JPH08154002A - 高周波スイッチ - Google Patents
高周波スイッチInfo
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- JPH08154002A JPH08154002A JP6293166A JP29316694A JPH08154002A JP H08154002 A JPH08154002 A JP H08154002A JP 6293166 A JP6293166 A JP 6293166A JP 29316694 A JP29316694 A JP 29316694A JP H08154002 A JPH08154002 A JP H08154002A
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- diode
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/74—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
- H03K17/76—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 挿入損失を低減することができ、第１，第２
のポートを第３，第４のポートに切り換えることを可能
とする高周波スイッチを提供する。 【構成】 第１，第２のポートＰ1 ，Ｐ2 に対して同じ
向きとなるように、第１，第３のポート間、第１，第４
のポート間、第２，第３のポート間及び第２，第４のポ
ート間に第１〜第４のダイオード３，４，２３，２４を
接続し、各ダイオードの第３または第４のポート側端
と、接地電位との間に第１の分布定数線路６，１０，２
６，３０と第１のコンデンサ７，１１，２７，３１とか
らなる直列回路を接続し、第１の分布定数線路と第１の
コンデンサとの間の接続点Ｄ，Ｆ，Ｈ，Ｊと、制御電圧
端子Ｖ1 〜Ｖ4 との間に抵抗８，１２，２８，３２を接
続し、第１，第２のポートと接地電位との間に第２の分
布定数線路３３，３４を接続してなる高周波スイッチ。
のポートを第３，第４のポートに切り換えることを可能
とする高周波スイッチを提供する。 【構成】 第１，第２のポートＰ1 ，Ｐ2 に対して同じ
向きとなるように、第１，第３のポート間、第１，第４
のポート間、第２，第３のポート間及び第２，第４のポ
ート間に第１〜第４のダイオード３，４，２３，２４を
接続し、各ダイオードの第３または第４のポート側端
と、接地電位との間に第１の分布定数線路６，１０，２
６，３０と第１のコンデンサ７，１１，２７，３１とか
らなる直列回路を接続し、第１の分布定数線路と第１の
コンデンサとの間の接続点Ｄ，Ｆ，Ｈ，Ｊと、制御電圧
端子Ｖ1 〜Ｖ4 との間に抵抗８，１２，２８，３２を接
続し、第１，第２のポートと接地電位との間に第２の分
布定数線路３３，３４を接続してなる高周波スイッチ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば携帯電話器など
の高周波回路において信号経路を切り換えるための高周
波スイッチに関し、特に、４つのポートを有し、かつダ
イオードを利用した高周波スイッチに関する。
の高周波回路において信号経路を切り換えるための高周
波スイッチに関し、特に、４つのポートを有し、かつダ
イオードを利用した高周波スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話器においては、２本のアンテナ
と、あるいは１本のアンテナ及び１つの外部端子を、送
信部及び受信部で共用することがある。このような構成
では、例えば図５に示すスイッチ回路が従来より用いら
れている。
と、あるいは１本のアンテナ及び１つの外部端子を、送
信部及び受信部で共用することがある。このような構成
では、例えば図５に示すスイッチ回路が従来より用いら
れている。
【０００３】スイッチ回路５１は、３ポートのスイッチ
５２，５３を接続した構成を有する。スイッチ５２は、
第１のポートＰ21、第２のポートＰ22及び第３のポート
Ｐ23を有する。同様に、スイッチ５３は第１〜第３のポ
ートＰ31，Ｐ32及びＰ33を有する。スイッチ５２の第２
のポートＰ22には、アンテナＡＮＴが接続され、第３の
ポートＰ23は、外部接続端子ＥＸＴとされている。な
お、第３のポートＰ23には、第 2のアンテナが接続され
ることもある。すなわち、車載用携帯電話器などにおい
ては、第２のアンテナとして車両に装備されたアンテナ
を接続して使用することも可能である。また、外部端子
として使用する例としては、スイッチ回路５１が内蔵さ
れた携帯電話器の受信部の電気的特性を測定する際に、
外部端子から所定の信号を入力する場合などが挙げられ
る。
５２，５３を接続した構成を有する。スイッチ５２は、
第１のポートＰ21、第２のポートＰ22及び第３のポート
Ｐ23を有する。同様に、スイッチ５３は第１〜第３のポ
ートＰ31，Ｐ32及びＰ33を有する。スイッチ５２の第２
のポートＰ22には、アンテナＡＮＴが接続され、第３の
ポートＰ23は、外部接続端子ＥＸＴとされている。な
お、第３のポートＰ23には、第 2のアンテナが接続され
ることもある。すなわち、車載用携帯電話器などにおい
ては、第２のアンテナとして車両に装備されたアンテナ
を接続して使用することも可能である。また、外部端子
として使用する例としては、スイッチ回路５１が内蔵さ
れた携帯電話器の受信部の電気的特性を測定する際に、
外部端子から所定の信号を入力する場合などが挙げられ
る。
【０００４】スイッチ５２においては、第１のポートＰ
21が、上記第２のポートＰ22または第３のポートＰ23に
対して切り換えられるように構成されている。第１のポ
ートＰ21は、スイッチ５３の第１のポートＰ31に接続さ
れている。
21が、上記第２のポートＰ22または第３のポートＰ23に
対して切り換えられるように構成されている。第１のポ
ートＰ21は、スイッチ５３の第１のポートＰ31に接続さ
れている。
【０００５】スイッチ５３の第１のポートＰ31は、第２
のポートＰ32と、第３のポートＰ33との間で接続が切り
換えられるように構成されている。第２のポートＰ
32は、送信部Ｔｘに接続され、第３のポートＰ33は、受
信部Ｒｘに接続される。
のポートＰ32と、第３のポートＰ33との間で接続が切り
換えられるように構成されている。第２のポートＰ
32は、送信部Ｔｘに接続され、第３のポートＰ33は、受
信部Ｒｘに接続される。
【０００６】上記スイッチ回路５１を用いることによ
り、アンテナＡＮＴ及び外部端子ＥＸＴのいずれかを、
送信部Ｔｘまたは受信部Ｒｘに接続した状態を実現する
ことができる。
り、アンテナＡＮＴ及び外部端子ＥＸＴのいずれかを、
送信部Ｔｘまたは受信部Ｒｘに接続した状態を実現する
ことができる。
【０００７】ところで、上記３ポート型のスイッチ５
２，５３を構成するための部品としては、図６に示すダ
イオードを用いた高周波スイッチが知られている。高周
波スイッチ６１は、上記第１〜第３のポートＰ21〜
Ｐ23，Ｐ31〜Ｐ33に相当する第１〜第３のポートＰ61〜
Ｐ63を有する。ポートＰ61は、コンデンサ６４を介して
ダイオード６５ａのカソードに接続されている。ダイオ
ード６５ａのアノードは、コンデンサ６６ａを介して第
２のポートＰ62に接続されている。また、ダイオード６
５ａのアノードとコンデンサ６６ａとの間の接続点Ａに
は、分布定数線路６７ａの一端が電気的に接続されてい
る。分布定数線路６７ａは、このスイッチ６１に流れる
高周波信号の波長をλとしたときに、λ／４以下の長さ
を有するストリップラインで構成されている。分布定数
線路６７ａの他端は、コンデンサ６８ａを介して接地電
位に接続されている。また、分布定数線路６７ａと、コ
ンデンサ６８ａとの間の接続点に抵抗６９ａの一端が接
続されており、抵抗６９ａの他端が制御電圧端子Ｖc1に
接続されている。
２，５３を構成するための部品としては、図６に示すダ
イオードを用いた高周波スイッチが知られている。高周
波スイッチ６１は、上記第１〜第３のポートＰ21〜
