JP5499517B2 - Metal surface treatment method - Google Patents
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Description
本発明は、銅または銅合金の金属表面処理方法に関する。 The present invention relates to a metal surface treatment method for copper or a copper alloy.
電子工業分野においては、エッチング量が0.1μm〜30μmの範囲内での銅または銅合金の表面粗さRz値として0.5μm以下にする要求がある。エッチング量が0.1〜5μmは微細配線の平滑化やフォトレジストラミネート、メッキ等各種前処理、5〜30μmはハーフエッチング用途、特に極薄銅張積層板を製造する工程においては、表層の電解銅箔を2μm以下までハーフエッチングし、厚み公差が小さく処理面内のバラツキが優れているほうが好ましい(特許文献1)。この要求に対して、従来のエッチング方法では、金属の結晶粒界に沿ってエッチングが進むため、表面粗さRz値はエッチング量が0.1〜30μmの範囲内で平滑に仕上げることは極めて困難とされて来た。特に、1μm以下のエッチング量で電解銅箔の表面粗さRz値を0.5μm以下にすることは困難であったため、本発明の処理方法は、電子部品や装飾品の製造過程において非常に有用である。 In the electronic industry field, there is a demand for the surface roughness Rz value of copper or copper alloy to be 0.5 μm or less when the etching amount is in the range of 0.1 μm to 30 μm. Etching is 0.1 to 5 μm for various pre-treatments such as fine wiring smoothing, photoresist laminating and plating, and 5 to 30 μm for half-etching, especially in the process of producing ultra-thin copper-clad laminates. It is preferable that the copper foil is half-etched to 2 μm or less and the thickness tolerance is small and the variation in the processing surface is excellent (Patent Document 1). In response to this requirement, in the conventional etching method, etching proceeds along the metal crystal grain boundary, so it is extremely difficult to finish the surface roughness Rz value smoothly within the etching amount range of 0.1 to 30 μm. It has been said. In particular, since it was difficult to reduce the surface roughness Rz value of the electrolytic copper foil to 0.5 μm or less with an etching amount of 1 μm or less, the treatment method of the present invention is very useful in the manufacturing process of electronic parts and decorative products. It is.
化学研磨により、銅および銅合金の表面を平滑化処理する方法としては、一般的に、硫酸等の無機酸と過酸化水素により、一度銅および銅合金の表面に酸化皮膜を形成させてから希硫酸で酸化皮膜を溶解除去する方法がある。この方法は2段階での処理であり作業工程が煩雑となる事から、更にこれを改良する方法として、硫酸と過酸化水素とリン酸により、酸化皮膜を形成する事なく1回の処理で表面を平滑化する方法が提案されている(特許文献2)。 As a method of smoothing the surface of copper and copper alloy by chemical polishing, generally, an oxide film is once formed on the surface of copper and copper alloy with an inorganic acid such as sulfuric acid and hydrogen peroxide. There is a method of dissolving and removing the oxide film with sulfuric acid. Since this method is a two-step process and the work process becomes complicated, the surface can be improved by a single process without forming an oxide film with sulfuric acid, hydrogen peroxide, and phosphoric acid. Has been proposed (Patent Document 2).
しかしながら、この方法においても得られる銅および銅合金の光沢化表面状態は、表面処理液の含有成分の濃度変動の影響を特に受けやすいため、濃度変動によっては、表面粗さRz値の平均値のばらつきが大きくなるなどの問題があった。また、エッチング液で過酸化水素−硫酸−脂肪族アミン類−アゾール類−塩素イオンの組成のエッチング液が提案されているが、1μm以下の低エッチング量では平滑化処理が十分でない(特許文献3)。 However, the brightened surface state of copper and copper alloy obtained by this method is particularly susceptible to the influence of concentration fluctuations of the components contained in the surface treatment liquid, so depending on the concentration fluctuation, the average value of the surface roughness Rz value There were problems such as large variations. Further, an etching solution having a composition of hydrogen peroxide-sulfuric acid-aliphatic amines-azoles-chlorine ions has been proposed as an etching solution, but smoothing treatment is not sufficient with a low etching amount of 1 μm or less (Patent Document 3). ).
本発明では、エッチング量が0.1〜30μm、好ましくは0.1〜20μm、更に好ましくは0.1〜10μm、特に好ましくは、0.2〜8μmの範囲内で銅または銅合金を表面粗さRz値として0.5μm以下、好ましくは0.4μm以下に平滑化し、かつ連続使用に際して研磨液中の成分濃度変動による表面状態への影響が少なく、経時的に安定な平滑化表面が得られる処理方法の提供を目的とする。 In the present invention, the surface roughness of the copper or copper alloy is within a range of 0.1 to 30 μm, preferably 0.1 to 20 μm, more preferably 0.1 to 10 μm, and particularly preferably 0.2 to 8 μm. The thickness Rz is smoothed to 0.5 μm or less, preferably 0.4 μm or less, and there is little influence on the surface state due to fluctuations in the component concentration in the polishing liquid during continuous use, and a stable smooth surface over time can be obtained. The purpose is to provide a processing method.
本発明者らは、上記の課題について鋭意研究を重ねた結果、(a)過酸化水素、(b)無機酸または有機酸、(c)アゾール類、(d)ハロゲンイオンおよび(e)銀イオンを配合した水溶液にて浸漬処理もしくはスプレー処理を行なった。スプレー処理の場合には、スプレー圧力を0.01〜0.2MPaの範囲内に設定することで、0.1μm〜30μmエッチング量で銅または銅合金の平滑化出来ることを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、以下のとおりである。
1.(a)過酸化水素1g/L〜300g/L、(b)無機酸または有機酸、1g/L〜100g/L、(c)アゾール類0.001g/L〜30g/L、(d)ハロゲンイオン0.001ppm〜3ppm、および(e)銀イオン0.001ppm〜3ppmからなる処理液を用いて銅金属表面処理を行なう金属表面処理方法。
2.(a)過酸化水素1g/L〜300g/L、(b)無機酸または有機酸1g/L〜100g/L、(c)アゾール類0.001g/L〜30g/L、(d)ハロゲンイオン0.001ppm〜3ppmおよび(e)銀イオン0.001ppm〜3ppmからなる処理液を用いて銅金属表面処理をスプレー処理する方法であって、スプレー圧力0.01〜0.5MPaの範囲内、ポンプ吐出量2L〜500L/分で、銅金属表面のエッチング量0.1μm〜30μm、表面粗さ(Rz値)0.5μm以下、表面粗さ(Rz値)/エッチング量が0.01〜1にすることを特徴とするスプレー処理による金属表面処理方法。
3.(b)無機酸が硫酸、燐酸、および硝酸から選択される1種以上であり、有機酸がリンゴ酸、クエン酸、およびグリコール酸から選択される1種以上であり、(c)アゾール類が1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3,4−テトラゾール、1H−5−アミノ−1,2,3,4−テトラゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1H−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1H−5−メチル−1,2,3,4−テトラゾール、イミダゾール、およびピラゾールから選択される1種以上であり、(d)ハロゲンイオンが塩素イオン、臭素イオンまたはヨウ素イオンであり、(e)銀イオンが塩化銀または硝酸銀であることを特徴とする第1項記載の銅または銅合金の金属表面処理方法。
4.(b)無機酸が硫酸、燐酸、および硝酸から選択される1種以上であり、有機酸がリンゴ酸、クエン酸、およびグリコール酸から選択される1種以上であり、(c)アゾール類が1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3,4−テトラゾール、1H−5−アミノ−1,2,3,4−テトラゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1H−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1H−5−メチル−1,2,3,4−テトラゾール、イミダゾール、およびピラゾールから選択される1種以上であり、(d)ハロゲンイオンが塩素イオン、臭素イオンまたはヨウ素イオンであり、(e)銀イオンが塩化銀または硝酸銀であることを特徴とする第2項記載のスプレー処理による金属表面処理方法。
As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors have (a) hydrogen peroxide, (b) inorganic acid or organic acid, (c) azoles, (d) halogen ions, and (e) silver ions. Immersion treatment or spray treatment was performed with an aqueous solution containing the above. In the case of spray treatment, it was found that by setting the spray pressure within the range of 0.01 to 0.2 MPa, the copper or copper alloy can be smoothed with an etching amount of 0.1 μm to 30 μm, and the present invention was completed. I came to let you.
That is, the present invention is as follows.
1. (A) hydrogen peroxide 1 g / L to 300 g / L, (b) inorganic acid or organic acid, 1 g / L to 100 g / L, (c) azoles 0.001 g / L to 30 g / L, (d) halogen A metal surface treatment method for performing copper metal surface treatment using a treatment liquid comprising 0.001 ppm to 3 ppm of ions and (e) 0.001 ppm to 3 ppm of silver ions.
