JPH08139425A - 回路形成基板および回路形成基板の製造方法 - Google Patents
回路形成基板および回路形成基板の製造方法Info
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- JPH08139425A JPH08139425A JP26956694A JP26956694A JPH08139425A JP H08139425 A JPH08139425 A JP H08139425A JP 26956694 A JP26956694 A JP 26956694A JP 26956694 A JP26956694 A JP 26956694A JP H08139425 A JPH08139425 A JP H08139425A
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- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4084—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by deforming at least one of the conductive layers
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度な回路形成基板の製造方法を構成を提
供する。 【構成】 樹脂フィルムを絶縁基板１に貫通孔２を形成
する。導電性粒子３を分散させた接着材料シート４と銅
箔５で絶縁基板１を挟み込む（図１（ｃ））。その状態
で、シリコンゴム６と金属板７を介して上下方向に加圧
しながら加熱して接着材料シート４を硬化させる。銅箔
５は、この加圧により貫通孔２の部分で導電性粒子３を
介して接触し、電気的接続を発現する。一体化した基板
（同図（ｅ））に銅箔パターンニングプロセスを施すこ
とで回路９ａ、９ｂを形成し、同図（ｆ）に示すような
両面基板を得る。
供する。 【構成】 樹脂フィルムを絶縁基板１に貫通孔２を形成
する。導電性粒子３を分散させた接着材料シート４と銅
箔５で絶縁基板１を挟み込む（図１（ｃ））。その状態
で、シリコンゴム６と金属板７を介して上下方向に加圧
しながら加熱して接着材料シート４を硬化させる。銅箔
５は、この加圧により貫通孔２の部分で導電性粒子３を
介して接触し、電気的接続を発現する。一体化した基板
（同図（ｅ））に銅箔パターンニングプロセスを施すこ
とで回路９ａ、９ｂを形成し、同図（ｆ）に示すような
両面基板を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路形成基板および回
路形成基板の製造方法に関するものである。
路形成基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化・高密度化に伴
って、電子部品を搭載する基板も従来の片面基板から両
面、多層基板の採用が進み、より多くの回路を基板上に
集積可能な基板の開発が行われている。
って、電子部品を搭載する基板も従来の片面基板から両
面、多層基板の採用が進み、より多くの回路を基板上に
集積可能な基板の開発が行われている。
【０００３】以下に従来の回路形成基板について図面を
参照しながら説明する。図４は貫通ビアホール１２、ブ
ラインドビアホール１３、インナービアホール１４を有
する４層回路形成基板を示す断面図である。
参照しながら説明する。図４は貫通ビアホール１２、ブ
ラインドビアホール１３、インナービアホール１４を有
する４層回路形成基板を示す断面図である。
【０００４】ブラインドビアホール１３およびインナー
ビアホール１４のような、いわゆる非貫通ビアホールに
よる層間接続は基板設計の自由度を大きくすると共に基
板面積の低減に非常に有効であり、非貫通ビアホールの
形成法は回路形成基板の製造における重要な要素技術で
ある。
ビアホール１４のような、いわゆる非貫通ビアホールに
よる層間接続は基板設計の自由度を大きくすると共に基
板面積の低減に非常に有効であり、非貫通ビアホールの
形成法は回路形成基板の製造における重要な要素技術で
ある。
【０００５】図５に従来検討されてきた非貫通ビアホー
ル形成法の例を示す。まず、同図（ａ）に示すような両
面基板を内層コア基板１１として用意する。次に、同図
（ｂ）に示すように、ガラス繊維等の織布にエポキシ樹
