JPH08137119A - 電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 アモルファスシリコン系感光体、小粒径トナ
ー、２成分ブラシ現像の組み合わせを有する電子写真装
置において、カブリのないトータル性能に優れた電子写
真装置を提供する。 【構成】 現像剤として、平均粒径４．５〜９．０μ
ｍ、帯電量１０〜５０μＣ／ｇの小粒径トナーを用い、
かつ該感光体は、少なくとも表面からの深さ１μｍまで
の比誘電率（平均）が５以下、かつまたは比誘電率（平
均）が５以下の領域を該感光体表面から深さ０．１〜２
μｍの範囲で有するものを用いることを特徴とする電子
写真装置。更には、感光体の表面が凹凸処理を施されて
あり、凹部の曲率が、現像剤の平均曲率の２倍以上であ
ることを特徴とする電子写真装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真装置の関し、
特に電子写真装置の現像特性向上、すなわちカブリの少
ない電子写真装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】アモルファスシリコン系感光体は、表面
硬度が高く、可視光領域のみならず、半導体レーザー
（７７０ｎｍ〜８００ｎｍ）等の長波長光にも高い感度
を有し、しかも繰返し使用による劣化も殆ど認められな
い等、ハロゲンランプを光源とする高速複写機や前記半
導体レーザーを用いたデジタル複写機・ＬＢＰ（レーザ
ービームプリンター）などの電子写真装置感光体として
評価されて使用されている。こうしたａ−Ｓｉ感光体を
電子写真装置ならびに画像形成プロセスは概略以下のと
おりである。

【０００３】図３は代表的なａ−Ｓｉ感光体の模式的断
面図であって、３０１はＡｌ等の導電性支持体、３０５
は該導電性支持体３０１からの電荷の注入を阻止する為
の電荷注入阻止層、３０２は少なくとも非晶質シリコン
系の材料で構成され、光導電性を示す光導電層、３０４
は該光導電層３０２を保護する為の表面保護層、３０６
は導電性支持体３０１からの反射を防止する為の長波長
光吸収層である。

【０００４】図１はａ−Ｓｉ感光体を用いた従来の電子
写真装置の画像形成プロセスを示す概略図であって、Ｘ
方向に回転する紙面に垂直方向の回転円筒状のアモルフ
ァスシリコン感光体１０１の周辺には該感光体に近接し
て主帯電器１０２、画像形成光線１０３、現像器１０
４、転写紙給送系１１０、転写・分離帯電器１１２、ク
リーニング装置１０５、主除電光源１０６、搬送系１１
３などが配設してある。

【０００５】感光体１０１は主帯電器１０２によって一
様に帯電され、これに原稿の情報を有した画像形成光線
１０３を照射する事によって、感光体１０１上に静電潜
像が形成される。該潜像は現像器１０４からトナーが供
給されて可視像、すなわち、トナー像となる。

【０００６】一方、転写材Ｐは転写紙通路１１１、レジ
ストローラ１０９よりなる転写紙供給系１１０を通っ
て、感光体１０１方向へと供給され、転写帯電器１１２
と感光体１０１との間隙において、背面からトナーとは
反対極性の電界を与えられ、これによって、感光体表面
のトナー像は転写材Ｐに転移する。

【０００７】分離された転写材Ｐは、転写紙給送系１１
３を通って定着装置（図示せず）に至って装置外に排出
される。

【０００８】尚、転写部位において転写に寄与せず感光
体表面に残る残留トナーは、クリーナー１０５に至りク
リーニングブレード１０７によってクリーニングされ、
クリーニングにより更新された感光体１０１は、更に主
除電光源１０６から除電光を与えられて再び次の画像形
成プロセスに供せられる。

【０００９】また、図７は従来のフルカラー電子写真装
置の画像形成プロセスを示す概略図であって、Ｘ方向に
回転する紙面に垂直方向の回転円筒状の感光体７０１の
周辺には該感光体に近接して主帯電器７０２、画像形成
光線７０３、回転現像器７０４、転写紙給送系７０８〜
７１０、転写帯電器７０５、転写ドラム７０７、クリー
ニング装置７０６、主除電光源７１１などが配設してあ
る。

【００１０】感光体７０１は主帯電器７０２によって一
様に帯電され、これに原稿の情報を有した画像形成光線
７０３を照射する事によって、感光体７０１上に静電潜
像が形成される。該潜像は回転現像器７０４からトナー
が供給されて可視像、すなわち、トナー像となる。

【００１１】一方、転写材Ｐは転写紙通路７０８、レジ
ストローラ７０９よりなる転写紙供給系を通って、転写
ドラム７０７方向へと供給され、転写帯電器７０５と感
光体７０１との間隙において、背面からトナーとは反対
極性の電界を与えられ、これによって、感光体表面のト
ナー像は転写材Ｐに転移する。

【００１２】このプロセスを各々の色ごとに繰り返した
後、転写材Ｐは転写ドラム７０７から分離され、転写紙
搬送系７１０を通って定着装置（図示せず）に至って装
置外に排出される。

【００１３】尚、転写部位において転写に寄与せず感光
体表面に残る残留トナーは、クリーナー７０６によって
クリーニングされ、更新された感光体７０１は、更に主
除電光源７１１から除電光を与えられて再び次の画像形
成プロセスに供せられる。

【００１４】一方、現像方式は、モノクロ・カラー等、
そのニーズによって１成分現像・２成分ブラシ現像の様
々な方式が考案若しくは採用されており、一般に画像再
現特性は１成分現像より２成分ブラシ現像の方が優れて
いるとされているが、各方式にはそれぞれの特徴があ
る。

【００１５】主な現像方式について、その特徴を挙げる
と、以下の様になる。 （ａ）ＢＭＩ方式・ＦＥＥＤ方式（１成分・絶縁性・磁
性・接触） 特にＦＥＥＤ方式は２成分ブラシ現像とほぼ同等の画像
特性。 （ｂ）タッチダウン方式（１成分・絶縁性・非磁性・接
触） 接触現像によるカブリが問題。 （ｃ）ジャンピング方式（１成分・絶縁性・磁性・非接
触） 非接触のため、カブリ・傷の問題が少ない。 （ｄ）プロジェクション方式（１成分・絶縁性・非磁性
・非接触） 非接触のため、カブリ・傷の問題が少なく、非磁性のた
め、カラー化可能。 （ｅ）マグネダイナミック方式（１成分・導電性・磁性
・接触） 潜像電界による誘導帯電、ブラシ現像。

【００１６】正、負いずれの潜像でも現像できるが、転
写が困難。 （ｆ）ＩＭＢ方式（２成分・絶縁性・非磁性・接触） 絶縁性キャリアのため、現像後に逆極性電荷が蓄積され
る。

【００１７】ベタ部の再現性は良くないが、細線の再現
性は良い。 （ｇ）ＣＭＢ方式（２成分・絶縁性・非磁性・接触） 導電性キャリアのため、現像後に逆極性電荷が蓄積され
ない。

【００１８】ベタ部の再現性は良いが、低濃度の細線の
再現性が劣る。

【００１９】また、カブリについてここで簡単に説明す
る。

【００２０】カブリは、電界によるもの・鏡影力による
もの・付着力によるものが考えられる。 （Ａ）電界によるもの 主に、摩擦帯電方式に現れる現象であり、感光体上の本
来現像されない電位部に対して、現像剤が帯電分布を有
するが為に、現像され得る電界を有する現像剤が存在す
る『地カブリ』と、逆極性帯電現像剤による『反転カブ
リ』がある。 （Ｂ）鏡影力によるもの 主に、摩擦帯電方式に現れる現象であり、感光体上に接
触・飛翔した現像剤が有する電荷量と感光体の比誘電率
から決定される鏡影力により、感光体の電位に無関係に
感光体上に付着してしまうカブリ。 （Ｃ）付着力によるもの 感光体上に接触・飛翔した現像剤がファンデルワールス
力により、感光体の電位に無関係に感光体上に付着して
しまうカブリ。

【００２１】但し、非接触方式は交流バイアスを印加し
ているため、カブリに対しては問題にならない程度に軽
減できる。

【００２２】アモルファスシリコン感光体は、一般にＳ
ｅ・ＯＰＣ等、他の感光体と比較して比誘電率が大きい
事、現像剤の小径化は、鏡影力によるカブリに対しては
不利な方向であるが、ジャンピング方式を採用している
ため、問題にならない程度に軽減できている。

【００２３】一方、昨今のＯＡ市場においては、情報の
多様化・高度化から、オフィスでとられるコピーのカラ
ー化が進み、さらにはシステムの高速化・安定化が求め
られており、安定性・耐摩耗性等に極めて優れ超高速の
ヘビーデューティーマシン用として最も適したアモルフ
ァスシリコン系感光体のカラー複写装置への搭載開発が
進められる現状にあり、カラー用現像剤の開発状況から
勘案するに、２成分ブラシ現像との組み合わせが必要に
なると考えられる。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
とおり、アモルファスシリコン系感光体と小粒径トナー
そして２成分ブラシ現像の組み合わせは、鏡影力による
カブリに対しては不利な方向であり、特に多種類のトナ
ーを重ねて現像するカラー複写装置において、カブリと
いった現象は画質を著しく損なうといった問題があっ
た。

【００２５】そこで、鏡影力を小さくするため、アモル
ファスシリコン系感光体の比誘電率を下げようとする
と、Ｃ等を含んだ多元系にする必要がある。

【００２６】例えば、ＳｉＣ系の場合、その配合比率に
応じて比誘電率を変化させることは可能であるが、同時
に物性値、電気的特性、光学的特性、機械的強度も変化
し、従来からあるアモルファスシリコン系感光体の電子
写真特性を維持したままで、すべてを比誘電率の低いも
のに置き換えることは不可能であった。

【００２７】（発明の目的）本発明の目的は、アモルフ
ァスシリコン系感光体、小粒径トナー、２成分ブラシ現
像の組み合わせを有する電子写真装置において、カブリ
のないトータル性能に優れた電子写真装置を提供するこ
とにある。

【００２８】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、鏡影
力とそれによるカブリ及びトータル性能に関して鋭意検
討した結果、鏡影力に影響する表面近傍のみを比誘電率
の低いものに置き換え、少なくとも表面からの深さ１μ
ｍまでの比誘電率（平均）が５以下、かつまたは比誘電
率（平均）が５以下の領域を表面からの深さ０．１〜２
μｍの範囲で有するアモルファスシリコン系感光体を用
い、現像剤としては体積平均粒径４．５〜９．０μｍ、
帯電量１０〜５０μＣ／ｇの小粒径トナーを用い、より
好ましくは、感光体の表面に凹凸処理を施し、凹部の曲
率を現像剤の平均曲率の２倍以上にすることにより、ト
ータル性能に優れた電子写真装置を提供することが可能
になる。

【００２９】以下、本発明を図面及び種々の実験例に基
づき詳細に説明する。

【００３０】（実験例１）組成比ｖｓ硬度・屈折率（比
誘電率）・Ｅｇ 表面保護層の組成比（Ｓｉ，Ｃ）を変化させて、硬度・
屈折率（比誘電率）・Ｅｇの傾向を見た。

【００３１】ここで、本発明に用いられる代表的なアモ
ルファスシリコン感光体の模式的断面図を図３に、代表
的な堆積膜形成装置の模式図を図４に示す。

【００３２】硬度は、ビッカース硬度計により測定す
る。

【００３３】屈折率（比誘電率）は、長波長光多重干渉
により測定する。具体的にはガラス基板（Ｃｏａｎｉｎ
ｇ社製７０５９）上に表面保護層を成膜したサンプルを
可視分光器（日立３３０等）で、２５００ｎｍ付近から
短波長側に分光透過率を測定し（極値が４〜５個判る波
長範囲）、得られた極値の波長・透過率を用いて屈折率
を計算する。比誘電率は屈折率を２乗する事により求め
られる。

【００３４】Ｅｇは、屈折率を求めた分光透過率のデー
タから膜厚を計算し、各波長ごとの吸収係数を計算し
て、（αｈν）^1/2 −ｈνプロットした際のｈν軸切片
から求まる。

【００３５】図２（ａ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、硬度について、表面保護層の組成比（Ｃ／（Ｓ
ｉ＋Ｃ））を変化した際の結果であるが、組成比を増加
させていくと０．８を超えるあたりから硬度が低下する
領域を有している事がわかる。

【００３６】図２（ｂ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、屈折率（比誘電率）について、表面保護層の組
成比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を変化した際の結果である
が、組成比を増加に応じて単調に減少している事がわか
る。

【００３７】図２（ｃ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、Ｅｇについて、表面保護層の組成比（Ｃ／（Ｓ
ｉ＋Ｃ））を変化した際の結果であるが、組成比が０．
６の付近で極大値になる領域を有している事がわかる。

【００３８】（実験例２）組成比ｖｓ帯電能・感度・残
留電位・赤色再現性・カブリ 光導電層膜厚２５μｍ、電荷注入阻止層３μｍの感光体
において、表面保護層の膜厚を０．５μｍとして組成比
（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を変化させて、帯電能・感度・残
留電位・赤色再現性・カブリの傾向を見た。

【００３９】帯電能は、測定器としてキヤノン製複写機
ＮＰ６０６０を改造して現像器位置での表面電位が測定
できる様に、表面電位計（Ｔｒｅｋ社製３４４等）を組
み込んだものを用意する。感光体温度・主除電光を所定
の状態にし、感光体をセットして回転させ、画像露光を
ｏｆｆして、主帯電器に１ｍＡ流した際の表面電位を測
定して、帯電能とする。

【００４０】感度は、帯電能に引き続き、表面電位が４
００ｖになるように主帯電器の電流を調整した後、画像
露光をｏｎして表面電位が５０ｖになるように画像露光
量を調整し、その際の画像露光量をもって、感度とす
る。

【００４１】残留電位は、感度に引き続き、画像露光量
を最大にした際の表面電位を測定し、残留電位とする。

【００４２】赤色再現性は、主帯電器の電流量・画像露
光量を、感度を測定した時の状態にし、現像器をセット
して、原稿として図１１に示す分光反射率を有する証券
用朱肉と同じ分光反射率を有する赤インクで反射濃度
０．４５のφ５ｍｍ赤丸が印刷された赤再現性評価用チ
ャートＲＬ−１（部品番号：ＦＹ９−９０９３）、及び
黒インクによる適性画像評価用チャートＮＡ−７（（部
品番号：ＦＹ９−９０９６）を用い、ＮＡ−７の左半分
をカットし、右半分がＮＡ−７、左半分がＲＬ−１とな
る様に原稿台上に、ＮＡ−７、ＲＬ−１の順に重ねて用
い、ＮＡ−７チャート中の反射濃度０．３、φ５ｍｍの
黒丸が反射濃度０．５にコピーされるときのＲＬ−１チ
ャート中の反射濃度０．４５、φ５ｍｍの赤丸の画像濃
度を評価する事により行った。

【００４３】カブリは、測定器としてキヤノン製フルカ
ラー複写機ＣＬＣ５００を改造して現像器位置での表面
電位が測定できる様に、表面電位計（Ｔｒｅｋ社製３４
４等）を組み込んだものを用意する。感光体温度・主除
電光を所定の状態にし、感光体をセットして回転させ、
画像露光をｏｆｆして、表面電位が５００ｖになるよう
に主帯電器のグリッド電位を調整した後、画像露光をｏ
ｎして表面電位が１００ｖになるように画像露光量を調
整する。この状態で現像器をセットし、現像の直流バイ
アス成分を変化させて、単色ライン画像・単色ベタ白画
像・フルカラーベタ白画像をコピーする。同様に現像を
行なわず通紙し、それを基準紙とする。その後、反射率
計を用いてベタ白コピー及び基準紙の反射率を測定し、
それらの差をとってカブリ反射率としている。

【００４４】図５（ａ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、帯電能について、表面保護層の組成比（Ｃ／
（Ｓｉ＋Ｃ））を変化した際の結果であるが、組成比を
増加させて行くと帯電能は減少し、０．１を超えるあた
りから一定になる領域を有している事がわかる。

【００４５】図５（ｂ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、感度について、表面保護層の組成比（Ｃ／（Ｓ
ｉ＋Ｃ））を変化した際の結果であるが、組成比が０．
６の付近で極大値になる領域を有している事がわかる。

【００４６】図５（ｃ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、残留電位について、表面保護層の組成比（Ｃ／
（Ｓｉ＋Ｃ））を変化した際の結果であるが、組成比を
増加させて行くと残留電位は減少し、０．４を超えるあ
たりからが実用上差し支えない領域である事がわかる。

【００４７】図５（ｄ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、赤色再現性について、組成比（Ｃ／（Ｓｉ＋
Ｃ））を変化した際の結果であるが、組成比を変化させ
ると、極値を有する事がわかる。

【００４８】図５（ｅ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、カブリについて、表面保護層の組成比（Ｃ／
（Ｓｉ＋Ｃ））を変化した際の結果であるが、組成比の
増加に応じて、単調に減少している事がわかる。

【００４９】（実験例３）膜厚ｖｓ帯電能・感度・残留
電位・赤色再現性・カブリ 光導電層膜厚２５μｍ、電荷注入阻止層３μｍの感光体
において、組成比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））＝０．８の表面
保護層の膜厚を変化させて、実験例２と同様にして帯電
能・感度・残留電位・赤色再現性・カブリの傾向を見
た。

【００５０】図６（ａ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、帯電能について、表面保護層の膜厚を変化した
際の結果であるが、０．１μｍ以上ではほとんど変化し
ない事がわかる。

【００５１】図６（ｂ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、感度について、表面保護層の膜厚を変化した際
の結果であるが、周期的に変化している事がわかる。

【００５２】図６（ｃ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、残留電位について、表面保護層の膜厚を変化し
た際の結果であるが、１μｍ以上で急激に増加している
事がわかる。

【００５３】図６（ｄ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、赤色再現性について、表面保護層の膜厚を変化
した際の結果であるが、周期的に変化している事がわか
る。

【００５４】図６（ｅ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、カブリについて、表面保護層の膜厚を変化した
際の結果であるが、膜厚の増加に伴い、カブリの程度は
単調に減少している事がわかる。

【００５５】実験例１・２から、組成比には、好ましい
範囲が存在する事がわかった。例えば、ＳｉＣ系の場
合、組成比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））＝０．５〜０．８に好
ましい範囲が存在する事がわかる。

【００５６】実験例３から、膜厚には、好ましい範囲が
存在する事がわかった。例えば、ＳｉＣ系の場合、０．
１〜２．０μｍに好ましい範囲が存在する事がわかる。

【００５７】（実験例４）トナー粒径ｖｓカブリ・解像
度 光導電層膜厚２５μｍ、電荷注入阻止層３μｍ、表面保
護層０．８μｍ、組成比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））＝０．８
の感光体において、トナー粒径を変化させて、実験例２
と同様にしてカブリ・解像度の傾向を見た。

【００５８】解像度は、以下の方法で評価した。等間隔
に近接した直線群で間隔のことなる何段階かの直線群が
印刷してある原稿を用い、それをコピーした際の各々の
直線が分離して識別できる最小間隔の直線群をもって、
解像度とした。

【００５９】図８（ａ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、カブリについて、トナー粒径を変化した際の結
果であるが、粒径の増加に伴い、カブリが軽減する事が
わかる。

【００６０】図８（ｂ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、解像度について、トナー粒径を変化した際の結
果であるが、粒径の増加に伴い、解像度が悪化する事が
わかる。

【００６１】（実験例５）トリボｖｓカブリ・現像性 光導電層膜厚２５μｍ、電荷注入阻止層３μｍ、表面保
護層０．８μｍ、組成比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））＝０．８
の感光体において、トナーのトリボを変化させて、実験
例２と同様にしてカブリ・現像性の傾向を見た。

【００６２】現像性は、以下の方法で評価した。濃度の
異なる何段階かのベタ塗のφ５ｍｍ円が印刷してある原
稿を用い、それをコピーした際の各々のベタ塗のφ５ｍ
ｍ円のコピーと原稿の濃度比を評価する事により行なっ
た。

【００６３】図９（ａ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、カブリについて、トナーのトリボを変化した際
の結果であるが、トリボの増加に伴い、カブリが悪化す
る事がわかる。

【００６４】図９（ｂ）は、本実験の結果を示すグラフ
であり、現像性について、トナーのトリボを変化した際
の結果であるが、トリボが非常に低い場合、現像性が悪
化するがその他の領域で現像性はほとんど変わらない事
がわかった。

【００６５】（実験例６）曲率比（感光体の凹部／トナ
ー）ｖｓカブリ 光導電層膜厚２５μｍ、電荷注入阻止層３μｍ、表面保
護層０．８μｍ、組成比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））＝０．８
の感光体において、以下の方法により感光体表面に複数
の球状痕跡窪みによる凹凸を形成させ、曲率比（感光体
の凹部の曲率／トナーの曲率）を変化させて、実験例２
と同様にしてカブリの傾向を見た。

【００６６】感光体表面の複数の球状痕跡窪みによる凹
凸の形成原理は、図１２（ａ）に示すとおりであり、感
光体成膜前の導電性基板１に表面処理金属体７を自然落
下させて導電性基板に衝突させることにより、球状痕跡
窪み６を形成するものである。具体的には図１２（ｂ）
に示す様な装置によって形成した。円筒状の導電性基板
１１を回転させ、そこにほぼ同一の径の複数の球以下１
５を自然落下させ、図１２（ｃ）に示すような互いに重
複する窪みを形成させる。一方、球体１５はその後、自
動的に回収洗浄され、再び、円筒状の導電性基板１１の
上に自然落下するといったプロセスを繰り返す。

【００６７】このようにして複数の球状痕跡窪みによる
凹凸を表面に形成された円筒状の導電性基板に上記のよ
うな層構成で感光体を成膜すると、円筒状の導電性基板
の表面をほとんどトレースしたかたちで複数の球状痕跡
窪みによる凹凸を有する感光体を作成できる。

【００６８】図１０は、本実験の結果を示すグラフであ
り、カブリについて、曲率比（感光体の凹部／トナー）
を変化した際の結果であるが、曲率比の増加に伴い、カ
ブリが軽減する事がわかる。

【００６９】ここで、表面保護層としてＳｉＣを例に挙
げたが、この限りではなく、他の手段によって比誘電率
を変化させても同様の効果が期待できる。すなわち、本
発明はこれらの実験例によって制限されるものではな
い。

【００７０】本発明をさらに以下の実施例により説明す
るが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではな
い。すなわち、表面保護層は単層・均一層が必須ではな
く、複層・傾斜層等が好ましい場合もあることは言うま
でもない。

【００７１】以上説明したように、少なくともアモルフ
ァスシリコンを含む感光体に隣接して、少なくとも主帯
電器、画像形成光照射手段、現像器、転写手段を備えた
電子写真装置において、現像剤として用いるトナーの平
均粒径は、実験例４、図８に示されるように、４．５〜
９．０μｍとすることにより、解像度が良好かつカブリ
が少ないという作用効果が得られる。

【００７２】また、トナーの帯電量は、実験例５、図９
に示されるように、１０〜５０μＣ／ｇのトナーを用い
ることにより、現像性が良好かつカブリが少ないという
作用効果が得られる。

【００７３】また、感光体は、実験例１，２、図２，５
に示されるように、少なくとも表面からの深さ１μｍま
での比誘電率の平均が４以上５以下とすることにより、
硬度、透光性にすぐれ、残留電位、赤再現性、カブリが
良好という作用効果が得られる。

【００７４】また、実験例３、図６に示されるように、
比誘電率の平均が４以上５以下の領域を該感光体表面か
ら深さ０．１〜２μｍの範囲で有するようにすることに
より、残留電位、赤再現性、カブリが良好という作用効
果が得られる。

【００７５】また、実験例６、図１０に示されるよう
に、感光体は、その表面に凹凸処理を施し、該凹部の曲
率を、前記現像剤の平均曲率の２倍以上とすることによ
り、カブリが少ないという作用効果が得られる。

【００７６】

【実施例】

（実施例１）電荷注入阻止層３μｍ、光導電層膜厚２５
μｍ、組成比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））＝０．６の表面保護
層１．５μｍ、表面の平均曲率６（／ｍｍ）のアモルフ
ァスシリコン感光体及び、平均粒径５μｍジャンピング
現像用１成分小粒径トナー、即ち、現像剤として、平均
粒径５μｍ、帯電量１０〜５０μＣ／ｇのトナーを用
い、該感光体の表面は、凹凸処理が施されてあり、その
凹部の曲率は、前記現像剤の平均曲率の２倍以上とし
た。を、図１に示すような電子写真装置にセットして初
期状態で単色ラインコピー、単色ベタコピーを行い、カ
ブリ・画質を評価した。さらに５０万枚のコピーを行っ
た後に同様のコピーを行い、カブリ・画質を評価した。

