JPH08153788A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH08153788A JPH08153788A JP29512994A JP29512994A JPH08153788A JP H08153788 A JPH08153788 A JP H08153788A JP 29512994 A JP29512994 A JP 29512994A JP 29512994 A JP29512994 A JP 29512994A JP H08153788 A JPH08153788 A JP H08153788A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】配線がシリコン含有アルミニウム合金からなる
半導体装置の製造方法において、当該配線のコンタクト
抵抗を低減する。 【構成】シリコン基板１直上の絶縁膜３に、拡散層２と
配線６とを接続するコンタクトホール４を反応性イオン
エッチングにより形成する。その後、コンタクトホール
４直下の拡散層２表面に、ＨＦ、ＮＨ4 Ｆ、およびＨ2
Ｏ2 を含む水溶液を浸透させる。これにより、反応性イ
オンエッチングにより拡散層２の表面に生じたダメージ
層が除去されて、薄い良質の酸化膜５が形成される。そ
の後、絶縁膜３および薄い酸化膜５の上に、シリコン含
有アルミニウム合金からなる配線６を形成する。このよ
うにして得られた半導体装置では、配線６と拡散層２と
の界面にシリコンがエピタキシャル成長し難くなる。
半導体装置の製造方法において、当該配線のコンタクト
抵抗を低減する。 【構成】シリコン基板１直上の絶縁膜３に、拡散層２と
配線６とを接続するコンタクトホール４を反応性イオン
エッチングにより形成する。その後、コンタクトホール
４直下の拡散層２表面に、ＨＦ、ＮＨ4 Ｆ、およびＨ2
Ｏ2 を含む水溶液を浸透させる。これにより、反応性イ
オンエッチングにより拡散層２の表面に生じたダメージ
層が除去されて、薄い良質の酸化膜５が形成される。そ
の後、絶縁膜３および薄い酸化膜５の上に、シリコン含
有アルミニウム合金からなる配線６を形成する。このよ
うにして得られた半導体装置では、配線６と拡散層２と
の界面にシリコンがエピタキシャル成長し難くなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に、配線がシリコン含有アルミニウム合金か
らなる場合に、コンタクトホール直下の基板面における
シリコンのエピタキシャル成長を防止して、当該配線の
コンタクト抵抗を低減できる方法に関するものである。
に関し、特に、配線がシリコン含有アルミニウム合金か
らなる場合に、コンタクトホール直下の基板面における
シリコンのエピタキシャル成長を防止して、当該配線の
コンタクト抵抗を低減できる方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法において
は、シリコン基板上に第一層間膜として形成された絶縁
膜に対して、基板と配線とを接続するコンタクトホール
を反応性イオンエッチングにより形成すると、コンタク
トホール直下の基板表面に損傷が生じやすい。そして、
特に、前記配線がシリコン含有アルミニウム合金からな
る場合には、当該配線形成後に行われる熱処理によっ
て、前記損傷部分に相当する配線と基板との界面にシリ
コンがエピタキシャル成長して、コンタクト抵抗が大き
くなるという問題点がある。
は、シリコン基板上に第一層間膜として形成された絶縁
膜に対して、基板と配線とを接続するコンタクトホール
を反応性イオンエッチングにより形成すると、コンタク
トホール直下の基板表面に損傷が生じやすい。そして、
特に、前記配線がシリコン含有アルミニウム合金からな
る場合には、当該配線形成後に行われる熱処理によっ
て、前記損傷部分に相当する配線と基板との界面にシリ
コンがエピタキシャル成長して、コンタクト抵抗が大き
くなるという問題点がある。
【０００３】このような問題点を解決するために、特開
平５−９０１９３号公報には、コンタクトホールが形成
された直下の基板面に対して、ＨＦによる洗浄処理の後
に、ＳＣ１洗浄処理（Ｈ2 Ｏ2 およびＮＨ4 ＯＨをそれ
ぞれ所定濃度で含む水溶液による洗浄処理）またはＳＣ
２洗浄処理（Ｈ2 Ｏ2 およびＨＣｌをそれぞれ所定濃度
で含む水溶液による洗浄処理）を施して前記基板面に薄
い酸化膜を形成してから、シリコン含有アルミニウム合
金からなる配線を形成する方法が開示されている。これ
によると、コンタクトホール直下の基板面に生じていた
自然酸化膜がＨＦ洗浄で除去され、そこに、ＳＣ１また
はＳＣ２洗浄処理で欠陥の少ない良質の薄い酸化膜が形
成されるために、前述のようなエピタキシャル成長が起
こり難くなるとされている。
平５−９０１９３号公報には、コンタクトホールが形成
された直下の基板面に対して、ＨＦによる洗浄処理の後
に、ＳＣ１洗浄処理（Ｈ2 Ｏ2 およびＮＨ4 ＯＨをそれ
ぞれ所定濃度で含む水溶液による洗浄処理）またはＳＣ
２洗浄処理（Ｈ2 Ｏ2 およびＨＣｌをそれぞれ所定濃度
で含む水溶液による洗浄処理）を施して前記基板面に薄
い酸化膜を形成してから、シリコン含有アルミニウム合
金からなる配線を形成する方法が開示されている。これ
によると、コンタクトホール直下の基板面に生じていた
自然酸化膜がＨＦ洗浄で除去され、そこに、ＳＣ１また
はＳＣ２洗浄処理で欠陥の少ない良質の薄い酸化膜が形
成されるために、前述のようなエピタキシャル成長が起
こり難くなるとされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開平５−９０１９３号公報に記載の方法では、実際に
は、ＳＣ１およびＳＣ２洗浄処理を６０〜９０℃の高温
で行う必要があり、このような高温に薬液を保持すると
蒸発によって各成分の濃度が経時変化するため、薬液の
状態が不安定であるとともに、薬液寿命が短く、頻繁に
薬液を交換しなければならないという問題がある。
開平５−９０１９３号公報に記載の方法では、実際に
は、ＳＣ１およびＳＣ２洗浄処理を６０〜９０℃の高温
で行う必要があり、このような高温に薬液を保持すると
蒸発によって各成分の濃度が経時変化するため、薬液の
状態が不安定であるとともに、薬液寿命が短く、頻繁に
薬液を交換しなければならないという問題がある。
【０００５】本発明は、このような従来技術の問題点を
解決することを課題とするものであり、配線がシリコン
含有アルミニウム合金からなる半導体装置の製造方法に
おいて、前述のような、コンタクトホール直下の基板面
でのシリコンのエピタキシャル成長を防止できる方法で
あって、使用する薬液に経時変化が少なく、長時間同じ
薬液で同じ処理効果が保持される方法を提供することを
目的とする。
解決することを課題とするものであり、配線がシリコン
含有アルミニウム合金からなる半導体装置の製造方法に
おいて、前述のような、コンタクトホール直下の基板面
でのシリコンのエピタキシャル成長を防止できる方法で
あって、使用する薬液に経時変化が少なく、長時間同じ
薬液で同じ処理効果が保持される方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願の請求項１に係る発明は、シリコン基板上に形
成された絶縁膜に、当該絶縁膜上に形成される配線と前
記シリコン基板とを接続するためのコンタクトホール
を、反応性イオンエッチングにより形成するコンタクト
ホール形成工程と、当該コンタクトホール形成後の基板
表面を、フッ化水素、フッ化アンモニウム、および過酸
化水素をそれぞれ所定濃度で含む水溶液で処理すること
により、当該コンタクトホール直下のシリコン基板面に
薄い酸化膜を形成する薬液処理工程と、当該薬液処理工
程の後に、前記絶縁膜および前記薄い酸化膜の上に、シ
リコン含有アルミニウム合金からなる配線を形成する配
線形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製
造方法を提供する。
に、本願の請求項１に係る発明は、シリコン基板上に形
成された絶縁膜に、当該絶縁膜上に形成される配線と前
記シリコン基板とを接続するためのコンタクトホール
を、反応性イオンエッチングにより形成するコンタクト
ホール形成工程と、当該コンタクトホール形成後の基板
表面を、フッ化水素、フッ化アンモニウム、および過酸
化水素をそれぞれ所定濃度で含む水溶液で処理すること
により、当該コンタクトホール直下のシリコン基板面に
薄い酸化膜を形成する薬液処理工程と、当該薬液処理工
程の後に、前記絶縁膜および前記薄い酸化膜の上に、シ
リコン含有アルミニウム合金からなる配線を形成する配
線形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製
造方法を提供する。
【０００７】また、請求項２に示すように、前記水溶液
中のフッ化水素（ＨＦ）、フッ化アンモニウム（ＮＨ4
Ｆ）、および過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）の重量パーセント
で表した各濃度が、それぞれ下記の（１）式〜（３）式
で示す範囲にあると好適である。 ＨＦ：０．１〜０．２重量％ ……（１） ＮＨ4 Ｆ：０．８〜１．６重量％ ……（２） Ｈ2 Ｏ2 ：１．２〜２．４重量％ ……（３） なお、前記薄い酸化膜の膜厚は、コンタクト抵抗をごく
僅かな値に抑えるため十分に薄い必要があり、例えば、
数１０Å程度以下のものとする。
中のフッ化水素（ＨＦ）、フッ化アンモニウム（ＮＨ4
Ｆ）、および過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）の重量パーセント
で表した各濃度が、それぞれ下記の（１）式〜（３）式
で示す範囲にあると好適である。 ＨＦ：０．１〜０．２重量％ ……（１） ＮＨ4 Ｆ：０．８〜１．６重量％ ……（２） Ｈ2 Ｏ2 ：１．２〜２．４重量％ ……（３） なお、前記薄い酸化膜の膜厚は、コンタクト抵抗をごく
僅かな値に抑えるため十分に薄い必要があり、例えば、
数１０Å程度以下のものとする。
【０００８】
【作用】本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、
前記コンタクトホール形成工程において、反応性イオン
エッチングによりコンタクトホール直下の基板表面に損
傷が生じるが、この損傷部分（ダメージ層）に対して、
前記薬液処理工程において、フッ化水素（ＨＦ）、フッ
化アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）、および過酸化水素（Ｈ2
Ｏ2 ）を含む水溶液による処理がなされる。
前記コンタクトホール形成工程において、反応性イオン
エッチングによりコンタクトホール直下の基板表面に損
傷が生じるが、この損傷部分（ダメージ層）に対して、
前記薬液処理工程において、フッ化水素（ＨＦ）、フッ
化アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）、および過酸化水素（Ｈ2
Ｏ2 ）を含む水溶液による処理がなされる。
【０００９】ここで、前記薬液処理工程の直前における
コンタクトホール直下の基板表面は、前記ダメージ層の
上に自然酸化膜が形成された状態になっている。そし
て、前記混合薬液中のＨＦとＮＨ4 Ｆとにより、先ずこ
の自然酸化膜が除去されて前記ダメージ層の表面が剥き
出しになり、次に、このダメージ層の表面が、前記水溶
液中のＨ2 Ｏ2 により酸化されてシリコン酸化膜とな
る。また、このシリコン酸化膜は、前記水溶液中のＨＦ
とＮＨ4 Ｆとによりエッチングされる。
コンタクトホール直下の基板表面は、前記ダメージ層の
上に自然酸化膜が形成された状態になっている。そし
て、前記混合薬液中のＨＦとＮＨ4 Ｆとにより、先ずこ
の自然酸化膜が除去されて前記ダメージ層の表面が剥き
出しになり、次に、このダメージ層の表面が、前記水溶
液中のＨ2 Ｏ2 により酸化されてシリコン酸化膜とな
る。また、このシリコン酸化膜は、前記水溶液中のＨＦ
とＮＨ4 Ｆとによりエッチングされる。
【００１０】このようなダメージ層表面の酸化と、これ
により生じたシリコン酸化膜のエッチングとは同時に深
さ方向に進行するが、ここで、前記水溶液中の各成分を
所定濃度（例えば、請求項２に示すような前記（１）式
〜（３）式に示す範囲）に設定することにより、Ｈ2 Ｏ
2 によるシリコンの酸化速度が、ＨＦとＮＨ4 Ｆとによ
るシリコン酸化膜のエッチング速度を常に上回るため、
エッチングがダメージ層の酸化膜に対してなされてダメ
ージ層がだんだん薄くなっていき、最終的にはダメージ
層がなくなって、ダメージ層直下のシリコン基板が酸化
されるため、ここに欠陥の少ない良質の薄い酸化膜が形
成される。
により生じたシリコン酸化膜のエッチングとは同時に深
さ方向に進行するが、ここで、前記水溶液中の各成分を
所定濃度（例えば、請求項２に示すような前記（１）式
〜（３）式に示す範囲）に設定することにより、Ｈ2 Ｏ
2 によるシリコンの酸化速度が、ＨＦとＮＨ4 Ｆとによ
るシリコン酸化膜のエッチング速度を常に上回るため、
エッチングがダメージ層の酸化膜に対してなされてダメ
ージ層がだんだん薄くなっていき、最終的にはダメージ
層がなくなって、ダメージ層直下のシリコン基板が酸化
されるため、ここに欠陥の少ない良質の薄い酸化膜が形
成される。
【００１１】このようにダメージ層が除去されて薄い酸
化膜が形成されることにより、薬液処理工程の後の配線
形成工程においてシリコン含有アルミニウム合金からな
る配線が形成され、この配線形成後に熱処理が行われて
も、当該配線と基板との界面にシリコンがエピタキシャ
ル成長し難くなる。また、この薬液処理工程による前記
薄い酸化膜の形成は、室温にて実用的に行われるため、
水溶液中の各成分濃度の経時変化がほとんどなく、薬液
の状態が安定に保持される。
化膜が形成されることにより、薬液処理工程の後の配線
形成工程においてシリコン含有アルミニウム合金からな
る配線が形成され、この配線形成後に熱処理が行われて
も、当該配線と基板との界面にシリコンがエピタキシャ
ル成長し難くなる。また、この薬液処理工程による前記
薄い酸化膜の形成は、室温にて実用的に行われるため、
水溶液中の各成分濃度の経時変化がほとんどなく、薬液
の状態が安定に保持される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係る方法の実施例について、
図面に基づいて説明する。図１は、本発明に係る方法の
一実施例を工程順に説明するための、半導体装置の縦断
面図である。先ず、図１（ａ）に示すように、シリコン
基板１の素子領域に通常の方法で拡散層２を形成してか
ら、シリコン基板１上に、ＢＰＳＧ等の絶縁膜３をＣＶ
Ｄ法により形成し、この絶縁膜３の拡散層２の直上に、
通常のフォトリソ工程および反応性イオンエッチングに
よるエッチング工程により、配線とのコンタクトホール
４を形成する。これが本発明のコンタクトホール形成工
程に相当する。
図面に基づいて説明する。図１は、本発明に係る方法の
一実施例を工程順に説明するための、半導体装置の縦断
面図である。先ず、図１（ａ）に示すように、シリコン
基板１の素子領域に通常の方法で拡散層２を形成してか
ら、シリコン基板１上に、ＢＰＳＧ等の絶縁膜３をＣＶ
Ｄ法により形成し、この絶縁膜３の拡散層２の直上に、
通常のフォトリソ工程および反応性イオンエッチングに
よるエッチング工程により、配線とのコンタクトホール
４を形成する。これが本発明のコンタクトホール形成工
程に相当する。
【００１３】次に、５０％フッ酸（フッ化水素の水溶
液）、４０％フッ化アンモニウム水溶液、３０％過酸化
水素水、および水を、体積比で１：１０：２０：２６５
〜１：１０：４０：５３０の比率で混合することによ
り、フッ化水素（ＨＦ）、フッ化アンモニウム（ＮＨ4
Ｆ）、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）が、それぞれ前記（１）
式〜（３）式で示す範囲内の濃度となる水溶液を調製す
る。この水溶液を液槽に入れて室温に保持し、この液槽
内に、前述のようにしてコンタクトホール４が形成され
たウエハを１０〜３０分間浸漬し、コンタクトホール４
直下の拡散槽２の表面に前記水溶液を十分に浸透させ
る。これにより、コンタクトホール４直下の拡散槽２の
表面には、図１（ｂ）に示すように、薄い酸化膜５が形
成される。
液）、４０％フッ化アンモニウム水溶液、３０％過酸化
水素水、および水を、体積比で１：１０：２０：２６５
〜１：１０：４０：５３０の比率で混合することによ
り、フッ化水素（ＨＦ）、フッ化アンモニウム（ＮＨ4
Ｆ）、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）が、それぞれ前記（１）
式〜（３）式で示す範囲内の濃度となる水溶液を調製す
る。この水溶液を液槽に入れて室温に保持し、この液槽
内に、前述のようにしてコンタクトホール４が形成され
たウエハを１０〜３０分間浸漬し、コンタクトホール４
直下の拡散槽２の表面に前記水溶液を十分に浸透させ
る。これにより、コンタクトホール４直下の拡散槽２の
表面には、図１（ｂ）に示すように、薄い酸化膜５が形
成される。
【００１４】これが本発明の薬液処理工程に相当する
が、前記水溶液がコンタクトホール４直下の拡散層２の
表面に及ぼす具体的な作用について、図２に基づいて説
明する。すなわち、反応性イオンエッチングによりコン
タクトホール４が形成されると、図２（ａ）に示すよう
に、コンタクトホール４直下の拡散層２表面には、シリ
コンの結晶格子が部分的に壊れて、その中にエッチング
ガスの構成原子であるフッ素原子や炭素原子が入り込ん
でいるダメージ層５１が生じ、その上に自然酸化膜５２
が形成される。そして、前記水溶液中のＨＦとＮＨ4 Ｆ
とにより、先ず、この自然酸化膜５２が除去されて、図
２（ｂ）に示すように、ダメージ層５１の表面が剥き出
しになる。
が、前記水溶液がコンタクトホール４直下の拡散層２の
表面に及ぼす具体的な作用について、図２に基づいて説
明する。すなわち、反応性イオンエッチングによりコン
タクトホール４が形成されると、図２（ａ）に示すよう
に、コンタクトホール４直下の拡散層２表面には、シリ
コンの結晶格子が部分的に壊れて、その中にエッチング
ガスの構成原子であるフッ素原子や炭素原子が入り込ん
でいるダメージ層５１が生じ、その上に自然酸化膜５２
が形成される。そして、前記水溶液中のＨＦとＮＨ4 Ｆ
とにより、先ず、この自然酸化膜５２が除去されて、図
２（ｂ）に示すように、ダメージ層５１の表面が剥き出
しになる。
【００１５】次に、図２（ｃ）に示すように、このダメ
ージ層５１の表面が、前記水溶液中のＨ2 Ｏ2 により酸
化されてシリコン酸化膜５３となるが、このシリコン酸
化膜は、前記水溶液中のＨＦとＮＨ4 Ｆとによりエッチ
ングされる。このように、ダメージ層５１表面の酸化
と、これにより生じたシリコン酸化膜５３のエッチング
とが同時に深さ方向に進行するが、シリコンの酸化速度
がシリコン酸化膜のエッチング速度を常に上回るため、
ダメージ層５１がだんだん薄くなっていき、前出の図１
（ｂ）に示すように、最終的にはダメージ層５１がなく
なって、その直下に欠陥の少ない良質の薄い酸化膜５が
形成される。
ージ層５１の表面が、前記水溶液中のＨ2 Ｏ2 により酸
化されてシリコン酸化膜５３となるが、このシリコン酸
化膜は、前記水溶液中のＨＦとＮＨ4 Ｆとによりエッチ
ングされる。このように、ダメージ層５１表面の酸化
と、これにより生じたシリコン酸化膜５３のエッチング
とが同時に深さ方向に進行するが、シリコンの酸化速度
がシリコン酸化膜のエッチング速度を常に上回るため、
ダメージ層５１がだんだん薄くなっていき、前出の図１
（ｂ）に示すように、最終的にはダメージ層５１がなく
なって、その直下に欠陥の少ない良質の薄い酸化膜５が
形成される。
【００１６】このようにして薬液処理がなされた後のウ
エハ上に、図１（ｃ）に示すように、シリコン含有アル
ミニウム合金からなる配線６を、通常の薄膜形成工程・
フォトリソ工程・エッチング工程により形成する。これ
が本発明の配線形成工程に相当する。この配線形成工程
により、拡散層２表面のコンタクトホール４直下部分に
は薄い酸化膜５を介して配線６が形成され、ダメージ層
が存在しないため、その後に行われる熱処理によって
も、配線６と拡散層２との界面にシリコンがエピタキシ
ャル成長し難い。これにより、シリコン含有アルミニウ
ム合金からなる配線が拡散層にコンタクトされた半導体
装置において、従来は高かったコンタクト抵抗を低減す
ることができる。
エハ上に、図１（ｃ）に示すように、シリコン含有アル
ミニウム合金からなる配線６を、通常の薄膜形成工程・
フォトリソ工程・エッチング工程により形成する。これ
が本発明の配線形成工程に相当する。この配線形成工程
により、拡散層２表面のコンタクトホール４直下部分に
は薄い酸化膜５を介して配線６が形成され、ダメージ層
が存在しないため、その後に行われる熱処理によって
も、配線６と拡散層２との界面にシリコンがエピタキシ
ャル成長し難い。これにより、シリコン含有アルミニウ
ム合金からなる配線が拡散層にコンタクトされた半導体
装置において、従来は高かったコンタクト抵抗を低減す
ることができる。
【００１７】なお、前記特開平５−９０１９３号公報に
記載の従来の方法で本実施例と同等の薄い酸化膜を得る
ためには、使用する薬液の混合比（体積比）を、ＨＦ洗
浄では５０％フッ酸：水＝１：（１０〜１００）とし、
ＳＣ１洗浄の場合には３０％過酸化水素水：３０％水酸
化アンモニウム（ＮＨ4 ＯＨ）水溶液：水＝（０．２５
〜１）：１：５、ＳＣ２洗浄の場合には３０％過酸化水
素水：３７％塩酸：水＝１：１：６として、ＳＣ１洗浄
処理およびＳＣ２洗浄処理は６０〜９０℃で行う必要が
あるため、蒸発によって各成分の濃度が経時変化する
（例えば、ＳＣ１洗浄用の薬液では、２時間でＮＨ4 Ｏ
Ｈ濃度が１／２程度に低下する。）が、本実施例の場合
には、液濃度が低く且つ室温処理であるため、水溶液中
の各成分濃度は１２時間以上経っても不変である。した
がって、本実施例の方法では、前記従来の方法と比較し
て薬液寿命が長いため、長時間同じ薬液で同じ処理効果
が保持される。そのため、製造コストの点で有利であ
る。
記載の従来の方法で本実施例と同等の薄い酸化膜を得る
ためには、使用する薬液の混合比（体積比）を、ＨＦ洗
浄では５０％フッ酸：水＝１：（１０〜１００）とし、
ＳＣ１洗浄の場合には３０％過酸化水素水：３０％水酸
化アンモニウム（ＮＨ4 ＯＨ）水溶液：水＝（０．２５
〜１）：１：５、ＳＣ２洗浄の場合には３０％過酸化水
素水：３７％塩酸：水＝１：１：６として、ＳＣ１洗浄
処理およびＳＣ２洗浄処理は６０〜９０℃で行う必要が
あるため、蒸発によって各成分の濃度が経時変化する
（例えば、ＳＣ１洗浄用の薬液では、２時間でＮＨ4 Ｏ
Ｈ濃度が１／２程度に低下する。）が、本実施例の場合
には、液濃度が低く且つ室温処理であるため、水溶液中
の各成分濃度は１２時間以上経っても不変である。した
がって、本実施例の方法では、前記従来の方法と比較し
て薬液寿命が長いため、長時間同じ薬液で同じ処理効果
が保持される。そのため、製造コストの点で有利であ
る。
【００１８】また、前記従来の方法では、ＨＦによる洗
浄処理工程とＳＣ１またはＳＣ２による洗浄処理工程の
二工程で薬液処理がなされるため、薬液槽が二つ必要で
あるが、本発明の方法では薬液槽が一つで済むため、従
来の方法と比べて工程が簡略化される。このこともコス
ト低減に寄与する。さらに、本発明の方法では、前記従
来の方法と異なり、薬液中のエッチング作用を有する成
分としてＨＦに加えてＮＨ4 Ｆを用いているため、第一
層間膜として通常使用されるＢＰＳＧ膜のエッチングレ
ートが低くなって、薬液処理の際に不要にコンタクトホ
ール径が広がることを防止できる。
浄処理工程とＳＣ１またはＳＣ２による洗浄処理工程の
二工程で薬液処理がなされるため、薬液槽が二つ必要で
あるが、本発明の方法では薬液槽が一つで済むため、従
来の方法と比べて工程が簡略化される。このこともコス
ト低減に寄与する。さらに、本発明の方法では、前記従
来の方法と異なり、薬液中のエッチング作用を有する成
分としてＨＦに加えてＮＨ4 Ｆを用いているため、第一
層間膜として通常使用されるＢＰＳＧ膜のエッチングレ
ートが低くなって、薬液処理の際に不要にコンタクトホ
ール径が広がることを防止できる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置の製造方法によれば、シリコン含有アルミニウム
合金からなる配線が拡散層にコンタクトされる半導体装
置において、コンタクトホール直下のシリコン基板表面
に薄い酸化膜を形成することで、従来は高かったコンタ
クト抵抗を低減することができるとともに、前記薄い酸
化膜を形成するために使用する薬液を特定することによ
り、同じ薬液で長時間同じ効果が得られるという製造コ
スト上の効果がある。また、薬液処理が一工程で済むこ
とによる製造コストの低減効果もある。
体装置の製造方法によれば、シリコン含有アルミニウム
合金からなる配線が拡散層にコンタクトされる半導体装
置において、コンタクトホール直下のシリコン基板表面
に薄い酸化膜を形成することで、従来は高かったコンタ
クト抵抗を低減することができるとともに、前記薄い酸
化膜を形成するために使用する薬液を特定することによ
り、同じ薬液で長時間同じ効果が得られるという製造コ
スト上の効果がある。また、薬液処理が一工程で済むこ
とによる製造コストの低減効果もある。
【図１】本発明に係る方法の一実施例を工程順に説明す
るための、半導体装置の縦断面図である。
るための、半導体装置の縦断面図である。
【図２】実施例において薬液処理の作用を説明するため
の、半導体装置の縦断面図である。
の、半導体装置の縦断面図である。
１ シリコン基板 ２ 拡散層 ３ 絶縁膜 ４ コンタクトホール ５ 薄い酸化膜 ６ 配線
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板上に形成された絶縁膜に、
当該絶縁膜上に形成される配線と前記シリコン基板とを
接続するためのコンタクトホールを、反応性イオンエッ
チングにより形成するコンタクトホール形成工程と、当
該コンタクトホール形成後の基板表面を、フッ化水素、
フッ化アンモニウム、および過酸化水素をそれぞれ所定
濃度で含む水溶液で処理することにより、当該コンタク
トホール直下のシリコン基板面に薄い酸化膜を形成する
薬液処理工程と、当該薬液処理工程の後に、前記絶縁膜
および前記薄い酸化膜の上に、シリコン含有アルミニウ
ム合金からなる配線を形成する配線形成工程とを備えた
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記水溶液中のフッ化水素（ＨＦ）、フ
ッ化アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）、および過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）の重量パーセントで表した各濃度が、それぞれ
下記の（１）式〜（３）式で示す範囲にあることを特徴
とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 ＨＦ：０．１〜０．２重量％ ……（１） ＮＨ4 Ｆ：０．８〜１．６重量％ ……（２） Ｈ2 Ｏ2 ：１．２〜２．４重量％ ……（３）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29512994A JPH08153788A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29512994A JPH08153788A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153788A true JPH08153788A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=17816667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29512994A Pending JPH08153788A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08153788A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6492271B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN102312239A (zh) * | 2011-08-23 | 2012-01-11 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种对硅片表面的硅浆进行腐蚀的化学腐蚀液及其腐蚀方法 |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP29512994A patent/JPH08153788A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6492271B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN102312239A (zh) * | 2011-08-23 | 2012-01-11 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种对硅片表面的硅浆进行腐蚀的化学腐蚀液及其腐蚀方法 |
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