脂等を含浸したプリプレグ１５と銅等の金属箔で内層コ
ア基板１１を挟み、上下方向にプレスしながらプリプレ
グの硬化を行い、同図（ｃ）のように一体化する。
ル形成法の例を示す。まず、同図（ａ）に示すような両
面基板を内層コア基板１１として用意する。次に、同図
（ｂ）に示すように、ガラス繊維等の織布にエポキシ樹
脂等を含浸したプリプレグ１５と銅等の金属箔で内層コ
ア基板１１を挟み、上下方向にプレスしながらプリプレ
グの硬化を行い、同図（ｃ）のように一体化する。
【０００６】そして、貫通ビアホール１２およびブライ
ンドビアホール１３を形成し同図（ｄ）、無電解あるい
は電解めっき法にて金属めっき層１６を基板表面および
ビアホール内に析出させる（同図（ｅ））。
ンドビアホール１３を形成し同図（ｄ）、無電解あるい
は電解めっき法にて金属めっき層１６を基板表面および
ビアホール内に析出させる（同図（ｅ））。
【０００７】最後に表面の金属めっき層１６および銅箔
５をパターンニングして、同図（ｆ）のような４層基板
を完成する。
５をパターンニングして、同図（ｆ）のような４層基板
を完成する。
【０００８】ビアホールの穴あけ加工は、ドリルによる
機械加工またはレーザー加工が通常用いられるが、ブラ
インドビアホール１３のような加工は穴の深さをコント
ロールすることが難しく、非貫通ビアホールの形成法に
おける課題である。
機械加工またはレーザー加工が通常用いられるが、ブラ
インドビアホール１３のような加工は穴の深さをコント
ロールすることが難しく、非貫通ビアホールの形成法に
おける課題である。
【０００９】そのため、例えば特開平４−３５４１８０
号公報に記載のようなプロセスも提案されている。
号公報に記載のようなプロセスも提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】これまで述べてきたよ
うに、回路形成基板とりわけ多層基板においては非貫通
ビアホールが基板の高密度化に有効であるにも関わら
ず、簡便かつ低コストな形成法が無いために、回路形成
基板の製造プロセスは複雑なものとなり、高歩留まりで
生産を行なうことは困難であった。
うに、回路形成基板とりわけ多層基板においては非貫通
ビアホールが基板の高密度化に有効であるにも関わら
ず、簡便かつ低コストな形成法が無いために、回路形成
基板の製造プロセスは複雑なものとなり、高歩留まりで
生産を行なうことは困難であった。
【００１１】本発明はこのような課題を解決するもので
あり、簡便かつ低コストで非貫通ビアホールの形成を実
現し回路形成基板の高密度化に貢献できうるものであ
る。
あり、簡便かつ低コストで非貫通ビアホールの形成を実
現し回路形成基板の高密度化に貢献できうるものであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の回路形成基板および回路形成基板の製造方
法は、絶縁基板に設けた貫通孔を通じて層間の電気的接
続を異方導電性接着材料を用いて行なうものとした構成
を用いるものである。
に、本発明の回路形成基板および回路形成基板の製造方
法は、絶縁基板に設けた貫通孔を通じて層間の電気的接
続を異方導電性接着材料を用いて行なうものとした構成
を用いるものである。
【００１３】
【作用】したがって本発明によれば、あらかじめ貫通孔
を設けた絶縁基板と異方導電性接着材料および回路形成
用の金属箔を積層して加圧しながら異方導電性接着材料
を硬化させることで層間の接続が行われるという極めて
簡便なプロセスで非貫通ビアホールが形成できるもので
ある。
を設けた絶縁基板と異方導電性接着材料および回路形成
用の金属箔を積層して加圧しながら異方導電性接着材料
を硬化させることで層間の接続が行われるという極めて
簡便なプロセスで非貫通ビアホールが形成できるもので
ある。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について同一機能を有
するものには同一番号を付して詳しい説明を省略し、相
違する点について説明する。
するものには同一番号を付して詳しい説明を省略し、相
違する点について説明する。
【００１５】（実施例１）図１は本発明の第１の実施例
の回路形成基板および回路形成基板の製造方法を示す工
程説明図であり、回路形成基板の断面を示す。
の回路形成基板および回路形成基板の製造方法を示す工
程説明図であり、回路形成基板の断面を示す。
【００１６】同図（ａ）に示すように、約１００μｍの
厚みを持つポリイミド、ポリエステル等の樹脂フィルム
を絶縁基板１に用い、同図（ｂ）に示すようにドリルあ
るいはレーザーを用いて貫通孔２を形成する。貫通孔２
の直径は約３００μｍとした。
厚みを持つポリイミド、ポリエステル等の樹脂フィルム
を絶縁基板１に用い、同図（ｂ）に示すようにドリルあ
るいはレーザーを用いて貫通孔２を形成する。貫通孔２
の直径は約３００μｍとした。
【００１７】そして、同図（ｃ）に示すように、導電性
粒子３を分散させた接着材料シート４と銅箔５で絶縁基
板１を挟み込む。接着材料シート４は、粒径１０μｍ程
度のニッケル粒子を熱硬化性のエポキシ樹脂中に分散さ
せたものをコーターによって剥離シート（シリコン処理
ポリエステルフィルム）上に均一に塗布し乾燥後に剥離
シートより剥したものを用いた。導電性粒子３の分散量
はエポキシ樹脂の約１〜１０体積％とした。
粒子３を分散させた接着材料シート４と銅箔５で絶縁基
板１を挟み込む。接着材料シート４は、粒径１０μｍ程
度のニッケル粒子を熱硬化性のエポキシ樹脂中に分散さ
せたものをコーターによって剥離シート（シリコン処理
ポリエステルフィルム）上に均一に塗布し乾燥後に剥離
シートより剥したものを用いた。導電性粒子３の分散量
はエポキシ樹脂の約１〜１０体積％とした。
【００１８】さらに同図（ｃ）に示す状態で、シリコン
ゴム６と金属板７を介して上下方向に加圧しながら加熱
して接着材料シート４を硬化させる。図中に示すように
加圧加熱が始まると接着材料シート４は粘度が低下して
流動する。
ゴム６と金属板７を介して上下方向に加圧しながら加熱
して接着材料シート４を硬化させる。図中に示すように
加圧加熱が始まると接着材料シート４は粘度が低下して
流動する。
【００１９】上下の銅箔５がシリコンゴムによる静水圧
的な加圧により貫通孔２の部分で導電性粒子３を介して
接触し、電気的接続を発現する。導電性粒子３にニッケ
ル粒子を用いたのは銅箔５の表面に存在する酸化膜や汚
染物質を突き破ってコンタクトを果たすためである。
的な加圧により貫通孔２の部分で導電性粒子３を介して
接触し、電気的接続を発現する。導電性粒子３にニッケ
ル粒子を用いたのは銅箔５の表面に存在する酸化膜や汚
染物質を突き破ってコンタクトを果たすためである。
【００２０】加圧力は約２０Ｋｇ／平方ｃｍ、温度は約
１７０℃とした。接着材料シート４は加圧加熱による流
動後約３０秒で硬化を完了し、銅箔５と絶縁基板１を強
固に接着すると共に貫通孔２の部分での銅箔５と導電性
粒子３の接続を保持する。
１７０℃とした。接着材料シート４は加圧加熱による流
動後約３０秒で硬化を完了し、銅箔５と絶縁基板１を強
固に接着すると共に貫通孔２の部分での銅箔５と導電性
粒子３の接続を保持する。
【００２１】図中に示すように、金属板７に凸部８を設
けることで接続を行なう部分への加圧をより確実に行な
うこともできる。
けることで接続を行なう部分への加圧をより確実に行な
うこともできる。
【００２２】一体化した基板（同図（ｅ））に通常のプ
リント基板と同様の銅箔パターンニングプロセスを施す
ことで回路９ａ、９ｂを形成し、同図（ｆ）に示すよう
な両面基板を得る。
リント基板と同様の銅箔パターンニングプロセスを施す
ことで回路９ａ、９ｂを形成し、同図（ｆ）に示すよう
な両面基板を得る。
【００２３】本発明の製造法では従来例のようなめっき
工程が無いために、面倒なめっき廃液の処理は必要な
い。絶縁基板にポリイミド、ポリエステル等を用いた場
合には同図（ｆ）は柔軟で厚み２００μｍ以下の回路形
成基板となり従来の両面フレキシブルプリント基板の代
替として好適である。
工程が無いために、面倒なめっき廃液の処理は必要な
い。絶縁基板にポリイミド、ポリエステル等を用いた場
合には同図（ｆ）は柔軟で厚み２００μｍ以下の回路形
成基板となり従来の両面フレキシブルプリント基板の代
替として好適である。
【００２４】ビアホール１０は銅箔５と導電性粒子３の
接触によって導通しているものであるが、発明者の実験
によれば従来のめっきによる接続と何等変わり無い信頼
性を持つものであった。
接触によって導通しているものであるが、発明者の実験
によれば従来のめっきによる接続と何等変わり無い信頼
性を持つものであった。
【００２５】（実施例２）さらに３層以上の多層基板を
製造する場合には図２に示すように、前述の両面基板を
内層コア基板１１として、その両面に接着材料シート
３、貫通孔を形成した絶縁基板１、接着材料シート３、
銅箔５を積層し（図２（ａ））、図１を用いて説明した
両面基板の場合と同様に加熱加圧による一体化および銅
箔５のパターンニングの工程を行なうことで図２（ｂ）
に示すような多層基板が得られる。
製造する場合には図２に示すように、前述の両面基板を
内層コア基板１１として、その両面に接着材料シート
３、貫通孔を形成した絶縁基板１、接着材料シート３、
銅箔５を積層し（図２（ａ））、図１を用いて説明した
両面基板の場合と同様に加熱加圧による一体化および銅
箔５のパターンニングの工程を行なうことで図２（ｂ）
に示すような多層基板が得られる。
【００２６】絶縁基板１の材質としては樹脂フィルムの
他に、ガラスあるいはアラミド繊維にエポキシ等の樹脂
を含浸したものを用いることもできる。その場合は、貫
通孔２を形成する前に樹脂を硬化させても、半硬化状態
のプリプレグとして貫通孔を加工して用い、接着材料シ
ート４の加圧加熱硬化と同時に硬化させても良い。プリ
プレグとして用いた場合には接着材料シート４が流動す
ると共に絶縁基板１中の樹脂も流動しビアホール１０で
の接続がより容易になる。
他に、ガラスあるいはアラミド繊維にエポキシ等の樹脂
を含浸したものを用いることもできる。その場合は、貫
通孔２を形成する前に樹脂を硬化させても、半硬化状態
のプリプレグとして貫通孔を加工して用い、接着材料シ
ート４の加圧加熱硬化と同時に硬化させても良い。プリ
プレグとして用いた場合には接着材料シート４が流動す
ると共に絶縁基板１中の樹脂も流動しビアホール１０で
の接続がより容易になる。
【００２７】（実施例３）図３は、本発明の第３の実施
例の回路形成基板および回路形成基板の製造方法を示す
工程説明図であり回路形成基板の断面を示す。
例の回路形成基板および回路形成基板の製造方法を示す
工程説明図であり回路形成基板の断面を示す。
【００２８】約１００μｍの厚みを持つ半硬化状態のエ
ポキシ樹脂フィルムを樹脂基材１５として用いる。樹脂
基材１５には図中（ａ）に示すように、導電性粒子３が
分散されている。導電性粒子３には粒径が約１０μｍの
Ｎｉ粒子を用い、分散量は１〜１０体積％である。
ポキシ樹脂フィルムを樹脂基材１５として用いる。樹脂
基材１５には図中（ａ）に示すように、導電性粒子３が
分散されている。導電性粒子３には粒径が約１０μｍの
Ｎｉ粒子を用い、分散量は１〜１０体積％である。
【００２９】次に、同図（ｂ）に示すように、樹脂基材
１５の両面に銅箔５を重ね合わせる。さらに、同図
（ｃ）のように金属板７にて上下より加熱加圧する。金
属板７には凸部８が設けられており局部的に加圧を行な
う。
１５の両面に銅箔５を重ね合わせる。さらに、同図
（ｃ）のように金属板７にて上下より加熱加圧する。金
属板７には凸部８が設けられており局部的に加圧を行な
う。
【００３０】凸部８にて圧縮された部分は、図中に示さ
れるように導電性粒子３が金属箔５に接触して電気的接
続を発現する。加圧は上下の金属板７が平行になるよう
に行い、凸部８以外の箇所では金属箔５が樹脂基材１５
の両面で短絡しないように、金属板７が所望の間隔にな
ったところで保持する。
れるように導電性粒子３が金属箔５に接触して電気的接
続を発現する。加圧は上下の金属板７が平行になるよう
に行い、凸部８以外の箇所では金属箔５が樹脂基材１５
の両面で短絡しないように、金属板７が所望の間隔にな
ったところで保持する。
【００３１】図示はしていないが樹脂基材１５にスペー
サとして絶縁粒子あるいは絶縁繊維を分散させることは
金属板７の間隔を保持する方法として有効である。
サとして絶縁粒子あるいは絶縁繊維を分散させることは
金属板７の間隔を保持する方法として有効である。
【００３２】最後に金属箔５をパターンニングして回路
を形成する。本実施例は両面基板の例であるが実施例１
と同様に工程を繰り返すことで容易に多層化が可能であ
る。
を形成する。本実施例は両面基板の例であるが実施例１
と同様に工程を繰り返すことで容易に多層化が可能であ
る。
【００３３】なお、実施例中では絶縁基板に有機材料を
用いた例を示したが、金属基板に絶縁コーティングを施
したもの、あるいはセラミック等の無機材料なども絶縁
基板の材質として用いることは可能で、導電性粒子には
ニッケル粒子の代わりに他の金属あるいは銀パラジウム
等の合金材料、樹脂粒子に金属メッキを施したもの等で
も同様の効果が得られ、接着材料シートには紫外線硬化
樹脂等を用いても良い。
用いた例を示したが、金属基板に絶縁コーティングを施
したもの、あるいはセラミック等の無機材料なども絶縁
基板の材質として用いることは可能で、導電性粒子には
ニッケル粒子の代わりに他の金属あるいは銀パラジウム
等の合金材料、樹脂粒子に金属メッキを施したもの等で
も同様の効果が得られ、接着材料シートには紫外線硬化
樹脂等を用いても良い。
【００３４】
【発明の効果】上記実施例より明らかなように本発明は
絶縁基板に形成した貫通孔を通じて異方導電性接着材料
を用いて層間接続を行っているため、非常に簡便なプロ
セスで貫通ビアホールは当然のことながら非貫通ビアホ
ールの形成法をも提供できるものである。
絶縁基板に形成した貫通孔を通じて異方導電性接着材料
を用いて層間接続を行っているため、非常に簡便なプロ
セスで貫通ビアホールは当然のことながら非貫通ビアホ
ールの形成法をも提供できるものである。
【図１】本発明の回路形成基板の製造方法の第１の実施
例を示す工程図
例を示す工程図
【図２】本発明の回路形成基板の製造方法の第２の実施
例を示す工程図
例を示す工程図
【図３】本発明の回路形成基板の製造方法の第３の実施
例を示す工程図
例を示す工程図
【図４】従来の回路形成基板の断面図
【図５】従来の回路形成基板の製造方法の工程説明図
１ 絶縁基板 ２ 貫通孔 ３ 導電性粒子 ４ 接着材料シート ５ 銅箔 ６ シリコンゴム ７ 金属板 ８ 凸部 ９ 回路 １０ ビアホール １１ 内層コア基板 １２ 貫通ビアホール １３ ブラインドビアホール １４ インナービアホール １５ 樹脂基材 １６ 金属めっき層
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｎ 6921−4Ｅ Ｂ 6921−4Ｅ (72)発明者 三田村 貞雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 岸本 邦雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (16)
- 【請求項１】貫通孔を形成した絶縁基板と、前記絶縁基
板の両面に形成された回路と、前記貫通孔を通じて前記
回路を前記絶縁基板の両面間で電気的に接続する接続手
段からなり、前記接続手段が厚み方向に体積を減少させ
たときに厚み方向のみに電気的導通を発現する程度に導
電性粒子を絶縁性接着材料中に分散させた異方導電性接
着材料であることを特徴とする回路形成基板。 - 【請求項２】回路が金属箔をパターンニングして形成さ
れたことを特徴とする請求項１記載の回路形成基板。 - 【請求項３】絶縁基材に樹脂を含浸し硬化させた絶縁基
板を用いたことを特徴とする請求項１または２記載の回
路形成基板。 - 【請求項４】ガラス繊維織布あるいは不織布に熱硬化性
樹脂を含浸し硬化させた絶縁基板を用いたことを特徴と
する請求項３記載の回路形成基板。 - 【請求項５】アラミド繊維織布あるいは不織布に熱硬化
性樹脂を含浸し硬化させた絶縁基板を用いたことを特徴
とする請求項３記載の回路形成基板。 - 【請求項６】異方導電性接着材料中に導電性粒子と共に
絶縁性粒子を分散させたことを特徴とする請求項１から
５の何れかに記載の回路形成基板。 - 【請求項７】請求項１から６のの何れかに記載の回路形
成基板を少なくとも２枚以上積層し、多層化したことを
特徴とする回路形成基板。 - 【請求項８】絶縁基板に貫通孔を形成する工程と、前記
絶縁基板の両面に異方導電性接着材料を配置し、さらに
前記異方導電性接着材料の外側に金属箔を配置して加熱
加圧による一体成形を行なう工程と、前記金属箔をパタ
ーンニングして回路を形成する工程を備えたことを特徴
とする回路形成基板の形成方法。 - 【請求項９】異方導電性接着材料がシート状であること
を特徴とする請求項８記載の回路形成基板の製造方法。 - 【請求項１０】絶縁基板がプリプレグシートであること
を特徴とする請求項８または９記載の回路形成基板の製
造方法。 - 【請求項１１】加熱加圧を行なうツール表面の絶縁基板
の貫通孔に対応する位置に凸部を設けたことを特徴とす
る請求項８から１０の何れかに記載の回路形成基板の製
造方法。 - 【請求項１２】絶縁性有機高分子材料中に厚み方向に体
積減少させたときに厚み方向にのみ導電性を発現する程
度に導電性粒子を分散させた基板材料と前記基板材料の
両面に形成した回路からなり、前記両面に形成した回路
が所望の箇所で前記導電性粒子にて電気的に接続されて
いることを特徴とする回路形成基板。 - 【請求項１３】基板材料に絶縁性粒子、絶縁性繊維の少
なくとも一方を分散させたことを特徴とする請求項１２
記載の回路形成基板。 - 【請求項１４】金属箔をパターンニングして回路を形成
したことを特徴とする請求項１２または１３記載の回路
形成基板。 - 【請求項１５】絶縁性有機高分子材料中に厚み方向に体
積減少させたときに厚み方向にのみ導電性を発現する程
度に導電性粒子を分散させた基板材料の両面に金属箔を
配置し加圧加熱して一体成形する工程と、前記金属箔を
パターンニングして回路を形成する工程を備えたことを
特徴とする回路形成基板の製造方法。 - 【請求項１６】加熱加圧を行なうツール表面の、基板材
料両面間で接続を行なう箇所に対応する部分に凸部を設
けたことを特徴とする請求項１５記載の回路形成基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26956694A JP3482712B2 (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 回路形成基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26956694A JP3482712B2 (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 回路形成基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139425A true JPH08139425A (ja) | 1996-05-31 |
| JP3482712B2 JP3482712B2 (ja) | 2004-01-06 |
Family
ID=17474153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26956694A Expired - Fee Related JP3482712B2 (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 回路形成基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3482712B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203735A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Ibiden Co Ltd | コンデンサ、多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 |
| KR20030076846A (ko) * | 2002-03-23 | 2003-09-29 | 채옥순 | 박막을 이용한 전자부품용 부자재의 제조방법 및 그 장치 |
| WO2015125951A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 株式会社村田製作所 | 多層基板の製造方法および多層基板 |
-
1994
- 1994-11-02 JP JP26956694A patent/JP3482712B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203735A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Ibiden Co Ltd | コンデンサ、多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 |
| KR20030076846A (ko) * | 2002-03-23 | 2003-09-29 | 채옥순 | 박막을 이용한 전자부품용 부자재의 제조방법 및 그 장치 |
| WO2015125951A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 株式会社村田製作所 | 多層基板の製造方法および多層基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3482712B2 (ja) | 2004-01-06 |
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