JP3420847B2 - 熱依存性検出装置及びその製造方法 - Google Patents

熱依存性検出装置及びその製造方法

Info

Publication number
JP3420847B2
JP3420847B2 JP25859194A JP25859194A JP3420847B2 JP 3420847 B2 JP3420847 B2 JP 3420847B2 JP 25859194 A JP25859194 A JP 25859194A JP 25859194 A JP25859194 A JP 25859194A JP 3420847 B2 JP3420847 B2 JP 3420847B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
cavity
temperature
detection chip
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP25859194A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08122161A (ja
Inventor
順二 間中
重樹 高野
一寿 永井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Elemex Corp
Original Assignee
Ricoh Elemex Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Elemex Corp filed Critical Ricoh Elemex Corp
Priority to JP25859194A priority Critical patent/JP3420847B2/ja
Publication of JPH08122161A publication Critical patent/JPH08122161A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3420847B2 publication Critical patent/JP3420847B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱依存性検出装置及び
その製造方法、より詳細には、温度,湿度,ガス,赤外
線,圧力,真空度,加速度,流量・流速等,測定値が熱
(温度)に依存する被測定対象の物理量を測定する装置
及びその装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図12は、従来の検出装置の一例を説明
するための構成図で、図12(a)は平面図、図12
(b)は図12(a)のB−B線断面図を示し、図中、
1は、例えば、Si基板、2は該Si基板1に設けられ
た空洞で、周知のように、該空洞2の上部には、例え
ば、SiO2,Ta25等のような絶縁膜3からなるブ
リッジが架けられ、該ブリッジの上には、例えば、P
t,NiCr等からなる抵抗体パターン4が配設され、
更に、該抵抗体パターン4の上には、SiO1,Ta2
5等からなる保護膜5が設けられ、これら1乃至5によ
って、検出チップ10を形成している。6はボンデング
ワイヤで、該ボンデングワイヤ6を通して前記抵抗体パ
ターン4に電流が流され、該抵抗体パターン4は、その
発熱部もしくは感温(熱)部Aが加熱される。
【0003】上述のごとき検出器を用いて、例えば、湿
度を測定する場合を例に説明すると、抵抗4の抵抗値が
周囲の温度及び湿度に依存するため、例えば、最初に湿
度感度が0になるような微少電流を流して周囲温度に関
する抵抗値を測定し、次いで、湿度感度を有する電流を
流して周囲温度及び湿度に関する抵抗値を測定し、次い
で、この温度及び湿度に関する測定値から前記温度に関
する測定値を差し引いて、周囲の湿度を測定するように
している。
【0004】上述のごとき検出装置は、半導体及び集積
回路の微細加工技術を用いて、基板1と空間を隔てて
(基板1に空洞2を設けて基板1との熱伝導を避けて)
発熱又は感温部Aを形成しているが、チップは半導体製
造技術の通常の程度からして、そのサイズは厚さ0.1
〜2mm、広さ0.5×0.5mm〜10×10mmである。こ
の寸法内に上述の空洞2を設けると、発熱部又は感温部
Aと空洞壁2bの距離が、特に、空洞底部2aに対して
50〜300μmと接近してしまい、大きな間隔をとれ
ない。この距離が近いと、発熱部Aよりはるかに熱容量
の大きい基板1の温度状態により発熱部が影響を受けて
しまい、せっかくの空洞部による熱絶縁の効果がなくな