Ｐ23，Ｐ31〜Ｐ33に相当する第１〜第３のポートＰ61〜
Ｐ63を有する。ポートＰ61は、コンデンサ６４を介して
ダイオード６５ａのカソードに接続されている。ダイオ
ード６５ａのアノードは、コンデンサ６６ａを介して第
２のポートＰ62に接続されている。また、ダイオード６
５ａのアノードとコンデンサ６６ａとの間の接続点Ａに
は、分布定数線路６７ａの一端が電気的に接続されてい
る。分布定数線路６７ａは、このスイッチ６１に流れる
高周波信号の波長をλとしたときに、λ／４以下の長さ
を有するストリップラインで構成されている。分布定数
線路６７ａの他端は、コンデンサ６８ａを介して接地電
位に接続されている。また、分布定数線路６７ａと、コ
ンデンサ６８ａとの間の接続点に抵抗６９ａの一端が接
続されており、抵抗６９ａの他端が制御電圧端子Ｖc1に
接続されている。
【０００８】また、第１のポートＰ61は、コンデンサ６
４を介して、分布定数線路６７ａと同様に構成された分
布定数線路７１に接続されている。分布定数線路７１の
他端は接地電位に接続されている。
４を介して、分布定数線路６７ａと同様に構成された分
布定数線路７１に接続されている。分布定数線路７１の
他端は接地電位に接続されている。
【０００９】さらに、第１のポートＰ61には、コンデン
サ６４を介してダイオード６５ｂのカソードが接続され
ている。ダイオード６５ｂのアノードは、コンデンサ６
６ｂを介して第３のポートＰ63に接続されている。ま
た、ダイオード６５ａ側と同様に、ダイオード６５ｂの
アノードにも、分布定数線路６７ｂ及びコンデンサ６８
ｂからなる直列回路が接地電位との間に接続されてい
る。また、分布定数線路６７ｂと、コンデンサ６８ｂと
の間の接続点に抵抗６９ｂの一端が接続されており、抵
抗６９ｂの他端が制御電圧端子Ｖc2に接続されている。
サ６４を介してダイオード６５ｂのカソードが接続され
ている。ダイオード６５ｂのアノードは、コンデンサ６
６ｂを介して第３のポートＰ63に接続されている。ま
た、ダイオード６５ａ側と同様に、ダイオード６５ｂの
アノードにも、分布定数線路６７ｂ及びコンデンサ６８
ｂからなる直列回路が接地電位との間に接続されてい
る。また、分布定数線路６７ｂと、コンデンサ６８ｂと
の間の接続点に抵抗６９ｂの一端が接続されており、抵
抗６９ｂの他端が制御電圧端子Ｖc2に接続されている。
【００１０】高周波スイッチ６１では、制御電圧端子Ｖ
c1と、第２の制御電圧端子Ｖc2とに、異なる制御電圧を
印加することにより、ポートＰ61を、第２のポートＰ62
に接続した状態あるいは第３のポートＰ63に接続した状
態を実現することができる。例えば、制御電圧端子Ｖc1
に正の制御電圧が印加され、他方、制御電圧端子Ｖc2に
負の制御電圧が印加されると、ダイオード６５ａに対し
ては順方向のバイアス電圧が印加され、ダイオード６５
ｂに対しては逆方向のバイアス電圧が印加されることに
なる。すなわち、コンデンサ６６ａ，６８ａ，６４，６
６ｂ，６８ｂが直流の流れる部分を制限するため、制御
電圧端子Ｖc1から与えられる制御電流は、カットされ、
分布定数線路６７ａ、ダイオード６５ａ及び分布定数線
路７１を含む回路部分に流れ、ダイオード６５ａがオン
状態とされる。他方、ダイオード６５ｂ側においては、
ダイオード６５ｂに逆方向のバイアス電圧が印加される
ことになり、ダイオード６５ｂがオフ状態とされる。
c1と、第２の制御電圧端子Ｖc2とに、異なる制御電圧を
印加することにより、ポートＰ61を、第２のポートＰ62
に接続した状態あるいは第３のポートＰ63に接続した状
態を実現することができる。例えば、制御電圧端子Ｖc1
に正の制御電圧が印加され、他方、制御電圧端子Ｖc2に
負の制御電圧が印加されると、ダイオード６５ａに対し
ては順方向のバイアス電圧が印加され、ダイオード６５
ｂに対しては逆方向のバイアス電圧が印加されることに
なる。すなわち、コンデンサ６６ａ，６８ａ，６４，６
６ｂ，６８ｂが直流の流れる部分を制限するため、制御
電圧端子Ｖc1から与えられる制御電流は、カットされ、
分布定数線路６７ａ、ダイオード６５ａ及び分布定数線
路７１を含む回路部分に流れ、ダイオード６５ａがオン
状態とされる。他方、ダイオード６５ｂ側においては、
ダイオード６５ｂに逆方向のバイアス電圧が印加される
ことになり、ダイオード６５ｂがオフ状態とされる。
【００１１】また、第２のポートＰ62から供給される高
周波信号については、分布定数線路６７ａが上記のよう
に構成されているため、容量６８ａの大きさを大きく設
定しておくことで、高周波的に接続点Ａから見た分布定
数線路６７ａ側の直列回路のインピーダンスが無限大と
なる。そのため、第２のポートＰ62から供給された高周
波信号は、第１のポートＰ61に流れる。
周波信号については、分布定数線路６７ａが上記のよう
に構成されているため、容量６８ａの大きさを大きく設
定しておくことで、高周波的に接続点Ａから見た分布定
数線路６７ａ側の直列回路のインピーダンスが無限大と
なる。そのため、第２のポートＰ62から供給された高周
波信号は、第１のポートＰ61に流れる。
【００１２】他方、第１の制御電圧端子Ｖc1に負の制御
電圧が印加され、第２の制御電圧端子Ｖc2に正の制御電
圧が印加された場合には、上記とは逆にダイオード６５
ａに逆方向のバイアス電圧が印加され、ダイオード６５
ｂに順方向のバイアス電圧が印加されることになる。従
って、ダイオード６５ａがオフ状態とされ、ダイオード
６５ｂがオン状態とされる。従って、第２のポートＰ62
と、第１のポートＰ61との間には信号が流れず、第１の
ポートＰ61と第３のポートＰ63との間に信号が流れるこ
とになる。この場合においても、接続点Ｂからみた分布
定数線路６７ｂ及びコンデンサ６８ｂからなる直列回路
のインピーダンスが無限大となるため、高周波信号は分
布定数線路６７ｂ側には流れない。
電圧が印加され、第２の制御電圧端子Ｖc2に正の制御電
圧が印加された場合には、上記とは逆にダイオード６５
ａに逆方向のバイアス電圧が印加され、ダイオード６５
ｂに順方向のバイアス電圧が印加されることになる。従
って、ダイオード６５ａがオフ状態とされ、ダイオード
６５ｂがオン状態とされる。従って、第２のポートＰ62
と、第１のポートＰ61との間には信号が流れず、第１の
ポートＰ61と第３のポートＰ63との間に信号が流れるこ
とになる。この場合においても、接続点Ｂからみた分布
定数線路６７ｂ及びコンデンサ６８ｂからなる直列回路
のインピーダンスが無限大となるため、高周波信号は分
布定数線路６７ｂ側には流れない。
【００１３】分布定数線路６７ａ，６７ｂは、制御電流
をダイオード６５ａ，６５ｂに流すための電流経路を構
成するとともに、高周波信号に対しては、接続点Ａ，Ｂ
から見た分布定数線路６７ａ，６７ｂ側のインピーダン
スを高め、挿入損失及び反射損失を低減する機能を果た
す。
をダイオード６５ａ，６５ｂに流すための電流経路を構
成するとともに、高周波信号に対しては、接続点Ａ，Ｂ
から見た分布定数線路６７ａ，６７ｂ側のインピーダン
スを高め、挿入損失及び反射損失を低減する機能を果た
す。
【００１４】上記のように、高周波スイッチ６１では、
制御電圧端子Ｖc1，Ｖc2に、正及び負の制御電圧を印加
することにより、第１のポートＰ61を、第２のポートＰ
62または第３のポートＰ63に切り換えた状態を実現する
ことができる。
制御電圧端子Ｖc1，Ｖc2に、正及び負の制御電圧を印加
することにより、第１のポートＰ61を、第２のポートＰ
62または第３のポートＰ63に切り換えた状態を実現する
ことができる。
【００１５】また、図５に示したスイッチ回路５１は、
上記高周波スイッチ６１を、スイッチ５２，５３として
使用することにより構成されている。すなわち、３ポー
ト高周波スイッチを２個使用し、互いの第１のポートを
相互に接続することにより構成されていた。
上記高周波スイッチ６１を、スイッチ５２，５３として
使用することにより構成されている。すなわち、３ポー
ト高周波スイッチを２個使用し、互いの第１のポートを
相互に接続することにより構成されていた。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】スイッチ回路５１は、
上記のように、２個のスイッチ５２，５３を接続するこ
とにより構成されていたため、高周波信号が２つのスイ
ッチを通過することになる。例えば、送信部Ｔｘから与
えられた送信出力は、アンテナＡＮＴに与えられるまで
に、２個のスイッチ５３，５２を通過する。同様に、ア
ンテナＡＮＴから入力された高周波信号は、スイッチ５
２，５３を通過して受信部Ｒｘに与えられる。そのた
め、挿入損失が大きくならざるを得ず、その低減が強く
求められていた。また、挿入損失が大きくならざるを得
ないため、送信に際しては、送信出力を増大させる必要
があり、かつ受信に際しては利得の低下を招くという問
題があった。
上記のように、２個のスイッチ５２，５３を接続するこ
とにより構成されていたため、高周波信号が２つのスイ
ッチを通過することになる。例えば、送信部Ｔｘから与
えられた送信出力は、アンテナＡＮＴに与えられるまで
に、２個のスイッチ５３，５２を通過する。同様に、ア
ンテナＡＮＴから入力された高周波信号は、スイッチ５
２，５３を通過して受信部Ｒｘに与えられる。そのた
め、挿入損失が大きくならざるを得ず、その低減が強く
求められていた。また、挿入損失が大きくならざるを得
ないため、送信に際しては、送信出力を増大させる必要
があり、かつ受信に際しては利得の低下を招くという問
題があった。
【００１７】また、上記スイッチ回路５１では、高周波
スイッチ６１を用いてスイッチ５２，５３が構成されて
いるため、各スイッチ５２，５３において第１，第２の
制御電圧端子に制御電圧を印加しなければならず、従っ
て、各スイッチ５２，５３において２つの制御電圧供給
用電源を必要としていた。その結果、電源用の複雑な配
線パターンを回路基板上に形成しなければならなかっ
た。
スイッチ６１を用いてスイッチ５２，５３が構成されて
いるため、各スイッチ５２，５３において第１，第２の
制御電圧端子に制御電圧を印加しなければならず、従っ
て、各スイッチ５２，５３において２つの制御電圧供給
用電源を必要としていた。その結果、電源用の複雑な配
線パターンを回路基板上に形成しなければならなかっ
た。
【００１８】本発明の目的は、４つのポートを有し、２
つのポートの一方または他方を、残りの２つのポートの
いずれかに接続した状態を実現し得ることを可能とする
スイッチであり、かつ挿入損失が小さく、構成部品点数
を低減し得る高周波スイッチを提供することにある。
つのポートの一方または他方を、残りの２つのポートの
いずれかに接続した状態を実現し得ることを可能とする
スイッチであり、かつ挿入損失が小さく、構成部品点数
を低減し得る高周波スイッチを提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１〜第４の
ポートを有し、第１，第２のポートを、それぞれ、第
３，第４のポートに切り換える高周波スイッチであっ
て、下記の構成を備えることを特徴とする。
ポートを有し、第１，第２のポートを、それぞれ、第
３，第４のポートに切り換える高周波スイッチであっ
て、下記の構成を備えることを特徴とする。
【００２０】すなわち、本発明では、第１のポート及び
第２のポートに対して同じ向きとなるように、第１，第
３のポート間、第１，第４のポート間、第２，第３のポ
ート間及び第２，第４のポート間にそれぞれ接続された
第１〜第４のダイオードと、前記各ダイオードの第３ま
たは第４のポート側端と、基準電位との間に接続されて
おり、かつ互いに直列に接続された第１の分布定数線路
及び第１のコンデンサと、前記第１の分布定数線路と第
１のコンデンサとの間の接続点に一端が接続された抵抗
と、前記抵抗の他端に接続された制御電圧端子と、第
１，第２のポートと、基準電位との間に接続された第２
の分布定数線路とを備えることを特徴とする。
第２のポートに対して同じ向きとなるように、第１，第
３のポート間、第１，第４のポート間、第２，第３のポ
ート間及び第２，第４のポート間にそれぞれ接続された
第１〜第４のダイオードと、前記各ダイオードの第３ま
たは第４のポート側端と、基準電位との間に接続されて
おり、かつ互いに直列に接続された第１の分布定数線路
及び第１のコンデンサと、前記第１の分布定数線路と第
１のコンデンサとの間の接続点に一端が接続された抵抗
と、前記抵抗の他端に接続された制御電圧端子と、第
１，第２のポートと、基準電位との間に接続された第２
の分布定数線路とを備えることを特徴とする。
【００２１】また、本発明の高周波スイッチでは、好ま
しくは、上記第１〜第４のダイオードのうち、少なくと
も１つのダイオードに並列に接続されており、かつ互い
に直列に接続された第３の分布定数線路と第２のコンデ
ンサとがさらに備えられる。
しくは、上記第１〜第４のダイオードのうち、少なくと
も１つのダイオードに並列に接続されており、かつ互い
に直列に接続された第３の分布定数線路と第２のコンデ
ンサとがさらに備えられる。
【００２２】また、本発明の別の好ましい例では、上記
第１〜第４のダイオードのうち、少なくとも１つのダイ
オードの両端と、基準電位との間に接続された第３のコ
ンデンサがさらに備えられる。
第１〜第４のダイオードのうち、少なくとも１つのダイ
オードの両端と、基準電位との間に接続された第３のコ
ンデンサがさらに備えられる。
【００２３】また、本発明のさらに他の好ましい例で
は、上記第１〜第４のダイオードのうち、少なくとも１
つのダイオードに並列に接続された第２の抵抗がさらに
備えられる。
は、上記第１〜第４のダイオードのうち、少なくとも１
つのダイオードに並列に接続された第２の抵抗がさらに
備えられる。
【００２４】
【作用】本発明の高周波スイッチではスイッチを動作さ
せた状態において１つのダイオードをオン状態とさせる
だけでよい。すなわち、第１，第２のポート間に高周波
信号を流す場合には、第１のダイオードのみをオン状態
とすればよく、同様に、第１のポートと第４のポートと
の間に高周波信号を流す場合には、第２のダイオードの
みをオン状態とすればよい。さらに、第２のポートと、
第３のポートとの間に高周波信号を流す必要がある場合
には、第３のダイオードのみをオン状態とすればよく、
第２のポートと第４のポートとの間で高周波信号を流す
場合にも、第４のダイオードのみをオン状態とすればよ
い。すなわち、動作時に、１つのダイオードのみをオン
状態とすればよい。
せた状態において１つのダイオードをオン状態とさせる
だけでよい。すなわち、第１，第２のポート間に高周波
信号を流す場合には、第１のダイオードのみをオン状態
とすればよく、同様に、第１のポートと第４のポートと
の間に高周波信号を流す場合には、第２のダイオードの
みをオン状態とすればよい。さらに、第２のポートと、
第３のポートとの間に高周波信号を流す必要がある場合
には、第３のダイオードのみをオン状態とすればよく、
第２のポートと第４のポートとの間で高周波信号を流す
場合にも、第４のダイオードのみをオン状態とすればよ
い。すなわち、動作時に、１つのダイオードのみをオン
状態とすればよい。
【００２５】しかも、上記第１〜第４のダイオードを有
する単一の高周波スイッチにより、上記切り換えが行わ
れるため、挿入損失を２個のスイッチを使った場合に比
べて半減することができる。
する単一の高周波スイッチにより、上記切り換えが行わ
れるため、挿入損失を２個のスイッチを使った場合に比
べて半減することができる。
【００２６】すなわち、本発明は、上記のように第１〜
第４のポート間において、ループ状に第１〜第４のダイ
オードを接続し、かつ第１のポート及び第２のポートに
対して同じ向きとなるように上記第１〜第４のダイオー
ドを配置してスイッチ回路を構成することにより、第１
のポート、または第２のポートのいずれかを、第３のポ
ートまたは第４のポートに切り換えることを可能とし、
それによってスイッチの数の低減及び動作に際してオン
状態とされるダイオードの数を低減したことに特徴を有
する。第２のコンデンサは直流カットが目的だが、共振
周波数にも少々影響する。
第４のポート間において、ループ状に第１〜第４のダイ
オードを接続し、かつ第１のポート及び第２のポートに
対して同じ向きとなるように上記第１〜第４のダイオー
ドを配置してスイッチ回路を構成することにより、第１
のポート、または第２のポートのいずれかを、第３のポ
ートまたは第４のポートに切り換えることを可能とし、
それによってスイッチの数の低減及び動作に際してオン
状態とされるダイオードの数を低減したことに特徴を有
する。第２のコンデンサは直流カットが目的だが、共振
周波数にも少々影響する。
【００２７】また、第１〜第４のダイオードのうち、少
なくとも１つのダイオードに、互いに直列に接続された
第３の分布定数線路と第２のコンデンサとを並列に接続
した構成では、ダイオードのオフ状態の静電容量と、第
３の分布定数線路のインピーダンス第２のコンデンサと
により並列共振回路が構成される。従って、この並列共
振回路の共振周波数を、スイッチに流れる高周波信号の
周波数と一致させるように構成することにより、ダイオ
ードのオフ状態のインピーダンスを高めることができ、
それによってアイソレーション特性を高めることができ
る。なお、この場合、第２のコンデンサは、上記ダイオ
ードに並列に接続された第３の分布定数線路を含む回路
部分への直流のバイパスを防止するように機能する。
なくとも１つのダイオードに、互いに直列に接続された
第３の分布定数線路と第２のコンデンサとを並列に接続
した構成では、ダイオードのオフ状態の静電容量と、第
３の分布定数線路のインピーダンス第２のコンデンサと
により並列共振回路が構成される。従って、この並列共
振回路の共振周波数を、スイッチに流れる高周波信号の
周波数と一致させるように構成することにより、ダイオ
ードのオフ状態のインピーダンスを高めることができ、
それによってアイソレーション特性を高めることができ
る。なお、この場合、第２のコンデンサは、上記ダイオ
ードに並列に接続された第３の分布定数線路を含む回路
部分への直流のバイパスを防止するように機能する。
【００２８】また、上記第１〜第４のダイオードのう
ち、少なくとも１つのダイオードの両端と、上記基準電
位との間に第３のコンデンサを接続した場合には、該第
３のコンデンサにより特性インピーダンスを調整するこ
とができ、それによって挿入損失や反射損失の低減を図
ることができる。また、上記第１の分布定数線路の長さ
を短縮することができ、高周波スイッチの小型化に寄与
することができる。
ち、少なくとも１つのダイオードの両端と、上記基準電
位との間に第３のコンデンサを接続した場合には、該第
３のコンデンサにより特性インピーダンスを調整するこ
とができ、それによって挿入損失や反射損失の低減を図
ることができる。また、上記第１の分布定数線路の長さ
を短縮することができ、高周波スイッチの小型化に寄与
することができる。
【００２９】さらに、上記第１〜第４のダイオードのう
ち、少なくとも１つのダイオードに並列に第２の抵抗を
接続した構成では、ダイオードのオフ状態にあるときの
静電容量に蓄積された電荷がオン状態となると同時に該
第２の抵抗に放電される。そのため、ダイオードのオフ
状態からオン状態へのスイッチング動作を円滑化するこ
とができる。
ち、少なくとも１つのダイオードに並列に第２の抵抗を
接続した構成では、ダイオードのオフ状態にあるときの
静電容量に蓄積された電荷がオン状態となると同時に該
第２の抵抗に放電される。そのため、ダイオードのオフ
状態からオン状態へのスイッチング動作を円滑化するこ
とができる。
【００３０】
【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ実施例を説明
することにより、本発明を明らかにする。
することにより、本発明を明らかにする。
【００３１】図１は、本発明の一実施例にかかる高周波
スイッチの回路図である。高周波スイッチ１は、第１〜
第４のポートＰ1 〜Ｐ4 を有する。スイッチ１では、第
１のポートＰ1 −第３のポートＰ3 間が接続された状
態、第１のポートＰ 1 −第４のポートＰ4 間が接続され
た状態、第２のポートＰ2 −第３のポートＰ 3 間が接続
された状態、及び第２のポートＰ2 −第４のポートＰ4
間が接続された状態のいずれかをとり得るように構成さ
れている。言い換えれば、第１のポートＰ1 または第２
のポートＰ2 を、残りの２つのポートＰ3 及びＰ4 のい
ずれかに接続した状態を取り得るように構成されてい
る。
スイッチの回路図である。高周波スイッチ１は、第１〜
第４のポートＰ1 〜Ｐ4 を有する。スイッチ１では、第
１のポートＰ1 −第３のポートＰ3 間が接続された状
態、第１のポートＰ 1 −第４のポートＰ4 間が接続され
た状態、第２のポートＰ2 −第３のポートＰ 3 間が接続
された状態、及び第２のポートＰ2 −第４のポートＰ4
間が接続された状態のいずれかをとり得るように構成さ
れている。言い換えれば、第１のポートＰ1 または第２
のポートＰ2 を、残りの２つのポートＰ3 及びＰ4 のい
ずれかに接続した状態を取り得るように構成されてい
る。
【００３２】このような高周波スイッチ１は、例えば、
図５に示した従来のスイッチ回路５１に用いることがで
きる。スイッチ回路５１では、実際の使用に際しては、
アンテナＡＮＴと、送信部Ｔｘまたは受信部Ｒｘとが接
続される。あるいは、外部端子ＥＸＴが、送信部Ｔｘま
たは受信部Ｒｘに接続される。
図５に示した従来のスイッチ回路５１に用いることがで
きる。スイッチ回路５１では、実際の使用に際しては、
アンテナＡＮＴと、送信部Ｔｘまたは受信部Ｒｘとが接
続される。あるいは、外部端子ＥＸＴが、送信部Ｔｘま
たは受信部Ｒｘに接続される。
【００３３】すなわち、使用にあたっては、アンテナＡ
ＮＴ−送信部Ｔｘが接続された状態（送信時）、アンテ
ナＡＮＴ−受信部Ｒｘが接続された状態（受信時）、外
部端子ＥＸＴ−送信部Ｔｘが接続された状態（外部アン
テナを利用して送信する場合や送信部の特性を測定する
場合）、外部端子ＥＸＴ−受信部Ｒｘが接続された状態
（外部アンテナを利用した受信時あるいは受信部の受信
性能を測定する場合など）の何れかが採用される。よっ
て、本実施例のスイッチ１の第１のポートＰ1及び第２
のポートＰ2 を、アンテナＡＮＴまたは外部端子ＥＸＴ
に接続し、第３のポートＰ3 及び第４のポートＰ4 、そ
れぞれ送信部Ｔｘまたは受信部Ｒｘに接続することによ
り、スイッチ回路５１と同様に機能させることができ
る。
ＮＴ−送信部Ｔｘが接続された状態（送信時）、アンテ
ナＡＮＴ−受信部Ｒｘが接続された状態（受信時）、外
部端子ＥＸＴ−送信部Ｔｘが接続された状態（外部アン
テナを利用して送信する場合や送信部の特性を測定する
場合）、外部端子ＥＸＴ−受信部Ｒｘが接続された状態
（外部アンテナを利用した受信時あるいは受信部の受信
性能を測定する場合など）の何れかが採用される。よっ
て、本実施例のスイッチ１の第１のポートＰ1及び第２
のポートＰ2 を、アンテナＡＮＴまたは外部端子ＥＸＴ
に接続し、第３のポートＰ3 及び第４のポートＰ4 、そ
れぞれ送信部Ｔｘまたは受信部Ｒｘに接続することによ
り、スイッチ回路５１と同様に機能させることができ
る。
【００３４】以下、高周波スイッチ１の構成の詳細及び
動作につき説明する。高周波スイッチ１では、第１のポ
ートＰ1 にコンデンサ２を介して第１，第２のダイオー
ド３，４のカソードが接続されている。第２のダイオー
ド３のアノードは、コンデンサ５を介して第３のポート
Ｐ3 に接続されている。また、第１のダイオード３のア
ノードとコンデンサ５との間の接続点Ｃと接地電位との
間に、分布定数線路６及びコンデンサ７が接続されてい
る。この分布定数線路６は、ストリップラインにより構
成されており、高周波スイッチ１に流れる高周波信号の
波長の１／４以下の長さを有する９０°位相シフターま
たはハイインピーダンス線路である。また、分布定数線
路６とコンデンサ７との間の接続点Ｄには、抵抗８の一
端が接続されており、抵抗８の他端が第１の制御電圧端
子Ｖ1 に接続されている。
動作につき説明する。高周波スイッチ１では、第１のポ
ートＰ1 にコンデンサ２を介して第１，第２のダイオー
ド３，４のカソードが接続されている。第２のダイオー
ド３のアノードは、コンデンサ５を介して第３のポート
Ｐ3 に接続されている。また、第１のダイオード３のア
ノードとコンデンサ５との間の接続点Ｃと接地電位との
間に、分布定数線路６及びコンデンサ７が接続されてい
る。この分布定数線路６は、ストリップラインにより構
成されており、高周波スイッチ１に流れる高周波信号の
波長の１／４以下の長さを有する９０°位相シフターま
たはハイインピーダンス線路である。また、分布定数線
路６とコンデンサ７との間の接続点Ｄには、抵抗８の一
端が接続されており、抵抗８の他端が第１の制御電圧端
子Ｖ1 に接続されている。
【００３５】同様に、第１のポートＰ1 ，第４のポート
Ｐ4 間においては、第２のダイオード４のアノードと第
４のポートＰ4 とがコンデンサ９を介して接続されてい
る。さらに、ダイオード４のアノードとコンデンサ９と
の間の接続点Ｅと基準電位との間に分布定数線路６と同
様に構成された分布定数線路１０と、コンデンサ１１と
が接続されている。分布定数線路１０とコンデンサ１１
との間の接続点Ｆには、抵抗１２の一端が接続されてお
り、抵抗１２の他端が第２の制御電圧端子Ｖ2に接続さ
れている。
Ｐ4 間においては、第２のダイオード４のアノードと第
４のポートＰ4 とがコンデンサ９を介して接続されてい
る。さらに、ダイオード４のアノードとコンデンサ９と
の間の接続点Ｅと基準電位との間に分布定数線路６と同
様に構成された分布定数線路１０と、コンデンサ１１と
が接続されている。分布定数線路１０とコンデンサ１１
との間の接続点Ｆには、抵抗１２の一端が接続されてお
り、抵抗１２の他端が第２の制御電圧端子Ｖ2に接続さ
れている。
【００３６】他方、第２のポートＰ2 には、コンデンサ
２２を介して第３，第４のダイオード２３，２４のカソ
ードが接続されている。この第２のポートＰ2 −第３の
ポート3 間の回路構成、並びに第２のポートＰ2 −第４
のポートＰ4 間の回路構成は、上記第１のポートＰ1 −
第３のポートＰ3 間及び第１のポートＰ1 −第４のポー
トＰ4 間と同様に構成されている。従って、相当の部分
については、相当の参照番号を付することにより、詳細
な説明は省略する。
２２を介して第３，第４のダイオード２３，２４のカソ
ードが接続されている。この第２のポートＰ2 −第３の
ポート3 間の回路構成、並びに第２のポートＰ2 −第４
のポートＰ4 間の回路構成は、上記第１のポートＰ1 −
第３のポートＰ3 間及び第１のポートＰ1 −第４のポー
トＰ4 間と同様に構成されている。従って、相当の部分
については、相当の参照番号を付することにより、詳細
な説明は省略する。
【００３７】すなわち、第３のダイオード２３のアノー
ドには、コンデンサ２５及び分布定数線路２６が接続さ
れている。また、ダイオード２３のアノードとコンデン
サ２５との間の接続点Ｇと基準電位との間に、上記分布
定数線路２６及びコンデンサ２７が互いに直列に接続さ
れており、分布定数線路２６とコンデンサ２７との間の
接続点Ｈが第３の制御電圧端子Ｖ3 に抵抗２８を介して
接続されている。
ドには、コンデンサ２５及び分布定数線路２６が接続さ
れている。また、ダイオード２３のアノードとコンデン
サ２５との間の接続点Ｇと基準電位との間に、上記分布
定数線路２６及びコンデンサ２７が互いに直列に接続さ
れており、分布定数線路２６とコンデンサ２７との間の
接続点Ｈが第３の制御電圧端子Ｖ3 に抵抗２８を介して
接続されている。
【００３８】同様に、第４のダイオード２４のアノード
は、コンデンサ２９を介して第４のポートＰ4 に接続さ
れている。また、第４のダイオード２４のアノードとコ
ンデンサ２９との間の接続点Ｉが、分布定数線路３０及
びコンデンサ３１を介して接地電位に接続されており、
他方、分布定数線路３０とコンデンサ３１との間の接続
点Ｊが抵抗３２を介して第４の制御電圧端子Ｖ4 に接続
されている。
は、コンデンサ２９を介して第４のポートＰ4 に接続さ
れている。また、第４のダイオード２４のアノードとコ
ンデンサ２９との間の接続点Ｉが、分布定数線路３０及
びコンデンサ３１を介して接地電位に接続されており、
他方、分布定数線路３０とコンデンサ３１との間の接続
点Ｊが抵抗３２を介して第４の制御電圧端子Ｖ4 に接続
されている。
【００３９】また、第１のポートＰ1 と、第２のポート
Ｐ2 とは、コンデンサ２，２２を間に介して、分布定数
線路３３，３４により接続されている。分布定数線路３
３，３４は、分布定数線路６と同様に構成されており、
かつ両者の間の接続点Ｋが接地電位に接続されている。
Ｐ2 とは、コンデンサ２，２２を間に介して、分布定数
線路３３，３４により接続されている。分布定数線路３
３，３４は、分布定数線路６と同様に構成されており、
かつ両者の間の接続点Ｋが接地電位に接続されている。
【００４０】次に、高周波スイッチ１の動作を説明す
る。まず、第１のポートＰ1 と第３のポートＰ3 との間
に高周波信号を流す場合につき説明する。この場合、下
記の表１に示すように、第１の制御電圧端子Ｖ1 に正の
制御電圧を印加する。他方第２〜第４の制御電圧端子Ｖ
2 〜Ｖ4 には、負の制御電圧を印加する。この結果、制
御電流は、抵抗８、分布定数線路６及びダイオード３を
含む回路部分に流れ、第１のダイオード３に順方向のバ
イアス電圧が印加され、第１のダイオード３がオン状態
とされる。従って、第１のポートＰ1 と第３のポートＰ
3 との間に、高周波信号が流れる。この場合、接続点Ｃ
から分布定数線路６側を見た場合、分布定数線路６とコ
ンデンサ７とで構成される直列回路のインピーダンスが
無限大となるため、接続点Ｃから分布定数線路６側には
流れない。
る。まず、第１のポートＰ1 と第３のポートＰ3 との間
に高周波信号を流す場合につき説明する。この場合、下
記の表１に示すように、第１の制御電圧端子Ｖ1 に正の
制御電圧を印加する。他方第２〜第４の制御電圧端子Ｖ
2 〜Ｖ4 には、負の制御電圧を印加する。この結果、制
御電流は、抵抗８、分布定数線路６及びダイオード３を
含む回路部分に流れ、第１のダイオード３に順方向のバ
イアス電圧が印加され、第１のダイオード３がオン状態
とされる。従って、第１のポートＰ1 と第３のポートＰ
3 との間に、高周波信号が流れる。この場合、接続点Ｃ
から分布定数線路６側を見た場合、分布定数線路６とコ
ンデンサ７とで構成される直列回路のインピーダンスが
無限大となるため、接続点Ｃから分布定数線路６側には
流れない。
【００４１】他方、第２のダイオード４には、第２の制
御電圧端子Ｖ2 に負の制御電圧を印加することにより、
第２のダイオード４には逆方向のバイアス電圧が印加さ
れことになる。従って、第２のダイオード４はオフ状態
とされ、第１のポートＰ1 −第４のポートＰ4 間には、
信号は流れなくなる。同様に、第３のダイオード２３及
び第４のダイオード２４についても、それぞれ、逆方向
のバイアス電圧が印加されることになり、オフ状態とさ
れるため、第２のポートＰ2 −第３のポートＰ 3 間及び
第２のポートＰ2 −第４のポートＰ4 間においても信号
は流れないことになる。
御電圧端子Ｖ2 に負の制御電圧を印加することにより、
第２のダイオード４には逆方向のバイアス電圧が印加さ
れことになる。従って、第２のダイオード４はオフ状態
とされ、第１のポートＰ1 −第４のポートＰ4 間には、
信号は流れなくなる。同様に、第３のダイオード２３及
び第４のダイオード２４についても、それぞれ、逆方向
のバイアス電圧が印加されることになり、オフ状態とさ
れるため、第２のポートＰ2 −第３のポートＰ 3 間及び
第２のポートＰ2 −第４のポートＰ4 間においても信号
は流れないことになる。
【００４２】なお、第１のポートＰ1 と第２のポートＰ
2 との間にも高周波信号は流れない。これは、第１のポ
ートＰ1 に対して、コンデンサ２を介して、接地電位と
の間に上記分布定数線路３３が接続されているからであ
る。
2 との間にも高周波信号は流れない。これは、第１のポ
ートＰ1 に対して、コンデンサ２を介して、接地電位と
の間に上記分布定数線路３３が接続されているからであ
る。
