JPH08158069A - Working of finely etched product - Google Patents

Working of finely etched product

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JPH08158069A
JPH08158069A JP30236594A JP30236594A JPH08158069A JP H08158069 A JPH08158069 A JP H08158069A JP 30236594 A JP30236594 A JP 30236594A JP 30236594 A JP30236594 A JP 30236594A JP H08158069 A JPH08158069 A JP H08158069A
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JP
Japan
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etching
spray
ferric chloride
etched
lead
Prior art date
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Application number
JP30236594A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Shibuya
将行 渋谷
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Nippon Steel Corp
Original Assignee
Sumitomo Metal Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To conduct smooth etching excellent in sectional form by spray-etching an Ni alloy sheet with an aq. ferric chloride soln. to form a through-hole and then dipping the etched sheet in a specified aq. ferric chloride soln. contg. Ni, Cr and FeCl2 . CONSTITUTION: An Ni alloy sheet to be worked on which a photoresist is applied in a specified pattern is transported, and an aq. ferric chloride soln. is sprayed on the surface, which is etched. When the through-hole has been formed as shown in D, spraying is stopped. The sheet is then dipped in a >=45 deg.- Baume aq. ferric chloride soln. kept at >=30 deg.C and contg. <=0.6wt.% Ni, <=0.6% Cr and <=30% FeCl2 to preferentially dissolve off the projected unetched part. Consequently, an excellent etched sectional form and a smoothly etched surface excellent in dimensional accuracy are obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、集積回路素子のリー
ドフレームや微小電子部品等の高い精度が要求される製
品をエッチングにより加工する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for etching a product such as a lead frame of an integrated circuit device or a micro electronic component, which requires high accuracy, by etching.

【0002】[0002]

【従来の技術】高集積回路と外部回路とを電気的に接続
するためのFe−42Ni合金製リードフレームの多く
は、塩化第二鉄水溶液を用いたエッチング加工により製
造されている。
2. Description of the Related Art Most of lead frames made of Fe-42Ni alloy for electrically connecting a highly integrated circuit and an external circuit are manufactured by etching using an aqueous solution of ferric chloride.

【0003】エッチング加工の黎明期には、エッチング
液に浸漬するエッチング加工方法が採用されていたが、
現在ではエッチング速度が速くて生産性が高く、エッチ
ングファクター(エッチング深度/サイドエッチング
量)に優れたスプレーエッチング加工が一般に行われて
いる。
In the dawn of etching, an etching method of immersing in an etching solution was adopted.
Currently, a spray etching process is generally performed, which has a high etching rate, high productivity, and an excellent etching factor (etching depth / side etching amount).

【0004】スプレーエッチング加工は、被加工材表面
の一部を耐食性レジストにて被覆し、塩化第二鉄水溶液
を吹き付けて金属露出部を選択的に溶解して目標形状に
加工する方法である。
The spray etching process is a method in which a part of the surface of the material to be processed is covered with a corrosion resistant resist, and a ferric chloride aqueous solution is sprayed to selectively dissolve the exposed metal portion to form a target shape.

【0005】近年の急速な回路素子の高集積化により、
要求される加工精度は極めて高くなり、僅かな寸法の変
動も許容されなくなっている。例えば、高集積化により
リードフレームのインナーリードにおけるリードピンの
間隔が極めて狭くなり、エッチング加工断面にエッチン
グ残りが存在しているとリードピンが少し曲がるのみで
隣のピンと接触して不良品となる。
Due to the rapid integration of circuit elements in recent years,
The required processing accuracy has become extremely high, and even slight dimensional fluctuations have become unacceptable. For example, due to the high integration, the spacing between the lead pins in the inner lead of the lead frame becomes extremely narrow, and if there is an etching residue on the etching processed cross section, the lead pin is only bent a little and comes into contact with the adjacent pin, resulting in a defective product.

【0006】また、エッチング断面が荒れていると、汚
れが付着しやすい等の問題が生じるので、平滑な加工面
が要求されている。
Further, when the etching cross section is rough, there arises a problem that dirt easily adheres, so that a smooth processed surface is required.