ってしまう。すなわち、基板1からの熱輻射および空洞
2内の雰囲気の熱伝導が距離が近いために、このような
熱絶縁の効果がなくなってしまうという欠点を生ずる。
【0005】図13は、従来の検出装置の他の例を説明
するための要部構成図で、図中、1は基板、2は空洞、
3は絶縁膜で、該絶縁膜によって空洞2の上にブリッジ
を形成している。4は発熱又は感温材料、4aは該発熱
又は感温材料4に対するリードパターン、6はボンデン
グワイヤ、7はリードピン、8はパッケージベース、9
はパッケージキャップで、基板1乃至感温材料4よりな
る検出チップ10は、図12の場合と同様にして、周囲
の温度,湿度,その他の物理量を測定する。
【0006】上述のごとき検出装置において、基板上の
感温材料4が受ける熱の影響として、周辺基板1からの
熱輻射(a1)、外部パッケージ9からの熱輻射
(a2)、ブリッジのサスペンションからの熱伝導
(b1)、パッケージベース8からの熱伝導(b2)、周
辺の対流(b3)の熱伝導等がある。この感温材料4の
周囲温度の変化に対する応答時間は、周囲温度が80℃
である状態を20℃にした場合、感温材料が20℃にな
るまでに約20minを要する。感温材料4は、基板1の
空洞部2を介しているため、パッケージ8,9や基板1
と接触しておらず、しかも、微小熱容量であることもあ
り、もっと急速に周囲雰囲気の温度になじんでも良いも
のと考えられるが、実際は、上述のように多大な時間を
要してしまう。因に、パッケージベースの応答時間も約
20minである。従って、感温材料は空洞部が有っても
無くても応答時間は短くならない。
【0007】上述のごとき検出装置においては、発熱又
は感温部の材料及びその配置をアレンジすることによ
り、例えば、温度,湿度,ガス,赤外線,圧力,真空
度,加速度,流量・流速等を被測定対象の物理現象とし
て、以下の1〜7の原理、すなわち、 1.電気抵抗体の抵抗値変化として、 2.雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の電
気抵抗値が変化するものとして、 3.雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の静
電容量が変化するものとして、 4.雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の重
量変化を共振周波数変化として、 5.雰囲気を脱吸着させる感応膜を有し、該感応膜の化
学反応により反応熱を生じ、この熱を別の抵抗体の抵抗
値変化として、 6.温度変化を熱電対膜の出力電圧変化として、 7.たわみ量をピエゾ抵抗効果の出力電圧変化として、
利用することにより測定される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】前記1乃至7の測定原
理を用いて被測定対象の物理量を測定する場合、その測
定値は、温度により影響を受けるものであるから、被測
定対象の温度が正確に分っていないと、意味のない測定
結果になってしまう。例えば、気体の圧力をピエゾ抵抗
によって検出する際に、その気体の温度が分っていない
と、正確な圧力は分らない。気体の温度とピエゾ抵抗の
温度(ピエゾ抵抗に温度依存性がある)が、ある知られ
た関係にあれば良いが、そうでない場合には、温度補償
なる手段により解決しようとする。しかし、温度平衡に
なるまでピエゾ抵抗を気体中に放置すれば別であるが、
実際には、気体の温度変動とピエゾ抵抗の温度変動がピ
エゾ抵抗の多大なる熱容量が原因で追従できない。その
結果、温度補償が不完全になってしまう。
【0009】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなさ
れたもので、特に、空洞部を有し、該空洞部の上に発熱
又は感温材料を有する検出装置において、前記発熱又は
感温材料に対する周囲温度の影響をできるだけなくし、
もって、発熱,感温材料の応答特性を改善することを目
的としてなされたものである。
【0010】本発明は、上記課題を解決するために、
(1)空洞を有する基板と、該基板の表面に前記空洞を
覆うように形成された絶縁膜と、該絶縁膜上でかつ前記
空洞の上部に配設された発熱及び/又は感温部材を有す
るチップ部材と、前記基板の裏面に前記空洞を覆うよう
に固着したベースプレートから成り、前記空洞を真空と
したこと、(2)第1の空洞を有する基板と、該基板の
表面に前記空洞を覆うように形成された絶縁膜と、該絶
縁膜上でかつ前記第1空洞の上部に設けられた発熱及び
/又は感温部材とを有し、該発熱及び/又は感温部材の
抵抗値より被測定対象の物理量を検出する熱依存性検出
装置において、前記基板の裏面に第2の空洞を有するこ
と、更には、(3)前記(2)において、前記第2の空
洞の壁面に熱線反射膜を有すること、更には、(4)前
記(2)又は(3)において、前記第2の空洞の側壁の
一部が切り欠かれ、該切り欠かれ部とベースプレートと
の間に隙間を有すること、更には、(5)空洞を有する
基板と、該基板の表面に前記空洞を覆うように形成され
た絶縁膜と、該絶縁膜上でかつ前記空洞の上部に設けら
れた発熱及び/又は感温部材とから成り、該発熱及び/
又は感温部材の抵抗値より被測定対象の物理量を検出す
る熱依存性検出チップを有し、該検出チップを前記発熱
及び/又は感温部材に電力を供給するボンデングワイヤ
にてリードピンに吊り下げるようにするとともに、前記
検出チップの底面及びベースプレートの上面に永久磁石
を有し、これら磁石の反発力にて、前記検出チップをベ
ースプレートの上部に浮上させていること、更には、
(6)前記(5)において、前記ベースプレートから前
記検出チップに延長するガイドピンを有し、該ガイドピ
ンによって前記検出チップの水平方向の位置ズレを補正
するようにしたこと、更には、(7)空洞を有する基板
と、該基板の表面に前記空洞を覆うように形成された絶
縁膜と、該絶縁膜上でかつ前記空洞の上部に設けられた
発熱及び/又は感温部材とから成り、該発熱及び/又は
感温部材の抵抗値より被測定対象の物理量を検出する熱
依存性検出チップを有し、該検出チップを前記発熱及び
/又は感温部材に電力を供給するボンデングワイヤにて
リードピンに吊り下げた熱依存性検出装置において、前
記検出チップの底面、及び、該検出チップを収容するパ
ッケージキャップに永久磁石を取り付け、両永久磁石の
吸引力を利用して前記検出チップをベースプレートの上
部に浮上させるようにしたこと、更には、(8)空洞を
有する基板と、該基板の表面に前記空洞を覆うように形
成された絶縁膜と、該絶縁膜上でかつ前記空洞の上部に
設けられた発熱及び/又は感温部材とから成り、該発熱
及び/又は感温部材の抵抗値より被測定対象の物理量を
検出する熱依存性検出チップと、該検出チップの前記発
熱及び/又は感温部材に電力を供給するボンデングワイ
ヤと、該検出チップをベースプレートの上部に吊り下げ
るためのリードピンとを有し、該検出チップを前記ベー
スプレート上に浮上させるようにした熱依存性検出装置
の製造方法において、前記検出チップを前記ベースプレ
ート上に選択的に溶かし去ることのできる材料で接着
し、次いで、該材料を溶かして取り去ることにより、前
記検出チップを前記ボンデングワイヤにて前記リードピ
ンに吊り下げるようにしたことを特徴としたものであ
る。
【0011】
【作用】基板の空洞上部に発熱及び/又は感温材料を有
する検出装置において、前記基板を取り付けているパッ
ケージプレート(ベースプレート)から前記発熱及び/
又は感温材料に至る熱輻射をできるだけ小さくして、或
いは、前記ベースプレートから前記発熱及び/又は感温
材料に至る熱伝導をできるだけ小さくし、もって、前記
発熱及び/又は感温材料の応答特性を改善する。
【0012】
【実施例】図1は、本発明の一実施例(請求項1)を説
明するための要部断面構成図で、図中、1は基板、2は
該基板1に形成された空洞、3は該空洞2の上を覆うダ
イヤフラム状絶縁膜、4は発熱及び/又は感温材料、5
は保護膜(なお、全図を通して同様の作用をする部分に
は同一の参照番号が付してある)で、これらにより検出
チップ10を形成し、図12,13に示した従来技術と
同様にして、例えば、周囲の雰囲気を測定する。例え
ば、発熱又は感温材料4が抵抗体であるとすれば、この
抵抗体の抵抗値を測定することにより周囲の温度を測定
し、或いは、例えば、イオン性解離基を有する高分子材
料であるとすれば、この高分子材料の抵抗値を測定し、
その測定値より周囲の湿度を測定することができる。
【0013】而して、本発明は、基板1の表面に絶縁膜
3を形成した後、基板1を裏面からエッチングして空洞
2を形成することにより、空洞2の上部にダイヤフラム
状の膜3を形成し、この空洞2内を真空にして、接着剤
11によりベースプレート8に取り付けるようにしてい
る。そのため、ベースプレート8からの熱は、この真空
空洞2により遮断され、発熱及び/又は感温部4への熱
影響は少なくなる。
【0014】図2は、本発明の他の実施例(請求項2,
3)を説明するための要部断面図で、この実施例におい
ては、基板1は2つの空洞2,2′を該基板1の表面と
裏面に対向して有し、表面側の空洞2の上部には、図1
2,図13に示した従来技術と同様、絶縁膜3より成る
ブリッジが形成され、このブリッジの上に発熱及び/又
は感温部材4が形成されている。而して、この実施例に
おいては、基板1の裏面に空洞2′を有しているため、
チップ10をベースプレート8に取り付ける際に、該基
板1の裏面とベースプレート8との接触面積が少なくな
り(空洞2′の面積分だけ少なくなる)、ベースプレー
ト8から発熱及び/又は感温部材4への熱伝導を少なく
することができ、該発熱及び/又は感温部材に対する熱
の影響を少なくすることができる。また、12は第2の
空洞2′の壁面に配設された熱線反射膜で、例えば、A
uのような熱線反射膜12を蒸着やスパッタリングによ
り成膜すると、ベースプレート8からの輻射熱が該反射
膜12によって遮られ、発熱及び/又は感温部材4に対
する熱影響を小さくすることができる。
【0015】図3は、本発明の他の実施例(請求項2,
4)を説明するための図で、図3(a),(b),(c)
共に、図2に示した検出チップ10(基板1)の裏面を
示し、図中の斜線部1aがベースプレート8と接触する
部分(接着剤11によって接着される部分)である。而
して、図3(a)は、第2の空洞2′の周辺部全てをベ
ースプレート8に接着させるようにした(空洞2′部の
み接触させないようにした)ものであり、勿論、この構
成によっても、ベースプレート8から発熱及び/又は感
温部材4への熱の伝達を遮る効果はあるが、この接触面
積を小さくすると、更にベースプレート8から発熱及び
/又は感温部材4への熱影響を小さくすることができ
る。図3(b),図3(c)は、この接触面積を小さく
したもので、図3(b)に示した例は、空洞2′の2方
の壁面をエッチング等により除去してベースプレート8
との接触面をなくし、ベースプレートとの間に隙間を設
けることにより通気性をよくし、もって、一段と周囲温
度になじみやすくしたものである。また、図3(c)
は、空洞2′の4方の接触面をなくし、4隅で接着する
ようにし、もって、更に、通気性をよくしたものであ
る。さらに、前述の接着剤11として、熱伝導率の小さ
い有機系や発砲性の断熱効果の高いものを選べは、より
熱遮弊効果を高めることができる。
【0016】図4は、本発明の他の実施例を説明するた
めの要部断面図で、この実施例は、図2に示した2つの
空洞2と2′を連通させ、もって、基板1自身の熱容量
を減少させ、さらには、通気性を向上させて発熱及び/
又は感温部材4に対するベースプレート8からの熱影響
を更に小さくさせたものである。
【0017】図5は、検出チップの製造例を説明するた
めの図で、図5(a)に製造過程の図、図5(b)に完
成後の図を示す。図で、図5(b)に示すように、検出
チップ10をボンデングワイヤ6で吊り、パッケージベ
ース(ベースプレート)8から浮上させ、ボンデングワ
イヤ6のみの必要最小限の熱伝導としている。このよう
にすると、他からの接触がないため、熱の影響が少な
い。検出チップ10をボンデングワイヤ6で吊るには、
図5(a)に示すように、まず、検出チップ10をアク
リル樹脂のブロック13を介して接着剤11によりパッ
ケージベース(ベースプレート)8に接着し、次いで、
アクリル樹脂13を有機溶剤で溶かして取り去り、図5
(b)に示した状態とする。
【0018】ボンディングワイヤー6は微細であるた
め、熱伝導は小さいが、その反面、構造強度が低下する
ことが考えられる。しかし、検出チップ10は微小であ
るため、質量が小さく、日常の使用条件下の振動におい
ては充分耐えうる。しかし、より大きな強度が必要であ
れば、必要量に応じてワイヤーの数を増やせば良い。な
お、上記の例では、アクリル樹脂ブロック13を用いた
が、チップ,ワイヤー,パッケージ等に影響がないもの
であれば、アクリル樹脂に限定されることなく、選択的
に溶かし去る材料,溶剤を用いることができる。
【0019】図6は、本発明の他の実施例(請求項
を説明するための図で、この実施例は、検出チップ10
を上述のようにして浮上させるのに、永久磁石の反発力
を利用したもので、図示のように、検出チップ10の底
面(裏面)とパッケージケース(ベースプレート)8の
上面に、互いに反発する極性を向い合せた磁石片15,
16を接着し、これら磁石片15,16の反発力により
検出チップを浮上させるようにしたものである。このよ
うにすると、ボンデングワイヤー6として、強度の低い
細径のものを使用することができ、好都合である。
【0020】図7,8,9は、それぞれ本発明の他の実
施例(請求項)を説明するための図で、この実施例
は、図6に示した磁気浮上式の検出装置において、磁力
線や検出チップの重心位置の関係から、バランスが微妙
であるので、ガイドピン17を設置して左右の位置ズレ
を補正するようにしたものである。而して、図7に示し
た実施例は、ガイドピン17が検出チップ10を貫通し
て該チップ10の表面まで突き出て延長している場合の
