JPH08148436A - プラズマ処理方法及びプラズマ装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及びプラズマ装置Info
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- JPH08148436A JPH08148436A JP6286843A JP28684394A JPH08148436A JP H08148436 A JPH08148436 A JP H08148436A JP 6286843 A JP6286843 A JP 6286843A JP 28684394 A JP28684394 A JP 28684394A JP H08148436 A JPH08148436 A JP H08148436A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料に付着するパーティクル数を大幅に削減
することが可能なプラズマ処理方法及びその実施に使用
するプラズマ装置を提供すること。 【構成】 プラズマ照射をオフする直前に、移動装置13
を駆動させて円板15を試料台５の上方へ移動させてから
ガス管７からの反応ガスの供給をオフする。また反応ガ
スの供給をオフしたとき、ガス管14からの不活性ガスの
導入を開始する。そして処理が終了した試料Ｓを搬入，
搬出口９から搬出し、次の試料Ｓを搬入，搬出口９から
反応室３内へ搬入して試料台５上に載置する。その後、
ガス管14からの不活性ガスの導入を停止し、ガス管７か
らの反応ガスの供給を再開してプラズマ照射を再開す
る。プラズマが安定した後、移動装置13を駆動させて円
板15を試料台５の上方から待機位置へ移動させて試料Ｓ
の処理を再開する。
することが可能なプラズマ処理方法及びその実施に使用
するプラズマ装置を提供すること。 【構成】 プラズマ照射をオフする直前に、移動装置13
を駆動させて円板15を試料台５の上方へ移動させてから
ガス管７からの反応ガスの供給をオフする。また反応ガ
スの供給をオフしたとき、ガス管14からの不活性ガスの
導入を開始する。そして処理が終了した試料Ｓを搬入，
搬出口９から搬出し、次の試料Ｓを搬入，搬出口９から
反応室３内へ搬入して試料台５上に載置する。その後、
ガス管14からの不活性ガスの導入を停止し、ガス管７か
らの反応ガスの供給を再開してプラズマ照射を再開す
る。プラズマが安定した後、移動装置13を駆動させて円
板15を試料台５の上方から待機位置へ移動させて試料Ｓ
の処理を再開する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマを利用して半
導体素子，電子材料等の試料を加工処理するプラズマ処
理方法及びその実施に使用するプラズマ装置に関する。
導体素子，電子材料等の試料を加工処理するプラズマ処
理方法及びその実施に使用するプラズマ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子サイクロトロン共鳴を利用して試料
の加工を行うＥＣＲプラズマ装置は、低ガス圧で電離度
が高いプラズマを生成することができる。従ってイオン
エネルギの広範な選択が可能であり、イオンの指向性，
均一性に優れる等の利点を有していることから、高集積
半導体素子の製造における薄膜形成，エッチング等のプ
ロセスには欠かせない技術となっており、その研究，開
発が進められている。
の加工を行うＥＣＲプラズマ装置は、低ガス圧で電離度
が高いプラズマを生成することができる。従ってイオン
エネルギの広範な選択が可能であり、イオンの指向性，
均一性に優れる等の利点を有していることから、高集積
半導体素子の製造における薄膜形成，エッチング等のプ
ロセスには欠かせない技術となっており、その研究，開
発が進められている。
【０００３】図６は、従来のＥＣＲプラズマ装置を示す
模式的断面図である。図中１は、円筒形のプラズマ室で
あり、その上側にはマイクロ波導入窓11を介してマイク
ロ波導入管６が連設されている。またプラズマ室１の下
側にはプラズマ引出し窓12を介して反応室３が連設され
ている。さらにプラズマ室１の周囲には励磁コイル10が
配置されている。反応室３の底部中央部が台状に突出し
ており、この中央に試料Ｓを静電吸着保持するための試
料台５となしてある。
模式的断面図である。図中１は、円筒形のプラズマ室で
あり、その上側にはマイクロ波導入窓11を介してマイク
ロ波導入管６が連設されている。またプラズマ室１の下
側にはプラズマ引出し窓12を介して反応室３が連設され
ている。さらにプラズマ室１の周囲には励磁コイル10が
配置されている。反応室３の底部中央部が台状に突出し
ており、この中央に試料Ｓを静電吸着保持するための試
料台５となしてある。
【０００４】反応室３の上部側壁には反応ガスを供給す
るためのガス管７が配設されており、また反応室３の下
部側壁には排気を行うための排気口８が設けられてい
る。排気口８に対向する反応室３の下部側壁には試料Ｓ
の搬入，搬出を行うための搬入，搬出口９が開口されて
いる。そしてプラズマ室１の内壁には、透明な石英ガラ
ス容器であるインナーベルジャー２が嵌合されており、
壁面をプラズマから保護している。前記プラズマ引出し
窓12の窓枠はこのインナーベルジャー２の一部で形成さ
れている。また反応室３の内壁のうち、ガス管７，排気
口８及び搬入，搬出口９の取り付け位置を除く部分，試
料Ｓの周囲，及び試料台５の側面は、フロスト処理され
た石英防着板４によって覆われている。
るためのガス管７が配設されており、また反応室３の下
部側壁には排気を行うための排気口８が設けられてい
る。排気口８に対向する反応室３の下部側壁には試料Ｓ
の搬入，搬出を行うための搬入，搬出口９が開口されて
いる。そしてプラズマ室１の内壁には、透明な石英ガラ
ス容器であるインナーベルジャー２が嵌合されており、
壁面をプラズマから保護している。前記プラズマ引出し
窓12の窓枠はこのインナーベルジャー２の一部で形成さ
れている。また反応室３の内壁のうち、ガス管７，排気
口８及び搬入，搬出口９の取り付け位置を除く部分，試
料Ｓの周囲，及び試料台５の側面は、フロスト処理され
た石英防着板４によって覆われている。
【０００５】以上の如く構成されたＥＣＲプラズマ装置
においては、ガス管７から反応ガスを供給しつつ排気口
８から排気を行うことにより、プラズマ室１及び反応室
３内を所要の真空度に保持する。これとともに励磁コイ
ル10にて磁界を形成し、マイクロ波導入管６からマイク
ロ波を導入して高周波電界を印加してプラズマを生成す
る。生成されたプラズマは、励磁コイル10にて形成され
る発散磁界によってプラズマ室１からプラズマ引出し窓
12を介して反応室３内の試料Ｓ周辺に導入され、試料Ｓ
表面でプラズマ流中のイオン，ラジカル粒子による表面
反応を生じさせて試料Ｓ表面に成膜，エッチング等の処
理を施す。
においては、ガス管７から反応ガスを供給しつつ排気口
８から排気を行うことにより、プラズマ室１及び反応室
３内を所要の真空度に保持する。これとともに励磁コイ
ル10にて磁界を形成し、マイクロ波導入管６からマイク
ロ波を導入して高周波電界を印加してプラズマを生成す
る。生成されたプラズマは、励磁コイル10にて形成され
る発散磁界によってプラズマ室１からプラズマ引出し窓
12を介して反応室３内の試料Ｓ周辺に導入され、試料Ｓ
表面でプラズマ流中のイオン，ラジカル粒子による表面
反応を生じさせて試料Ｓ表面に成膜，エッチング等の処
理を施す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来のプラズマ装置においては、試料Ｓをプラズマ処理
する際に反応生成物が発生し、プラズマ室１のインナー
ベルジャー２，及び反応室３の石英防着板４に付着す
る。そしてプラズマ処理開始時，終了時のプラズマ生成
のオン・オフ、又は反応ガス供給のオン・オフ等の微小
な振動，衝撃によってその付着物が剥離し、パーティク
ルとなる。このパーティクルは試料Ｓ上に落下して試料
Ｓの加工不良を招来したり、試料Ｓが搭載されていない
場合は試料台５上に落下して試料Ｓの裏面を汚染すると
いう問題がある。
従来のプラズマ装置においては、試料Ｓをプラズマ処理
する際に反応生成物が発生し、プラズマ室１のインナー
ベルジャー２，及び反応室３の石英防着板４に付着す
る。そしてプラズマ処理開始時，終了時のプラズマ生成
のオン・オフ、又は反応ガス供給のオン・オフ等の微小
な振動，衝撃によってその付着物が剥離し、パーティク
ルとなる。このパーティクルは試料Ｓ上に落下して試料
Ｓの加工不良を招来したり、試料Ｓが搭載されていない
場合は試料台５上に落下して試料Ｓの裏面を汚染すると
いう問題がある。