【0007】しかし、エッチング速度とエッチングファ
クターに優れるスプレーエッチング加工方法は、そのエ
ッチング速度の速さ故にエッチング量の微調整が困難で
あり、エッチング残りが少なく、かつ目標の製品幅を安
定して得ることは困難である。また、スプレーエッチン
グ法ではエッチング面が荒れ粗面になるという欠点があ
る。 一方、平滑なエッチング面が得られる浸漬エッチ
ング加工方法ではエッチング速度が遅いが故にエッチン
グ量の微調整ができるものの、生産性が低く、エッチン
グファクターにも劣っている。
However, in the spray etching method which is excellent in etching rate and etching factor, it is difficult to finely adjust the etching amount due to the high etching rate, there is little etching residue, and the target product width is stably obtained. Is difficult. Further, the spray etching method has a drawback that the etching surface becomes rough and rough. On the other hand, in the dipping etching processing method capable of obtaining a smooth etching surface, although the etching rate is slow, the etching amount can be finely adjusted, but the productivity is low and the etching factor is also poor.

【0008】特開平4−263085号公報には、スプ
レーエッチング加工方法においてエッチング液の温度と
FeCl3 濃度を制御することにより滑らかなエッチン
グ面と粗いエッチング面を自在に得る方法が開示されて
いるが、この方法はステンレス鋼にのみ有効である。
Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-263085 discloses a method of freely obtaining a smooth etching surface and a rough etching surface by controlling the temperature of the etching solution and the FeCl 3 concentration in the spray etching method. , This method works only for stainless steel.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記問題を
解決するためになされたもので、エッチング断面形状に
優れ、寸法の変動が小さく平滑なエッチング面が得られ
るエッチング加工方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and provides an etching processing method which is excellent in etching cross-sectional shape and has a small dimensional variation and a smooth etching surface. With the goal.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】そこで本発明者は、上記
問題を解決するべく被加工素材のエッチングに伴う断面
形状の変化過程を詳細に研究、検討した結果、スプレー
エッチング加工の高いエッチングファクターを利用し、
中間製品を短時間で作製し、その後低温で濃厚な、不純
物の Ni 、Cr、FeCl2 の含有量を規制した塩化第二鉄水
溶液中に浸漬してエッチングすることにより、エッチン
グ残りが少なく、かつエッチング断面が平滑で目標製品
幅を有する製品を安定して製造できるとの知見を得て本
発明を完成するに至った。
Therefore, the present inventor has studied and studied in detail the process of changing the cross-sectional shape of the material to be processed due to the etching in order to solve the above problems, and as a result, found that a high etching factor of the spray etching process was found. Use
The intermediate product is produced in a short time, and then it is immersed in an aqueous solution of ferric chloride with a controlled content of impurities Ni, Cr, and FeCl 2 at a low temperature, and etching is performed to reduce the etching residue, and The present invention has been completed based on the finding that it is possible to stably manufacture a product having a smooth etching cross section and a target product width.

【0011】本発明の要旨とするところは、「被加工材
のNi合金板を搬送しながらその表面に塩化第二鉄水溶液
を噴射してエッチング加工するスプレーエッチング加工
方法において、スプレーエッチングにより被加工材に貫
通孔ができた時点でスプレーエッチングを中止し、次い
で液温30℃以下、濃度45ボーメ以上で、重量%にて
Niが0.6 %以下、Crが0.6 %以下及びFeCl2 が3.0 %以
下である塩化第二鉄水溶液中に自然浸漬することを特徴
とする微細エッチング製品の加工方法」にある。
The gist of the present invention is that in a spray etching method for carrying out etching by spraying an aqueous solution of ferric chloride onto the surface of a Ni alloy plate as a workpiece to be processed, When the material has a through hole, spray etching is stopped, then the liquid temperature is 30 ° C or less, the concentration is 45 Baume or more, and the weight% is
"Processing method for finely-etched products characterized by natural immersion in an aqueous solution of ferric chloride containing 0.6% or less of Ni, 0.6% or less of Cr and 3.0% or less of FeCl 2. "

【0012】[0012]

【作用】次に、本発明の加工条件を限定した理由及び作
用を説明する。
Next, the reason and function of limiting the processing conditions of the present invention will be described.

【0013】(1)スプレーエッチングの中断と浸漬エ
ッチング 図1は、スプレーエッチングにおける被加工材の腐食進
行過程を示す図である。図1のA→Fに示す様な進行過
程を経て目的の穴や溝が形成される。
(1) Discontinuation of Spray Etching and Immersion Etching FIG. 1 is a diagram showing the progress of corrosion of a workpiece in spray etching. The target hole or groove is formed through the process shown by A → F in FIG.

【0014】最近のコンピュータ用の中央演算素子の部
品等として使用されるリードピン数の多いリードフレー
ムでは、その高い集積度からリードピンの間隔が極めて
狭くなっている。従って、前述したように図1Dに示し
たようなエッチング残りが存在すると、僅かなリードピ
ンの曲がり等で隣のピンと接触し不良品となる。
In a lead frame having a large number of lead pins used as a part of a central processing element for a computer recently, the distance between the lead pins is extremely narrow due to its high degree of integration. Therefore, as described above, when the etching residue as shown in FIG. 1D exists, the lead pin comes into contact with the adjacent pin due to a slight bending or the like, resulting in a defective product.

【0015】一方、インナーリード先端と集積回路を接
続するワイヤー接続の安定性とリードフレームにおける
電気抵抗の軽減のために、広いリードピン幅が要求され
ている。
On the other hand, a wide lead pin width is required in order to stabilize the wire connection for connecting the tip of the inner lead and the integrated circuit and reduce the electric resistance in the lead frame.

【0016】従って、広いリードピン幅を確保するため
にエッチング時間を短くするとエッチング残りが大きく
なり、エッチング残りを除去するためにエッチング時間
を長くすると、リードピン幅が細くなってしまう。
Therefore, if the etching time is shortened to secure a wide lead pin width, the etching residue becomes large, and if the etching time is lengthened to remove the etching residue, the lead pin width becomes narrow.

【0017】スプレーエッチングは、エッチングファク
ター(エッチング深度/サイドエッチング量)において
優れているものの、エッチング速度が速すぎてエッチン
グ量の微調整は困難で、オーバエッチングとなり易く、
目標製品幅よりもリードピン幅が狭くなることが多い。
そこで、スプレーエッチング加工では被加工材に貫通孔
ができるまで、すなわち図1におけるDまでの加工を高
速で行い、その後塩化第二鉄水溶液に浸漬し、エッチン
グ残りを正確に溶解除去する。
Although the spray etching is excellent in the etching factor (etching depth / side etching amount), the etching rate is too fast, and it is difficult to finely adjust the etching amount.
The lead pin width is often narrower than the target product width.
Therefore, in the spray etching processing, the processing is performed at high speed until a through hole is formed in the material to be processed, that is, up to D in FIG. 1, and then the material is immersed in an aqueous solution of ferric chloride to accurately dissolve and remove the etching residue.

【0018】図1のDでは、エッチング残りが突出した
形状を示している。静止溶液中における浸漬状態では、
金属の溶解は溶液と金属の接触界面に於いて均一に進行
するので、このように溶液中に突出した部分は、単位体
積当たりの金属/溶液界面の長さが長いので、突出部が
優先的に溶解され、リードピン幅を殆ど狭くすることな
くエッチング残りは消失するのである。浸漬状態ではエ
ッチング速度は遅いが、溶解するのはエッチング残りの
部分のみであり、それほど時間を要せず、しかもそのエ
ッチング速度の遅さ故にエッチング量の制御は簡便であ
る。
FIG. 1D shows a shape in which the etching residue is projected. When immersed in a stationary solution,
Since the dissolution of the metal proceeds uniformly at the contact interface between the solution and the metal, the protruding portion in the solution has a long metal / solution interface per unit volume, and thus the protruding portion is preferential. The etching residue disappears with the lead pin width narrowed. Although the etching rate is slow in the immersion state, only the remaining portion of the etching dissolves, it does not take so long, and the etching rate is slow, so the control of the etching amount is simple.

【0019】(2)浸漬エッチング液 浸漬エッチングはスプレーエッチング後の溶け残りを除
去し、エッチング面を平滑にするために行うもので、不
純物の殆どない低温の濃厚塩化第二鉄水溶液を使用する
ことにより、浸漬状態においてより完全な拡散律速が成
立し、その結果極めて平滑なエッチング面が得られる。
(2) Immersion Etching Solution Immersion etching is carried out to remove the unmelted residue after spray etching and to make the etching surface smooth, and use a concentrated ferric chloride aqueous solution at a low temperature with almost no impurities. By this, a more complete diffusion rate control is established in the immersion state, and as a result, an extremely smooth etching surface is obtained.

【0020】(A) エッチング液温度温 エッチング液温度が30℃を超えると、腐食の進行が速
くなり過ぎ、微量エッチング量の制御が困難となると共
に、エッチング端面が粗くなるので上限を30℃とし
た。なお、下限は限定しないが、あまり低温にすると腐
食速度が遅くなり、生産性の点で好ましくない。好まし
い温度範囲は20〜30℃である。
(A) Etching solution temperature temperature When the etching solution temperature exceeds 30 ° C., corrosion progresses too fast, which makes it difficult to control a small amount of etching and the etching end face becomes rough. did. The lower limit is not limited, but if the temperature is too low, the corrosion rate becomes slow, which is not preferable in terms of productivity. A preferable temperature range is 20 to 30 ° C.

【0021】(B) エッチング液濃度 エッチング液濃度を45ボーメ以上としたのは、45ボ
ーメ未満では平滑なエッチング面が得られないからであ
る。上限は限定しないが高濃度となる程エッチング速度
が遅くなるので50ボーメ程度までが好ましい。
(B) Concentration of etching solution The concentration of the etching solution is set to 45 baume or more because a smooth etching surface cannot be obtained if the etching solution concentration is less than 45 baume. Although the upper limit is not limited, the higher the concentration, the slower the etching rate, so about 50 Baume is preferable.

【0022】(C) 不純物量 Ni、Cr:不純物中のNi、Crはエッチング面を荒
らす悪作用があるため上限をそれぞれ0.6%と規制し
なければならない。
(C) Impurity amount Ni, Cr: Ni and Cr in the impurities have an adverse effect of roughening the etching surface, so the upper limits must be restricted to 0.6% respectively.

【0023】FeCl2 :FeCl2 はエッチング反応
に伴い生成するもので、これが3%を超えるとエッチン
グ速度が遅くなり、しかもエッチング面が荒れるので好
ましくない。従って、上限を3%とした。
FeCl 2 : FeCl 2 is generated due to the etching reaction, and if it exceeds 3%, the etching rate becomes slow and the etching surface becomes rough, which is not preferable. Therefore, the upper limit is set to 3%.

【0024】(3)Ni合金 被加工材をNi合金としたのは、リードフレームにはF
e−42Ni合金が多用されているからで、上記エッチ
ング液の諸条件はNiが30〜50%含有する場合に適
用できる。
(3) Ni alloy The reason why the work material is Ni alloy is that F is used for the lead frame.
Since the e-42Ni alloy is frequently used, the above conditions of the etching solution can be applied when Ni is contained in an amount of 30 to 50%.

【0025】[0025]

【実施例】【Example】

(実施例1)図2は、本発明を実施するのに用いたエッ
チングラインである。エッチング液である塩化第二鉄水
溶液を被加工材3表面に噴射するためのスプレーエッチ
ングチャンバー1に続いて洗浄用の水洗スプレーチャン
バー2が数段設けられている。予備処理を終えて連続的
にエッチングスプレーチャンバー1に送られてくる被加
工材の表面に複数段のスプレー管及びスプレーノズル4
よりエッチング液を噴射して順次エッチングを行った
後、続く数段のスプレーチャンバー2にてエッチング後
の被加工材を水洗スプレーノズル5より水を噴射して洗
浄し、一旦エッチングの進行を止めた後、水洗スプレー
チャンバー2の出側に設けた寸法測定センサーでエッチ
ング状況を把握し、次いで浸漬エッチングチャンバー内
に被加工材が搬送され浸漬エッチングが行われる。
(Embodiment 1) FIG. 2 is an etching line used for carrying out the present invention. A spray etching chamber 1 for spraying an aqueous ferric chloride solution, which is an etching liquid, onto the surface of the workpiece 3 is followed by several washing spray chambers 2 for cleaning. A plurality of stages of spray pipes and spray nozzles 4 are formed on the surface of the workpiece to be continuously sent to the etching spray chamber 1 after finishing the pretreatment.
After the etching solution is sprayed to perform sequential etching, the material to be etched is sprayed with water from the water spray nozzle 5 to be washed in the subsequent several stages of the spray chamber 2, and the progress of the etching is once stopped. After that, the etching condition is grasped by the dimension measuring sensor provided on the outlet side of the water spray chamber 2, and then the material to be processed is conveyed into the immersion etching chamber to perform the immersion etching.

【0026】このエッチングラインを使用して、Fe-42N
i 合金製の 128ピンリードフレームを作製した。スプレ
ーエッチングのチャンバーの長さは8mで、浸漬エッチ
ング用のチャンバー長さは4mである。
Using this etching line, Fe-42N
A 128-pin lead frame made of i alloy was prepared. The length of the chamber for spray etching is 8 m, and the length of the chamber for immersion etching is 4 m.

【0027】図3は、リ−ドフレ−ムのレジストパター
ンを示す。エッチング加工素材は、500 ×600 ×0.15mm
で、図3に示すように、一枚の加工素材上には 48 個の
リードフレームのレジストパターンが形成されている
(1個のパターン内で128 本のリードピンを有するリー
ドフレームが1個エッチング加工される)。
FIG. 3 shows a resist pattern of the lead frame. Etching material is 500 x 600 x 0.15mm
Then, as shown in FIG. 3, a resist pattern of 48 lead frames is formed on one processing material (one lead frame having 128 lead pins is etched in one pattern). Be done).

【0028】エッチング素材は、図2の左側より挿入さ
れ、まずスプレーエッチングにより加工される。このと
きの仕上がりが、図1のDと同程度になるようにライン
速度を制御した。用いたスプレーエッチング液は55
℃、50ボーメの塩化第二鉄水溶液である。
The etching material is inserted from the left side of FIG. 2 and is first processed by spray etching. The line speed was controlled so that the finish at this time was about the same as D in FIG. The spray etching solution used is 55
This is an aqueous ferric chloride solution at 50 ° C at 50 ° C.

【0029】スプレーエッチングでDの状態となった材
料を、表1に示すようにエッチング液の温度、濃度、不
純物含有量を種々変化させて浸漬エッチングチャンバー
で浸漬エッチングを施した。
The material in the D state by spray etching was subjected to immersion etching in an immersion etching chamber with various changes in the temperature, concentration and impurity content of the etching solution as shown in Table 1.

【0030】[0030]

【表1】 [Table 1]

【0031】エッチングの進行程度をオンラインで測定
できるように、加工素材の左下に寸法測定用のレジスト
パターンを形成させた。
A resist pattern for dimension measurement was formed at the lower left of the processed material so that the progress of etching could be measured online.

【0032】図4は、この寸法測定用レジストパターン
のエッチング後の断面形状の概略と寸法測定部位を示
す。
FIG. 4 shows an outline of the cross-sectional shape of the resist pattern for dimension measurement after etching and a dimension measurement site.

【0033】スプレーエッチングチャンバーから出てき
た素材の寸法測定用レジストパターン部の幅aを、エッ
チングチャンバーの出側に設けた寸法測定用センサーに
て自動寸法測定を行い、その結果に基づいてエッチング
残りが1μm程度となるように素材通板速度即ち浸漬エ
ッチング時間を、各浸漬エッチング溶液について予め求
めておいた次式(1)により決定した。
The width a of the resist pattern portion for measuring the dimension of the material coming out of the spray etching chamber is automatically measured by the dimension measuring sensor provided on the exit side of the etching chamber, and the etching residue is left based on the result. The material passing speed, that is, the immersion etching time, was determined by the following formula (1) previously obtained for each immersion etching solution so that

【0034】t=(a−b)×Z ..........(1) t:浸漬エッチング時間 ( min.) a:寸法測定幅 (μm) b:フォトレジスト幅 (μm) (=130μm) Z:浸漬エッチング液に依存する係数 表1には、各浸漬エッチング液中における浸漬エッチン
グ時間の係数Zと平均的な浸漬エッチング時間を併せて
示した。
T = (ab) × Z ........... (1) t: Immersion etching time (min.) A: Dimension measurement width (μm) b: Photoresist width (μm) (= 130 μm) Z: Coefficient depending on immersion etching solution In Table 1, the coefficient Z of immersion etching time in each immersion etching solution and the average immersion etching time are shown together.

【0035】図5は、エッチング終了後のリードフレー
ムのリードピンの斜視図である。リードピンのインナー
リード先端より300μmの部位におけるリードピン平
坦幅(c)とエッチング残り幅(d)を測定し、更にリ
ードピン平坦幅の標準偏差を算出した。その結果を表1
に示す。表中に示された寸法は、全て無作為抽出された
リードピン512本の平均値であり、リードピン平坦幅
の寸法規格は128±20μmである。
FIG. 5 is a perspective view of the lead pins of the lead frame after the etching is completed. The lead pin flat width (c) and the etching residual width (d) at a portion 300 μm from the tip of the inner lead of the lead pin were measured, and the standard deviation of the lead pin flat width was calculated. The results are shown in Table 1.
Shown in The dimensions shown in the table are average values of 512 randomly selected lead pins, and the dimensional standard of the lead pin flat width is 128 ± 20 μm.

【0036】また、エッチング溶解面を走査型電子顕微
鏡にて定性観察した。調査結果を表1に併せて示す。リ
ードピンのエッチング溶解端面は、極めて微細な凹凸で
あり通常の粗さ測定ができないので、観察結果を平滑な
ものから順に、◎→○→△→×にて示した。
The etched surface was qualitatively observed with a scanning electron microscope. The survey results are also shown in Table 1. Since the etching-dissolved end surface of the lead pin has extremely fine irregularities and ordinary roughness cannot be measured, the observation results are shown in order of smoothness from ⊚ → ○ → Δ → ×.

【0037】なお、従来例としてスプレーエッチングの
みにより図1のFの状態までエッチングを施し、上記の
方法により表面粗さを観察すると共にエッチング残り量
とリードピン平坦幅の平均値と標準偏差を測定し、表1
に併せて示した。
As a conventional example, etching was performed to the state of F in FIG. 1 only by spray etching, and the surface roughness was observed by the above method, and the residual etching amount and the average and standard deviation of the lead pin flat width were measured. , Table 1
Are also shown.

【0038】表1から明らかなように、本発明例では浸
漬エッチングにより平滑なエッチング端面が得られてい
るのに対し、比較例及び従来例では何れも荒れたエッチ
ング端面が観察された。
As is clear from Table 1, in the examples of the present invention, smooth etching end faces were obtained by immersion etching, whereas in the comparative examples and the conventional examples, rough etching end faces were observed.

【0039】また、本発明例及び比較例ではエッチング
残りを1.2μm以下にエッチング加工しても、リード
平坦幅は127.9μm以上が確保されているのに対
し、従来例では125.5μmと平均値が規格中央値よ
りも小さい値となている。
Further, in the present invention example and the comparative example, even if the etching residue is etched to 1.2 μm or less, the lead flat width is 127.9 μm or more, whereas in the conventional example, it is 125.5 μm. The average value is smaller than the standard median value.

【0040】さらに、スプレーエッチングだけによる従
来例ではリード平坦幅の標準偏差が4.7であるのに対
し、本発明例ではリードピン幅の標準偏差は最大でも
3.9と寸法の変動は減少しており、均一な製品が安定
して生産できることがわかる。
Further, while the standard deviation of the lead flat width is 4.7 in the conventional example by only the spray etching, the standard deviation of the lead pin width is 3.9 at the maximum in the example of the present invention, and the dimensional fluctuation is reduced. Therefore, it can be seen that uniform products can be stably produced.

【0041】従って本発明方法による製品だけが、平滑
なエッチング端面を有し、エッチング残りが1.2μm
以下となるようにエッチング加工を実施しても、12
7.9μm以上のリード平坦幅が安定して確保されるこ
とがわかる。
Therefore, only the product according to the method of the present invention has a smooth etching end surface and the etching residue is 1.2 μm.
Even if the etching process is performed as follows,
It can be seen that the lead flat width of 7.9 μm or more is stably secured.

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明法によれば、通常のスプレーエッ
チングの後、本発明で規定するエッチング液に浸漬する
ことにより、広いリードピン幅を確保しながらエッチン
グ残りをほとんど無くすることができると共に平滑なエ
ッチング面が得られ、高精度のエッチング加工が可能と
なる。
According to the method of the present invention, after the ordinary spray etching, by immersing in the etching solution specified in the present invention, it is possible to almost eliminate the etching residue while securing a wide lead pin width and to smooth the surface. A highly etched surface can be obtained, and highly accurate etching processing becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】スプレーエッチングによる被加工材の腐食進行
過程を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a progressing process of corrosion of a material to be processed by spray etching.

【図2】本発明を実施するためのエッチングラインを示
す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an etching line for carrying out the present invention.

【図3】リードフレームのレジストパターンを示す図で
ある。
FIG. 3 is a diagram showing a resist pattern of a lead frame.

【図4】寸法測定用レジストパターンのエッチング後の
断面形状を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional shape of a dimension measuring resist pattern after etching.

【図5】エッチング後のリードピンの斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a lead pin after etching.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 スプレーエッチングチャンバー 2 水洗スプレーチャンバー 3 被加工材 4 スプレー管及びスプレーノズル 1 Spray Etching Chamber 2 Rinsing Spray Chamber 3 Workpiece Material 4 Spray Pipe and Spray Nozzle

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】被加工材のNi合金板を搬送しながらその表
面に塩化第二鉄水溶液を噴射してエッチング加工するス
プレーエッチング加工方法において、スプレーエッチン
グにより被加工材に貫通孔ができた時点でスプレーエッ
チングを中止し、次いで液温30℃以下、濃度45ボー
メ以上で、重量%にてNiが0.6 %以下、Crが0.6 %以
下、及びFeCl2 が3.0 %以下である塩化第二鉄水溶液中
に浸漬することを特徴とする微細エッチング製品の加工
方法。
1. A spray etching method in which a ferric chloride aqueous solution is sprayed onto the surface of a Ni alloy plate to be processed while the Ni alloy plate is being processed, and a through hole is formed in the material by spray etching. Then, spray etching was stopped, and then the ferric chloride aqueous solution with a liquid temperature of 30 ° C. or less, a concentration of 45 Baume or more, and 0.6% or less of Ni by weight%, 0.6% or less of Cr, and 3.0% or less of FeCl 2 A method for processing a fine etching product, which comprises immersing the product in the inside.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010063305A (en) * 1999-12-22 2001-07-09 박종섭 Method for forming gate line of lcd
US7291283B2 (en) 2002-11-15 2007-11-06 Nec Lcd Technologies, Ltd. Combined wet etching method for stacked films and wet etching system used for same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20010063305A (en) * 1999-12-22 2001-07-09 박종섭 Method for forming gate line of lcd
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