例、図8に示した実施例は、ガイドピン17が検出チッ
プ10の基板1を貫通して空洞2内まで延長している場
合の例、図9に示した実施例は、検出チップ10として
は、従来のものをそのまま使用し、該検出チップ10の
裏面に取り付けられた永久磁石15に穴をあけ、この穴
にガイドピン17を通すようにした例を示す。なお、図
7(b)は、図7(a)の平面図を拡大してガイドピン
17が検出チップ10の表面まで延長していることを示
す図である。
【0021】図10は、上述の磁気浮上実装のプロセス
を示す図で、 1.互いに反発する極性を向い合せた磁石片15,16
を接着剤11で仮止めし(図10(a))、 2.この磁石片セットを介して検出チップ10をベース
プレート8にダイボンド,ワイヤーボンドし(図10
(b))、 3.仮止め部の接着剤11のみを溶かすことによって実
現できる。
【0022】図11は、本発明の他の実施例(請求項
)を説明するための図で、この実施例は永久磁石の反
発力を力用して検出チップ10を浮上させるようにした
ものである。図11(a)は、検出チップ10に永久磁
石15を取り付ける状態を示し、図示のように、検出チ
ップ10の底面に取り付けられた永久磁石15を接着剤
11にてベースプレート8に仮止めし、ワイヤ6をボン
デングした後に、接着剤11を溶かし去る。その後、図
11(b)に示すように、永久磁石16を永久磁石15
と互いに吸引する極性に取り付けたパッケージキャップ
9をセットすると、検出キャップ10は、永久磁石15
が永久磁石16に吸引されることにより、図11(b)
に示すように、ベースプレート8より浮上する。
【0023】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によると、ベースプレートから発熱及び/又は感温部材
への熱の輻射を遮り、或いは、ベースプレートから発熱
及び/又は感温部材への熱伝導を小さくするようにした
ので、ベースプレートの熱が発熱及び/又は感温部材に
影響せず、迅速に、かつ、正確に被測定物理量を検出す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による熱依存性検出装置の一実施例
(請求項1)を説明するための要部断面図である。
【図2】 本発明による熱依存性検出装置の他の実施例
(請求項2,3)を説明するための要部断面図である。
【図3】 本発明の他の実施例(請求項2,4)を説明
するための図で、図2に示した検出チップ10の裏面図
である。
【図4】 本発明の他の実施例を説明するための要部断
面図である。
【図5】 検出チップの製造例を説明するための図であ
る。
【図6】 本発明の他の実施例(請求項)を説明する
ための図である。
【図7】 本発明の他の実施例(請求項)を説明する
ための図である。
【図8】 本発明の他の実施例(請求項)を説明する
ための図である。
【図9】 本発明の他の実施例(請求項)を説明する
ための図である。
【図10】 図6に示した永久磁石の取り付け方法を説
明するための図である。
【図11】 本発明の他の実施例(請求項)を説明す
るための図である。
【図12】 従来の検出装置の一例を説明するための平
面図及び断面図である。
【図13】 従来の検出装置の他の例を説明するための
要部構成図である。
【符号の説明】
1…基板、2,2′…空洞、3…ブリッジ、4…発熱又
は感温部材、4a…リードパターン、5…保護膜、6…
ボンデングワイヤ、7…リードワイヤ、8…パッケージ
ケース(ベースプレート)、9…パッケージキャップ、
10…検出チップ、11…接着剤、12…熱線反射膜、
13…アクリル樹脂、15,16…永久磁石。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI // H01L 31/02 H01L 31/02 B (56)参考文献 特開 平6−213707(JP,A) 特開 平4−1535(JP,A) 特開 平5−157622(JP,A) 特開 平3−221820(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01F G01J G01K G01N

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 空洞を有する基板と、該基板の表面に前
    記空洞を覆うように形成された絶縁膜と、該絶縁膜上で
    かつ前記空洞の上部に配設された発熱及び/又は感温部
    材を有するチップ部材と、前記基板の裏面に前記空洞を
    覆うように固着したベースプレートから成り、前記空洞
    を真空としたことを特徴とする熱依存性検出装置。
  2. 【請求項2】 第1の空洞を有する基板と、該基板の表
    面に前記空洞を覆うように形成された絶縁膜と、該絶縁
    膜上でかつ前記第1空洞の上部に設けられた発熱及び/
    又は感温部材とを有し、該発熱及び/又は感温部材の抵
    抗値より被測定対象の物理量を検出する熱依存性検出装
    置において、前記基板の裏面に第2の空洞を有すること
    を特徴とする熱依存性検出装置。
  3. 【請求項3】 前記第2の空洞の壁面に熱線反射膜を有
    することを特徴とする請求項2に記載の熱依存性検出装
    置。
  4. 【請求項4】 前記第2の空洞の側壁の一部が切り欠か
    れ、該切り欠かれ部とベースプレートとの間に隙間を有
    することを特徴とする請求項2又は3に記載の熱依存性
    検出装置。
  5. 【請求項5】 空洞を有する基板と、該基板の表面に前
    記空洞を覆うように形成された絶縁膜と、該絶縁膜上で
    かつ前記空洞の上部に設けられた発熱及び/又は感温部
    材とから成り、該発熱及び/又は感温部材の抵抗値より
    被測定対象の物理量を検出する熱依存性検出チップを有
    し、該検出チップを前記発熱及び/又は感温部材に電力
    を供給するボンデングワイヤにてリードピンに吊り下げ
    た熱依存性検出装置において、前記検出チップの底面及
    びベースプレートの上面に永久磁石を有し、これら磁石
    の反発力にて、前記検出チップをベースプレートの上部
    に浮上させていることを特徴とする熱依存性検出装置。
  6. 【請求項6】 前記ベースプレートから前記検出チップ
    を貫通して延長するガイドピンを有し、該ガイドピンに
    よって前記検出チップの水平方向の位置ズレを補正する
    ようにしたことを特徴とする請求項5に記載の熱依存性
    検出装置。
  7. 【請求項7】 空洞を有する基板と、該基板の表面に前
    記空洞を覆うように形成された絶縁膜と、該絶縁膜上で
    かつ前記空洞の上部に設けられた発熱及び/又は感温部
    材とから成り、該発熱及び/又は感温部材の抵抗値より
    被測定対象の物理量を検出する熱依存性検出チップを有
    し、該検出チップを前記発熱及び/又は感温部材に電力
    を供給するボンデングワイヤにてリードピンに吊り下げ
    た熱依存性検出装置において、前記検出チップの底面、
    及び、該検出チップを収容するパッケージキャップに永
    久磁石を取り付け、両永久磁石の吸引力を利用して前記
    検出チップをベースプレートの上部に浮上させるように
    したことを特徴とする熱依存性検出装置。
  8. 【請求項8】 空洞を有する基板と、該基板の表面に前
    記空洞を覆うように形成された絶縁膜と、該絶縁膜上で
    かつ前記空洞の上部に設けられた発熱及び/又は感温部
    材とから成り、該発熱及び/又は感温部材の抵抗値より
    被測定対象の物理量を検出する熱依存性検出チップと、
    該検出チップの前記発熱及び/又は感温部材に電力を供
    給するボンデングワイヤと、該検出チップをベースプレ
    ートの上部に吊り下げるためのリードピンとを有し、該
    検出チップを前記リードプレート上に浮上させるように
    した熱依存性検出装置の製造方法において、前記検出チ
    ップを前記ベースプレート上に選択的に溶かし去ること
    のできる材料で接着し、次いで、該材料を溶かして取り
    去ることにより、前記検出チップを前記ボンデングワイ
    ヤにて前記リードピンに吊り下げるようにしたことを特
    徴とする熱依存性検出装置の製造方法。
JP25859194A 1994-10-24 1994-10-24 熱依存性検出装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3420847B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25859194A JP3420847B2 (ja) 1994-10-24 1994-10-24 熱依存性検出装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25859194A JP3420847B2 (ja) 1994-10-24 1994-10-24 熱依存性検出装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08122161A JPH08122161A (ja) 1996-05-17
JP3420847B2 true JP3420847B2 (ja) 2003-06-30

Family

ID=17322393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25859194A Expired - Fee Related JP3420847B2 (ja) 1994-10-24 1994-10-24 熱依存性検出装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3420847B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004301744A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Denso Corp 赤外線センサ
JPWO2006132155A1 (ja) * 2005-06-06 2009-01-08 松下電器産業株式会社 電子デバイス及びその製造方法
JP4650246B2 (ja) * 2005-12-06 2011-03-16 株式会社デンソー 湿度センサ
US7785482B2 (en) * 2005-12-07 2010-08-31 General Electric Company Method of making an ignition device
JP5453179B2 (ja) * 2010-06-18 2014-03-26 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08122161A (ja) 1996-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4888988A (en) Silicon based mass airflow sensor and its fabrication method
CN101057148B (zh) 加速度传感器装置
JPH0781892B2 (ja) 半導体集積回路、その製造方法、および流速計を提供するためのそのような回路の使用
JPH0810231B2 (ja) フローセンサ
JPH05273053A (ja) 温度センサおよび該温度センサの製造方法
JP2002519687A (ja) 半導体マイクロアネモメータ
US5201221A (en) Flow sensor and method of manufacture
US20190144267A1 (en) Electronic sensors with sensor die in package structure cavity
JP3420847B2 (ja) 熱依存性検出装置及びその製造方法
US4930347A (en) Solid state microanemometer with improved sensitivity and response time
JP3386250B2 (ja) 熱依存性検出装置
JPH01203957A (ja) 温度感応性半導体デバイスを備えるセンサ装置に対する吊り構造
JP3210530B2 (ja) サーミスタ流速センサー
JP3402525B2 (ja) 熱依存性検出装置
JP3358684B2 (ja) 熱依存性検出装置
JPS61240135A (ja) 真空計
JP3387659B2 (ja) 熱依存性検出器および製造方法
JP3115669B2 (ja) センサ
JPH0688802A (ja) 雰囲気センサ
JPH0196549A (ja) センサ素子
JPH08122162A (ja) 熱依存性検出装置
CN111707844B (zh) 一种风速传感器及其制备方法
JPH0795002B2 (ja) センサ素子
JPH0584867B2 (ja)
Zhu et al. A self-packaged self-heated thermal wind sensor with high reliability and low power consumption

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080418

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090418

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100418

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100418

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees