JPH0815264B2 - Path memory circuit for Viterbi decoder - Google Patents

Path memory circuit for Viterbi decoder

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JPH0815264B2
JPH0815264B2 JP62109661A JP10966187A JPH0815264B2 JP H0815264 B2 JPH0815264 B2 JP H0815264B2 JP 62109661 A JP62109661 A JP 62109661A JP 10966187 A JP10966187 A JP 10966187A JP H0815264 B2 JPH0815264 B2 JP H0815264B2
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path
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latch circuit
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ビタビ復号器のパスメモリ回路を、セレクタとラッチ
回路とにより構成し、時分割的にパスセレクト信号によ
る最尤パスの履歴記憶処理を行い、ゲート数の少ないラ
ッチ回路により集積回路化を容易とし、又外部からの制
御によって任意のブロック構成に切替えるようにしたも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] A path memory circuit of a Viterbi decoder is composed of a selector and a latch circuit, and a history storage process of a maximum likelihood path is performed by a path select signal in a time division manner, and the number of gates is small. The latch circuit facilitates integration into an integrated circuit, and an arbitrary block configuration can be switched by external control.

〔産業上の利用分野〕[Industrial applications]

本発明は、畳込み符号の誤り訂正復号を行うビタビ復
号器に於いて、ラッチ回路を用いて構成したビタビ復号
器用パスメモリ回路に関する。
The present invention relates to a Viterbi decoder path memory circuit configured by using a latch circuit in a Viterbi decoder that performs error correction decoding of a convolutional code.

ビタビ復号器(Viterbi Decoder)は畳込み符号(Con
volutional Code)の最尤復号法に使用されるものであ
り、既知の複数個の符号系列のうち、受信符号系列に最
も符号距離が近いパスを最尤パスとして選択し、選択さ
れたパスに対応して復号データを得るものであり、誤り
訂正能力が高いことから、衛星通信方式等に於ける復号
器として使用されている。
The Viterbi Decoder is a convolutional code (Conter Code).
volutional code) maximum likelihood decoding method, and selects the path with the closest code distance to the received code series as the maximum likelihood path from among a plurality of known code series and supports the selected path. It is used as a decoder in satellite communication systems and the like because it has high error correction capability.

このビタビ復号器に於ける最尤パスの履歴を記憶する
パスメモリ回路は、畳込み符号の拘束長の5〜6倍程度
の段数を必要とするものであり、このパスメモリ回路を
小型且つ経済的に構成することが要望されている。
The path memory circuit for storing the history of the maximum likelihood path in this Viterbi decoder requires the number of stages which is about 5 to 6 times the constraint length of the convolutional code. It is required to be configured in a physical manner.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

ビタビ復号器は、第15図に示すように、分配器61とAC
S回路62とパスメモリ回路63とを主要素として構成され
ている。分配器61は、受信符号からブランチメトリック
を計算してACS回路62に加えるものであり、直交振幅変
調信号の復調信号を、例えば、8値軟判定により判定す
ると、3ビット構成の判定出力となり、合計6ビット構
成で受信符号が分配器61に加えられる。
The Viterbi decoder, as shown in FIG.
The S circuit 62 and the path memory circuit 63 are main components. The distributor 61 calculates a branch metric from the received code and adds the branch metric to the ACS circuit 62. When the demodulated signal of the quadrature amplitude modulation signal is judged by, for example, 8-value soft judgment, the judgment output has a 3-bit structure, The received code having a total of 6 bits is added to the distributor 61.

この分配器61は、例えば、第16図に示すように、イン
バータ64,65と加算器66〜69とから構成されている。直
交振幅変調信号の復調信号の判定出力信号I,Qが入力さ
れると、それぞれ(I+Q),(I+),(+
Q),(+)の0〜14を示す4ビット構成の4種類
のブランチメトリックBM1〜BM4が出力されて、ACS回路6
2に加えられる。
The distributor 61 is composed of, for example, inverters 64 and 65 and adders 66 to 69 as shown in FIG. When the judgment output signals I and Q of the demodulation signal of the quadrature amplitude modulation signal are input, (I + Q), (I +), (+
4 types of branch metrics BM1 to BM4 of 4-bit configuration indicating 0 to 14 of Q) and (+) are output, and the ACS circuit 6
Added to 2.

ACS回路62は、加算器(Adder)と、比較器(Comparat
or)と、セレクタ(Selector)とから構成されており、
それぞれの先頭文字を組み合わせて、ACS回路と称する
ものである。このACS回路62は、畳込み符号の拘束長を
Kとすると、2k-1個のACS回路部から構成されるもので
ある。この拘束長Kを3とした場合、第17図に示すよう
に、23-1=22=4(個)のACS回路部(ACS1〜ACS4)71
〜74により構成されることになる。各ACS回路部71〜74
は、ブランチメトリックBM1〜BM4と、1シンボル前のパ
スメトリックとにより、新しいパスメトリックを算出
し、その時のパスセレクト信号PS1〜PS4を出力する。
The ACS circuit 62 includes an adder (Adder) and a comparator (Comparat
or) and a selector (Selector),
A combination of the respective first letters is called an ACS circuit. The ACS circuit 62 is composed of 2 k-1 ACS circuit units, where K is the constraint length of the convolutional code. When this constraint length K is set to 3, as shown in FIG. 17, 2 3-1 = 22 2 = 4 (pieces) ACS circuit units (ACS1 to ACS4) 71
~ 74. Each ACS circuit section 71-74
Calculates a new path metric from the branch metrics BM1 to BM4 and the path metric one symbol before, and outputs the path select signals PS1 to PS4 at that time.

例えば、ACS回路部71は、ブランチメトリックBM1,BM2
と、ACS回路部71,73からの1シンボル前のパスメトリッ
クとが加えられ、新しいパスメトリックを算出し、その
時のパスセレクト信号PS1を出力する。又ACS回路部73
は、ブランチメトリックBM3,BM4と、ACS回路部72,74か
らの1シンボル前のパスメトリックとが加えられ、新し
いパスメトリックを算出し、その時のパスセレクト信号
PS3を出力する。
For example, the ACS circuit unit 71 uses the branch metrics BM1, BM2
And the path metric one symbol before from the ACS circuit units 71 and 73 are added to calculate a new path metric, and the path select signal PS1 at that time is output. ACS circuit section 73
Is added with the branch metrics BM3, BM4 and the path metric one symbol before from the ACS circuits 72, 74 to calculate a new path metric, and the path select signal at that time is calculated.
Output PS3.

各ACS回路部71〜74は、例えば、第18図に示すよう
に、加算器(A)75,76と、比較器(C)77と、セレク
タ(S)78とにより構成され、ブランチメトリックとパ
スメトリックとがそれぞれ加算器75,76に加えられ、加
算器75,76の加算出力は比較器77により比較されて、比
較結果の信号をパスセレクト信号としてセレクタ78及び
パスメモリ回路63(第15図参照)に加えるもので、セレ
クタ78から加算結果の小さい値の方が新しいパスメトリ
ックとして出力され、次のシンボルのパスメトリックの
算出に用いられる。
Each ACS circuit unit 71 to 74 is composed of adders (A) 75 and 76, a comparator (C) 77, and a selector (S) 78, as shown in FIG. The path metric is added to the adders 75 and 76, respectively, and the addition outputs of the adders 75 and 76 are compared by the comparator 77, and the signal of the comparison result is used as a path select signal in the selector 78 and the path memory circuit 63 (15th). In addition to the above), the smaller value of the addition result is output from the selector 78 as a new path metric and used for calculating the path metric of the next symbol.

パスメモリ回路63は、前述のように、パスセレクト信
号を最尤パスの履歴として記憶するものであり、従来
は、例えば、第19図に示す構成が用いられている。第19
図に於いては、畳込み符号の拘束長Kの5〜6倍の段数
のうちの3段のみを示すものであり、セレクタSELとフ
リップフロップFFとからなるパスメモリセルMS11〜MS43
を有し、初段のパスメモリセルMS11,MS21,MS31,MS41に
対して、それぞれ“0",“1",“0",“1"の固定パターン
が初段設定値として入力され、初段の内部状態が4通り
の“00",“01",“10",“11"の下位1ビットを示すもの
となる。
As described above, the path memory circuit 63 stores the path select signal as the history of the maximum likelihood path. Conventionally, for example, the configuration shown in FIG. 19 is used. 19th
In the figure, only three stages out of five to six times the constraint length K of the convolutional code are shown, and the path memory cells MS11 to MS43 including the selector SEL and the flip-flop FF are shown.
The fixed pattern of “0”, “1”, “0”, “1” is input to the first-stage path memory cells MS11, MS21, MS31, MS41 as the first-stage set value, and The state indicates the lower 1 bit of "00", "01", "10", "11" in four states.

そして、4個のACS回路部71〜74からのパスセレクト
信号PS1〜PS4が、それぞれパスメモリセルのセレクタSE
Lに加えられ、前段の2個のパスメモリセルの出力デー
タが、パスセレクト信号PS1〜PS4により選択されてフリ
ップフロップFFに加えられ、共通のクロック信号CKに従
ってセットされる。即ち、復号サイクル毎に生き残りパ
スとして判定された側のパスメモリセルの内容が、パス
セレクト信号に従ってクロック信号CKのタイミングで転
送される。
The path select signals PS1 to PS4 from the four ACS circuit units 71 to 74 are respectively the selectors SE of the path memory cells.
The output data of the two path memory cells in the preceding stage added to L are selected by the path select signals PS1 to PS4, added to the flip-flop FF, and set according to the common clock signal CK. That is, the contents of the path memory cell on the side determined as the surviving path in each decoding cycle are transferred at the timing of the clock signal CK according to the path select signal.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

ビタビ復号器に於いては、畳込み符号の拘束長Kを大
きくする程、誤り訂正能力が高くなるものであるが、そ
の反面、回路規模が指数函数的に増大する欠点がある。
又ビタビ復号器に於けるパスメモリ回路63は、前述のよ
うに、畳込み符号の拘束長Kの5〜6倍程度の段数を必
要とするものであるから、誤り訂正能力を高める為に畳
込み符号の拘束長Kを大きくすると、それに対応して段
数を多くする必要がある。又パスメモリ回路63を構成す
る各パスメモリセルは、セレクタSELとフリップフロッ
プFFとから構成されているので、ゲート数が比較的多
く、従って、集積回路化することが容易でない欠点があ
った。
In the Viterbi decoder, the larger the constraint length K of the convolutional code, the higher the error correction capability, but on the other hand, there is a drawback that the circuit scale increases exponentially.
In addition, the path memory circuit 63 in the Viterbi decoder requires the number of stages which is about 5 to 6 times the constraint length K of the convolutional code, as described above. When the constraint length K of the embedded code is increased, it is necessary to increase the number of stages correspondingly. Further, since each path memory cell forming the path memory circuit 63 is composed of the selector SEL and the flip-flop FF, there is a drawback that the number of gates is relatively large, and thus it is not easy to be integrated into a circuit.

本発明は、集積回路化を容易にし、且つ所望の復号速
度に対応した構成に切替可能とすることを目的とする。
It is an object of the present invention to facilitate integration into an integrated circuit and switch to a configuration corresponding to a desired decoding speed.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明のビタビ復号器用パスメモリ回路は、第1図を
参照して説明すると、ACS回路からのパスセレクト信号
が加えられて、最尤パスの履歴を記憶するビタビ復号器
用パスメモリ回路に於いて、複数段のラッチ回路3と、
このラッチ回路3の最終段のラッチ回路以外の各ラッチ
回路の前段に、ACS回路からのパスセレクト信号が加え
られるセレクタ2とを設け、このセレクタ2とラッチ回
路3とにより前記パスメモリ回路を構成するパスメモリ
セル1を形成し、且つ最終段のラッチ回路を直前段のラ
ッチ回路に対するスレーブラッチ回路とし、このスレー
ブラッチ回路を含む複数段のラッチ回路を出力側から順
次異なる位相で動作させる為のクロック信号線4−1〜
4−n(第1図はn=3の場合を示す)を設けたもので
ある。
The Viterbi decoder path memory circuit of the present invention will be described with reference to FIG. 1. In the Viterbi decoder path memory circuit, the path select signal from the ACS circuit is added to store the history of the maximum likelihood path. , A plurality of stages of latch circuits 3,
A selector 2 to which a path select signal from the ACS circuit is added is provided in front of each latch circuit other than the last latch circuit of the latch circuit 3, and the selector 2 and the latch circuit 3 constitute the path memory circuit. To form a pass memory cell 1 and to make the final stage latch circuit a slave latch circuit for the last stage latch circuit, and to operate a plurality of stages of latch circuits including this slave latch circuit in a sequentially different phase from the output side. Clock signal lines 4-1 to 4-1
4-n (FIG. 1 shows the case where n = 3).

又ACS回路からのパスセレクト信号が加えられて、最
尤パスの履歴を記憶するビタビ復号器用パスメモリ回路
に於いて、このパスメモリ回路を構成する各パスメモリ
セル1を、セレクタ2とラッチ回路3とにより構成し、
各段対応のラッチ回路3を出力側から順次異なる位相で
動作させる為のクロック信号線4−1〜4−nを設け、
1ブロックを構成する段数を等しい段数に分割できる位
置の前記パスメモリセル1の前記セレクタ2を3−1セ
レクタとして、その直前段のパスメモリセル1と接続
し、この3−1セレクタを前記パスセレクト信号による
選択動作を行わせるか又は前記直前段のパスメモリセル
1の出力データを出力させるかを選択制御し、直前段の
パスメモリセル1の出力データを出力させた時に、その
3−1セレクタを有するパスメモリセルを、前記直前段
のパスメモリセル1に対するスレーブラッチ回路として
動作させる制御線5を設け、且つ最終段にスレーブラッ
チ回路を設けたものである。
In addition, in a path memory circuit for a Viterbi decoder which stores a history of maximum likelihood paths when a path select signal from the ACS circuit is added, each path memory cell 1 constituting this path memory circuit is replaced with a selector 2 and a latch circuit. Composed of 3 and
Clock signal lines 4-1 to 4-n for operating the latch circuits 3 corresponding to the respective stages from the output side in a sequentially different phase are provided.
The selector 2 of the path memory cell 1 at a position where the number of stages forming one block can be divided into an equal number of stages is used as a 3-1 selector and connected to the path memory cell 1 of the immediately preceding stage, and this 3-1 selector is connected to the path. When the selection operation is performed by the select signal or the output data of the immediately preceding pass memory cell 1 is selectively controlled, and the output data of the immediately preceding pass memory cell 1 is output, the 3-1 A control line 5 for operating a path memory cell having a selector as a slave latch circuit for the immediately preceding path memory cell 1 is provided, and a slave latch circuit is provided at the final stage.

〔作用〕[Action]

ラッチ回路3は、パスセレクト信号によって制御され
るセレクタ2の出力データをラッチするものであり、各
段のラッチ回路3を同一クロック信号で動作させると、
データが最終段まで通り抜けることになるが、各段のク
ロック信号線4−1〜4−nを分離して、それぞれ位相
の異なるクロック信号を加えることにより、ACS回路か
らのパスセレクト信号に従って内部状態の遷移を行わせ
ることができ、スレーブラッチ回路により最終段のパス
メモリセルのラッチ回路3の出力データをラッチするこ
とができる。
The latch circuit 3 latches the output data of the selector 2 which is controlled by the path select signal. When the latch circuits 3 of each stage are operated by the same clock signal,
Data will pass through to the final stage, but by separating the clock signal lines 4-1 to 4-n at each stage and adding clock signals with different phases, the internal state according to the path select signal from the ACS circuit. Can be performed, and the output data of the latch circuit 3 of the path memory cell at the final stage can be latched by the slave latch circuit.

又複数段からなるブロック内を等しい段数に分割でき
る位置のパスメモリセル1のセレクタ2を3−1セレク
タとし、この3−1セレクタをパスセレクト信号による
選択動作を行うように制御した場合は、この3−1セレ
クタを有するパスメモリセルは、他のパスメモリセルと
同様に動作し、又3−1セレクタを直前段のパスメモリ
セルの出力データを出力するように選択制御した場合
は、この3−1セレクタを有するパスメモリセルは、直
前段のパスメモリセルのラッチ回路3に対するスレーブ
ラッチ回路として動作する。従って、3−1セレクタを
制御線5を介して選択制御することにより、所望の段数
にそれぞれ分割し、各分割ブロックの最終段にスレーブ
ラッチ回路を形成することができる。又分割ブロック内
の段数が少ない程、1復号サイクルのクロック数が少な
くても良いことになるから、復号動作を高速化できる。
その場合、スレーブラッチ回路に転用されるパスメモリ
セルが多くなるから、パスメモリ回路としての段数が減
少する。即ち、所定の段数のパスメモリ回路の分割ブロ
ック数を多くするように切替制御を行うと、1復号サイ
クルで必要となるクロック数が少なくて済むから、高速
複号化が容易となり、その反面、パスメモリセルとして
利用できる段数が少なくなる。又反対に分割ブロック数
を少なくすると、1復号サイクルで必要となるクロック
数が多くなり、高速復号化が容易でなくなるが、パスメ
モリセルとして利用できる段数が多くなる。従って、所
望の復号速度に対応して又は所望の段数に対応してブロ
ック構成の切替制御が可能である。
Further, when the selector 2 of the path memory cell 1 at a position where a block consisting of a plurality of stages can be divided into an equal number of stages is a 3-1 selector and the 3-1 selector is controlled to perform a selection operation by a path select signal, The path memory cell having the 3-1 selector operates in the same manner as other path memory cells, and when the 3-1 selector is selectively controlled to output the output data of the immediately preceding path memory cell, The path memory cell having the 3-1 selector operates as a slave latch circuit for the latch circuit 3 of the immediately preceding path memory cell. Therefore, by selectively controlling the 3-1 selector via the control line 5, the desired number of stages can be divided, and the slave latch circuit can be formed at the final stage of each divided block. Further, the smaller the number of stages in the divided block, the smaller the number of clocks in one decoding cycle, so the decoding operation can be speeded up.
In that case, since the number of path memory cells that are diverted to the slave latch circuit increases, the number of stages of the path memory circuit decreases. That is, if the switching control is performed so as to increase the number of divided blocks of the path memory circuit having a predetermined number of stages, the number of clocks required in one decoding cycle can be reduced, which facilitates high-speed decoding, but on the other hand, The number of stages that can be used as path memory cells is reduced. On the other hand, if the number of divided blocks is reduced, the number of clocks required for one decoding cycle increases and high-speed decoding becomes difficult, but the number of stages that can be used as path memory cells increases. Therefore, it is possible to control the switching of the block configuration in accordance with a desired decoding speed or a desired number of stages.

〔実施例〕〔Example〕

第2図は本発明の一実施例のブロック図であり、畳込
み符号の拘束長Kを3とし、1ブロックを3段構成とし
た場合を示し、S11〜S43はそれぞれセレクタ2とラッチ
回路3とから構成されたパスメモリセルであり、又L1〜
L4はスレーブラッチ回路である。セレクタ2は、パスセ
レクト信号によって、2端子の入力データを選択出力す
る2−1セレクタであり、選択出力データはラッチ回路
3に加えられる。
FIG. 2 is a block diagram of an embodiment of the present invention, showing a case where the constraint length K of the convolutional code is 3 and one block has a three-stage configuration. S11 to S43 are the selector 2 and the latch circuit 3, respectively. Is a path memory cell composed of
L4 is a slave latch circuit. The selector 2 is a 2-1 selector that selectively outputs input data of two terminals according to a path select signal, and the selected output data is added to the latch circuit 3.

図示を省略したACS回路からのパスセレクト信号PS1〜
PS4が、パスメモリセルS11〜S43のセレクタ2に加えら
れ、又初段のパスメモリセルS11,S21,S31,S41には、第1
9図について説明したように、初段設定値が加えられて
いる。
Path select signals PS1 to ACS from the ACS circuit (not shown)
PS4 is added to the selector 2 of the path memory cells S11 to S43, and the first-stage path memory cells S11, S21, S31, S41 have the first
As explained in Fig. 9, the initial setting value is added.

又スレーブラッチ回路L1〜L4と、パスメモリセルS11
〜S43の各段とに、出力側から順次位相が異なるクロッ
ク信号CK0〜CK3が加えられる。従って、クロック信号CK
0によりスレーブラッチ回路L1〜L4にブロックの出力デ
ータがラッチされる。即ち、複数段のラッチ回路と、最
終段のラッチ回路以外のラッチ回路の前段にパスセレク
ト信号PS1〜PS4が加えられるセレクタ2とを設けて、こ
のセレクタ2とラッチ回路3とによりパスメモリセル1
を形成し、又最終段のラッチ回路を直前段のラッチ回路
に対するスレーブラッチ回路L1〜L4として、出力側から
順次位相が異なるクロック信号CK0〜CK3をクロック信号
線を介してスレーブラッチ回路L1〜L4とラッチ回路3と
に加える構成としたものである。
Also, the slave latch circuits L1 to L4 and the path memory cell S11
Clock signals CK0 to CK3 whose phases are sequentially different from each other are added to the respective stages of S43 to S43. Therefore, the clock signal CK
When 0, the output data of the block is latched in the slave latch circuits L1 to L4. That is, a plurality of stages of latch circuits and a selector 2 to which the path select signals PS1 to PS4 are added are provided in front of the latch circuits other than the final stage latch circuit, and the path memory cell 1 is provided by the selector 2 and the latch circuit 3.
And the final stage latch circuit as the slave latch circuits L1 to L4 for the immediately preceding latch circuit, the clock signals CK0 to CK3 sequentially different in phase from the output side are transmitted to the slave latch circuits L1 to L4 via the clock signal line. And the latch circuit 3 are added.

なお、スレーブラッチ回路L1〜L4の出力データは、パ
スメモリ回路を多段ブロック構成とした場合、次段ブロ
ックの入力データとなる。
The output data of the slave latch circuits L1 to L4 becomes the input data of the next block when the path memory circuit has a multi-stage block configuration.

第3図は本発明の一実施例の動作説明図であり、
(a)はデータクロック信号、(b)はパスセレクト信
号、(c)は内部クロック信号、(d)〜(g)はクロ
ック信号CK0〜CK3の一例を示し、位相はそれぞれ異なる
クロック信号CK0〜CK3は、(c)に示す内部クロック信
号を基に、カウンタ等の公知の手段で容易に形成するこ
とができる。
FIG. 3 is an operation explanatory diagram of one embodiment of the present invention.
(A) is a data clock signal, (b) is a path select signal, (c) is an internal clock signal, (d) to (g) are examples of clock signals CK0 to CK3, and clock signals CK0 to CK having different phases. CK3 can be easily formed by a known means such as a counter based on the internal clock signal shown in (c).

又(d)に示すクロック信号CK0がスレーブラッチ回
路L1〜L4に加えられると、ブロックの最終段のパスメモ
リセルS13,S23,S33,S43のラッチ回路3の出力データ
が、スレーブラッチ回路L1〜L4にラッチされる。又
(e)に示すクロック信号CK1が最終段のパスメモリセ
ルS13,S23,S33,S43のラッチ回路3に加えられると、パ
スセレクト信号PS1〜PS4に従ったセレクタ2の出力デー
タがそのラッチ回路3にラッチされる。
Further, when the clock signal CK0 shown in (d) is applied to the slave latch circuits L1 to L4, the output data of the latch circuit 3 of the path memory cells S13, S23, S33, S43 at the final stage of the block is changed to the slave latch circuits L1 to L4. Latched to L4. When the clock signal CK1 shown in (e) is applied to the latch circuit 3 of the last-stage path memory cells S13, S23, S33, S43, the output data of the selector 2 according to the path select signals PS1 to PS4 is output to the latch circuit. Latched to 3.

又(f)に示すクロック信号CK2がパスメモリセルS1
2,S22,S32,S42のラッチ回路3に加えられると、パスセ
レクト信号PS1〜PS4に従ったセレクタ2の出力データ
が、そのラッチ回路3にラッチされる。又(g)に示す
クロック信号CK3がパスメモリセルS11,S21,S21,S41のラ
ッチ回路3に加えられると、パスセレクト信号PS1〜PS4
に従ったセレクタ2の出力データがそのラッチ回路3に
ラッチされる。
Further, the clock signal CK2 shown in (f) corresponds to the path memory cell S1.
When applied to the latch circuit 3 of 2, S22, S32, S42, the output data of the selector 2 according to the path select signals PS1 to PS4 is latched in the latch circuit 3. Also, when the clock signal CK3 shown in (g) is applied to the latch circuit 3 of the path memory cells S11, S21, S21, S41, the path select signals PS1 to PS4.
The output data of the selector 2 according to the above is latched in the latch circuit 3.

従って、データクロック信号の1周期で、ブロックの
出力データがスレーブラッチ回路L1〜L4にラッチされ、
各段のラッチ回路3から次段のラッチ回路3へ、パスセ
レクト信号PS1〜PS4に従って転送されることになる。
Therefore, the output data of the block is latched by the slave latch circuits L1 to L4 in one cycle of the data clock signal,
The data is transferred from the latch circuit 3 of each stage to the latch circuit 3 of the next stage according to the path select signals PS1 to PS4.

この実施例は、1ブロックを3段構成とし、4相のク
ロック信号CK0〜CK4により動作させる場合を示すもの
で、1復号サイクルに4クロック分を必要とするもので
ある。又1ブロックの段数は更に多くすることも可能で
あり、その場合、段数をnとすると、ブロックの出力デ
ータをラッチするスレーブラッチ回路に加えるクロック
信号を含めて、n+1相のクロック信号を必要とするこ
とになる。この場合、段数nを小さくする程、1復号サ
イクルに要するクロック数を少なくできるから、同一速
度のクロック信号の場合、1復号サイクルを短縮して復
号速度の向上を図ることが容易となる。
This embodiment shows a case where one block has a three-stage structure and is operated by four-phase clock signals CK0 to CK4, and one decoding cycle requires four clocks. It is also possible to increase the number of stages in one block, and in that case, if the number of stages is n, it is necessary to have a clock signal of n + 1 phase including a clock signal applied to a slave latch circuit that latches the output data of the block. Will be done. In this case, the smaller the number of stages n, the smaller the number of clocks required for one decoding cycle. Therefore, in the case of clock signals having the same speed, it is easy to shorten one decoding cycle and improve the decoding speed.

又ラッチ回路3は、例えば、第4図に示す構成を有す
るもので、11はデータの入力端子、12はクロック信号の
入力端子、13はインバータ、14,15はアンド回路、16は
オア回路、Qは出力端子である。
The latch circuit 3 has, for example, the configuration shown in FIG. 4, 11 is a data input terminal, 12 is a clock signal input terminal, 13 is an inverter, 14 and 15 are AND circuits, 16 is an OR circuit, Q is an output terminal.

クロック信号が“0"であると、インバータ13の出力信
号は“1"となり、入力端子11に加えられたデータは、ア
ンド回路14とオア回路16とを介して出力端子Qから出力
され、ラッチ回路はスルー状態となる。
When the clock signal is "0", the output signal of the inverter 13 becomes "1", and the data applied to the input terminal 11 is output from the output terminal Q via the AND circuit 14 and the OR circuit 16 and latched. The circuit goes through.

又クロック信号が“1"であると、出力端子Qのデータ
がアンド回路15を介してオア回路16に帰還されるから、
ラッチ回路はラッチ状態となる。
If the clock signal is "1", the data at the output terminal Q is fed back to the OR circuit 16 via the AND circuit 15,
The latch circuit is in the latched state.

従来例のパスメモリセルを構成するフリップフロッ
プ、例えば、第19図の各パスメモリセルを構成するフリ
ップフロップFFは、第4図に示すようなラッチ回路を2
個用いて構成するものである。このようなラッチ回路を
2個用いて構成したマスタスレーブ・フリップフロップ
の一例を第5図に示す。同図に於いて、21はデータの入
力端子、22はクロック信号の入力端子、23,24は第4図
に示す構成のラッチ回路、25はインバータである。
A flip-flop that constitutes a path memory cell of a conventional example, for example, a flip-flop FF that constitutes each path memory cell of FIG. 19, has a latch circuit as shown in FIG.
It is configured by using individual pieces. FIG. 5 shows an example of a master-slave flip-flop configured by using two such latch circuits. In the figure, 21 is a data input terminal, 22 is a clock signal input terminal, 23 and 24 are latch circuits having the configuration shown in FIG. 4, and 25 is an inverter.

このマスタスレーブ・フリップフロップに於いては、
前段のラッチ回路23がマスタ、後段のラッチ回路24がス
レーブとなって、入力端子21に加えられたデータを、入
力端子22に加えられたクロック信号に従ってラッチする
ものである。従って、従来例のパスメモリセルを構成す
るフリップフロップは、ラッチ回路に比較して約2倍の
ゲート数を要することになる。
In this master-slave flip-flop,
The latch circuit 23 at the front stage serves as a master and the latch circuit 24 at the rear stage serves as a slave, and latches the data applied to the input terminal 21 in accordance with the clock signal applied to the input terminal 22. Therefore, the flip-flop forming the conventional path memory cell requires approximately twice as many gates as the latch circuit.

これに対して、本発明に於いては、パスメモリセル1
を、セレクタ2とラッチ回路3とにより構成したもので
あるから、フリップフロップを用いた従来例に比較し
て、ゲート数が少なくて済み、集積回路化が容易とな
る。
On the other hand, in the present invention, the path memory cell 1
Since it is composed of the selector 2 and the latch circuit 3, the number of gates is smaller than that in the conventional example using the flip-flop, and the integrated circuit is easy.

第6図は本発明の他の実施例のブロック図であり、複
数ブロック構成の場合を示す。同図に於いて、BL1〜BL3
はそれぞれn段のパスメモリセルからなるブロック、LA
1〜LA3はスレーブラッチ回路であって、全体として3n段
のパスメモリ回路が構成されている。又スレーブラッチ
回路LA1〜LA3及び各ブロックBL1〜BL3内のn段のパスメ
モリセルのラッチ回路に対して、出力側から順次位相の
異なるクロック信号CK0〜CKnが加えられる。
FIG. 6 is a block diagram of another embodiment of the present invention, showing a case of a plural block configuration. In the figure, BL1 to BL3
Is a block consisting of n stages of path memory cells, LA
Reference numerals 1 to LA3 are slave latch circuits, and a path memory circuit having 3n stages is configured as a whole. Further, clock signals CK0 to CKn having different phases are sequentially applied from the output side to the slave latch circuits LA1 to LA3 and the latch circuits of the n-stage path memory cells in the blocks BL1 to BL3.

各ブロックBL1〜BL3の出力データは、クロック信号CK
0のタイミングで同時にスレーブラッチ回路LA1〜LA3に
ラッチされる。又各ブロックBL1〜BL3内では、並行して
パスセレクト信号に従ったデータが次段のパスメモリセ
ルのラッチ回路へ転送されてラッチされる。パスセレク
ト信号は、データクロック信号の1周期の間、各ブロッ
クBL1〜BL3に加えられており、各ブロックBL1〜BL3内で
は、クロック信号CK1〜CKnによって出力側に向かって時
分割的にラッチ回路間の転送が行われる。
The output data of each block BL1 to BL3 is the clock signal CK.
At the timing of 0, they are simultaneously latched by the slave latch circuits LA1 to LA3. In addition, in each of the blocks BL1 to BL3, data according to the path select signal is transferred in parallel and latched by the latch circuit of the path memory cell of the next stage. The path select signal is applied to each of the blocks BL1 to BL3 for one cycle of the data clock signal. In each of the blocks BL1 to BL3, the clock signals CK1 to CKn cause time-divisional latch circuits toward the output side. Transfers are made between.

この場合、各ブロックBL1〜BL3内の段数nを少なくす
る程、パスメモリ回路として必要とする全体の段数を得
る為には、ブロック数を多く必要とすることになるが、
前述のように、1復号サイクルに要するクロック数を少
なくできるから、高速化を図ることができる。その反対
に、段数nを多くする程、1復号サイクルに要するクロ
ック数が多くなるが、全体に占めるスレーブラッチ回路
LA1〜LA3の割合が少なくなり、効率良く集積回路化する
ことができる。
In this case, as the number of stages n in each of the blocks BL1 to BL3 is reduced, the number of blocks is increased in order to obtain the total number of stages required for the path memory circuit.
As described above, since the number of clocks required for one decoding cycle can be reduced, the speed can be increased. On the contrary, as the number of stages n increases, the number of clocks required for one decoding cycle increases, but the slave latch circuit occupies the whole.
The ratio of LA1 to LA3 is reduced, and it is possible to efficiently form an integrated circuit.

第7図は本発明の更に他の実施例のブロック図であ
り、1ブロックを7段構成とし、そのブロック内を外部
からの切替制御信号によって更に分割できるようにした
ものである。同図に於いて、M11〜M47はパスメモリセ
ル、2は2−1セレクタ、2aは3−1セレクタ、3はラ
ッチ回路、L1〜L4はスレーブラッチ回路、PS1〜PS4はパ
スセレクト信号、CK0〜CK7はクロック信号、SWは切替制
御信号である。
FIG. 7 is a block diagram of still another embodiment of the present invention, in which one block has a seven-stage configuration, and the inside of the block can be further divided by a switching control signal from the outside. In the figure, M11 to M47 are path memory cells, 2 is a 2-1 selector, 2a is a 3-1 selector, 3 is a latch circuit, L1 to L4 are slave latch circuits, PS1 to PS4 are path select signals, and CK0. ~ CK7 is a clock signal, and SW is a switching control signal.

ブロックの最終段から偶数番目のパスメモリセルM16
〜M46,M14〜M44,M12〜M42は、3−1セレクタ2aを有
し、他の段のパスメモリセルは、2−1セレクタ2を有
し、3−1セレクタ2aは、2−1セレクタ2と同様に、
パスセレクト信号PS1〜PS4によって選択したデータをラ
ッチ回路3に加えるか、又は直前段のパスメモリセルの
出力データをそのままラッチ回路3に加えるかを、切替
制御信号SWによって選択制御される。
Even-numbered path memory cell M16 from the last stage of the block
-M46, M14-M44, M12-M42 has a 3-1 selector 2a, the path memory cells of the other stages have a 2-1 selector 2, and the 3-1 selector 2a has a 2-1 selector Similar to 2,
The switching control signal SW selectively controls whether the data selected by the pass select signals PS1 to PS4 is added to the latch circuit 3 or the output data of the immediately preceding pass memory cell is added to the latch circuit 3 as it is.

又図示を省略したACS回路からのパスセレクト信号PS1
〜PS4が各パスメモリセルM11〜M47のセレクタ2,2aに加
えられ、又それぞれ位相が異なるクロック信号CK1〜CK7
が各段のパスメモリセルのラッチ回路に加えられ、クロ
ック信号CK0がスレーブラッチ回路L1〜L4に加えられ
る。
The path select signal PS1 from the ACS circuit (not shown)
~ PS4 is added to the selectors 2 and 2a of the path memory cells M11 to M47, and clock signals CK1 to CK7 having different phases are used.
Are added to the latch circuits of the path memory cells in the respective stages, and the clock signal CK0 is added to the slave latch circuits L1 to L4.

切替制御信号SWにより3−1セレクタ2aがパスセレク
ト信号PS1〜PS4による選択動作を行うように制御されて
いる場合は、2−1セレクタ2と同様に動作するから、
パスメモリセルM11〜M47により1ブロック7段のパスメ
モリ回路が構成され、このブロックの出力データは、ス
レーブラッチ回路L1〜L4にクロック信号CK0のタイミン
グでラッチされる。
When the 3-1 selector 2a is controlled by the switching control signal SW to perform the selection operation by the path select signals PS1 to PS4, the same operation as the 2-1 selector 2 is performed.
The path memory cells M11 to M47 form a path memory circuit of seven stages in one block, and the output data of this block is latched in the slave latch circuits L1 to L4 at the timing of the clock signal CK0.

又切替制御信号SWにより、例えば、パスメモリセルM1
4〜M44の3−1セレクタ2aがパスセレクト信号PS1〜PS4
による選択動作を行わず、直前段のパスメモリセルの出
力データを自パスメモリセルのラッチ回路3に加えるよ
うに制御されている場合は、このパスメモリセルM14〜M
44は、クロック信号CK4によって動作するスレーブラッ
チ回路となる。従って、この段以前の複数段を1ブロッ
クとし、そのブロックの出力データをラッチする構成と
なる。そして、クロック信号CK0,CK4を同相、クロック
信号CK1,CK5を同相、クロック信号CK2,CK6を同相、クロ
ック信号CK3,CK7を同相とし、それぞれの同相のクロッ
ク信号の組は、他の組のクロック信号と異なる位相とす
る。その場合、出力側から順次異なる位相とする。従っ
て、分割ブロック内では同時にそれぞれ対応する段のラ
ッチ回路3がラッチ動作することになる。
Further, according to the switching control signal SW, for example, the path memory cell M1
4 to M44 3-1 selector 2a uses path select signals PS1 to PS4
If it is controlled so that the output data of the immediately preceding pass memory cell is added to the latch circuit 3 of the own pass memory cell without performing the selection operation by the pass memory cells M14 to M14.
Reference numeral 44 is a slave latch circuit operated by the clock signal CK4. Therefore, a plurality of stages before this stage are set as one block, and the output data of the block is latched. The clock signals CK0 and CK4 are in-phase, the clock signals CK1 and CK5 are in-phase, the clock signals CK2 and CK6 are in-phase, and the clock signals CK3 and CK7 are in-phase. Use a different phase from the signal. In that case, the phases are sequentially changed from the output side. Therefore, in the divided blocks, the latch circuits 3 of the corresponding stages simultaneously perform the latch operation.

又切替制御信号SWにより、パスメモリセルM14〜M44の
3−1セレクタ2aと共に、パスメモリセルM16〜M46,M12
〜M42の3−1セレクタ2aを制御して、それぞれ直前段
のパスメモリセルの出力データを自パスメモリセルのラ
ッチ回路3に加えると共に、パスセレクト信号PS1〜PS4
により制御されない状態とすると、奇数段が前述の一つ
のブロック、偶数段がスレーブラッチ回路となる。従っ
て、4ブロック構成となる。その場合、クロック信号CK
0,CK2,CK4,CK6を同相、クロック信号CK1,CK3,CK5,CK7を
同相とし、且つクロック信号CK0,CK2,CK4,CK6とは異な
る位相とする。
Further, by the switching control signal SW, along with the 3-1 selector 2a of the path memory cells M14 to M44, the path memory cells M16 to M46, M12
To M42 to control the 3-1 selector 2a to add the output data of the immediately preceding pass memory cell to the latch circuit 3 of its own pass memory cell, and at the same time to select the pass select signals PS1 to PS4.
If not controlled by, the odd-numbered stages become the above-mentioned one block and the even-numbered stages become the slave latch circuits. Therefore, it has a 4-block configuration. In that case, clock signal CK
0, CK2, CK4, CK6 have the same phase, clock signals CK1, CK3, CK5, CK7 have the same phase and different phases from the clock signals CK0, CK2, CK4, CK6.

第8図は3−1セレクタを含むパスメモリセルの説明
図であり、Mij(第7図に適用した時、i=1〜4,j=1
〜7)はパスメモリセル、31は切替制御信号SW(SW1,SW
2)の入力端子、32はパスセレクト信号PSiの入力端子、
33,34はインバータ、35,36はアンド回路、41〜43は他の
パスメモリセルの出力データが入力される入力端子、44
〜46はアンド回路、47はオア回路、48はラッチ回路、49
はクロック信号CKnの入力端子、50は出力端子である。
FIG. 8 is an explanatory diagram of a path memory cell including a 3-1 selector. Mij (i = 1 to 4, j = 1 when applied to FIG. 7)
~ 7) is a path memory cell, 31 is a switching control signal SW (SW1, SW)
2) input terminal, 32 is the input terminal of the path select signal PSi,
33 and 34 are inverters, 35 and 36 are AND circuits, 41 to 43 are input terminals to which output data of other path memory cells are input, 44
~ 46 is an AND circuit, 47 is an OR circuit, 48 is a latch circuit, 49
Is an input terminal of the clock signal CKn, and 50 is an output terminal.

インバータ33,34とアンド回路35,36,44〜46とオア回
路47とにより、3−1セレクタが構成されている場合を
示す。なお、アンド回路44〜46とオア回路47とにより3
−1セレクタを構成し、インバータ33,34とアンド回路3
5,36とを他の3−1セレクタに対して共用化することも
できる。又2−1セレクタは、インバータ34とアンド回
路35,36,45とを省略した構成に相当したものとなるが、
総てのパスメモリセルは3−1セレクタを有する構成と
し、2−1セレクタとして動作させるパスメモリセル
は、切替制御信号SWを固定的に“1"に設定することもで
きる。
The case where the inverters 33, 34, AND circuits 35, 36, 44 to 46, and the OR circuit 47 constitute a 3-1 selector is shown. In addition, the AND circuits 44 to 46 and the OR circuit 47
-1 selector, and inverters 33, 34 and AND circuit 3
It is also possible to share 5,36 with other 3-1 selectors. The 2-1 selector is equivalent to the configuration in which the inverter 34 and the AND circuits 35, 36, 45 are omitted.
All the path memory cells are configured to have 3-1 selectors, and the switching control signal SW can be fixedly set to "1" for the path memory cells operated as the 2-1 selectors.

入力端子31に加えられた切替制御信号SWが“0"の場
合、インバータ34の出力信号が“1"、アンド回路35,36
の出力信号が“0"となるから、入力端子42に加えられた
データがアンド回路45とオア回路47とを介してラッチ回
路48に加えられ、クロック信号CKnのタイミングでラッ
チされる。この場合、パスセレクト信号PSiによる選択
制御は行われず、スレーブラッチ回路として動作するこ
とになる。
When the switching control signal SW applied to the input terminal 31 is "0", the output signal of the inverter 34 is "1" and the AND circuits 35 and 36.
Output signal of "0" becomes "0", the data applied to the input terminal 42 is applied to the latch circuit 48 via the AND circuit 45 and the OR circuit 47, and is latched at the timing of the clock signal CKn. In this case, the selection control by the path select signal PSi is not performed and the slave latch circuit operates.

又切替制御信号SWが“1"の場合、インバータ34の出力
信号が“0"となり、又アンド回路35,36の出力信号は、
パスセレクト信号PSiに対応したものとなる。例えば、
パスセレクト信号PSiが“1"であると、アンド回路36の
出力信号が“1"となって、入力端子43に加えられたデー
タがアンド回路46とオア回路47とを介してラッチ回路48
に加えられ、又パスセレクト信号PSiが“0"であると、
アンド回路35の出力信号が“1"となって、入力端子41に
加えられたデータがアンド回路44とオア回路47とを介し
てラッチ回路48に加えられ、クロック信号CKnのタイミ
ングでラッチされ、2−1セレクタを有するパスメモリ
セルと同様にパスセレクト信号PSiによる選択制御が行
われる。
When the switching control signal SW is "1", the output signal of the inverter 34 becomes "0", and the output signals of the AND circuits 35 and 36 are
It corresponds to the path select signal PSi. For example,
When the path select signal PSi is "1", the output signal of the AND circuit 36 becomes "1", and the data applied to the input terminal 43 passes through the AND circuit 46 and the OR circuit 47 and the latch circuit 48.
In addition, when the path select signal PSi is "0",
The output signal of the AND circuit 35 becomes "1", the data applied to the input terminal 41 is applied to the latch circuit 48 via the AND circuit 44 and the OR circuit 47, and is latched at the timing of the clock signal CKn, Similar to the path memory cell having the 2-1 selector, selection control by the path select signal PSi is performed.

このパスメモリセルMijを、例えば、第7図に於ける
パスメモリセルM32とすると、入力端子41をパスメモリ
セルM21の出力端子に、入力端子42を直前段のパスメモ
リセルM31の出力端子に、入力端子43をパスメモリセルM
41の出力端子にそれぞれ接続し、出力端子50をパスメモ
リセルM13,M23に接続することになり、切替制御信号SW
が“1"の時、2−1セレクタとして動作するから、例え
ば、パスセレクト信号PS3が“0"であると、パスメモリ
セルM21の出力データを選択し、クロック信号CK6のタイ
ミングでラッチし、又パスセレクト信号PS3が“1"であ
ると、パスメモリセルM41の出力データを選択し、クロ
ック信号CK6のタイミングでラッチすることになる。
If this path memory cell Mij is, for example, the path memory cell M32 in FIG. 7, the input terminal 41 is the output terminal of the path memory cell M21 and the input terminal 42 is the output terminal of the immediately preceding path memory cell M31. , Input terminal 43 to pass memory cell M
41 output terminals, and output terminal 50 is connected to the path memory cells M13 and M23.
When the path select signal PS3 is "0", the output data of the path memory cell M21 is selected and latched at the timing of the clock signal CK6. When the path select signal PS3 is "1", the output data of the path memory cell M41 is selected and latched at the timing of the clock signal CK6.

前述の3−1セレクタを切替制御信号SWによって制御
して、ブロック内を更に分割できるものであり、1ブロ
ック構成が第9図に示す場合、2ブロック構成は第10
図、又4ブロック構成は第11図に示すものとなる。な
お、第9図〜第11図に於いて、パスメモリセルMi2,Mi4,
Mi6は3−1セレクタを有するパスメモリセル、パスメ
モリセルMi1,Mi3,Mi5,Mi7は2−1セレクタを有するパ
スメモリセルであり、又切替制御信号SWは、1,2,4ブロ
ック構成に切替れる為に、2種類の切替制御信号SW1,SW
2を用いるものである。
The above-mentioned 3-1 selector is controlled by the switching control signal SW so that the inside of the block can be further divided. When one block configuration is shown in FIG.
The figure and the four-block structure are shown in FIG. In addition, in FIG. 9 to FIG. 11, the path memory cells Mi2, Mi4,
Mi6 is a path memory cell having a 3-1 selector, path memory cells Mi1, Mi3, Mi5, Mi7 are path memory cells having a 2-1 selector, and the switching control signal SW has a 1, 2, 4 block configuration. Two types of switching control signals SW1 and SW for switching
2 is used.

第9図は、切替制御信号SW1,SW2が共に“1"(第8図
参照)で、総てのパスメモリセルMi1〜Mi7が2−1セク
レタを有するパスメモリセルとして動作するから、切替
制御信号SW1,SW2の図示を省略している。この場合、各
パスメモリセルMi1〜Mi7は、パスセレクト信号PSiによ
り前段のパスメモリセルの出力データの選択動作を行
い、それぞれ位相の異なるクロック信号CK1〜CK7により
ラッチされる。そして、終段の出力データはスレーブラ
ッチ回路Liに、クロック信号CK0のタイミングでラッチ
され、1ブロック7段構成のパスメモリ回路として動作
する。
In FIG. 9, the switching control signals SW1 and SW2 are both “1” (see FIG. 8), and all the path memory cells Mi1 to Mi7 operate as the path memory cells having the 2-1 secreter. Illustration of the signals SW1 and SW2 is omitted. In this case, the path memory cells Mi1 to Mi7 perform the selection operation of the output data of the preceding path memory cells by the path select signal PSi, and are latched by the clock signals CK1 to CK7 having different phases. Then, the output data of the final stage is latched by the slave latch circuit Li at the timing of the clock signal CK0, and operates as a path memory circuit having one block and seven stages.

第12図は、前述の1ブロック構成の動作説明図であ
り、DCKはデータクロック信号、CLKは内部クロック信
号、PSiはパスセレクト信号、CK0〜CK7は前述の出力側
から順次位相が異なるクロック信号である。
FIG. 12 is a diagram for explaining the operation of the one block configuration described above. DCK is a data clock signal, CLK is an internal clock signal, PSi is a path select signal, and CK0 to CK7 are clock signals whose phases are sequentially different from the output side. Is.

パスセレクト信号PSiはデータクロック信号DCKの1周
期の間出力されており、クロック信号CK0によりブロッ
クの最終段のパスメモリセルMi7の出力データがスレー
ブラッチ回路Liにラッチされる。
The path select signal PSi is output during one cycle of the data clock signal DCK, and the output data of the path memory cell Mi7 at the final stage of the block is latched by the slave latch circuit Li by the clock signal CK0.

又クロック信号CK1のタイミングで、パスメモリセルM
i7のラッチ回路に、パスセレクト信号PSiによって選択
された前段のパスメモリセルの出力データがラッチさ
れ、パスメモリセルMi6のラッチ回路に、次のクロック
信号CK2のタイミングで、パスセレクト信号PSiによって
選択された前段のパスメモリセルの出力データがラッチ
され、以下同様にしてクロック信号CK7のタイミング
で、パスメモリセルMi1のラッチ回路に初段設定値が設
定される。
Also, at the timing of the clock signal CK1, the path memory cell M
The output data of the previous pass memory cell selected by the pass select signal PSi is latched by the i7 latch circuit, and selected by the pass select signal PSi at the timing of the next clock signal CK2 by the latch circuit of the pass memory cell Mi6. The output data of the pass memory cell of the preceding stage is latched, and the first stage set value is set in the latch circuit of the pass memory cell Mi1 at the timing of the clock signal CK7 in the same manner.

又パスメモリセルMi4に加える切替制御信号SW1を“0"
とすると(第8図参照)、このパスメモリセルMi4はパ
スセレクト信号PSiによる選択動作を行うことなく、直
前段のバスメモリセルMi3の出力データをラッチする動
作のみを行うことになり、このパスメモリセルMi4はス
レーブラッチ回路Liと同様な動作を行うことになる。従
って、第10図に示すように、パスメモリセルMi1〜Mi3,M
i5〜Mi7のセレクタが2−1セレクタとして動作し、パ
スセレクト信号PSiによる選択動作を行い、切替制御信
号SW1によりスレーブラッチ回路として動作するパスメ
モリセルMi4を介して、パスメモリセルMi1〜Mi3のブロ
ックと、パスメモリセルMi5〜Mi7のブロックとが接続さ
れた2ブロック構成のパスメモリ回路が構成される。
Further, the switching control signal SW1 applied to the path memory cell Mi4 is set to "0".
Then (see FIG. 8), this path memory cell Mi4 does not perform the selection operation by the path select signal PSi, but only performs the operation of latching the output data of the immediately preceding bus memory cell Mi3. The memory cell Mi4 operates similarly to the slave latch circuit Li. Therefore, as shown in FIG. 10, the path memory cells Mi1 to Mi3, M
The selectors i5 to Mi7 operate as 2-1 selectors, perform selection operation by the path select signal PSi, and pass memory cells Mi1 to Mi3 via the path memory cell Mi4 that operates as a slave latch circuit by the switching control signal SW1. A two-block path memory circuit in which the blocks and the blocks of the path memory cells Mi5 to Mi7 are connected is configured.

第13図は前述の2ブロック構成の場合の動作説明図で
あり、スレーブラッチ回路Liに加えるクロック信号CK0
と、スレーブラッチ回路として動作するパスメモリセル
Mi4に加えるクロック信号CK4とは同一の位相とし、分割
ブロック内の対応段のクロック信号をそれぞれ同一の位
相とする。即ち、クロック信号CK1,CK5を同一の位相と
し、クロック信号CK2,CK6を同一の位相とし、クロック
信号CK3,CK7を同一の位相とする。それによって、分割
ブロック内では並行してパスセレクト信号PSiに従った
内部状態の遷移が行われる。
FIG. 13 is an explanatory diagram of the operation in the case of the above-mentioned two-block configuration, and the clock signal CK0 applied to the slave latch circuit Li
And a path memory cell that operates as a slave latch circuit
The clock signal CK4 added to Mi4 has the same phase, and the clock signals of the corresponding stages in the divided blocks have the same phase. That is, the clock signals CK1 and CK5 have the same phase, the clock signals CK2 and CK6 have the same phase, and the clock signals CK3 and CK7 have the same phase. Thereby, in the divided blocks, the transition of the internal state according to the path select signal PSi is performed in parallel.

前述の1ブロック7段構成の場合、1復号サイクルに
8クロック分必要とすることになるが、2ブロック構成
とすると、1ブロック3段構成となるから、1復号サイ
クルは4クロック分となり、クロック数が少ないことに
より、1復号サイクルを短縮して復号速度を向上させる
ことが容易となる。その場合、パスメモリ回路としての
段数が7段から6段に減少することになる。
In the case of the one block and seven stages configuration, one decoding cycle requires eight clocks. However, when the two block configuration is adopted, one block has three stages configuration, so one decoding cycle is four clocks. The small number facilitates shortening one decoding cycle and improving the decoding speed. In that case, the number of stages of the path memory circuit is reduced from 7 to 6.

又パスメモリセルMi4に加える切替制御信号SW1とパス
メモリセルMi2,Mi6に加える切替制御信号SW2とを“0"と
すると(第8図参照)、それぞれの3−1セレクタは、
パスセレクト信号PSiによる選択動作を行うことなく、
直前段のパスメモリセルの出力データを自パスメモリセ
ルのラッチ回路へ加えて、スレーブラッチ回路Liと同様
の動作を行うことになる。即ち、第11図に示すように、
切替制御信号SW1,SW2が加えられるパスメモリセルMi2,M
i4,Mi6がスレーブラッチ回路となり、パスセレクト信号
PSiによる選択動作は、パスメモリセルMi1,Mi3,Mi5,Mi7
に於いて行われ、4ブロック構成のパスメモリ回路とし
て動作することになる。
Further, when the switching control signal SW1 applied to the path memory cell Mi4 and the switching control signal SW2 applied to the path memory cells Mi2, Mi6 are set to “0” (see FIG. 8), each 3-1 selector is
Without performing the selection operation by the path select signal PSi,
The output data of the immediately preceding pass memory cell is added to the latch circuit of the own pass memory cell, and the same operation as that of the slave latch circuit Li is performed. That is, as shown in FIG.
Path memory cells Mi2, M to which switching control signals SW1, SW2 are applied
i4, Mi6 become the slave latch circuit and pass select signal
The selection operation by PSi is performed by the pass memory cells Mi1, Mi3, Mi5, Mi7.
In this case, it operates as a 4-block path memory circuit.

第14図は4ブロック構成の場合の動作説明図であり、
偶数番のクロック信号CK0,CK2,CK4,CK6は同一位相であ
り、又奇数番のクロック信号CK1,CK3,CK5,CK7は同一位
相であるが、この奇数番のクロック信号の位相は、偶数
番のクロック信号の位相を反転した位相関係とする。従
って、奇数番目のパスメモリセルMi1,Mi3,Mi5,Mi7の出
力データは、偶数番のクロック信号CK0,CK2,CK4,CK6の
タイミングで、スレーブラッチ回路Li及びスレーブラッ
チ回路として動作する偶数番目のパスメモリセルMi2,Mi
4,Mi6にラッチされる。
FIG. 14 is an operation explanatory diagram in the case of a four-block configuration,
Even-numbered clock signals CK0, CK2, CK4, CK6 have the same phase, and odd-numbered clock signals CK1, CK3, CK5, CK7 have the same phase. The phase relationship of the clock signal is inverted. Therefore, the output data of the odd-numbered path memory cells Mi1, Mi3, Mi5, Mi7 are the even-numbered clock signals CK0, CK2, CK4, CK6 at the timings of the even-numbered slave latch circuits Li and Sl, respectively. Path memory cell Mi2, Mi
Latched by 4, Mi6.

このように4ブロック構成の場合は、1復号サイクル
は2クロック分となり、2ブロック構成の場合より更に
クロック数が少ないから、1復号サイクルを短縮するこ
とが容易となり、高速化が可能となる。しかし、パスメ
モリ回路としての段数は7段から4段に減少し、又2ブ
ロック構成の場合の6段構成に比較して2段分少なくな
る。
As described above, in the case of the 4-block structure, one decoding cycle corresponds to 2 clocks, and the number of clocks is smaller than that in the case of the 2-block structure, so that one decoding cycle can be shortened easily and the speed can be increased. However, the number of stages as the path memory circuit is reduced from 7 stages to 4 stages, and is reduced by 2 stages as compared with the 6-stage configuration in the case of the 2-block configuration.

前述の実施例は、1ブロック7段構成を、偶数番目の
パスメモリセルのセレクタを3−1セレクタ2aとして、
2ブロック構成又は4ブロック構成に切替える場合を示
すものであるが、3−1セレクタ2aを設けるパスメモリ
セルは、基本ブロック内を等しい段数で分割できる位置
であると効率が良いもので、例えば、1ブロック11段構
成を基本ブロックとした場合、3ブロック構成に切替え
るには、初段から4番目と8番目とのパスメモリセルの
セレクタを3−1セレクタ2aとすれば良いことになる。
又全部のパスメモリセルのセレクタを3−1セレクタ2a
とすることも可能であるが、所要ゲート数が多くなる。
In the above-described embodiment, the one-block seven-stage configuration has the even-numbered path memory cell selector as the 3-1 selector 2a.
Although the case of switching to a 2-block configuration or a 4-block configuration is shown, the path memory cell provided with the 3-1 selector 2a is efficient if it can be divided into an equal number of stages in the basic block. When the 1 block 11-stage configuration is used as a basic block, in order to switch to the 3-block configuration, the selectors of the 4th and 8th path memory cells from the first stage may be the 3-1 selector 2a.
In addition, the selectors of all path memory cells are 3-1 selectors 2a
However, the number of required gates increases.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明は、パスメモリセル1
を、セレクタ2とラッチ回路3とにより構成し、最終段
にスレーブラッチ回路を設け、各段対応のラッチ回路と
スレーブラッチ回路とに出力側から順次異なる位相のク
ロック信号を加えるもので、パスメモリセル1は、従来
例の2個のラッチ回路を含むフリップフロップを用いて
構成した場合に比較してゲート数が少なくて済むことか
ら、集積回路化が容易となり、又出力側から順次異なる
位相のクロック信号を用いることにより、ラッチ回路3
を用いて構成しても、データが最終段まで通り抜けるこ
とがなくなり、ビタビ復号器に於ける最尤パスの履歴を
記憶させることができる。
As described above, the present invention provides the pass memory cell 1
Is composed of a selector 2 and a latch circuit 3, a slave latch circuit is provided at the final stage, and clock signals of different phases are sequentially added from the output side to the latch circuit corresponding to each stage and the slave latch circuit. The cell 1 has a smaller number of gates as compared to the case where the cell 1 is configured by using a flip-flop including two latch circuits in the conventional example, which facilitates integration into an integrated circuit, and has a phase sequentially different from the output side. By using the clock signal, the latch circuit 3
Even if it is configured by using, the data will not pass through to the final stage, and the history of the maximum likelihood path in the Viterbi decoder can be stored.

更に、3−1セレクタを含むパスメモリセルを等しい
段数に分割できる位置に配置し、この3−1セレクタを
有するパスメモリセルを、通常のパスメモリセルとして
動作させるか、又はスレーブラッチ回路として動作させ
るかを、制御線5を介して切替制御信号によって制御す
る構成としたことにより、パスメモリ回路として集積回
路化した後に於いても、所望の段数毎にブロック分割を
行うことができる。
Further, the path memory cell including the 3-1 selector is arranged at a position where it can be divided into an equal number of stages, and the path memory cell having the 3-1 selector is operated as a normal path memory cell or as a slave latch circuit. By controlling the switching control signal via the control line 5, it is possible to perform block division for each desired number of stages even after integrated into a path memory circuit.

その場合、ブロックの分割数を多くして、1ブロック
内の段数を少なくすると、1復号サイクルに要するクロ
ック数か少なくて済むから、高速クロック信号を用いな
くても1復号サイクルの短縮が容易となる。即ち、復号
速度を向上することが容易となる。反対に、ブロックの
分割数を少なくし、1ブロック内の段数を多くすると、
1復号サイクルに要するクロック数が多くなり、高速ク
ロック信号を用いないと、1復号サイクルを短縮できな
いが、スレーブラッチ回路として動作するパスメモリ回
路が少なくて済むから、パスメモリ回路としての所望の
段数を容易に得ることができる。即ち、復号速度や復号
段数等に対応して、制御線5により、3−1セレクタを
制御して、所望の段数毎にブロック分割を行うことがで
きるから、同一構成のパスメモリ回路を多量生産して、
使用目的に対応した構成に切替えて使用できるから、コ
ストダウンを図ることができる利点がある。
In that case, if the number of blocks is increased and the number of stages in one block is reduced, the number of clocks required for one decoding cycle can be reduced. Therefore, it is easy to shorten one decoding cycle without using a high-speed clock signal. Become. That is, it becomes easy to improve the decoding speed. On the contrary, if the number of blocks is reduced and the number of steps in one block is increased,
The number of clocks required for one decoding cycle increases, and one decoding cycle cannot be shortened unless a high-speed clock signal is used. However, since the number of path memory circuits operating as slave latch circuits is small, the desired number of stages for the path memory circuit is required. Can be easily obtained. In other words, the 3-1 selector can be controlled by the control line 5 in accordance with the decoding speed, the number of decoding stages, etc., and block division can be performed for each desired number of stages. do it,
Since it can be used by switching to a configuration corresponding to the purpose of use, there is an advantage that cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の原理説明図、第2図は本発明の一実施
例のブロック図、第3図は本発明の一実施例の動作説明
図、第4図はラッチ回路、第5図はマスタスレーブ・フ
リップフロップのブロック図、第6図は本発明の他の実
施例のブロック図、第7図は本発明の更に他の実施例の
ブロック図、第8図は3−1セレクタを含むパスメモリ
セルの説明図、第9図は1ブロック構成の説明図、第10
図は2ブロック構成の説明図、第11図は4ブロック構成
の説明図、第12図は1ブロック構成の動作説明図、第13
図は2ブロック構成の動作説明図、第14図は4ブロック
構成の動作説明図、第15図はビタビ復号器のブロック
図、第16図は分配器のブロック図、第17図はACS回路の
ブロック図、第18図はACS回路部のブロック図、第19図
は従来例のパスメモリ回路の要部ブロック図である。 1はパスメモリ回路、2はセレクタ、3はラッチ回路、
4−1〜4−3はクロック信号線、5は制御線、PS1〜P
S4はパスセレクト信号、CK0〜CK3はクロック信号、S11
〜S43はパスメモリセル、L1〜L4はスレーブラッチ回
路、2aは3−1セレクタである。」
1 is an explanatory view of the principle of the present invention, FIG. 2 is a block diagram of one embodiment of the present invention, FIG. 3 is an operation explanatory view of one embodiment of the present invention, FIG. 4 is a latch circuit, and FIG. Is a block diagram of a master-slave flip-flop, FIG. 6 is a block diagram of another embodiment of the present invention, FIG. 7 is a block diagram of yet another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a 3-1 selector. Explanatory drawing of the path memory cell including, FIG. 9 is explanatory drawing of 1 block structure, 10th
FIG. 11 is an explanatory diagram of a 2-block configuration, FIG. 11 is an explanatory diagram of a 4-block configuration, FIG. 12 is an operation explanatory diagram of a 1-block configuration, and 13th.
FIG. 14 is an operation explanatory diagram of a 2-block configuration, FIG. 14 is an operation explanatory diagram of a 4-block configuration, FIG. 15 is a block diagram of a Viterbi decoder, FIG. 16 is a block diagram of a distributor, and FIG. 17 is an ACS circuit. A block diagram, FIG. 18 is a block diagram of an ACS circuit unit, and FIG. 19 is a block diagram of a main part of a conventional path memory circuit. 1 is a path memory circuit, 2 is a selector, 3 is a latch circuit,
4-1 to 4-3 are clock signal lines, 5 are control lines, and PS1 to P
S4 is a path select signal, CK0 to CK3 are clock signals, S11
-S43 are path memory cells, L1-L4 are slave latch circuits, and 2a is a 3-1 selector. "

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−114936(JP,A) 志賀 正明「電子科学シリーズ53 カウ ンタ回路とその応用」1977年4月30日 三 版発行 株式会社産報 P.35〜36(図 217)Continuation of the front page (56) References JP-A-59-114936 (JP, A) Masaaki Shiga "Electronic Science Series 53 Counter Circuits and Their Applications" April 30, 1977 Issued by Sanban P. Co., Ltd. 35 to 36 (Fig. 217)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ACS回路からのパスセレクト信号が加えら
れて、最尤パスの履歴を記憶するビタビ復号器用パスメ
モリ回路に於いて、 複数段のラッチ回路(3)と、該ラッチ回路(3)の最
終段のラッチ回路以外の各ラッチ回路の前段に、前記AC
S回路からのパスセレクト信号が加えられるセレクタ
(2)とを設け、 該セレクタ(2)と前記ラッチ回路(3)とにより前記
パスメモリ回路を構成するパスメモリセル(1)を形成
し、且つ前記最終段のラッチ回路を直前段のラッチ回路
に対するスレーブラッチ回路とし、 該スレーブラッチ回路を含む前記複数段のラッチ回路を
出力側から順次異なる位相で動作させる為のクロック信
号線(4−1〜4−n)を設けた ことを特徴とするビタビ復号器用パスメモリ回路。
1. A path memory circuit for a Viterbi decoder, which stores a history of maximum likelihood paths to which a path select signal from an ACS circuit is added, and a plurality of stages of latch circuits (3) and the latch circuits (3). ) In the preceding stage of each latch circuit other than the final stage latch circuit, the AC
A selector (2) to which a path select signal from the S circuit is added is provided, and the selector (2) and the latch circuit (3) form a path memory cell (1) constituting the path memory circuit, and The final stage latch circuit is used as a slave latch circuit for the immediately preceding latch circuit, and clock signal lines (4-1 to 4-1 for operating the plurality of stages of latch circuits including the slave latch circuit sequentially from the output side in different phases). 4-n) is provided, a path memory circuit for a Viterbi decoder.
【請求項2】ACS回路からのパスセレクト信号が加えら
れて、最尤パスの履歴を記憶するビタビ復号器用パスメ
モリ回路に於いて、 該パスメモリ回路を構成する各パスメモリセル(1)
を、セレクタ(2)とラッチ回路(3)とにより構成
し、 各段対応の前記ラッチ回路(3)を出力側から順次異な
る位相で動作させる為のクロック信号線(4−1〜4−
n)を設け、 1ブロックを構成する段数を等しい段数に分割できる位
置の前記パスメモリセル(1)の前記セレクタ(2)を
3−1セレクタとして、その直前段のパスメモリセル
(1)と接続し、 前記3−1セレクタを前記パスセレクト信号による選択
動作を行わせるか又は前記直前段のパスメモリセル
(1)の出力データを出力させるかを選択制御し、前記
直前段のパスメモリセル(1)の出力データを出力させ
た時に、該3−1セレクタを有するパスメモリセルを、
前記直前段のパスメモリセル(1)に対するスレーブラ
ッチ回路として動作させる制御線(5)を設け、 且つ最終段にスレーブラッチ回路を設けた ことを特徴とするビタビ復号器用パスメモリ回路。
2. A path memory circuit for a Viterbi decoder, which stores a history of maximum likelihood paths to which a path select signal from an ACS circuit is added, and each path memory cell (1) constituting the path memory circuit.
Is composed of a selector (2) and a latch circuit (3), and clock signal lines (4-1 to 4-) for operating the latch circuit (3) corresponding to each stage sequentially from the output side in different phases.
n) is provided, and the selector (2) of the path memory cell (1) at a position where the number of stages forming one block can be divided into an equal number of stages is used as a 3-1 selector and the path memory cell (1) of the immediately preceding stage is used. Connection control is performed to control whether the 3-1 selector performs the selection operation according to the path select signal or outputs the output data of the immediately preceding path memory cell (1), and the immediately preceding path memory cell When the output data of (1) is output, the path memory cell having the 3-1 selector is
A path memory circuit for a Viterbi decoder, wherein a control line (5) for operating as a slave latch circuit for the immediately preceding pass memory cell (1) is provided, and a slave latch circuit is provided at the final stage.
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志賀正明「電子科学シリーズ53カウンタ回路とその応用」1977年4月30日三版発行株式会社産報P.35〜36(図217)

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