒なものであっ
た。さらに、１０μｍ以下のギャップを高精度に形成す
るギャップ形成材は、比較的高価であり、コストアップ
の原因となるものであった。また、位置ずれ防止用の治
具や位置センサ等の装置も複雑となり、しかも高精度に
位置決めすることは、高温中で焼成するものであること
からきわめて困難なものであった。さらに、封着剤の仮
焼成を行わずに、荷重をかけた状態で、ダイアフラムと
ベース基板とを接合し焼成を行うと、図５に示すよう
に、封着剤の境界線で、封着剤が不規則にはみ出し、封
着部の境界線がきれいに形成されないものであった。従
って、図６に示すように、ダイアフラムが圧力による撓
む際に、個々のセンサ毎に封着剤のはみ出し方が異な
り、ダイアフラムの撓み方がばらつき、これによる静電
容量変化の測定値にばらつきを生じさせていた。
【０００５】この発明は、上記従来の技術の問題点に鑑
みて成されたもので、簡単な工程で、正確なギャップ形
成が可能な静電容量型圧力センサとその製造方法を提供
することを目的とする。
みて成されたもので、簡単な工程で、正確なギャップ形
成が可能な静電容量型圧力センサとその製造方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、流体の圧力
が印加されるアルミナ等のセラミックスやジルコニア、
シリコン、水晶等の絶縁体のダイアフラムと、このダイ
アフラムの裏面に平面的に印刷または真空蒸着等により
形成された第一電極と、上記ダイアフラムと一定間隔を
隔てて対面して設けられたアルミナまたはジルコニア等
の絶縁体のベース基板と、このベース基板の表面に形成
され、上記第一電極と対面して同様に設けられた第二電
極とを有し、上記ダイアフラムとベース基板とを接合す
る封着剤であってガラスビーズ等の一定の径のギャップ
形成材を含まないガラスフリット等の封着材が上記ダイ
アフラムとベース基板との間の所定位置に、仮焼成後の
厚さが５〜１００μｍ程度の厚さで形成されて成る静電
容量型圧力センサである。
が印加されるアルミナ等のセラミックスやジルコニア、
シリコン、水晶等の絶縁体のダイアフラムと、このダイ
アフラムの裏面に平面的に印刷または真空蒸着等により
形成された第一電極と、上記ダイアフラムと一定間隔を
隔てて対面して設けられたアルミナまたはジルコニア等
の絶縁体のベース基板と、このベース基板の表面に形成
され、上記第一電極と対面して同様に設けられた第二電
極とを有し、上記ダイアフラムとベース基板とを接合す
る封着剤であってガラスビーズ等の一定の径のギャップ
形成材を含まないガラスフリット等の封着材が上記ダイ
アフラムとベース基板との間の所定位置に、仮焼成後の
厚さが５〜１００μｍ程度の厚さで形成されて成る静電
容量型圧力センサである。
【０００７】この発明は、流体の圧力が印加されるアル
ミナ等のセラミックスやジルコニア、シリコン、水晶等
の絶縁体のダイアフラムと、このダイアフラムの裏面に
平面的に印刷または真空蒸着等により形成された第一電
極と、上記ダイアフラムと一定間隔を隔てて対面して設
けられたアルミナまたはジルコニア等の絶縁体のベース
基板と、このベース基板の表面に形成され、上記第一電
極と対面して同様に設けられた第二電極とを有し、上記
ダイアフラムとベース基板とを接合する封着剤を上記ベ
ース基板の所定位置に所定の厚さで塗布し、この後封着
剤が塗布されたベース基板を封着剤が溶融する温度で仮
焼成し、仮焼成したベース基板と上記ダイアフラムとを
互いに位置合わせして重ね合わせ、上記ダイアフラムま
たはベース基板の自重のみが上記封着剤にかかった状態
で本焼成する静電容量型圧力センサの製造方法である。
ミナ等のセラミックスやジルコニア、シリコン、水晶等
の絶縁体のダイアフラムと、このダイアフラムの裏面に
平面的に印刷または真空蒸着等により形成された第一電
極と、上記ダイアフラムと一定間隔を隔てて対面して設
けられたアルミナまたはジルコニア等の絶縁体のベース
基板と、このベース基板の表面に形成され、上記第一電
極と対面して同様に設けられた第二電極とを有し、上記
ダイアフラムとベース基板とを接合する封着剤を上記ベ
ース基板の所定位置に所定の厚さで塗布し、この後封着
剤が塗布されたベース基板を封着剤が溶融する温度で仮
焼成し、仮焼成したベース基板と上記ダイアフラムとを
互いに位置合わせして重ね合わせ、上記ダイアフラムま
たはベース基板の自重のみが上記封着剤にかかった状態
で本焼成する静電容量型圧力センサの製造方法である。
【０００８】さらにこの発明は、封着剤の塗布厚を測定
し、本焼成後のダイアフラムとベース基板間の間隔を予
測して、上記封着剤の塗布厚を設定するものである。さ
らに、上記仮焼成と本焼成は、ほぼ同一の温度及び焼成
時間等の条件で行うものである。
し、本焼成後のダイアフラムとベース基板間の間隔を予
測して、上記封着剤の塗布厚を設定するものである。さ
らに、上記仮焼成と本焼成は、ほぼ同一の温度及び焼成
時間等の条件で行うものである。
【０００９】
【作用】この発明の静電容量型圧力センサの製造方法
は、ダイアフラムとベース基板の封着に際して、封着剤
の膜厚を制御し、封着剤を仮焼成し、自重以外の荷重を
かけずに焼成したので、きわめて狭いダイアフラムとベ
ース基板間の間隙であっても正確に設定することがで
き、しかも、仮焼成により封着剤の境界線がきれいに封
着部に形成され、ダイアフラムの圧力による撓みに対し
て、個々のセンサ毎の封着剤のはみ出しによる測定値の
ばらつきを生じさせないものである。
は、ダイアフラムとベース基板の封着に際して、封着剤
の膜厚を制御し、封着剤を仮焼成し、自重以外の荷重を
かけずに焼成したので、きわめて狭いダイアフラムとベ
ース基板間の間隙であっても正確に設定することがで
き、しかも、仮焼成により封着剤の境界線がきれいに封
着部に形成され、ダイアフラムの圧力による撓みに対し
て、個々のセンサ毎の封着剤のはみ出しによる測定値の
ばらつきを生じさせないものである。
【００１０】
【実施例】以下この発明の実施例について図面に基づい
て説明する。図１〜図４はこの発明の一実施例を示すも
ので、この実施例の静電容量型圧力センサ１０は、流体
の圧力が印加されるアルミナ製の円形のダイアフラム１
１を有している。このダイアフラム１１は、例えば厚さ
が０．２〜２．０ｍｍ程度に形成され、測定圧は２００
ｋｇ／ｃｍ2程度までのものである。ダイアフラム１１
の裏面には、平面的に円形に形成された第一電極１３が
設けられている。第一電極１３は、金、銀、又は銀パラ
ジウム等の導電性ペーストにより印刷形成されたもの
や、真空蒸着により形成されたものである。さらに、ダ
イアフラム１１と一定間隔を隔てて対面して、アルミナ
製の円形のベース基板１２が設けられている。このベー
ス基板１２の表面には、第一電極１３と対面して同様の
方法により形成された第二電極１４が設けられている。
て説明する。図１〜図４はこの発明の一実施例を示すも
ので、この実施例の静電容量型圧力センサ１０は、流体
の圧力が印加されるアルミナ製の円形のダイアフラム１
１を有している。このダイアフラム１１は、例えば厚さ
が０．２〜２．０ｍｍ程度に形成され、測定圧は２００
ｋｇ／ｃｍ2程度までのものである。ダイアフラム１１
の裏面には、平面的に円形に形成された第一電極１３が
設けられている。第一電極１３は、金、銀、又は銀パラ
ジウム等の導電性ペーストにより印刷形成されたもの
や、真空蒸着により形成されたものである。さらに、ダ
イアフラム１１と一定間隔を隔てて対面して、アルミナ
製の円形のベース基板１２が設けられている。このベー
ス基板１２の表面には、第一電極１３と対面して同様の
方法により形成された第二電極１４が設けられている。
【００１１】ベース基板１２側の第二電極１４の外側縁
部には、この第二電極１４に接続される端子接続部１７
が延長されて形成され、端子接続部１７の先端部中央に
端子孔１８がベース基板１２を貫通して形成されてい
る。また、ベース基板１２には、第一電極１３に接続さ
れる端子の端子孔１９も、この周縁部に同様に形成され
ている。
部には、この第二電極１４に接続される端子接続部１７
が延長されて形成され、端子接続部１７の先端部中央に
端子孔１８がベース基板１２を貫通して形成されてい
る。また、ベース基板１２には、第一電極１３に接続さ
れる端子の端子孔１９も、この周縁部に同様に形成され
ている。
【００１２】ダイアフラム１１とベース基板１２とは、
その周縁部にガラスビーズ等のギャップ形成材を含まな
いガラスフリット等の封着剤１５が設けられ、第一電極
１３と第二電極１４とが、例えば５〜１００μｍ程度の
間隔で、一般的には１０〜３０μｍの範囲内で所定の間
隔を隔てて対面し、その内部空間が気密状態に形成され
ている。ここで、この電極間の間隔は、５μｍ以下で
は、電極１３，１４が加圧時に接触してショートする恐
れがあり、１００μｍ以上の間隔では静電容量が小さ過
ぎるので、上記範囲が好ましいものである。また、この
封着剤１５による封着部は、図１、図２に示すように、
内側封着部１５ａと外側封着部１５ｂとからなり、さら
に、この間にも、封着剤１５を点在させて、強力且つ確
実に接合するように形成されている。また、内側封着部
１５ａには、所々切り取られた切り欠き部１５ｃが形成
されている。外側封着部１５ｂは、ダイアフラム１１と
ベース基板１２の周縁部全周を覆い、連続した形状でダ
イアフラム１１とベース基板１２間の空間部を、密閉状
態になるように形成されている。
その周縁部にガラスビーズ等のギャップ形成材を含まな
いガラスフリット等の封着剤１５が設けられ、第一電極
１３と第二電極１４とが、例えば５〜１００μｍ程度の
間隔で、一般的には１０〜３０μｍの範囲内で所定の間
隔を隔てて対面し、その内部空間が気密状態に形成され
ている。ここで、この電極間の間隔は、５μｍ以下で
は、電極１３，１４が加圧時に接触してショートする恐
れがあり、１００μｍ以上の間隔では静電容量が小さ過
ぎるので、上記範囲が好ましいものである。また、この
封着剤１５による封着部は、図１、図２に示すように、
内側封着部１５ａと外側封着部１５ｂとからなり、さら
に、この間にも、封着剤１５を点在させて、強力且つ確
実に接合するように形成されている。また、内側封着部
１５ａには、所々切り取られた切り欠き部１５ｃが形成
されている。外側封着部１５ｂは、ダイアフラム１１と
ベース基板１２の周縁部全周を覆い、連続した形状でダ
イアフラム１１とベース基板１２間の空間部を、密閉状
態になるように形成されている。
【００１３】封着剤１５による内側封着部１５ａ及び外
側封着部１５ｂ間には、端子挿通孔１８，１９が位置し
ている。端子挿通孔１８，１９は、封着剤１５により、
内側封着部１５ａと外側封着部１５ｂ間に形成された二
対の隔離壁２１，２２によって、内側封着部１５ａ及び
外側封着部１５ｂ間の空間部と隔離されている。
側封着部１５ｂ間には、端子挿通孔１８，１９が位置し
ている。端子挿通孔１８，１９は、封着剤１５により、
内側封着部１５ａと外側封着部１５ｂ間に形成された二
対の隔離壁２１，２２によって、内側封着部１５ａ及び
外側封着部１５ｂ間の空間部と隔離されている。
【００１４】この実施例の静電容量型圧力センサの製造
方法は、第一，第二電極１３，１４を、印刷や真空蒸着
等により、ダイアフラム１１及びベース基板１２に各々
形成する。そして、ダイアフラム１１とベース基板１２
とを接合する封着剤１５を、ベース基板１２の所定位置
に所定の厚さで塗布する。このとき、封着剤１５の厚さ
を、焼成後の所望の電極間間隔にあわせて調整する。電