2. (A) hydrogen peroxide 1 g / L to 300 g / L, (b) inorganic acid or organic acid 1 g / L to 100 g / L, (c) azoles 0.001 g / L to 30 g / L, (d) halogen ion A method of spraying a copper metal surface treatment using a treatment liquid comprising 0.001 ppm to 3 ppm and (e) 0.001 ppm to 3 ppm of silver ions, wherein the pump pressure is within a range of 0.01 to 0.5 MPa. With a discharge amount of 2 L to 500 L / min, the etching amount of the copper metal surface is 0.1 μm to 30 μm, the surface roughness (Rz value) is 0.5 μm or less, and the surface roughness (Rz value) / etching amount is 0.01 to 1. A metal surface treatment method by spray treatment.
3. (B) one or more inorganic acids are selected from sulfuric acid, phosphoric acid, and nitric acid, an organic acid is one or more selected from malic acid, citric acid, and glycolic acid, and (c) azoles are 1H-tetrazole, 5-methyl-1H-tetrazole, 5-phenyl-1H-tetrazole, 5-amino-1H-tetrazole, 5-methylbenzotriazole, 1H-1,2,3-methylbenzotriazole, 1H-1, 2,3,4-tetrazole, 1H-5-amino-1,2,3,4-tetrazole, 1H-1,2,3-triazole, 1H-1,2,3-benzotriazole, 1H-5-methyl -1,2,3,4-tetrazole, imidazole, and pyrazole, and (d) a halogen ion is a chlorine ion, a bromine ion, or an iodine A hydrogen ion, (e) the first term copper or metal surface treatment method of the copper alloy, wherein the silver ions are silver chloride or silver nitrate.
4). (B) one or more inorganic acids are selected from sulfuric acid, phosphoric acid, and nitric acid, an organic acid is one or more selected from malic acid, citric acid, and glycolic acid, and (c) azoles are 1H-tetrazole, 5-methyl-1H-tetrazole, 5-phenyl-1H-tetrazole, 5-amino-1H-tetrazole, 5-methylbenzotriazole, 1H-1,2,3-methylbenzotriazole, 1H-1, 2,3,4-tetrazole, 1H-5-amino-1,2,3,4-tetrazole, 1H-1,2,3-triazole, 1H-1,2,3-benzotriazole, 1H-5-methyl -1,2,3,4-tetrazole, imidazole, and pyrazole, and (d) a halogen ion is a chlorine ion, a bromine ion, or an iodine A hydrogen ion, (e) metal surface treatment method according to spraying of the second term, wherein the silver ions is silver chloride or silver nitrate.
本発明の表面処理剤によって、従来困難であった少ないエッチング量での平滑化を可能としており、微細な銅配線の外観自動検査の精度を格段に向上させることができる。また少ないエッチング量の前処理でレジストの密着性を向上させ得る。更に少ないエッチング量の前処理で金メッキ等のメッキ後の外観を向上させる。ハーフエッチングにおいても表面粗さRz値0.5μm以下を可能とした技術である。 The surface treatment agent of the present invention enables smoothing with a small amount of etching, which has been difficult in the past, and can greatly improve the accuracy of automatic appearance inspection of fine copper wiring. Further, the adhesiveness of the resist can be improved by a pretreatment with a small etching amount. Furthermore, the appearance after plating such as gold plating is improved by a pretreatment with a small etching amount. This is a technique that enables a surface roughness Rz value of 0.5 μm or less even in half etching.
以下、本発明をより詳しく説明するが、本発明は以下の記載によって限定されるものではない。
本発明にかかる銅及び銅合金の金属表面処理による金属表面の平滑化処理は、(a)過酸化水素、(b)無機酸、または有機酸、(c)アゾール類、(d)ハロゲンイオンおよび(e)銀イオンを含有するエッチング液を用いて処理する。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail, but the present invention is not limited to the following description.
The smoothing treatment of the metal surface by the metal surface treatment of copper and copper alloy according to the present invention includes (a) hydrogen peroxide, (b) inorganic acid or organic acid, (c) azoles, (d) halogen ions and (E) Processing is performed using an etching solution containing silver ions.
(a)過酸化水素は、通常31〜60質量%濃度の市販品が使用され、例えば三菱ガス化学株式会社製工業用過酸化水素又は高純度過酸化水素が有効に使用される。
(b)無機酸は、硫酸、燐酸、硝酸が使用でき、特に硫酸が好ましく使用される。有機酸は、リンゴ酸、クエン酸、グリコール酸、酒石酸、コハク酸であり、好ましくは、クエン酸、グリコール酸であり、特に好ましくは、リンゴ酸である。
(c)アゾール類は、1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3,4−テトラゾール、1H−5−アミノ−1,2,3,4−テトラゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1H−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1H−5−メチル−1,2,3,4−テトラゾール、イミダゾール、ピラゾールであり、好ましくは、5−フェニル−1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾールであり、特に好ましくは、5−アミノ−1H−テトラゾールである。
(d)ハロゲンイオンは、塩素イオン、臭素イオンおよびヨウ素イオンであるが、好ましくは塩素イオン、臭素イオンであり、特に塩素イオンが好ましい。
(e)銀イオンは、塩化銀、硝酸銀などの水溶液中に銀イオンを解離する化合物が好ましい。
(A) As the hydrogen peroxide, a commercially available product having a concentration of 31 to 60% by mass is usually used. For example, industrial hydrogen peroxide or high-purity hydrogen peroxide manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. is effectively used.
(B) As the inorganic acid, sulfuric acid, phosphoric acid and nitric acid can be used, and sulfuric acid is particularly preferably used. The organic acid is malic acid, citric acid, glycolic acid, tartaric acid, or succinic acid, preferably citric acid or glycolic acid, and particularly preferably malic acid.
(C) azoles are 1H-tetrazole, 5-methyl-1H-tetrazole, 5-phenyl-1H-tetrazole, 5-amino-1H-tetrazole, 5-methylbenzotriazole, 1H-1,2,3-methyl Benzotriazole, 1H-1,2,3,4-tetrazole, 1H-5-amino-1,2,3,4-tetrazole, 1H-1,2,3-triazole, 1H-1,2,3-benzo Triazole, 1H-5-methyl-1,2,3,4-tetrazole, imidazole and pyrazole, preferably 5-phenyl-1H-tetrazole and 5-methyl-1H-tetrazole, particularly preferably 5 -Amino-1H-tetrazole.
(D) Halogen ions are chlorine ions, bromine ions and iodine ions, preferably chlorine ions and bromine ions, and particularly preferably chlorine ions.
(E) The silver ion is preferably a compound that dissociates silver ions in an aqueous solution such as silver chloride or silver nitrate.
(a)過酸化水素の添加量は、1g/L〜300g/Lであり、好ましくは10g/L〜200g/Lであり、特に15g/L〜100g/Lが好ましい。
(b)無機酸または有機酸の濃度は、1g/L〜100g/Lであり、好ましくは、10g/L〜50g/Lであり、特に20g/L〜30g/Lが好ましい。
(c)アゾール類の濃度は、0.001g/L〜30g/Lであり、好ましくは、0.005g/L〜1g/Lであり、特に0.01g/L〜0.1g/Lが好ましい。
(d)ハロゲンイオンの濃度は、0.001ppm〜3ppmであり、好ましくは、0.01ppm〜2ppmであり、特に0.03ppm〜1ppmが好ましい。
(e)銀イオンの濃度は、0.001ppm〜3ppmであり、好ましくは、0.01ppm〜2ppmであり、特に0.03ppm〜1ppmが好ましい。
(A) The addition amount of hydrogen peroxide is 1 g / L to 300 g / L, preferably 10 g / L to 200 g / L, and particularly preferably 15 g / L to 100 g / L.
(B) The concentration of the inorganic acid or organic acid is 1 g / L to 100 g / L, preferably 10 g / L to 50 g / L, and particularly preferably 20 g / L to 30 g / L.
(C) The concentration of azoles is 0.001 g / L to 30 g / L, preferably 0.005 g / L to 1 g / L, and particularly preferably 0.01 g / L to 0.1 g / L. .
(D) The concentration of halogen ions is 0.001 ppm to 3 ppm, preferably 0.01 ppm to 2 ppm, and particularly preferably 0.03 ppm to 1 ppm.
(E) The concentration of silver ions is 0.001 ppm to 3 ppm, preferably 0.01 ppm to 2 ppm, and particularly preferably 0.03 ppm to 1 ppm.
本発明の化学研磨液を用いて、銅および銅合金を化学研磨する方法には、特に制限はないが、スプレーエッチングマシンを使用したスプレー法やエッチング槽での揺動、ポンプ循環による浸漬法などの任意の方法で処理できる。化学研磨液の温度にも特に制限はないが、10〜50℃の範囲から要望する溶解速度に合わせて任意に温度設定することが出来るが、15〜45℃がより好ましく、特に20〜40℃が好ましい。 The method for chemically polishing copper and copper alloys using the chemical polishing liquid of the present invention is not particularly limited, but includes a spray method using a spray etching machine, oscillation in an etching tank, an immersion method by pump circulation, etc. Can be processed in any way. Although there is no restriction | limiting in particular also in the temperature of a chemical polishing liquid, Although it can set arbitrarily according to the melt | dissolution rate desired from the range of 10-50 degreeC, 15-45 degreeC is more preferable, Especially 20-40 degreeC Is preferred.
スプレーエッチングマシンを使用したエッチング操作の場合、ノズル出口でのスプレー圧力が0.01〜0.5MPaの範囲であり、好ましくは0.05〜0.4MPaであり、更に好ましくは0.1〜0.3MPaである。エッチング液のポンプ吐出量は、2〜500L/分であり、好ましくは4〜400L/分であり、更に好ましくは、10〜350L/分である。 In the case of an etching operation using a spray etching machine, the spray pressure at the nozzle outlet is in the range of 0.01 to 0.5 MPa, preferably 0.05 to 0.4 MPa, more preferably 0.1 to 0. .3 MPa. The pump discharge amount of the etching solution is 2 to 500 L / min, preferably 4 to 400 L / min, and more preferably 10 to 350 L / min.
試薬(入手先);
・過酸化水素;工業用60%過酸化水素(三菱ガス化学)
・硫酸;試薬特級47%硫酸(和光純薬)
・リン酸;試薬特級85%硫酸(和光純薬)
・硝酸;試薬特級60%硫酸(和光純薬)
・5−アミノ−1H−テトラゾール;試薬一級(和光純薬)
・銀イオン;試薬特級硝酸銀(和光純薬)
・塩素イオン;試薬特級塩化ナトリウム(和光純薬)
・銅;試薬特級硫酸銅五水和物(和光純薬)
表面粗さ(Rz値)評価法;
レーザー顕微鏡(OLS4000:オリンパス製)にて測定。断面曲線を基準長さだけ抜き取った部分で、最高から5番目までの高さの平均と、最深から5番目までの谷底の深さの平均値の差をRz値で示した。
銅表面のSEM観察;
キーエンス社製の電子顕微鏡VE―8800Sにて2千倍で撮影した。
銅エッチング量測定方法;
以下の式により質量法にて算出した。
エッチング量=(処理前質量−処理後質量)/(処理面積×8.92)
スプレーエッチング装置;
量産を想定した実機マシンを使用し、スプレー圧力0.2MPa、ポンプ吐出量350L/分、処理液温度30℃にて銅配線形成基板と全面銅箔基板を処理した。
スプレーノズルは、いけうち社製1/4 MISJJX030 PP−FRPPを使用した。
Reagent (source);
・ Hydrogen peroxide: Industrial 60% hydrogen peroxide (Mitsubishi Gas Chemical)
・ Sulfuric acid; reagent special grade 47% sulfuric acid (Wako Pure Chemical Industries)
・ Phosphoric acid; Special grade 85% sulfuric acid (Wako Pure Chemical Industries)
・ Nitric acid; reagent special grade 60% sulfuric acid (Wako Pure Chemical Industries)
-5-amino-1H-tetrazole; first grade reagent (Wako Pure Chemical Industries)
・ Silver ion; reagent special grade silver nitrate (Wako Pure Chemical Industries)
・ Chlorine ion; reagent special grade sodium chloride (Wako Pure Chemical Industries)
・ Copper: Reagent special grade copper sulfate pentahydrate (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
Surface roughness (Rz value) evaluation method;
Measured with a laser microscope (OLS4000: manufactured by Olympus). The difference between the average of the height from the highest to the fifth and the average value of the depth of the valley from the deepest to the fifth is shown by the Rz value at the portion where the sectional curve is extracted by the reference length.
SEM observation of copper surface;
Images were taken at a magnification of 2,000 with an electron microscope VE-8800S manufactured by Keyence Corporation.
Method for measuring copper etching amount;
The mass method was calculated by the following formula.
Etching amount = (mass before treatment−mass after treatment) / (treatment area × 8.92)
Spray etching equipment;
Using an actual machine intended for mass production, the copper wiring substrate and the entire copper foil substrate were processed at a spray pressure of 0.2 MPa, a pump discharge rate of 350 L / min, and a processing liquid temperature of 30 ° C.
As the spray nozzle, 1/4 MISJJX030 PP-FRPP manufactured by Ikeuchi Co., Ltd. was used.
以下に実施例及び比較例により、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例1〜実施例4
水溶液組成は実液を想定して成分を配合し、本発明にかかるエッチング液を調製した。
配合量は、表1にまとめた。処理は、エッチング液の液温を30℃に保ち試験基板として銅回路を形成した基板を使用し、スプレー圧力0.05MPa、液量200Lによる処理を行った。エッチング量0.5μmの処理サンプルを作成し、表面粗さ(Rz)を測定した。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.
Examples 1 to 4
The composition of the aqueous solution was prepared assuming an actual solution, and an etching solution according to the present invention was prepared.
The blending amounts are summarized in Table 1. The treatment was performed using a substrate on which a copper circuit was formed as a test substrate while keeping the temperature of the etching solution at 30 ° C., and the treatment was performed with a spray pressure of 0.05 MPa and a liquid amount of 200 L. A processed sample having an etching amount of 0.5 μm was prepared, and the surface roughness (Rz) was measured.
実施例5
銅張積層板を使用し上記の処理条件で5μmのエッチングサンプルを作成し、表面粗さ(Rz)を測定した。配合量は、表1に記した。
Example 5
Using a copper clad laminate, an etching sample having a thickness of 5 μm was prepared under the above-described processing conditions, and the surface roughness (Rz) was measured. The blending amounts are shown in Table 1.
比較例1〜比較例4
実施例1〜実施例4と同じ処理条件にて銅回路を形成した基板を処理した。配合量は、表1に記した。
Comparative Examples 1 to 4
The board | substrate which formed the copper circuit on the process conditions same as Example 1- Example 4 was processed. The blending amounts are shown in Table 1.
比較例5〜比較例7
銅張積層板を使用し実施例1〜実施例4の処理条件で5μmのエッチングサンプルを作成し、表面粗さ(Rz)を測定した。配合量は、表1に記した。
Comparative Example 5 to Comparative Example 7
Using a copper-clad laminate, an etching sample of 5 μm was prepared under the processing conditions of Examples 1 to 4, and the surface roughness (Rz) was measured. The blending amounts are shown in Table 1.
表2に実施例1〜実施例5および比較例1〜比較例7の表面粗さ(Rz値)、表面粗さ(Rz値)/エッチング量の測定結果を示す。 Table 2 shows the measurement results of surface roughness (Rz value), surface roughness (Rz value) / etching amount of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 7.
表2と図1〜図6に示されるように、本発明の処理方法は、優れた平滑化された銅回路版および銅張積層板が得られた。 As shown in Table 2 and FIGS. 1 to 6, the treatment method of the present invention resulted in excellent smoothed copper circuit plates and copper clad laminates.
本発明の処理方法、(a)、(b)、(c)、(d)および(e)化合物を含む表面処理液および表面処理方法に対して(a)、(b)および(c)化合物を含む表面処理液および表面処理方法(比較例1)、(a)、(b)、(c)、および(d)化合物を含む表面処理液および表面処理方法(比較例2)、(a)、(b)、(c)および(e)化合物を含む表面処理液および表面処理方法(比較例3)、(a)、(b)、およびリン酸を含む表面処理方法(比較例4)では得られた表面処理は、外観自動検査での表面粗さRz値が大きくなった。 (A), (b) and (c) Compound for Surface Treatment Liquid and Surface Treatment Method Containing Compound (a), (b), (c), (d) and (e) Compound Surface treatment solution and surface treatment method (Comparative Example 1), (a), (b), (c), and (d) Surface treatment solution and compound (Comparative Example 2), (a) , (B), (c) and (e) surface treatment liquid and surface treatment method (Comparative Example 3), (a), (b), and surface treatment method containing phosphoric acid (Comparative Example 4) The obtained surface treatment increased the surface roughness Rz value in the automatic appearance inspection.
本発明の好ましい態様によれば、本発明の金属表面処理液および金属表面処理方法により銅および銅合金の従来困難であった少ないエッチング量での平滑化が可能となり、産業上有用である。 According to a preferred aspect of the present invention, the metal surface treatment liquid and the metal surface treatment method of the present invention enable smoothing of copper and copper alloys with a small etching amount, which has been difficult in the past, and is industrially useful.
Claims (4)
Priority Applications (1)
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