JPH08128982A - 熱依存性検出器および製造方法 - Google Patents
熱依存性検出器および製造方法Info
- Publication number
- JPH08128982A JPH08128982A JP26931994A JP26931994A JPH08128982A JP H08128982 A JPH08128982 A JP H08128982A JP 26931994 A JP26931994 A JP 26931994A JP 26931994 A JP26931994 A JP 26931994A JP H08128982 A JPH08128982 A JP H08128982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- substrate
- frame
- detection element
- dependent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 正確な雰囲気温度で検出信号が得られる熱依
存性検出器とし、これを歩留りよく作る。 【構成】 （１００）面のＳｉ基板２の絶縁膜３上に、
フレームへの固着部２ａから離間した位置に、異方性エ
ッチングによる（１１１）面で区切られた空洞部１１を
設けて、基板２のない熱依存性検出素子４と、該熱依存
性検出素子４を保護するための保護外框１３とを作る。
保護外框１３には、切り離し溝１２が設けられ、熱依存
性検出素子４と保護外框１３の加工が完了した基板２を
フレームに固着後、保護外框１３を切り離し、絶縁膜３
上に抵抗パターン５を有する熱依存性検出素子４とし熱
容量の小さい、応答性が優れ、フレームからの熱伝導影
響の小さい熱依存性検出器とする。
存性検出器とし、これを歩留りよく作る。 【構成】 （１００）面のＳｉ基板２の絶縁膜３上に、
フレームへの固着部２ａから離間した位置に、異方性エ
ッチングによる（１１１）面で区切られた空洞部１１を
設けて、基板２のない熱依存性検出素子４と、該熱依存
性検出素子４を保護するための保護外框１３とを作る。
保護外框１３には、切り離し溝１２が設けられ、熱依存
性検出素子４と保護外框１３の加工が完了した基板２を
フレームに固着後、保護外框１３を切り離し、絶縁膜３
上に抵抗パターン５を有する熱依存性検出素子４とし熱
容量の小さい、応答性が優れ、フレームからの熱伝導影
響の小さい熱依存性検出器とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱依存性検出器および
製造方法、より詳細には、温度、湿度、ガス、赤外線、
圧力、真空度、加速度、流量・流速等、測定値が熱（温
度）に依存する被測定対象物理を測定する検出器および
その製造方法に関する。
製造方法、より詳細には、温度、湿度、ガス、赤外線、
圧力、真空度、加速度、流量・流速等、測定値が熱（温
度）に依存する被測定対象物理を測定する検出器および
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来の検出器の一例を説明する
ための構成図で、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図
６（ａ）のＢ−Ｂ線断面図を示し、図中、２１は、例え
ば、Ｓｉ基板、２２は該Ｓｉ基板に２１に設けられた空
洞で、周知のように、該空洞２２の上部には、例えば、
ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5等のような絶縁膜子からなる橋２３
が架けられ、該橋２３の上には、例えば、Ｐｔ，ＮｉＣ
ｒ等からなる抵抗体パターン２４が配設され、更に、該
抵抗体パターン２４の上には、ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5等か
らなる保護膜２５が設けられ、ボンデングワイヤ２６を
通して前記抵抗体パターン２４に電流が流され、該抵抗
体パターン２４は、その発熱部もしくは感温（熱）部Ａ
が加熱される。
ための構成図で、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図
６（ａ）のＢ−Ｂ線断面図を示し、図中、２１は、例え
ば、Ｓｉ基板、２２は該Ｓｉ基板に２１に設けられた空
洞で、周知のように、該空洞２２の上部には、例えば、
ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5等のような絶縁膜子からなる橋２３
が架けられ、該橋２３の上には、例えば、Ｐｔ，ＮｉＣ
ｒ等からなる抵抗体パターン２４が配設され、更に、該
抵抗体パターン２４の上には、ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5等か
らなる保護膜２５が設けられ、ボンデングワイヤ２６を
通して前記抵抗体パターン２４に電流が流され、該抵抗
体パターン２４は、その発熱部もしくは感温（熱）部Ａ
が加熱される。
【０００３】上述のごとき検出器を用いて、例えば、湿
度を測定する場合を例に説明すると、抵抗２４の抵抗値
が周囲の温度及び湿度に依存するため、例えば、最初に
湿度感度が０になるような微少電流を流して周囲温度に
関する抵抗値を測定し、次いで、湿度感度を有する電流
を流して周囲温度及び湿度に関する抵抗値を測定し、次
いで、この温度及び湿度に関する測定値から前記温度に
関する測定値を差し引いて、周囲の湿度を測定するよう
にしている。
度を測定する場合を例に説明すると、抵抗２４の抵抗値
が周囲の温度及び湿度に依存するため、例えば、最初に
湿度感度が０になるような微少電流を流して周囲温度に
関する抵抗値を測定し、次いで、湿度感度を有する電流
を流して周囲温度及び湿度に関する抵抗値を測定し、次
いで、この温度及び湿度に関する測定値から前記温度に
関する測定値を差し引いて、周囲の湿度を測定するよう
にしている。
【０００４】上述のごとき検出装置は、半導体及び集積
回路の微細加工技術を用いて、基板２１と空間を隔てて
（基板２１に空洞２２を設けて基板２１との熱伝導を避
けて）発熱又は感温部Ａを形成しているが、チップは半
導体製造技術の通常の程度からして、そのサイズは厚さ
０.１〜２ｍｍ、広さ０.５×０.５ｍｍ〜１０×１０ｍ
ｍである。この寸法内に上述の空洞２２を設けると、発
熱部又は感温部Ａと空洞壁２２ｂの距離が、特に空洞底
部２２ａに対して５０〜３００μｍと接近してしまい、
大きな間隔をとれない。この距離が近いと、発熱部Ａよ
りはるかに熱容量の大きい基板２１の温度状態により発
熱部が影響を受けてしまい、せっかくの空洞部による熱
絶縁の効果がなくなってしまう。すなわち、基板２１か
らの熱輻射および空洞２２内の雰囲気の熱伝導が距離が
近いため、このような熱絶縁の効果がなくなってしまう
という欠点を生ずる。
回路の微細加工技術を用いて、基板２１と空間を隔てて
（基板２１に空洞２２を設けて基板２１との熱伝導を避
けて）発熱又は感温部Ａを形成しているが、チップは半
導体製造技術の通常の程度からして、そのサイズは厚さ
０.１〜２ｍｍ、広さ０.５×０.５ｍｍ〜１０×１０ｍ
ｍである。この寸法内に上述の空洞２２を設けると、発
熱部又は感温部Ａと空洞壁２２ｂの距離が、特に空洞底
部２２ａに対して５０〜３００μｍと接近してしまい、
大きな間隔をとれない。この距離が近いと、発熱部Ａよ
りはるかに熱容量の大きい基板２１の温度状態により発
熱部が影響を受けてしまい、せっかくの空洞部による熱
絶縁の効果がなくなってしまう。すなわち、基板２１か
らの熱輻射および空洞２２内の雰囲気の熱伝導が距離が
近いため、このような熱絶縁の効果がなくなってしまう
という欠点を生ずる。
【０００５】図７は、従来の検出装置の他の例を説明す
るための要部構成図で、図中、２１は基板、２２は空
洞、２３は絶縁膜からなる橋、２４は発熱又は感温材
料、２４ａは該発熱又は感温材料２４に対するリードパ
ターン、２６はボンデングワイヤ、２７はリードワイ
ヤ、２８はパッケージベース、２９はパッケージキャッ
プで、基板２１乃至ボンデングワイヤ２６よりなる検出
部は、図４の場合と同様にして、周囲の温度、湿度、そ
の他の物理量を測定する。
るための要部構成図で、図中、２１は基板、２２は空
洞、２３は絶縁膜からなる橋、２４は発熱又は感温材
料、２４ａは該発熱又は感温材料２４に対するリードパ
ターン、２６はボンデングワイヤ、２７はリードワイ
ヤ、２８はパッケージベース、２９はパッケージキャッ
プで、基板２１乃至ボンデングワイヤ２６よりなる検出
部は、図４の場合と同様にして、周囲の温度、湿度、そ
の他の物理量を測定する。
【０００６】上述のごとき検出装置において、基板上の
感温材料２４が受ける熱の影響として、周辺基板２１か
らの熱輻射（ａ1）、外部パッケージ２９からの熱輻射
（ａ2）、ブリッジのサスペション２３からの熱伝導
（ｂ1）、パッケージベース２８からの熱伝導（ｂ2）、
周辺の対流（ｂ3）の熱伝導等がある。この感温材料２
４の周囲温度の変化に対する応答時間は、周囲温度が８
０℃である状態を２０℃にした場合、感温材料２４が２
０℃になるまでに約２０minを要する。感温材料２４
は、基板２１の空洞部２２を介しているため、パッケー
ジ２８，２９や基板２１と接触しておらず、しかも、微
小熱容量であることもあり、もっと急速に周囲雰囲気の
温度になじんでも良いものと考えられるが、実際は、上
述のように多大な時間を要してしまう。因に、パッケー
ジベースの応答時間も約２０minである。従って、感温
材料は空洞部が有っても無くても応答時間は短くならな
い。
感温材料２４が受ける熱の影響として、周辺基板２１か
らの熱輻射（ａ1）、外部パッケージ２９からの熱輻射
（ａ2）、ブリッジのサスペション２３からの熱伝導
（ｂ1）、パッケージベース２８からの熱伝導（ｂ2）、
周辺の対流（ｂ3）の熱伝導等がある。この感温材料２
４の周囲温度の変化に対する応答時間は、周囲温度が８
０℃である状態を２０℃にした場合、感温材料２４が２
０℃になるまでに約２０minを要する。感温材料２４
は、基板２１の空洞部２２を介しているため、パッケー
ジ２８，２９や基板２１と接触しておらず、しかも、微
小熱容量であることもあり、もっと急速に周囲雰囲気の
温度になじんでも良いものと考えられるが、実際は、上
述のように多大な時間を要してしまう。因に、パッケー
ジベースの応答時間も約２０minである。従って、感温
材料は空洞部が有っても無くても応答時間は短くならな
い。
【０００７】上述のごとき検出装置においては、発熱又
は感温部の材料及びその配置をアレンジすることによ
り、例えば、温度、湿度、ガス、赤外線、圧力、真空
度、加速度、流量・流速度を被測定対象の物理現象とし
て、以下の１〜７の原理、すなわち、 １．電気抵抗体の抵抗値変化として、 ２．雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の電
気抵抗値が変化するものとして、 ３．雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の静
電容量が変化するものとして、 ４．雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の重
量変化を共振周波数変化として、 ５．雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の化
学反応により反応熱を生じ、この熱を別の抵抗体の抵抗
値変化として、 ６．温度変化を熱電対膜の出力電圧変化として、 ７．たわみ量をピエゾ抵抗効果の出力電圧変化として、 利用することにより測定される。
は感温部の材料及びその配置をアレンジすることによ
り、例えば、温度、湿度、ガス、赤外線、圧力、真空
度、加速度、流量・流速度を被測定対象の物理現象とし
て、以下の１〜７の原理、すなわち、 １．電気抵抗体の抵抗値変化として、 ２．雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の電
気抵抗値が変化するものとして、 ３．雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の静
電容量が変化するものとして、 ４．雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の重
量変化を共振周波数変化として、 ５．雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の化
学反応により反応熱を生じ、この熱を別の抵抗体の抵抗
値変化として、 ６．温度変化を熱電対膜の出力電圧変化として、 ７．たわみ量をピエゾ抵抗効果の出力電圧変化として、 利用することにより測定される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記１乃至７の測定原
理を用いて被測定対象の物理量を測定する場合、その測
定値は、温度により影響を受けるものであるから、被測
定対象の温度が正確に分っていないと、意味のない測定
結果になってしまう。例えば、気体の圧力をピエゾ抵抗
によって検出する際に、その気体の温度が分っていない
と、正確な圧力は分らない。気体の温度とピエゾ抵抗の
温度（ピエゾ抵抗に温度依存性がある）が、ある知られ
た関係にあれば良いが、そうでない場合には、温度補償
なる手段により解決しようとする。しかし、温度平衡に
なるまでピエゾ抵抗を気体中に放置すれば別であるが、
実際には、気体の温度変動とピエゾ抵抗の温度変化がピ
エゾ抵抗の多大なる熱容量が原因で追従できない。その
結果、温度補償が不完全になってしまう。
理を用いて被測定対象の物理量を測定する場合、その測
定値は、温度により影響を受けるものであるから、被測
定対象の温度が正確に分っていないと、意味のない測定
結果になってしまう。例えば、気体の圧力をピエゾ抵抗
によって検出する際に、その気体の温度が分っていない
と、正確な圧力は分らない。気体の温度とピエゾ抵抗の
温度（ピエゾ抵抗に温度依存性がある）が、ある知られ
た関係にあれば良いが、そうでない場合には、温度補償
なる手段により解決しようとする。しかし、温度平衡に
なるまでピエゾ抵抗を気体中に放置すれば別であるが、
実際には、気体の温度変動とピエゾ抵抗の温度変化がピ
エゾ抵抗の多大なる熱容量が原因で追従できない。その
結果、温度補償が不完全になってしまう。
【０００９】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなさ
れたもので、特に、基板上に感温又は感湿材料等の熱依
存性検出素子が設けられた検出器において、フレームに
固着される熱依存性検出素子を、熱容量が大きく雰囲気
温度の変化に対して熱応答の遅いフレームから離間した
位置に設け、しかも、検出感度を低下させることなく熱
容量を小さくすることにより、正しい雰囲気温度におい
ての被測定対象の物理量を検知して基準温度における物
理量に補正可能にすることを第１の目的とし、更には、
熱依存性検出素子を製造する際、要部の熱依存性検出素
子を痛めることがないように熱依存性検出素子のまわり
に半導体基板による保護外框を設け、該保護外框を熱依
存性検出素子がフレームに固着された後に取り除くこと
により、該熱依存性検出素子の歩留りを向上させること
を他の目的としてなされたものである。
れたもので、特に、基板上に感温又は感湿材料等の熱依
存性検出素子が設けられた検出器において、フレームに
固着される熱依存性検出素子を、熱容量が大きく雰囲気
温度の変化に対して熱応答の遅いフレームから離間した
位置に設け、しかも、検出感度を低下させることなく熱
容量を小さくすることにより、正しい雰囲気温度におい
ての被測定対象の物理量を検知して基準温度における物
理量に補正可能にすることを第１の目的とし、更には、
熱依存性検出素子を製造する際、要部の熱依存性検出素
子を痛めることがないように熱依存性検出素子のまわり
に半導体基板による保護外框を設け、該保護外框を熱依
存性検出素子がフレームに固着された後に取り除くこと
により、該熱依存性検出素子の歩留りを向上させること
を他の目的としてなされたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、（１）表面に絶縁膜を有する基板と、該
基板を一端側で固着支持するフレームと、前記絶縁膜上
に設けられた被測定対象の物理量を検出するための熱依
存性検出素子を有し、該熱依存性検出素子は、前記フレ
ームに固着された前記基板の自由端側に設けられ、該熱
依存性検出素子が設けられた部分には前記基板を有しな
いようにしたこと、更には、（２）表面に絶縁膜を有す
る基板と、前記絶縁膜上に設けられた被測定対象の物理
量を検出するための熱依存性検出素子と、該熱依存性検
出素子に接続され、前記基板が一端側で絶縁固着支持さ
れるリードを有し、前記熱依存性検出素子が設けられた
部分には前記基板を有しないようにしたこと、或いは、
（３）前記熱依存性検出素子の形成時に、前記フレーム
に固着される前記基板の固着側から、前記自由端側に、
切り離し溝により支持され、前記熱依存性検出素子を保
護するための保護外框を設け、前記フレームに前記熱依
存性検出素子を固着した後に、該保護外框を切り離すよ
うにすること、更には、（４）表面に絶縁膜を有する基
板上に、複数の前記熱依存性検出素子を直線的に形成
し、形成された複数の熱依存性検出素子間に生じる間隙
を充填材で埋めて固化後、個々の前記熱依存性検出素子
を切り離して前記フレーム又はリードに絶縁固着して、
前記充填材を除去することを特徴としたものである。
決するために、（１）表面に絶縁膜を有する基板と、該
基板を一端側で固着支持するフレームと、前記絶縁膜上
に設けられた被測定対象の物理量を検出するための熱依
存性検出素子を有し、該熱依存性検出素子は、前記フレ
ームに固着された前記基板の自由端側に設けられ、該熱
依存性検出素子が設けられた部分には前記基板を有しな
いようにしたこと、更には、（２）表面に絶縁膜を有す
る基板と、前記絶縁膜上に設けられた被測定対象の物理
量を検出するための熱依存性検出素子と、該熱依存性検
出素子に接続され、前記基板が一端側で絶縁固着支持さ
れるリードを有し、前記熱依存性検出素子が設けられた
部分には前記基板を有しないようにしたこと、或いは、
（３）前記熱依存性検出素子の形成時に、前記フレーム
に固着される前記基板の固着側から、前記自由端側に、
切り離し溝により支持され、前記熱依存性検出素子を保
護するための保護外框を設け、前記フレームに前記熱依
存性検出素子を固着した後に、該保護外框を切り離すよ
うにすること、更には、（４）表面に絶縁膜を有する基
板上に、複数の前記熱依存性検出素子を直線的に形成
し、形成された複数の熱依存性検出素子間に生じる間隙
を充填材で埋めて固化後、個々の前記熱依存性検出素子
を切り離して前記フレーム又はリードに絶縁固着して、
前記充填材を除去することを特徴としたものである。
【００１１】
【作用】半導体集積回路の微細加工技術により、基板面
の絶縁膜上の一端側に熱依存性検出素子を、他端側に該
熱依存性検出素子のリードパッドを設け、更に熱依存性
検出素子が設けられた基板部を取り除くことにより熱容
量を小さくし熱応答性を高め、基板の他端側を熱容量の
大きいリードが設けられたフレーム又はリードに固着
し、フレームの温度に影響されない雰囲気温度における
被測定対象の物理量を求めることを可能にする。更に
は、上記熱依存性検出素子を製造するための一つの方法
は、熱依存性検出素子を痛めることないように基板に切
り離し溝を有する保護外框を設け、該基板をリードパッ
ド側でフレームに固着し、保護外框を、フレームに固着
後切り離し溝から切り離すもので、他方の方法は、微細
加工技術により複数の熱依存性検出素子が造られた基板
の空洞部に樹脂を埋め込み、これを各別の熱依存性検出
素子に切断後樹脂を溶解するものである。
の絶縁膜上の一端側に熱依存性検出素子を、他端側に該
熱依存性検出素子のリードパッドを設け、更に熱依存性
検出素子が設けられた基板部を取り除くことにより熱容
量を小さくし熱応答性を高め、基板の他端側を熱容量の
大きいリードが設けられたフレーム又はリードに固着
し、フレームの温度に影響されない雰囲気温度における
被測定対象の物理量を求めることを可能にする。更に
は、上記熱依存性検出素子を製造するための一つの方法
は、熱依存性検出素子を痛めることないように基板に切
り離し溝を有する保護外框を設け、該基板をリードパッ
ド側でフレームに固着し、保護外框を、フレームに固着
後切り離し溝から切り離すもので、他方の方法は、微細
加工技術により複数の熱依存性検出素子が造られた基板
の空洞部に樹脂を埋め込み、これを各別の熱依存性検出
素子に切断後樹脂を溶解するものである。
【００１２】
〔実施例１〕（請求項１に対応） 図１は、本発明による熱依存性検出器の要部構造の一例
を説明するための図であり、図１（ａ）は熱依存性検出
器の部分平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の矢視Ｂ−
Ｂ′線断面図であり、図中、１はフレーム、２は基板、
３は絶縁膜、４は熱依存性検出素子、５は抵抗体パター
ン、６はリード、７はボンデングワイヤ、８は保護膜で
ある。
を説明するための図であり、図１（ａ）は熱依存性検出
器の部分平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の矢視Ｂ−
Ｂ′線断面図であり、図中、１はフレーム、２は基板、
３は絶縁膜、４は熱依存性検出素子、５は抵抗体パター
ン、６はリード、７はボンデングワイヤ、８は保護膜で
ある。
【００１３】図１（ａ）に示した熱依存性検出器は、熱
依存性検出素子４を感温素子とした場合の例である。基
板２は、例えば、Ｎ型のＳｉ（１００）の矩形状基板
で、表面にＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5等の絶縁膜３が形成され
ている。基板２上の絶縁膜３の上には、ホトリソグラフ
ィ技術、成膜技術およびエッチング技術等の半導体集積
回路の微細加工方法により抵抗体パターン５が基板２の
一端側に形成される。
依存性検出素子４を感温素子とした場合の例である。基
板２は、例えば、Ｎ型のＳｉ（１００）の矩形状基板
で、表面にＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5等の絶縁膜３が形成され
ている。基板２上の絶縁膜３の上には、ホトリソグラフ
ィ技術、成膜技術およびエッチング技術等の半導体集積
回路の微細加工方法により抵抗体パターン５が基板２の
一端側に形成される。
【００１４】抵抗体パターン５は、被測定対象の物理量
（図示の場合、温度）を検知するためのもので、Ｐｔ、
ＮｉＣｒ等からなる抵抗薄膜による同心円状のパターン
が直列接続され高抵抗値とした感温センサであり、端部
には、同一抵抗薄膜からなる平行な幅広のリードパター
ン５ａ、およびリードパッド５ｂが接続されている。
（図示の場合、温度）を検知するためのもので、Ｐｔ、
ＮｉＣｒ等からなる抵抗薄膜による同心円状のパターン
が直列接続され高抵抗値とした感温センサであり、端部
には、同一抵抗薄膜からなる平行な幅広のリードパター
ン５ａ、およびリードパッド５ｂが接続されている。
【００１５】基板２は、熱依存性検出素子４の熱容量を
小さくするために、熱依存性検出素子４をフレーム１に
固着する部分以外と、リードパターン５ａおよび抵抗体
パターン５の外周部分を異方性エッチングにより（１１
１）面に従って取り除かれている。更に、抵抗体パター
ン５の部分は、抵抗体パターン５より僅かに大きい円形
部分の絶縁膜３を残して基板部分は異方性エッチングに
より取り除かれる。取り除かれた基板はアンダーカット
とならないように上下面からエッチングされ、図１
（ｂ）に示すように、断面“く”の字形になっている。
なお、絶縁膜３の中央には孔３ａが設けられ、熱依存性
検出素子４部分の熱容量を更に小さくしている。
小さくするために、熱依存性検出素子４をフレーム１に
固着する部分以外と、リードパターン５ａおよび抵抗体
パターン５の外周部分を異方性エッチングにより（１１
１）面に従って取り除かれている。更に、抵抗体パター
ン５の部分は、抵抗体パターン５より僅かに大きい円形
部分の絶縁膜３を残して基板部分は異方性エッチングに
より取り除かれる。取り除かれた基板はアンダーカット
とならないように上下面からエッチングされ、図１
（ｂ）に示すように、断面“く”の字形になっている。
なお、絶縁膜３の中央には孔３ａが設けられ、熱依存性
検出素子４部分の熱容量を更に小さくしている。
【００１６】以上の如く形成された熱依存性検出素子４
は、基板固着部２ａの部分でフレーム１に接着剤等によ
り片持梁状に固着され、リード６とリードパッド５ｂと
の間をボンデングワイヤ７で接続される。
は、基板固着部２ａの部分でフレーム１に接着剤等によ
り片持梁状に固着され、リード６とリードパッド５ｂと
の間をボンデングワイヤ７で接続される。
【００１７】上述した構造の熱依存性検出器は、熱依存
性検出素子４が熱容量の大きいフレーム１から離間した
位置に配置され、リードパターン５ａ部分で片持梁状に
支持されているので、熱依存性検出素子４に対するフレ
ーム１側からの熱影響が小さく、しかも、熱依存性検出
素子４に基板２を有しないので熱容量は小さく、熱依存
性検出素子４により環境温度に従って温度検出をするこ
とが可能となる。
性検出素子４が熱容量の大きいフレーム１から離間した
位置に配置され、リードパターン５ａ部分で片持梁状に
支持されているので、熱依存性検出素子４に対するフレ
ーム１側からの熱影響が小さく、しかも、熱依存性検出
素子４に基板２を有しないので熱容量は小さく、熱依存
性検出素子４により環境温度に従って温度検出をするこ
とが可能となる。
【００１８】図１に示した熱依存性検出器を、例えば、
気体の流速，流量センサとして用いる場合、熱依存性検
出素子４は抵抗パターン５に所定の電流を印加して発熱
して生ずる熱量が気体の流れにより放熱し、温度変化に
よる抵抗値の変化として流速が検知される。このときの
気体の流れは、矢印で示す（紙面に平行な）面に対して
垂直なＺ方向，Ｙ,Ｘ方向のいずれかの流れの中に設置
することができる。しかし、Ｘ方向としては、フレーム
１等の熱影響を受けることがないように、熱依存性検出
素子４が上流側となるように限定する必要がある。
気体の流速，流量センサとして用いる場合、熱依存性検
出素子４は抵抗パターン５に所定の電流を印加して発熱
して生ずる熱量が気体の流れにより放熱し、温度変化に
よる抵抗値の変化として流速が検知される。このときの
気体の流れは、矢印で示す（紙面に平行な）面に対して
垂直なＺ方向，Ｙ,Ｘ方向のいずれかの流れの中に設置
することができる。しかし、Ｘ方向としては、フレーム
１等の熱影響を受けることがないように、熱依存性検出
素子４が上流側となるように限定する必要がある。
【００１９】なお、図１に示した熱依存性検出素子４
は、一端側でフレーム１に固着されているが、フレーム
１を省いてリード６に直接固着することも可能である。
は、一端側でフレーム１に固着されているが、フレーム
１を省いてリード６に直接固着することも可能である。
【００２０】〔実施例２〕（請求項２に対応） 図２は、熱依存性検出素子をリードに直接固着支持され
た例を説明するための図であり、図２（ａ）は平面図、
図２（ｂ）は図２（ａ）の矢視Ｂ−Ｂ′線断面図、図２
（ｃ1）,（ｃ2）,（ｃ3）は図２（ａ）の矢視Ｃ−Ｃ′
線断面図で、図中、９は絶縁層、１０は接着材であり、
図１と同様の作用をする部分には、図１の場合と同じ参
照番号が付してある。
た例を説明するための図であり、図２（ａ）は平面図、
図２（ｂ）は図２（ａ）の矢視Ｂ−Ｂ′線断面図、図２
（ｃ1）,（ｃ2）,（ｃ3）は図２（ａ）の矢視Ｃ−Ｃ′
線断面図で、図中、９は絶縁層、１０は接着材であり、
図１と同様の作用をする部分には、図１の場合と同じ参
照番号が付してある。
【００２１】図１に示した基板２表面の絶縁膜３上に
は、熱依存性検出素子４が設けられ、裏面にはフレーム
１が直接固着されているが、図２に示した熱依存性検出
器の基板２の裏面には、熱酸化，ＰＶＤ（Physcal Vapo
r Deposition）又はＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）等による薄膜状のＳｉＯ2等による絶縁層９が形成さ
れており、一対のリード６に接着材１０により絶縁固着
されている。
は、熱依存性検出素子４が設けられ、裏面にはフレーム
１が直接固着されているが、図２に示した熱依存性検出
器の基板２の裏面には、熱酸化，ＰＶＤ（Physcal Vapo
r Deposition）又はＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）等による薄膜状のＳｉＯ2等による絶縁層９が形成さ
れており、一対のリード６に接着材１０により絶縁固着
されている。
【００２２】図２に示すように、基板２を有しない絶縁
膜３上に設けられた熱依存性検出素子４の基板２の下面
に絶縁層９を形成して、該基板２を直接リード６に固着
することにより、フレーム１が不要となりコスト低減さ
れる。図１（ｃ1）はリード６が金属（メタル）の場
合、図１（ｃ2）はリード６が絶縁体（ポリイミド，ガ
ラエボ等）で表面全体にＣｕやＡｕの導電材６ａが接着
されている場合、図１（ｃ3）はリード６が絶縁体で表
面に部分的にＣｕやＡｕの導電材６ａが接着されている
場合の基板２とリード６の固着方法を、基板２に絶縁層
９がある場合は、導電性リードに直接固着可能であり、
絶縁層９がない場合は、絶縁性リードに固着する。
膜３上に設けられた熱依存性検出素子４の基板２の下面
に絶縁層９を形成して、該基板２を直接リード６に固着
することにより、フレーム１が不要となりコスト低減さ
れる。図１（ｃ1）はリード６が金属（メタル）の場
合、図１（ｃ2）はリード６が絶縁体（ポリイミド，ガ
ラエボ等）で表面全体にＣｕやＡｕの導電材６ａが接着
されている場合、図１（ｃ3）はリード６が絶縁体で表
面に部分的にＣｕやＡｕの導電材６ａが接着されている
場合の基板２とリード６の固着方法を、基板２に絶縁層
９がある場合は、導電性リードに直接固着可能であり、
絶縁層９がない場合は、絶縁性リードに固着する。
【００２３】なお、熱依存性検出素子４は、抵抗体によ
る感温センサだけでなく、抵抗パターン５の一部を削除
し、この部分に、ＴｉＯ2，Ｖ2Ｏ5等の多孔質燒結体、
スチレン重合体等の合成樹脂等の感湿導電材料等を接続
することにより感湿センサやその他の熱依存性検出素子
とすることもできる。
る感温センサだけでなく、抵抗パターン５の一部を削除
し、この部分に、ＴｉＯ2，Ｖ2Ｏ5等の多孔質燒結体、
スチレン重合体等の合成樹脂等の感湿導電材料等を接続
することにより感湿センサやその他の熱依存性検出素子
とすることもできる。
【００２４】しかし、このように構成され熱依存性検出
素子４は薄型であり、微細構造物を扱う上で機械的強度
が低いから、直接加工治工具等が構造物に接触しないよ
うに保護する必要がある。そのために、構造物周辺に
は、その保護となる外框を設置することが有効である。
以下、保護外框を有する熱依存性検出器の製造方法を述
べる。
素子４は薄型であり、微細構造物を扱う上で機械的強度
が低いから、直接加工治工具等が構造物に接触しないよ
うに保護する必要がある。そのために、構造物周辺に
は、その保護となる外框を設置することが有効である。
以下、保護外框を有する熱依存性検出器の製造方法を述
べる。
【００２５】〔実施例３〕（請求項３に対応） 図３は、本発明による熱依存性検出器の製造方法を説明
するための平面図であり、図４は、図３の各部断面の形
状を説明するための図であり、図４（ａ）に図２の矢視
Ａ−Ａ′線断面図、図４（ｂ）は、図２の矢視Ｂ−Ｂ′
線断面図、図４（ｃ）は、図３の矢視Ｃ−Ｃ′断面図
で、図中、１１は空洞部、１２は切り離し溝、１３は保
護外框であり、図１と同様の作用をする部分には、図１
の場合と同じ参照番号を付してある。
するための平面図であり、図４は、図３の各部断面の形
状を説明するための図であり、図４（ａ）に図２の矢視
Ａ−Ａ′線断面図、図４（ｂ）は、図２の矢視Ｂ−Ｂ′
線断面図、図４（ｃ）は、図３の矢視Ｃ−Ｃ′断面図
で、図中、１１は空洞部、１２は切り離し溝、１３は保
護外框であり、図１と同様の作用をする部分には、図１
の場合と同じ参照番号を付してある。
【００２６】次に、熱依存性検出器の製造方法を、図３
に従って説明する。 （１）Ｓｉ基板に切離し溝を有する保護外框を設ける。
表面に、ＴｉＯ3，Ｔａ2Ｏ5等の絶縁膜３を有する矩形
状のＳｉ基板（１００）に、図１（ａ）に示した熱依存
性検出素子４を、ホトリソグラフィ技術、成膜技術及び
エッチング技術によりパターン形成して成膜し、抵抗パ
ターン５を形成し、更に、異方性エッチングにより、基
板２に固着部２ａ、リード部２ｂ、検出部２ｃを形成す
る工程と同一工程で保護外框１３を作る。
に従って説明する。 （１）Ｓｉ基板に切離し溝を有する保護外框を設ける。
表面に、ＴｉＯ3，Ｔａ2Ｏ5等の絶縁膜３を有する矩形
状のＳｉ基板（１００）に、図１（ａ）に示した熱依存
性検出素子４を、ホトリソグラフィ技術、成膜技術及び
エッチング技術によりパターン形成して成膜し、抵抗パ
ターン５を形成し、更に、異方性エッチングにより、基
板２に固着部２ａ、リード部２ｂ、検出部２ｃを形成す
る工程と同一工程で保護外框１３を作る。
【００２７】保護外框１３は、矩形状の基板２の一辺側
の固着部２ａを除いた他の三辺の外周により構成された
Ｕ字状で、両端が基板２の固着部２ａに、切り離し溝１
２によって接続されている。切り離し溝１２は、（１１
１）面によるＶ字状で、図３の矢視Ａ−Ａ線において、
図４（ａ）−（１）に示す、表側のみの溝１２ａの場
合、図４（ａ）−（２）に示す、裏側のみの溝１２ｂ、
更に図４（ａ）−（３）に示す、表面両面からの溝１２
ａ，１２ｂの溝入れを行う場合がある。
の固着部２ａを除いた他の三辺の外周により構成された
Ｕ字状で、両端が基板２の固着部２ａに、切り離し溝１
２によって接続されている。切り離し溝１２は、（１１
１）面によるＶ字状で、図３の矢視Ａ−Ａ線において、
図４（ａ）−（１）に示す、表側のみの溝１２ａの場
合、図４（ａ）−（２）に示す、裏側のみの溝１２ｂ、
更に図４（ａ）−（３）に示す、表面両面からの溝１２
ａ，１２ｂの溝入れを行う場合がある。
【００２８】保護外框１３を設けるため、熱依存性検出
素子４、リード部２ｂとの間に空洞部１１を設ける。空
洞部１１は、基板２の表裏側から異方性エッチングによ
り形成するので熱依存性検出素子４の部分では、図４
（ｂ）に示すように絶縁膜３上に抵抗パターン５が形成
され保護膜８で覆われた部分だけが残る。
素子４、リード部２ｂとの間に空洞部１１を設ける。空
洞部１１は、基板２の表裏側から異方性エッチングによ
り形成するので熱依存性検出素子４の部分では、図４
（ｂ）に示すように絶縁膜３上に抵抗パターン５が形成
され保護膜８で覆われた部分だけが残る。
【００２９】図４（ｃ）に示す矢視Ｃ−Ｃ′線の空洞部
１１は、基板２の固着部２ａと保護外框１３を残すだけ
である。 （２）基板をフレームに固着する。図３に示す熱依存性
検出素子４、および切り離し溝１２で支持される保護外
框１３を有する基板２は、接着剤等により一端側の固着
部２ａ部分でフレーム１に固着する。 （３）保護外框を切り離す。保護外框１３は、熱依存性
検出素子４等の構造物が完成すると、保護の目的は完了
し、しかも熱容量が大きいため熱依存性検出素子４に熱
影響を及ぼすので、切り離し溝１２の部分から切り離
す。 （４）ワイヤボンディングを行う。フレーム１のリード
６と、基板２の熱依存性検出素子４のリードパターン５
ａとは、該リードパターン５ａのリードパッド５ｂにお
いてボンディングワイヤ７により接続される。なお、
（３）の保護外框を切り離す工程と、 （４）のワ
イヤボンディングを行う工程とを逆にしてもよい。 （５）パッケージ封止する。フレーム１に固着された熱
依存性検出素子４は、例えば、フレーム１を介してリー
ドワイヤ（図示せず）を有するパッケージベース（図示
せず）に固着されて前記リードワイヤと熱依存性検出素
子４とが接続されてから、パッケージでキャップ（図示
せず）により封止され熱依存性検出器が完成する。
１１は、基板２の固着部２ａと保護外框１３を残すだけ
である。 （２）基板をフレームに固着する。図３に示す熱依存性
検出素子４、および切り離し溝１２で支持される保護外
框１３を有する基板２は、接着剤等により一端側の固着
部２ａ部分でフレーム１に固着する。 （３）保護外框を切り離す。保護外框１３は、熱依存性
検出素子４等の構造物が完成すると、保護の目的は完了
し、しかも熱容量が大きいため熱依存性検出素子４に熱
影響を及ぼすので、切り離し溝１２の部分から切り離
す。 （４）ワイヤボンディングを行う。フレーム１のリード
６と、基板２の熱依存性検出素子４のリードパターン５
ａとは、該リードパターン５ａのリードパッド５ｂにお
いてボンディングワイヤ７により接続される。なお、
（３）の保護外框を切り離す工程と、 （４）のワ
イヤボンディングを行う工程とを逆にしてもよい。 （５）パッケージ封止する。フレーム１に固着された熱
依存性検出素子４は、例えば、フレーム１を介してリー
ドワイヤ（図示せず）を有するパッケージベース（図示
せず）に固着されて前記リードワイヤと熱依存性検出素
子４とが接続されてから、パッケージでキャップ（図示
せず）により封止され熱依存性検出器が完成する。
【００３０】以上の工程に示すように、基板２に熱依存
性検出素子４を半導体集積回路の微細加工技術により作
るとき、同時に、基板２に保護外框１３を設け、フレー
ム１に固着してから保護外框１３を切り離し溝１２より
切り離すので熱依存性検出素子を痛めることがなく歩留
りが向上する。
性検出素子４を半導体集積回路の微細加工技術により作
るとき、同時に、基板２に保護外框１３を設け、フレー
ム１に固着してから保護外框１３を切り離し溝１２より
切り離すので熱依存性検出素子を痛めることがなく歩留
りが向上する。
【００３１】上述のように、薄膜状の熱依存性検出素子
４を加工治工具等により、痛めないために熱依存性検出
素子４の周りに保護外框１３を設ける熱依存性検出器の
製造方法について述べたが、保護外框１３を設けず、熱
依存性検出素子４を保護することも可能である。
４を加工治工具等により、痛めないために熱依存性検出
素子４の周りに保護外框１３を設ける熱依存性検出器の
製造方法について述べたが、保護外框１３を設けず、熱
依存性検出素子４を保護することも可能である。
【００３２】〔実施例４〕（請求項４に対応） 図５は、熱依存性検出器の他の製造方法の工程を説明す
るための図であり、図５（ａ）は第１工程による基板の
平面図、図５（ｂ1）は切り離した熱依存性検出素子の
状態、図５（ｂ2）は図５（ｂ1）の矢視Ｂ1−Ｂ1線断面
図、図５（ｃ1）はフレームに接着した状態、図５
（ｃ2）は図５（ｃ1）の矢視Ｃ1−Ｃ1線断面図、図５
（ｄ1）は完成図を示す図、図５（ｄ2）は図５（ｄ1）
の矢視Ｄ1−Ｄ1線断面図であり、図中、１４は単一の基
板、１５は間隙部、１６は樹脂で、図１，３と同様の作
用をする部分には、図１，３の場合と同様の参照番号が
付してある。
るための図であり、図５（ａ）は第１工程による基板の
平面図、図５（ｂ1）は切り離した熱依存性検出素子の
状態、図５（ｂ2）は図５（ｂ1）の矢視Ｂ1−Ｂ1線断面
図、図５（ｃ1）はフレームに接着した状態、図５
（ｃ2）は図５（ｃ1）の矢視Ｃ1−Ｃ1線断面図、図５
（ｄ1）は完成図を示す図、図５（ｄ2）は図５（ｄ1）
の矢視Ｄ1−Ｄ1線断面図であり、図中、１４は単一の基
板、１５は間隙部、１６は樹脂で、図１，３と同様の作
用をする部分には、図１，３の場合と同様の参照番号が
付してある。
【００３３】次に、熱依存性検出器の他の製造方法を図
５に従って説明する。 （１）Ｓｉ等の単一の基板上に複数の熱依存性検出素子
を作成し（図５（ａ）に斜線にて示す）、各熱依存性検
出素子間に生じる間隙部１５に樹脂を埋める。図３に従
って説明したと同様に、熱依存性検出素子４をホトリソ
グラフィ技術，成膜技術およびエッチング技術によりパ
ターン形成して成膜し、複数の熱依存性検出素子４をＸ
方向，Ｙ方向に直線的に形成する(図５(ａ)の斜線
部）。このため、各々の薄膜状の熱検出素子４および隣
接する熱検出素子４間の間隙部（図５（ａ）の白抜き
部）１５が生ずる。この間隙部１５にアクリル等の樹脂
等の充填材を埋め込み、固化する（図５（ａ））。 （２）各々の熱依存性検出素子を切り離す。間隙部１５
内にアクリル等の樹脂１６が埋め込まれた単一の基板１
４は、ダイシング等により縦，横方向に線Ｘ1−Ｘ1，Ｘ
2−Ｘ2，…，Ｘn−Ｘn，Ｙ1−Ｙ1，Ｙ2−Ｙ2，Ｙ3−Ｙ3
に従って樹脂１６を有する個別の熱依存性検出素子４を
切り離す（図５（ｂ1）（ｂ2））。 （３）フレームに接着する。樹脂１６を固着した状態の
まま熱依存性検出素子４をリードバッド側でフレーム１
に接着材で固着する（図５（ｃ1）（ｃ2））。 （４）樹脂を溶かして取り除く。図５（ｃ）に示すフレ
ーム１に固着した熱依存性検出素子４を、フレーム１と
の接着材を溶解することなくアクリルの樹脂１６だけを
溶かす有機溶剤により、樹脂１６を溶かして取り除き
（図５（ｄ1）（ｄ2））、フレーム１に固着された熱依
存性検出素子４を得る。
５に従って説明する。 （１）Ｓｉ等の単一の基板上に複数の熱依存性検出素子
を作成し（図５（ａ）に斜線にて示す）、各熱依存性検
出素子間に生じる間隙部１５に樹脂を埋める。図３に従
って説明したと同様に、熱依存性検出素子４をホトリソ
グラフィ技術，成膜技術およびエッチング技術によりパ
ターン形成して成膜し、複数の熱依存性検出素子４をＸ
方向，Ｙ方向に直線的に形成する(図５(ａ)の斜線
部）。このため、各々の薄膜状の熱検出素子４および隣
接する熱検出素子４間の間隙部（図５（ａ）の白抜き
部）１５が生ずる。この間隙部１５にアクリル等の樹脂
等の充填材を埋め込み、固化する（図５（ａ））。 （２）各々の熱依存性検出素子を切り離す。間隙部１５
内にアクリル等の樹脂１６が埋め込まれた単一の基板１
４は、ダイシング等により縦，横方向に線Ｘ1−Ｘ1，Ｘ
2−Ｘ2，…，Ｘn−Ｘn，Ｙ1−Ｙ1，Ｙ2−Ｙ2，Ｙ3−Ｙ3
に従って樹脂１６を有する個別の熱依存性検出素子４を
切り離す（図５（ｂ1）（ｂ2））。 （３）フレームに接着する。樹脂１６を固着した状態の
まま熱依存性検出素子４をリードバッド側でフレーム１
に接着材で固着する（図５（ｃ1）（ｃ2））。 （４）樹脂を溶かして取り除く。図５（ｃ）に示すフレ
ーム１に固着した熱依存性検出素子４を、フレーム１と
の接着材を溶解することなくアクリルの樹脂１６だけを
溶かす有機溶剤により、樹脂１６を溶かして取り除き
（図５（ｄ1）（ｄ2））、フレーム１に固着された熱依
存性検出素子４を得る。
【００３４】この製造方法によると、間隙部１５内に樹
脂１６を埋め込み固着してから樹脂１６部分とともに、
各々の熱依存性検出素子４を切り離すので、切削時間が
短縮され、外力を加えることなく樹脂を溶かすので、熱
依存性検出素子４は保護外框１３を設けた場合と同様の
保護がなされ、しかも、ローコストに製造することがで
きる。
脂１６を埋め込み固着してから樹脂１６部分とともに、
各々の熱依存性検出素子４を切り離すので、切削時間が
短縮され、外力を加えることなく樹脂を溶かすので、熱
依存性検出素子４は保護外框１３を設けた場合と同様の
保護がなされ、しかも、ローコストに製造することがで
きる。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によると、以下のような効果がある。 （１）請求項１に対応する効果：熱依存性検出素子を熱
容量の大きいフレームに固着支持される基板の一端側か
ら遠い位置の自由端側に設け、しかも熱依存性検出素子
の部分の基板を取り除き絶縁膜のみとしたので熱容量は
小さく環境温度に従った被測定対象の物理量を応答よく
検知することができる。 （２）請求項２に対応する効果：請求項１と同様の効果
を有し、しかも、フレームを省き、熱依存性検出素子を
直接リードに絶縁固着したので、ローコストの熱依存性
検出器が得られる。 （３）請求項３に対応する効果：熱依存性検出素子と、
該熱依存性検出素子を保護するための切り離し溝を有す
る保護外框を、同時に加工し、加工完了後、フレームに
固着してから保護外框を切り離すので熱依存性検出素子
を痛めることがなく歩留りが向上する。 （４）請求項４に対応する効果：請求項３と同様の効果
を有し、複数の熱依存性検出素子が設けられ、基板の各
々の熱依存性検出素子の間の隙間部に樹脂を埋め込み固
化してから個々の熱依存性検出素子を樹脂部を含んで切
り離すので、切削工数が短かくでき、ローコストの熱依
存性検出器が得られる。
によると、以下のような効果がある。 （１）請求項１に対応する効果：熱依存性検出素子を熱
容量の大きいフレームに固着支持される基板の一端側か
ら遠い位置の自由端側に設け、しかも熱依存性検出素子
の部分の基板を取り除き絶縁膜のみとしたので熱容量は
小さく環境温度に従った被測定対象の物理量を応答よく
検知することができる。 （２）請求項２に対応する効果：請求項１と同様の効果
を有し、しかも、フレームを省き、熱依存性検出素子を
直接リードに絶縁固着したので、ローコストの熱依存性
検出器が得られる。 （３）請求項３に対応する効果：熱依存性検出素子と、
該熱依存性検出素子を保護するための切り離し溝を有す
る保護外框を、同時に加工し、加工完了後、フレームに
固着してから保護外框を切り離すので熱依存性検出素子
を痛めることがなく歩留りが向上する。 （４）請求項４に対応する効果：請求項３と同様の効果
を有し、複数の熱依存性検出素子が設けられ、基板の各
々の熱依存性検出素子の間の隙間部に樹脂を埋め込み固
化してから個々の熱依存性検出素子を樹脂部を含んで切
り離すので、切削工数が短かくでき、ローコストの熱依
存性検出器が得られる。
【図１】 本発明による熱依存性検出器の要部構造の一
例を説明するための図である。
例を説明するための図である。
【図２】 熱依存性検出素子をリードに直接固着支持さ
れた例を説明するための図である。
れた例を説明するための図である。
【図３】 本発明による熱依存性検出器の製造方法を説
明するための平面図である。
明するための平面図である。
【図４】 図３の各部断面の形状を説明するための図で
ある。
ある。
【図５】 熱依存性検出器の他の製造方法の工程を説明
するための図である。
するための図である。
【図６】 従来の検出器の一例を説明するための構成図
である。
である。
【図７】 従来の検出装置の他の例を説明するための要
部構成図である。
部構成図である。
１…フレーム、２…基板、３…絶縁膜、４…熱依存性検
出素子、５…抵抗体パターン、６…リード、７…ボンデ
ングワイヤ、８…保護膜、９…絶縁層、１０…接着材、
１１…空洞部、１２…切り離し溝、１３…保護外框、１
４…単一の基板、１５…間隙部、１６…樹脂。
出素子、５…抵抗体パターン、６…リード、７…ボンデ
ングワイヤ、８…保護膜、９…絶縁層、１０…接着材、
１１…空洞部、１２…切り離し溝、１３…保護外框、１
４…単一の基板、１５…間隙部、１６…樹脂。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｐ 5/10 Ｈ 15/12
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に絶縁膜を有する基板と、該基板を
一端側で固着支持するフレームと、前記絶縁膜上に設け
られた被測定対象の物理量を検出するための熱依存性検
出素子を有し、該熱依存性検出素子は、前記フレームに
固着された前記基板の自由端側に設けられ、該熱依存性
検出素子が設けられた部分には前記基板を有しないよう
にしたことを特徴とする熱依存性検出器。 - 【請求項２】 表面に絶縁膜を有する基板と、前記絶縁
膜上に設けられた被測定対象の物理量を検出するための
熱依存性検出素子と、該熱依存性検出素子に接続され、
前記基板が一端側で絶縁固着支持されるリードを有し、
前記熱依存性検出素子が設けられた部分には前記基板を
有しないようにしたことを特徴とする熱依存性検出器。 - 【請求項３】 前記熱依存性検出素子の形成時に、前記
フレームに固着される前記基板の固着側から、前記自由
端側に、切り離し溝により支持され、前記熱依存性検出
素子を保護するための保護外框を設け、前記フレームに
前記熱依存性検出素子を固着した後に、該保護外框を切
り離すようにすることを特徴とする請求項１又は２に記
載の熱依存性検出素子を製造する方法。 - 【請求項４】 表面に絶縁膜を有する基板上に、複数の
前記熱依存性検出素子を直線的に形成し、形成された複
数の熱依存性検出素子間に生じる間隙を充填材で埋めて
固化後、個々の前記熱依存性検出素子を切り離して前記
フレーム又はリードに絶縁固着して、前記充填材を除去
することを特徴とする請求項１又は２に記載の熱依存性
検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26931994A JP3387659B2 (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 熱依存性検出器および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26931994A JP3387659B2 (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 熱依存性検出器および製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08128982A true JPH08128982A (ja) | 1996-05-21 |
| JP3387659B2 JP3387659B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=17470701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26931994A Expired - Fee Related JP3387659B2 (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 熱依存性検出器および製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3387659B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011118374A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | 日本電気株式会社 | 熱型センサ及びプラットフォーム |
| JP2014178137A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Mitsubishi Materials Corp | 湿度センサ |
-
1994
- 1994-11-02 JP JP26931994A patent/JP3387659B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011118374A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | 日本電気株式会社 | 熱型センサ及びプラットフォーム |
| JP5783167B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2015-09-24 | 日本電気株式会社 | 熱型センサ及びプラットフォーム |
| US9228968B2 (en) | 2010-03-25 | 2016-01-05 | Nec Corporation | Thermal sensor and platform |
| JP2014178137A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Mitsubishi Materials Corp | 湿度センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3387659B2 (ja) | 2003-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7603898B2 (en) | MEMS structure for flow sensor | |
| KR100825998B1 (ko) | 유입 에어 스트림의 속도 및 각도 방향을 측정하기 위한마이크로센서 | |
| US6182509B1 (en) | Accelerometer without proof mass | |
| JPH03502966A (ja) | シリコンを基にした質量空気流センサーとその製造方法 | |
| US4733559A (en) | Thermal fluid flow sensing method and apparatus for sensing flow over a wide range of flow rates | |
| JPH0781892B2 (ja) | 半導体集積回路、その製造方法、および流速計を提供するためのそのような回路の使用 | |
| US6589433B2 (en) | Accelerometer without proof mass | |
| WO1997049998A1 (en) | Accelerometer without proof mass | |
| US5201221A (en) | Flow sensor and method of manufacture | |
| US4930347A (en) | Solid state microanemometer with improved sensitivity and response time | |
| JP5051039B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JP3387659B2 (ja) | 熱依存性検出器および製造方法 | |
| JP3386250B2 (ja) | 熱依存性検出装置 | |
| JP3420847B2 (ja) | 熱依存性検出装置及びその製造方法 | |
| JP3402525B2 (ja) | 熱依存性検出装置 | |
| JP3358684B2 (ja) | 熱依存性検出装置 | |
| JP3346118B2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
| US5958606A (en) | Substrate structure with adhesive anchoring-seams for securely attaching and boding to a thin film supported thereon | |
| CN111707844B (zh) | 一种风速传感器及其制备方法 | |
| JP3115669B2 (ja) | センサ | |
| JPH0196549A (ja) | センサ素子 | |
| JPH08122162A (ja) | 熱依存性検出装置 | |
| JPH06163938A (ja) | 半導体振動・加速度検出装置 | |
| JPH0584867B2 (ja) | ||
| JPS6385363A (ja) | 流速検知素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080110 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100110 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120110 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120110 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130110 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |