JPH08148520A - Wire bonder - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレーム上に搭
載された半導体チップとその周辺に配置されたインナー
リードとを金線等のワイヤにて接続するワイヤボンディ
ング装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wire bonding device for connecting a semiconductor chip mounted on a lead frame and inner leads arranged around the semiconductor chip with wires such as gold wires.
【0002】[0002]
【従来の技術】図6はダイボンディング後のリードフレ
ームを示す平面図である。図示したリードフレームFは
プレス法またはエッチング法などの加工方法を用いて所
定の形状に成形されている。リードフレームFの外枠部
分にはワイヤボンディング装置にて搬送基準となる基準
孔Hが穿設されている。またリードフレームFの外枠間
には所定のピッチで複数のダイパッドDが形成されてお
り、各々のダイパッドD上に半導体チップCが搭載され
ている。2. Description of the Related Art FIG. 6 is a plan view showing a lead frame after die bonding. The illustrated lead frame F is formed into a predetermined shape by using a processing method such as a pressing method or an etching method. A reference hole H serving as a conveyance reference is formed in the outer frame portion of the lead frame F by a wire bonding device. A plurality of die pads D are formed between the outer frames of the lead frame F at a predetermined pitch, and the semiconductor chip C is mounted on each die pad D.
【0003】図7は従来のワイヤボンディング装置を示
す要部平面図であり、図8はその要部側断面図である。
図7および図8に示すワイヤボンディング装置1におい
て、2はリードクランパ、3は左右一対のフレームガイ
ド、4はヒータブロック、5は昇降可能なクランプホル
ダ、6はリードクランパ2を固定する固定ネジである。
リードクランパ2の先端側には所定の大きさの作業窓8
が設けられている。またリードクランパ2には、作業窓
8の周縁部に沿ってリード押え部9が形成されている。
一方、左右一対のフレームガイド3にはそれぞれガイド
溝3aが形成されている。またヒータブロック4の内部
には、発熱源となるヒータ10が組み込まれている。FIG. 7 is a plan view of a main part of a conventional wire bonding apparatus, and FIG. 8 is a side sectional view of the main part.
In the wire bonding apparatus 1 shown in FIGS. 7 and 8, 2 is a lead clamper, 3 is a pair of left and right frame guides, 4 is a heater block, 5 is a vertically movable clamp holder, and 6 is a fixing screw for fixing the lead clamper 2. is there.
A work window 8 of a predetermined size is provided on the tip side of the lead clamper 2.
Is provided. Further, the lead clamper 2 is provided with a lead retainer 9 along the peripheral edge of the work window 8.
On the other hand, a pair of left and right frame guides 3 are formed with guide grooves 3a. Further, a heater 10 serving as a heat source is incorporated inside the heater block 4.
【0004】続いて、従来のワイヤボンディング装置1
の動作について説明する。まず、半導体チップCが搭載
されたリードフレームFは、図8に示すように左右のフ
レームガイド3に案内されつつ、ヒータブロック4上に
搬送される。次に、図9に示すように、クランプホルダ
5がリードクランパ2と一体に下降し、これによってイ
ンナーリードLにリード押え部9が突き当てられる。続
いて、図示せぬボンディングヘッドに装着されたボンデ
ィングツール11が作業窓8を介して半導体チップC上
に進出し、半導体チップCとインナーリードLとをワイ
ヤWにて接続する。その後、所定本数のワイヤWの接続
が終了すると、ボンディングツール11およびリードク
ランパ2が上昇したのち、再びリードフレームFの搬送
が行われ、以降はリードフレームFに搭載されている半
導体チップの個数に応じて上記一連の動作が繰り返され
ることになる。Subsequently, the conventional wire bonding apparatus 1
The operation of will be described. First, the lead frame F on which the semiconductor chip C is mounted is conveyed onto the heater block 4 while being guided by the left and right frame guides 3 as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 9, the clamp holder 5 is lowered integrally with the lead clamper 2, and the lead pressing portion 9 is abutted against the inner lead L. Subsequently, the bonding tool 11 mounted on a bonding head (not shown) advances onto the semiconductor chip C through the work window 8 and connects the semiconductor chip C and the inner lead L with the wire W. After that, when the connection of the predetermined number of wires W is completed, the bonding tool 11 and the lead clamper 2 are raised, and then the lead frame F is conveyed again, and thereafter, the number of semiconductor chips mounted on the lead frame F is reduced. Accordingly, the above series of operations is repeated.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のワ
イヤボンディング装置1においては、インナーリードL
に段差やねじれ等が生じていたり、ヒータブロック4の
上面やリード押え部9の先端部分(インナーリードLに
接する部分)が平坦でなかったり、さらにはヒータブロ
ック4とリードクランパ2との平行度に狂いが生じてい
たりすると、ヒータブロック4上に配置されたインナー
リードLをリードクランパ2のリード押え部9で押えた
ときに、全てのインナーリードLを確実に押え付けるこ
とができず、インナーリードLの押え不足や浮きが発生
していた。その結果、全てのインナーリードLにヒータ
ブロック4の熱が十分に伝えられず、加熱不足によって
ワイヤWの接合強度が不足したり、ワイヤWの剥がれ等
が発生したりして、半導体装置としての信頼性が損なわ
れてしまうという問題があった。However, in the conventional wire bonding apparatus 1, the inner lead L
There is a step or twist, the top surface of the heater block 4 or the tip of the lead pressing portion 9 (the portion in contact with the inner lead L) is not flat, and the parallelism between the heater block 4 and the lead clamper 2 is high. If the inner leads L arranged on the heater block 4 are pressed by the lead pressing portion 9 of the lead clamper 2, all the inner leads L cannot be reliably pressed and the inner leads L cannot be reliably pressed. The lead L was insufficiently pressed or lifted. As a result, the heat of the heater block 4 is not sufficiently transmitted to all the inner leads L, the bonding strength of the wire W is insufficient due to insufficient heating, and the wire W is peeled off. There was a problem that reliability was lost.
【0006】また、ヒータブロック4とリードクランパ
2との平行度については調整ネジ12によって調整し得
る構造にはなっているが、その調整作業に熟練を要する
うえに、調整そのものが非常に面倒であった。さらに調
整量が大きくなると、リードクランパ2全体にそりが生
じて上記同様の不具合を招く虞れがあった。Further, although the parallelism between the heater block 4 and the lead clamper 2 can be adjusted by the adjusting screw 12, the adjustment work requires skill and the adjustment itself is very troublesome. there were. If the adjustment amount is further increased, there is a possibility that the entire lead clamper 2 is warped and the same problem as described above is caused.
【0007】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、ワイヤボンディ
ング位置にセットされた全てのインナーリードを確実に
ヒータブロックに密着させて、半導体チップとインナー
リードとをワイヤにて接続することができるワイヤボン
ディング装置を提供することにある。The present invention has been made in order to solve the above problems, and an object of the present invention is to ensure that all the inner leads set at the wire bonding positions are brought into close contact with the heater block and the semiconductor chip and An object of the present invention is to provide a wire bonding device capable of connecting the inner lead with a wire.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、リードフレームを加熱す
るためのヒータブロックと、そのヒータブロック上に位
置決め配置された複数のインナーリードを押圧保持する
ためのリードクランパとを備え、ヒータブロック上に配
置された複数のインナーリードをリードクランパでクラ
ンプしつつ、リードフレーム上に搭載された半導体チッ
プとインナーリードとをワイヤにて接続するワイヤボン
ディング装置において、リードクランパによるリードク
ランプ位置よりも外側の領域でリードフレームを所定量
だけ突き上げる突き上げ機構を具備した構成となってい
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to achieve the above object, and comprises a heater block for heating a lead frame and a plurality of inner leads positioned on the heater block. A wire for connecting the semiconductor chip mounted on the lead frame and the inner lead with a wire, which is equipped with a lead clamper for pressing and holding, and clamps a plurality of inner leads arranged on the heater block with the lead clamper. The bonding apparatus has a push-up mechanism that pushes up the lead frame by a predetermined amount in an area outside the lead clamp position by the lead clamper.
【0009】[0009]
【作用】本発明のワイヤボンディング装置においては、
インナーリードをリードクランパでクランプした状態
で、何れかのインナーリードに押え不足や浮きが生じて
いても、その状態からリードクランパによるリードクラ
ンプ位置よりも外側の領域でリードフレームを突き上げ
ることにより、リードクランプ位置を支点にインナーリ
ードの先端側がヒータブロック側に付勢され、その付勢
力をもってインナーリードの先端部がヒータブロックに
確実に密着するようになる。In the wire bonding apparatus of the present invention,
Even if the inner lead is clamped by the lead clamper and any one of the inner leads is insufficiently pressed or lifted, the lead frame is pushed up in the area outside the lead clamp position by the lead clamper from that state, The tip side of the inner lead is urged toward the heater block with the clamp position as a fulcrum, and the tip portion of the inner lead is surely brought into close contact with the heater block by the urging force.
