JPH081363A - Ic解析用のパターンカッティング装置 - Google Patents

Ic解析用のパターンカッティング装置

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JPH081363A
JPH081363A JP6159250A JP15925094A JPH081363A JP H081363 A JPH081363 A JP H081363A JP 6159250 A JP6159250 A JP 6159250A JP 15925094 A JP15925094 A JP 15925094A JP H081363 A JPH081363 A JP H081363A
Authority
JP
Japan
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laser
pattern
chip
laser beam
cut
Prior art date
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Pending
Application number
JP6159250A
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English (en)
Inventor
Kenkichi Maeda
研吉 前田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ICチップ上の切断すべきパターン箇所に対
して的確にレーザ光を照射させることができるIC解析
用のパターンカッティング装置を提供する。 【構成】 ICチップ上に向けてレーザ光を発光するレ
ーザ発光部2と、レーザ発光部2でのレーザ出力を調整
可能なレーザ電源部3と、レーザ発光部2から発光され
たレーザ光の光束を制限するスリット孔11を有し、且
つそのスリット孔11の大きさを調整可能なレーザ絞り
部4と、ICチップ上のパターン像を拡大して目視確認
するための接眼部6とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ICチップ上に形成さ
れたパターンをレーザ光の照射により切断するIC解析
用のパターンカッティング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、ウエハ上に形成された個々のI
Cチップや、ウエハから個片に分離されたICチップ上
には複数のパターン回路が構成されている。これらのパ
ターン回路はそれぞれに特有の機能を持っているため、
例えば周辺温度や印加電圧などをパラメータとした様々
な使用条件にてICチップの動作特性を確認する場合
は、ICチップ上に形成されたパターンを切断して、そ
れらのパターン回路を個々に分離する必要がある。従来
のパターンカッティング装置では、レーザ発光部から発
光させたレーザ光をレンズ系により集束させ、その集束
させたレーザ光のスポットをICチップ上のパターンに
照射して、レーザ光の持つ強力なエネルギーによりパタ
ーンの所定箇所を切断するようにしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来装置
では、レーザ発光部から発したレーザ光がレンズ系を介
して直にICチップ上に照射される構造となっていたた
め、常に一定の大きさのスポット径しか得ることができ
ず、以下のような問題を抱えていた。すなわち、レーザ
光のスポット径に対してパターン幅が大きすぎる場合
は、ICチップまたは光源側を一定のピッチで移動させ
ながら、切断すべきパターンに対して複数回のレーザ照
射を行わなければならなかった。このため、複数回のレ
ーザ照射によるスポットの重なり部分ではICチップの
下層域にまで悪影響を及ぼす虞れがあった。一方、スポ
ット光に対してパターン幅が小さすぎる場合は、パター
ン切断箇所の周辺エリアにまで悪影響を及ぼす虞れがあ
った。
【0004】加えて従来装置では、目視確認により推定
されるレーザ照射位置を目分量でICチップ上のパター
ン切断箇所に合わせるようにしていたため、必ずしも所
望の箇所にレーザ光が照射されずに、人為的な位置合わ
せミスによって不要な箇所にレーザ光が照射され、解析
用のICチップを破損させてしまう虞れがあった。
【0005】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、その目的は、ICチップ上の切断すべきパ
ターン箇所に対して的確にレーザ光を照射させることが
できるIC解析用のパターンカッティング装置を提供す
ることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるIC解析
用のパターンカッティング装置は、ICチップ上に構成
された複数のパターン回路の動作特性をそれぞれのパタ
ーン回路毎に確認するにあたって、ICチップ上に形成
されたパターンの所定箇所をレーザ光の照射により切断
するものであり、主な構成部分としては、ICチップ上
に向けてレーザ光を発光するレーザ発光部と、レーザ発
光部でのレーザ出力を調整可能なレーザ電源部と、レー
ザ発光部から発光されたレーザ光の光束を制限するスリ
ット孔を有し、且つそのスリット孔の大きさを調整可能
なレーザ絞り部と、ICチップ上のパターン像を拡大し
て目視確認するための接眼部とを備えている。
【0007】また、上記構成部分に加えて、接眼部に対
するパターン像の入射を閉状態にて遮断するシャッター
機構を具備し、レーザ発光部でのレーザ出力が所定のレ
ベル以上のときにシャッター機構を閉状態とするもので
ある。
【0008】
【作用】本発明のパターンカッティング装置において
は、レーザ電源部より供給される電力をもってレーザ発
光部からICチップ上に向けてレーザ光が照射される。
その際、レーザ発光部から発光されたレーザ光はレーザ
絞り部のスリット孔を通してICチップ上に照射される
ため、ICチップ上ではスリット孔の大きさに対応した
レーザスポットが得られる。さらに、オペレータの目に
障害を与えない程度にレーザ発光部でのレーザ出力を調
整すれば、ICチップ上のパターン像とともに映し出さ
れるレーザ光のスポットエリアからパターンの切断箇所
を正確に事前確認できる。
【0009】加えて、レーザ発光部でのレーザ出力が所
定のレベル、すなわちオペレータの目に障害を与えるレ
ベル以上のときはシャッター機構が閉状態となり、接眼
部に対するパターン像の入射を遮断するため、オペレー
タの安全性が確保される。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明に係わるパターン
カッティング装置の一実施例を示す概略構成図である。
本実施例のパターンカッティング装置1は、主として、
レーザ光の発光源となるレーザ発光部2と、このレーザ
発光部2にレーザ発光のための電力を供給するレーザ電
源部3と、レーザ発光部2から発光されたレーザ光の光
束を制限するためのレーザ絞り部4と、ICチップ(不
図示)上のパターン像を顕微鏡5を介して目視確認する
ための接眼部6とを備えている。
【0011】レーザ発光部2は、例えばウエハ7にマト
リクス状に形成された個々のICチップに向けてレーザ
光を発光するもので、これは図示せぬウエハ載置ステー
ジに対向して配設されている。
【0012】レーザ電源部3は、レーザ発光部2への供
給電力を確認するためのレベルメーター8、レーザ発光
部2でのレーザ出力レベルを切り換えるための切換スイ
ッチ9およびレーザ発光部2への電力供給をオン/オフ
するためのプッシュボタン10を備えている。このレー
ザ電源部3では、オペレータが指でプッシュボタン10
を押すと同時にレーザ電源部3からレーザ発光部2に電
力供給がなされ、オペレータの指がプッシュボタン10
から離れると同時にレーザ電源部3からレーザ発光部2
への電力供給が断たれる。また、切換スイット9が図中
(a)側に接続された状態でプッシュボタン10を押し
た場合は、パターンカッティングに必要な電力がレーザ
発光部2に供給され、反対に切換スイッチ9が図中
(b)側に接続された状態でプッシュボタン10を押し
た場合は、接眼部6を介してパターン像を目視してもオ
ペレータの目に障害を与えない程度の電力がレーザ発光
部2に供給される。
【0013】レーザ絞り部4は、レーザ発光部2から発
光されたレーザ光の光束を制限するスリット孔11を有
するもので、これはレーザ発光部2の光軸と同軸状態で
顕微鏡5の上端部に連結されている。このレーザ絞り部
4は、例えば図2に示すように、四角い枠体12をベー
スに構成されている。枠体12の相対向する内壁面に
は、それぞれ一対をなす細長のガイド溝13,14が形
成されている。このうち、相対向する一方のガイド溝1
3には一対の第1遮光板15がスライド自在に係合して
いる。これに対して、相対向する他方のガイド溝14に
は上記第1遮光板15に直交する状態で一対の第2遮光
板16がスライド自在に係合している。
【0014】また、第1遮光板15の上面側にはそれぞ
れナット部材17が取り付けられており、これらのナッ
ト部材17にネジシャフト18が螺合している。ネジシ
ャフト18の雄ネジ部分はシャフト中央部分を境にネジ
切り方向が反転しており、その反転した雄ネジ部分がそ
れぞれナット部材17に螺合している。したがって、ネ
ジシャフト18を時計方向または反時計方向に回転させ
ると、その回転方向に応じて一対の第1遮光板15が相
対的に接離動作する。一方、第2遮光板16の下面側に
も上記同様にナット部材(不図示)が取り付けられ、且
つそれらのナット部材にネジシャフト19が螺合してい
る。そして、ネジシャフト19を回転させると、その回
転方向に応じて一対の第2遮光板16が相対的に接離動
作するようになっている。
【0015】レーザ絞り部4のスリット孔11は、上述
のごとく一対をなす第1遮光板15と第2遮光板16と
によって形成される孔であり、上記レーザ発光部2から
照射されるレーザ光のスポットエリア(図中二点鎖線で
示すエリア)よりも小さい孔径をもってレーザ光の光束
を制限する。このレーザ絞り部4では、一方のネジシャ
フト18を回転させて一対の第1遮光板15を接離動作
させたり、他方のネジシャフト19を回転させて一対の
第2遮光板16を接離動作させることによって、スリッ
ト孔11の大きさを自由に調整することができる。ま
た、第1遮光板15と第2遮光板16とで形成されるス
リット孔11は図示のごとく矩形状をなしており、スリ
ット孔11の大きさを調整する際はその縦横比について
も自由に調整することができる。
【0016】接眼部6は、顕微鏡5の胴体部分に組み込
まれており、ウエハ7上に形成された個々のICチップ
のパターン像をレンズ系により所定の倍率に拡大して目
視確認するためのものである。この接眼部6には、IC
チップ上のパターン像の入射を閉状態にて遮断するシャ
ッター機構20が組み込まれている。シャッター機構2
0は、レーザ電源部3における切換スイッチ9の接続状
態に基づいて開閉動作するもので、切換スイッチ9が
(a)側に接続された状態で閉状態となり、(b)側に
接続された状態で開状態となる。
【0017】続いて、本実施例のパターンカッティング
装置1を用いてICチップ上のパターンを切断する際の
手順について説明する。まず、レーザ電源部3の切換ス
イッチ9を(a)側に接続して、接眼部6のシャッター
機構20を開状態とする。この状態で、図示せぬウエハ
載置ステージにウエハ7をセットし、接眼部6よりパタ
ーン像を目視確認しながら、カットすべきICチップ上
のパターン箇所に顕微鏡5の焦点を合わせる。
【0018】次に、レーザ電源部3のプッシュボタン1
0を押してレーザ発光部2からレーザ光を発光させる。
これにより、ICチップ上にはレーザ光の照射によるス
ポットが映し出されるため、そのスポットエリアをオペ
レータが接眼部6を介して目視確認する。このとき、レ
ーザ発光部2でのレーザ出力は、レーザ電源部3の切換
スイッチ9が(b)側に接続されていることから、オペ
レータの目に障害を与えない程度の安全レベルに設定さ
れている。本装置では、ICチップ上におけるレーザ光
のスポットエリアでパターンが切断されることから、カ
ットすべきパターン幅に応じてレーザ絞り部4における
スリット孔11の大きさを調整する。
【0019】例えば図3に示すように、ウエハ7上に形
成されたICチップ21のパターンにおいて、図中C1
箇所またはC2箇所を切断する場合は、それぞのパター
ン幅に応じてレーザ絞り部4のネジシャフト18,19
(図2)を回転させる。これにより、レーザ絞り部4の
スリット孔11の大きさが変化し、接眼部6を通して見
えるレーザ光のスポットエリアも変化するため、オペレ
ータは、パターン中のC1箇所またはC2箇所をスポッ
トエリア(図中着色部)が横切る状態となるように上記
ネジシャフト18,19を適宜回転させ、それぞれのパ
ターン幅に応じてスリット孔11の大きさ(縦横比を含
む)を調整する。
【0020】続いて、レーザ電源部3の切換スイッチ9
を(a)側に接続して、接眼部6のシャッター機構2を
閉状態とする。この時点で、レベルメータ8のメモリを
見てレーザ発光部2への供給電力レベルの設定が適正で
あるか否か確認し、供給電力レベルが適正に設定されて
いない場合はICチップ21上のパターン厚に適合した
レーザ出力が得られるようにレベル調整を行う。なお、
ICチップ21上に形成されたパターン厚を自動的に測
定し、それぞれの測定パターン厚に適合したレーザ出力
が得られるようにレーザ電源部3での供給電力レベルを
自動的に設定する機能を付加すれば、いちいちレーザ電
源部3でのレベル調整を行う必要がなくなり、作業効率
のアップにつながる。
【0021】こうしてパターンカッティング前の装置設
定を終えたら、再度、プッシュボタン10を押して規定
の電力をレーザ発光部2に供給する。これにより、レー
ザ発光部2から高出力のレーザ光が発光され、これがレ
ーザ絞り部4のスリット孔11を通してICチップ21
上に照射される。その結果、ウエハ7のICチップ21
上ではレーザ光が照射されたスポットエリア(図3中の
着色部)で、レーザ絞り部4のスリット孔11の大き
さ、形状に応じたパターン切断がなされる。最後は、レ
ーザ電源部3の切換スイッチ9を再び(b)側に接続さ
せて、接眼部6のシャッター機構20を開状態とし、こ
の状態で先に切断したICチップのパターン像を目視確
認する。以降、切断すべきパターンが他に存在する場合
は上記同様の手順を繰り返し、切断すべきパターンを全
て処理した時点でウエハ7を取り出す。
【0022】なお、上記実施例においては、ウエハ7上
に形成されたICチップのパターンを切断する場合につ
いて説明したが、本発明のパターンカッティング装置は
これに限らず、ウエハ7から個片に切り離されたICチ
ップのパターンを切断する場合にも使用することが可能
である。
【0023】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
切断すべきパターン幅に応じてレーザ絞り部のスリット
孔の大きさを調整することにより、ICチップ上におけ
るレーザ光のスポットエリアを必要最小限度に抑えるこ
とができるため、パターンカッティング箇所以外へのレ
ーザ光照射による悪影響を確実に防止することが可能で
ある。また、切断すべきパターン幅に応じてレーザ光の
スポットエリアを可変としたので、幅広のパターンであ
っても1回のレーザ照射で切断することができる。この
ため、従来装置のようにレーザ光の重ね合わせ照射によ
ってICチップの下層域にまで悪影響を及ぼすことがな
い。さらに、実際にパターンを切断する前に接眼部を介
してカッティング位置を正確に目視確認できるため、従
来のように位置合わせミスによって解析用のICチップ
を破損してしまうことがない。加えて、レーザ発光部で
のレーザ出力が所定のレベル、すなわちオペレータの目
に障害を与えるレベル以上のときにシャッター機構が閉
状態となるため、パターンカッティング前後におけるパ
ターン像の目視確認の安全性も十分に確保される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のパターンカッティング装置の一実施例
を示す概略構成図である。
【図2】レーザ絞り部の構成例を示す斜視図である。
【図3】ICチップ上におけるパターンのカッティング
状態を説明する図である。
【符号の説明】
1 パターンカッティング装置 2 レーザ発光部 3 レーザ電源部 4 レーザ絞り部 6 接眼部 11 スリット孔 20 シャッター機構

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ICチップ上に構成された複数のパター
    ン回路の動作特性をそれぞれのパターン回路毎に確認す
    るため、前記ICチップ上に形成されたパターンの所定
    箇所をレーザ光の照射により切断するIC解析用のパタ
    ーンカッティング装置において、 前記ICチップ上に向けてレーザ光を発光するレーザ発
    光部と、 前記レーザ発光部でのレーザ出力を調整可能なレーザ電
    源部と、 前記レーザ発光部から発光されたレーザ光の光束を制限
    するスリット孔を有するとともに、前記スリット孔の大
    きさを調整可能なレーザ絞り部と、 前記ICチップ上のパターン像を拡大して目視確認する
    ための接眼部とを備えたことを特徴とするIC解析用の
    パターンカッティング装置。
  2. 【請求項2】 前記接眼部に対する前記パターン像の入
    射を閉状態にて遮断するシャッター機構を具備し、 前記レーザ発光部でのレーザ出力が所定のレベル以上の
    ときに前記シャッター機構を閉状態とすることを特徴と
    する請求項1記載のIC解析用のパターンカッティング
    装置。
  3. 【請求項3】 前記レーザ絞り部のスリット孔が矩形状
    をなしていることを特徴とする請求項1記載のIC解析
    用のパターンカッティング装置。
JP6159250A 1994-06-17 1994-06-17 Ic解析用のパターンカッティング装置 Pending JPH081363A (ja)

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JP6159250A JPH081363A (ja) 1994-06-17 1994-06-17 Ic解析用のパターンカッティング装置

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JP6159250A JPH081363A (ja) 1994-06-17 1994-06-17 Ic解析用のパターンカッティング装置

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JPH081363A true JPH081363A (ja) 1996-01-09

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JP6159250A Pending JPH081363A (ja) 1994-06-17 1994-06-17 Ic解析用のパターンカッティング装置

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JP (1) JPH081363A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007032392A1 (ja) * 2005-09-16 2007-03-22 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法及びレーザ加工装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007032392A1 (ja) * 2005-09-16 2007-03-22 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US8513567B2 (en) 2005-09-16 2013-08-20 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method for forming a modified region for cutting in an object

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