JPH08157283A - 熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体及びその製造方法 - Google Patents
熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体及びその製造方法Info
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- JPH08157283A JPH08157283A JP6319538A JP31953894A JPH08157283A JP H08157283 A JPH08157283 A JP H08157283A JP 6319538 A JP6319538 A JP 6319538A JP 31953894 A JP31953894 A JP 31953894A JP H08157283 A JPH08157283 A JP H08157283A
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- Japan
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- pyrolytic
- pyrolytic boron
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
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- Organic Chemistry (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、熱分解窒化ホウ素の成膜時に発生
する内部応力が原因で生ずるクラック、剥離等の欠陥を
解消した熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体、特には複層
成形体が熱分解窒化ホウ素基体−熱分解グラファイト複
層成形体の最外表面に熱分解窒化ホウ素層を成膜して成
るセラミックヒーター、静電チャック、遮熱板、遮熱円
筒及び熱吸収帯付容器及びその製造方法に関するもので
ある。 【構成】 絶縁性セラミックスより成る基体表面上に熱
分解グラファイト層を設けて成る複層成形体の最外表面
に熱分解窒化ホウ素層を成膜するに際し、絶縁性セラミ
ックスより成る基体表面上に熱分解グラファイト層と同
じパターン状に溝部を形成し該複層成形体表面の凹凸を
１００μｍ以下とすることを特徴とする熱分解窒化ホウ
素被覆複層成形体とその製造方法。
する内部応力が原因で生ずるクラック、剥離等の欠陥を
解消した熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体、特には複層
成形体が熱分解窒化ホウ素基体−熱分解グラファイト複
層成形体の最外表面に熱分解窒化ホウ素層を成膜して成
るセラミックヒーター、静電チャック、遮熱板、遮熱円
筒及び熱吸収帯付容器及びその製造方法に関するもので
ある。 【構成】 絶縁性セラミックスより成る基体表面上に熱
分解グラファイト層を設けて成る複層成形体の最外表面
に熱分解窒化ホウ素層を成膜するに際し、絶縁性セラミ
ックスより成る基体表面上に熱分解グラファイト層と同
じパターン状に溝部を形成し該複層成形体表面の凹凸を
１００μｍ以下とすることを特徴とする熱分解窒化ホウ
素被覆複層成形体とその製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐熱性、耐食性、化学的
安定性に優れた熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体及びそ
の製造方法に関するものである。
安定性に優れた熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体及びそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】熱分解窒化ホウ素（以下ＰＢＮと略称す