極間間隔は上記の範囲内で所望の間隔に設定するもので
あり、調整方法は、仮焼成後の封着剤１５の厚さを測定
し、本焼成後のダイアフラム１１とベース基板１２間の
間隔を、従前の焼成結果から予測して、封着剤１５の塗
布厚を設定するものである。また、仮焼成前の封着材１
５の塗布厚を測定して焼成後の電極間間隔を予測し、調
整するようにしても良い。
方法は、第一，第二電極１３，１４を、印刷や真空蒸着
等により、ダイアフラム１１及びベース基板１２に各々
形成する。そして、ダイアフラム１１とベース基板１２
とを接合する封着剤１５を、ベース基板１２の所定位置
に所定の厚さで塗布する。このとき、封着剤１５の厚さ
を、焼成後の所望の電極間間隔にあわせて調整する。電
極間間隔は上記の範囲内で所望の間隔に設定するもので
あり、調整方法は、仮焼成後の封着剤１５の厚さを測定
し、本焼成後のダイアフラム１１とベース基板１２間の
間隔を、従前の焼成結果から予測して、封着剤１５の塗
布厚を設定するものである。また、仮焼成前の封着材１
５の塗布厚を測定して焼成後の電極間間隔を予測し、調
整するようにしても良い。
【００１５】そして、塗布後、封着剤１５を１２０℃〜
１５０℃の温度で１０〜６０分間乾燥させる。この後、
封着剤１５が塗布されたベース基板１２を封着剤１５が
溶融する温度である５００℃〜１０００℃程度の温度で
仮焼成する。仮焼成時間は、焼成炉中で、ピーク温度で
３０分程度、昇温降温時間を加えると３時間程度であ
る。そして、仮焼成したベース基板１２とダイアフラム
１１とを互いに位置合わせして重ね合わせる。このと
き、ダイアフラム１１を下にして、その上にベース基板
１２の封着剤１５が下になるようにして重ね合わせる。
この状態で、ダイアフラム１１には、ベース基板１２の
自重のみが仮焼成された封着剤１５にかかった状態に
し、本焼成する。本焼成は、上記仮焼成と同じ温度及び
時間の条件で行う。
１５０℃の温度で１０〜６０分間乾燥させる。この後、
封着剤１５が塗布されたベース基板１２を封着剤１５が
溶融する温度である５００℃〜１０００℃程度の温度で
仮焼成する。仮焼成時間は、焼成炉中で、ピーク温度で
３０分程度、昇温降温時間を加えると３時間程度であ
る。そして、仮焼成したベース基板１２とダイアフラム
１１とを互いに位置合わせして重ね合わせる。このと
き、ダイアフラム１１を下にして、その上にベース基板
１２の封着剤１５が下になるようにして重ね合わせる。
この状態で、ダイアフラム１１には、ベース基板１２の
自重のみが仮焼成された封着剤１５にかかった状態に
し、本焼成する。本焼成は、上記仮焼成と同じ温度及び
時間の条件で行う。
【００１６】この後、ダイアフラム１１とベース基板１
２間の内部空間が冷却した後、端子孔１８，１９に導電
性ペーストと共に各々端子を挿入し、各電極と電気的に
接続させるものである。
２間の内部空間が冷却した後、端子孔１８，１９に導電
性ペーストと共に各々端子を挿入し、各電極と電気的に
接続させるものである。
【００１７】この実施例の静電容量型圧力センサとその
製造方法によれば、きわめて狭いダイアフラム１１とベ
ース基板１２間のギャップであっても、ギャップ形成材
を含まない封着剤１５の塗布厚を制御することにより、
正確に設定することができる。しかも、図３に示すよう
に、仮焼成により封着剤１５の境界線１６がきれいに封
着部１５ａに形成され、ダイアフラム１１の圧力による
撓みに対して、個々のセンサ毎の封着剤１５のはみ出し
による測定値のばらつきを生じさせない。従って、図４
に示すように、個々のセンサの初期状態のオフセット容
量Ｃ0に対して、フルスケール容量とオフセット容量と
の差である容量変化量ΔＣは、その両者の相関性が良く
なり、後の信号処理において、補正等が容易に可能であ
り、正確な測定可能とするものである。
製造方法によれば、きわめて狭いダイアフラム１１とベ
