JPH08130341A - Semiconductor laser - Google Patents
Semiconductor laserInfo
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- JPH08130341A JPH08130341A JP26591094A JP26591094A JPH08130341A JP H08130341 A JPH08130341 A JP H08130341A JP 26591094 A JP26591094 A JP 26591094A JP 26591094 A JP26591094 A JP 26591094A JP H08130341 A JPH08130341 A JP H08130341A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、ＢＨ構造（buried h
eterostructure）を有する半導体レーザの構造に関す
る。This invention relates to a BH structure (buried h
and a structure of a semiconductor laser having an eterostructure).
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のストライプ状の活性層が埋め込ま
れたＢＨ構造を有する半導体レーザの一例が、文献：
「Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．１９９３，２９，ｐ
ｐ．８７３−８７５」に記載されている。この文献に記
載の半導体レーザによれば、活性層の幅方向の両側部
に、ｐ型およびｎ型電流ブロック層を順次に積層して設
けて、活性層を埋め込んでいる。そして、このｐ型およ
びｎ型電流ブロック層と、活性層の上下に設けられたｐ
型およびｎ型クラッド層とを以って、ｐｎｐｎ構造を構
成している。このｐｎｐｎ構造を設けることにより、半
導体レーザへの電流注入時に、電流ブロック層を介して
流れる漏れ電流の低減を図っている。2. Description of the Related Art An example of a conventional semiconductor laser having a BH structure in which a stripe-shaped active layer is embedded is described in a literature:
"Electron. Lett. 1993, 29, p.
p. 873-875 ". According to the semiconductor laser described in this document, the p-type and n-type current block layers are sequentially stacked and provided on both sides in the width direction of the active layer to embed the active layer. Then, the p-type and n-type current blocking layers and the p provided above and below the active layer.
A pnpn structure is constituted by the n-type and n-type clad layers. By providing this pnpn structure, the leakage current flowing through the current blocking layer at the time of current injection into the semiconductor laser is reduced.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体レーザにおいては、半導体レーザへの電流注入時
に、電流ブロック層を介して流れる漏れ電流を充分に抑
制することができなかった。このため、この漏れ電流が
半導体レーザの閾電流値および外部微分量子効率に悪影
響を与えるために、半導体レーザの出力特性および温度
特性を劣化させるという問題点があった。However, in the conventional semiconductor laser, it was not possible to sufficiently suppress the leakage current flowing through the current blocking layer when the current was injected into the semiconductor laser. Therefore, the leakage current adversely affects the threshold current value and the external differential quantum efficiency of the semiconductor laser, which causes a problem that the output characteristics and the temperature characteristics of the semiconductor laser are deteriorated.
【０００４】このため、漏れ電流をより抑制することが
できる半導体レーザの実現が望まれていた。Therefore, it has been desired to realize a semiconductor laser capable of further suppressing the leakage current.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】この発明の半導体レーザ
によれば、ストライプ状の活性層を具え、この活性層を
挟んでその上下に、ｐ型クラッド層とこの活性層の幅方
向に沿った縦断面の形状がメサ形状のｎ型クラッド層と
を具え、この活性層の幅方向における両側部を埋め込
む、ｐ型電流ブロック層とｎ型電流ブロック層とを具え
てなる半導体レーザにおいて、ｐ型電流ブロック層のｎ
型クラッド層と隣接する部分および前記ｐ型クラッド層
と隣接する部分に、ｎ型電流ブロック層に含まれるキャ
リア密度よりも低いキャリア密度を有する第１低キャリ
ア密度層を具え、ｐ型電流ブロック層のｎ型電流ブロッ
ク層と隣接する部分に、当該第１および第２低キャリア
密度層に含まれるキャリア密度よりも低いキャリア密度
を有する第２低キャリア密度層を具え、ｐ型電流ブロッ
ク層の第１低キャリア密度層と第２低キャリア密度層と
の間に介在した、当該第１および第２低キャリア密度層
に含まれるキャリア密度よりも高いキャリア密度を有す
る高キャリア密度層を具えてなることを特徴とする。According to the semiconductor laser of the present invention, a stripe-shaped active layer is provided, and the p-type cladding layer and the active layer are formed above and below the active layer with the active layer sandwiched therebetween. A semiconductor laser comprising a p-type current block layer and an n-type current block layer, which comprises an n-type clad layer having a mesa shape in a longitudinal cross section, and fills both sides in the width direction of the active layer. N of current blocking layer
A first low carrier density layer having a carrier density lower than the carrier density included in the n-type current blocking layer is provided in a part adjacent to the p-type current blocking layer and a part adjacent to the p-type cladding layer. A second low carrier density layer having a carrier density lower than the carrier density contained in the first and second low carrier density layers, in a portion adjacent to the n-type current block layer, 1. A high carrier density layer having a carrier density higher than a carrier density contained in the first and second low carrier density layers, which is interposed between the low carrier density layer and the second low carrier density layer. Is characterized by.
【０００６】[0006]
【作用】この発明の半導体レーザによれば、ｐ型電流ブ
ロック層のｎ型クラッド層と隣接する部分およびｐ型ク
ラッド層と隣接する部分に、ｎ型電流ブロック層に含ま
れるキャリア密度およびｐ型クラッド層に含まれるキャ
リア密度よりも低いキャリア密度を有する第１低キャリ
ア密度層を具えている。その結果、ｐ型クラッド層と第
１低キャリア密度層とにそれぞれ含まれるキャリア密度
が異なるため、両層の界面における抵抗を大きくするこ
とができる。その結果、ｐ型クラッド層から第１低キャ
リア密度層へ流れる漏れ電流の抑制を図ることができ
る。さらに、第１低キャリア密度層のキャリア密度が従
来のｐ型電流ブロック層のキャリア密度よりも低いた
め、ｎ型クラッド層と第１低キャリア密度層との間の逆
バイアスを印加した際の逆方向電界の強度を弱くするこ
とができる。このため、ブレイクオーバー電圧を上げる
ことができる。その結果、漏れ電流の抑制を図ることが
できる。According to the semiconductor laser of the present invention, the carrier density and p-type contained in the n-type current blocking layer are included in the part of the p-type current blocking layer adjacent to the n-type cladding layer and the part adjacent to the p-type cladding layer. It comprises a first low carrier density layer having a carrier density lower than the carrier density contained in the cladding layer. As a result, the carrier densities contained in the p-type cladding layer and the first low carrier density layer are different, so that the resistance at the interface between the two layers can be increased. As a result, the leakage current flowing from the p-type cladding layer to the first low carrier density layer can be suppressed. Further, since the carrier density of the first low carrier density layer is lower than the carrier density of the conventional p-type current blocking layer, a reverse bias when a reverse bias is applied between the n-type cladding layer and the first low carrier density layer is applied. The strength of the directional electric field can be weakened. Therefore, the breakover voltage can be increased. As a result, leakage current can be suppressed.
【０００７】また、この発明の半導体レーザによれば、
ｐ型電流ブロック層のｎ型電流ブロック層と隣接する部
分に、ｎ型電流ブロック層に含まれるキャリア密度より
も低いキャリア密度を有する第２低キャリア密度層を具
えている。第２低キャリア密度層のキャリア密度が従来
のｐ型電流ブロック層のキャリア密度よりも低いため、
ｎ型電流ブロック層と第２低キャリア密度層との間の逆
バイアスを印加した際の逆方向電界の強度を弱くするこ
とができる。このため、ブレイクオーバー電圧を上げる
ことができる。その結果、漏れ電流の抑制を図ることが
できる。According to the semiconductor laser of the present invention,
A second low carrier density layer having a carrier density lower than the carrier density contained in the n-type current blocking layer is provided in a portion of the p-type current blocking layer adjacent to the n-type current blocking layer. Since the carrier density of the second low carrier density layer is lower than that of the conventional p-type current blocking layer,
The strength of the reverse electric field when a reverse bias is applied between the n-type current blocking layer and the second low carrier density layer can be weakened. Therefore, the breakover voltage can be increased. As a result, leakage current can be suppressed.
【０００８】また、この発明の半導体レーザによれば、
ｐ型電流ブロック層の第１低キャリア密度層と第２低キ
ャリア密度層との間に介在した、当該第１および第２低
キャリア密度層に含まれるキャリア密度よりも高いキャ
リア密度を有する高キャリア密度層を具えている。その
結果、ｐｎｐｎ構造におけるターンオン電圧を上げるこ
とができる。According to the semiconductor laser of the present invention,
High carriers having a carrier density higher than the carrier densities contained in the first and second low carrier density layers interposed between the first low carrier density layer and the second low carrier density layer of the p-type current blocking layer. It has a density layer. As a result, the turn-on voltage in the pnpn structure can be increased.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の半導体レ
ーザの一例について説明する。尚参照する図は、この発
明が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさおよび
配置関係を概略的に示してあるにすぎない。従って、こ
の発明は、図示例にのみ限定されるものではない。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An example of the semiconductor laser of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the drawings to be referred to merely schematically show the shapes, sizes, and arrangement relationships of the respective constituent components to the extent that the present invention can be understood. Therefore, the present invention is not limited only to the illustrated example.
【００１０】図１は、この実施例の半導体レーザの構造
の説明に供する、活性層の幅方向に沿った切り口での縦
断面図である。FIG. 1 is a vertical cross-sectional view taken along the width direction of the active layer, which is used for explaining the structure of the semiconductor laser of this embodiment.
【００１１】この実施例の半導体レーザは、ストライプ
状の活性層１４として、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を
具えている。そして、この活性層１４を挟んでその上下
に、ｐ型クラッド層１６とこの活性層１４の幅方向に沿
った縦断面の形状がメサ形状のｎ型クラッド層１２とを
具えている。このｐ型クラッド層１６は、活性層１４上
に、厚さ０．２μｍのｐ型ＩｎＧａＰを以って形成され
ており、そのｐ型のキャリア密度は１×１０18原子／ｃ
ｍ3 である。一方、このｎ型クラッド層１２は、ｎ型Ｇ
ａＡｓの基板１０上に形成された、厚さ１．２μｍのｎ
型ＩｎＧａＰ層をメサエッチングして形成したものであ
り、そのｎ型のキャリア密度は２×１０18原子／ｃｍ3
である。The semiconductor laser of this embodiment has a multiple quantum well structure (MQW) as the stripe-shaped active layer 14. Further, a p-type clad layer 16 and an n-type clad layer 12 having a mesa-shaped vertical section along the width direction of the active layer 14 are provided above and below the active layer 14. The p-type cladding layer 16 is formed of p-type InGaP having a thickness of 0.2 μm on the active layer 14, and the p-type carrier density is 1 × 10 18 atoms / c.
m is 3. On the other hand, the n-type cladding layer 12 is made of n-type G
n having a thickness of 1.2 μm formed on the substrate 10 of aAs.
Type InGaP layer is formed by mesa etching, and its n-type carrier density is 2 × 10 18 atoms / cm 3.
Is.
【００１２】また、メサ形状の両側部分には、この活性
層１４の幅方向における両側部を埋め込む、ｐ型電流ブ
ロック層１８とｎ型電流ブロック層２０とを具えてい
る。このｎ型電流ブロック層２０は、厚さ０．４μｍの
ｎ型ＩｎＧａＰからなり、そのｎ型のキャリア密度は２
×１０18原子／ｃｍ3 である。Further, both sides of the mesa shape are provided with a p-type current blocking layer 18 and an n-type current blocking layer 20 which fill both sides of the active layer 14 in the width direction. The n-type current blocking layer 20 is made of n-type InGaP having a thickness of 0.4 μm, and the n-type carrier density is 2
× 10 18 atoms / cm 3 .
【００１３】そして、この実施例では、ｐ型電流ブロッ
ク層１８のｎ型クラッド層１２と隣接する部分およびｐ
型クラッド層１６と隣接する部分に、両クラッド層１２
および１６に含まれるキャリア密度よりも低いキャリア
密度を有する第１低キャリア密度層２６を具えている。
この第１低キャリア密度層２６は、厚さ０．３μｍのｐ
型ＩｎＧａＰからなり、そのキャリア密度は６×１０17
原子／ｃｍ3 である。また、ｐ型電流ブロック層１８の
ｎ型電流ブロック層２０と隣接する部分には、ｎ型電流
ブロック層２０に含まれるキャリア密度よりも低いキャ
リア密度を有する第２低キャリア密度層３０を具えてい
る。この第２低キャリア密度層３０は、厚さ０．３μｍ
のｐ型ＩｎＧａＰからなり、そのキャリア密度は６×１
０17原子／ｃｍ3 である。In this embodiment, a portion of the p-type current blocking layer 18 adjacent to the n-type clad layer 12 and the p-type
Both clad layers 12 are provided in a portion adjacent to the mold clad layer 16.
And a first low carrier density layer 26 having a carrier density lower than the carrier density contained in 16 and 16.
The first low carrier density layer 26 has a p-thickness of 0.3 μm.
Type InGaP and its carrier density is 6 × 10 17
Atoms / cm 3 . In addition, a portion of the p-type current blocking layer 18 adjacent to the n-type current blocking layer 20 is provided with a second low carrier density layer 30 having a carrier density lower than that of the n-type current blocking layer 20. There is. The second low carrier density layer 30 has a thickness of 0.3 μm.
Of p-type InGaP with a carrier density of 6 × 1
It is 0 17 atoms / cm 3 .
【００１４】さらに、この実施例では、ｐ型電流ブロッ
ク層１８の第１低キャリア密度層２６と第２低キャリア
密度層３０との間に介在した、当該第１および第２低キ
ャリア密度層２６および３０に含まれるキャリア密度よ
りも高いキャリア密度を有する高キャリア密度層２８を
具えている。この高キャリア密度層２８は、厚さ０．３
μｍのｐ型ＩｎＧａＰからなり、そのキャリア密度は２
×１０18原子／ｃｍ3である。Further, in this embodiment, the first and second low carrier density layers 26 interposed between the first low carrier density layer 26 and the second low carrier density layer 30 of the p-type current blocking layer 18 are provided. And a high carrier density layer 28 having a higher carrier density than the carrier density contained in 30 and 30. The high carrier density layer 28 has a thickness of 0.3.
It is made of p-type InGaP with a carrier density of 2
× 10 18 atoms / cm 3 .
【００１５】また、この実施例では、ｎ型電流ブロック
層２０およびｐ型クラッド層１６上に、第２ｐ型クラッ
ド層２２を具えている。この第２ｐ型クラッド層２２
は、厚さ０．８μｍのｐ型ＩｎＧａＰからなり、そのキ
ャリア密度は６×１０17原子／ｃｍ3 である。Further, in this embodiment, the second p-type cladding layer 22 is provided on the n-type current blocking layer 20 and the p-type cladding layer 16. This second p-type cladding layer 22
Is made of p-type InGaP having a thickness of 0.8 μm, and its carrier density is 6 × 10 17 atoms / cm 3 .
【００１６】また、第２ｐ型クラッド層２２上には、厚
さ０．２μｍのｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層２４
が積層してあり、そのキャリア密度は２×１０19原子／
ｃｍ3 である。また、コンタクト層２４上には、第１主
電極（オーミック電極）３２を具えている。一方、ｎ型
ＧａＡｓ基板の裏面側には、第２主電極３４を具えてい
る。On the second p-type cladding layer 22, a contact layer 24 made of p-type GaAs having a thickness of 0.2 μm.
Are stacked, and the carrier density is 2 × 10 19 atoms /
It is cm 3 . A first main electrode (ohmic electrode) 32 is provided on the contact layer 24. On the other hand, the second main electrode 34 is provided on the back surface side of the n-type GaAs substrate.
【００１７】ＢＨ構造を有する半導体レーザにおいて
は、活性層１４の上下方向には、活性層１４を介してｐ
ｎ接合が形成されており、一方、活性層１４の両側部分
の上下方向には、ｐｎｐｎ構造が形成されている。この
ため、第１および第２電極間３２および３４に電圧を印
加すると、活性層１４の形成されたメサ部分に電流が集
中して流れる。In the semiconductor laser having the BH structure, the p layer is formed above and below the active layer 14 via the active layer 14.
An n-junction is formed, while a pnpn structure is formed on both sides of the active layer 14 in the vertical direction. Therefore, when a voltage is applied between the first and second electrodes 32 and 34, a current concentrates on the mesa portion where the active layer 14 is formed.
【００１８】その上、この実施例の半導体レーザでは、
ｐ型クラッド層１６と第１低キャリア密度層２６とにそ
れぞれ含まれるキャリア密度が異なるため、両層１６お
よび２６の界面における抵抗を大きくすることができ
る。その結果、ｐ型クラッド層１６から第１低キャリア
密度層２６へ流れる漏れ電流の抑制を図ることができ
る。さらに、第１低キャリア密度層２６のキャリア密度
が従来のｐ型電流ブロック層のキャリア密度よりも低い
ため、ｎ型クラッド層１２と第１低キャリア密度層２６
との間に逆バイアスを印加した際の逆方向電界の強度を
弱くすることができる。このため、ブレイクオーバー電
圧を上げることができる。その結果、漏れ電流の抑制を
図ることができる。Moreover, in the semiconductor laser of this embodiment,
Since the carrier densities contained in the p-type cladding layer 16 and the first low carrier density layer 26 are different, the resistance at the interface between the layers 16 and 26 can be increased. As a result, the leakage current flowing from the p-type cladding layer 16 to the first low carrier density layer 26 can be suppressed. Furthermore, since the carrier density of the first low carrier density layer 26 is lower than the carrier density of the conventional p-type current blocking layer, the n-type cladding layer 12 and the first low carrier density layer 26 are formed.
It is possible to weaken the strength of the reverse electric field when a reverse bias is applied between and. Therefore, the breakover voltage can be increased. As a result, leakage current can be suppressed.
【００１９】また、この実施例の半導体レーザでは、第
２低キャリア密度層３０のキャリア密度が従来のｐ型電
流ブロック層のキャリア密度よりも低いため、ｎ型電流
ブロック層２０と第２低キャリア密度層３０との間に逆
バイアスを印加した際の逆方向電界の強度を弱くするこ
とができる。このため、ブレイクオーバー電圧を上げる
ことができる。その結果、漏れ電流の抑制を図ることが
できる。In the semiconductor laser of this embodiment, the carrier density of the second low carrier density layer 30 is lower than the carrier density of the conventional p-type current block layer, so that the n-type current block layer 20 and the second low carrier density layer 30. The strength of the reverse electric field when a reverse bias is applied to the density layer 30 can be weakened. Therefore, the breakover voltage can be increased. As a result, leakage current can be suppressed.
【００２０】また、この実施例の半導体レーザは、第１
および第２低キャリア密度層２６および３０に含まれる
キャリア密度よりも高いキャリア密度を有する高キャリ
ア密度層２８を介在して具えている。その結果、ｐｎｐ
ｎ構造におけるターンオン電圧を上げることができる。The semiconductor laser of this embodiment has the first
And a high carrier density layer 28 having a carrier density higher than the carrier density contained in the second low carrier density layers 26 and 30. As a result, pnp
The turn-on voltage in the n structure can be increased.
【００２１】従って、この実施例の半導体レーザによれ
ば、漏れ電流をより低減することができる。Therefore, according to the semiconductor laser of this embodiment, the leakage current can be further reduced.
【００２２】上述した実施例では、この発明を特定の材
料を使用し、条件で構成した例について説明したが、こ
の発明は多くの変更および変形を行うことができる。例
えば、上述した実施例では、ｐ型電流ブロック層を第１
低、高および第２低キャリア密度層の３層を以って構成
したが、ｐ型電流ブロック層は３層構造に限定される必
要は無く、例えばこの発明では、第１低キャリア密度層
と高キャリア密度層との間、および、第２低キャリア密
度層と高キャリア密度層との間にそれぞれ中密度のキャ
リア密度を有する中密度キャリア密度層を設けて、ｐ型
電流ブロック層を５層構造としても良い。In the above-described embodiments, the present invention has been described as an example in which a specific material is used and the conditions are set, but the present invention can be subjected to many modifications and variations. For example, in the above-described embodiment, the p-type current blocking layer is first
Although the three layers of the low, high and second low carrier density layers are used, the p-type current blocking layer does not need to be limited to the three-layer structure. A medium density carrier density layer having medium density carrier density is provided between the high carrier density layer and between the second low carrier density layer and the high carrier density layer, and five p-type current blocking layers are provided. Good structure.
【００２３】また、上述した実施例では、ＧａＡｓ系の
化合物半導体を以って構成した例について説明したが、
この発明の半導体レーザは、例えばＩｎＰ系を初めとす
る他の化合物半導体を以って構成しても良い。Further, in the above-mentioned embodiment, an example in which the GaAs compound semiconductor is used has been described.
The semiconductor laser of the present invention may be composed of another compound semiconductor such as InP.
【００２４】また、第１低キャリア密度層と第２低キャ
リア密度層とのキャリア密度に差があっても良い。There may be a difference in carrier density between the first low carrier density layer and the second low carrier density layer.
【００２５】[0025]
【発明の効果】この発明の半導体レーザによれば、ｐ型
電流ブロック層のｎ型クラッド層と隣接する部分および
ｐ型クラッド層と隣接する部分に、ｎ型電流ブロック層
に含まれるキャリア密度およびｐ型クラッド層に含まれ
るキャリア密度よりも低いキャリア密度を有する第１低
キャリア密度層を具えている。その結果、ｐ型クラッド
層と第１低キャリア密度層とにそれぞれ含まれるキャリ
ア密度が異なるため、両層の界面における抵抗を大きく
することができる。その結果、ｐ型クラッド層から第１
低キャリア密度層へ流れる漏れ電流の抑制を図ることが
できる。さらに、第１低キャリア密度層のキャリア密度
が従来のｐ型電流ブロック層のキャリア密度よりも低い
ため、ｎ型クラッド層と第１低キャリア密度層との間の
逆バイアスを印加した際の逆方向電界の強度を弱くする
ことができる。このため、ブレイクオーバー電圧を上げ
ることができる。その結果、漏れ電流の抑制を図ること
ができる。According to the semiconductor laser of the present invention, the carrier density contained in the n-type current blocking layer and the portion of the p-type current blocking layer adjacent to the n-type cladding layer and the portion adjacent to the p-type cladding layer are It comprises a first low carrier density layer having a carrier density lower than the carrier density contained in the p-type cladding layer. As a result, the carrier densities contained in the p-type cladding layer and the first low carrier density layer are different, so that the resistance at the interface between the two layers can be increased. As a result, from the p-type cladding layer to the first
Leakage current flowing to the low carrier density layer can be suppressed. Further, since the carrier density of the first low carrier density layer is lower than the carrier density of the conventional p-type current blocking layer, a reverse bias when a reverse bias is applied between the n-type cladding layer and the first low carrier density layer is applied. The strength of the directional electric field can be weakened. Therefore, the breakover voltage can be increased. As a result, leakage current can be suppressed.
【００２６】また、この発明の半導体レーザによれば、
ｐ型電流ブロック層のｎ型電流ブロック層と隣接する部
分に、ｎ型電流ブロック層に含まれるキャリア密度より
も低いキャリア密度を有する第２低キャリア密度層を具
えている。第２低キャリア密度層のキャリア密度が従来
のｐ型電流ブロック層のキャリア密度よりも低いため、
ｎ型電流ブロック層と第２低キャリア密度層との間の逆
バイアスを印加した際の逆方向電界の強度を弱くするこ
とができる。このため、ブレイクオーバー電圧を上げる
ことができる。その結果、漏れ電流の抑制を図ることが
できる。According to the semiconductor laser of the present invention,
A second low carrier density layer having a carrier density lower than the carrier density contained in the n-type current blocking layer is provided in a portion of the p-type current blocking layer adjacent to the n-type current blocking layer. Since the carrier density of the second low carrier density layer is lower than that of the conventional p-type current blocking layer,
The strength of the reverse electric field when a reverse bias is applied between the n-type current blocking layer and the second low carrier density layer can be weakened. Therefore, the breakover voltage can be increased. As a result, leakage current can be suppressed.
【００２７】また、この発明の半導体レーザによれば、
ｐ型電流ブロック層の第１低キャリア密度層と第２低キ
ャリア密度層との間に介在した、当該第１および第２低
キャリア密度層に含まれるキャリア密度よりも高いキャ
リア密度を有する高キャリア密度層を具えている。その
結果、ｐｎｐｎ構造におけるターンオン電圧を上げるこ
とができる。According to the semiconductor laser of the present invention,
High carriers having a carrier density higher than the carrier densities contained in the first and second low carrier density layers interposed between the first low carrier density layer and the second low carrier density layer of the p-type current blocking layer. It has a density layer. As a result, the turn-on voltage in the pnpn structure can be increased.
【図１】この発明の実施例の説明に供する縦断面図であ
る。FIG. 1 is a vertical sectional view for explaining an embodiment of the present invention.
１０：基板 １２：ｎ型クラッド層 １４：活性層 １６：ｐ型クラッド層 １８：ｐ型電流ブロック層 ２０：ｎ型電流ブロック層 ２２：第２ｐ型クラッド層 ２４：コンタクト層 ２６：第１低キャリア密度層 ２８：高キャリア密度層 ３０：第２低キャリア密度層 ３２：第１主電極 ３４：第２主電極 10: substrate 12: n-type cladding layer 14: active layer 16: p-type cladding layer 18: p-type current blocking layer 20: n-type current blocking layer 22: second p-type cladding layer 24: contact layer 26: first low carrier Density layer 28: High carrier density layer 30: Second low carrier density layer 32: First main electrode 34: Second main electrode
Claims (1)
を挟んでその上下に、ｐ型クラッド層と該活性層の幅方
向に沿った縦断面の形状がメサ形状のｎ型クラッド層と
を具え、該活性層の幅方向における両側部を埋め込む、
ｐ型電流ブロック層とｎ型電流ブロック層とを具えてな
る半導体レーザにおいて、 前記ｐ型電流ブロック層の前記ｎ型クラッド層と隣接す
る部分および前記ｐ型クラッド層と隣接する部分に、前
記ｎ型電流ブロック層に含まれるキャリア密度および前
記ｐ型クラッド層に含まれるキャリア密度よりも低いキ
ャリア密度を有する第１低キャリア密度層を具え、 前記ｐ型電流ブロック層の前記ｎ型電流ブロック層と隣
接する部分に、前記ｎ型電流ブロック層に含まれるキャ
リア密度よりも低いキャリア密度を有する第２低キャリ
ア密度層を具え、 前記ｐ型電流ブロック層の前記第１低キャリア密度層と
前記第２低キャリア密度層との間に介在した、当該第１
および第２低キャリア密度層に含まれるキャリア密度よ
りも高いキャリア密度を有する高キャリア密度層を具え
てなることを特徴とする半導体レーザ。1. A stripe-shaped active layer, and a p-type clad layer and an n-type clad layer having a mesa-shaped vertical section along the width direction of the p-type clad layer sandwiching the active layer. And embedding both sides in the width direction of the active layer,
In a semiconductor laser comprising a p-type current blocking layer and an n-type current blocking layer, the n-type cladding layer is provided at a portion adjacent to the n-type cladding layer and a portion adjacent to the p-type cladding layer. A first low carrier density layer having a carrier density included in a p-type current blocking layer and a carrier density lower than a carrier density included in the p-type cladding layer, and the n-type current blocking layer of the p-type current blocking layer. A second low carrier density layer having a carrier density lower than a carrier density included in the n-type current blocking layer is provided in an adjacent portion, and the first low carrier density layer and the second low carrier density layer of the p-type current blocking layer are provided. The first interposing between the low carrier density layer and the first carrier layer
And a high carrier density layer having a carrier density higher than that of the second low carrier density layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26591094A JPH08130341A (en) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26591094A JPH08130341A (en) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | Semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08130341A true JPH08130341A (en) | 1996-05-21 |
Family
ID=17423808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26591094A Pending JPH08130341A (en) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | Semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08130341A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6589806B2 (en) | 1998-06-16 | 2003-07-08 | Nec Electronics Corporation | Method of fabricating semiconductor laser for preventing turn-on of pnpn thyrister |
-
1994
- 1994-10-31 JP JP26591094A patent/JPH08130341A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6589806B2 (en) | 1998-06-16 | 2003-07-08 | Nec Electronics Corporation | Method of fabricating semiconductor laser for preventing turn-on of pnpn thyrister |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030401 |