る）は耐熱性、耐食性、化学的安定性、高純度等の有利
な特性をもち、これをグラファイト層と、Ａｌ2 Ｏ3 ，
Ｓｉ3Ｎ4 ，ＳｉＣ，ＢＮ，ＰＢＮ等のセラミック基体
より成る複層成形体に被覆してその特性を生かした応用
製品が種々開発されている。例えば、実願平３−０３０
３９３号にはＰＢＮ基板上に熱分解グラファイト（Ｐ
Ｇ）層を形成したセラミックヒーターのＰＢＮ被覆、特
開平５−１０５５５７号にはＰＢＮ容器上にＰＧ吸熱層
を成膜したものにＰＢＮ被覆層を被覆したもの等があ
る。
る）は耐熱性、耐食性、化学的安定性、高純度等の有利
な特性をもち、これをグラファイト層と、Ａｌ2 Ｏ3 ，
Ｓｉ3Ｎ4 ，ＳｉＣ，ＢＮ，ＰＢＮ等のセラミック基体
より成る複層成形体に被覆してその特性を生かした応用
製品が種々開発されている。例えば、実願平３−０３０
３９３号にはＰＢＮ基板上に熱分解グラファイト（Ｐ
Ｇ）層を形成したセラミックヒーターのＰＢＮ被覆、特
開平５−１０５５５７号にはＰＢＮ容器上にＰＧ吸熱層
を成膜したものにＰＢＮ被覆層を被覆したもの等があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらＰＢＮを
複層成形体の最外表面に被覆する際、複層成形体の表面
に凹凸があると、そのコーナー部のＰＢＮ被覆層に内部
応力が発生し、クラック、剥離等が起こり易いという欠
点があった。又、接触加熱型セラミックヒーターとして
用いる場合は温度バラツキの発生や静電チャックとして
用いる場合は静電吸着力の低下をまねいていた。本発明
は、このような欠点を解消した熱分解窒化ホウ素被覆複
層成形体、特には複層成形体が絶縁性セラミックス基体
とＰＧ層複層成形体から成り、その最外表面にＰＢＮ被
覆層を被覆したセラミックヒーター、静電チャック、遮
熱板、遮熱円筒、熱吸収帯付容器とその製造方法に関す
るものである。
複層成形体の最外表面に被覆する際、複層成形体の表面
に凹凸があると、そのコーナー部のＰＢＮ被覆層に内部
応力が発生し、クラック、剥離等が起こり易いという欠
点があった。又、接触加熱型セラミックヒーターとして
用いる場合は温度バラツキの発生や静電チャックとして
用いる場合は静電吸着力の低下をまねいていた。本発明
は、このような欠点を解消した熱分解窒化ホウ素被覆複
層成形体、特には複層成形体が絶縁性セラミックス基体
とＰＧ層複層成形体から成り、その最外表面にＰＢＮ被
覆層を被覆したセラミックヒーター、静電チャック、遮
熱板、遮熱円筒、熱吸収帯付容器とその製造方法に関す
るものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等はかかる課題
を解決するためにＰＢＮ被覆層に発生するクラック、剥
離現象の原因を究明した結果、セラミック基体−ＰＧ層
複層成形体の表面の凹凸が著しい部分に内部応力が集中
していることを突き止め、この応力分散方法を検討して
本発明を完成したもので、その要旨は、セラミックより
成る基体表面上にＰＧ層を設けて成る複層成形体の最外
表面に熱分解窒化ホウ素層を成膜するに際し、あらかじ
め基材上にパターンと同じ溝部を形成した後、ＰＧ層を
成膜し凸部を除去、研磨して、表面の凹凸差を１００μ
ｍ以下としその上にＰＢＮ層を成膜することを特徴とす
るＰＢＮ被覆複層成形体の製造方法、及びこの方法で製
造されたＰＢＮ被覆複層成形体に関するもので、これは
セラミックヒーター、静電チャック、遮熱板、遮熱円筒
及び熱吸収帯付容器として優れた品質を有することが判
った。以下、本発明を詳細に説明する。
を解決するためにＰＢＮ被覆層に発生するクラック、剥
離現象の原因を究明した結果、セラミック基体−ＰＧ層
複層成形体の表面の凹凸が著しい部分に内部応力が集中
していることを突き止め、この応力分散方法を検討して
本発明を完成したもので、その要旨は、セラミックより
成る基体表面上にＰＧ層を設けて成る複層成形体の最外
表面に熱分解窒化ホウ素層を成膜するに際し、あらかじ
め基材上にパターンと同じ溝部を形成した後、ＰＧ層を
成膜し凸部を除去、研磨して、表面の凹凸差を１００μ
ｍ以下としその上にＰＢＮ層を成膜することを特徴とす
るＰＢＮ被覆複層成形体の製造方法、及びこの方法で製
造されたＰＢＮ被覆複層成形体に関するもので、これは
セラミックヒーター、静電チャック、遮熱板、遮熱円筒
及び熱吸収帯付容器として優れた品質を有することが判
った。以下、本発明を詳細に説明する。
【０００５】
【作用】ＰＢＮ被覆層に発生するクラック、剥離現象の
原因を究明したところ、セラミック基体−ＰＧ層複層成
形体の表面の凹凸の大きい部分には内部応力が集中して
いることが判明した。この内部応力は凹凸部のコーナー
部に発生するもので、これはＰＢＮ及びＰＧの熱的異方
性によるものであり、その応力の大きさは、１）異方度
が大きく、２）被覆膜が厚く、３）コーナー部の凹凸が
大きい程大きくなることが解った。一般にＰＢＮ及びＰ
Ｇの熱膨張率は異方性であり、ＰＢＮ及びＰＧ蒸着時の
成長方向の熱膨張率はそれと垂直な方向の熱膨張率に対
して約１０倍の値を示す。もし基体面が成長方向に対し
て垂直面であれば基体と被覆物の熱膨張率は一致する
が、基体面が成長方向と平行であれば熱膨張率には１０
倍の差が発生し、その結果基体面長さが増大し、ここに
発生する応力は増大することになる。例えば図３に示し
たようにＰＢＮ−ＰＧ複層成形体断面においてパターン
加工のために切削された溝の垂直面において、ＰＢＮ蒸
着温度から常温まで冷却された時の温度差により応力が
発生することになる。以上の原因から、ＰＢＮ被覆表面
の凹凸起伏を極力少なくする事によりこれらの応力は軽
減される。そこでこの応力分散方法として、あらかじめ
絶縁性セラミックスより成る基体上に凹状パターンを形
成した後にＰＧ層を成膜し、凸部を除去し、成形体表面
の凹凸差を１００μｍ以下、好ましくは５０μｍにする
様に研磨、ポリッシングすることにより解決した。これ
は又、特にＰＧ膜を厚くすることが必要な場合有効とな
ることが判った。更にこれは、セラミックヒーターの場
合均熱性の改善、静電チャックの場合静電力の向上にも
寄与する。
原因を究明したところ、セラミック基体−ＰＧ層複層成
形体の表面の凹凸の大きい部分には内部応力が集中して
いることが判明した。この内部応力は凹凸部のコーナー
部に発生するもので、これはＰＢＮ及びＰＧの熱的異方
性によるものであり、その応力の大きさは、１）異方度
が大きく、２）被覆膜が厚く、３）コーナー部の凹凸が
大きい程大きくなることが解った。一般にＰＢＮ及びＰ
Ｇの熱膨張率は異方性であり、ＰＢＮ及びＰＧ蒸着時の
成長方向の熱膨張率はそれと垂直な方向の熱膨張率に対
して約１０倍の値を示す。もし基体面が成長方向に対し
て垂直面であれば基体と被覆物の熱膨張率は一致する
が、基体面が成長方向と平行であれば熱膨張率には１０
倍の差が発生し、その結果基体面長さが増大し、ここに
発生する応力は増大することになる。例えば図３に示し
たようにＰＢＮ−ＰＧ複層成形体断面においてパターン
加工のために切削された溝の垂直面において、ＰＢＮ蒸
着温度から常温まで冷却された時の温度差により応力が
発生することになる。以上の原因から、ＰＢＮ被覆表面
の凹凸起伏を極力少なくする事によりこれらの応力は軽
減される。そこでこの応力分散方法として、あらかじめ
絶縁性セラミックスより成る基体上に凹状パターンを形
成した後にＰＧ層を成膜し、凸部を除去し、成形体表面
の凹凸差を１００μｍ以下、好ましくは５０μｍにする
様に研磨、ポリッシングすることにより解決した。これ
は又、特にＰＧ膜を厚くすることが必要な場合有効とな
ることが判った。更にこれは、セラミックヒーターの場
合均熱性の改善、静電チャックの場合静電力の向上にも
寄与する。
【０００６】この表面の凹凸は１００μｍを超えると応
力緩和効果がなくなってしまうので１００μｍ以下とす
ることが必要である。又、平坦な絶縁性基板の上にＰＧ
層を蒸着し、そのＰＧ層の厚さを１００μｍ以下とし、
ＰＧパターン加工を段差１００μｍとしても同様な効果
が得られる。
力緩和効果がなくなってしまうので１００μｍ以下とす
ることが必要である。又、平坦な絶縁性基板の上にＰＧ