【０００７】本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたも
のであり、処理と処理との間に、試料の処理に影響を及
ぼさない不活性ガスを反応室へ供給する、及び／又は反
応ガスのオン・オフ時，及びプラズマ照射のオン・オフ
時には試料台上を石英ガラス板で覆うことにより、試料
に付着するパーティクル数を大幅に削減することが可能
なプラズマ処理方法及びその実施に使用するプラズマ装
置を提供することを目的とする。
のであり、処理と処理との間に、試料の処理に影響を及
ぼさない不活性ガスを反応室へ供給する、及び／又は反
応ガスのオン・オフ時，及びプラズマ照射のオン・オフ
時には試料台上を石英ガラス板で覆うことにより、試料
に付着するパーティクル数を大幅に削減することが可能
なプラズマ処理方法及びその実施に使用するプラズマ装
置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１発明に係るプラズマ
処理方法は、反応ガス及びマイクロ波を導入してプラズ
マを生成し、該プラズマを反応室へ導入し、複数の試料
を反応室内の試料台上に逐次載置して試料をプラズマ処
理する方法において、１回のプラズマ処理が終了してプ
ラズマ生成を停止する前に石英ガラス板にて試料台を覆
い、反応ガスの供給を停止し、不活性ガスの供給を開始
し、処理が終了した試料を反応室から搬出し、次回の試
料を反応室へ搬入して試料台上に載置し、不活性ガスの
供給を停止し、反応ガスの供給を再開し、プラズマ生成
を再開し、石英ガラス板を試料台から除去して試料の処
理を再開することを特徴とする。
処理方法は、反応ガス及びマイクロ波を導入してプラズ
マを生成し、該プラズマを反応室へ導入し、複数の試料
を反応室内の試料台上に逐次載置して試料をプラズマ処
理する方法において、１回のプラズマ処理が終了してプ
ラズマ生成を停止する前に石英ガラス板にて試料台を覆
い、反応ガスの供給を停止し、不活性ガスの供給を開始
し、処理が終了した試料を反応室から搬出し、次回の試
料を反応室へ搬入して試料台上に載置し、不活性ガスの
供給を停止し、反応ガスの供給を再開し、プラズマ生成
を再開し、石英ガラス板を試料台から除去して試料の処
理を再開することを特徴とする。
【０００９】第２発明に係るプラズマ装置は、反応ガス
及びマイクロ波を導入してプラズマを生成し、該プラズ
マを反応室へ導入し、複数の試料を反応室内の試料台上
に逐次載置して試料をプラズマ処理するプラズマ装置に
おいて、不活性ガスを反応室へ供給するためのガス管
と、試料台を覆う位置と試料台を覆わない位置とに移動
可能な石英ガラス板とを備えることを特徴とする。
及びマイクロ波を導入してプラズマを生成し、該プラズ
マを反応室へ導入し、複数の試料を反応室内の試料台上
に逐次載置して試料をプラズマ処理するプラズマ装置に
おいて、不活性ガスを反応室へ供給するためのガス管
と、試料台を覆う位置と試料台を覆わない位置とに移動
可能な石英ガラス板とを備えることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明にあっては、処理と処理との間に、試料
の処理に影響を及ぼさない不活性ガスを反応室へ供給す
ることにより、反応生成物の剥離を促進させる。また反
応生成物が浮遊する不活性ガスは、従来から備えられて
いる排気口からの排気により反応室外へ排出される。こ
れにより反応室内のパーティクルを除去することができ
る。また反応ガスのオン・オフ時，及びプラズマ照射の
オン・オフ時には試料台上を石英ガラス板で覆うので、
このときの微小な振動又は衝撃により反応室側面から離
脱したパーティクルが試料台上へ落下することを防止す
ることができる。これにより試料裏面に付着するパーテ
ィクル数が大幅に削減される。これら不活性ガスの供給
及び石英ガラス板の使用を併用することにより、試料の
表面及び裏面に付着するパーティクル数をより削減する
ことができる。
の処理に影響を及ぼさない不活性ガスを反応室へ供給す
ることにより、反応生成物の剥離を促進させる。また反
応生成物が浮遊する不活性ガスは、従来から備えられて
いる排気口からの排気により反応室外へ排出される。こ
れにより反応室内のパーティクルを除去することができ
る。また反応ガスのオン・オフ時，及びプラズマ照射の
オン・オフ時には試料台上を石英ガラス板で覆うので、
このときの微小な振動又は衝撃により反応室側面から離
脱したパーティクルが試料台上へ落下することを防止す
ることができる。これにより試料裏面に付着するパーテ
ィクル数が大幅に削減される。これら不活性ガスの供給
及び石英ガラス板の使用を併用することにより、試料の
表面及び裏面に付着するパーティクル数をより削減する
ことができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は、本発明に係るプラズマ装
置を示す模式的断面図である。図中１は、ステンレス鋼
からなり内径 275mm，高さ 200mmの円筒形のプラズマ室
であり、その上側にはマイクロ波導入窓11を介してマイ
クロ波導入管６が連設されている。またプラズマ室１の
下側にはプラズマ引出し窓12を介して、ステンレス鋼か
らなり内径 450mmの円筒形の反応室３が連設されてい
る。さらにプラズマ室１の周囲には励磁コイル10が配置
されている。反応室３の底部中央部が台状に形成されて
おり、その中央に試料Ｓを静電吸着保持するための試料
台５となしてある。プラズマ室１下端から試料台５上の
試料Ｓまでの距離は 270mmである。
き具体的に説明する。図１は、本発明に係るプラズマ装
置を示す模式的断面図である。図中１は、ステンレス鋼
からなり内径 275mm，高さ 200mmの円筒形のプラズマ室
であり、その上側にはマイクロ波導入窓11を介してマイ
クロ波導入管６が連設されている。またプラズマ室１の
下側にはプラズマ引出し窓12を介して、ステンレス鋼か
らなり内径 450mmの円筒形の反応室３が連設されてい
る。さらにプラズマ室１の周囲には励磁コイル10が配置
されている。反応室３の底部中央部が台状に形成されて
おり、その中央に試料Ｓを静電吸着保持するための試料
台５となしてある。プラズマ室１下端から試料台５上の
試料Ｓまでの距離は 270mmである。
【００１２】反応室３の上部側壁には反応ガスを供給す
るためのガス管７が配設されており、また反応室３の下
部側壁には排気を行うための排気口８が設けられてい
る。排気口８に対向する反応室３の下部側壁には試料Ｓ
の搬入，搬出を行うための搬入，搬出口９が開口されて
いる。そしてプラズマ室１の内壁には、透明な石英ガラ
ス容器であるインナーベルジャー２が嵌合されて、壁面
をプラズマから保護している。前記プラズマ引出し窓12
の窓枠はこのインナーベルジャー２の一部で形成されて
いる。また反応室３の内壁のうち、ガス管７，排気口８
及び搬入，搬出口９の取り付け位置を除く部分，試料Ｓ
の周囲，及び試料台５の側面は、フロスト処理された石
英防着板４によって覆われている。
るためのガス管７が配設されており、また反応室３の下
部側壁には排気を行うための排気口８が設けられてい
る。排気口８に対向する反応室３の下部側壁には試料Ｓ
の搬入，搬出を行うための搬入，搬出口９が開口されて
いる。そしてプラズマ室１の内壁には、透明な石英ガラ
ス容器であるインナーベルジャー２が嵌合されて、壁面
をプラズマから保護している。前記プラズマ引出し窓12
の窓枠はこのインナーベルジャー２の一部で形成されて
いる。また反応室３の内壁のうち、ガス管７，排気口８
及び搬入，搬出口９の取り付け位置を除く部分，試料Ｓ
の周囲，及び試料台５の側面は、フロスト処理された石
英防着板４によって覆われている。
【００１３】さらにマイクロ波導入窓11より外側のプラ
ズマ室１の上面には、不活性ガスを導入するためのガス
管14が配設されている。また処理と処理との間に試料台
５を覆うための石英ガラス製の円板15（直径 270mm, 厚
み３mm）が、移動装置13により図における左右方向への
移動が可能なようにアルミニウム製治具16により支持さ
れている。
ズマ室１の上面には、不活性ガスを導入するためのガス
管14が配設されている。また処理と処理との間に試料台
５を覆うための石英ガラス製の円板15（直径 270mm, 厚
み３mm）が、移動装置13により図における左右方向への
移動が可能なようにアルミニウム製治具16により支持さ
れている。
【００１４】以上の如く構成されたＥＣＲプラズマ装置
においては、ガス管７から反応ガスを供給しつつ排気口
８から排気を行うことにより、プラズマ室１及び反応室
３内を所要の真空度に保持する。これとともに励磁コイ
ル10にて磁界を形成し、マイクロ波導入管６からマイク
ロ波を導入して高周波電界を印加してプラズマを生成す
る。生成されたプラズマは、励磁コイル10にて形成され
る発散磁界によってプラズマ室１からプラズマ引出し窓
12を介して反応室３内の試料Ｓ周辺に導入され、試料Ｓ
表面でプラズマ流中のイオン，ラジカル粒子による表面
反応を生じさせて試料Ｓ表面に成膜，エッチング等の処
理を施す。
においては、ガス管７から反応ガスを供給しつつ排気口
８から排気を行うことにより、プラズマ室１及び反応室
３内を所要の真空度に保持する。これとともに励磁コイ
ル10にて磁界を形成し、マイクロ波導入管６からマイク
ロ波を導入して高周波電界を印加してプラズマを生成す
る。生成されたプラズマは、励磁コイル10にて形成され
る発散磁界によってプラズマ室１からプラズマ引出し窓
12を介して反応室３内の試料Ｓ周辺に導入され、試料Ｓ
表面でプラズマ流中のイオン，ラジカル粒子による表面
反応を生じさせて試料Ｓ表面に成膜，エッチング等の処
理を施す。
【００１５】そして処理済みの試料Ｓを搬出し次の試料
Ｓを搬入するためにプラズマ照射をオフする直前に、移
動装置13を駆動させて円板15を試料台５の上方（実線で
図示）へ移動させてからガス管７からの反応ガスの供給
をオフする。また反応ガスの供給をオフしたとき、ガス
管14からの不活性ガスの導入を開始する。そして処理が
終了した試料Ｓを搬入，搬出口９から搬出し、次の試料
Ｓを搬入，搬出口９から反応室３内へ搬入して試料台５
上に載置する。その後、ガス管14からの不活性ガスの導
入を停止し、ガス管７からの反応ガスの供給を再開して
プラズマ照射を再開する。プラズマが安定した後、移動
装置13を駆動させて円板15を試料台５の上方から待機位
置（破線で図示）へ移動させて試料Ｓの処理を再開す
る。
Ｓを搬入するためにプラズマ照射をオフする直前に、移
動装置13を駆動させて円板15を試料台５の上方（実線で
図示）へ移動させてからガス管７からの反応ガスの供給
をオフする。また反応ガスの供給をオフしたとき、ガス
管14からの不活性ガスの導入を開始する。そして処理が
終了した試料Ｓを搬入，搬出口９から搬出し、次の試料
Ｓを搬入，搬出口９から反応室３内へ搬入して試料台５
上に載置する。その後、ガス管14からの不活性ガスの導
入を停止し、ガス管７からの反応ガスの供給を再開して
プラズマ照射を再開する。プラズマが安定した後、移動
装置13を駆動させて円板15を試料台５の上方から待機位
置（破線で図示）へ移動させて試料Ｓの処理を再開す
る。
【００１６】図２は、以上の如き構成の本発明装置にお
いて処理された試料Ｓのパーティクル数を処理枚数に対
応させて示すグラフである。図３は不活性ガスは導入す
るが、円板15を使用しない場合、図４は円板15は使用す
るが不活性ガスを導入しない場合、図５は従来装置によ
り処理した場合のパーティクル数を夫々示すグラフであ
る。図３に示す如く不活性ガスを導入するのみでもパー
ティクル数は従来（図５）より減少し、また図４に示す
如く円板15を使用するのみでは、図３に示す不活性ガス
を導入するのみの場合よりもパーティクル数が減少して
おり、特に裏面において大幅に減少している。そして図
２に示す如く不活性ガス及び円板15の両方を使用した場
合はさらにパーティクル数が減少しており、特に表面に
おいてその傾向は顕著である。
いて処理された試料Ｓのパーティクル数を処理枚数に対
応させて示すグラフである。図３は不活性ガスは導入す
るが、円板15を使用しない場合、図４は円板15は使用す
るが不活性ガスを導入しない場合、図５は従来装置によ
り処理した場合のパーティクル数を夫々示すグラフであ
る。図３に示す如く不活性ガスを導入するのみでもパー
ティクル数は従来（図５）より減少し、また図４に示す
如く円板15を使用するのみでは、図３に示す不活性ガス
を導入するのみの場合よりもパーティクル数が減少して
おり、特に裏面において大幅に減少している。そして図
２に示す如く不活性ガス及び円板15の両方を使用した場
合はさらにパーティクル数が減少しており、特に表面に
おいてその傾向は顕著である。
【００１７】なお本実施例ではＥＣＲプラズマ装置の場
合について述べているが、サイクロトロン共鳴を使用し
ないプラズマ装置に適用することも可能である。
合について述べているが、サイクロトロン共鳴を使用し
ないプラズマ装置に適用することも可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明に係るプラズマ処理
方法及びその実施に使用するプラズマ装置は、処理と処
理との間に、試料の処理に影響を及ぼさない不活性ガス
を反応室へ供給することにより、反応生成物の剥離を促
進させる。また反応生成物が浮遊する不活性ガスは、従
来から備えられている排気口からの排気により反応室外
へ排出される。これにより反応室内のパーティクルを除
去することができる。また反応ガスのオン・オフ時，及
びプラズマ照射のオン・オフ時には試料台上を石英ガラ
ス板で覆うので、このときの微小な振動又は衝撃により
反応室側面から離脱したパーティクルが試料台上へ落下
することを防止することができる。これにより試料裏面
に付着するパーティクル数が大幅に削減される。以上よ
りプラズマ処理における良品率を向上させることが可能
になる等、本発明は優れた効果を奏する。
方法及びその実施に使用するプラズマ装置は、処理と処
理との間に、試料の処理に影響を及ぼさない不活性ガス
を反応室へ供給することにより、反応生成物の剥離を促
進させる。また反応生成物が浮遊する不活性ガスは、従
来から備えられている排気口からの排気により反応室外
へ排出される。これにより反応室内のパーティクルを除
去することができる。また反応ガスのオン・オフ時，及
びプラズマ照射のオン・オフ時には試料台上を石英ガラ
ス板で覆うので、このときの微小な振動又は衝撃により
反応室側面から離脱したパーティクルが試料台上へ落下
することを防止することができる。これにより試料裏面
に付着するパーティクル数が大幅に削減される。以上よ
りプラズマ処理における良品率を向上させることが可能
になる等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係るプラズマ装置を示す模式的断面図
である。
である。
【図２】本発明装置において処理された試料のパーティ
クル数を処理枚数に対応させて示すグラフである。
クル数を処理枚数に対応させて示すグラフである。
【図３】不活性ガスは導入するが、円板を使用しない場
合のパーティクル数を示すグラフである。
合のパーティクル数を示すグラフである。
【図４】円板は使用するが不活性ガスを導入しない場合
のパーティクル数を示すグラフである。
のパーティクル数を示すグラフである。
【図５】従来装置により処理した場合のパーティクル数
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図６】従来のプラズマ装置を示す模式的断面図であ
る。
る。
３ 反応室 ５ 試料台 ７，14 ガス管 ８ 排気口 ９ 搬入，搬出口 13 移動装置 15 円板 Ｓ 試料
Claims (2)
- 【請求項１】 反応ガス及びマイクロ波を導入してプラ
ズマを生成し、該プラズマを反応室へ導入し、複数の試
料を反応室内の試料台上に逐次載置して試料をプラズマ
処理する方法において、１回のプラズマ処理が終了して
プラズマ生成を停止する前に石英ガラス板にて試料台を
覆い、反応ガスの供給を停止し、不活性ガスの供給を開
始し、処理が終了した試料を反応室から搬出し、次回の
試料を反応室へ搬入して試料台上に載置し、不活性ガス
の供給を停止し、反応ガスの供給を再開し、プラズマ生
成を再開し、石英ガラス板を試料台から除去して試料の
処理を再開することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】 反応ガス及びマイクロ波を導入してプラ
ズマを生成し、該プラズマを反応室へ導入し、複数の試
料を反応室内の試料台上に逐次載置して試料をプラズマ
処理するプラズマ装置において、不活性ガスを反応室へ
供給するためのガス管と、試料台を覆う位置と試料台を
覆わない位置とに移動可能な石英ガラス板とを備えるこ
とを特徴とするプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28684394A JP3595885B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | プラズマ処理方法及びプラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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