JPH08152436A - プローブカード及びその使用方法 - Google Patents

プローブカード及びその使用方法

Info

Publication number
JPH08152436A
JPH08152436A JP6294844A JP29484494A JPH08152436A JP H08152436 A JPH08152436 A JP H08152436A JP 6294844 A JP6294844 A JP 6294844A JP 29484494 A JP29484494 A JP 29484494A JP H08152436 A JPH08152436 A JP H08152436A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
plane
pad
contact
tip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6294844A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2665171B2 (ja
Inventor
Atsushi Hasegawa
淳 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yamagata Ltd filed Critical NEC Yamagata Ltd
Priority to JP6294844A priority Critical patent/JP2665171B2/ja
Publication of JPH08152436A publication Critical patent/JPH08152436A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2665171B2 publication Critical patent/JP2665171B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】プローブカードの探針6とボンディングパッド
時の接触抵抗を常に低く安定させる。 【構成】プローブカードの探針6の先端部はボンディン
グパッド表面と接触時に平行になる底面1とオーバード
ライブ時にボンディングパッド表面と平行になる底面2
とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はプローブカード及びその
使用方法に関し、特に被測定半導体装置のボンディング
パッドに接触する探針先端部の構造とその探針の使用方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】所定の回路機能が集積された半導体基板
は、金属製のアイランド又は絶縁基板上に固着され、こ
の半導体基板の主表面に多数形成されたパッドは、直接
又はボンディングワイヤ等を介して外部リードに電気的
に接続され、これらリードを除く表面を封止して、半導
体装置が完成する。
【0003】完成した時点での半導体装置の試験は、外
部リードを利用して行われるが、例えばワイヤ・ボンデ
ィングされる前に半導体基板の試験を行い、不良品を除
去しておけば、後工程で不良品までも製作してしまうと
いう無駄が省ける。
【0004】このような場合等に使用されるのが、プロ
ーブカードである。この種のプローブカードは、半導体
基板の主表面に多数配列されたパッドにそれぞれ当接さ
せて電気的接続を確保するための探針を備えている。こ
の探針の一端は、半導体基板の各パッドに当接させるた
めにあり、またこの他端はこの探針の一端を弾力的に固
定保持させるべく、絶縁性基板の主表面に形成された金
属導体に固定される。
【0005】この探針の一端から他端までの形成は、パ
ッドとの所定圧の弾力的接続の必要性、及び探針自体の
剛性や変形回復力等の確保の関係から、決められる。探
針の他端は、プローブカード基板を経て、テスタに電気
的に接続され、このテスタでは、試験に必要な電源電
圧,データ信号,制御信号を発生させ、また半導体基板
から得られた信号を調べて良不良を判定する機能を有す
る。
【0006】以上のような場合に用いられるプローブカ
ードの探針先端を記載した特開昭62−295426号
公報を示す図5を参照すると、この実施例では、プロー
ブカードの探針10の先端接触部11をパッドの主表面
と平行な平面となるように形成し、この平行面による接
触面積増加により、接触抵抗を軽減させる技術が示され
ている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな接触面積増加という一義的な構造改善策では接触抵
抗の低下が一部達成されない事例があることが判明し
た。
【0008】接触抵抗が低下していない事例について、
そのメカニズムを解析してみると、パッド素材の主表面
に数μm程度の薄い例えばアルミニウム酸化膜が形成さ
れて接触抵抗が10Ωを越えるものがあり、接触面積の
増加ではカバーし切れないことが第1因となっており、
チップ当たりのボンディングパッド数の増加にともな
い、探針が細くかつ長くなり、剛性が低下して、探針先
端のパッドとの当接力が低下していることが第2因であ
り、接触面積を増加させるだけでは単位面積当りの押圧
力が低下するだけで接触抵抗の低下につながらないこと
が第3因であること等が判明した。