ース基板１２間のギャップであっても、ギャップ形成材
を含まない封着剤１５の塗布厚を制御することにより、
正確に設定することができる。しかも、図３に示すよう
に、仮焼成により封着剤１５の境界線１６がきれいに封
着部１５ａに形成され、ダイアフラム１１の圧力による
撓みに対して、個々のセンサ毎の封着剤１５のはみ出し
による測定値のばらつきを生じさせない。従って、図４
に示すように、個々のセンサの初期状態のオフセット容
量Ｃ0に対して、フルスケール容量とオフセット容量と
の差である容量変化量ΔＣは、その両者の相関性が良く
なり、後の信号処理において、補正等が容易に可能であ
り、正確な測定可能とするものである。
【００１８】尚、この発明の静電容量型圧力センサは、
上記の実施例に限定されるものではなく、製造時に、ダ
イアフラムを上にして、本焼成行っても良いものであ
り、上記封着材は、ダイアフラム側に所定の厚さで塗布
しても良い。さらに、ベース基板に端子孔の他、通気孔
を設けたものでも良い。
上記の実施例に限定されるものではなく、製造時に、ダ
イアフラムを上にして、本焼成行っても良いものであ
り、上記封着材は、ダイアフラム側に所定の厚さで塗布
しても良い。さらに、ベース基板に端子孔の他、通気孔
を設けたものでも良い。
【００１９】
【発明の効果】この発明の静電容量型圧力センサとその
製造方法は、焼成時にダイアフラムやベース基板に余計
なものがなく、焼成時のスペース効率及び焼成熱効率が
良いものである。さらに、ダイアフラムとベース基板間
の間隔が極めて狭いものであっても、ギャップ形成材を
用いることなく、その間隔を融着剤の塗布厚の制御で容
易且つ正確に設定可能なものである。さらに、封着剤の
封着境界線が均一にきれいに形成されるので、ダイアフ
ラムの撓みにばらつきがなく、センサの測定値の精度を
高いものににすることができる。
製造方法は、焼成時にダイアフラムやベース基板に余計
なものがなく、焼成時のスペース効率及び焼成熱効率が
良いものである。さらに、ダイアフラムとベース基板間
の間隔が極めて狭いものであっても、ギャップ形成材を
用いることなく、その間隔を融着剤の塗布厚の制御で容
易且つ正確に設定可能なものである。さらに、封着剤の
封着境界線が均一にきれいに形成されるので、ダイアフ
ラムの撓みにばらつきがなく、センサの測定値の精度を
高いものににすることができる。
【図１】この発明の一実施例の静電容量型圧力センサの
封着剤及び電極パターン図である。
封着剤及び電極パターン図である。
【図２】この実施例の静電容量型圧力センサの図１にお
けるＡ−Ａ線での断面図である。
けるＡ−Ａ線での断面図である。
【図３】この実施例の静電容量型圧力センサの封着パタ
ーンを示すスケッチである。
ーンを示すスケッチである。
【図４】この実施例の静電容量型圧力センサの各センサ
毎のオフセット容量Ｃ0と所定圧力下での容量変化量Δ
Ｃのばらつきを示すグラフである。
毎のオフセット容量Ｃ0と所定圧力下での容量変化量Δ
Ｃのばらつきを示すグラフである。
【図５】従来の技術の静電容量型圧力センサの封着パタ
ーンを示すスケッチである。
ーンを示すスケッチである。
【図６】従来の技術の静電容量型圧力センサの各センサ
毎のオフセット容量Ｃ0と所定圧力下での容量変化量Δ
Ｃのばらつきを示すグラフである。
毎のオフセット容量Ｃ0と所定圧力下での容量変化量Δ
Ｃのばらつきを示すグラフである。
１０ 静電容量型圧力センサ １１ ダイアフラム １２ ベース基板 １３ 第一電極 １４ 第二電極 １５ 封着剤 １５ａ 内側封着部 １５ｂ 外側封着部 １６ 境界線
Claims (4)
- 【請求項１】 流体の圧力が印加される絶縁体のダイア
フラムと、このダイアフラムの裏面に平面的に形成され
た第一電極と、上記ダイアフラムと一定間隔を隔てて対
面して設けられた絶縁体のベース基板と、このベース基
板の表面に形成され、上記第一電極と対面して同様に設
けられた第二電極とを有し、上記ダイアフラムとベース
基板とを接合する封着剤であってギャップ形成材を含ま
ない封着材が、上記ダイアフラムとベース基板との間の
所定位置に、仮焼成後の厚さが５〜１００μｍ程度の厚
さで形成されて成る静電容量型圧力センサ。 - 【請求項２】 流体の圧力が印加される絶縁体のダイア
フラムと、このダイアフラムの裏面に平面的に形成され
た第一電極と、上記ダイアフラムと一定間隔を隔てて対
面して設けられた絶縁体のベース基板と、このベース基
板の表面に形成され、上記第一電極と対面して同様に設
けられた第二電極を有し、上記ダイアフラムとベース基
板とを接合する封着剤を上記ダイアフラムまたはベース
基板の所定位置に所定の厚さで塗布し、この後封着剤が
塗布された上記ダイアフラムまたはベース基板を、上記
封着剤が溶融する温度で仮焼成し、この仮焼成後上記ダ
イアフラムと上記ベース基板とを互いに位置合わせして
重ね合わせ、上記ダイアフラムまたはベース基板の自重
のみが上記封着剤にかかった状態で本焼成する静電容量
型圧力センサの製造方法。 - 【請求項３】 上記封着剤の厚さを測定し、本焼成後の
ダイアフラムとベース基板間の間隔を予測して、上記封
着剤の塗布厚を設定する請求項２記載の静電容量型圧力
センサの製造方法。 - 【請求項４】 上記仮焼成と本焼成は、ほぼ同一条件で
行うものである請求項２記載の静電容量型圧力センサの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32389194A JPH08159901A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 静電容量型圧力センサとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32389194A JPH08159901A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 静電容量型圧力センサとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08159901A true JPH08159901A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=18159768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32389194A Pending JPH08159901A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 静電容量型圧力センサとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08159901A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009522550A (ja) * | 2005-12-31 | 2009-06-11 | コーニング インコーポレイテッド | マイクロリアクターガラスダイヤフラムセンサ |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP32389194A patent/JPH08159901A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009522550A (ja) * | 2005-12-31 | 2009-06-11 | コーニング インコーポレイテッド | マイクロリアクターガラスダイヤフラムセンサ |
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