JPH08139339A

JPH08139339A - 半導体部品およびその製造方法

Info

Publication number: JPH08139339A
Application number: JP30303494A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Takada; 英一高田; Yasuo Fujii; 康生藤井; Masaki Takeuchi; 雅樹竹内; Tomoji Iyoda; 友二伊豫田; Akihiko Shibata; 明彦柴田; Katsuhiko Tanaka; 克彦田中
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1994-11-11
Filing date: 1994-11-11
Publication date: 1996-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】外部からの衝撃や押圧力に対して優れた耐久
性を有する半導体部品を製造する。【構成】圧電薄膜振動子を製造するに際して、まず素
子形成工程では、第１のシリコンウェハ２１の（１０
０）面に異方性エッチング等を施して振動部４，電極端
子１１，１２等を形成し、第２のシリコンウェハ２２の
（１００）面に異方性エッチングを施して凹部，コンタ
クトホール１４を有する封止体１３を形成する。次に、
接合工程では、第１のシリコンウェハ２１の＜１１０＞
面方位と第２のシリコンウェハ２２の＜１１０＞面方位
とが４５度ずれするように配置して両者を接合する。こ
れにより、シリコンウェハ２１，２２が互いに補強し合
い、全体としての強度が向上する。次に、切断工程で、
接合されたシリコンウェハ２１，２２を二点鎖線に沿っ
て切断して各圧電薄膜振動子を分離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、シリコン材料によって
形成された加速度センサ，圧力センサ，発振器等の半導
体部品およびその製造方法に関し、特に、加速度セン
サ，圧力センサ，発振器等の要部となるセンサ部，共振
子等が封止体によって封止された構成を有する半導体部
品およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、シリコン材料をエッチングする
ことによって製造される加速度センサ、圧力センサまた
は発振器等の半導体部品（Ｓiマイクロデバイス）は、
例えば、特開昭６０−６８７１０号の公報等によって広
く知られている。

【０００３】前記公報による半導体部品は、単結晶シリ
コン板材（シリコンウェハ）の一側面から異方性エッチ
ングを施すことにより、中央部が薄肉のダイヤフラムと
なるように形成し、該ダイヤフラム上に一対の金属薄膜
（電極）と圧電薄膜からなる素子部としての振動部を形
成する構成を有する圧電薄膜共振子である。

【０００４】このような半導体部品は、外界からの異物
との接触や、大気中の湿度による悪影響を防止するため
に、該半導体部品の振動部を封止する必要がある。従っ
て、該半導体部品の振動部が形成された単結晶シリコン
板材の表面と裏面のうち一方の面または両面に封止体を
設け、振動部を保護するようにしている。

【０００５】ここで、前記封止体に、ガラス材料からな
るガラス板材を用いた半導体部品が一般に知られている
が、ガラス板材による封止体では、振動部が形成された
単結晶シリコン板材とガラス板材との熱膨張係数が異な
るため、周囲の温度変化の影響を受けて、半導体部品に
歪み変形が生じ、振動部の振動特性が変化してしまうと
いう問題がある。

【０００６】また、ガラス材料による封止体では、半導
体部品の電極端子に外部からリード線等を接続するため
のコンタクトホールの形成が困難なため、電極端子の配
置等に設計上大きな制限が課せられる結果となり、半導
体部品を容易に製造することができないという問題があ
る。

【０００７】そこで、上記問題を解決する手段として、
前記封止体に、単結晶シリコン板材を用いた半導体部品
が知られている。このように封止体にも単結晶シリコン
材料を用いることにより、半導体部品全体の熱膨張係数
を一致させることができ、温度変化に対する強度を向上
させることができると共に、コンタクトホールの形成
も、エッチング等の処理により容易に行うことができる
ようになる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術では、半導体部品の封止体に単結晶シリコン板材
を用いることにより、温度変化に対する強度を向上させ
る等の優れた効果を得ることができる。しかし、その反
面で、下記に示す理由により、外部からの衝撃や押圧力
等に対する強度が不足するという問題がある。

【０００９】即ち、前記半導体部品の振動部等を異方性
エッチング等により加工する場合、通常、単結晶シリコ
ン板材（シリコンウェハ）の（１００）面を使用する。
また、前記封止体にコンタクトホールの形成する場合に
も、単結晶シリコン板材の（１００）面を使用する。こ
の両材料を組み合わせて封止すると、双方の単結晶シリ
コン板材のへき開面の＜１１０＞面方位が揃う構造とな
る。