【0009】このようなことから、電流が関与するデバ
イス測定試験において、接触部での電圧降下が大きくな
り、測定系の不良により、製品の製造歩留りの低下を引
き起こすという問題点があった。
【0010】以上のような不良発生メカニズムの解析及
び問題点に鑑み、本発明では次の課題を掲げる。
【0011】(1)接触抵抗が問題とならないような抵
抗値まで極力抑えるようにすること。
【0012】(2)パッド表面の酸化膜を塑性変形させ
て擦過傷を形成し、非酸化面を露出させ、この部分に探
針を当接するようにすること。
【0013】(3)探針に、非酸化面を露出させる機能
と低抵抗で接触させる機能とを構造上役割り分担させて
担わせるようにすること。
【0014】(4)パッド表面の酸化膜の除去のため、
新らたに工程を追加する必要のないようにすること。
【0015】(5)探針にパッドが当接した位置よりも
さらに半導体装置を数十μm上昇させるいわゆるオーバ
ードライブ動作時に、探針をパッドの主表面方向に沿っ
て弾力的に自動滑動させ、この際にパッド表面に擦過傷
を形成させるようにすること。
【0016】(6)測定系の信頼性を向上させること。
【0017】(7)製品の製造歩留りを向上させるこ
と。
【0018】(8)探針の構造を可能な限り簡素化し
て、製造し易いものにすること。
【0019】(9)擦過傷が形成され難い場合には、く
り返えしオーバードライブ動作を行い、酸化物の除去が
行えるようにすること。
【0020】(10)測定系の制御方法を複雑にせず、
簡単なものとすること。
【0021】
【課題を解決するための手段】本発明のプローブカード
の構成は、半導体基板上のパッドに当接させる探針を備
え、前記探針先端のうち前記パッドとの当接面が、前記
探針の長軸と所定の角度をなす第1の平面と、前記第1
の平面と所定の角度をなす第2の平面とを有することを
特徴とし、前記探針先端の断面形状が四角形であること
を特徴とする。
【0022】本発明のプローブカードの使用方法は、探
針の第1の平面によりパッド表面の酸化膜を除去する工
程と、この工程に引き続いて前記酸化膜の除去された表
面に第2の平面を接触させて電気的特性を測定する工程
とを備えたことを特徴とし、特に前記酸化膜を除去する
工程は、前記先端の第1の平面が、前記半導体基板上の
パッド表面と平行面をなすように、前記半導体基板上の
パッドと接触させた後に行うことを特徴とする。
【0023】
【実施例】本発明の一実施例のプローブカードの探針先
端を示す図1の斜視図を参照すると、この実施例は、四
角柱の探針6の先端に二つの平面即ち第1,第2の平面
1,2を備えており、このうち第1の平面1は、20μ
m≦a≦50μm,5μm≦b≦10μmの長方形平面
であり、探針6の長軸方向と75°≦θ1≦85°の角
度をなす。第2の平面2は、10μm≦c≦40μm,
aは共通寸法の長方形平面である。第1,第2の平面
1,2は、互いに95°≦θ2≦110°をなす角度で
一辺を共有する、探針6の材質はタングステンが好まし
い。
【0024】この実施例の探針6の先端部分以外のとこ
ろの断面を示す図2を参照すると、図1の探針6の先端
8から、探針6の長軸方向に向って所定の寸法だけ伸び
て傾斜部6′を形成する。ここで、先端8の第1の平面
1は、ほぼ水平に設定された半導体基板のパッド表面と
平行面を形成するように、水平に設定される。従って、
この探針6は垂直に対して5°乃至15°の傾斜を有す
る傾斜部6′を形成する。この傾斜部6′に引き続く水
平部の長さは、傾斜部6′と同程度以上であり、後述す
る擦過傷を形成するのに適切な寸法に適宜選択される。
傾斜部6′の長さmは、0.07乃至1.00mmであ
る。
【0025】また、第1の平面1の長辺(aの寸法の
辺)は、探針6の長軸と直角をなす角度θ3に形成す
る。従って、第2の平面2の上記長辺と平行な二辺も長
軸と直角をなすように形成される。
【0026】探針6の他端は、絶縁性の配線基板9の表
面に形成された配線導体12に固着される。図示はされ
ていないが、このような探針6が紙面と垂直方向に多数
配列され、半導体基板のパッド間隔に対応したピッチで
固定される。パッドが一列に配列されず、二列に配列さ
れている場合には、これらパッドにそれぞれ対向した先
端8を有する探針6が用意される。探針6は四角柱であ
るが、必要に応じて上記水平部の寸法を大きくしてもよ
いが、均一寸法であってもよい。
【0027】探針6の第1の平面1の長辺が、長軸方向
即ちオーバードライブ時の探針滑動方向と直角をなすよ
うにすることが、後述する酸化膜を均一に除去する上で
また上記滑動方向を安定した直線方向にする上で、好ま
しい。
【0028】また探針6が正方形又は長方形の断面とな
っていることが、オーバードライブ時の滑動方向を安定
した直線方向にする上で、より好ましい。
【0029】探針6の少なくとも先端部分は、断面方形
をなし、半導体基板の主表面に形成されたボンディング
パッドに当接する底面となる。この底面は、最初にパッ
ドに接触する第1の平面1と、この第1の平面に引き続
いてパッドに接触する第2の平面2とからなる。第1の
平面は、短辺が長辺の4,5倍をなす長方形平面であ
り、この長辺と直交する方向が、後述するオーバードラ
イブ時の探針のすべり方向と一致するように、配置され
る。この第1の平面1は、第2の平面の約3分の1程度
の面積となっており、それだけ大きな集中応力で、パッ
ド表面を上方から押圧する。この第1の平面1の短辺
は、探針6の長軸方向と垂直に形成されず、5°乃至1
5°程度傾斜している。この傾斜角度は、パッドの主表
面に対する探針の長軸方向の傾斜角度に一致している。
即ち、第1の平面1は、パッドの主表面と平行になるよ
うに、探針6が配列されている。
【0030】第1の平面1に続く第2の平面2は、この
第1の平面と70°乃至85°程度傾斜している。この
第2の平面は、第1の平面1がパッドに接触している間
はパッドに接触することがなく、オーバードライブ動作
の終了時点で、パッドの主表面と平行となって、この第
2の平面の全面がパッド表面と接続する。この第2の平
面の接触面積は、第1の平面の約3倍程度となってい
る。上記第1,第2の平面1,2は、鏡面研摩された平
面をなすことが好ましい。
【0031】次に、この実施例のプローブカードの使用
方法を図3,4を参照して説明する。まず、第1ステッ
プでは、プローブカードの下方に半導体基板を移動さ
せ、プローブカードに固定された多数の探針の先端が対
応する半導体基板のパッド上にすべて正確に位置するよ
に設定される。
【0032】第2ステップでは、図3に示すようにこの
半導体基板を上方に移動させ、探針6の第1の平面1を
半導体基板のパッド表面に接触させる。あらかじめ、第
1の平面1をパッド表面と平行面となるように設定して
おくことが、酸化膜を剥離させず、塑性変形させて除去
する上で、より好ましい。
【0033】第3のステップは、さらに半導体基板を数
十μm程度静かに上昇させるオーバードライブ動作過程
である。この過程において、探針6先端は探針自体の弾
力に抗してパッド表面の滑動方向7に沿って自動的に滑
動する。この時の滑動距離は、第2の面のCの寸法を越
えるものとなる。この時に、表面の酸化膜4が第1の面
1によって塑性変形して側方に押し上げられ、場合によ
って酸化膜4が剥離することがあり、いずれにしても酸
化膜4のないパッド表面が露出される。
【0034】第1の平面1の移動距離は、第2の平面2
の面積を越える面積を確保しなければならないが、パッ
ド表面の一辺の寸法よりも小さく、さらに探針6の設定
精度も考慮して、寸法上のマージンを確保できる程度に
小さく留める必要がある。露出度の低い場合又は露出し
ない場合は、この第3ステップを複数回くり返すことが
好ましい。
【0035】次の第4ステップでは、図4に示すように
第2の平面2が、第3ステップで形成された露出面に全
面的に接続され、電気的に測定可能状態となる。測定可
能状態とならず、尚接触不良が想定される場合には、上
記第2ステップにもどり、第3,第4ステップをくり返
すことが好ましい。
【0036】以上の第1乃至第4ステップは、特に支障
のないかぎり連続的に行われる。ここでは、半導体基板
を上方移動させる使用例を説明したが、プローブカード
の方を下方移動させるように制御されてもよいし、双方
を移動させてもよい。
【0037】尚、探針6の当接対象となるパッドは、ワ
イヤボンディングされ外部リードに電気的に接続される
ものに限らず、直接に外部リードに接続されるものや、
外部リードとして導出せず試験を行うためだけのパッド
等も含まれる。
【0038】上記第3ステップで剥離した酸化膜4が発
生した可能性がある場合には、後工程で洗浄除去される
ことが好ましい。また、第1,第2の平面1,2は鏡面
平面となっているため、酸化膜4が付着し難くなってい
るが、付着の心配があれば、他のプローブカードと交換
を行うか、適宜洗浄を行って使用する。
【0039】探針の底面の加工方法は、グラインダによ
る研摩にて形成され、最終的に鏡面研摩をして仕上げら
れる。
【0040】また、第1,第2の平面により、機能的後
割り分担をさせているが、半導体基板等を上下動する制
御系に格別のものを必要とせず、従来の制御系でもその
まま使用できるという利点がある。
【0041】尚、前記実施例では、探針を四角柱とした
が、この他に四角形以上の多角柱でもよく、さらには円
柱であってもよく、この場合も図1と共通の角度で第
1,第2の面が形成される。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、プロー
ブカードの探針先端が被測定半導体装置のボンディング
パッドとの接触時に前記ボンディングパッドと平行にな
る第1の面とオーバードライブ終了時に前記ボンディン
グパッドと平行になる第2の面とを備えたことにより、
探針とボンディングパッドとの接触抵抗を常に0.5Ω
以下に軽減し、安定した測定系を供給して製品の歩留り
を10%以上向上させるという効果が得られると共に、
上記各課題が達成される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のプローブカードの探針先端
を示す斜視図である。
【図2】図1の探針の全体を示す断面図である。
【図3】図1のプローブカードを用い半導体基板上のパ
ッドに探針を当接した最初の状態を示す断面図である。
【図4】図3の最初の状態から後の工程であるオーバー
ドライブ動作を終了した時点の状態を示す断面図であ
る。
【図5】従来のプローブカードの探針先端を示す斜視図
である。
【符号の説明】
1 第1の平面 2 第2の平面 3 露出面 4 ボンディングパッド表面酸化膜 5 ボンディングパッド 6,6′,10 探針 7 オーバードライブ時の滑動方向 8 先端 9 配線基板 11 接触部 a,b,c 寸法 θ1,θ2,θ3 角度