【００４３】上記のように、第１の制御電圧端子Ｖ1 に
正の制御電圧を印加し、残りの第２〜第４の制御電圧端
子Ｖ2 〜Ｖ4 に負の制御電圧を印加することにより、第
１の接続状態すなわち、第１のポートＰ1 と第３のポー
トＰ3 間に信号を流すことが可能となる。
正の制御電圧を印加し、残りの第２〜第４の制御電圧端
子Ｖ2 〜Ｖ4 に負の制御電圧を印加することにより、第
１の接続状態すなわち、第１のポートＰ1 と第３のポー
トＰ3 間に信号を流すことが可能となる。
【００４４】同様に下記の表１に示すように第２の制御
電圧端子Ｖ2 に正の制御電圧を印加し、第２のダイオー
ド４をオン状態とし、他方、第１，第３及び第４の制御
電圧端子Ｖ1 ，Ｖ3 ，Ｖ4 に負の制御電圧を印加して残
りの第１，第３，第４のダイオード３，２３，２４をオ
フ状態とすることにより、第１のポートＰ1 と第４のポ
ートＰ4 との間に高周波信号を流すことができる。
電圧端子Ｖ2 に正の制御電圧を印加し、第２のダイオー
ド４をオン状態とし、他方、第１，第３及び第４の制御
電圧端子Ｖ1 ，Ｖ3 ，Ｖ4 に負の制御電圧を印加して残
りの第１，第３，第４のダイオード３，２３，２４をオ
フ状態とすることにより、第１のポートＰ1 と第４のポ
ートＰ4 との間に高周波信号を流すことができる。
【００４５】さらに、下記の表１に示すように、第３の
制御電圧端子Ｖ3 に正の制御電圧を印加し、残りの制御
電圧端子Ｖ1 ，Ｖ2 ，Ｖ4 に負の制御電圧を印加するこ
とにより、第２のポートＰ2 と第３のポートＰ3 との間
に高周波信号を流すことができる。さらに、第４の制御
電圧端子Ｖ4 に正の制御電圧を印加し、残りの制御電圧
端子Ｖ1 ，Ｖ2 ，Ｖ3 に負の制御電圧を印加することに
より、第２のポートＰ 2 と第４のポートＰ4 との間に高
周波信号を流すことができる。
制御電圧端子Ｖ3 に正の制御電圧を印加し、残りの制御
電圧端子Ｖ1 ，Ｖ2 ，Ｖ4 に負の制御電圧を印加するこ
とにより、第２のポートＰ2 と第３のポートＰ3 との間
に高周波信号を流すことができる。さらに、第４の制御
電圧端子Ｖ4 に正の制御電圧を印加し、残りの制御電圧
端子Ｖ1 ，Ｖ2 ，Ｖ3 に負の制御電圧を印加することに
より、第２のポートＰ 2 と第４のポートＰ4 との間に高
周波信号を流すことができる。
【００４６】
【表１】
【００４７】すなわち、本実施例の高周波スイッチ１で
は、上記のように、４個のダイオード３，４，２３，２
４を用いて、上記各接続状態を実現し得るスイッチ回路
が構成される。単一のスイッチ回路で構成されているた
め、従来のスイッチ５２，５３を用いたスイッチ回路５
１に比べ、挿入損失を半減することが可能となる。
は、上記のように、４個のダイオード３，４，２３，２
４を用いて、上記各接続状態を実現し得るスイッチ回路
が構成される。単一のスイッチ回路で構成されているた
め、従来のスイッチ５２，５３を用いたスイッチ回路５
１に比べ、挿入損失を半減することが可能となる。
【００４８】加えて、高周波スイッチ１では、各接続状
態において、１つのダイオードのみがオン状態とされ、
バイアス回路についても、１個のバイアス回路が動作す
るだけである。よって、ダイオードやバイアス回路の寿
命を長くすることができ、高周波スイッチ１を内蔵した
携帯電話器などの通信機器の使用可能期間を延ばすこと
が可能となる。
態において、１つのダイオードのみがオン状態とされ、
バイアス回路についても、１個のバイアス回路が動作す
るだけである。よって、ダイオードやバイアス回路の寿
命を長くすることができ、高周波スイッチ１を内蔵した
携帯電話器などの通信機器の使用可能期間を延ばすこと
が可能となる。
【００４９】なお、好ましくは、第１〜第４のダイオー
ド３，４，２３，２４の両端に、図示の破線で接続状態
を示すように、接地電位との間にコンデンサ３５〜３８
を接続してもよい。この場合には、コンデンサ３５〜３
８の静電容量を選択することにより、特性インピーダン
スを補正することができ、それによって高周波スイッチ
１の挿入損失や反射損失を効果的に低減することができ
る。加えて、分布定数線路６，１０，２６，３０の長さ
を短くすることかでき、それによって高周波スイッチ１
の小型化を図ることができる。
ド３，４，２３，２４の両端に、図示の破線で接続状態
を示すように、接地電位との間にコンデンサ３５〜３８
を接続してもよい。この場合には、コンデンサ３５〜３
８の静電容量を選択することにより、特性インピーダン
スを補正することができ、それによって高周波スイッチ
１の挿入損失や反射損失を効果的に低減することができ
る。加えて、分布定数線路６，１０，２６，３０の長さ
を短くすることかでき、それによって高周波スイッチ１
の小型化を図ることができる。
【００５０】なお、図１では、破線でコンデンサ３５〜
３８を示したが、いずれか１つのダイオードの両側にお
いてのみダイオードと接地電位との間にコンデンサを接
続してもよい。
３８を示したが、いずれか１つのダイオードの両側にお
いてのみダイオードと接地電位との間にコンデンサを接
続してもよい。
【００５１】また、図１において、第１〜第４のダイオ
ードの全てを、図示の方向とは逆向きに接続してスイッ
チ１を構成してもよい。その場合には、表２のように制
御電圧を印加することにより、上記と同様に各接続状態
を実現し得る。
ードの全てを、図示の方向とは逆向きに接続してスイッ
チ１を構成してもよい。その場合には、表２のように制
御電圧を印加することにより、上記と同様に各接続状態
を実現し得る。
【００５２】
【表２】
【００５３】さらに、第１，第２のダイオード３，４の
み、または第３，第４のダイオード２３，２４のみを図
示の方向とは逆方向に接続してもよく、ダイオードの向
きに応じて制御電圧を印加すれば上記実施例と同様に各
接続状態を実現し得る。
み、または第３，第４のダイオード２３，２４のみを図
示の方向とは逆方向に接続してもよく、ダイオードの向
きに応じて制御電圧を印加すれば上記実施例と同様に各
接続状態を実現し得る。
【００５４】次に、図２〜図４を参照して上記実施例の
高周波スイッチ１の変形例を説明する。図２〜図４に示
す変形例では、上記第１〜第４のダイオード３，４，２
３，２４に後述の各回路素子が接続されるが、図２〜図
４においては、第１のダイオード３を例にとり説明する
ことにする。
高周波スイッチ１の変形例を説明する。図２〜図４に示
す変形例では、上記第１〜第４のダイオード３，４，２
３，２４に後述の各回路素子が接続されるが、図２〜図
４においては、第１のダイオード３を例にとり説明する
ことにする。
【００５５】図２に示すように、好ましくは、第１のダ
イオード３に並列に、本発明の第２の抵抗として、放電
抵抗４１が接続されている。ダイオード３は、オフ状態
にあるとき、直流的には、コンデンサとして機能する。
従って、オフ状態にあるときに蓄積された電荷が、ダイ
オード３がオン状態になると同時に流れることになる
が、図２に示す構成では、放電抵抗４１に蓄積電荷が放
電され、従って、ダイオード３のオフ状態からオン状態
へのスイッチング動作が円滑化される。
イオード３に並列に、本発明の第２の抵抗として、放電
抵抗４１が接続されている。ダイオード３は、オフ状態
にあるとき、直流的には、コンデンサとして機能する。
従って、オフ状態にあるときに蓄積された電荷が、ダイ
オード３がオン状態になると同時に流れることになる
が、図２に示す構成では、放電抵抗４１に蓄積電荷が放
電され、従って、ダイオード３のオフ状態からオン状態
へのスイッチング動作が円滑化される。
【００５６】また、図３に示す変形例では、ダイオード
３に並列に、互いに直列に接続された分布定数線路４２
及びコンデンサ４３が接続される。この構成では、ダイ
オード３のオフ状態における静電容量と、分布定数線路
４２のインダクタンス分とコンデンサ４３の容量とによ
り、並列共振回路が構成されることになる。従って、こ
の並列共振回路の共振周波数が、伝送される高周波信号
の周波数と一致するように、上記分布定数線路４２のイ
ンダクタンス分を調整することにより、ダイオード３の
オフ状態のインピーダンスを高めることができる。その