【0010】[0010]
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明に係わるワイヤボ
ンディング装置の一実施例を示す要部斜視図であり、図
2はその側断面図である。なお、本実施例においては、
上記従来例と同様の構成部分に同じ符号を付し、重複す
る説明は極力省略する。図示したワイヤボンディング装
置1において、2はリードクランパ、3は左右一対のフ
レームガイド、4はヒータブロックである。リードクラ
ンパ2は、図示せぬ昇降ユニット(例えばモータ等を動
力源としたボールネジユニット等)によって昇降可能に
支持されたクランプホルダ5に一対の固定ネジ6により
固定されている。またリードクランパ2は、2本の位置
決めピン7によってクランプホルダ5に位置決めされて
いる。リードクランパ2の先端側には、図2に示すよう
に、ワイヤボンディングを行うための作業窓8が設けら
れており、この作業窓8はリードフレームF上に搭載さ
れた半導体チップCの外形寸法よりも大きく開口してい
る。さらにリードクランパ2には、上記作業窓8に沿っ
てリード押え部9が設けられており、このリード押え部
9にてインナーリードLがヒータブロック4に押し付け
られるようになっている。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of an essential part showing an embodiment of a wire bonding apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a side sectional view thereof. In this embodiment,
The same components as those in the above-mentioned conventional example are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted as much as possible. In the illustrated wire bonding apparatus 1, 2 is a lead clamper, 3 is a pair of left and right frame guides, and 4 is a heater block. The lead clamper 2 is fixed by a pair of fixing screws 6 to a clamp holder 5 which is supported so as to be able to move up and down by an elevator unit (not shown) (for example, a ball screw unit using a motor as a power source). The lead clamper 2 is positioned on the clamp holder 5 by two positioning pins 7. As shown in FIG. 2, a work window 8 for performing wire bonding is provided on the tip side of the lead clamper 2, and this work window 8 is an external dimension of the semiconductor chip C mounted on the lead frame F. It has a larger opening than. Further, the lead clamper 2 is provided with a lead pressing portion 9 along the work window 8, and the inner lead L is pressed against the heater block 4 by the lead pressing portion 9.
【0011】一対のフレームガイド3は、リードフレー
ムFの搬送方向を規制するものであり、これらはリード
フレームFの幅に対応して対向状態に設置されている。
それぞれのフレームガイド3にはリードフレームFの板
厚よりも幅広のガイド溝3aが形成されており、リード
フレーム搬送時には各々のガイド溝3aにリードフレー
ムFの外枠部分が挿入されるようになっている。The pair of frame guides 3 regulate the conveying direction of the lead frame F, and they are installed in an opposed state corresponding to the width of the lead frame F.
A guide groove 3a wider than the plate thickness of the lead frame F is formed in each frame guide 3, and the outer frame portion of the lead frame F is inserted into each guide groove 3a when the lead frame is transported. ing.
【0012】ヒータブロック4は、ワイヤボンディング
を行う際に半導体チップCとインナーリードLとを所定
の温度に加熱するためのもので、その内部には発熱源と
なる円筒状のヒータ10が組み込まれている。このヒー
タブロック4は上記一対のフレームガイド3の間に設置
されている。また、ヒータブロック4の上面とフレーム
ガイド3のガイド溝3a底面とは、ほぼ同じ高さに配置
されている。The heater block 4 is for heating the semiconductor chip C and the inner leads L to a predetermined temperature during wire bonding, and a cylindrical heater 10 serving as a heat source is incorporated therein. ing. The heater block 4 is installed between the pair of frame guides 3. Further, the upper surface of the heater block 4 and the bottom surface of the guide groove 3a of the frame guide 3 are arranged at substantially the same height.
【0013】ここで本発明の特徴とするところは、リー
ドクランパ2によるリードクランプ位置(後述)よりも
外側の領域でリードフレームFを所定量(後述)だけ突
き上げる突き上げ機構を具備した点にあり、以下にその
突き上げ機構の具体的な構造について述べる。先ず、ヒ
ータブロック4に組み込まれたヒータ10の周辺には、
それぞれヒータブロック4の軸方向(図例の場合は鉛直
方向)に沿ってプレート案内孔20が穿設されている。
また個々のプレート案内孔20に対しては、それぞれ突
き上げプレート21がスライド自在に挿通されている。
これらの突き上げプレート21は、リードフレームFの
リード配列形態に応じて設けられるもので、本例ではQ
FP(Quad Flat Package)用のリー
ドフレームFを取り扱い対象としていることから、ヒー
タブロック4の四辺方向にそれぞれ1枚ずつ突き上げプ
レート22が配設されている。Here, the feature of the present invention resides in that a push-up mechanism for pushing up the lead frame F by a predetermined amount (described later) in an area outside a lead clamp position (described later) by the lead clamper 2 is provided. The specific structure of the push-up mechanism will be described below. First, in the vicinity of the heater 10 incorporated in the heater block 4,
A plate guide hole 20 is formed along the axial direction of the heater block 4 (vertical direction in the illustrated example).
Push-up plates 21 are slidably inserted into the individual plate guide holes 20, respectively.
These push-up plates 21 are provided according to the lead arrangement form of the lead frame F, and in this example, Q
Since the lead frame F for FP (Quad Flat Package) is the object to be handled, one push-up plate 22 is provided in each of the four sides of the heater block 4.
【0014】ところで実際のワイヤボンディング工程で
は、リードフレームF上に搭載された半導体チップCが
ヒータブロック4の中央部に位置決めして配置されるこ
とになる。その際、リードクランパ2によるリードクラ
ンプ位置、つまりインナーリードLに対するリード押え
部9の当接位置は、インナーリード先端部のワイヤ接着
位置よりも若干外側の領域に設定される。そこで本実施
例の構成においては、上記リードクランプ位置よりもさ
らに外側の領域に突き上げプレート21が位置するよう
にプレート案内孔20が明けられている。By the way, in the actual wire bonding process, the semiconductor chip C mounted on the lead frame F is positioned and arranged in the central portion of the heater block 4. At this time, the lead clamp position of the lead clamper 2, that is, the contact position of the lead pressing portion 9 with respect to the inner lead L is set to a region slightly outside the wire bonding position of the inner lead tip. Therefore, in the configuration of the present embodiment, the plate guide hole 20 is opened so that the push-up plate 21 is located in a region further outside the lead clamp position.
【0015】さらに、各々の突き上げプレート21の下
面側は、ヒータブロック4の下面から突出した状態で、
例えば共通のプレートホルダ22上にネジ留めによって
固定されている。このプレートホルダ22は、例えばモ
ータ等を動力源としたボールネジユニットやエアーシリ
ンダ等の駆動部(不図示)によって昇降可能に支持され
ており、ヒータブロック4の上面から突き上げプレート
22の上端面を出没可能としている。Further, the lower surface side of each push-up plate 21 is projected from the lower surface of the heater block 4,
For example, it is fixed on the common plate holder 22 by screwing. The plate holder 22 is supported by a drive unit (not shown) such as a ball screw unit using a motor as a power source, an air cylinder, or the like so that the plate holder 22 can be moved up and down, and the upper end surface of the push-up plate 22 projects from the upper surface of the heater block 4. It is possible.
【0016】続いて、本実施例のワイヤボンディング装
置1の動作について説明する。まず、半導体チップCが
搭載されたリードクランパFは、左右一対のフレームガ
イド3に案内されながら、図示せぬフィード機構の送り
動作に従って一方向に搬送される。次いで、リードフレ
ームF上に搭載された複数の半導体チップCのうち、一
つ目(通常は先頭位置)の半導体チップ2が、図2に示
すように、リードクランパ2の作業窓8の真下に設定さ
れたボンディング位置に位置決めされる。このときリー
ドフレームFは、一対のフレームガイド3間に設置され
たヒータブロック4上に配置される。またこの時点で
は、リードフレームFの搬送を妨げないように、突き上
げプレート21の上端面がヒータブロック4の上面から
若干下がった位置に配置されている。The operation of the wire bonding apparatus 1 of this embodiment will be described next. First, the lead clamper F on which the semiconductor chip C is mounted is conveyed in one direction according to the feeding operation of a feed mechanism (not shown) while being guided by the pair of left and right frame guides 3. Next, of the plurality of semiconductor chips C mounted on the lead frame F, the first (usually the leading position) semiconductor chip 2 is located directly below the work window 8 of the lead clamper 2 as shown in FIG. It is positioned at the set bonding position. At this time, the lead frame F is arranged on the heater block 4 installed between the pair of frame guides 3. At this time, the upper end surface of the push-up plate 21 is arranged at a position slightly lower than the upper surface of the heater block 4 so as not to hinder the conveyance of the lead frame F.
【0017】こうして一つ目の半導体チップCがヒータ
ブロック4上のボンディング位置に配置されると、これ
に続いて図示せぬ昇降ユニットの駆動によりクランプホ
ルダ5がリードクランパ2と一体に下降する。これによ
り、図3に示すように、リードクランパ2の下面から突
出したリード押え部9の先端部分がインナリードLに突
き当たる。このとき、先にも述べたようにインナーリー
ドLの段差やねじれ、あるいはリード押え部9の平坦度
やヒータブロック4とリードクランパ2との平行度等に
より、ヒータブロック4に対して十分に密着しないイン
ナーリードLや僅かに浮き上がったインナーリードLが
発生することがある。When the first semiconductor chip C is arranged at the bonding position on the heater block 4 in this way, the clamp holder 5 is lowered together with the lead clamper 2 by driving an elevating unit (not shown). As a result, as shown in FIG. 3, the tip portion of the lead pressing portion 9 protruding from the lower surface of the lead clamper 2 abuts the inner lead L. At this time, as described above, due to the step or twist of the inner lead L, the flatness of the lead pressing portion 9, the parallelism between the heater block 4 and the lead clamper 2, etc., the heater block 4 is sufficiently adhered. The inner lead L that does not exist or the inner lead L that slightly rises may occur.
【0018】そこで本実施例においては、インナーリー
ドLの先端部をリードクランパ2のリード押え部9にて
クランプした状態で図示せぬ駆動部を作動させ、プレー
トホルダ22とともに突き上げプレート21をリードク
ランパ2側に突き上げる。これにより、各突き上げプレ
ート21の上端面がヒータブロック4の上面から突出
し、図3に示すように、リードクランプ位置Pよりも外
側の領域でリードフレームFが突き上げプレート21に
より突き上げられた状態となる。この状態では、図4に
示すように、リード押え部9とインナーリードLとの接
触位置Aを支点とし、且つ、突き上げプレート21とリ
ードフレームFとの接触位置Bを作用点として、インナ
ーリードLの先端部に図中矢印で示すごとく付勢力Mが
働く。そのため、たとえリード先端部が浮き上がったイ
ンナーリードLであっても、ワイヤ接着部となるリード
先端部分は上記付勢力Mをもって確実にヒータブロック
4に密着した状態となる。Therefore, in the present embodiment, a drive unit (not shown) is operated in a state in which the tip end portion of the inner lead L is clamped by the lead holding portion 9 of the lead clamper 2 to operate the push-up plate 21 together with the plate holder 22 with the lead clamper. Push up to side 2. As a result, the upper end surface of each push-up plate 21 projects from the upper surface of the heater block 4, and the lead frame F is pushed up by the push-up plate 21 in an area outside the lead clamp position P, as shown in FIG. . In this state, as shown in FIG. 4, with the contact position A between the lead pressing portion 9 and the inner lead L being the fulcrum, and the contact position B between the push-up plate 21 and the lead frame F being the acting point, the inner lead L is An urging force M acts on the tip end of the arrow as indicated by the arrow in the figure. Therefore, even with the inner lead L having a lifted tip, the tip of the lead, which is the wire bonding portion, is reliably brought into close contact with the heater block 4 by the urging force M.
【0019】ところで、リードフレームFに対する突き
上げプレート21の突き上げ量Z(図4参照)は、リー
ドフレームFの弾性限界内、つまり突き上げられたリー
ドフレームFが元の平面状態に戻り得る範囲内で適宜設
定されるものであり、本実施例ではZ=0.2〜0.3
mmに設定されている。また、突き上げプレート21と
インナーリードLとの接触点Bは、リードクランプ位置
Pよりも外側の領域で適宜設定されるものであり、本実
施例ではタイバー(不図示)よりも若干内側のインナー
リードL後端部に設定されている。By the way, the push-up amount Z (see FIG. 4) of the push-up plate 21 with respect to the lead frame F is appropriately within the elastic limit of the lead frame F, that is, within the range in which the pushed-up lead frame F can return to the original planar state. It is set, and in this embodiment, Z = 0.2 to 0.3.
It is set to mm. Further, the contact point B between the push-up plate 21 and the inner lead L is appropriately set in the area outside the lead clamp position P, and in the present embodiment, the inner lead slightly inside the tie bar (not shown). It is set at the rear end of L.
【0020】次いで、図示せぬボンディングヘッドに装
着されたボンディングツール(キャピラリ、ウェッジツ
ール等)11がリードクランパ2の作業窓8を介して半
導体チップC上に進出し(図3参照)、その半導体チッ
プCとインナーリードLとの間を往復移動しながら、半
導体チップCとインナーリードLとをワイヤWにて接続
する。その後、所定本数のワイヤWの接続が終了してボ
ンディングツール11が上方に退避すると、図示せぬ駆
動部の作動によりプレートホルダ22とともに突き上げ
プレート21が下降し、再びヒータブロック4の上面か
ら突き上げプレート21の上端面が引っ込んだ状態とな
る。続いて、図示せぬ昇降ユニットの駆動によりクラン
プホルダ5とともにリードクランパ2が上昇し、これに
よってリードクランパ2のリード押え部9がインナーリ
ードLから離反して、リードフレームFのクランプ状態
が解除される。Next, a bonding tool (capillary, wedge tool, etc.) 11 mounted on a bonding head (not shown) advances onto the semiconductor chip C through the work window 8 of the lead clamper 2 (see FIG. 3), and the semiconductor thereof. The semiconductor chip C and the inner lead L are connected by the wire W while reciprocating between the chip C and the inner lead L. After that, when the bonding tool 11 is retracted upward after the connection of the predetermined number of wires W is completed, the push-up plate 21 is lowered together with the plate holder 22 by the operation of the drive unit (not shown), and the push-up plate 21 is again pushed from the upper surface of the heater block 4. The upper end surface of 21 is retracted. Then, the lead clamper 2 ascends together with the clamp holder 5 by driving an elevating unit (not shown), whereby the lead pressing portion 9 of the lead clamper 2 separates from the inner lead L, and the clamped state of the lead frame F is released. It
【0021】以降は、リードフレームFがフレームガイ
ド3に案内されながら図示せぬフィード機構により一定
の送りピッチで搬送され、これによって次の(二つ目
の)半導体チップCが上記ボンディング位置に位置決め
される。こうした一連の動作は、リードフレームF上に
搭載されている半導体チップCの個数に応じて順次繰り
返されることになる。After that, the lead frame F is guided by the frame guide 3 and conveyed at a constant feed pitch by a feed mechanism (not shown), whereby the next (second) semiconductor chip C is positioned at the bonding position. To be done. Such a series of operations is sequentially repeated according to the number of semiconductor chips C mounted on the lead frame F.
【0022】このように本実施例のワイヤボンディング
装置1においては、フレームガイド3で案内されながら
ワイヤボンディング位置にセットされたインナーリード
Lをリードクランパ2でクランプしつつ、リードクラン
パ2によるリードクランプ位置Pよりも外側の領域でリ
ードフレームFを所定量Zだけ突き上げることにより、
たとえ何れかのインナーリードの先端部に浮きが生じて
いても、リードクランプ位置Pを支点にインナーリード
Lの先端部に付勢力Mを与え、その付勢力Mをもってイ
ンナーリードLの先端部をヒータブロック4に確実に密
着させることができる。As described above, in the wire bonding apparatus 1 of the present embodiment, while the inner lead L set at the wire bonding position while being guided by the frame guide 3 is clamped by the lead clamper 2, the lead clamp position by the lead clamper 2 is held. By pushing up the lead frame F by a predetermined amount Z in the area outside P,
Even if the tip of one of the inner leads floats, a biasing force M is applied to the tip of the inner lead L with the lead clamp position P as a fulcrum, and the tip of the inner lead L is heated by the biasing force M. The block 4 can be firmly attached.
【0023】ところで、リードクランパ2とインナーリ
ードLとの接触位置Aや、突き上げプレート21とリー
ドフレームFとの接触位置Bでは、図4に示すように、
リード押え部9の先端部や突き上げプレート21の上端
部が角張っていると、フレーム表面に局部的なくさび応
力が加わって傷付く虞れがある。そこで本実施例におい
ては、図5(a)に示すように突き上げプレート21の
上端部に丸みをもたせたり、図5(b)に示すように突
き上げプレート21の上端部を断面半円状に形成した
り、さらには図5(c)に示すようにリード押え部9の
先端部に丸みをもたせるようにした。これにより、リー
ドクランパ2とインナーリードLとの接触位置Aや、突
き上げプレート21とリードフレームFとの接触位置B
では、フレーム表面に対してリード押え部9や突き上げ
プレート21が曲面をもって接触するようになるため、
それぞれの接触位置A,Bに局部的なくさび応力が加わ
ることがなくなり、リードフレームFの突き上げに起因
したフレーム表面の損傷を確実に防止することが可能と
なる。At the contact position A between the lead clamper 2 and the inner lead L and the contact position B between the push-up plate 21 and the lead frame F, as shown in FIG.
If the tip portion of the lead pressing portion 9 and the upper end portion of the push-up plate 21 are angular, local wedge stress may be applied to the surface of the frame, which may cause damage. Therefore, in this embodiment, the upper end of the push-up plate 21 is rounded as shown in FIG. 5A, or the upper end of the push-up plate 21 is formed in a semicircular cross section as shown in FIG. 5B. In addition, as shown in FIG. 5 (c), the tip of the lead pressing portion 9 is rounded. Thereby, the contact position A between the lead clamper 2 and the inner lead L and the contact position B between the push-up plate 21 and the lead frame F.
Then, since the lead pressing portion 9 and the push-up plate 21 come into contact with the frame surface with a curved surface,
No local wedge stress is applied to the respective contact positions A and B, and it is possible to reliably prevent damage to the frame surface due to the push-up of the lead frame F.
【0024】なお、上記実施例の構成においては、ヒー
タブロック4の四辺方向にそれぞれ突き上げプレート2
1を設けるようにしたが、例えば取り扱うリードフレー
ムFがSOP(Small Outline Pack
age)タイプの場合はヒータブロック4の二辺方向に
突き上げプレート21を設けるだけで対応できる。ま
た、突き上げ機構の具体的な構成についても、上述のご
とく突き上げプレート21を用いたものに限定されるこ
となく、例えば図示はしないが、ヒータブロック4上の
インナーリードLの配列方向に沿ってリードクランプ位
置Pよりも外側に領域に偏心カムを配設し、これを所定
の角度だけ回転させることでリードフレームFをカム面
にて突き上げるようにしたり、リードフレームFがSO
Pタイプの場合には左右一対のフレームガイド3を昇降
自在に設置し、このフレームガイド3を所定量だけ上昇
させることでリードフレームFを突き上げるようにする
など、種々の変形が可能である。In the structure of the above embodiment, the push-up plates 2 are arranged in the four sides of the heater block 4, respectively.
However, the lead frame F to be handled is, for example, an SOP (Small Outline Pack).
In the case of the age type, it can be dealt with only by providing the push-up plates 21 in the two sides of the heater block 4. Further, the specific configuration of the push-up mechanism is not limited to the one using the push-up plate 21 as described above, and although not shown, for example, the leads are arranged along the arrangement direction of the inner leads L on the heater block 4. An eccentric cam is provided in an area outside the clamp position P, and the lead frame F is pushed up by the cam surface by rotating the eccentric cam by a predetermined angle.
In the case of the P type, various modifications are possible, such as installing a pair of left and right frame guides 3 so that they can be raised and lowered, and raising the frame guides 3 by a predetermined amount to push up the lead frame F.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上、説明したように本発明のワイヤボ
ンディング装置によれば、ヒータブロック上にセットさ
れたインナーリードをリードクランパでクランプした状
態から、リードクランパによるリードクランプ位置より
も外側の領域でリードフレームを突き上げることによ
り、全てのインナーリードをヒータブロックに確実に密
着させることができる。したがって、ワイヤボンディン
グに際しては、全てのインナーリードに対してヒータブ
ロックの熱を確実に伝えられることが可能になるため、
インナーリードの加熱不足に起因したワイヤの接続不良
(接着強度不足、ワイヤ剥がれ等)を未然に防止でき、
半導体装置としての信頼性を著しく向上させることがで
きる。また本発明によれば、従来装置のようにヒータブ
ロックとリードクランパとの平行度を精密に調整しなく
とも、上述のごとく突き上げ機構の突き上げ作用によっ
て全てのインナーリードを確実にヒータブロックに密着
させることが可能であるため、メカ調整のための所要時
間を大幅に節約することができる。As described above, according to the wire bonding apparatus of the present invention, from the state where the inner leads set on the heater block are clamped by the lead clamper, the area outside the lead clamp position by the lead clamper is provided. By pushing up the lead frame with, all inner leads can be surely brought into close contact with the heater block. Therefore, at the time of wire bonding, the heat of the heater block can be surely transferred to all the inner leads.
It is possible to prevent wire connection failures (insufficient adhesive strength, wire peeling, etc.) due to insufficient heating of the inner leads.
The reliability as a semiconductor device can be significantly improved. Further, according to the present invention, all the inner leads are surely brought into close contact with the heater block by the push-up action of the push-up mechanism as described above, without precisely adjusting the parallelism between the heater block and the lead clamper as in the conventional device. Therefore, the time required for mechanical adjustment can be significantly saved.
【図1】本発明に係わるワイヤボンディング装置の一実
施例を示す要部斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of an essential part showing an embodiment of a wire bonding apparatus according to the present invention.
【図2】実施例におけるワイヤボンディング装置の側断
面図である。FIG. 2 is a side sectional view of the wire bonding apparatus in the embodiment.
【図3】実施例におけるワイヤボンディング装置の動作
を説明する図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the wire bonding apparatus in the example.
【図4】図3の要部拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view of a main part of FIG. 3;
【図5】本発明の他の実施態様を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating another embodiment of the present invention.
【図6】ダイボンディング後のリードフレームを示す平
面図である。FIG. 6 is a plan view showing a lead frame after die bonding.
【図7】従来のワイヤボンディング装置を示す要部平面
図である。FIG. 7 is a plan view of an essential part showing a conventional wire bonding apparatus.
【図8】従来のワイヤボンディング装置を示す要部側断
面図である。FIG. 8 is a side sectional view of a main part of a conventional wire bonding apparatus.
【図9】従来のワイヤボンディング装置の動作を説明す
る図である。FIG. 9 is a diagram illustrating an operation of a conventional wire bonding apparatus.
1 ワイヤボンディング装置 2 リ
ードクランパ 4 ヒータブロック 20 プ
レート案内孔 21 突き上げプレート 22 プ
レートホルダ C 半導体チップ F リ
ードフレーム L インナーリード1 Wire Bonding Device 2 Lead Clamper 4 Heater Block 20 Plate Guide Hole 21 Push Up Plate 22 Plate Holder C Semiconductor Chip F Lead Frame L Inner Lead
Claims (1)
ブロックと、該ヒータブロック上に位置決め配置された
複数のインナーリードを押圧保持するためのリードクラ
ンパとを備え、前記ヒータブロック上に配置された複数
のインナーリードを前記リードクランパでクランプしつ
つ、前記リードフレーム上に搭載された半導体チップと
前記インナーリードとをワイヤにて接続するワイヤボン
ディング装置において、 前記リードクランパによるリードクランプ位置よりも外
側の領域で前記リードフレームを所定量だけ突き上げる
突き上げ機構を具備したことを特徴とするワイヤボンデ
ィング装置。1. A heater block for heating a lead frame, and a lead clamper for pressingly holding a plurality of inner leads positioned and arranged on the heater block, the plurality of heater blocks arranged on the heater block. In a wire bonding apparatus for connecting the inner lead with a semiconductor chip mounted on the lead frame with a wire while clamping the inner lead with the lead clamper, a region outside a lead clamp position by the lead clamper. 2. A wire bonding apparatus comprising a push-up mechanism that pushes up the lead frame by a predetermined amount.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6284636A JPH08148520A (en) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | Wire bonder |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6284636A JPH08148520A (en) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | Wire bonder |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08148520A true JPH08148520A (en) | 1996-06-07 |
Family
ID=17681044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6284636A Pending JPH08148520A (en) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | Wire bonder |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08148520A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114566456A (en) * | 2022-04-29 | 2022-05-31 | 深圳市铨天科技有限公司 | Packaging equipment for multilayer stacked storage chips |
-
1994
- 1994-11-18 JP JP6284636A patent/JPH08148520A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114566456A (en) * | 2022-04-29 | 2022-05-31 | 深圳市铨天科技有限公司 | Packaging equipment for multilayer stacked storage chips |
CN114566456B (en) * | 2022-04-29 | 2022-08-23 | 深圳市铨天科技有限公司 | Packaging equipment for multilayer stacked storage chips |
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