【００１０】しかし、各単結晶シリコン板材の＜１１０
＞面方位が揃う構造では、単結晶シリコン板材のへき開
面が割れ易いため、製造時に単結晶シリコン板材を個々
の半導体部品毎に切断するときの衝撃や、半導体部品の
完成後に外部から作用する衝撃，押圧力等に対して半導
体部品が破損し易くなるという問題がある。

【００１１】本発明は上述のような従来技術の問題に鑑
みなされたもので、本発明は、外部からの衝撃，押圧力
等に対する強度を向上させることができる半導体部品お
よびその製造方法を提供することを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１の発明による半導体部品は、単結晶シ
リコンからなる基板と、該基板に形成された素子部と、
該素子部を封止するために前記基板のへき開面の面方位
に対してへき開面の面方位がずれた状態で前記基板上に
接合された単結晶シリコンからなる封止体とからなる構
成を採用している。

【００１３】この場合、請求項２の発明の如く、前記基
板と封止体の互いのへき開面の面方位を４５度ずらす構
成とするのが好ましい。

【００１４】また、請求項３の発明による半導体部品の
製造方法は、第１の単結晶シリコン板材に半導体部品の
素子部を形成する素子形成工程と、該素子形成工程で半
導体部品の素子部が形成された前記第１の単結晶シリコ
ン板材に第２の単結晶シリコン板材を互いのへき開面の
面方位がずれるように配置して接合する接合工程とから
なる構成を採用している。

【００１５】また、請求項４の発明による半導体部品の
製造方法は、第１の単結晶シリコン板材に複数の半導体
部品の素子部を形成する素子形成工程と、該素子形成工
程で各半導体部品の素子部が形成された前記第１の単結
晶シリコン板材に第２の単結晶シリコン板材を互いのへ
き開面の面方位がずれるように配置して接合する接合工
程と、第１の単結晶シリコン板材と第２の単結晶シリコ
ン板材とを接合させた状態で切断することにより、基板
と封止体との間に素子部を収容した半導体部品として形
成する切断工程とからなる構成を採用している。

【００１６】この場合、請求項５の発明の如く、前記接
合工程では、前記第１の単結晶シリコン板材に第２の単
結晶シリコン板材のへき開面の面方位を互いに４５度ず
れるように配置して接合するのが好ましい。

【００１７】

【作用】請求項１の構成によれば、封止体を基板上に互
いのへき開面の面方位がずれた状態となるように接合し
たため、前記基板を形成している単結晶シリコンのへき
開面に対し、前記封止体を形成している単結晶シリコン
のへき開面が交差する位置関係に配置されることとな
る。これにより、基板と封止体とがそれぞれのへき開面
を補強し合う構造となり、外部からの衝撃や押圧力に対
する基板および封止体の強度、ひいては半導体部品全体
としての強度を大幅に向上させることができる。

【００１８】また、請求項２の構成によれば、封止体と
基板のへき開面の面方位のずれを４５度に設定したこと
により、前記基板を形成している単結晶シリコンのへき
開面に対し、前記封止体を形成している単結晶シリコン
のへき開面が４５度の角度をもって交差する位置関係に
配置される。これにより、基板と封止体とがそれぞれの
へき開面を補強し合う構造となり、外部からの衝撃や押
圧力に対する基板および封止体の強度、ひいては半導体
部品全体としての強度を大幅に向上させることができ
る。

【００１９】請求項３または４の構成によれば、接合工
程において、第１の単結晶シリコン板材に第２の単結晶
シリコン板材を、互いのへき開面の面方位がずれるよう
に配置して接合するため、第１の単結晶シリコン板材の
へき開面と第２の単結晶シリコン板材のへき開面とが、
それぞれ交差した位置関係で配置されるようになる。こ
れにより、第１の単結晶シリコン板材と第２の単結晶シ
リコン板材とがそれぞれ互いに補強し合い、外部からの
衝撃や押圧力等に対する強度を大幅に向上させることが
できる。

【００２０】また、請求項５の構成によれば、接合工程
において、第１の単結晶シリコン板材の結晶方向に対し
て第２の単結晶シリコン板材のへき開面の面方位をずら
す角度を４５度に設定することにより、該第２の単結晶
シリコン板材に、例えばコンタクトホール等を形成した
場合には、該第２の単結晶シリコン板材の結晶構造上、
このコンタクトホール等の平面形状が上，下または左，
右で対称となるため、設計または製造の便宜を図ること
ができる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明による半導体部品およびその製
造方法を図１ないし図７に基づいて説明するに、まず、
本実施例では半導体部品として圧電薄膜共振子を例に挙
げる。

【００２２】図において、１は圧電薄膜共振子を示し、
該圧電薄膜共振子１は単結晶シリコンからなり、上面中
央に凹部２Ａを有する基板２と、該基板２の凹部２Ａ上
に位置し、左，右の支持梁３，３を介して該基板２に振
動可能に支持された素子部としての振動部４とから大略
構成され、前記基板２および各支持梁３の上面は絶縁膜
５（ＳiＯ₂ 膜）が形成されている。

【００２３】また、前記振動部４は、単結晶シリコンか
らなる振動部本体６と、該振動部本体６の上面に絶縁膜
７を介して形成された第１の金属薄膜８と、該金属薄膜
８上に形成されたＺnＯ等の圧電材料からなる圧電薄膜
９と、該圧電薄膜９上に形成された第２の金属薄膜１０
とから構成されている。そして、該振動部４は、振動部
本体６，圧電薄膜９および金属薄膜８，１０の形状によ
って決定される振動特性で振動する。さらに、前記金属
薄膜８，１０の一端は、それぞれ支持梁３，３上を伝っ
て伸長し、基板２上の右側，左側に配置された電極端子
１１，１２となっている。

【００２４】ここで、前記基板２，各支持梁３および振
動部４の振動部本体６は、後述する如く、表面が（１０
０）面である単結晶のシリコンウェハ２１に異方性エッ
チングを施すことによって形成される。

【００２５】１３は基板２上に接合される封止体を示
し、該封止体は前記基板２と同一の結晶方位を有する単
結晶シリコン材料から形成され、基板２上をカバーする
ことによって振動部４を外界の異物や水分から保護する
ためのものである。

【００２６】また、該封止体１３の下面中央には、図２
に示すように、凹部１３Ａが形成され、該封止体１３が
基板２上に接合された状態で、振動部４の振動を許すた
めの空間を画成するようになっている。さらに、該凹部
１３Ａの右側，左側にはコンタクトホール１４，１４が
封止体１１を上下方向に貫通するように形成されてい
る。そして、該各コンタクトホール１４は前記電極端子
１１，１２上に対応する位置に配置されており、電極端
子１１，１２と外部に設けられる電気回路（図示せず）
との電気的な接続をするために形成したものである。

【００２７】ここで、前記封止体１３は、前記基板２，
振動部本体６等と同様に、表面が（１００）面である単
結晶のシリコンウェハ２２に異方性エッチングを施すこ
とによって形成される。しかし、該封止体１３は、該封
止体１３を形成するシリコンウェハ２２の＜１１０＞面
方位が、前記基板２等を形成する前記シリコンウェハ２
１の＜１１０＞面方位に対して４５度ずらした状態で基
板２に接合されている。

【００２８】本実施例による圧電薄膜共振子は上述のよ
うな構成を有するものであり、電極端子１１，１２に外
部から電圧が印加されることにより、振動部４が所定の
振動特性で振動し、この振動に応じた周波数の発振を行
う。

【００２９】次に、上述した圧電薄膜共振子１の製造方
法について図３ないし図７を参照しつつ説明する。

【００３０】まず、図３に示す素子形成工程では、第１
の単結晶シリコン板材としてのシリコンウェハ２１に圧
電薄膜共振子１を構成する基板２の凹部２Ａ，各支持梁
３および振動部４等を形成する。

【００３１】また、図４に示すように、第２の単結晶シ
リコン板材としてのシリコンウェハ２２に封止体１３の
凹部１３Ａおよび各コンタクトホール１４を形成する。
なお、本実施例ではシリコンウェハ２１，２２に４個の
圧電薄膜共振子１を同時に形成する場合を例に挙げる。

【００３２】ここで、前述した２枚のシリコンウェハ２
１，２２は、単結晶シリコン材料からなり、通常、直径
が７．５〜１５．５ｃｍ程度で、厚さが３００μｍ程度
のものが用いられる。そして、両シリコンウェハ２１，
２２とも、表面が（１００）面となっており、この（１
００）面に異方性エッチング等を施すことにより、圧電
薄膜振動体１として必要な各部位を形成する。

【００３３】また、シリコンウェハ２１，２２の外周側
に形成された切り込みは、それぞれオリエンテーション
フラット２１Ａ，２２Ａを示し、シリコンウェハ２１に
ついては、オリエンテーションフラット２１Ａに平行な
図３中の矢示Ａ方向が該シリコンウェハ２１の＜１１０
＞結晶方位を示し、シリコンウェハ２２については、オ
リエンテーションフラット２２Ａに平行な図４中の矢示
Ｂ方向が該シリコンウェハ２２の＜１１０＞結晶方位を
示している。

【００３４】そして、前記素子形成工程の内容について
具体的に説明すると、シリコンウェハ２１の（１００）
面に所定のマスク膜（図２中の絶縁膜５，７）を形成し
た後、振動部本体６上に第１の金属薄膜８，圧電薄膜
９，第２の金属薄膜１０をスパッタ等の手段によって順
次形成する。その後、全面を保護膜で覆い、異方性エッ
チングを施すことにより基板２の凹部２Ａ、各支持梁３
および振動部本体６を形成する。

【００３５】一方、シリコンウェハ２２の（１００）面
には、異方性エッチングを施すことによって、凹部１３
Ａ、各コンタクトホール１４を形成する。この場合、後
述する接合工程で、シリコンウェハ２１の＜１１０＞面
方位とシリコンウェハ２２の＜１１０＞面方位とを互い
に４５度位置ずれさせて接合する都合上、凹部１３Ａ、
各コンタクトホール１４は、シリコンウェハ２２をシリ
コンウェハ２１に対して４５度回転させた状態で、シリ
コンウェハ２１上の電極端子１１，１２、振動部４に対
応する位置となるように形成する。

【００３６】次に、図５に示す接合工程では、シリコン
ウェハ２２の＜１１０＞結晶方位（図４中の矢示Ｂ方
向）がシリコンウェハ２１の＜１１０＞結晶方位（図３
中の矢示Ａ方向）に対して４５度ずれするように配置
し、この配置関係のまま、シリコンウェハ２１上にシリ
コンウェハ２２を直接接合する。

【００３７】次に、図６および図７中に示す切断工程で
は、接合されたシリコンウェハ２１，２２を図中の二点
鎖線に沿って切断し、４個の圧電薄膜共振子１を分離す
る。その後、必要な場合には該圧電薄膜共振子１の封止
体１３に形成された各コンタクトホール１４を介して、
電極端子１１，１２に外部の電気回路に接続するための
リード線を半田等によって接続する。

【００３８】以上のような製造方法によって圧力薄膜共
振子１は製造されるが、前記接合工程において、シリコ
ンウェハ２１の＜１１０＞面方位とシリコンウェハ２２
の＜１１０＞面方位とを互いに４５度ずらして両者を接
合するようにしたから、下記に示す作用効果を奏する。

【００３９】即ち、シリコンウェハ２１単体では、その
へき開面が割れ易いため、＜１１０＞面方位に沿って亀
裂が入る等、非常に破損し易い。もちろん、シリコンウ
ェハ２２単体の場合も同様である。また、従来技術のよ
うにシリコンウェハ２１とシリコンウェハ２２を両者の
＜１１０＞面方位を同一にして接合した場合であって
も、結晶方位が同一であることから、それぞれのシリコ
ンウェハ２１，２２に同一方向の亀裂が入り易く、全体
としての強度は向上しない。

【００４０】しかし、本実施例によれば、シリコンウェ
ハ２１の＜１１０＞面方位とシリコンウェハ２２の＜１
１０＞面方位とを互いに４５度位置ずれさせて両者を接
合するようにしたから、それぞれのへき開面が互いに交
差した配置関係となり、シリコンウェハ２１，２２が互
いに補強し合うようになる。これにより、全体としての
強度を大幅に向上させることができる。

【００４１】かくして、本実施例によれば、接合工程に
おいて、シリコンウェハ２１の＜１１０＞面方位とシリ
コンウェハ２２の＜１１０＞面方位とを互いに４５度位
置ずれさせて両者を接合したから、シリコンウェハ２１
およびシリコンウェハ２２の強度を大幅に向上させるこ
とができる。

【００４２】従って、本実施例によれば、前記接合工程
に続く切断工程において、切断時の衝撃がシリコンウェ
ハ２１，２２に作用しても、シリコンウェハ２１，２２
の破損を確実に防止することができ、圧電薄膜共振子１
の歩留を大幅に向上させることができる。

【００４３】また、圧電薄膜共振子１の完成後において
は、基板２と封止体１３とが互いに補強し合うため、圧
電薄膜共振子１を外部からの衝撃や押圧力に対して優れ
た耐久性を有するものとすることができる。さらに、本
実施例による圧電薄膜共振子１は、熱膨張係数が同一の
シリコン材料どうしを接合して封止する構成であるた
め、温度変化に対しても優れた耐久性を有することはい
うに及ばない。

【００４４】なお、前記実施例では、単結晶シリコン板
材としてのシリコンウェハ２１，２２に４個の圧電薄膜
共振子１を形成するものとして述べたが、本発明はこれ
に限るものでなく、単結晶シリコン板材に１個，２個，
３個または５個以上の圧電薄膜共振子１を形成する場合
でも、本発明を適用することができる。

【００４５】例えば、ここで単結晶シリコン板材に単一
の圧電薄膜共振子１を製造する場合について述べると、
素子形成工程において、平面方形状の第１の単結晶シリ
コン板材３１によって基板２を形成し、そして、該基板
２上に振動部４等を形成する。また、平面法形状の第２
の単結晶シリコン板材３２によって封止体１３を形成す
る。

【００４６】そして、接合工程において、図８に示す如
く、前記第１の単結晶シリコン板材３１（基板２）の上
に第２の単結晶シリコン板材３２（封止体１３）を互い
のへき開面の面方位をずらした状態で接合することによ
り、基板２と封止体１３との間に振動部４等を収容した
圧電薄膜共振子１を形成する場合にも本発明を適用する
ことができる。

【００４７】また、前記実施例では、シリコンウェハ２
１の＜１１０＞面方位に対してシリコンウェハ２２の＜
１１０＞面方位を４５度位置ずれさせて接合するものと
して述べたが、本発明はこれに限るものでなく、両者の
結晶方位が互いに交差するような配置関係であれば、他
の角度、例えば、３０度，４０度，６０度等に設定して
もよい。

【００４８】また、前記実施例では、圧電薄膜共振子１
を製造する場合、表面が（１００）面のシリコンウェハ
２１を用い、このシリコンウェハ２１の（１００）面に
異方性エッチングを施して素子部（振動部４）を形成す
るものとして述べたが、製造する半導体部品によっては
表面が（１１０）面または（１１１）面のシリコンウェ
ハを用い、このシリコンウェハの（１１０）面または
（１１１）面に素子部を形成する場合もあり、この場合
にも本発明を適用することができる。

【００４９】また、前記実施例では、封止体１３の材料
として表面が（１００）面のシリコンウェハ２２を用
い、このシリコンウェハ２２の（１００）面に異方性エ
ッチングを施して凹部１３Ａ，各コンタクトホール１４
を形成するものとして述べたが、本発明はこれに限るも
のでなく、表面が（１１０）面または（１１１）面のシ
リコンウェハを用い、このシリコンウェハの（１１０）
面または（１１１）面に封止体の凹部やコンタクトホー
ルを形成する場合にも適用できる。

【００５０】また、前記実施例では、封止体１３（シリ
コンウェハ２２）に凹部１３Ａ，各コンタクトホール１
４を形成したが、半導体部品の種類（素子部の形状等）
によって凹部１３Ａ，各コンタクトホール１４が不要な
場合もあり、この場合には、封止体１３（シリコンウェ
ハ２２）を単なる平板状とし、シリコンウェハ凹部１３
Ａ，各コンタクトホール１４を廃止してもよい。

【００５１】一方、前記実施例では、基板２（シリコン
ウェハ２１）の一側面にのみ封止体１３（シリコンウェ
ハ２２）を配設するものとして述べたが、本発明はこれ
に限るものでなく、２枚の封止体を基板２の表面と裏面
に該基板２を挟むようにそれぞれ配設する構成としても
よく、この場合には、基板２を形成するシリコン材料の
へき開面の面方位に対して各封止体を形成するシリコン
材料のへき開面の面方位がずれるように配置する。

【００５２】さらに、前記実施例では、半導体部品とし
て圧電薄膜共振子を例に挙げて説明したが、本発明はこ
れに限るものでなく、加速度センサ，圧力センサ等、シ
リコン材料で形成された他の半導体部品にも適用するこ
とができる。

【００５３】

【発明の効果】以上詳述した通り、請求項１または２の
発明によれば、封止体を基板上に互いのへき開面の面方
位がずれた状態で接合する構成にしたから、外部からの
衝撃や押圧力に対する基板および封止体の強度を大幅に
向上させることができる。従って、半導体部品の耐久性
を大幅に向上させることができる。

【００５４】また、請求項３，４または５の発明によれ
ば、接合工程において、第１の単結晶シリコン板材に第
２の単結晶シリコン板材を、互いのへき開面の面方位が
ずれるように配置して接合する構成としたため、外部か
らの衝撃や押圧力等に対する第１の単結晶シリコン板材
および第２の単結晶シリコン板材の強度を大幅に向上さ
せることができ、耐久性の優れた半導体部品を製造する
ことができる。

【００５５】特に、請求項４の発明によれば、接合工程
において、第１の単結晶シリコン板材に第２の単結晶シ
リコン板材を互いのへき開面の面方位がずれるように配
置して接合し、各単結晶シリコン板材の強度を大幅に向
上させたから、切断工程において、各単結晶シリコン板
材を切断するときに作用する衝撃によって、該各単結晶
シリコン板材が破損するのを確実に防止でき、半導体部
品製造の歩留を向上させることができる。

【００５６】さらに、請求項５の発明によれば、接合工
程において、第１の単結晶シリコン板材のへき開面の面
方位に対して第２の単結晶シリコン板材のへき開面の面
方位をずらす角度を４５度に設定する構成としたから、
例えば、前記第２の単結晶シリコン板材にコンタクトホ
ール等を形成した場合には、このコンタクトホール等の
平面形状を上，下または左，右で対称となるような形状
に形成でき、設計または製造の便宜を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による圧電薄膜共振子の基板と
封止体を示す分解斜視図である。

【図２】本発明の実施例による圧電薄膜共振子を示す断
面図である。

【図３】圧電薄膜共振子の振動部，電極端子等が形成さ
れたシリコンウェハを示す平面図である。

【図４】圧電薄膜共振子の封止体が形成されたシリコン
ウェハを示す平面図である。

【図５】接合工程を示す斜視図である。

【図６】接合工程に続く切断工程を示す平面図である。

【図７】図６中の矢示VII −VII 方向からみた断面図で
ある。

【図８】単一の圧電薄膜共振子を製造する場合の接合工
程を示す斜視図である。

【符号の説明】

１圧電薄膜共振子（半導体部品）２基板４振動部（素子部）１３封止体２１，２２シリコンウェハ（単結晶シリコン板材）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者伊豫田友二京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者柴田明彦京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者田中克彦京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】単結晶シリコンからなる基板と、該基板
に形成された素子部と、該素子部を封止するために前記
基板のへき開面の面方位に対してへき開面の面方位がず
れた状態で前記基板上に接合された単結晶シリコンから
なる封止体とから構成してなる半導体部品。
【請求項２】前記基板と封止体の互いのへき開面の面
方位を４５度ずらしてなる請求項１記載の半導体部品。
【請求項３】第１の単結晶シリコン板材に半導体部品
の素子部を形成する素子形成工程と、該素子形成工程で
半導体部品の素子部が形成された前記第１の単結晶シリ
コン板材に第２の単結晶シリコン板材を互いのへき開面
の面方位がずれるように配置して接合する接合工程とか
らなる半導体部品の製造方法。
【請求項４】第１の単結晶シリコン板材に複数の半導
体部品の素子部を形成する素子形成工程と、該素子形成
工程で各半導体部品の素子部が形成された前記第１の単
結晶シリコン板材に第２の単結晶シリコン板材を互いの
へき開面の面方位がずれるように配置して接合する接合
工程と、第１の単結晶シリコン板材と第２の単結晶シリ
コン板材とを接合させた状態で切断することにより、基
板と封止体との間に素子部を収容した半導体部品として
形成する切断工程とからなる半導体部品の製造方法。
【請求項５】前記接合工程では、前記第１の単結晶シ
リコン板材に第２の単結晶シリコン板材のへき開面の面
方位を互いに４５度ずれるように配置して接合するもの
である請求項３または４記載の半導体部品の製造方法。