層を蒸着し、そのＰＧ層の厚さを１００μｍ以下とし、
ＰＧパターン加工を段差１００μｍとしても同様な効果
が得られる。
【０００７】次に本発明の製造方法の一例を述べる。例
えばセラミックヒーターの場合、従来の加工方法は絶縁
板上に発熱抵抗体となるＰＧ層をＣＶＤ法で均一の厚さ
に沈積し、次いで図２に示すヒーターパターンに沿って
ＰＧ層を切削除去し、その上にＰＢＮ層を被覆してい
た。この切削を通常のエンドミル加工で行うと、この断
面形状は溝深さｄ＝２００μｍ以上の凹凸が形成され、
ＰＢＮ層を被覆した場合（図３）、コーナー部４よりＰ
ＢＮ層３にクラックが入り、剥離が発生する。これをセ
ラミックヒーターとして昇温降温を数回繰り返すうちに
ＰＢＮ被覆層全体にクラックが入り、このセラミックヒ
ーターは使用不能となってしまう。本発明の製造方法は
図１の縦断面図に示したように先ず絶縁性セラミック基
体上に深さが例えば２００〜３００μｍに切削してヒー
ターパターンと同じ形状の溝を作り（図１（ａ））、次
いでこの表面にＣＶＤ法でＰＧ層を形成して溝を埋め
（図１（ｂ））ヒーターパターンの境界が現われるまで
フライス加工でＰＧ層を切削除去してヒーターパターン
を形成し、表面全体を研磨して凹凸差を１００μｍ以
下、好ましくは５０μｍ以下にする（図１（ｃ））。こ
の方法で作られた複層成形体の表面上にＣＶＤ法により
ＰＢＮを被覆して、クラック、剥離の生じない良好なＰ
ＢＮ被覆層が得られる。
えばセラミックヒーターの場合、従来の加工方法は絶縁
板上に発熱抵抗体となるＰＧ層をＣＶＤ法で均一の厚さ
に沈積し、次いで図２に示すヒーターパターンに沿って
ＰＧ層を切削除去し、その上にＰＢＮ層を被覆してい
た。この切削を通常のエンドミル加工で行うと、この断
面形状は溝深さｄ＝２００μｍ以上の凹凸が形成され、
ＰＢＮ層を被覆した場合（図３）、コーナー部４よりＰ
ＢＮ層３にクラックが入り、剥離が発生する。これをセ
ラミックヒーターとして昇温降温を数回繰り返すうちに
ＰＢＮ被覆層全体にクラックが入り、このセラミックヒ
ーターは使用不能となってしまう。本発明の製造方法は
図１の縦断面図に示したように先ず絶縁性セラミック基
体上に深さが例えば２００〜３００μｍに切削してヒー
ターパターンと同じ形状の溝を作り（図１（ａ））、次
いでこの表面にＣＶＤ法でＰＧ層を形成して溝を埋め
（図１（ｂ））ヒーターパターンの境界が現われるまで
フライス加工でＰＧ層を切削除去してヒーターパターン
を形成し、表面全体を研磨して凹凸差を１００μｍ以
下、好ましくは５０μｍ以下にする（図１（ｃ））。こ
の方法で作られた複層成形体の表面上にＣＶＤ法により
ＰＢＮを被覆して、クラック、剥離の生じない良好なＰ
ＢＮ被覆層が得られる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施態様を実施例を挙げて具
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。 （実施例）直径１００ｍｍ×厚さ１．２ｍｍのＰＢＮ基
板に図３に示すヒーターパターンと同じ形の溝を２００
μｍの深さに角型エンドミルを用いて加工し（図１
（ａ））、次いでこのＰＢＮ基板をＣＶＤ装置内に入
れ、１９００℃に昇温し、高純度プロパンガス５ＳＬＭ
と水素２０ＳＬＭを導入し、圧力を１２．５Ｔｏｒｒに
保ち、１５時間反応を行い１５０μｍのＰＧ沈積層を得
た（図１（ｂ））。次いでグラインダーにより凸部の余
分なＰＧ層を切削除去しヒーターパターンを形成し、次
いで砥粒を用い研磨して、表面の凹凸差を１０μｍ以下
とした（図１（ｃ））。次いでこれを再びＣＶＤ装置内
に入れ、１８００℃に昇温し、ＢＣｌ3 、ＮＨ3 、Ｈ2
をそれぞれ１ＳＬＭ、５ＳＬＭ、２０ＳＬＭで導入し、
圧力を８．７Ｔｏｒｒに保って６時間反応して５０μｍ
の厚さのＰＢＮ層を被覆したヒーターを得た（図１
（ｄ））。このヒーターを真空容器内で通電し、０〜１
０００℃で加熱降温を２０回繰り返したが、ＰＢＮ層は
クラック、剥離は発生しなかった。
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。 （実施例）直径１００ｍｍ×厚さ１．２ｍｍのＰＢＮ基
板に図３に示すヒーターパターンと同じ形の溝を２００
μｍの深さに角型エンドミルを用いて加工し（図１
（ａ））、次いでこのＰＢＮ基板をＣＶＤ装置内に入
れ、１９００℃に昇温し、高純度プロパンガス５ＳＬＭ
と水素２０ＳＬＭを導入し、圧力を１２．５Ｔｏｒｒに
保ち、１５時間反応を行い１５０μｍのＰＧ沈積層を得
た（図１（ｂ））。次いでグラインダーにより凸部の余
分なＰＧ層を切削除去しヒーターパターンを形成し、次
いで砥粒を用い研磨して、表面の凹凸差を１０μｍ以下
とした（図１（ｃ））。次いでこれを再びＣＶＤ装置内
に入れ、１８００℃に昇温し、ＢＣｌ3 、ＮＨ3 、Ｈ2
をそれぞれ１ＳＬＭ、５ＳＬＭ、２０ＳＬＭで導入し、
圧力を８．７Ｔｏｒｒに保って６時間反応して５０μｍ
の厚さのＰＢＮ層を被覆したヒーターを得た（図１
（ｄ））。このヒーターを真空容器内で通電し、０〜１
０００℃で加熱降温を２０回繰り返したが、ＰＢＮ層は
クラック、剥離は発生しなかった。
【０００９】（比較例）実施例と同じ平坦なＰＢＮ基材
を用いその上に実施例と同様の条件でＰＧ層を１５０μ
ｍの厚さに成膜し、通常の角形エンドミルを用い、深さ
ｄ＝３００μｍまで切削し図２に示すヒーターパターン
を形成し実施例と同様の条件でＰＢＮを成膜して５０μ
ｍの厚さのＰＢＮ被覆層を有するヒーターを作製した。
次いでこのヒーターを真空容器内で通電し０〜１０００
℃で加熱降温を行ったところ、１回目でＰＢＮ被覆が剥
離してしまった。
を用いその上に実施例と同様の条件でＰＧ層を１５０μ
ｍの厚さに成膜し、通常の角形エンドミルを用い、深さ
ｄ＝３００μｍまで切削し図２に示すヒーターパターン
を形成し実施例と同様の条件でＰＢＮを成膜して５０μ
ｍの厚さのＰＢＮ被覆層を有するヒーターを作製した。
次いでこのヒーターを真空容器内で通電し０〜１０００
℃で加熱降温を行ったところ、１回目でＰＢＮ被覆が剥
離してしまった。
【００１０】
【発明の効果】本発明は、ＰＢＮ成膜時に発生する内部
応力が原因となって生ずるクラック、剥離等の欠陥を解
消したＰＢＮ被覆複層成形体及びその製造方法に関する
もので、特にセラミックヒーター、静電チャック、遮熱
板、遮熱円筒及び熱吸収帯付容器等の耐久性の優れたＰ
ＢＮ被覆複層成形体を提供することを目的とするもので
ある。
応力が原因となって生ずるクラック、剥離等の欠陥を解
消したＰＢＮ被覆複層成形体及びその製造方法に関する
もので、特にセラミックヒーター、静電チャック、遮熱
板、遮熱円筒及び熱吸収帯付容器等の耐久性の優れたＰ
ＢＮ被覆複層成形体を提供することを目的とするもので
ある。
【図１】本発明の加工方法の一例を縦断面図で示した工
程図である。 （ａ）ＰＢＮ基体表面上にエンドミルにより溝を形成す
る工程。 （ｂ）ＰＧ層を成膜する工程。 （ｃ）余分なＰＧ層を切削除去、研磨する工程。 （ｄ）ＰＧ層上にＰＢＮ層を成膜する工程。
程図である。 （ａ）ＰＢＮ基体表面上にエンドミルにより溝を形成す
る工程。 （ｂ）ＰＧ層を成膜する工程。 （ｃ）余分なＰＧ層を切削除去、研磨する工程。 （ｄ）ＰＧ層上にＰＢＮ層を成膜する工程。
【図２】セラミックヒーターの構造を示す上面図であ
る。
る。
【図３】応力発生箇所を示す縦断面図である。
１ 基体 ２ ＰＧ層 ３ ＰＢＮ被覆層
Claims (7)
- 【請求項１】 絶縁性セラミックスより成る基体表面上
に熱分解グラファイト層を設けて成る複層成形体表面に
熱分解窒化ホウ素層を成膜して成る熱分解窒化ホウ素被
覆複層成形体の製造方法において、あらかじめ絶縁性セ
ラミックスよる成る基体表面上に熱分解グラファイト層
と同じパターンの溝部を形成し、その上に熱分解グラフ
ァイト層を形成し、次いで表面を切削除去して研磨し表
面の凹凸を１００μｍ以下とした熱分解グラファイト層
パターン面を形成し、次いで最外表面にＣＶＤ法により
熱分解窒化ホウ素層を成膜することを特徴とする熱分解