結果、オフ状態にあるときの第１のポートＰ1 と、第３
のポートＰ3 との間のアイソレーションを高めることが
できる。なお、コンデンサ４３は、分布定数線路４２に
より、直流がバイパスすることを防止するために設けら
れているものである。
３に並列に、互いに直列に接続された分布定数線路４２
及びコンデンサ４３が接続される。この構成では、ダイ
オード３のオフ状態における静電容量と、分布定数線路
４２のインダクタンス分とコンデンサ４３の容量とによ
り、並列共振回路が構成されることになる。従って、こ
の並列共振回路の共振周波数が、伝送される高周波信号
の周波数と一致するように、上記分布定数線路４２のイ
ンダクタンス分を調整することにより、ダイオード３の
オフ状態のインピーダンスを高めることができる。その
結果、オフ状態にあるときの第１のポートＰ1 と、第３
のポートＰ3 との間のアイソレーションを高めることが
できる。なお、コンデンサ４３は、分布定数線路４２に
より、直流がバイパスすることを防止するために設けら
れているものである。
【００５７】また、上記分布定数線路４２は、ストリッ
プライン、マイクロストリップライン、コプレーナライ
ン等により構成され得るが、その長さ及びインピーダン
スは、上記のように、並列共振回路の共振周波数を高周
波信号の周波数と一致させるように選ばれる。
プライン、マイクロストリップライン、コプレーナライ
ン等により構成され得るが、その長さ及びインピーダン
スは、上記のように、並列共振回路の共振周波数を高周
波信号の周波数と一致させるように選ばれる。
【００５８】図４に示す変形例では、第１のダイオード
３に並列に、図３に示した構成と同様に、並列共振回路
を構成するための分布定数線路４２が並列に接続されて
おり、分布定数線路４２と直列にコンデンサ４３が接続
されている。加えて、コンデンサ４４がダイオード３に
並列に、かつ分布定数線路４２とコンデンサ４３とから
なる回路部分に並列に接続されている。図３に示す構成
において、ダイオード３のオフ状態の静電容量が小さい
場合には、図４に示すように、コンデンサ４４を付加す
ることにより、ダイオード３のオフ状態の静電容量とコ
ンデンサ４４の静電容量との合成静電容量と、分布定数
線路４２のインダクタンス分とにより並列共振回路を構
成することができ、それによって上記並列共振回路の共
振周波数を容易に高周波信号の周波数と一致させること
ができる。
３に並列に、図３に示した構成と同様に、並列共振回路
を構成するための分布定数線路４２が並列に接続されて
おり、分布定数線路４２と直列にコンデンサ４３が接続
されている。加えて、コンデンサ４４がダイオード３に
並列に、かつ分布定数線路４２とコンデンサ４３とから
なる回路部分に並列に接続されている。図３に示す構成
において、ダイオード３のオフ状態の静電容量が小さい
場合には、図４に示すように、コンデンサ４４を付加す
ることにより、ダイオード３のオフ状態の静電容量とコ
ンデンサ４４の静電容量との合成静電容量と、分布定数
線路４２のインダクタンス分とにより並列共振回路を構
成することができ、それによって上記並列共振回路の共
振周波数を容易に高周波信号の周波数と一致させること
ができる。
【００５９】
【発明の効果】以上のように、本発明では、上記４個の
ダイオードを用いて構成された第１〜第４のポートを有
する４ポート型の高周波スイッチが提供される。従っ
て、第１，第２のポートを、第３，第４のポートに切り
換えるにあたり、本発明の高周波スイッチを１個使用す
るだけでよいため、例えば携帯電話器において２本のア
ンテナを使用する場合や、１本のアンテナと外部端子と
を、受信部及び送信部に切り換える用途に用いた場合、
高周波スイッチの使用数を従来に比べて１／２にするこ
とができる。よって、挿入損失をほぼ半減することが可
能となる。
ダイオードを用いて構成された第１〜第４のポートを有
する４ポート型の高周波スイッチが提供される。従っ
て、第１，第２のポートを、第３，第４のポートに切り
換えるにあたり、本発明の高周波スイッチを１個使用す
るだけでよいため、例えば携帯電話器において２本のア
ンテナを使用する場合や、１本のアンテナと外部端子と
を、受信部及び送信部に切り換える用途に用いた場合、
高周波スイッチの使用数を従来に比べて１／２にするこ
とができる。よって、挿入損失をほぼ半減することが可
能となる。
【００６０】しかも、動作時には、オン状態とされるダ
イオードが１つだけであるため、ダイオードの寿命を長
くすることができ、引いては、高周波スイッチや高周波
スイッチを内蔵した通信機器の使用可能期間を延ばすこ
とができる。
イオードが１つだけであるため、ダイオードの寿命を長
くすることができ、引いては、高周波スイッチや高周波
スイッチを内蔵した通信機器の使用可能期間を延ばすこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例にかかる高周波スイッチの回
路図。
路図。
【図２】実施例の高周波スイッチの変形例を説明するた
めの回路図。
めの回路図。
【図３】実施例の高周波スイッチの他の変形例を説明す
るための回路図。
るための回路図。
【図４】実施例の高周波スイッチのさらに他の変形例を
説明するための回路図。
説明するための回路図。
【図５】従来の高周波スイッチ回路を説明するための略
図的構成図。
図的構成図。
【図６】従来の３ポート型高周波スイッチの一例を示す
回路図。
回路図。
１…高周波スイッチ ３，４，２３，２４…第１〜第４のダイオード ６，１０，２６，３０…第１の分布定数線路 ７，１１，２７，３１…第１のコンデンサ ８，１２，２８，３２…抵抗 Ｖ1 〜Ｖ4 …制御電圧端子 ３３，３４…第２の分布定数線路 ３５，３６，３７，３８…第３のコンデンサ ４１…第２の抵抗 ４２…第３の分布定数線路 ４３…第２のコンデンサ
Claims (4)
- 【請求項１】 第１〜第４のポートを有し、第１，第２
のポートを、それぞれ、第３，第４のポートに切り換え
る高周波スイッチであって、 第１のポート及び第２のポートに対して同じ向きとなる
ように、第１，第３のポート間、第１，第４のポート
間、第２，第３のポート間及び第２，第４のポート間に
それぞれ接続された第１〜第４のダイオードと、 前記各ダイオードの第３または第４のポート側端と、基
準電位との間に接続されており、かつ互いに直列に接続
された第１の分布定数線路及び第１のコンデンサと、 前記第１の分布定数線路と第１のコンデンサとの間の接
続点に一端が接続された抵抗と、 前記抵抗の他端に接続された制御電圧端子と、 第１，第２のポートと、基準電位との間に接続された第
２の分布定数線路とを備えることを特徴とする、高周波
スイッチ。 - 【請求項２】 前記第１〜第４のダイオードの内、少な
くとも１つのダイオードに並列に接続されており、かつ
互いに直列に接続された第３の分布定数線路と第２のコ
ンデンサとをさらに備えることを特徴とする、請求項１
に記載の高周波スイッチ。 - 【請求項３】 前記第１〜第４のダイオードの内、少な
くとも１つのダイオードの両端と、前記基準電位との間
に接続された第３のコンデンサをさらに備えることを特
徴とする、請求項１または２に記載の高周波スイッチ。 - 【請求項４】 前記第１〜第４のダイオードの内、少な
くとも１つのダイオードに並列に接続された第２の抵抗
をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜３にいず
れかに記載の高周波スイッチ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29316694A JP3163918B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 高周波スイッチ |
| US08/563,590 US5642083A (en) | 1994-11-28 | 1995-11-28 | High-frequency switch |
| EP95118706A EP0715410A3 (en) | 1994-11-28 | 1995-11-28 | High-frequency switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29316694A JP3163918B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 高周波スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08154002A true JPH08154002A (ja) | 1996-06-11 |
| JP3163918B2 JP3163918B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=17791273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29316694A Expired - Fee Related JP3163918B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 高周波スイッチ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5642083A (ja) |
| EP (1) | EP0715410A3 (ja) |
| JP (1) | JP3163918B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| WO1997004533A1 (fr) * | 1995-07-19 | 1997-02-06 | Tdk Corporation | Commutateur d'antenne |
| US6070059A (en) * | 1995-12-05 | 2000-05-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| DE19635175A1 (de) * | 1996-08-29 | 1998-03-05 | Philips Patentverwaltung | Telekommunikationsgerät mit als Ringschaltung ausgeführter Schaltvorrichtung |
| US6256495B1 (en) * | 1997-09-17 | 2001-07-03 | Agere Systems Guardian Corp. | Multiport, multiband semiconductor switching and transmission circuit |
| US6981155B1 (en) * | 1999-07-14 | 2005-12-27 | Symantec Corporation | System and method for computer security |
| WO2001004753A1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-01-18 | Recourse Technologies, Inc. | System and method for tracking the source of a computer attack |
| US7117532B1 (en) * | 1999-07-14 | 2006-10-03 | Symantec Corporation | System and method for generating fictitious content for a computer |
| US7203962B1 (en) * | 1999-08-30 | 2007-04-10 | Symantec Corporation | System and method for using timestamps to detect attacks |
| US7719383B2 (en) * | 2007-04-30 | 2010-05-18 | Zeji Gu | High isolation electronic multiple pole multiple throw switch |
| US7816996B2 (en) * | 2007-12-18 | 2010-10-19 | Zeji Gu | Non-reflective MPNT switch |
| KR101301213B1 (ko) * | 2009-12-16 | 2013-08-28 | 한국전자통신연구원 | 고주파 대역 스위칭용 에스피디티 스위치 |
| CN102468067B (zh) * | 2010-11-12 | 2014-03-12 | 国基电子（上海）有限公司 | 无线通信装置 |
| KR102437679B1 (ko) * | 2015-02-27 | 2022-08-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 튜너 회로 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3374364A (en) * | 1965-09-22 | 1968-03-19 | Amphenol Corp | Diode transfer switch |
| US3474358A (en) * | 1966-01-18 | 1969-10-21 | Sanders Associates Inc | Multiple-path electronic component |
| US3475700A (en) * | 1966-12-30 | 1969-10-28 | Texas Instruments Inc | Monolithic microwave duplexer switch |
| GB1495527A (en) * | 1974-06-14 | 1977-12-21 | Marconi Co Ltd | Switching arrangements |
| US5159296A (en) * | 1991-03-28 | 1992-10-27 | Texas Instruments Incorporated | Four port monolithic gaas pin diode switch |
| DE4343719C2 (de) * | 1992-12-22 | 1997-08-07 | Murata Manufacturing Co | Hochfrequenzschalter |
| JP3291913B2 (ja) * | 1994-05-17 | 2002-06-17 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチ |
| DE4430987C1 (de) * | 1994-08-31 | 1995-11-23 | Siemens Ag | Antennenschalter für drahtlose Antennendiversity-Telekommunikationsgeräte mit zwei Antennen |
-
1994
- 1994-11-28 JP JP29316694A patent/JP3163918B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-28 EP EP95118706A patent/EP0715410A3/en not_active Withdrawn
- 1995-11-28 US US08/563,590 patent/US5642083A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0715410A3 (en) | 1998-02-04 |
| US5642083A (en) | 1997-06-24 |
| JP3163918B2 (ja) | 2001-05-08 |
| EP0715410A2 (en) | 1996-06-05 |
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