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板上のパッドに当接させる探針
    を備えたプローブカードにおいて、前記探針先端のうち
    前記パッドとの当接面が前記探針の長軸と所定の角度を
    なす第1の平面と、前記第1の平面と所定の角度をなす
    第2の平面とを有することを特徴とするプローブカー
    ド。
  2. 【請求項2】 前記探針先端の断面形状が四角形である
    請求項1記載のプローブカード。
  3. 【請求項3】 探針の第1の平面によりパッド表面の酸
    化膜を除去する工程と、この工程に引き続いて前記酸化
    膜の除去された表面に第2の平面を接触させて電気的特
    性を測定する工程とを備えたことを特徴とする請求項1
    記載のプローブカードの使用方法。
  4. 【請求項4】 前記酸化膜を除去する工程は、前記先端
    の第1の平面が、前記半導体基板上のパッド表面と平行
    面をなすように、前記半導体基板上のパッドと接触させ
    た後に行われる請求項3記載のプローブカードの使用方
    法。
JP6294844A 1994-11-29 1994-11-29 プローブカード及びその使用方法 Expired - Fee Related JP2665171B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6294844A JP2665171B2 (ja) 1994-11-29 1994-11-29 プローブカード及びその使用方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6294844A JP2665171B2 (ja) 1994-11-29 1994-11-29 プローブカード及びその使用方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08152436A true JPH08152436A (ja) 1996-06-11
JP2665171B2 JP2665171B2 (ja) 1997-10-22

Family

ID=17812990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6294844A Expired - Fee Related JP2665171B2 (ja) 1994-11-29 1994-11-29 プローブカード及びその使用方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2665171B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004092748A1 (ja) * 2003-04-14 2004-10-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. プローブ
US7274195B2 (en) 1998-08-31 2007-09-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device test probe
JP2008026336A (ja) * 2007-09-27 2008-02-07 Fujitsu Ltd コンタクタ
KR100911676B1 (ko) * 2002-04-01 2009-08-10 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 콘택터, 그의 제조 방법 및 콘택터를 사용한 시험 방법
JP2011058927A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Tokyo Electron Ltd プローブの研磨装置及びプローブの研磨方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02146863U (ja) * 1989-05-12 1990-12-13

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02146863U (ja) * 1989-05-12 1990-12-13

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7274195B2 (en) 1998-08-31 2007-09-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device test probe
US7276923B2 (en) 1998-08-31 2007-10-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device test probe
KR100911676B1 (ko) * 2002-04-01 2009-08-10 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 콘택터, 그의 제조 방법 및 콘택터를 사용한 시험 방법
WO2004092748A1 (ja) * 2003-04-14 2004-10-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. プローブ
JP2008026336A (ja) * 2007-09-27 2008-02-07 Fujitsu Ltd コンタクタ
JP2011058927A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Tokyo Electron Ltd プローブの研磨装置及びプローブの研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2665171B2 (ja) 1997-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4099412B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
US7573281B2 (en) Probe for inspecting one or more semiconductor chips
US20080238455A1 (en) Probing method, probe apparatus and storage medium
JP2001215256A (ja) プリント回路基板によるチップテスト装置
JP2665171B2 (ja) プローブカード及びその使用方法
JPH077052A (ja) 電気特性測定用プローブ
JPH03231438A (ja) プローブカード及びこれを用いたプローブ装置
JP3204146B2 (ja) コンタクトプローブおよびその製造方法、並びにコンタクトプローブを備えたプローブ装置
KR20090041517A (ko) 프로브 카드
JP2000206148A (ja) プロ―ブカ―ド及びそのプロ―ブカ―ドを用いたプロ―ビング方法
JPH10221370A (ja) コンタクトプローブおよびその製造方法、並びにコンタクトプローブを備えたプローブ装置
JP2002185103A (ja) 実装用基板の実装面における電極パッドの平坦性評価方法
JP2000111574A (ja) プローブカード
JP3374890B2 (ja) 半導体チップ検査用プローブの製法
JPH0621169A (ja) ウェハのプローバ装置とそのプロービング方法及びicパッケージのプローバ装置とそのプロービング方法
JP4060973B2 (ja) Lcdコントローラic
JPH06140482A (ja) プローブ装置
JPH05206233A (ja) 半導体のエージング装置
JP3914110B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2891908B2 (ja) 半導体集積回路の試験装置およびその試験方法
JP2001194386A (ja) コンタクトプローブ
JPH0250450A (ja) 半導体特性測定方法
JP2002071718A (ja) 半導体検査装置および半導体装置の製造方法
KR20040038387A (ko) 프로브 침 클리닝장치
JPH10160806A (ja) 半導体デバイス、及びそのプローブテスト方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19970603

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees