JPH0812969A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記化３０で表されるテトラアリールエテン
誘導体を、有機ＥＬ素子の有機化合物層に用いる。 【化３０】 【効果】 本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体
は、結晶性が低く、安定なアモルファス状態の薄膜の形
成を可能とする。従って、安定性および信頼性に優れた
有機ＥＬ素子が実現する。
誘導体を、有機ＥＬ素子の有機化合物層に用いる。 【化３０】 【効果】 本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体
は、結晶性が低く、安定なアモルファス状態の薄膜の形
成を可能とする。従って、安定性および信頼性に優れた
有機ＥＬ素子が実現する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機ＥＬ（電界発光）
素子に関し、詳しくは、有機化合物からなる積層構造薄
膜に電界を印加して光を放出する素子に関する。
素子に関し、詳しくは、有機化合物からなる積層構造薄
膜に電界を印加して光を放出する素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、蛍光性有機化合物を含
む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜
に電子および正孔を注入して再結合させることにより励
起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活
する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素
子である。
む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜
に電子および正孔を注入して再結合させることにより励
起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活
する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素
子である。
【０００３】有機ＥＬ素子の特徴は、１０V 程度の低電
圧で１００〜１００００cd/m2 程度の高輝度の面発光が
可能であり、また蛍光物質の種類を選択することにより
青色から赤色までの発光が可能なことである。
圧で１００〜１００００cd/m2 程度の高輝度の面発光が
可能であり、また蛍光物質の種類を選択することにより
青色から赤色までの発光が可能なことである。
【０００４】一方、有機ＥＬ素子の問題点は、発光寿命
が短く、保存耐久性、信頼性が低いことであり、この原
因としては、 有機化合物の物理的変化 （結晶ドメインの成長などにより界面の不均一化が生
じ、素子の電荷注入能の劣化・短絡・絶縁破壊の原因と
なる。特に分子量５００以下の低分子化合物を用いると
結晶粒の出現・成長が起こり、膜性が著しく低下する。
また、ＩＴＯ等の界面が荒れていても、顕著な結晶粒の
出現・成長が起こり、発光効率の低下や、電流のリーク
を起こし、発光しなくなる。また、部分的非発光部であ
るダークスポットの原因にもなる。）
が短く、保存耐久性、信頼性が低いことであり、この原
因としては、 有機化合物の物理的変化 （結晶ドメインの成長などにより界面の不均一化が生
じ、素子の電荷注入能の劣化・短絡・絶縁破壊の原因と
なる。特に分子量５００以下の低分子化合物を用いると
結晶粒の出現・成長が起こり、膜性が著しく低下する。
また、ＩＴＯ等の界面が荒れていても、顕著な結晶粒の
出現・成長が起こり、発光効率の低下や、電流のリーク
を起こし、発光しなくなる。また、部分的非発光部であ
るダークスポットの原因にもなる。）
【０００５】 陰極の酸化・剥離 （電子の注入を容易にするために仕事関数の小さな金属
としてＮａ・Ｍｇ・Ａｌなどを用いてきたが、これらの
金属は大気中の水分や酸素と反応したり、有機層と陰極
の剥離が起こり、電荷注入ができなくなる。特に高分子
化合物などを用い、スピンコートなどで成膜した場合、
成膜時の残留溶媒や分解物が電極の酸化反応を促進し、
電極の剥離が起こり部分的な非発光部を生じさせる。）
としてＮａ・Ｍｇ・Ａｌなどを用いてきたが、これらの
金属は大気中の水分や酸素と反応したり、有機層と陰極
の剥離が起こり、電荷注入ができなくなる。特に高分子
化合物などを用い、スピンコートなどで成膜した場合、
成膜時の残留溶媒や分解物が電極の酸化反応を促進し、
電極の剥離が起こり部分的な非発光部を生じさせる。）
【０００６】 発光効率が低く、発熱量が多いこと （有機化合物中に電流を流すので、高い電界強度下に有
機化合物を置かねばならず、発熱からは逃れられない。
その熱のため、有機化合物の溶融・結晶化・熱分解など
により素子の劣化・破壊が起こる。）
機化合物を置かねばならず、発熱からは逃れられない。
その熱のため、有機化合物の溶融・結晶化・熱分解など
により素子の劣化・破壊が起こる。）
【０００７】有機化合物層の光化学的変化・電気化学
的変化 などが挙げられる。
的変化 などが挙げられる。
【０００８】特に、青色発光素子に関しては、信頼性が
高く安定な素子を提供する青色発光材料は少ない〔 C.A
dachi,et al., Appli.Phys.Lett,.56,799(1990) 〕。一
般に、青色発光材料は結晶性が高く、例えばアリールエ
テンは高い蛍光量子収率を持つにも関わらず、結晶性が
高く、この化合物を発光材料に用いて、素子を作製して
も高輝度・高効率で信頼性の高い素子を提供できなかっ
た。また、今まで報告されたアリールエテン系化合物
は、ウィッティッヒ ( Wittig ) 反応で合成されるた
め、エテンのすべてに、芳香環を導入することができ
ず、化学的安定性が低いこと、分子量が小さく、コンフ
ォメイションの安定構造が存在するため薄膜のアモルフ
ァス性が低く結晶化しやすいことが問題であった（特開
平２−１６０８９４号）。
高く安定な素子を提供する青色発光材料は少ない〔 C.A
dachi,et al., Appli.Phys.Lett,.56,799(1990) 〕。一
般に、青色発光材料は結晶性が高く、例えばアリールエ
テンは高い蛍光量子収率を持つにも関わらず、結晶性が
高く、この化合物を発光材料に用いて、素子を作製して
も高輝度・高効率で信頼性の高い素子を提供できなかっ
た。また、今まで報告されたアリールエテン系化合物
は、ウィッティッヒ ( Wittig ) 反応で合成されるた
め、エテンのすべてに、芳香環を導入することができ
ず、化学的安定性が低いこと、分子量が小さく、コンフ
ォメイションの安定構造が存在するため薄膜のアモルフ
ァス性が低く結晶化しやすいことが問題であった（特開
平２−１６０８９４号）。
【０００９】また、特開平６−１００８５７号公報に
は、炭素数６〜２０のアリール基の３個置換したトリア
リールビニル基が炭素数６〜２０のアリーレン基を介し
て連結されたジオレフィン化合物が開示されており、こ
のジオレフィン化合物からなる発光層を有する有機ＥＬ
素子が提案されている。このようなジオレフィン化合物
は、ジアリールハロゲン化メタンをグリニャール化し、
これとジベンゾイルアリールとを反応させて、さらに脱
水することによって得ている。このため、副反応残留物
が多く、ＥＬ素子に使用した場合蛍光を消光したりする
欠点がある。
は、炭素数６〜２０のアリール基の３個置換したトリア
リールビニル基が炭素数６〜２０のアリーレン基を介し
て連結されたジオレフィン化合物が開示されており、こ
のジオレフィン化合物からなる発光層を有する有機ＥＬ
素子が提案されている。このようなジオレフィン化合物
は、ジアリールハロゲン化メタンをグリニャール化し、
これとジベンゾイルアリールとを反応させて、さらに脱
水することによって得ている。このため、副反応残留物
が多く、ＥＬ素子に使用した場合蛍光を消光したりする
欠点がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特に
物理的変化や光化学的変化、電気化学的変化の少ない光
・電子機能材料としてテトラアリールエテン誘導体を用
い、信頼性および発光効率の高い種々の発光色を持っ
た、特に青色の発光色を持った有機ＥＬ素子を実現する
ことである。特に、分子量の大きな化合物を蒸着法で形
成した有機薄膜を用い、素子の駆動時の駆動電圧上昇や
輝度の低下、電流のリーク、部分的な非発光部の出現・
成長を抑えた高信頼性の高輝度発光素子を実現すること
である。
物理的変化や光化学的変化、電気化学的変化の少ない光
・電子機能材料としてテトラアリールエテン誘導体を用
い、信頼性および発光効率の高い種々の発光色を持っ
た、特に青色の発光色を持った有機ＥＬ素子を実現する
ことである。特に、分子量の大きな化合物を蒸着法で形
成した有機薄膜を用い、素子の駆動時の駆動電圧上昇や
輝度の低下、電流のリーク、部分的な非発光部の出現・
成長を抑えた高信頼性の高輝度発光素子を実現すること
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１８）の本発明により達成される。 （１）下記化９で表されるテトラアリールエテン誘導体
を含む正孔注入輸送層を有する有機ＥＬ素子。
（１）〜（１８）の本発明により達成される。 （１）下記化９で表されるテトラアリールエテン誘導体
を含む正孔注入輸送層を有する有機ＥＬ素子。
【００１２】
【化９】
【００１３】〔化９においてＡｒ1 、Ａｒ2 およびＡｒ
3 は、各々芳香族残基を表し、これらは同一でも異なる
ものであってもよい。ｎは２〜６の整数である。Ｌはｎ
価の芳香族残基を表す。〕 （２）前記Ｌで表されるｎ価の芳香族残基が、芳香族炭
化水素、芳香族複素環、芳香族エーテルまたは芳香族ア
ミンの残基である上記（１）の有機ＥＬ素子。 （３）前記Ａｒ1 、Ａｒ2 またはＡｒ3 で表される芳香
族残基がフェニル基である上記（１）または（２）の有
機ＥＬ素子。 （４）前記テトラアリールエテン誘導体が下記化１０で
表される上記（１）〜（３）のいずれかの有機ＥＬ素
子。
3 は、各々芳香族残基を表し、これらは同一でも異なる
ものであってもよい。ｎは２〜６の整数である。Ｌはｎ
価の芳香族残基を表す。〕 （２）前記Ｌで表されるｎ価の芳香族残基が、芳香族炭
化水素、芳香族複素環、芳香族エーテルまたは芳香族ア
ミンの残基である上記（１）の有機ＥＬ素子。 （３）前記Ａｒ1 、Ａｒ2 またはＡｒ3 で表される芳香
族残基がフェニル基である上記（１）または（２）の有
機ＥＬ素子。 （４）前記テトラアリールエテン誘導体が下記化１０で
表される上記（１）〜（３）のいずれかの有機ＥＬ素
子。
【００１４】
【化１０】
【００１５】〔化１０において、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3
は、各々、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ア
リーロキシ基またはアミノ基を表し、これらは同一でも
異なるものであってもよい。ｓ、ｔおよびｕは、各々、
０または１〜５の整数である。Ｌ1 は、オキシ基（−Ｏ
−）、チオ基（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＲO −：ＲO
はアリール基）、複素環ジイル基、アルケニレン基およ
びアルキレン基のうちの１種以上が介在してもよいアリ
ーレン基、アレーントリイル基もしくはアレーンテトラ
イル基、複素環ジイル基、複素環トリイル基、複素環テ
トライル基、トリアリールアミンもしくはその多量体の
ジイル基、トリアリールアミンもしくはその多量体のト
リイル基、トリアリールアミンもしくはその多量体のテ
トライル基、アリール置換複素環ジイル基、アリール置
換複素環トリイル基またはアリール置換複素環テトライ
ル基を表す。ｎ１は２〜４の整数である。〕 （５）前記Ｌ1 が、複素環ジイル基、複素環トリイル
基、複素環テトライル基、トリアリールアミンもしくは
その多量体のジイル基、トリアリールアミンもしくはそ
の多量体のトリイル基、トリアリールアミンもしくはそ
の多量体のテトライル基またはイミノ基（−ＮＲO −：
ＲO はアリール基）が介在してもよいアリーレン基、ア
レーントリイル基もしくはアレーンテトライル基である
上記（４）の有機ＥＬ素子。 （６）前記化９で表されるテトラアリールエテン誘導体
を含む電子注入輸送層を有する有機ＥＬ素子。 （７）前記Ｌで表されるｎ価の芳香族残基が、芳香族炭
化水素、芳香族複素環、芳香族エーテルまたは芳香族ア
ミンの残基である上記（６）の有機ＥＬ素子。 （８）前記Ａｒ1 、Ａｒ2 またはＡｒ3 で表される芳香
族残基がフェニル基である上記（６）または（７）の有
機ＥＬ素子。 （９）前記テトラアリールエテン誘導体が前記化１０で
表される上記（６）〜（８）のいずれかの有機ＥＬ素
子。 （１０）前記Ｌ1 が、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−
Ｓ−）、複素環ジイル基およびアルキレン基のうちの１
種以上が介在していてもよいアリーレン基、アレーント
リイル基もしくはアレーンテトライル基、複素環ジイル
基、複素環トリイル基、複素環テトライル基、アリール
置換複素環ジイル基、アリール置換複素環トリイル基ま
たはアリール置換複素環テトライル基である上記（９）
の有機ＥＬ素子。 （１１）下記化１１で表されるテトラアリールエテン誘
導体を含む発光層を有する有機ＥＬ素子。
は、各々、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ア
リーロキシ基またはアミノ基を表し、これらは同一でも
異なるものであってもよい。ｓ、ｔおよびｕは、各々、
０または１〜５の整数である。Ｌ1 は、オキシ基（−Ｏ
−）、チオ基（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＲO −：ＲO
はアリール基）、複素環ジイル基、アルケニレン基およ
びアルキレン基のうちの１種以上が介在してもよいアリ
ーレン基、アレーントリイル基もしくはアレーンテトラ
イル基、複素環ジイル基、複素環トリイル基、複素環テ
トライル基、トリアリールアミンもしくはその多量体の
ジイル基、トリアリールアミンもしくはその多量体のト
リイル基、トリアリールアミンもしくはその多量体のテ
トライル基、アリール置換複素環ジイル基、アリール置
換複素環トリイル基またはアリール置換複素環テトライ
ル基を表す。ｎ１は２〜４の整数である。〕 （５）前記Ｌ1 が、複素環ジイル基、複素環トリイル
基、複素環テトライル基、トリアリールアミンもしくは
その多量体のジイル基、トリアリールアミンもしくはそ
の多量体のトリイル基、トリアリールアミンもしくはそ
の多量体のテトライル基またはイミノ基（−ＮＲO −：
ＲO はアリール基）が介在してもよいアリーレン基、ア
レーントリイル基もしくはアレーンテトライル基である
上記（４）の有機ＥＬ素子。 （６）前記化９で表されるテトラアリールエテン誘導体
を含む電子注入輸送層を有する有機ＥＬ素子。 （７）前記Ｌで表されるｎ価の芳香族残基が、芳香族炭
化水素、芳香族複素環、芳香族エーテルまたは芳香族ア
ミンの残基である上記（６）の有機ＥＬ素子。 （８）前記Ａｒ1 、Ａｒ2 またはＡｒ3 で表される芳香
族残基がフェニル基である上記（６）または（７）の有
機ＥＬ素子。 （９）前記テトラアリールエテン誘導体が前記化１０で
表される上記（６）〜（８）のいずれかの有機ＥＬ素
子。 （１０）前記Ｌ1 が、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−
Ｓ−）、複素環ジイル基およびアルキレン基のうちの１
種以上が介在していてもよいアリーレン基、アレーント
リイル基もしくはアレーンテトライル基、複素環ジイル
基、複素環トリイル基、複素環テトライル基、アリール
置換複素環ジイル基、アリール置換複素環トリイル基ま
たはアリール置換複素環テトライル基である上記（９）
の有機ＥＬ素子。 （１１）下記化１１で表されるテトラアリールエテン誘
導体を含む発光層を有する有機ＥＬ素子。
【００１６】
【化１１】
【００１７】〔化１１においてＡｒ1 、Ａｒ2 およびＡ
ｒ3 は、各々芳香族残基を表し、これらは同一でも異な
るものであってもよい。ｎは２〜６の整数である。ＬO
は、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、イミノ基
（−ＮＲO −：ＲO はアリール基）、複素環ジイル基、
アルケニレン基およびアルキレン基のうちの１種以上が
介在したアリーレン基、炭素数が２１以上のアリーレン
基、芳香族炭化水素の３〜６価の残基、芳香族複素環の
２〜６価の残基、芳香族エーテルの２〜６価の残基また
は芳香族アミンの２〜６価の残基を表す。〕 （１２）前記Ａｒ1 、Ａｒ2 またはＡｒ3 で表される芳
香族残基がフェニル基である上記（11）の有機ＥＬ素
子。 （１３）前記テトラアリールエテン誘導体が下記化１２
で表される上記（11）または（12）の有機ＥＬ素子。
ｒ3 は、各々芳香族残基を表し、これらは同一でも異な
るものであってもよい。ｎは２〜６の整数である。ＬO
は、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、イミノ基
（−ＮＲO −：ＲO はアリール基）、複素環ジイル基、
アルケニレン基およびアルキレン基のうちの１種以上が
介在したアリーレン基、炭素数が２１以上のアリーレン
基、芳香族炭化水素の３〜６価の残基、芳香族複素環の
２〜６価の残基、芳香族エーテルの２〜６価の残基また
は芳香族アミンの２〜６価の残基を表す。〕 （１２）前記Ａｒ1 、Ａｒ2 またはＡｒ3 で表される芳
香族残基がフェニル基である上記（11）の有機ＥＬ素
子。 （１３）前記テトラアリールエテン誘導体が下記化１２
で表される上記（11）または（12）の有機ＥＬ素子。
【００１８】
【化１２】
【００１９】〔化１２において、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3
は、各々、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ア
リーロキシ基またはアミノ基を表し、これらは同一でも
異なるものであってもよい。ｓ、ｔおよびｕは、各々、
０または１〜５の整数である。Ｌ11は、オキシ基（−Ｏ
−）、チオ基（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＲO −：ＲO
はアリール基）、複素環ジイル基、アルケニレン基およ
びアルキレン基のうちの１種以上が介在したアリーレン
基、炭素数が２１以上のアリーレン基、オキシ基（−Ｏ
−）、チオ基（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＲO −：ＲO
はアリール基）、複素環ジイル基、アルケニレン基およ
びアルキレン基のうちの１種以上が介在してもよいアレ
ーントリイル基もしくはアレーンテトライル基、複素環
ジイル基、複素環トリイル基、複素環テトライル基、ト
リアリールアミンもしくはその多量体のジイル基、トリ
アリールアミンもしくはその多量体のトリイル基、トリ
アリールアミンもしくはその多量体のテトライル基、ア
リール置換複素環ジイル基、アリール置換複素環トリイ
ル基またはアリール置換複素環テトライル基を表す。ｎ
１は２〜４の整数である。〕 （１４）さらに、少なくとも１層の正孔注入輸送層と少
なくとも１層の電子注入輸送層とを有し、前記発光層が
正孔注入輸送層と電子注入輸送層とで挟持されている上
記（11）〜（13）のいずれかの有機ＥＬ素子。 （１５）さらに、少なくとも１層の正孔注入層と少なく
とも１層の正孔輸送層と少なくとも１層の電子注入輸送
層とを有し、前記発光層が正孔輸送層と電子注入輸送層
とで挟持されている上記（11）〜（13）のいずれかの有
機ＥＬ素子。 （１６）さらに、少なくとも１層の正孔注入層と少なく
とも１層の正孔輸送層と少なくとも１層の電子注入層と
少なくとも１層の電子輸送層とを有し、前記発光層が正
孔輸送層と電子輸送層とで挟持されている上記（11）〜
（13）のいずれかの有機ＥＬ素子。 （１７）前記化９で表され、芳香族残基三置換ハロゲン
化エテンをグリニャール化し、ジ、トリ、テトラ、ペン
タもしくはヘキサハロゲン化芳香族化合物とクロスカッ
プリングするか、またはジ、トリ、テトラ、ペンタもし
くはヘキサハロゲン化芳香族化合物をグリニャール化
し、芳香族残基三置換ハロゲン化エテンとクロスカップ
リングするかによって得られるテトラアリールエテン誘
導体を含有する有機化合物層を有する有機ＥＬ素子。 （１８）電子注入輸送性化合物と正孔注入輸送性化合物
との混合層の発光層を有し、この混合層が前記化９のテ
トラアリールエテン誘導体を含有する有機ＥＬ素子。
は、各々、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ア
リーロキシ基またはアミノ基を表し、これらは同一でも
異なるものであってもよい。ｓ、ｔおよびｕは、各々、
０または１〜５の整数である。Ｌ11は、オキシ基（−Ｏ
−）、チオ基（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＲO −：ＲO
はアリール基）、複素環ジイル基、アルケニレン基およ
びアルキレン基のうちの１種以上が介在したアリーレン
基、炭素数が２１以上のアリーレン基、オキシ基（−Ｏ
−）、チオ基（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＲO −：ＲO
はアリール基）、複素環ジイル基、アルケニレン基およ
びアルキレン基のうちの１種以上が介在してもよいアレ
ーントリイル基もしくはアレーンテトライル基、複素環
ジイル基、複素環トリイル基、複素環テトライル基、ト
リアリールアミンもしくはその多量体のジイル基、トリ
アリールアミンもしくはその多量体のトリイル基、トリ
アリールアミンもしくはその多量体のテトライル基、ア
リール置換複素環ジイル基、アリール置換複素環トリイ
ル基またはアリール置換複素環テトライル基を表す。ｎ
１は２〜４の整数である。〕 （１４）さらに、少なくとも１層の正孔注入輸送層と少
なくとも１層の電子注入輸送層とを有し、前記発光層が
正孔注入輸送層と電子注入輸送層とで挟持されている上
記（11）〜（13）のいずれかの有機ＥＬ素子。 （１５）さらに、少なくとも１層の正孔注入層と少なく
とも１層の正孔輸送層と少なくとも１層の電子注入輸送
層とを有し、前記発光層が正孔輸送層と電子注入輸送層
とで挟持されている上記（11）〜（13）のいずれかの有
機ＥＬ素子。 （１６）さらに、少なくとも１層の正孔注入層と少なく
とも１層の正孔輸送層と少なくとも１層の電子注入層と
少なくとも１層の電子輸送層とを有し、前記発光層が正
孔輸送層と電子輸送層とで挟持されている上記（11）〜
（13）のいずれかの有機ＥＬ素子。 （１７）前記化９で表され、芳香族残基三置換ハロゲン
化エテンをグリニャール化し、ジ、トリ、テトラ、ペン
タもしくはヘキサハロゲン化芳香族化合物とクロスカッ
プリングするか、またはジ、トリ、テトラ、ペンタもし
くはヘキサハロゲン化芳香族化合物をグリニャール化
し、芳香族残基三置換ハロゲン化エテンとクロスカップ
リングするかによって得られるテトラアリールエテン誘
導体を含有する有機化合物層を有する有機ＥＬ素子。 （１８）電子注入輸送性化合物と正孔注入輸送性化合物
との混合層の発光層を有し、この混合層が前記化９のテ
トラアリールエテン誘導体を含有する有機ＥＬ素子。
【００２０】
【作用】本発明の有機ＥＬ素子は上記化９、好ましくは
化１０に示されるテトラアリールエテン誘導体を適宜選
択して有機化合物層に用いるため、高輝度が安定して得
られる。また、耐熱性・耐久性が高く、素子電流密度も
１００mAcm-2程度でも安定した駆動が可能である。
化１０に示されるテトラアリールエテン誘導体を適宜選
択して有機化合物層に用いるため、高輝度が安定して得
られる。また、耐熱性・耐久性が高く、素子電流密度も
１００mAcm-2程度でも安定した駆動が可能である。
【００２１】上記のテトラアリールエテン誘導体の蒸着
膜は安定なアモルファス状態なので、薄膜の膜物性が良
好となりムラがなく均一な発光が可能である。また、大
気下で、ほとんどの化合物が一年以上安定であり結晶化
を起こさない。
膜は安定なアモルファス状態なので、薄膜の膜物性が良
好となりムラがなく均一な発光が可能である。また、大
気下で、ほとんどの化合物が一年以上安定であり結晶化
を起こさない。
【００２２】また、本発明の有機ＥＬ素子は、低駆動電
圧で効率よく発光する。
圧で効率よく発光する。
【００２３】なお、本発明の有機ＥＬ素子の発光極大波
長は、３５０〜７００nm程度である。
長は、３５０〜７００nm程度である。
【００２４】上記のテトラアリールエテン誘導体は、芳
香族残基三置換ハロゲン化エテンをグリニャール化し、
ジ〜ヘキサハロゲン化芳香族化合物とクロスカップリン
グするか、またはジ〜ヘキサハロゲン化芳香族化合物を
グリニャール化し、芳香族残基三置換ハロゲン化エテン
とクロスカップリングするかによって得ている。このた
め、高純度品が得られ、出発原料を適宜選択することに
よって、目的に応じ多種多様の反応生成物を得ることが
できる。
香族残基三置換ハロゲン化エテンをグリニャール化し、
ジ〜ヘキサハロゲン化芳香族化合物とクロスカップリン
グするか、またはジ〜ヘキサハロゲン化芳香族化合物を
グリニャール化し、芳香族残基三置換ハロゲン化エテン
とクロスカップリングするかによって得ている。このた
め、高純度品が得られ、出発原料を適宜選択することに
よって、目的に応じ多種多様の反応生成物を得ることが
できる。
【００２５】また、有機化合物層のうち発光層に上記化
合物を用いる場合、化９、好ましくは化１０で示される
テトラアリールエテン誘導体のうち、Ｌがアリーレン基
であるものについては、アリーレン基の炭素数が２１以
上であるものが好ましい（化１１、化１２参照）。アリ
ーレン基の炭素数を２１以上とすることで、薄膜状態で
の安定性が高くなり、結晶化がさらに抑制される。
合物を用いる場合、化９、好ましくは化１０で示される
テトラアリールエテン誘導体のうち、Ｌがアリーレン基
であるものについては、アリーレン基の炭素数が２１以
上であるものが好ましい（化１１、化１２参照）。アリ
ーレン基の炭素数を２１以上とすることで、薄膜状態で
の安定性が高くなり、結晶化がさらに抑制される。
【００２６】なお、特開平６−１００８５７号公報には
炭素数６〜２０のアリール基の３個置換したトリアリー
ルビニル基が炭素数６〜２０のアリーレン基を介して連
結されたジオレフィン化合物が開示されており、このジ
オレフィン化合物からなる発光層を有する有機ＥＬ素子
が提案されている。この場合のジオレフィン化合物は、
本発明のものと一部重複するが、これらの化合物は、本
発明と異なり、ジアリールハロゲン化メタンをグリニャ
ール化し、これとジベンゾイルアリールとを反応させ
て、さらに脱水することによって得ている。
炭素数６〜２０のアリール基の３個置換したトリアリー
ルビニル基が炭素数６〜２０のアリーレン基を介して連
結されたジオレフィン化合物が開示されており、このジ
オレフィン化合物からなる発光層を有する有機ＥＬ素子
が提案されている。この場合のジオレフィン化合物は、
本発明のものと一部重複するが、これらの化合物は、本
発明と異なり、ジアリールハロゲン化メタンをグリニャ
ール化し、これとジベンゾイルアリールとを反応させ
て、さらに脱水することによって得ている。
【００２７】このように、連結基のアリーレン基の炭素
数が６〜２０であるものは、炭素数２１以上のものに比
べ、発光材料としたとき、薄膜状態での安定性にやや劣
り、このため素子の寿命が短かくなりやすく、発光輝度
が低下しやすくなる。
数が６〜２０であるものは、炭素数２１以上のものに比
べ、発光材料としたとき、薄膜状態での安定性にやや劣
り、このため素子の寿命が短かくなりやすく、発光輝度
が低下しやすくなる。
【００２８】また、上記の合成経路を経て得られるもの
は、本発明における合成経路を経て得られるものに比
べ、不純物が多く薄膜安定性が低下し、素子としたとき
寿命が短かくなり、発光輝度が低下する。
は、本発明における合成経路を経て得られるものに比
べ、不純物が多く薄膜安定性が低下し、素子としたとき
寿命が短かくなり、発光輝度が低下する。
【００２９】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００３０】本発明の有機ＥＬ素子（以下「ＥＬ素子」
ともいう。）は、少なくとも１層の有機化合物層を有
し、少なくとも１層の有機化合物層が化９で表されるテ
トラアリールエテン誘導体を含有する。本発明の有機Ｅ
Ｌ素子の構成例を図１に示す。同図に示される有機ＥＬ
素子１は、基板２上に、陽極３、正孔注入輸送層４、発
光層５、電子注入輸送層６、陰極７を順次有する。
ともいう。）は、少なくとも１層の有機化合物層を有
し、少なくとも１層の有機化合物層が化９で表されるテ
トラアリールエテン誘導体を含有する。本発明の有機Ｅ
Ｌ素子の構成例を図１に示す。同図に示される有機ＥＬ
素子１は、基板２上に、陽極３、正孔注入輸送層４、発
光層５、電子注入輸送層６、陰極７を順次有する。
【００３１】発光層は、正孔および電子の注入機能、そ
れらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生
成させる機能を有する。正孔注入輸送層は、陽極からの
正孔の注入を容易にする機能、正孔を輸送する機能およ
び電子の輸送を妨げる機能を有し、電子注入輸送層は、
陰極からの電子の注入を容易にする機能、電子を輸送す
る機能および正孔の輸送を妨げる機能を有するものであ
り、これらの層は、発光層へ注入される正孔や電子を増
大・閉じ込めさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率
を改善する。電子注入輸送層および正孔注入輸送層は、
発光層に用いる化合物の電子注入、電子輸送、正孔注
入、正孔輸送の各機能の高さを考慮し、必要に応じて設
けられる。例えば、発光層に用いる化合物の正孔注入輸
送機能または電子注入輸送機能が高い場合には、正孔注
入輸送層または電子注入輸送層を設けずに、発光層が正
孔注入輸送層または電子注入輸送層を兼ねる構成とする
ことができる。また、場合によっては正孔注入輸送層お
よび電子注入輸送層のいずれも設けなくてよい。また、
正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれにお
いて、注入機能をもつ層と輸送機能をもつ層とを別個に
設けてもよい。
れらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生
成させる機能を有する。正孔注入輸送層は、陽極からの
正孔の注入を容易にする機能、正孔を輸送する機能およ
び電子の輸送を妨げる機能を有し、電子注入輸送層は、
陰極からの電子の注入を容易にする機能、電子を輸送す
る機能および正孔の輸送を妨げる機能を有するものであ
り、これらの層は、発光層へ注入される正孔や電子を増
大・閉じ込めさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率
を改善する。電子注入輸送層および正孔注入輸送層は、
発光層に用いる化合物の電子注入、電子輸送、正孔注
入、正孔輸送の各機能の高さを考慮し、必要に応じて設
けられる。例えば、発光層に用いる化合物の正孔注入輸
送機能または電子注入輸送機能が高い場合には、正孔注
入輸送層または電子注入輸送層を設けずに、発光層が正
孔注入輸送層または電子注入輸送層を兼ねる構成とする
ことができる。また、場合によっては正孔注入輸送層お
よび電子注入輸送層のいずれも設けなくてよい。また、
正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれにお
いて、注入機能をもつ層と輸送機能をもつ層とを別個に
設けてもよい。
【００３２】化９で表されるテトラアリールエテン誘導
体（以下「化９の化合物」ともいう。）は、その化合物
の種類によって、正孔の注入ないし輸送機能をもつ正孔
注入輸送性化合物として、電子の注入ないし輸送機能を
もつ電子注入輸送性化合物として、また比較的ニュート
ラルな化合物は発光材料として適宜使用することができ
る。
体（以下「化９の化合物」ともいう。）は、その化合物
の種類によって、正孔の注入ないし輸送機能をもつ正孔
注入輸送性化合物として、電子の注入ないし輸送機能を
もつ電子注入輸送性化合物として、また比較的ニュート
ラルな化合物は発光材料として適宜使用することができ
る。
【００３３】また、組み合わせる発光層や電子注入輸送
層や正孔注入輸送層のキャリア移動度やキャリア密度
（イオン化ポテンシャル・電子親和力により決まる）を
考慮しながら、膜厚をコントロールすることで、再結合
領域・発光領域を自由に設計することが可能であり、発
光色の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度・発光
スペクトルの制御や、発光の空間分布の制御を可能にで
きる。
層や正孔注入輸送層のキャリア移動度やキャリア密度
（イオン化ポテンシャル・電子親和力により決まる）を
考慮しながら、膜厚をコントロールすることで、再結合
領域・発光領域を自由に設計することが可能であり、発
光色の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度・発光
スペクトルの制御や、発光の空間分布の制御を可能にで
きる。
【００３４】本発明に用いられる化９のテトラアリール
エテン誘導体について説明すると、化９において、Ａｒ
1 、Ａｒ2 およびＡｒ3 は、各々芳香族残基を表し、こ
れらは同一でも異なるものであってもよい。
エテン誘導体について説明すると、化９において、Ａｒ
1 、Ａｒ2 およびＡｒ3 は、各々芳香族残基を表し、こ
れらは同一でも異なるものであってもよい。
【００３５】Ａｒ1 〜Ａｒ3 で表される芳香族残基とし
ては、芳香族炭化水素基（アリール基）、芳香族複素環
基が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、単環もし
くは多環の芳香族炭化水素基であってよく、縮合環や環
集合も含まれる。芳香族炭化水素基は、総炭素数が６〜
３０のものが好ましく、置換基を有するものであっても
よい。置換基を有する場合の置換基としては、アルキル
基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アミ
ノ基等が挙げられる。この置換基については後述する。
芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、アルキ
ルフェニル基、アルコキシフェニル基、アリールフェニ
ル基、アリーロキシフェニル基、アミノフェニル基、ビ
フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、
ペリレニル基などが挙げられる。
ては、芳香族炭化水素基（アリール基）、芳香族複素環
基が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、単環もし
くは多環の芳香族炭化水素基であってよく、縮合環や環
集合も含まれる。芳香族炭化水素基は、総炭素数が６〜
３０のものが好ましく、置換基を有するものであっても
よい。置換基を有する場合の置換基としては、アルキル
基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アミ
ノ基等が挙げられる。この置換基については後述する。
芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、アルキ
ルフェニル基、アルコキシフェニル基、アリールフェニ
ル基、アリーロキシフェニル基、アミノフェニル基、ビ
フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、
ペリレニル基などが挙げられる。
【００３６】また、芳香族複素環基としては、ヘテロ原
子としてＯ、Ｎ、Ｓを含むものが好ましく、５員環であ
っても６員環であってもよい。具体的には、チエニル
基、フリル基、ピローリル基、ピリジル基などが挙げら
れる。
子としてＯ、Ｎ、Ｓを含むものが好ましく、５員環であ
っても６員環であってもよい。具体的には、チエニル
基、フリル基、ピローリル基、ピリジル基などが挙げら
れる。
【００３７】Ａｒ1 〜Ａｒ3 で表される芳香族残基とし
ては、特にフェニル基が好ましい。
ては、特にフェニル基が好ましい。
【００３８】ｎは２〜６の整数であり、特に２〜４の整
数であることが好ましい。
数であることが好ましい。
【００３９】Ｌはｎ価の芳香族残基を表すが、特に芳香
族炭化水素、芳香族複素環、芳香族エーテル（芳香族チ
オエーテルを含む。）または芳香族アミンから誘導され
る２〜６価、特に２〜４価の残基であることが好まし
い。これらの芳香族残基は、さらに置換基を有するもの
であってもよい。
族炭化水素、芳香族複素環、芳香族エーテル（芳香族チ
オエーテルを含む。）または芳香族アミンから誘導され
る２〜６価、特に２〜４価の残基であることが好まし
い。これらの芳香族残基は、さらに置換基を有するもの
であってもよい。
【００４０】なお、このなかで、発光材料とするとき、
Ｌは、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、イミノ
基（−ＮＲO −：ＲO はアリール基）、複素環ジイル
基、アルケニレン基およびアルキレン基のうちの１種以
上が介在したアリーレン基、炭素数が２１以上、好まし
くは２１〜１００、さらに好ましくは２４〜５０のアリ
ーレン基、芳香族炭化水素の３〜６価の残基または芳香
族複素環、芳香族エーテルもしくは芳香族アミンの２〜
６価の残基であるもの、すなわち化１１で表される化合
物（化１において、ＬO は上記のＬを表す。）が好まし
い。
Ｌは、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、イミノ
基（−ＮＲO −：ＲO はアリール基）、複素環ジイル
基、アルケニレン基およびアルキレン基のうちの１種以
上が介在したアリーレン基、炭素数が２１以上、好まし
くは２１〜１００、さらに好ましくは２４〜５０のアリ
ーレン基、芳香族炭化水素の３〜６価の残基または芳香
族複素環、芳香族エーテルもしくは芳香族アミンの２〜
６価の残基であるもの、すなわち化１１で表される化合
物（化１において、ＬO は上記のＬを表す。）が好まし
い。
【００４１】化９のなかでも化１０で示されるテトラア
リールエテン誘導体が好ましい。化１０について説明す
ると、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、各々、アルキル基、ア
リール基、アルコキシ基、アリーロキシ基またはアミノ
基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよ
い。
リールエテン誘導体が好ましい。化１０について説明す
ると、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、各々、アルキル基、ア
リール基、アルコキシ基、アリーロキシ基またはアミノ
基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよ
い。
【００４２】Ｒ1 〜Ｒ3 で表されるアルキル基として
は、炭素数１〜１０のものが好ましく、直鎖状であって
も分岐を有するものであってもよく、さらには置換基を
有するものであってもよく、例えばメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｔ−ブチル基等が挙げられる。
は、炭素数１〜１０のものが好ましく、直鎖状であって
も分岐を有するものであってもよく、さらには置換基を
有するものであってもよく、例えばメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｔ−ブチル基等が挙げられる。
【００４３】Ｒ1 〜Ｒ3 で表されるアリール基として
は、炭素数６〜２０のものが好ましく、置換基を有する
ものであってもよく、例えばフェニル基、ｏ−トリル
基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ナフチル基、アント
リル基等が挙げられる。
は、炭素数６〜２０のものが好ましく、置換基を有する
ものであってもよく、例えばフェニル基、ｏ−トリル
基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ナフチル基、アント
リル基等が挙げられる。
【００４４】Ｒ1 〜Ｒ3 で表されるアルコキシ基として
は、アルコキシ基のアルキル基部分の炭素数が１〜６の
ものが好ましく、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｔ−
ブトキシ基等が挙げられる。
は、アルコキシ基のアルキル基部分の炭素数が１〜６の
ものが好ましく、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｔ−
ブトキシ基等が挙げられる。
【００４５】Ｒ1 〜Ｒ3 で表されるアリーロキシ基とし
ては、フェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−
（ｔ−ブチル）フェノキシ基等が挙げられる。
ては、フェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−
（ｔ−ブチル）フェノキシ基等が挙げられる。
【００４６】Ｒ1 〜Ｒ3 で表されるアミノ基としては、
置換基を有するものが好ましく、例えばジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（ビ
フェニル）アミノ基等が挙げられる。
置換基を有するものが好ましく、例えばジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（ビ
フェニル）アミノ基等が挙げられる。
【００４７】ｓ、ｔおよびｕは、各々、０または１〜５
の整数であり、ｓ、ｔ、ｕが２以上の整数であるとき、
Ｒ1 同士、Ｒ2 同士、Ｒ3 同士は、各々同一でも異なる
ものであってもよい。
の整数であり、ｓ、ｔ、ｕが２以上の整数であるとき、
Ｒ1 同士、Ｒ2 同士、Ｒ3 同士は、各々同一でも異なる
ものであってもよい。
【００４８】化１０において、ｓ、ｔおよびｕは、各
々、０または１であることが好ましく、特に０であるこ
と、すなわち無置換のフェニル基であることが好まし
い。
々、０または１であることが好ましく、特に０であるこ
と、すなわち無置換のフェニル基であることが好まし
い。
【００４９】Ｌ1 は、アリーレン基、アレーントリイル
基、アレーンテトライル基、複素環ジイル基、複素環ト
リイル基、複素環テトライル基、トリアリールアミンも
しくはその多量体のジイル基、トリアリールアミンもし
くはその多量体のトリイル基、トリアリールアミンもし
くはその多量体のテトライル基、アリール置換複素環ジ
イル基、アリール置換複素環トリイル基またはアリール
置換複素環テトライル基を表す。これらはさらに置換さ
れていてもよい。Ｌ1 で表されるアリーレン基、アレー
ントリイル基、アレーンテトライル基は、オキシ基（−
Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＲO −：Ｒ
O はフェニル基等のアリール基）、複素環ジイル基、ア
ルケニル基およびアルキレン基のうちの１種以上が介在
していてもよい。
基、アレーンテトライル基、複素環ジイル基、複素環ト
リイル基、複素環テトライル基、トリアリールアミンも
しくはその多量体のジイル基、トリアリールアミンもし
くはその多量体のトリイル基、トリアリールアミンもし
くはその多量体のテトライル基、アリール置換複素環ジ
イル基、アリール置換複素環トリイル基またはアリール
置換複素環テトライル基を表す。これらはさらに置換さ
れていてもよい。Ｌ1 で表されるアリーレン基、アレー
ントリイル基、アレーンテトライル基は、オキシ基（−
Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＲO −：Ｒ
O はフェニル基等のアリール基）、複素環ジイル基、ア
ルケニル基およびアルキレン基のうちの１種以上が介在
していてもよい。
【００５０】このようなアリーレン基、アレーントリイ
ル基、アレーンテトライル基は、総炭素数が６以上、さ
らには２１以上、特に２１〜１００、さらに特には２４
〜５０であることが好ましい。Ｌ1 で表されるアリーレ
ン基として、具体的にはフェニレン基、ビフェニレン
基、ナフチレン基、ジフェニルエーテルジイル基、ジフ
ェニルチオエーテルジイル基、ジフェニルメチルジイル
基、ジフェニルオキサジアゾールジイル基、テルフェニ
レン基等が挙げられる。アレーントリイル基としては、
ベンゼントリイル基、クアテルフェニルトリイル基等が
挙げられる。アレーンテトライル基としては、テトラフ
ェニルエテンテトライル基等が挙げられる。このような
基にはフェニルエチリル基等が置換されていてもよい。
ル基、アレーンテトライル基は、総炭素数が６以上、さ
らには２１以上、特に２１〜１００、さらに特には２４
〜５０であることが好ましい。Ｌ1 で表されるアリーレ
ン基として、具体的にはフェニレン基、ビフェニレン
基、ナフチレン基、ジフェニルエーテルジイル基、ジフ
ェニルチオエーテルジイル基、ジフェニルメチルジイル
基、ジフェニルオキサジアゾールジイル基、テルフェニ
レン基等が挙げられる。アレーントリイル基としては、
ベンゼントリイル基、クアテルフェニルトリイル基等が
挙げられる。アレーンテトライル基としては、テトラフ
ェニルエテンテトライル基等が挙げられる。このような
基にはフェニルエチリル基等が置換されていてもよい。
【００５１】Ｌ1 で表される複素環ジイル基としては、
チオフェンジイル基、フランジイル基、ピリジンジイル
基、ビチオフェンジイル基、ビフランジイル基、ビピリ
ジンジイル基、ピラジンジイル基、ピロールジイル基、
ビピロールジイル基、キノリンジイル基、オキサジアゾ
ールジイル基、キノキサリンジイル基、ジフェニルキノ
キサリンジイル基等が挙げられる。複素環トリイル基と
してはイソキノリントリイル基等が挙げられ、複素環テ
トライル基としては、キノキサリンテトライル基等が挙
げられる。これらの基は、さらにメトキシ基等の置換基
を有していてもよい。
チオフェンジイル基、フランジイル基、ピリジンジイル
基、ビチオフェンジイル基、ビフランジイル基、ビピリ
ジンジイル基、ピラジンジイル基、ピロールジイル基、
ビピロールジイル基、キノリンジイル基、オキサジアゾ
ールジイル基、キノキサリンジイル基、ジフェニルキノ
キサリンジイル基等が挙げられる。複素環トリイル基と
してはイソキノリントリイル基等が挙げられ、複素環テ
トライル基としては、キノキサリンテトライル基等が挙
げられる。これらの基は、さらにメトキシ基等の置換基
を有していてもよい。
【００５２】Ｌ1 で表されるトリアリールアミンまたは
その多量体のジイル基としては、トリフェニルアミンジ
イル基等が挙げられ、トリアリールアミンまたはその多
量体のトリイル基としては、トリフェニルアミントリイ
ル基等が挙げられる。またトリアリールアミンまたはそ
の多量体のテトライル基としては、Ｎ，Ｎ’−テトラフ
ェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニルテ
トライル基等が挙げられる。なお、トリアリールアミン
の多量体は通常２〜４量体程度のものである。
その多量体のジイル基としては、トリフェニルアミンジ
イル基等が挙げられ、トリアリールアミンまたはその多
量体のトリイル基としては、トリフェニルアミントリイ
ル基等が挙げられる。またトリアリールアミンまたはそ
の多量体のテトライル基としては、Ｎ，Ｎ’−テトラフ
ェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニルテ
トライル基等が挙げられる。なお、トリアリールアミン
の多量体は通常２〜４量体程度のものである。
【００５３】Ｌ1 で表されるアリール置換複素環ジイル
基としては、ジフェニルオキサジアゾールジイル基等が
挙げられ、アリール置換複素環トリイル基としては、ジ
フェニルオキサジアゾールトリイル基、ジフェニルキノ
キサリントリイル基等が挙げられ、アリール置換複素環
テトライル基としては、ジフェニルキノキサリンテトラ
イル基等が挙げられる。
基としては、ジフェニルオキサジアゾールジイル基等が
挙げられ、アリール置換複素環トリイル基としては、ジ
フェニルオキサジアゾールトリイル基、ジフェニルキノ
キサリントリイル基等が挙げられ、アリール置換複素環
テトライル基としては、ジフェニルキノキサリンテトラ
イル基等が挙げられる。
【００５４】Ｌ1 の好適例を以下に示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。
れらに限定されるものではない。
【００５５】
【化１３】
【００５６】
【化１４】
【００５７】
【化１５】
【００５８】
【化１６】
【００５９】
【化１７】
【００６０】
【化１８】
【００６１】化１０において、ｎ１はＬ1 の価数による
が、２〜４の整数であり、さらには２、３、特には２で
あることが好ましい。
が、２〜４の整数であり、さらには２、３、特には２で
あることが好ましい。
【００６２】なお、正孔注入輸送性化合物として用いる
ときのＬ1 としては、複素環ジイル基、複素環トリイル
基、複素環テトライル基、トリアリールアミン誘導体ジ
イル基、トリアリールアミン誘導体トリイル基、トリア
リールアミン誘導体テトライル基またはイミノ基（−Ｎ
ＲO −：ＲO はアリール基）が介在してもよいアリーレ
ン基、アレーントリイル基もしくはアレーンテトライル
基であることが好ましい。
ときのＬ1 としては、複素環ジイル基、複素環トリイル
基、複素環テトライル基、トリアリールアミン誘導体ジ
イル基、トリアリールアミン誘導体トリイル基、トリア
リールアミン誘導体テトライル基またはイミノ基（−Ｎ
ＲO −：ＲO はアリール基）が介在してもよいアリーレ
ン基、アレーントリイル基もしくはアレーンテトライル
基であることが好ましい。
【００６３】また、電子注入輸送性化合物として用いる
ときのＬ1 としては、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−
Ｓ−）、複素環ジイル基およびアルキレン基のうちの１
種以上が介在していてもよいアリーレン基、アレーント
リイル基もしくはアレーンテトライル基、複素環ジイル
基、複素環トリイル基、複素環テトライル基、アリール
置換複素環ジイル基、アリール置換複素環トリイル基、
またはアリール置換複素環テトライル基であることが好
ましい。
ときのＬ1 としては、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−
Ｓ−）、複素環ジイル基およびアルキレン基のうちの１
種以上が介在していてもよいアリーレン基、アレーント
リイル基もしくはアレーンテトライル基、複素環ジイル
基、複素環トリイル基、複素環テトライル基、アリール
置換複素環ジイル基、アリール置換複素環トリイル基、
またはアリール置換複素環テトライル基であることが好
ましい。
【００６４】また、発光材料として用いるときのＬ1 と
しては、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、イミ
ノ基（−ＮＲO −：ＲO はアリール基）、複素環ジイル
基、アルケニレン基およびアルキレン基のうちの１種以
上が介在したアリーレン基、炭素数が２１以上、さらに
好ましくは２１〜１００、特に好ましくは２４〜５０の
アリーレン基、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ
−）、イミノ基（−ＮＲO−：ＲO はアリール基）、複
素環ジイル基、アルケニレン基およびアルキレン基のう
ちの１種以上が介在してもよいアレーントリイル基もし
くはアレーンテトライル基、複素環ジイル基、複素環ト
リイル基、複素環テトライル基、トリアリールアミンも
しくはその多量体のジイル基、トリアリールアミンもし
くはその多量体のトリイル基、トリアリールアミンもし
くはその多量体のテトライル基、アリール置換複素環ジ
イル基、アリール置換複素環トリイル基またはアリール
置換複素環テトライル基であるもの、すなわち、化１２
で表される化合物（化１２において、Ｌ11は上記のＬ1
を表す。）が好ましい。
しては、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、イミ
ノ基（−ＮＲO −：ＲO はアリール基）、複素環ジイル
基、アルケニレン基およびアルキレン基のうちの１種以
上が介在したアリーレン基、炭素数が２１以上、さらに
好ましくは２１〜１００、特に好ましくは２４〜５０の
アリーレン基、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ
−）、イミノ基（−ＮＲO−：ＲO はアリール基）、複
素環ジイル基、アルケニレン基およびアルキレン基のう
ちの１種以上が介在してもよいアレーントリイル基もし
くはアレーンテトライル基、複素環ジイル基、複素環ト
リイル基、複素環テトライル基、トリアリールアミンも
しくはその多量体のジイル基、トリアリールアミンもし
くはその多量体のトリイル基、トリアリールアミンもし
くはその多量体のテトライル基、アリール置換複素環ジ
イル基、アリール置換複素環トリイル基またはアリール
置換複素環テトライル基であるもの、すなわち、化１２
で表される化合物（化１２において、Ｌ11は上記のＬ1
を表す。）が好ましい。
【００６５】このようなテトラアリールエテン誘導体の
好適例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。なお、化１９は一般式であり、化２０〜化
２７では化１９の表示を用いて示している。Ｒ11〜
Ｒ15、Ｒ21〜Ｒ25、Ｒ31〜Ｒ35については、すべて水素
のときはＨとし、いずれかが置換基のときは置換基のみ
を示すものとする。なお、併せて、化合物の属性を記
す。正孔注入輸送性化合物のときはｎ、電子注入輸送性
化合物のときはｅとし、特に示さないものは弱い電子輸
送性もしくはニュートラル（バイボール）とする。この
なかの化合物のうち、青色発光材料とできるのは化合物
No. １〜４、１４、２１、２３〜２６、３２、４２、４
３、４７〜５９等である。
好適例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。なお、化１９は一般式であり、化２０〜化
２７では化１９の表示を用いて示している。Ｒ11〜
Ｒ15、Ｒ21〜Ｒ25、Ｒ31〜Ｒ35については、すべて水素
のときはＨとし、いずれかが置換基のときは置換基のみ
を示すものとする。なお、併せて、化合物の属性を記
す。正孔注入輸送性化合物のときはｎ、電子注入輸送性
化合物のときはｅとし、特に示さないものは弱い電子輸
送性もしくはニュートラル（バイボール）とする。この
なかの化合物のうち、青色発光材料とできるのは化合物
No. １〜４、１４、２１、２３〜２６、３２、４２、４
３、４７〜５９等である。
【００６６】
【化１９】
【００６７】
【化２０】
【００６８】
【化２１】
【００６９】
【化２２】
【００７０】
【化２３】
【００７１】
【化２４】
【００７２】
【化２５】
【００７３】
【化２６】
【００７４】
【化２７】
【００７５】
【化２８】
【００７６】
【化２９】
【００７７】本発明のテトラアリールエテン誘導体は、
（１）ハロゲン化トリフェニルエテン化合物等の芳香族
残基三置換ハロゲン化エーテルをグリニャール化し、Ｎ
ｉＣｌ2 （ｄｐｐｐ）〔ｄｐｐｐ：ジフェニルフォスフ
ィノプロパン〕等のＮｉ錯体などを用いて、ジハロゲン
化アリール誘導体等のジ、トリ、テトラ、ペンタもしく
はヘキサハロゲン化芳香族化合物とクロスカップリング
する方法、（２）ジハロゲン化アリール誘導体等のジ、
トリ、テトラ、ペンタもしくはヘキサハロゲン化芳香族
化合物をグリニャール化し、ＮｉＣｌ2 （ｄｐｐｐ）等
のＮｉ錯体などを用いてハロゲン化トリフェニルエテン
誘導体等の芳香族残基三置換ハロゲン化エテンとクロス
カップリングする方法、等を用いて合成できる。
（１）ハロゲン化トリフェニルエテン化合物等の芳香族
残基三置換ハロゲン化エーテルをグリニャール化し、Ｎ
ｉＣｌ2 （ｄｐｐｐ）〔ｄｐｐｐ：ジフェニルフォスフ
ィノプロパン〕等のＮｉ錯体などを用いて、ジハロゲン
化アリール誘導体等のジ、トリ、テトラ、ペンタもしく
はヘキサハロゲン化芳香族化合物とクロスカップリング
する方法、（２）ジハロゲン化アリール誘導体等のジ、
トリ、テトラ、ペンタもしくはヘキサハロゲン化芳香族
化合物をグリニャール化し、ＮｉＣｌ2 （ｄｐｐｐ）等
のＮｉ錯体などを用いてハロゲン化トリフェニルエテン
誘導体等の芳香族残基三置換ハロゲン化エテンとクロス
カップリングする方法、等を用いて合成できる。
【００７８】このようにして合成された化合物は、元素
分析、質量分析、赤外吸収スペクトル、 1Ｈ核磁気共鳴
吸収（ＮＭＲ）スペクトルなどによって同定することが
できる。
分析、質量分析、赤外吸収スペクトル、 1Ｈ核磁気共鳴
吸収（ＮＭＲ）スペクトルなどによって同定することが
できる。
【００７９】本発明に用いる化９のテトラアリールエテ
ン誘導体は、５００〜２０００程度の分子量をもち、２
００〜３５０℃の高融点を有し、８０〜２５０℃のガラ
ス転移温度（Ｔｇ）を示す。従って、通常の真空蒸着等
により透明で室温以上でも安定なアモルファス状態の平
滑で良好な膜を形成し、しかもその良好な膜の状態が長
期間に渡って維持される。
ン誘導体は、５００〜２０００程度の分子量をもち、２
００〜３５０℃の高融点を有し、８０〜２５０℃のガラ
ス転移温度（Ｔｇ）を示す。従って、通常の真空蒸着等
により透明で室温以上でも安定なアモルファス状態の平
滑で良好な膜を形成し、しかもその良好な膜の状態が長
期間に渡って維持される。
【００８０】化９の化合物を発光層に用いる場合につい
て説明する。発光層には化９の化合物のほか、他の蛍光
性物質を用いてもよく、他の蛍光性物質としては、例え
ば、特開昭６３−２６４６９２号公報に開示されている
ような化合物、例えば、キナクリドン、ルブレン、スチ
リル系色素やトリス（８−キノリノラト）アルミニウム
等の金属錯体色素等の化合物から選択される少なくとも
１種が挙げられる。このような蛍光性物質の含有量は、
化９の化合物の５モル％以下とすることが好ましい。こ
のような化合物を適宜選択して添加することにより、発
光光を長波長側にシフトすることができる。
て説明する。発光層には化９の化合物のほか、他の蛍光
性物質を用いてもよく、他の蛍光性物質としては、例え
ば、特開昭６３−２６４６９２号公報に開示されている
ような化合物、例えば、キナクリドン、ルブレン、スチ
リル系色素やトリス（８−キノリノラト）アルミニウム
等の金属錯体色素等の化合物から選択される少なくとも
１種が挙げられる。このような蛍光性物質の含有量は、
化９の化合物の５モル％以下とすることが好ましい。こ
のような化合物を適宜選択して添加することにより、発
光光を長波長側にシフトすることができる。
【００８１】また、発光層には、一重項酸素クエンチャ
ーが含有されていてもよい。このようなクエンチャーと
しては、ニッケル錯体や、ルブレン、ジフェニルイソベ
ンゾフラン、三級アミン等が挙げられる。このようなク
エンチャーの含有量は、化９の化合物の１０モル％以下
とすることが好ましい。
ーが含有されていてもよい。このようなクエンチャーと
しては、ニッケル錯体や、ルブレン、ジフェニルイソベ
ンゾフラン、三級アミン等が挙げられる。このようなク
エンチャーの含有量は、化９の化合物の１０モル％以下
とすることが好ましい。
【００８２】化９の化合物を発光層に用いる場合、正孔
注入輸送層および電子注入輸送層には、通常の有機ＥＬ
素子に用いられている各種有機化合物、例えば、特開昭
６３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号
公報、特開平３−７９２号公報等に記載されている各種
有機化合物を用いることができる。例えば、正孔注入輸
送層には、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カル
バゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘
導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体等を用
いることができ、また、電子注入輸送層には、アルミキ
ノリノールなどの有機金属錯体誘導体、オキサジアゾー
ル誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリ
ン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導
体、ペリレン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を
用いることができる。
注入輸送層および電子注入輸送層には、通常の有機ＥＬ
素子に用いられている各種有機化合物、例えば、特開昭
６３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号
公報、特開平３−７９２号公報等に記載されている各種
有機化合物を用いることができる。例えば、正孔注入輸
送層には、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カル
バゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘
導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体等を用
いることができ、また、電子注入輸送層には、アルミキ
ノリノールなどの有機金属錯体誘導体、オキサジアゾー
ル誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリ
ン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導
体、ペリレン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を
用いることができる。
【００８３】正孔注入輸送層を正孔注入層と正孔輸送層
とに分けて設層する場合は、正孔注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陽極（ＩＴＯ等）側からイオン化ポテン
シャルの小さい化合物の層の順に積層することが好まし
い。また陽極表面には薄膜性の良好な化合物を用いるこ
とが好ましい。例えば、８個以上のオリゴチオフェンや
ポリチオフェンの蒸着膜を正孔注入兼ＩＴＯ表面改質層
として用い、テトラフェニルジアミノビフェニル誘導体
（ＴＰＤ）や化合物No. ３を正孔輸送層として用いるの
が好ましい。素子化する場合、蒸着を用いているので１
〜１０nm程度の薄い膜も、均一かつピンホールフリーと
することができるので、各種の化合物を用いても、発光
色の色調変化や再吸収による効率の低下を防ぐことがで
きる。
とに分けて設層する場合は、正孔注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陽極（ＩＴＯ等）側からイオン化ポテン
シャルの小さい化合物の層の順に積層することが好まし
い。また陽極表面には薄膜性の良好な化合物を用いるこ
とが好ましい。例えば、８個以上のオリゴチオフェンや
ポリチオフェンの蒸着膜を正孔注入兼ＩＴＯ表面改質層
として用い、テトラフェニルジアミノビフェニル誘導体
（ＴＰＤ）や化合物No. ３を正孔輸送層として用いるの
が好ましい。素子化する場合、蒸着を用いているので１
〜１０nm程度の薄い膜も、均一かつピンホールフリーと
することができるので、各種の化合物を用いても、発光
色の色調変化や再吸収による効率の低下を防ぐことがで
きる。
【００８４】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて設層する場合は、電子注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陰極側から電子親和力の値の大きい化合
物の層の順に積層することが好ましい。このような積層
順については電子注入輸送層を２層以上設けるときも同
様である。
とに分けて設層する場合は、電子注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陰極側から電子親和力の値の大きい化合
物の層の順に積層することが好ましい。このような積層
順については電子注入輸送層を２層以上設けるときも同
様である。
【００８５】なお、本発明では、発光層を電子注入輸送
性化合物と正孔注入輸送性化合物との混合層とすること
も好ましい。そして、このような混合層に化９の化合物
を含有させる。化９の化合物を蛍光性物質として含有さ
せる場合、より具体的には、化９の化合物が電子注入輸
送性化合物であるとき、他の正孔注入輸送性化合物をさ
らに添加することが好ましく、化９の化合物が正孔注入
輸送性化合物であるときは、他の電子注入輸送性化合物
をさらに添加することが好ましい。上記の混合層におけ
る電子注入輸送性化合物と正孔注入輸送性化合物との混
合比は、重量比で、電子注入輸送性化合物：正孔注入輸
送性化合物が６０：４０〜４０：６０であることが好ま
しく、特には５０：５０程度であることが好ましい。
性化合物と正孔注入輸送性化合物との混合層とすること
も好ましい。そして、このような混合層に化９の化合物
を含有させる。化９の化合物を蛍光性物質として含有さ
せる場合、より具体的には、化９の化合物が電子注入輸
送性化合物であるとき、他の正孔注入輸送性化合物をさ
らに添加することが好ましく、化９の化合物が正孔注入
輸送性化合物であるときは、他の電子注入輸送性化合物
をさらに添加することが好ましい。上記の混合層におけ
る電子注入輸送性化合物と正孔注入輸送性化合物との混
合比は、重量比で、電子注入輸送性化合物：正孔注入輸
送性化合物が６０：４０〜４０：６０であることが好ま
しく、特には５０：５０程度であることが好ましい。
【００８６】この混合層に供する電子注入輸送性化合物
は、上記の電子注入輸送層用の化合物のなかから、また
正孔注入輸送性化合物は、上記の正孔注入輸送層用の化
合物のなかから選択して用いることができる。また、場
合によっては化９の化合物から選択して用いてもよく、
化９の化合物同士で混合層を構成してもよい。さらに、
混合層において、電子注入輸送性化合物、正孔注入輸送
性化合物は各々１種のみ用いても２種以上を併用しても
よい。また、混合層には発光強度を高めるために、化９
の化合物や他の蛍光性物質をドープして用いてもよい。
は、上記の電子注入輸送層用の化合物のなかから、また
正孔注入輸送性化合物は、上記の正孔注入輸送層用の化
合物のなかから選択して用いることができる。また、場
合によっては化９の化合物から選択して用いてもよく、
化９の化合物同士で混合層を構成してもよい。さらに、
混合層において、電子注入輸送性化合物、正孔注入輸送
性化合物は各々１種のみ用いても２種以上を併用しても
よい。また、混合層には発光強度を高めるために、化９
の化合物や他の蛍光性物質をドープして用いてもよい。
【００８７】さらに、他の電子注入輸送性化合物および
他の正孔注入輸送性化合物の混合層とし、このような混
合層に化９の化合物をドープして用いてもよい。
他の正孔注入輸送性化合物の混合層とし、このような混
合層に化９の化合物をドープして用いてもよい。
【００８８】このような混合層をＥＬ素子に適用するこ
とによって、素子の安定性が向上する。
とによって、素子の安定性が向上する。
【００８９】次に化９の化合物を正孔注入輸送層に用い
る場合について説明する。化９の化合物を正孔注入輸送
層に用いる場合、発光層に用いる蛍光性物質は、化９の
化合物より長波長の蛍光をもつものから選択すればよ
く、例えば、上記した、発光層において化９の化合物と
併用される蛍光性物質の１種以上から適宜選択すればよ
い。なお、このような場合、発光層にも化９の化合物を
用いることができる。また、化９の化合物は、正孔注入
輸送層を兼ねた発光層にも用いることができる。
る場合について説明する。化９の化合物を正孔注入輸送
層に用いる場合、発光層に用いる蛍光性物質は、化９の
化合物より長波長の蛍光をもつものから選択すればよ
く、例えば、上記した、発光層において化９の化合物と
併用される蛍光性物質の１種以上から適宜選択すればよ
い。なお、このような場合、発光層にも化９の化合物を
用いることができる。また、化９の化合物は、正孔注入
輸送層を兼ねた発光層にも用いることができる。
【００９０】さらに化９の化合物を電子注入輸送層に用
いる場合について説明する。この場合、発光層に用いる
蛍光性物質は、化９の化合物より長波長もしくは同程度
の波長の蛍光をもつものを用いればよい。例えば、上記
した発光層において化９の化合物と併用できる蛍光性物
質のなかから選択して用いることができる。また、化９
の化合物は、このような構成において、さらに発光層に
も用いることができる。また、化９の化合物は電子注入
輸送層を兼ねた発光層にも用いることができる。
いる場合について説明する。この場合、発光層に用いる
蛍光性物質は、化９の化合物より長波長もしくは同程度
の波長の蛍光をもつものを用いればよい。例えば、上記
した発光層において化９の化合物と併用できる蛍光性物
質のなかから選択して用いることができる。また、化９
の化合物は、このような構成において、さらに発光層に
も用いることができる。また、化９の化合物は電子注入
輸送層を兼ねた発光層にも用いることができる。
【００９１】なお、上記において、他の蛍光性物質を主
に発光層に用いる場合、化９の化合物を蛍光性物質とし
て１０モル％以下添加して併用してもよい。
に発光層に用いる場合、化９の化合物を蛍光性物質とし
て１０モル％以下添加して併用してもよい。
【００９２】発光層の厚さ、正孔注入輸送層の厚さおよ
び電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法に
よっても異なるが、通常、５〜１０００nm程度、特に８
〜２００nmとすることが好ましい。
び電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法に
よっても異なるが、通常、５〜１０００nm程度、特に８
〜２００nmとすることが好ましい。
【００９３】正孔注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送
層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層
の厚さと同程度もしくは１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。電子もしくは正孔の、各々の注入層と輸送層を分
ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は１０nm以上と
するのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの
上限は、通常、注入層で２０nm程度、輸送層で１００nm
程度である。
層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層
の厚さと同程度もしくは１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。電子もしくは正孔の、各々の注入層と輸送層を分
ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は１０nm以上と
するのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの
上限は、通常、注入層で２０nm程度、輸送層で１００nm
程度である。
【００９４】陰極には、仕事関数の小さい材料、例え
ば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎあるいはこれ
らの１種以上を含む合金を用いることが好ましい。ま
た、陰極は結晶粒が細かいことが好ましく、特に、アモ
ルファス状態であることが好ましい。陰極の厚さは１０
〜１０００nm程度とすることが好ましい。
ば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎあるいはこれ
らの１種以上を含む合金を用いることが好ましい。ま
た、陰極は結晶粒が細かいことが好ましく、特に、アモ
ルファス状態であることが好ましい。陰極の厚さは１０
〜１０００nm程度とすることが好ましい。
【００９５】ＥＬ素子を面発光させるためには、少なく
とも一方の電極が透明ないし半透明である必要があり、
上記したように陰極の材料には制限があるので、好まし
くは発光光の透過率が８０％以上となるように陽極の材
料および厚さを決定することが好ましい。具体的には、
例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、
ドーパントをドープしたポリピロールなどを陽極に用い
ることが好ましい。また、陽極の厚さは１０〜５００nm
程度とすることが好ましい。また、素子の信頼性を向上
するために駆動電圧が低いことが必要であるが、好まし
いものとして１０〜３０Ω／□のＩＴＯが挙げられる。
とも一方の電極が透明ないし半透明である必要があり、
上記したように陰極の材料には制限があるので、好まし
くは発光光の透過率が８０％以上となるように陽極の材
料および厚さを決定することが好ましい。具体的には、
例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、
ドーパントをドープしたポリピロールなどを陽極に用い
ることが好ましい。また、陽極の厚さは１０〜５００nm
程度とすることが好ましい。また、素子の信頼性を向上
するために駆動電圧が低いことが必要であるが、好まし
いものとして１０〜３０Ω／□のＩＴＯが挙げられる。
【００９６】基板材料に特に制限はないが、図示例では
基板側から発光光を取り出すため、ガラスや樹脂等の透
明ないし半透明材料を用いる。また、基板に色フィルタ
ー膜や誘電体反射膜を用いて発光色をコントロールして
もよい。
基板側から発光光を取り出すため、ガラスや樹脂等の透
明ないし半透明材料を用いる。また、基板に色フィルタ
ー膜や誘電体反射膜を用いて発光色をコントロールして
もよい。
【００９７】なお、基板に不透明な材料を用いる場合に
は、図１に示される積層順序を逆にしてもよい。
は、図１に示される積層順序を逆にしてもよい。
【００９８】次に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法を
説明する。
説明する。
【００９９】陰極および陽極は、蒸着法やスパッタ法等
の気相成長法により形成することが好ましい。
の気相成長法により形成することが好ましい。
【０１００】正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸
送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから真空
蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用いた場
合、アモルファス状態または結晶粒径が０．１μm 以下
（通常０．００５μm 以上）の均質な薄膜が得られる。
結晶粒径が０．１μm を超えていると、不均一な発光と
なり、素子の駆動電圧を高くしなければならなくなり、
電荷の注入効率も著しく低下する。
送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから真空
蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用いた場
合、アモルファス状態または結晶粒径が０．１μm 以下
（通常０．００５μm 以上）の均質な薄膜が得られる。
結晶粒径が０．１μm を超えていると、不均一な発光と
なり、素子の駆動電圧を高くしなければならなくなり、
電荷の注入効率も著しく低下する。
【０１０１】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０-3Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．１〜１nm／se
c 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続して
各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形成
すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げるた
め、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低くす
ることができる。
０-3Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．１〜１nm／se
c 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続して
各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形成
すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げるた
め、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低くす
ることができる。
【０１０２】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
【０１０３】本発明のＥＬ素子は、通常、直流駆動型の
ＥＬ素子として用いられるが、交流駆動またはパルス駆
動することもできる。印加電圧は、通常、２〜２０V 程
度とされる。
ＥＬ素子として用いられるが、交流駆動またはパルス駆
動することもできる。印加電圧は、通常、２〜２０V 程
度とされる。
【０１０４】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を比較例ととも
に示し、本発明をさらに詳細に説明する。
に示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【０１０５】＜実施例１＞化合物No. １の合成 シュレンクフラスコにアルゴン下で活性化したマグネシ
ウム０．４８８g （２０mmol）に、２−ブロモ−１，
１，２−トリフェニルエテン６．７０g （２０mmol）の
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液５０mlを滴下しグリ
ニャール化した。この反応溶液にＮｉＣｌ2 （ｄｐｐ
ｅ）０．３g と４，４’−ジブロモビフェニル３．０２
g （９．４mmol）を加え、６０℃で４時間還流した。こ
の反応溶液を１Ｎ塩酸水溶液に投入しトルエンで抽出
し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去
後、アセトン／ジクロロメタンより再結晶し、３．０g
の青色蛍光を示す白色固体を得た。
ウム０．４８８g （２０mmol）に、２−ブロモ−１，
１，２−トリフェニルエテン６．７０g （２０mmol）の
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液５０mlを滴下しグリ
ニャール化した。この反応溶液にＮｉＣｌ2 （ｄｐｐ
ｅ）０．３g と４，４’−ジブロモビフェニル３．０２
g （９．４mmol）を加え、６０℃で４時間還流した。こ
の反応溶液を１Ｎ塩酸水溶液に投入しトルエンで抽出
し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去
後、アセトン／ジクロロメタンより再結晶し、３．０g
の青色蛍光を示す白色固体を得た。
【０１０６】この白色固体１．０g を昇華精製し、０．
８g の純粋な固体を得た。
８g の純粋な固体を得た。
【０１０７】質量分析：ｍ／ｅ ６６２（Ｍ＋） 元素分析： Ｃ Ｈ Ｂｒ 計算値／％ ９４．２２ ５．７８ ０．０ 測定値／％ ９４．３１ ５．５４ ０．０ 赤外吸収スペクトル：図２1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０MHz ）：図３ 示差走査熱量測定（ＤＳＣ）：融点３０４℃、ガラス転
移温度１１０℃ イオン化ポテンシャル：５．９０eV
移温度１１０℃ イオン化ポテンシャル：５．９０eV
【０１０８】＜実施例２＞化合物No. ２の合成 シュレンクフラスコにアルゴン下で活性化したマグネシ
ウム０．４８５g （２０mmol）に、２−ブロモ−１，
１，２−トリフェニルエテン６．７０g （２０mmol）の
ＴＨＦ溶液５０mlを滴下しグリニャール化した。この反
応溶液にＮｉＣｌ2 （ｄｐｐｅ）０．４g と１，４’−
ジブロモベンゼン２．３５g （１０mmol）を加え、６０
℃で４時間還流した。この反応溶液を１Ｎ塩酸水溶液に
投入しトルエンで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウムで
乾燥した。溶媒を留去後、アセトン／ジクロロメタンよ
り再結晶し、３．０g の青色蛍光を示す白色固体を得
た。
ウム０．４８５g （２０mmol）に、２−ブロモ−１，
１，２−トリフェニルエテン６．７０g （２０mmol）の
ＴＨＦ溶液５０mlを滴下しグリニャール化した。この反
応溶液にＮｉＣｌ2 （ｄｐｐｅ）０．４g と１，４’−
ジブロモベンゼン２．３５g （１０mmol）を加え、６０
℃で４時間還流した。この反応溶液を１Ｎ塩酸水溶液に
投入しトルエンで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウムで
乾燥した。溶媒を留去後、アセトン／ジクロロメタンよ
り再結晶し、３．０g の青色蛍光を示す白色固体を得
た。
【０１０９】この白色固体１．０g を昇華精製し、０．
８g の純粋な固体を得た。
８g の純粋な固体を得た。
【０１１０】質量分析：ｍ／ｅ ５８６（Ｍ＋） 元素分析： Ｃ Ｈ Ｂｒ 計算値／％ ９４．１６ ５．８４ ０．０ 測定値／％ ９４．１５ ５．５３ ０．０ 赤外吸収スペクトル：図４1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル ：図５ 示差走査熱量測定（ＤＳＣ）：融点２５０℃、ガラス転
移温度８３℃ イオン化ポテンシャル：５．９５eV
移温度８３℃ イオン化ポテンシャル：５．９５eV
【０１１１】＜実施例３＞化合物No. ３の合成 シュレンクフラスコにアルゴン下で活性化したマグネシ
ウム０．４８８g （２０mmol）に、２−ブロモ−１，
１，２−トリフェニルエテン６．７０g （２０mmol）の
ＴＨＦ溶液５０mlを滴下しグリニャール化した。この反
応溶液にＮｉＣｌ2 （ｄｐｐｅ）０．３g と４，４’，
４”−トリブロモトリフェニルアミン３．００g （６．
０mmol）を加え、６０℃で４時間還流した。この反応溶
液を１Ｎ塩酸水溶液に投入しトルエンで抽出し、水洗
後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、アセ
トン／ジクロロメタンにより再結晶後３．０g の青緑色
蛍光を示す黄白色固体を得た。
ウム０．４８８g （２０mmol）に、２−ブロモ−１，
１，２−トリフェニルエテン６．７０g （２０mmol）の
ＴＨＦ溶液５０mlを滴下しグリニャール化した。この反
応溶液にＮｉＣｌ2 （ｄｐｐｅ）０．３g と４，４’，
４”−トリブロモトリフェニルアミン３．００g （６．
０mmol）を加え、６０℃で４時間還流した。この反応溶
液を１Ｎ塩酸水溶液に投入しトルエンで抽出し、水洗
後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、アセ
トン／ジクロロメタンにより再結晶後３．０g の青緑色
蛍光を示す黄白色固体を得た。
【０１１２】この白色固体１．０g を昇華精製し、０．
８g の純粋な固体を得た。
８g の純粋な固体を得た。
【０１１３】質量分析：ｍ／ｅ １００７（Ｍ＋） 元素分析： Ｃ Ｈ Ｎ Ｂｒ 計算値／％ ９２．１９ ５．６９ １．３９ ０．０ 測定値／％ ９２．４６ ５．３２ １．２９ ０．０ 赤外吸収スペクトル：図６1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０MHz ）：図７ 示差走査熱量測定（ＤＳＣ）：融点３００℃、ガラス転
移温度１２９℃ イオン化ポテンシャル：５．４５eV
移温度１２９℃ イオン化ポテンシャル：５．４５eV
【０１１４】＜実施例４＞化合物No. ７の合成 シュレンクフラスコにアルゴン下で活性化したマグネシ
ウム０．４８５g （２０mmol）に、２−ブロモ−１，
１，２−トリフェニルエテン６．７０g （２０mmol）の
ＴＨＦ溶液５０mlを滴下しグリニャール化した。この反
応溶液にＮｉＣｌ2 （ｄｐｐｅ）０．４g と１，３，５
−トリブロモベンゼン２．０７g （６．６mmol）を加
え、６０℃で４時間還流した。反応溶液を１Ｎ塩酸水溶
液に投入しトルエンで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒を留去後、アセトン／ヘキサンより
再結晶後、トルエン／ヘキサンを展開溶媒としてシリカ
カラム精製し、１．０g の青色蛍光を示す白色固体を得
た。
ウム０．４８５g （２０mmol）に、２−ブロモ−１，
１，２−トリフェニルエテン６．７０g （２０mmol）の
ＴＨＦ溶液５０mlを滴下しグリニャール化した。この反
応溶液にＮｉＣｌ2 （ｄｐｐｅ）０．４g と１，３，５
−トリブロモベンゼン２．０７g （６．６mmol）を加
え、６０℃で４時間還流した。反応溶液を１Ｎ塩酸水溶
液に投入しトルエンで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒を留去後、アセトン／ヘキサンより
再結晶後、トルエン／ヘキサンを展開溶媒としてシリカ
カラム精製し、１．０g の青色蛍光を示す白色固体を得
た。
【０１１５】この白色固体０．５g を昇華精製し、０．
３g の純粋な固体を得た。
３g の純粋な固体を得た。
【０１１６】質量分析：ｍ／ｅ ８４０（Ｍ＋） 赤外吸収スペクトル：図８1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０MHz ）：図９ 示差走査熱量測定（ＤＳＣ）：融点２１３℃、ガラス転
移温度９２℃ イオン化ポテンシャル：５．９５eV
移温度９２℃ イオン化ポテンシャル：５．９５eV
【０１１７】＜実施例５＞化合物No. ８の合成 シュレンクフラスコにアルゴン下で活性化したマグネシ
ウム０．４８５g （２０mmol）に、２，５−ジブロモチ
オフェン２．４２g （１０mmol）のＴＨＦ溶液５０mlを
滴下しグリニャール化した。この反応溶液にＮｉＣｌ2
（ｄｐｐｅ）０．４g と１，２−ブロモ−１，１，２−
トリフェニルエテン６．７０g （２０mmol）を加え、６
０℃で４時間還流した。反応溶液を１Ｎ塩酸水溶液に投
入しトルエンで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾
燥した。溶媒を留去後、アセトン／ヘキサンより再結晶
後、１．０g の緑色蛍光を示す黄色固体を得た。
ウム０．４８５g （２０mmol）に、２，５−ジブロモチ
オフェン２．４２g （１０mmol）のＴＨＦ溶液５０mlを
滴下しグリニャール化した。この反応溶液にＮｉＣｌ2
（ｄｐｐｅ）０．４g と１，２−ブロモ−１，１，２−
トリフェニルエテン６．７０g （２０mmol）を加え、６
０℃で４時間還流した。反応溶液を１Ｎ塩酸水溶液に投
入しトルエンで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾
燥した。溶媒を留去後、アセトン／ヘキサンより再結晶
後、１．０g の緑色蛍光を示す黄色固体を得た。
【０１１８】この黄色固体１．０g を昇華精製し、０．
８g の純粋な固体を得た。
８g の純粋な固体を得た。
【０１１９】質量分析：ｍ／ｅ ５９２（Ｍ＋） 元素分析： Ｃ Ｈ Ｓ Ｂｒ 計算値／％ ８９．１５ ５．４４ ５．４１ ０．０ 測定値／％ ８９．０５ ５．３２ ５．０５ ０．０ イオン化ポテンシャル：５．４０eV
【０１２０】なお、赤外吸収スペクトル、 1Ｈ−ＮＭＲ
スペクトルの結果からも、上記化合物と同定した。
スペクトルの結果からも、上記化合物と同定した。
【０１２１】＜実施例６＞化合物No. １９の合成 シュレンクフラスコにアルゴン下で活性化したマグネシ
ウム０．４８５g （２０mmol）に、２−ブロモ−１，
１，２−トリフェニルエテン６．７０g （２０mmol）の
ＴＨＦ溶液５０mlを滴下しグリニャール化した。この反
応溶液にＮｉＣｌ2 （ｄｐｐｅ）０．４g と２，３−ビ
ス（４−ブロモフェニル）キノキサリン４．４０g （２
０mmol）を加え、６０℃で４時間還流した。反応溶液を
０．１Ｎ塩酸水溶液に投入しクロロホルムで抽出し、水
洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、ア
セトンより再結晶後、３．０g の緑色蛍光を示す黄色固
体を得た。
ウム０．４８５g （２０mmol）に、２−ブロモ−１，
１，２−トリフェニルエテン６．７０g （２０mmol）の
ＴＨＦ溶液５０mlを滴下しグリニャール化した。この反
応溶液にＮｉＣｌ2 （ｄｐｐｅ）０．４g と２，３−ビ
ス（４−ブロモフェニル）キノキサリン４．４０g （２
０mmol）を加え、６０℃で４時間還流した。反応溶液を
０．１Ｎ塩酸水溶液に投入しクロロホルムで抽出し、水
洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、ア
セトンより再結晶後、３．０g の緑色蛍光を示す黄色固
体を得た。
【０１２２】この黄色固体１．０g を昇華精製し、０．
８g の純粋な固体を得た。
８g の純粋な固体を得た。
【０１２３】質量分析：ｍ／ｅ ７９０（Ｍ＋） 元素分析： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値／％ ９１．１０ ５．３５ ３．５４ 測定値／％ ９１．０３ ５．２８ ３．４０ 赤外吸収スペクトル：図１０1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル ：図１１ イオン化ポテンシャル：５．９８eV
【０１２４】＜実施例７＞化合物No. ４の合成 ４，４’−ジブロモビフェニル３．０２g （９．４mmo
l）のかわりに、ビス（ｐ−ブロモフェニル）エーテル
２．９５g （９mmol）を用いるほかは実施例１と同様に
して合成した。
l）のかわりに、ビス（ｐ−ブロモフェニル）エーテル
２．９５g （９mmol）を用いるほかは実施例１と同様に
して合成した。
【０１２５】質量分析：ｍ／ｅ ６７８（Ｍ＋） 赤外吸収スペクトル：図１２1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル ：図１３ 示差走査熱量測定（ＤＳＣ）：融点２５４℃、ガラス転
移温度９０℃ なお、元素分析の測定値は計算値とよく一致した。
移温度９０℃ なお、元素分析の測定値は計算値とよく一致した。
【０１２６】＜実施例８＞化合物No. ３３の合成 Ｎ，Ｎ’−（ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−
ジフェニル−４，４’−ジアミノビフェニルの合成 Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン１６．８g （５０mmo
l）と４−ヨードブロモベンゼン４２．４g （１５０mmo
l）と活性銅粉０．２g と炭酸カリウム２０．７g （１
５０mmol）を２００mlナスフラスコに投入し、Ｎ2 置換
後２００℃で２４時間攪拌した。
ジフェニル−４，４’−ジアミノビフェニルの合成 Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン１６．８g （５０mmo
l）と４−ヨードブロモベンゼン４２．４g （１５０mmo
l）と活性銅粉０．２g と炭酸カリウム２０．７g （１
５０mmol）を２００mlナスフラスコに投入し、Ｎ2 置換
後２００℃で２４時間攪拌した。
【０１２７】トルエンを１００ml加え、有機層を抽出
し、水で３回洗浄した。トルエンとヘキサンの混合溶媒
を抽出溶媒としてシリカカラムクロマト精製を３回行
い、ヘキサン／ジクロロメタンより再結晶し、青色蛍光
をもつ白色結晶１５．２g を得た。
し、水で３回洗浄した。トルエンとヘキサンの混合溶媒
を抽出溶媒としてシリカカラムクロマト精製を３回行
い、ヘキサン／ジクロロメタンより再結晶し、青色蛍光
をもつ白色結晶１５．２g を得た。
【０１２８】化合物No. ３３の合成 シュレクフラスコにアルゴン下で活性化したマグネシウ
ム０．４８５g （２０mmol）に、２−ブロモ−１，１，
２−トリフェニルエテン６．７g （２０mmol）のＴＨＦ
溶液５０mlを滴下し、グリニャール化した。
ム０．４８５g （２０mmol）に、２−ブロモ−１，１，
２−トリフェニルエテン６．７g （２０mmol）のＴＨＦ
溶液５０mlを滴下し、グリニャール化した。
【０１２９】この反応溶媒にＮｉＣｌ2 （ｄｐｐｅ）
０．４g とＮ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル
５．８２g （９mmol）を加え、６０〜７０℃で４時間還
流した。
０．４g とＮ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル
５．８２g （９mmol）を加え、６０〜７０℃で４時間還
流した。
【０１３０】反応溶液を１０％塩酸水溶液に投入しトル
エンとクロロホルムで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒を留去後、アセトンで洗浄し、トル
エンとヘキサンの混合溶媒を展開溶媒としてカラムクロ
マト精製し３．０g の緑黄色の蛍光をもつ黄白色固体を
得た。
エンとクロロホルムで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒を留去後、アセトンで洗浄し、トル
エンとヘキサンの混合溶媒を展開溶媒としてカラムクロ
マト精製し３．０g の緑黄色の蛍光をもつ黄白色固体を
得た。
【０１３１】この黄色固体１．０g を昇華精製し、０．
７g の純粋な固体を得た。
７g の純粋な固体を得た。
【０１３２】質量分析：ｍ／ｅ ９９６（Ｍ＋） 赤外吸収スペクトル：図１４1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル ：図１５ 示差走査熱量測定（ＤＳＣ）：融点３３３℃、ガラス転
移温度１３２℃ イオン化ポテンシャル：５．３８eV なお、元素分析の測定値は計算値とよく一致した。
移温度１３２℃ イオン化ポテンシャル：５．３８eV なお、元素分析の測定値は計算値とよく一致した。
【０１３３】＜実施例９＞化合物No. ４２の合成 ９，１０−ビス（ｐ−ブロモフェニル）アントラセンの
合成 ２６０mlフラスコにアルゴン下で、アントラキノン４．
１６g （２０mmol）とトルエン１００mlの中に４−ヨー
ドブロモベンゼンとブチルリチウム（ヘキサン溶液）よ
り合成した。４−ブロモフェニルリチウム６．５２g
（４０mmol）のエーテル溶液を滴下した。室温で２４時
間攪拌後、水を１００ml滴下した。沈澱物を濾過し、ジ
オール体を得た。
合成 ２６０mlフラスコにアルゴン下で、アントラキノン４．
１６g （２０mmol）とトルエン１００mlの中に４−ヨー
ドブロモベンゼンとブチルリチウム（ヘキサン溶液）よ
り合成した。４−ブロモフェニルリチウム６．５２g
（４０mmol）のエーテル溶液を滴下した。室温で２４時
間攪拌後、水を１００ml滴下した。沈澱物を濾過し、ジ
オール体を得た。
【０１３４】このジオール体を酢酸１００mlに溶解し、
二塩化スズ２．０g の塩酸溶液を滴下し、１００℃で１
時間攪拌後トルエンで抽出し、水で５回洗浄した。硫酸
マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去してトルエンとヘキ
サンを抽出溶媒としてシリカカラムクロマトで精製し
た。
二塩化スズ２．０g の塩酸溶液を滴下し、１００℃で１
時間攪拌後トルエンで抽出し、水で５回洗浄した。硫酸
マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去してトルエンとヘキ
サンを抽出溶媒としてシリカカラムクロマトで精製し
た。
【０１３５】その後トルエンで再結晶し、青色蛍光を示
す白色結晶１g を得た。
す白色結晶１g を得た。
【０１３６】化合物No. ４２の合成 Ｎ，Ｎ’−ビス（ｐ−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニル−４，４’−アミノビフェニル５．８２g （９
mmol）のかわりに、９，１０−ビス（ｐ−ブロモフェニ
ル）アントラセン４．４０g （９mmol）を用い、実施例
８と同様に合成した。
フェニル−４，４’−アミノビフェニル５．８２g （９
mmol）のかわりに、９，１０−ビス（ｐ−ブロモフェニ
ル）アントラセン４．４０g （９mmol）を用い、実施例
８と同様に合成した。
【０１３７】質量分析：ｍ／ｅ ８３８（Ｍ＋） 赤外吸収スペクトル：図１６1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル ：図１７ 示差走査熱量測定（ＤＳＣ）：融点３７０℃、ガラス転
移温度１４３℃ なお、元素分析の測定値は計算値とよく一致した。
移温度１４３℃ なお、元素分析の測定値は計算値とよく一致した。
【０１３８】＜実施例１０＞化合物No. ６５の合成 ４，４’−ジブロモビフェニル３．０２g （９．４mmo
l）のかわりに、２，６−ジクロロ−３メトキシアクリ
ジン２．５g （９mmol）を用いるほかは実施例１と同様
にして合成した。
l）のかわりに、２，６−ジクロロ−３メトキシアクリ
ジン２．５g （９mmol）を用いるほかは実施例１と同様
にして合成した。
【０１３９】質量分析：ｍ／ｅ ７１６（Ｍ＋） 赤外吸収スペクトル：図１８1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル：図１９ 示差走査熱量測定（ＤＳＣ）：融点２５９．２℃、ガラ
ス転移温度１３２．６℃ なお、元素分析の測定値は計算値とよく一致した。
ス転移温度１３２．６℃ なお、元素分析の測定値は計算値とよく一致した。
【０１４０】化１９〜化２９に示される他の例示化合物
も実施例１〜１０に準じて合成した。これらの化合物
は、元素分析、質量分析、赤外吸収スペクトル、 1Ｈ−
ＮＭＲスペクトルの結果から同定した。
も実施例１〜１０に準じて合成した。これらの化合物
は、元素分析、質量分析、赤外吸収スペクトル、 1Ｈ−
ＮＭＲスペクトルの結果から同定した。
【０１４１】＜実施例１１＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
【０１４２】次いで、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェ
ニル（ＴＰＤ−１）を蒸着速度０．２nm/secで５０nmの
厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェ
ニル（ＴＰＤ−１）を蒸着速度０．２nm/secで５０nmの
厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
【０１４３】次いで、実施例１の化合物No. １を５０nm
の厚さに蒸着し、発光層とした。
の厚さに蒸着し、発光層とした。
【０１４４】次いで、減圧状態を保ったまま、電子注入
輸送層として、トリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ムを蒸着速度０．２nm/secで１０nmの厚さに蒸着した。
輸送層として、トリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ムを蒸着速度０．２nm/secで１０nmの厚さに蒸着した。
【０１４５】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
【０１４６】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１９V 、１５５mA/cm2で８５００cd/m2
の青色（発光極大波長λmax ＝４８５nm）の発光が確認
され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で２００時間以上安
定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くな
かった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で１０
時間であった。
流したところ、１９V 、１５５mA/cm2で８５００cd/m2
の青色（発光極大波長λmax ＝４８５nm）の発光が確認
され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で２００時間以上安
定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くな
かった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で１０
時間であった。
【０１４７】＜実施例１２＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
【０１４８】次いで、ポリ（チオフェン−２，５−ジイ
ル）を１０nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
ル）を１０nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
【０１４９】次いで、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェ
ニル（ＴＰＤ−１）を蒸着速度０．２nm/secで５０nmの
厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェ
ニル（ＴＰＤ−１）を蒸着速度０．２nm/secで５０nmの
厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
【０１５０】次いで、実施例１の化合物No. １を５０nm
の厚さに蒸着し、発光層とした。
の厚さに蒸着し、発光層とした。
【０１５１】次いで、減圧状態を保ったまま、電子注入
輸送層として、トリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ムを蒸着速度０．２nm/secで１０nmの厚さに蒸着した。
輸送層として、トリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ムを蒸着速度０．２nm/secで１０nmの厚さに蒸着した。
【０１５２】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
【０１５３】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１６V 、３２５mA/cm2で１５０００cd/m
2 の青色（発光極大波長λmax ＝４８５nm）の発光が確
認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以
上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全
くなかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で
１００時間であった。
流したところ、１６V 、３２５mA/cm2で１５０００cd/m
2 の青色（発光極大波長λmax ＝４８５nm）の発光が確
認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以
上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全
くなかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で
１００時間であった。
【０１５４】＜実施例１３＞実施例１２と同様に素子を
作製した。ただし、ホール輸送材料ＴＰＤ−１の代わり
に、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（３−ビフェニ
ル）−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル（Ｔ
ＰＤ−２）を用いた。
作製した。ただし、ホール輸送材料ＴＰＤ−１の代わり
に、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（３−ビフェニ
ル）−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル（Ｔ
ＰＤ−２）を用いた。
【０１５５】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１８V 、４７５mA/cm2で１１５００cd/m
2 の青色（発光極大波長λmax ＝４８５nm）の発光が確
認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以
上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全
くなかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で
２００時間であった。
流したところ、１８V 、４７５mA/cm2で１１５００cd/m
2 の青色（発光極大波長λmax ＝４８５nm）の発光が確
認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以
上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全
くなかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で
２００時間であった。
【０１５６】＜実施例１４＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
【０１５７】次いで、ポリ（チオフェン−２，５−ジイ
ル）を１０nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
ル）を１０nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
【０１５８】次いで、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェ
ニル（ＴＰＤ−１）を蒸着速度０．２nm/secで５０nmの
厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェ
ニル（ＴＰＤ−１）を蒸着速度０．２nm/secで５０nmの
厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
【０１５９】次いで、実施例２の化合物No. ２を５０nm
の厚さに蒸着し、発光層とした。
の厚さに蒸着し、発光層とした。
【０１６０】次いで、減圧状態を保ったまま、電子注入
輸送層として、トリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ムを蒸着速度０．２nm/secで１０nmの厚さに蒸着した。
輸送層として、トリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ムを蒸着速度０．２nm/secで１０nmの厚さに蒸着した。
【０１６１】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
【０１６２】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１５V 、３００mA/cm2で８０００cd/m2
の青色（発光極大波長λmax ＝４８５nm）の発光が確認
され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１００時間以上安
定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くな
かった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で２０
時間であった。
流したところ、１５V 、３００mA/cm2で８０００cd/m2
の青色（発光極大波長λmax ＝４８５nm）の発光が確認
され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１００時間以上安
定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くな
かった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で２０
時間であった。
【０１６３】＜実施例１５＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
【０１６４】次いで、ポリ（チオフェン−２，５−ジイ
ル）を１０nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
ル）を１０nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
【０１６５】次いで、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェ
ニル（ＴＰＤ−１）を蒸着速度０．２nm/secで５０nmの
厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェ
ニル（ＴＰＤ−１）を蒸着速度０．２nm/secで５０nmの
厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
【０１６６】次いで、実施例３の化合物No. ３を５０nm
の厚さに蒸着し、発光層とした。
の厚さに蒸着し、発光層とした。
【０１６７】次いで、減圧状態を保ったまま、電子注入
輸送層として、トリス（８−キノリノナト）アルミニウ
ムを蒸着速度０．２nm/secで１０nmの厚さに蒸着した。
輸送層として、トリス（８−キノリノナト）アルミニウ
ムを蒸着速度０．２nm/secで１０nmの厚さに蒸着した。
【０１６８】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
【０１６９】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１４V 、５３mA/cm2で３４５cd/m2 の青
緑色（発光極大波長λmax ＝４５０nm）の発光が確認さ
れ、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以上安
定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くな
かった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で２０
０時間であった。
流したところ、１４V 、５３mA/cm2で３４５cd/m2 の青
緑色（発光極大波長λmax ＝４５０nm）の発光が確認さ
れ、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以上安
定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くな
かった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で２０
０時間であった。
【０１７０】＜実施例１６＞実施例１２において、発光
層に化合物No. １を用いるかわりに、化合物No. ４２を
用いるほかは同様にして有機ＥＬ素子を得た。この有機
ＥＬ素子に電圧を印加して電流を流したところ、１５V
、４５０mA/cm2で８０２０cd/m2 の青色（発光極大波
長λmax ＝４７０nm）の発光が確認され、この発光は乾
燥窒素雰囲気中で３０００時間以上安定していた。部分
的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度の半
減期は１０mA/cm2の定電流駆動で３００時間であった。
層に化合物No. １を用いるかわりに、化合物No. ４２を
用いるほかは同様にして有機ＥＬ素子を得た。この有機
ＥＬ素子に電圧を印加して電流を流したところ、１５V
、４５０mA/cm2で８０２０cd/m2 の青色（発光極大波
長λmax ＝４７０nm）の発光が確認され、この発光は乾
燥窒素雰囲気中で３０００時間以上安定していた。部分
的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度の半
減期は１０mA/cm2の定電流駆動で３００時間であった。
【０１７１】＜実施例１７＞実施例１２において、発光
層に化合物No. １を用いるかわりに、化合物No. ４９を
用いるほかは同様にして有機ＥＬ素子を得た。この有機
ＥＬ素子に電圧を印加して電流を流したところ、１４V
、３４０mA/cm2で１８０００cd/m2 の青色（発光極大
波長λmax ＝４８０nm）の発光が確認され、この発光は
乾燥窒素雰囲気中で５０００時間以上安定していた。部
分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度の
半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で５００時間であっ
た。
層に化合物No. １を用いるかわりに、化合物No. ４９を
用いるほかは同様にして有機ＥＬ素子を得た。この有機
ＥＬ素子に電圧を印加して電流を流したところ、１４V
、３４０mA/cm2で１８０００cd/m2 の青色（発光極大
波長λmax ＝４８０nm）の発光が確認され、この発光は
乾燥窒素雰囲気中で５０００時間以上安定していた。部
分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度の
半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で５００時間であっ
た。
【０１７２】＜実施例１８＞実施例１２において、発光
層に化合物No. １を用いるかわりに、化合物No. ５３を
用いるほかは同様にして有機ＥＬ素子を得た。
層に化合物No. １を用いるかわりに、化合物No. ５３を
用いるほかは同様にして有機ＥＬ素子を得た。
【０１７３】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１６V 、３００mA/cm2で９０４０cd/m2
の青色（発光極大波長λmax ＝４７０nm）の発光が確認
され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以上
安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全く
なかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で２
００時間であった。
流したところ、１６V 、３００mA/cm2で９０４０cd/m2
の青色（発光極大波長λmax ＝４７０nm）の発光が確認
され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以上
安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全く
なかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で２
００時間であった。
【０１７４】＜実施例１９＞実施例１２において、発光
層を形成した後、トリス（８−キノリノラト）アルミニ
ウムを蒸着速度０．２nm/secで２０nmの厚さに蒸着し、
電子輸送層とした。次いで、テトラブチルジフェノキノ
ンを１０nmの厚さに蒸着し、電子注入層とした。その
後、実施例１２と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
層を形成した後、トリス（８−キノリノラト）アルミニ
ウムを蒸着速度０．２nm/secで２０nmの厚さに蒸着し、
電子輸送層とした。次いで、テトラブチルジフェノキノ
ンを１０nmの厚さに蒸着し、電子注入層とした。その
後、実施例１２と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
【０１７５】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１３V 、１０５mA/cm2で４５００cd/m2
の青色（発光極大波長λmax ＝４８０nm）の発光が確認
され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以上
安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全く
なかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で５
０時間であった。
流したところ、１３V 、１０５mA/cm2で４５００cd/m2
の青色（発光極大波長λmax ＝４８０nm）の発光が確認
され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以上
安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全く
なかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で５
０時間であった。
【０１７６】＜実施例２０＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
【０１７７】次いで、化合物No. ７を蒸着速度０．２nm
/secで５０nmの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
/secで５０nmの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
【０１７８】次いで、トリス（８−キノリノラト）アル
ミニウムを５０nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼
ねる発光層とした。
ミニウムを５０nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼
ねる発光層とした。
【０１７９】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
【０１８０】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１１V 、５２５mA/cm2で１７５９cd/m2
の緑色（発光極大波長λmax ＝５００nm）の発光が確認
され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以上
安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全く
なかった。輝度の半減期は４００時間であった。
流したところ、１１V 、５２５mA/cm2で１７５９cd/m2
の緑色（発光極大波長λmax ＝５００nm）の発光が確認
され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以上
安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全く
なかった。輝度の半減期は４００時間であった。
【０１８１】＜実施例２１＞実施例２０において、正孔
注入輸送層に化合物No. ７を用いるかわりに、化合物N
o. ８を用いるほかは同様にして有機ＥＬ素子を得た。
注入輸送層に化合物No. ７を用いるかわりに、化合物N
o. ８を用いるほかは同様にして有機ＥＬ素子を得た。
【０１８２】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１３V 、３００mA/cm2で４０００cd/m2
の緑色（発光極大波長λmax ＝５２０nm）の発光が確認
され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以上
安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全く
なかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で５
０時間であった。
流したところ、１３V 、３００mA/cm2で４０００cd/m2
の緑色（発光極大波長λmax ＝５２０nm）の発光が確認
され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以上
安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全く
なかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で５
０時間であった。
【０１８３】＜実施例２２＞実施例２０において、正孔
注入輸送層に化合物No. ７を用いるかわりに、化合物N
o. ３３を用いるほかは同様にして有機ＥＬ素子を得
た。
注入輸送層に化合物No. ７を用いるかわりに、化合物N
o. ３３を用いるほかは同様にして有機ＥＬ素子を得
た。
【０１８４】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１２V 、５２５mA/cm2で１２０００cd/m
2 の青緑色（発光極大波長λmax ＝５０３nm）の発光が
確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で４０００時間
以上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は
全くなかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動
で５００時間であった。
流したところ、１２V 、５２５mA/cm2で１２０００cd/m
2 の青緑色（発光極大波長λmax ＝５０３nm）の発光が
確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で４０００時間
以上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は
全くなかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動
で５００時間であった。
【０１８５】＜実施例２３＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
【０１８６】次いで、ポリ（チオフェン−２，５−ジイ
ル）を１０nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
ル）を１０nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
【０１８７】次いで、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェ
ニル（ＴＰＤ−１）を蒸着速度０．２nm/secで５０nmの
厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェ
ニル（ＴＰＤ−１）を蒸着速度０．２nm/secで５０nmの
厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
【０１８８】次いで、トリス（８−キノリノラト）アル
ミニウムを蒸着速度０．２nm/secを５０nmの厚さに蒸着
し、発光層とした。
ミニウムを蒸着速度０．２nm/secを５０nmの厚さに蒸着
し、発光層とした。
【０１８９】次いで、減圧状態を保ったまま、電子注入
輸送層として、実施例６の化合物No. １９を蒸着速度
０．２nm/secで１０nmの厚さに蒸着した。
輸送層として、実施例６の化合物No. １９を蒸着速度
０．２nm/secで１０nmの厚さに蒸着した。
【０１９０】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
【０１９１】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１４V 、３００mA/cm2で１５０００cd/m
2 の青緑色（発光極大波長λmax ＝４９５nm）の発光が
確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で５００時間以
上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全
くなかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で
２００時間であった。
流したところ、１４V 、３００mA/cm2で１５０００cd/m
2 の青緑色（発光極大波長λmax ＝４９５nm）の発光が
確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で５００時間以
上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全
くなかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で
２００時間であった。
【０１９２】＜実施例２４＞実施例２３において、電子
注入輸送層に化合物No. １９を用いるかわりに、化合物
No. １６を用いるほかは同様にして有機ＥＬ素子を得
た。
注入輸送層に化合物No. １９を用いるかわりに、化合物
No. １６を用いるほかは同様にして有機ＥＬ素子を得
た。
【０１９３】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１２V 、４５０mA/cm2で１８０００cd/m
2 の緑色（発光極大波長λmax ＝５００nm）の発光が確
認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以
上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全
くなかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で
４００時間であった。
流したところ、１２V 、４５０mA/cm2で１８０００cd/m
2 の緑色（発光極大波長λmax ＝５００nm）の発光が確
認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０００時間以
上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全
くなかった。輝度の半減期は１０mA/cm2の定電流駆動で
４００時間であった。
【０１９４】＜実施例２５＞実施例１２と同様に正孔輸
送層を形成した後、ＴＰＤ−１と実施例１の化合物No.
１を蒸着速度０．２nm/secで２０nmの厚さに蒸着し、発
光層とした。この場合、ＴＰＤ−１と化合物No. １との
比率は重量比で１：１とした。
送層を形成した後、ＴＰＤ−１と実施例１の化合物No.
１を蒸着速度０．２nm/secで２０nmの厚さに蒸着し、発
光層とした。この場合、ＴＰＤ−１と化合物No. １との
比率は重量比で１：１とした。
【０１９５】次いで、化合物No. １を用いるほかは、実
施例１２と同様に電子注入輸送層を形成し、さらに同様
に陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。
施例１２と同様に電子注入輸送層を形成し、さらに同様
に陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。
【０１９６】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１２V 、２５０mA/cm2で１２０００cd/m
2 の青色（発光極大波長λmax ＝４８０nm）の発光が確
認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で５０００時間以
上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全
くなく、電流リークもみられなかった。輝度の半減期は
１０mA/cm2の定電流駆動で１０００時間であった。
流したところ、１２V 、２５０mA/cm2で１２０００cd/m
2 の青色（発光極大波長λmax ＝４８０nm）の発光が確
認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で５０００時間以
上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全
くなく、電流リークもみられなかった。輝度の半減期は
１０mA/cm2の定電流駆動で１０００時間であった。
【０１９７】実施例１１〜２５において、化１９〜化２
９に掲げた本発明の化合物の１種または２種以上を適宜
選択して、上記実施例以外の組合せで、発光層、電子注
入輸送層または正孔注入輸送層に用いたところ、有機Ｅ
Ｌ素子の層構成等に応じて、上記実施例と同様の結果が
得られた。
９に掲げた本発明の化合物の１種または２種以上を適宜
選択して、上記実施例以外の組合せで、発光層、電子注
入輸送層または正孔注入輸送層に用いたところ、有機Ｅ
Ｌ素子の層構成等に応じて、上記実施例と同様の結果が
得られた。
【０１９８】＜比較例１＞厚さ１００nmのＩＴＯ透明電
極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、１×１０-4Paまで減圧した。
【０１９９】次いで、Ｎ，Ｎ’−ビス（−ｍ−メチルフ
ェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニ
ル−４，４’−ジアミンを５０nmの厚さに蒸着し、正孔
注入輸送層とした。
ェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニ
ル−４，４’−ジアミンを５０nmの厚さに蒸着し、正孔
注入輸送層とした。
【０２００】次いで、減圧状態を保ったまま、１，３−
ビス（５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾ−２−イル）ベンゼン（ＯＸＤ−７）を蒸
着速度０．２nm/secで５０nmの厚さに蒸着して、電子注
入輸送・発光層とした。
ビス（５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾ−２−イル）ベンゼン（ＯＸＤ−７）を蒸
着速度０．２nm/secで５０nmの厚さに蒸着して、電子注
入輸送・発光層とした。
【０２０１】さらに、減圧状態を保ったまま、ＭｇＡｇ
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
（重量比１０：１）を蒸着速度０．２nm/secで２００nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を得た。
【０２０２】この有機ＥＬ素子に電圧を印加して電流を
流したところ、１４V 、１２７mA/cm2で５５０cd/m2 の
青色（発光極大波長λmax ＝４８０nm）の発光が確認さ
れ、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０時間にて、部分
的非発光部の出現および成長が見られ、２０時間にて絶
縁破壊を起こした。輝度の半減期は２０分であった。
流したところ、１４V 、１２７mA/cm2で５５０cd/m2 の
青色（発光極大波長λmax ＝４８０nm）の発光が確認さ
れ、この発光は乾燥窒素雰囲気中で１０時間にて、部分
的非発光部の出現および成長が見られ、２０時間にて絶
縁破壊を起こした。輝度の半減期は２０分であった。
【０２０３】＜比較例２＞C. Adachi et al., Appli. P
hys. Lett., 56, 799(1990) に記載の１，１，４，４−
テトラフェニル−１，３−ブタジエンを発光層に用い
て、この文献と同様の構成の有機ＥＬ素子を組み立て
た。すなわち、比較例１において、正孔注入輸送層を形
成したのち、上記化合物を同様に５０nmの厚さに蒸着し
て発光層とした。その後、トリス（８−キノリノラト）
アルミニウムを蒸着速度０．２nm/secで１０nmの厚さで
蒸着して電子注入輸送層とし、比較例１と同様に陰極を
形成し、有機ＥＬ素子を得た。
hys. Lett., 56, 799(1990) に記載の１，１，４，４−
テトラフェニル−１，３−ブタジエンを発光層に用い
て、この文献と同様の構成の有機ＥＬ素子を組み立て
た。すなわち、比較例１において、正孔注入輸送層を形
成したのち、上記化合物を同様に５０nmの厚さに蒸着し
て発光層とした。その後、トリス（８−キノリノラト）
アルミニウムを蒸着速度０．２nm/secで１０nmの厚さで
蒸着して電子注入輸送層とし、比較例１と同様に陰極を
形成し、有機ＥＬ素子を得た。
【０２０４】この有機ＥＬ素子は、有機層が結晶化して
おり、両電極に電圧を印加したところ、ショートした状
態であり、明確な発光は得られなかった。
おり、両電極に電圧を印加したところ、ショートした状
態であり、明確な発光は得られなかった。
【０２０５】＜比較例３＞比較例２において、ｔ−ブチ
ルフェニルビフェニルオキサジアゾール（ＰＢＤ）を電
子注入輸送層とするほかは、同構成の有機ＥＬ素子を得
た。
ルフェニルビフェニルオキサジアゾール（ＰＢＤ）を電
子注入輸送層とするほかは、同構成の有機ＥＬ素子を得
た。
【０２０６】この有機ＥＬ素子は、作製してから１時間
後にはショートした状態となり、この状態で電圧を印加
したところ青色の発光はみられたものの絶縁破壊した。
後にはショートした状態となり、この状態で電圧を印加
したところ青色の発光はみられたものの絶縁破壊した。
【０２０７】＜比較例４＞特開平６−１００８５７号公
報の合成例１の方法に従い、ジフェニルクロロメタンを
グリニャール化し、これと１，４−ジベンゾイルベンゼ
ンとを反応させ、ギ酸存在下で脱水して、化合物No. ２
を得た。
報の合成例１の方法に従い、ジフェニルクロロメタンを
グリニャール化し、これと１，４−ジベンゾイルベンゼ
ンとを反応させ、ギ酸存在下で脱水して、化合物No. ２
を得た。
【０２０８】このようにして得られた化合物No. ２を発
光層に用いるほかは実施例１４と同様にして有機ＥＬ素
子を得た。
光層に用いるほかは実施例１４と同様にして有機ＥＬ素
子を得た。
【０２０９】この有機ＥＬ素子について、実施例１４と
同様に特性を調べたところ、同じ駆動電流値によって半
分程度の輝度しか得られなかった。
同様に特性を調べたところ、同じ駆動電流値によって半
分程度の輝度しか得られなかった。
【０２１０】なお、上記のＥＬ素子を得るにあたり、化
９の化合物および比較例に用いた化合物の蒸着膜の安定
性を調べた。これらの一例を以下に示す。
９の化合物および比較例に用いた化合物の蒸着膜の安定
性を調べた。これらの一例を以下に示す。
【０２１１】＜実施例２６＞実施例１で得られた化合物
No. １をガラス基板上に、１０-5Pa以下の減圧下で真空
蒸着を行い、１０００A 厚の蒸着膜を形成した。
No. １をガラス基板上に、１０-5Pa以下の減圧下で真空
蒸着を行い、１０００A 厚の蒸着膜を形成した。
【０２１２】この蒸着膜は初期においては透明なアモル
ファス状の膜であり、大気中に放置しても１ケ月程度は
結晶化しなかった。
ファス状の膜であり、大気中に放置しても１ケ月程度は
結晶化しなかった。
【０２１３】＜実施例２７＞実施例２で得られた化合物
No. ２を用い、実施例２６と同様に蒸着膜を形成し、実
施例２６と同様にして膜の安定性を調べたところ、１０
日程度は結晶化しなかった。
No. ２を用い、実施例２６と同様に蒸着膜を形成し、実
施例２６と同様にして膜の安定性を調べたところ、１０
日程度は結晶化しなかった。
【０２１４】＜比較例５＞特開平６−１００８５７号公
報の合成例１に従って得られた化合物No. ２を用い、実
施例２６と同様に蒸着膜を形成し、実施例２６と同様に
して膜の安定性を調べたところ、初期においてはアモル
ファス状の膜であったが、１日後には結晶化した。
報の合成例１に従って得られた化合物No. ２を用い、実
施例２６と同様に蒸着膜を形成し、実施例２６と同様に
して膜の安定性を調べたところ、初期においてはアモル
ファス状の膜であったが、１日後には結晶化した。
【０２１５】＜実施例２８＞化合物（No. ３、７、８、
１６、１９、３３、４２、４９、５３）について、実施
例２６と同様にして各化合物の蒸着膜を形成し、同様に
各膜の安定性を調べたところ、大気中に１年以上放置し
ても初期のアモルファス状態が維持されていることがわ
かった。
１６、１９、３３、４２、４９、５３）について、実施
例２６と同様にして各化合物の蒸着膜を形成し、同様に
各膜の安定性を調べたところ、大気中に１年以上放置し
ても初期のアモルファス状態が維持されていることがわ
かった。
【０２１６】
【発明の効果】本発明に用いるテトラアリールエテン誘
導体は、結晶性が低く、アモルファス状態の良好な膜を
形成することができるので、有機ＥＬ素子用化合物、具
体的には青色発光材料、電子注入輸送材料、あるいは正
孔注入輸送材料として用いた場合、本発明の有機ＥＬ素
子は連続発光光であり、輝度の低下が小さく、ダークス
ポットや電流リークの発生がない信頼性の高い素子とな
る。例えば発光層に用いた場合１万cd/m2 以上の高輝度
の青色発光が可能となる。
導体は、結晶性が低く、アモルファス状態の良好な膜を
形成することができるので、有機ＥＬ素子用化合物、具
体的には青色発光材料、電子注入輸送材料、あるいは正
孔注入輸送材料として用いた場合、本発明の有機ＥＬ素
子は連続発光光であり、輝度の低下が小さく、ダークス
ポットや電流リークの発生がない信頼性の高い素子とな
る。例えば発光層に用いた場合１万cd/m2 以上の高輝度
の青色発光が可能となる。
【図１】本発明のＥＬ素子の構成例を示す側面図であ
る。
る。
【図２】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体の
赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
【図３】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体の
ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
【図４】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体の
赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
【図５】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体の
ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
【図６】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体の
赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
【図７】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体の
ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
【図８】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体の
赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
【図９】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体の
ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
【図１０】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体
の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
【図１１】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体
のＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
のＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
【図１２】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体
の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
【図１３】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体
のＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
のＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
【図１４】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体
の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
【図１５】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体
のＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
のＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
【図１６】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体
の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
【図１７】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体
のＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
のＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
【図１８】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体
の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
【図１９】本発明に用いるテトラアリールエテン誘導体
のＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
のＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
１ 有機ＥＬ素子 ２ 基板 ３ 陽極 ４ 正孔注入輸送層 ５ 発光層 ６ 電子注入輸送層 ７ 陰極
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 15/62 43/215 43/285 211/50 211/54 321/30 7419−4Ｈ Ｃ０７Ｄ 207/323 209/86 8217−4Ｃ 213/22 217/02 219/02 241/12 241/42 271/06 271/10 307/36 307/40 307/91 333/08
Claims (18)
- 【請求項１】 下記化１で表されるテトラアリールエテ
ン誘導体を含む正孔注入輸送層を有する有機ＥＬ素子。 【化１】 〔化１においてＡｒ1 、Ａｒ2 およびＡｒ3 は、各々芳
香族残基を表し、これらは同一でも異なるものであって
もよい。ｎは２〜６の整数である。Ｌはｎ価の芳香族残
基を表す。〕 - 【請求項２】 前記Ｌで表されるｎ価の芳香族残基が、
芳香族炭化水素、芳香族複素環、芳香族エーテルまたは
芳香族アミンの残基である請求項１の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 前記Ａｒ1 、Ａｒ2 またはＡｒ3 で表さ
れる芳香族残基がフェニル基である請求項１または２の
有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 前記テトラアリールエテン誘導体が下記
化２で表される請求項１〜３のいずれかの有機ＥＬ素
子。 【化２】 〔化２において、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、各々、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基ま
たはアミノ基を表し、これらは同一でも異なるものであ
ってもよい。ｓ、ｔおよびｕは、各々、０または１〜５
の整数である。Ｌ1 は、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基
（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＲO −：ＲO はアリール
基）、複素環ジイル基、アルケニレン基およびアルキレ
ン基のうちの１種以上が介在してもよいアリーレン基、
アレーントリイル基もしくはアレーンテトライル基、複
素環ジイル基、複素環トリイル基、複素環テトライル
基、トリアリールアミンもしくはその多量体のジイル
基、トリアリールアミンもしくはその多量体のトリイル
基、トリアリールアミンもしくはその多量体のテトライ
ル基、アリール置換複素環ジイル基、アリール置換複素
環トリイル基またはアリール置換複素環テトライル基を
表す。ｎ１は２〜４の整数である。〕 - 【請求項５】 前記Ｌ1 が、複素環ジイル基、複素環ト
リイル基、複素環テトライル基、トリアリールアミンも
しくはその多量体のジイル基、トリアリールアミンもし
くはその多量体のトリイル基、トリアリールアミンもし
くはその多量体のテトライル基またはイミノ基（−ＮＲ
O −：ＲO はアリール基）が介在してもよいアリーレン
基、アレーントリイル基もしくはアレーンテトライル基
である請求項４の有機ＥＬ素子。 - 【請求項６】 下記化３で表されるテトラアリールエテ
ン誘導体を含む電子注入輸送層を有する有機ＥＬ素子。 【化３】 〔化３においてＡｒ1 、Ａｒ2 およびＡｒ3 は、各々芳
香族残基を表し、これらは同一でも異なるものであって
もよい。ｎは２〜６の整数である。Ｌはｎ価の芳香族残
基を表す。〕 - 【請求項７】 前記Ｌで表されるｎ価の芳香族残基が、
芳香族炭化水素、芳香族複素環、芳香族エーテルまたは
芳香族アミンの残基である請求項６の有機ＥＬ素子。 - 【請求項８】 前記Ａｒ1 、Ａｒ2 またはＡｒ3 で表さ
れる芳香族残基がフェニル基である請求項６または７の
有機ＥＬ素子。 - 【請求項９】 前記テトラアリールエテン誘導体が下記
化４で表される請求項６〜８のいずれかの有機ＥＬ素
子。 【化４】 〔化４において、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、各々、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基ま
たはアミノ基を表し、これらは同一でも異なるものであ
ってもよい。ｓ、ｔおよびｕは、各々、０または１〜５
の整数である。Ｌ1 は、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基
（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＲO −：ＲO はアリール
基）、複素環ジイル基、アルケニレン基およびアルキレ
ン基のうちの１種以上が介在してもよいアリーレン基、
アレーントリイル基もしくはアレーンテトライル基、複
素環ジイル基、複素環トリイル基、複素環テトライル
基、トリアリールアミンもしくはその多量体のジイル
基、トリアリールアミンもしくはその多量体のトリイル
基、トリアリールアミンもしくはその多量体のテトライ
ル基、アリール置換複素環ジイル基、アリール置換複素
環トリイル基またはアリール置換複素環テトライル基を
表す。ｎ１は２〜４の整数である。〕 - 【請求項１０】 前記Ｌ1 が、オキシ基（−Ｏ−）、チ
オ基（−Ｓ−）、複素環ジイル基およびアルキレン基の
うちの１種以上が介在していてもよいアリーレン基、ア
レーントリイル基もしくはアレーンテトライル基、複素
環ジイル基、複素環トリイル基、複素環テトライル基、
アリール置換複素環ジイル基、アリール置換複素環トリ
イル基またはアリール置換複素環テトライル基である請
求項９の有機ＥＬ素子。 - 【請求項１１】 下記化５で表されるテトラアリールエ
テン誘導体を含む発光層を有する有機ＥＬ素子。 【化５】 〔化５においてＡｒ1 、Ａｒ2 およびＡｒ3 は、各々芳
香族残基を表し、これらは同一でも異なるものであって
もよい。ｎは２〜６の整数である。ＬO は、オキシ基
（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＲO
−：ＲO はアリール基）、複素環ジイル基、アルケニレ
ン基およびアルキレン基のうちの１種以上が介在したア
リーレン基、炭素数が２１以上のアリーレン基、芳香族
炭化水素の３〜６価の残基、芳香族複素環の２〜６価の
残基、芳香族エーテルの２〜６価の残基または芳香族ア
ミンの２〜６価の残基を表す。〕 - 【請求項１２】 前記Ａｒ1 、Ａｒ2 またはＡｒ3 で表
される芳香族残基がフェニル基である請求項１１の有機
ＥＬ素子。 - 【請求項１３】 前記テトラアリールエテン誘導体が下
記化６で表される請求項１１または１２の有機ＥＬ素
子。 【化６】 〔化６において、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、各々、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基ま
たはアミノ基を表し、これらは同一でも異なるものであ
ってもよい。ｓ、ｔおよびｕは、各々、０または１〜５
の整数である。Ｌ11は、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基
（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＲO −：ＲO はアリール
基）、複素環ジイル基、アルケニレン基およびアルキレ
ン基のうちの１種以上が介在したアリーレン基、炭素数
が２１以上のアリーレン基、オキシ基（−Ｏ−）、チオ
基（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＲO −：ＲO はアリール
基）、複素環ジイル基、アルケニレン基およびアルキレ
ン基のうちの１種以上が介在してもよいアレーントリイ
ル基もしくはアレーンテトライル基、複素環ジイル基、
複素環トリイル基、複素環テトライル基、トリアリール
アミンもしくはその多量体のジイル基、トリアリールア
ミンもしくはその多量体のトリイル基、トリアリールア
ミンもしくはその多量体のテトライル基、アリール置換
複素環ジイル基、アリール置換複素環トリイル基または
アリール置換複素環テトライル基を表す。ｎ１は２〜４
の整数である。〕 - 【請求項１４】 さらに、少なくとも１層の正孔注入輸
送層と少なくとも１層の電子注入輸送層とを有し、前記
発光層が正孔注入輸送層と電子注入輸送層とで挟持され
ている請求項１１〜１３のいずれかの有機ＥＬ素子。 - 【請求項１５】 さらに、少なくとも１層の正孔注入層
と少なくとも１層の正孔輸送層と少なくとも１層の電子
注入輸送層とを有し、前記発光層が正孔輸送層と電子注
入輸送層とで挟持されている請求項１１〜１３のいずれ
かの有機ＥＬ素子。 - 【請求項１６】 さらに、少なくとも１層の正孔注入層
と少なくとも１層の正孔輸送層と少なくとも１層の電子
注入層と少なくとも１層の電子輸送層とを有し、前記発
光層が正孔輸送層と電子輸送層とで挟持されている請求
項１１〜１３のいずれかの有機ＥＬ素子。 - 【請求項１７】 下記化７で表され、芳香族残基三置換
ハロゲン化エテンをグリニャール化し、ジ、トリ、テト
ラ、ペンタもしくはヘキサハロゲン化芳香族化合物とク
ロスカップリングするか、またはジ、トリ、テトラ、ペ
ンタもしくはヘキサハロゲン化芳香族化合物をグリニャ
ール化し、芳香族残基三置換ハロゲン化エテンとクロス
カップリングするかによって得られるテトラアリールエ
テン誘導体を含有する有機化合物層を有する有機ＥＬ素
子。 【化７】 〔化７においてＡｒ1 、Ａｒ2 およびＡｒ3 は、各々芳
香族残基を表し、これらは同一でも異なるものであって
もよい。ｎは２〜６の整数である。Ｌはｎ価の芳香族残
基を表す。〕 - 【請求項１８】 電子注入輸送性化合物と正孔注入輸送
性化合物との混合層の発光層を有し、この混合層が下記
化８のテトラアリールエテン誘導体を含有する有機ＥＬ
素子。 【化８】 〔化８においてＡｒ1 、Ａｒ2 およびＡｒ3 は、各々芳
香族残基を表し、これらは同一でも異なるものであって
もよい。ｎは２〜６の整数である。Ｌはｎ価の芳香族残
基を表す。〕
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