【００７７】第１表に結果を示す。

【００７８】初期・耐久後とも非常に安定して高品質の
画像を得ることができた。

【００７９】（実施例２）電荷注入阻止層３μｍ、光導
電層膜厚２５μｍ、組成比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））＝０．
６の表面保護層１．５μｍ、表面の平均曲率６（／ｍ
ｍ）のアモルファスシリコン感光体及び、平均粒径５μ
ｍの２成分ブラシ現像用小粒径トナー、即ち、現像剤と
して、平均粒径５μｍ、帯電量１０〜５０μＣ／ｇのト
ナーを用い、該感光体の表面は、凹凸処理が施されてあ
り、その凹部の曲率は、前記現像剤の平均曲率の２倍以
上とした。を、キヤノン製フルカラー複写機ＣＬＣ５０
０を改造した図７に示すような電子写真装置にセットし
て初期状態で単色ラインコピー・単色ベタコピー・フル
カラーコピーを行い、カブリ・画質を評価した。さらに
５０万枚のコピーを行った後に同様のコピーを行い、カ
ブリ・画質を評価した。

【００８０】第１表に結果を示す。

【００８１】初期・耐久後とも非常に安定して高品質の
画像を得ることができた。

【００８２】（実施例３）電荷注入阻止層３μｍ、光導
電層膜厚２５μｍ、組成比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））＝０．
８の表面保護層０．８μｍ、表面の平均曲率１０００
（／ｍｍ）のアモルファスシリコン感光体及び、平均粒
径５μｍの２成分ブラシ現像用小粒径トナー、即ち、現
像剤として、平均粒径５μｍ、帯電量１０〜５０μＣ／
ｇのトナーを用い、該感光体の表面は、凹凸処理が施さ
れてあり、その凹部の曲率は、前記現像剤の平均曲率の
２倍以上とした。を、キヤノン製フルカラー複写機ＣＬ
Ｃ５００を改造した図７に示すような電子写真装置にセ
ットして初期状態で単色ラインコピー・単色ベタコピー
・フルカラーコピーを行い、カブリ・画質を評価した。
さらに５０万枚のコピーを行った後に同様のコピーを行
い、カブリ・画質を評価した。

【００８３】第１表に結果を示す。

【００８４】初期・耐久後とも非常に安定して高品質の
画像を得ることができた。

【００８５】本実施例においては、下記の理由により現
像剤として小粒径トナーを用いており、より高精細の画
像を得ることができるがカブリに対しては不利な方向で
あるが、感光体の表面保護層を改良した事によりカブリ
のない高品質の画像を達成している。

【００８６】小粒径トナーを用いる理由 近年では印刷並みの高画質が要求されているのが実情で
あり、１００μｍ程度以下の極細線を再現しようとする
と線幅の太りや細りが発生し、例えば２ｍｍ×２ｍｍ程
度の大きさの「驚」の字などでは「□」の部分がつぶれ
て読みづらかったり、同じく「電」の字の横線が細って
しまったりする事が実用範囲内ではあるが生じていた。
そこで、現像材である絶縁性トナーの平均粒径を従来の
１０〜１２μｍから４．５〜９．０μｍの粒径の小さな
トナー（小粒径トナー）にすることにより画質の向上を
行い解像度の高い画像が得られる様になるものである。

【００８７】（比較例１）電荷注入阻止層３μｍ、光導
電層膜厚２５μｍ、組成比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））＝０．
９の表面保護層０．５μｍ、表面の平均曲率６（／ｍ
ｍ）のアモルファスシリコン感光体及び、平均粒径５μ
ｍのジャンピング現像用１成分小粒径トナー、即ち、現
像剤として、平均粒径５μｍ、帯電量１０〜５０μＣ／
ｇのトナーを用い、該感光体の表面は、凹凸処理が施さ
れてあり、その凹部の曲率は、前記現像剤の平均曲率の
２倍以上とした。を、図１に示すような電子写真装置に
セットして初期状態で単色ラインコピー・単色ベタコピ
ーを行い、カブリ・画質を評価した。さらに５０万枚の
コピーを行った後に同様のコピーを行い、カブリ・画質
を評価した。

【００８８】第１表に結果を示す。

【００８９】画質安定性は非常に良好であった。また、
カブリについては良好であるが、現像条件によっては認
められることもあった。

【００９０】（比較例２）電荷注入阻止層３μｍ、光導
電層膜厚２５μｍ、組成比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））＝０．
９の表面保護層０．５μｍ、表面の平均曲率６（／ｍ
ｍ）のアモルファスシリコン感光体及び、平均粒径５μ
ｍの２成分ブラシ現像用小粒径トナー、即ち、現像剤と
して、平均粒径５μｍ、帯電量１０〜５０μＣ／ｇのト
ナーを用い、該感光体の表面は、凹凸処理が施されてあ
り、その凹部の曲率は、前記現像剤の平均曲率の２倍以
上とした。を、キヤノン製フルカラー複写機ＣＬＣ５０
０を改造した図７に示すような電子写真装置にセットし
て初期状態で単色ラインコピー・単色ベタコピー・フル
カラーコピーを行い、カブリ・画質を評価した。さらに
５０万枚のコピーを行った後に同様のコピーを行い、カ
ブリ・画質を評価した。

【００９１】第１表に結果を示す。

【００９２】画質安定性は非常に良好であった。また、
カブリについては問題ないレベルではあるが有為差とし
て認められた。

【００９３】

【表１】

【００９４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
現像剤として体積平均粒径４．５〜９．０μｍ、帯電量
１０〜５０μＣ／ｇの小粒径トナーを用い、アモルファ
スシリコン系感光体は少なくとも表面からの深さ１μｍ
までの比誘電率（平均）が５以下、かつまたは比誘電率
（平均）が５以下の領域を該感光体表面から深さ０．１
〜２μｍの範囲で有する様にし、より好ましくは、感光
体の表面に凹凸処理を施し、凹部の曲率を現像剤の平均
曲率の２倍以上にする事で、トータル性能に優れた電子
写真装置を提供することが可能になった。

【００９５】さらに、予期せぬ効果として転写残トナー
の軽減効果により、トナー利用効率が向上し、クリーナ
ーの負担が軽減され、クリーニング不良・感光体傷等の
弊害も軽減した。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のアモルファスシリコン感光体を用いた電
子写真装置の一例を示す概略構成図、

【図２】実験例１の結果を示す図、

【図３】本発明に用いたアモルファスシリコン感光体の
概略断面図、

【図４】代表的な堆積膜形成装置の概略構成図、

【図５】実験例２の結果を示す図、

【図６】実験例３の結果を示す図、

【図７】従来のフルカラー電子写真装置の一例の概略構
成図、

【図８】実験例４の結果を示す図、

【図９】実験例５の結果を示す図、

【図１０】実験例６の結果を示す図、

【図１１】赤色再現性評価の基準となる原稿の分光反射
率を示す図、

【図１２】感光体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸
を形成する装置の概略図、

【符号の説明】

１０１ アモルファスシリコン感光体、 １０２ 主帯電器、 １０３ 画像形成光線、 １０４ 現像器、 １１０ 転写紙給送系、 １１２ 転写・分離帯電器、 １０５ クリーニング装置、 １０６ 主除電光源、 １１３ 搬送系 ３０１は導電性支持体、 ３０５は電荷注入阻止層、 ３０２は光導電層、 ３０４は表面保護層、 ３０６は長波長光吸収層、

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくともアモルファスシリコンを含む
   感光体に隣接して、少なくとも主帯電器、画像形成光照
   射手段、現像器、転写手段を備えた電子写真装置におい
   て、 現像剤として、平均粒径４．５〜９．０μｍ、帯電量１
   ０〜５０μＣ／ｇのトナーを用い、 前記感光体は、少なくとも表面からの深さ１μｍまでの
   比誘電率の平均が５以下、かつ／または比誘電率の平均
   が５以下の領域を該感光体表面から深さ０．１〜２μｍ
   の範囲で有することを特徴とする電子写真装置。
2. 【請求項２】 前記感光体は、その表面に凹凸処理を施
   されてあり、該凹部の曲率が、前記現像剤の平均曲率の
   ２倍以上であることを特徴とする請求項１記載の電子写
   真装置。
3. 【請求項３】 前記感光体の表面凹凸処理は、ディンプ
   ル処理であることを特徴とする請求項２記載の電子写真
   装置。
4. 【請求項４】 現像方式が２成分ブラシ現像であること
   を特徴とする請求項１記載の電子写真装置。