窒化ホウ素被覆複層成形体の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の絶縁性セラミックスよ
り成る基体が窒化ホウ素、熱分解窒化ホウ素、窒化けい
素、窒化アルミ、シリカ及びアルミナより選ばれた１種
又は２種以上のセラミックスより成ることを特徴とする
熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の絶縁性セラミックスよ
り成る基体が熱分解窒化ホウ素から成ることを特徴とす
る熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体の製造方法。 - 【請求項４】 絶縁性セラミックスより成る基体表面に
熱分解グラファイト層を形成して成る複層成形体表面に
熱分解窒化ホウ素層を成膜して成る熱分解窒化ホウ素被
覆複層成形体において、該熱分解グラファイト層が絶縁
性セラミックスより成る基体表面に埋設されて成り、か
つその表面の凹凸が１００μｍ以下であることを特徴と
する熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体。 - 【請求項５】 請求項４に記載の絶縁性セラミックスよ
り成る基体が窒化ホウ素、熱分解窒化ホウ素、窒化けい
素、窒化アルミ、シリカ及びアルミナより選ばれた１種
又は２種以上のセラミックスより成ることを特徴とする
熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体。 - 【請求項６】 請求項５に記載の絶縁性セラミックスよ
り成る基体が熱分解窒化ホウ素から成ることを特徴とす
る熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体。 - 【請求項７】 請求項４に記載の熱分解窒化ホウ素被覆
複層成形体がセラミックヒーター、静電チャック、遮熱
板、遮熱円筒及び熱吸収帯付容器のいづれかであること
を特徴とする熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31953894A JP3589429B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31953894A JP3589429B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08157283A true JPH08157283A (ja) | 1996-06-18 |
| JP3589429B2 JP3589429B2 (ja) | 2004-11-17 |
Family
ID=18111370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31953894A Expired - Fee Related JP3589429B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3589429B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100442950C (zh) * | 2005-05-26 | 2008-12-10 | 台达电子工业股份有限公司 | 陶瓷基板及其制造方法 |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP31953894A patent/JP3589429B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100442950C (zh) * | 2005-05-26 | 2008-12-10 | 台达电子工业股份有限公司 | 陶瓷基板及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3589429B2 (ja) | 2004-11-17 |
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