JPH08129188A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JPH08129188A
JPH08129188A JP26781994A JP26781994A JPH08129188A JP H08129188 A JPH08129188 A JP H08129188A JP 26781994 A JP26781994 A JP 26781994A JP 26781994 A JP26781994 A JP 26781994A JP H08129188 A JPH08129188 A JP H08129188A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display device
crystal display
electrode
electrodes
Prior art date
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Application number
JP26781994A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeki Matsuo
茂樹 松尾
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Filing date
Publication date
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Priority to US08/550,721 priority patent/US5841490A/en
Publication of JPH08129188A publication Critical patent/JPH08129188A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To provide a liquid crystal display device of a low cost without degradation in a production yield with simple production processes. CONSTITUTION: This liquid crystal display device is provided with plural image signal wirings 22 and plural scanning signal wirings 23 intersecting with each other via insulating films and is provided with pixel electrodes 24 and switching elements 23 consisting of at least gate electrodes, insulating films, semiconductor films, source electrodes and drain electrodes for supplying image signals to these pixel electrodes in a matrix form at the intersected points of the image signal wiring and the scanning signal wirings. A liquid crystal material is held between the pixel electrodes and the counter electrodes formed to face the pixel electrodes. The device is provided with the pixel electrodes 24 and the drain electrodes of the switching elements 23 on the same side of the insulating films and is provided with the shorting circular wirings 27a, 27b connected via transistors 23 with the plural image signal wirings 22. The gate electrodes and source electrodes or drain electrodes of these TRs 23 are capacitance coupled via the insulating films.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、特
に各画素に薄膜トランジスタを形成したパネル(以下、
TFTアレイパネルという)を使用したアクティブマト
リクス方式の液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a panel (hereinafter referred to as a panel) in which a thin film transistor is formed in each pixel.
The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device using a TFT array panel).

【0002】[0002]

【従来の技術】アクティブマトリクス方式の液晶表示装
置は、単純マトリクス方式と比べてコントラストが高
く、多階調表示特性に優れているため、カラー液晶表示
装置では欠かせない技術となっている。特に、スイッチ
ング素子として薄膜トランジスタを使用したアクティブ
マトリクス方式の液晶表示装置は、CRTと同等の画質
が得られるようになった。
2. Description of the Related Art An active matrix type liquid crystal display device has a higher contrast than a simple matrix type liquid crystal display device and is excellent in multi-gradation display characteristics, and is therefore an essential technique for a color liquid crystal display device. In particular, an active matrix type liquid crystal display device using a thin film transistor as a switching element has come to obtain an image quality equivalent to that of a CRT.

【0003】以下、図面を参照しながら、従来の液晶表
示装置を説明する。図7は、従来の液晶表示装置におけ
るTFTアレイパネルの等価回路図、図8は、従来の液
晶表示装置におけるTFTアレイパネルの一画素の平面
図、図9は、図8のA−A’線の断面図である。
A conventional liquid crystal display device will be described below with reference to the drawings. 7 is an equivalent circuit diagram of a TFT array panel in the conventional liquid crystal display device, FIG. 8 is a plan view of one pixel of the TFT array panel in the conventional liquid crystal display device, and FIG. 9 is a line AA ′ in FIG. FIG.

【0004】このアクティブマトリクス方式の液晶表示
装置は、走査信号配線2から供給される走査信号によっ
て薄膜トランジスタ3がスイッチングされ、画像信号配
線1の信号電圧をドレイン電極14に接続された画素電
極4に印加することにより、画素電極4と対向電極(不
図示)との間に保持された液晶材料(不図示)に電圧を
印加して画像の表示を行うものである。
In this active matrix type liquid crystal display device, the thin film transistor 3 is switched by the scanning signal supplied from the scanning signal wiring 2, and the signal voltage of the image signal wiring 1 is applied to the pixel electrode 4 connected to the drain electrode 14. By doing so, a voltage is applied to the liquid crystal material (not shown) held between the pixel electrode 4 and the counter electrode (not shown) to display an image.

【0005】この従来の液晶表示装置は、図8および図
9に示すように、画像信号配線1と、走査信号配線2と
を絶縁膜12を介して交差して設け、この画像信号配線
1と走査信号配線2との交点に、画素電極4と、この画
素電極4に画像信号を供給するゲート電極2a、絶縁膜
12、半導体膜13、ソース電極1aおよびドレイン電
極14からなる薄膜トランジスタ3と、この供給された
画像信号電圧を保持するための付加容量5とをマトリク
ス状に設けた構造になっている。
In this conventional liquid crystal display device, as shown in FIGS. 8 and 9, an image signal wiring 1 and a scanning signal wiring 2 are provided so as to intersect with each other with an insulating film 12 interposed therebetween. A pixel electrode 4 is provided at an intersection with the scanning signal line 2, a thin film transistor 3 including a gate electrode 2a for supplying an image signal to the pixel electrode 4, an insulating film 12, a semiconductor film 13, a source electrode 1a and a drain electrode 14 is provided. It has a structure in which additional capacitors 5 for holding the supplied image signal voltage are provided in a matrix.

【0006】ここで、画素電極4と薄膜トランジスタ3
のドレイン電極14、および付加電極18は、絶縁膜1
2に形成されたコンタクトホール10a、10bを介し
て接続されている。
Here, the pixel electrode 4 and the thin film transistor 3
The drain electrode 14 and the additional electrode 18 of the insulating film 1 are
It is connected through the contact holes 10a and 10b formed in the No. 2.

【0007】ところで液晶表示装置の組立工程などでT
FTアレイパネルに強い静電気が帯電し、薄膜トランジ
スタ3のゲート電極2aとソース電極1aとの間や、走
査信号配線2aと画像信号配線1aとの間に静電気によ
る高電圧が印加され、その結果、絶縁膜12が絶縁破壊
することがよく発生していた。
In the process of assembling the liquid crystal display device,
The FT array panel is charged with strong static electricity, and a high voltage due to static electricity is applied between the gate electrode 2a and the source electrode 1a of the thin film transistor 3 and between the scanning signal wiring 2a and the image signal wiring 1a, resulting in insulation. Dielectric breakdown of the film 12 often occurred.

【0008】そのため、従来の液晶表示装置では、図7
に示すように、表示領域Xの外部に短絡環配線7を設
け、この短絡環配線7に、各走査信号配線2を接続する
と共に、高電圧保護用のトランジスタ6a、6bを介し
て各画像信号配線1を接続していた。
Therefore, in the conventional liquid crystal display device, as shown in FIG.
As shown in FIG. 3, a short circuit ring wiring 7 is provided outside the display area X, each scanning signal wiring 2 is connected to the short circuit ring wiring 7, and each image signal is supplied via the transistors 6a and 6b for high voltage protection. The wiring 1 was connected.

【0009】この高電圧保護用のトランジスタ6a、6
bは、図10および図11に示すように、ゲート電極1
6a、16b、ゲート絶縁膜12、ソース電極またはド
レイン電極19a〜19dで構成されている。トランジ
スタ6aのソース電極またはドレイン電極19aは短絡
環配線7に接続され、ソース電極またはドレイン電極1
9bは画像信号配線1に接続される。また、トランジス
タ6bのソース電極またはドレイン電極19cは画像信
号配線1に接続され、ソース電極またはドレイン電極1
9dは短絡環配線7に接続される。また、トランジスタ
6aのゲート電極16aはコンタクトホール10cを介
して短絡環配線7に接続され、トランジスタ6bのゲー
ト電極17bはコンタクトホール10dを介して画像信
号配線1に接続されている。なお、図10は、従来の液
晶表示装置におけるTFTアレイパネルの周辺部に設け
られた高電圧保護用の薄膜トランジスタの平面図、図1
1は、図10のB−B’線の断面図である。
The high voltage protection transistors 6a, 6
b is the gate electrode 1 as shown in FIGS.
6a, 16b, the gate insulating film 12, and the source or drain electrodes 19a to 19d. The source or drain electrode 19a of the transistor 6a is connected to the short-circuit ring wiring 7, and the source or drain electrode 1
9b is connected to the image signal wiring 1. The source electrode or drain electrode 19c of the transistor 6b is connected to the image signal wiring 1, and the source electrode or drain electrode 1
9d is connected to the short-circuit ring wiring 7. The gate electrode 16a of the transistor 6a is connected to the short-circuit ring wiring 7 through the contact hole 10c, and the gate electrode 17b of the transistor 6b is connected to the image signal wiring 1 through the contact hole 10d. 1 is a plan view of a thin film transistor for high voltage protection provided in the peripheral portion of a TFT array panel in a conventional liquid crystal display device, and FIG.
1 is a sectional view taken along the line BB ′ of FIG.

【0010】また、図7および図12に示すように、走
査信号配線2は絶縁膜12に形成されたコンタクトホー
ル10eを短絡環配線7に接続されている。なお、図1
2は、図7のP部分の断面図である。
Further, as shown in FIGS. 7 and 12, the scanning signal wiring 2 has a contact hole 10e formed in the insulating film 12 connected to the short-circuit ring wiring 7. FIG.
2 is a sectional view of a portion P in FIG.

【0011】このように、画像信号配線1を高電圧保護
用の薄膜トランジスタ6aおよび6bを介して短絡環配
線7に接続すると共に、走査信号配線2を短絡環配線7
に直接接続し、静電気による電荷を短絡環配線7に放電
することにより、絶縁破壊を防止していた。
In this way, the image signal wiring 1 is connected to the short-circuit ring wiring 7 via the high-voltage protection thin film transistors 6a and 6b, and the scanning signal wiring 2 is short-circuited.
It was directly connected to and the electric charge due to static electricity was discharged to the short-circuit ring wiring 7 to prevent dielectric breakdown.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の液
晶表示装置では、図8および図9に示すように、画素電
極4が、絶縁膜12を挟んで、ドレイン電極14および
付加電極18の反対側に形成されるため、画素電極4と
ドレイン電極14および付加電極18を接続するための
コンタクトホール10a、10bを絶縁膜12に形成し
なければならないという問題があった。
In the conventional liquid crystal display device as described above, as shown in FIGS. 8 and 9, the pixel electrode 4 includes the drain electrode 14 and the additional electrode 18 with the insulating film 12 interposed therebetween. Since it is formed on the opposite side, there is a problem that contact holes 10a and 10b for connecting the pixel electrode 4, the drain electrode 14 and the additional electrode 18 must be formed in the insulating film 12.

【0013】また、図10および図11に示すように、
表示部以外の周辺に設けられた高電圧保護用の薄膜トラ
ンジスタ6a、6bはゲート電極16a、16bとソー
ス電極またはドレイン電極19a、19cがコンタクト
ホール10c、10dを介して接続されるため、このコ
ンタクトホール10c、10dを絶縁膜12に形成する
必要があった。(特開昭63−220289参照) さらに、図12に示すように、走査信号配線2と短絡環
配線7を絶縁膜12に形成したコンタクトホール10e
を介して接続していた。
Further, as shown in FIG. 10 and FIG.
In the thin film transistors 6a and 6b for high voltage protection provided on the periphery other than the display portion, the gate electrodes 16a and 16b are connected to the source or drain electrodes 19a and 19c through the contact holes 10c and 10d. It was necessary to form 10c and 10d on the insulating film 12. (See JP-A-63-220289) Furthermore, as shown in FIG. 12, a contact hole 10e in which the scanning signal wiring 2 and the short-circuit ring wiring 7 are formed in the insulating film 12
Was connected through.

【0014】このため、従来の液晶表示装置では、絶縁
膜12にコンタクトホール10a〜10eを開けるため
のフォトプロセスが必要となり、製造プロセスが煩雑に
なり、製造歩留りの低下、製造コストの上昇が問題にな
っていた。
Therefore, in the conventional liquid crystal display device, a photo process for opening the contact holes 10a to 10e in the insulating film 12 is required, which complicates the manufacturing process, lowers the manufacturing yield, and raises the manufacturing cost. It was.

【0015】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、絶縁膜に形成しなければな
らないコンタクトホールを極力減少させ、製造プロセス
が簡易で、製造歩留りの低下の解消および製造コストの
上昇を抑制できる液晶表示装置を提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and reduces the contact holes that must be formed in the insulating film as much as possible to simplify the manufacturing process and reduce the manufacturing yield. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device that can solve the problems and suppress an increase in manufacturing cost.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る液晶表示装置では、複数の画像信号配
線と、複数の走査信号配線とを絶縁膜を介して交差して
設け、この画像信号配線と走査信号配線との交点に画素
電極とこの画素電極に画像信号を供給する少なくともゲ
ート電極、前記絶縁膜、半導体膜、ソース電極およびド
レイン電極からなるスイッチング素子とをマトリクス状
に設け、前記画素電極とこの画素電極に対向して設けら
れた対向電極との間に液晶材料が保持されている液晶表
示装置において、前記画素電極とスイッチング素子のド
レイン電極を前記絶縁膜の同じ側に設け、前記複数の画
像信号配線がトランジスタを介して接続された短絡環配
線を設け、このトランジスタのゲート電極とソース電極
またはドレイン電極が前記絶縁膜を介して容量結合させ
る。
In order to achieve the above object, in a liquid crystal display device according to the present invention, a plurality of image signal wirings and a plurality of scanning signal wirings are provided so as to cross each other through an insulating film, Pixel electrodes are provided at the intersections of the image signal wirings and the scanning signal wirings, and at least gate electrodes for supplying image signals to the pixel electrodes, switching elements composed of the insulating film, semiconductor film, source electrode, and drain electrode are provided in a matrix. In a liquid crystal display device in which a liquid crystal material is held between the pixel electrode and a counter electrode provided so as to face the pixel electrode, the pixel electrode and the drain electrode of the switching element are provided on the same side of the insulating film. A short circuit ring wiring is provided in which the plurality of image signal wirings are connected via a transistor, and the gate electrode and the source electrode or the drain electrode of the transistor are provided. There is capacitive coupling through the insulating film.

【0017】[0017]

【作用】上記のように構成すると、画素電極とスイッチ
ング素子を接続したり、付加電極を形成する場合に、絶
縁膜にコンタクトホールを形成することなく接続した
り、形成でき、製造プロセスが簡単で、製造歩留りを低
下させることがなく、低コストの液晶表示装置を提供で
きる。また、複数の画像信号配線と短絡環配線を疑似的
に接続する場合に、絶縁膜にコンタクトホールを形成す
ることなく接続でき、製造プロセスが簡単で、製造歩留
りを低下させることがなく、低コストの液晶表示装置を
提供できる。
With the above structure, the pixel electrode and the switching element can be connected to each other, or the additional electrode can be formed or formed without forming a contact hole in the insulating film. A low-cost liquid crystal display device can be provided without lowering the manufacturing yield. Further, when a plurality of image signal wirings and short circuit wirings are pseudo-connected, they can be connected without forming a contact hole in the insulating film, the manufacturing process is simple, the manufacturing yield is not reduced, and the cost is low. The liquid crystal display device can be provided.

【0018】[0018]

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0019】図1、図2および図3は、本発明の一実施
例を示す図であり、図1は、液晶表示装置におけるTF
Tアレイパネルの等価回路図、図2は、同じく一画素の
平面図、図3は、図2のA−A’線断面図である。
FIGS. 1, 2 and 3 are views showing an embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a TF in a liquid crystal display device.
2 is an equivalent circuit diagram of the T array panel, FIG. 2 is a plan view of one pixel, and FIG. 3 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG.

【0020】図1に示すように、画像表示領域Xにおい
て、画像信号配線21と、走査信号配線22とを交差し
て設け、この画像信号配線21と走査信号配線22との
各交点に、スイッチング素子23と、このスイッチング
素子23に接続された画素電極24を設けた構造になっ
ている。また画素電極24と前段もしくは後段の走査信
号配線22との間に、付加容量25が形成されるように
構成されている。
As shown in FIG. 1, in the image display area X, the image signal wiring 21 and the scanning signal wiring 22 are provided so as to intersect with each other, and switching is performed at each intersection of the image signal wiring 21 and the scanning signal wiring 22. The element 23 and the pixel electrode 24 connected to the switching element 23 are provided. Further, the additional capacitor 25 is formed between the pixel electrode 24 and the scanning signal wiring 22 in the previous stage or the subsequent stage.

【0021】前記スイッチング素子21は、図2および
図3に示すように、基板31上に形成されたゲート電極
22a、絶縁膜32、半導体膜33、この半導体膜33
上から前記絶縁膜32上にかけて形成されたソース電極
21aおよびドレイン電極34で主として構成される。
また絶縁膜32のドレイン電極34が形成された側に
は、画素電極24が隣接する走査信号配線22bを覆う
ように形成されている。したがって、スイッチング素子
23のドレイン電極34と画素電極24は、絶縁膜32
にコンタクトホールを形成せずに接続できる。また、画
素電極24自体が付加電極を兼ねており、画素電極と付
加電極を接続するためのコンタクトホールも不要であ
る。
As shown in FIGS. 2 and 3, the switching element 21 includes a gate electrode 22a formed on a substrate 31, an insulating film 32, a semiconductor film 33, and the semiconductor film 33.
It is mainly composed of a source electrode 21a and a drain electrode 34 which are formed from above to the insulating film 32.
A pixel electrode 24 is formed on the side of the insulating film 32 where the drain electrode 34 is formed so as to cover the adjacent scanning signal line 22b. Therefore, the drain electrode 34 and the pixel electrode 24 of the switching element 23 are connected to the insulating film 32.
Can be connected without forming a contact hole. Further, since the pixel electrode 24 itself also serves as an additional electrode, a contact hole for connecting the pixel electrode and the additional electrode is unnecessary.

【0022】なお、図3に示すスイッチング素子23
は、絶縁膜32の表面側にソース電極21aおよびドレ
イン電極34を形成した逆スタガ構造のトランジスタで
あるが、絶縁膜32を挟んだスタガ構造のトランジスタ
としてもよい。スイッチング素子23をスタガ構造のト
ランジスタで形成する場合、半導体膜32、ソース電極
21a、ドレイン電極34および画素電極24を絶縁膜
32の裏面側に配設すると共に、ゲート電極22aおよ
び付加電極22bを絶縁膜32の表面側に配設すればよ
い。この場合、画像信号配線21は絶縁膜32の裏面側
に位置し、走査信号配線22は絶縁膜32の表面側に位
置することになる。
The switching element 23 shown in FIG.
Is a transistor having an inverted stagger structure in which the source electrode 21a and the drain electrode 34 are formed on the surface side of the insulating film 32, but a transistor having a stagger structure in which the insulating film 32 is sandwiched may be used. When the switching element 23 is formed of a staggered transistor, the semiconductor film 32, the source electrode 21a, the drain electrode 34, and the pixel electrode 24 are arranged on the back surface side of the insulating film 32, and the gate electrode 22a and the additional electrode 22b are insulated. It may be arranged on the surface side of the film 32. In this case, the image signal wiring 21 is located on the back surface side of the insulating film 32, and the scanning signal wiring 22 is located on the front surface side of the insulating film 32.

【0023】図1に示すように、画像表示領域Xの外側
には、短絡環配線27bが設けられており、この短絡環
配線27bに複数の画像信号配線21が二つのトランジ
スタ26a、26bを介して接続されている。また、複
数の走査信号配線22を接続するための第二の短絡環配
線27aが設けられており、この第二の短絡環配線27
aと短絡環配線27bは容量38を介して接続されてい
る。
As shown in FIG. 1, a short circuit ring wiring 27b is provided outside the image display area X, and a plurality of image signal wirings 21 are provided on the short circuit ring wiring 27b via two transistors 26a and 26b. Connected. Further, a second short-circuit ring wiring 27a for connecting the plurality of scanning signal wirings 22 is provided, and the second short-circuit ring wiring 27 is provided.
The a and the short circuit ring wiring 27b are connected via a capacitor 38.

【0024】トランジスタ26aは、図4および図5に
示すように、絶縁膜32を介してゲート電極36aとソ
ース電極またはドレイン電極39aの一部が重なるよう
に形成されており、この重なり部分で容量結合し、容量
30aを形成している。また、トランジスタ26bは、
絶縁膜32を介してゲート電極36bとソース電極また
はドレイン電極39cの一部が重なるように形成されて
おり、この重なり部分で容量結合し、容量30bを形成
している。すなわち、従来のTFTアレイパネルのよう
にゲート電極とソース電極またはドレイン電極がコンタ
クトホールを介して接続されていない。
As shown in FIGS. 4 and 5, the transistor 26a is formed such that the gate electrode 36a and the source or drain electrode 39a partially overlap with each other with the insulating film 32 in between, and the capacitance is formed at this overlapping portion. They are combined to form the capacitor 30a. Also, the transistor 26b is
The gate electrode 36b and the source or drain electrode 39c are formed so as to partially overlap each other with the insulating film 32 interposed therebetween, and the overlapping portion capacitively couples to form a capacitor 30b. That is, unlike the conventional TFT array panel, the gate electrode and the source electrode or the drain electrode are not connected via the contact hole.

【0025】静電気などによる正負どちらかの高電圧が
画像信号配線21に帯電しても、トランジスタ26a、
26bのゲート電極36a、36bがソース電極または
ドレイン電極39a、39cを兼ねている短絡環配線2
7bまたは画像信号配線21に容量30a、30bで容
量結合されているため、静電気などのパルス電圧につい
てはこの容量結合部が見かけ上短絡状態となり、トラン
ジスタ26aまたは26bがオンになり短絡環配線27
bを通って静電気吸収用容量38に電荷を放電させ、絶
縁破壊を防止することができる。
Even if the positive or negative high voltage due to static electricity or the like charges the image signal wiring 21, the transistor 26a,
Short circuit ring wiring 2 in which gate electrodes 36a and 36b of 26b also serve as source or drain electrodes 39a and 39c
7b or the image signal wiring 21 is capacitively coupled with the capacitances 30a and 30b, so that for pulse voltage such as static electricity, this capacitive coupling portion is apparently short-circuited, and the transistor 26a or 26b is turned on and the short-circuit ring wiring 27.
It is possible to discharge the electric charge to the electrostatic absorption capacitor 38 through b and prevent dielectric breakdown.

【0026】この高電圧保護用トランジスタ26a、2
6bは、図1に示す表示領域X内のスイッチング素子と
23と同時に形成すればよい。
The high voltage protection transistors 26a, 2
6b may be formed simultaneously with the switching element 23 in the display area X shown in FIG.

【0027】なお、絶縁膜32にコンタクトホールが形
成されることをできるだけ回避するために、短絡環配線
27bと第二の短絡環配線27aを接続する場合、容量
38を介して接続することが望ましいが、請求項2に記
載した発明を実施する限りにおいては、この短絡環配線
27bと第二の短絡環配線27aを容量結合ではなく直
接接続してもよい。
In order to prevent contact holes from being formed in the insulating film 32 as much as possible, when the short circuit ring wiring 27b and the second short circuit ring wiring 27a are connected, it is desirable to connect them via the capacitor 38. However, as long as the invention described in claim 2 is implemented, the short-circuit ring wiring 27b and the second short-circuit ring wiring 27a may be directly connected instead of capacitive coupling.

【0028】図1および図6は、他の実施例を示す図で
ある。この発明では、図1に示すように、複数の画像信
号配線21が二つのトランジスタ26a、26bを介し
て接続された短絡環配線27bを設けると共に、複数の
走査信号配線22が接続された第二の短絡環配線27a
を設け、この短絡環配線27bと第二の短絡環配線27
aを容量38を介して容量結合させたものである。すな
わち、図8に示すように、第二の短絡環配線27aと短
絡環配線27bが絶縁膜32を介して一部重なり合うよ
うに形成されており、この絶縁膜32に容量38が形成
される。したがって、第二の短絡環配線27aと短絡環
配線27bは、容量38によって容量結合され、画像信
号配線21と走査信号配線22との間に発生する静電気
は容量38で吸収される。
1 and 6 are views showing another embodiment. In the present invention, as shown in FIG. 1, a plurality of image signal wirings 21 are provided with short circuit ring wirings 27b connected through two transistors 26a and 26b, and a plurality of scanning signal wirings 22 are connected to a second circuit. Short circuit ring wiring 27a
The short-circuit ring wiring 27b and the second short-circuit ring wiring 27 are provided.
In this example, a is capacitively coupled via the capacitor 38. That is, as shown in FIG. 8, the second short-circuit ring wiring 27 a and the short-circuit ring wiring 27 b are formed so as to partially overlap with each other through the insulating film 32, and the capacitor 38 is formed in this insulating film 32. Therefore, the second short-circuit ring wiring 27 a and the second short-circuit ring wiring 27 b are capacitively coupled by the capacitance 38, and the static electricity generated between the image signal wiring 21 and the scanning signal wiring 22 is absorbed by the capacitance 38.

【0029】なお、絶縁膜32にコンタクトホールが形
成されることをできるだけ回避するために、複数の画像
信号配線21と短絡環配線27bを接続するトランジス
タ26a、26bのゲート電極とソース電極またはドレ
イン電極は、一部が重なるように形成して容量結合させ
ることが望ましいが、請求項3に記載した発明を実施す
る限りにおいては、トランジスタ26a、26bのゲー
ト電極とソース電極またはドレイン電極は、容量結合で
はなく直接接続してもよい。この場合、第二の短絡環配
線27aと短絡環配線27bを交差して設け、この交差
部分にレーザ光を照射して電気的に短絡させればよい。
In order to prevent contact holes from being formed in the insulating film 32 as much as possible, the gate electrodes and source electrodes or drain electrodes of the transistors 26a and 26b connecting the plurality of image signal wirings 21 and the short-circuit ring wirings 27b. Is preferably formed so as to partially overlap with each other and capacitively coupled. However, as long as the invention described in claim 3 is implemented, the gate electrodes and the source or drain electrodes of the transistors 26a and 26b are capacitively coupled. You may connect directly instead. In this case, the second short-circuit ring wiring 27a and the short-circuit ring wiring 27b may be provided so as to intersect with each other, and the intersecting portion may be irradiated with laser light to electrically short-circuit.

【0030】この実施例では、複数の走査信号配線が接
続された第二の短絡環配線を設け、この第二の短絡環配
線と、複数の画像信号配線がトランジスタを介して接続
された短絡環配線とを容量結合させることから、複数の
走査信号配線と短絡環配線を疑似的に接続する場合に、
絶縁膜にコンタクトホールを形成することなく接続で
き、製造プロセスが簡単で、製造歩留りを低下させるこ
とがなく、低コストの液晶表示装置を提供できる。
In this embodiment, a second short-circuit ring wiring to which a plurality of scanning signal wirings are connected is provided, and the second short-circuit ring wiring and a plurality of image signal wirings are connected via a transistor. Since the wiring is capacitively coupled, when a plurality of scanning signal wirings and the short-circuit ring wiring are pseudo-connected,
A liquid crystal display device can be provided which can be connected without forming a contact hole in the insulating film, has a simple manufacturing process, does not reduce the manufacturing yield, and is low in cost.

【0031】また、図1に示す液晶表示装置のTFTア
レイパネルの短絡環配線27bと第二の短絡環配線27
aは、製造工程時における絶縁膜の静電破壊を防止する
ためのものであり、表示装置として実際に使用する場合
は、この短絡環配線27bと第二の短絡環配線27aは
切り離される。
Further, the short-circuit ring wiring 27b and the second short-circuit ring wiring 27 of the TFT array panel of the liquid crystal display device shown in FIG.
a is for preventing electrostatic breakdown of the insulating film during the manufacturing process, and when actually used as a display device, the short circuit ring wiring 27b and the second short circuit ring wiring 27a are separated.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上のように、本発明に係る液晶表示装
置では、画素電極とスイッチング素子のドレイン電極を
絶縁膜の同じ側に設けると共に、複数の画像信号配線が
トランジスタを介して接続された短絡環配線を設け、こ
のトランジスタのゲート電極とソース電極またはドレイ
ン電極が絶縁膜を介して容量結合させることから、画素
電極とスイッチング素子を接続したり、付加電極を形成
する場合に、絶縁膜にコンタクトホールを形成すること
なく接続したり、形成でき、製造プロセスが簡単で、製
造歩留りを低下させることがなく、低コストの液晶表示
装置を提供できると共に、複数の画像信号配線と短絡環
配線を疑似的に接続する場合に、絶縁膜にコンタクトホ
ールを形成することなく接続でき、製造プロセスが簡単
で、製造歩留りを低下させることがなく、低コストの液
晶表示装置を提供できる。
As described above, in the liquid crystal display device according to the present invention, the pixel electrode and the drain electrode of the switching element are provided on the same side of the insulating film, and a plurality of image signal wirings are connected through the transistor. Since the gate electrode and the source electrode or drain electrode of this transistor are capacitively coupled through the insulating film by providing a short circuit ring wiring, when connecting the pixel electrode and the switching element or forming the additional electrode, It is possible to provide a low-cost liquid crystal display device that can be connected or formed without forming contact holes, has a simple manufacturing process, does not reduce the manufacturing yield, and has a plurality of image signal wirings and short-circuit ring wirings. When making a pseudo connection, it can be connected without forming a contact hole in the insulating film, the manufacturing process is simple, and the manufacturing yield is high. Without causing made, it is possible to provide a liquid crystal display device of low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る液晶表示装置の一実施例を示すT
FTアレイパネルの等価回路図である。
FIG. 1 shows a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
It is an equivalent circuit schematic of an FT array panel.

【図2】本発明に係る液晶表示装置の一実施例を示すT
FTアレイパネルの一画素の平面図である。
FIG. 2 shows a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
It is a top view of one pixel of an FT array panel.

【図3】図2のA−A’線断面図である。3 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG.

【図4】本発明に係る液晶表示装置の一実施例を示すト
ランジスタ部分の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of a transistor portion showing an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図5】図4のB−B’線断面図である。5 is a sectional view taken along line B-B ′ of FIG.

【図6】本発明に係る液晶表示装置の他の実施例を示す
短絡環配線の容量結合部を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a capacitive coupling portion of a short-circuit ring wiring showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図7】従来の液晶表示装置におけるTFTアレイパネ
ルの等価回路図である。
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a TFT array panel in a conventional liquid crystal display device.

【図8】従来の液晶表示装置におけるTFTアレイパネ
ルの一画素の平面図である。
FIG. 8 is a plan view of one pixel of a TFT array panel in a conventional liquid crystal display device.

【図9】図8のA−A’線断面図である。9 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG.

【図10】従来の液晶表示装置における高電圧保護用ト
ランジスタ部分の平面図である。
FIG. 10 is a plan view of a high voltage protection transistor portion in a conventional liquid crystal display device.

【図11】図10のB−B’線断面図である。11 is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ of FIG.

【図12】従来の液晶表示装置における短絡環配線の容
量結合部を示す断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a capacitive coupling portion of a short-circuit ring wiring in a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、1a、1b、21、21a,21b・・・画像信号
配線およびソース電極、2、2a、2b、22、22
a、22b・・・走査信号配線およびゲート電極、3、
23・・・画素スイッチング用薄膜トランジスタ、4、
24・・・画素電極、5、25・・・付加容量、6a、
6b、26a、26b・・・高電圧保護用の薄膜トラン
ジスタ、半導体膜、7、27a、27b・・・短絡環配
線、8、28・・・検査パッド、9、29・・・駆動回
路接続端子、10、10a、10b、10c、10d、
10e・・・コンタクトホール、11・・・透明ガラス
基板、12、32・・・層間絶縁膜、13、17a、1
7b、33、37a、37b・・・半導体膜、14、3
4・・・ドレイン電極コンタクトホール、15・・・絶
縁性保護膜、16a、16b、36a、36b・・・高
電圧保護用トランジスタのゲート電極、17a、17
b、37a、37b・・・高電圧保護用トランジスタの
半導体膜、18・・・付加電極、19a、19b、19
c、19d・・・高電圧保護用トランジスタのソースま
たはドレイン電極、30a、30b・・・高電圧保護用
トランジスタのゲート接続容量、38・・・静電気吸収
用容量
1, 1a, 1b, 21, 21a, 21b ... Image signal wiring and source electrodes, 2, 2a, 2b, 22, 22
a, 22b ... Scan signal wiring and gate electrodes, 3,
23 ... Thin film transistor for pixel switching, 4,
24 ... Pixel electrode, 5, 25 ... Additional capacitance, 6a,
6b, 26a, 26b ... Thin film transistor for high voltage protection, semiconductor film, 7, 27a, 27b ... Short circuit ring wiring, 8, 28 ... Inspection pad, 9, 29 ... Driving circuit connecting terminal, 10, 10a, 10b, 10c, 10d,
10e ... Contact hole, 11 ... Transparent glass substrate, 12, 32 ... Interlayer insulating film, 13, 17a, 1
7b, 33, 37a, 37b ... Semiconductor film, 14, 3
4 ... Drain electrode contact hole, 15 ... Insulating protective film, 16a, 16b, 36a, 36b ... Gate electrode of high voltage protection transistor, 17a, 17
b, 37a, 37b ... Semiconductor film of high voltage protection transistor, 18 ... Additional electrode, 19a, 19b, 19
c, 19d ... Source or drain electrode of high voltage protection transistor, 30a, 30b ... Gate connection capacitance of high voltage protection transistor, 38 ... Electrostatic absorption capacitance

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成7年2月2日[Submission date] February 2, 1995

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Name of item to be amended] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【特許請求の範囲】[Claims]

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0010[Correction target item name] 0010

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0010】また、図7および図12に示すように、走
査信号配線2は絶縁膜12に形成されたコンタクトホー
ル10eを介して短絡環配線7に接続されている。な
お、図12は、図7のP部分の断面図である。
Further, as shown in FIGS. 7 and 12, the scanning signal wiring 2 is connected to the short-circuit ring wiring 7 through a contact hole 10e formed in the insulating film 12. Note that FIG. 12 is a cross-sectional view of the portion P in FIG. 7.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の画像信号配線と、複数の走査信号
配線とを絶縁膜を介して交差して設け、この画像信号配
線と走査信号配線との交点に画素電極とこの画素電極に
画像信号を供給する少なくともゲート電極、前記絶縁
膜、半導体膜、ソース電極およびドレイン電極からなる
スイッチング素子とをマトリクス状に設け、前記画素電
極とこの画素電極に対向して設けられた対向電極との間
に液晶材料が保持されている液晶表示装置において、前
記画素電極とスイッチング素子のドレイン電極を前記絶
縁膜の同じ側に設け、前記複数の画像信号配線がトラン
ジスタを介して接続された短絡環配線を設け、このトラ
ンジスタのゲート電極とソース電極またはドレイン電極
が前記絶縁膜を介して容量結合していることを特徴とす
る液晶表示装置。
1. A plurality of image signal wirings and a plurality of scanning signal wirings are provided so as to intersect with each other through an insulating film, and a pixel electrode is provided at an intersection of the image signal wiring and the scanning signal wiring and an image signal is provided to the pixel electrode. Supplying at least a gate electrode, the insulating film, the semiconductor film, a switching element composed of a source electrode and a drain electrode in a matrix form, and between the pixel electrode and a counter electrode provided so as to face the pixel electrode. In a liquid crystal display device in which a liquid crystal material is held, the pixel electrode and a drain electrode of a switching element are provided on the same side of the insulating film, and a short circuit ring wiring in which the plurality of image signal wirings are connected via a transistor is provided. A liquid crystal display device, wherein a gate electrode and a source electrode or a drain electrode of this transistor are capacitively coupled via the insulating film.
【請求項2】 前記複数の走査信号配線が接続された第
二の短絡環配線を設け、この第二の短絡環配線と、前記
複数の画像信号配線がトランジスタを介して接続された
短絡環配線とを容量結合させたことを特徴とする請求項
1に記載の液晶表示装置。
2. A second short-circuit ring wiring to which the plurality of scanning signal wirings are connected is provided, and the second short-circuit ring wiring and the plurality of image signal wirings are connected via a transistor. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein and are capacitively coupled.
【請求項3】 前記トランジスタのゲート電極とソース
電極またはドレイン電極が前記絶縁膜を介して容量結合
していることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装
置。
3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein a gate electrode and a source electrode or a drain electrode of the transistor are capacitively coupled via the insulating film.
JP26781994A 1994-10-31 1994-10-31 Liquid crystal display device Pending JPH08129188A (en)

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US08/550,721 US5841490A (en) 1994-10-31 1995-10-31 Liquid crystal display device and its fabricating method

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007042775A (en) * 2005-08-02 2007-02-15 Sanyo Epson Imaging Devices Corp Protection diode, method of manufacturing same, and electro-optical device
JP2011028115A (en) * 2009-07-28 2011-02-10 Seiko Epson Corp Active matrix substrate, electro-optical device and electronic apparatus

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