JPH08125309A - Ceramic printed wiring board - Google Patents

Ceramic printed wiring board

Info

Publication number
JPH08125309A
JPH08125309A JP26341294A JP26341294A JPH08125309A JP H08125309 A JPH08125309 A JP H08125309A JP 26341294 A JP26341294 A JP 26341294A JP 26341294 A JP26341294 A JP 26341294A JP H08125309 A JPH08125309 A JP H08125309A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
wiring board
ceramic
conductor circuit
printed wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP26341294A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Iketani
晋一 池谷
Kazunobu Morioka
一信 盛岡
Daisuke Kanetani
大介 金谷
Naohito Fukuya
直仁 福家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP26341294A priority Critical patent/JPH08125309A/en
Publication of JPH08125309A publication Critical patent/JPH08125309A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

PURPOSE: To prevent adhesion between a conductor circuit layer and a ceramic substrate from deteriorating due to diffusion of a tin component of solder even at a high use temperature of a conductor circuit layer after mounted when a part is mounted by using solder comprised of tin and lead on a conductor circuit layer. CONSTITUTION: In a ceramic printed wiring board wherein a conductor circuit layer 6 is formed of a foundation layer 2 constituted of an electroless plating layer on a surface of a ceramic substrate 1, a second intermediate layer 4 constituted of a palladium layer 4p on an upper surface of the foundation layer 2 and a surface layer 5 constituted of a gold layer 5k on an upper surface of the second intermediate layer 4, a first intermediate layer 3 constituted of an electrolytic plating copper layer 3d is formed between the foundation layer 2 and the second intermediate layer 4, a film thickness of the first intermediate layer 3 is 1 to 10μm and a film thickness of the foundation layer 2 is 0.1 to 10μm.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、携帯電話やテ
ープレコーダー等の電子機器等に用いられるセラミック
プリント配線板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic printed wiring board used in electronic equipment such as mobile phones and tape recorders.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、セラミックプリント配線板を製造
するには、銀、パラジウム、白金、金等の粉体、フリッ
トと呼ばれるガラス粉体、焼結時の結晶粒の状態をコン
トロールする添加剤およびバインダーと呼ばれる樹脂を
混ぜ合わせ、溶剤を適当量加えペーストにし、これをス
クリーン印刷法により配線回路として印刷した後、焼成
することにより回路形成を行う厚膜法やスパッタや蒸着
により基板全面に金属皮膜を形成し、写真法でパターニ
ングを行いエッチングにより所定の回路を形成する薄膜
法が用いられてきた。厚膜法は、安価に回路形成ができ
る反面、回路形成をスクリーン法で行うために100μ
m以下の微細な回路を形成することが困難であった。一
方、薄膜法は写真法により回路形成を行うので50μm
程度の微細な回路形成が可能であるが、導体皮膜の形成
や回路形成にかかるコストが高く、高価なものとなって
いた。近年、厚膜法の低コストと薄膜法の高精度とを両
立させる方法としてメッキ法によるセラミックプリント
配線板の製造方法が提案されている。その製造方法の一
例を説明する。
2. Description of the Related Art Conventionally, powders of silver, palladium, platinum, gold, etc., glass powders called frit, additives for controlling the state of crystal grains during sintering, and A resin called a binder is mixed, an appropriate amount of solvent is added to form a paste, and this is printed as a wiring circuit by screen printing, and then baked to form a circuit. A thin film method has been used in which a predetermined circuit is formed by etching, patterning by photolithography, and etching. The thick film method can inexpensively form a circuit, but the circuit method is 100 μm because the screen method is used.
It was difficult to form a fine circuit of m or less. On the other hand, the thin film method uses a photographic method to form a circuit, so
Although it is possible to form a fine circuit to some extent, the cost for forming the conductor film and forming the circuit is high, which is expensive. In recent years, a method for manufacturing a ceramic printed wiring board by a plating method has been proposed as a method for achieving both the low cost of the thick film method and the high accuracy of the thin film method. An example of the manufacturing method will be described.

【0003】まず、セラミック基板の表面を化学的に粗
化処理した後、パラジウムの核付を行う。次に、基板を
無電解銅メッキ液中に浸漬し、基板表面に銅による導体
金属層を形成する。この導体金属層を、所望の配線パタ
ーンにしたがってエッチングすることにより、導体回路
が形成される。
First, the surface of the ceramic substrate is chemically roughened, and then palladium is nucleated. Next, the substrate is immersed in an electroless copper plating solution to form a conductor metal layer of copper on the surface of the substrate. The conductor circuit is formed by etching the conductor metal layer according to a desired wiring pattern.

【0004】また、昨今の実装密度の向上の要求は導体
回路の微細化のほかに、ICチップを基板に直接実装で
きるダイボンディング性、ICチップから回路への接続
を可能とするワイヤーボンディング性が求められてい
る。これらを満足するためにはその接続部が純金で形成
される必要がある。また、情報の高密度化に伴いより周
波数の高い高周波が用いられるようになってきたが、こ
のような高周波回路基板では、導体回路の表面状態を清
浄かつ一様に保つためにやはり表面の金仕上げが望まれ
る。
In addition to recent miniaturization of conductor circuits, demands for higher packaging density include die-bonding ability for directly mounting an IC chip on a substrate and wire-bonding ability for connecting an IC chip to a circuit. It has been demanded. In order to satisfy these requirements, the connection part needs to be formed of pure gold. In addition, with the increasing density of information, higher frequencies have come to be used. However, in such a high frequency circuit board, in order to keep the surface state of the conductor circuit clean and uniform, the surface metal is also used. A finish is desired.

【0005】この金仕上げについては、厚膜法の場合、
必要な部分を金ペーストで印刷し形成することが可能で
あるが、導体厚みを薄くすることができないためコスト
がかかる。薄膜法の場合、基板全表面を金で形成し、エ
ッチングにより回路形成するために金仕上げを必要とし
ない部分の金や一部回収が可能ではあるがエッチング部
の金が無駄となり、また工法的な問題からもコスト高と
なっていた。一方、メッキ法の場合、薄い導電層を無電
解メッキにより形成し、導体回路のネガパターンのレジ
ストを設け、導体回路を電気メッキにより形成した後、
レジストを除去、エッチングして導体回路形成を行うい
わゆるセミアディティブ工法によりより安価な金仕上げ
が可能である。ところが、微細な導体回路部を形成する
ことのできるセミアミディティブ法によるセラミック配
線板であって、導体回路部の表面が金層であるセラミッ
ク配線板については、銅やニッケル等の下地層の金属の
上に直接金層を配置した場合、450℃付近の加熱によ
って、下地層の銅が金層表面に拡散するため、半導体チ
ップをダイボンドにより強固に接合できなくなるという
問題があった。そこで、この問題を解決するために、例
えば、特公昭60−34257号公報に開示されている
方法が提案されている。すなわち、金属面に下地層とし
てのニッケル層及び金の導電層を有する電子部品に於い
て、上記ニッケル層と金の導電層との間に銀、パラジウ
ム及びこれらの合金のいづれかよりなる金属層を設けた
ことを特徴とする金の導電層を有する電子部品が開示さ
れている。しかしながら、この方法では、ダイボンディ
ング特性、ワイヤーボンディング特性は確保されるが、
導体回路層上に錫、鉛よりなる半田を用いて部品を実装
した場合で、実装後の導体回路層の使用温度が高いとき
に、錫、鉛が導体回路層と相互に拡散をおこし、被膜強
度の脆い銅錫の金属間化合物が形成されることにより密
着強度が低下し、実装部品が欠落するという問題があっ
た。
Regarding the gold finish, in the case of the thick film method,
It is possible to print and form a necessary portion with gold paste, but it is costly because the conductor thickness cannot be reduced. In the case of the thin film method, it is possible to collect gold on the entire surface of the substrate with gold, and to recover the gold that does not require gold finishing to form the circuit by etching, or to recover the gold, but the gold in the etched area is wasted and The cost was high due to various problems. On the other hand, in the case of the plating method, a thin conductive layer is formed by electroless plating, a resist for a negative pattern of a conductor circuit is provided, and after forming a conductor circuit by electroplating,
A less expensive gold finish can be achieved by a so-called semi-additive method in which a resist is removed and etching is performed to form a conductor circuit. However, for a ceramic wiring board by a semi-amidative method capable of forming a fine conductor circuit portion, and the surface of the conductor circuit portion is a gold layer, a ceramic wiring board with a base layer of copper or nickel is used. When the gold layer is arranged directly on the metal, there is a problem that the semiconductor chip cannot be firmly bonded by die bonding because the copper of the underlayer diffuses to the surface of the gold layer by heating at around 450 ° C. Therefore, in order to solve this problem, for example, a method disclosed in Japanese Patent Publication No. 60-34257 is proposed. That is, in an electronic component having a nickel layer and a gold conductive layer as a base layer on the metal surface, a metal layer made of silver, palladium or an alloy thereof is provided between the nickel layer and the gold conductive layer. An electronic component having a conductive layer of gold characterized by being provided is disclosed. However, with this method, the die bonding characteristics and wire bonding characteristics are secured,
When components are mounted on the conductor circuit layer using solder consisting of tin and lead, and when the temperature of the conductor circuit layer after mounting is high, tin and lead cause mutual diffusion with the conductor circuit layer, and the coating film The formation of the brittle copper-tin intermetallic compound has a problem in that the adhesion strength is lowered and the mounted parts are missing.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の事情に
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、導体
回路層上に錫、鉛よりなる半田を用いて部品を実装した
場合で、実装後の導体回路層の使用温度が高いときで
も、半田の錫成分の拡散による導体回路層とセラミック
基板との密着力の低下を防ぐことができるセラミックプ
リント配線板を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to mount a component on a conductor circuit layer using solder made of tin or lead. An object of the present invention is to provide a ceramic printed wiring board capable of preventing a decrease in the adhesive force between the conductor circuit layer and the ceramic substrate due to the diffusion of the tin component of the solder even when the temperature of the conductor circuit layer after mounting is high.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
セラミックプリント配線板は、セラミック基板1の面上
に無電解メッキ層で構成されている下地層2と、この下
地層2の上面にパラジウム層4pで構成されている第2
中間層4と、この第2中間層4の上面に金層5kで構成
されている表面層5とにより、導体回路層6が形成され
ているセラミックプリント配線板において、前記下地層
2と第2中間層4との間に、電気メッキ銅層3dで構成
されている第1中間層3が形成され、この第1中間層3
の膜厚が1〜10μmであり、前記下地層2の膜厚が、
0.1〜10μmであることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a ceramic printed wiring board in which a base layer 2 formed on the surface of a ceramic substrate 1 by an electroless plating layer and an upper surface of the base layer 2. Second palladium layer 4p
In the ceramic printed wiring board in which the conductor circuit layer 6 is formed by the intermediate layer 4 and the surface layer 5 composed of the gold layer 5k on the upper surface of the second intermediate layer 4, the base layer 2 and the second layer 2 A first intermediate layer 3 composed of an electroplated copper layer 3d is formed between the intermediate layer 4 and the intermediate layer 4, and the first intermediate layer 3 is formed.
Is 1 to 10 μm, and the thickness of the underlayer 2 is
It is characterized by being 0.1 to 10 μm.

【0008】本発明の請求項2に係るセラミックプリン
ト配線板は、前記下地層2が無電解メッキ銅層2cで構
成されていることを特徴とする。
A ceramic printed wiring board according to a second aspect of the present invention is characterized in that the underlayer 2 is composed of an electroless plated copper layer 2c.

【0009】本発明の請求項3に係るセラミックプリン
ト配線板は、前記下地層2が無電解メッキニッケル層2
n又は無電解メッキニッケル合金層2aで構成されてい
ることを特徴とする。
In the ceramic printed wiring board according to claim 3 of the present invention, the underlayer 2 is an electroless plated nickel layer 2.
n or electroless plated nickel alloy layer 2a.

【0010】本発明の請求項4に係るセラミックプリン
ト配線板は、前記電気メッキ銅層3dが光沢剤を用いた
光沢メッキ層であることを特徴とする。
A ceramic printed wiring board according to a fourth aspect of the present invention is characterized in that the electroplated copper layer 3d is a bright plated layer using a brightening agent.

【0011】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
用いる図1(a)に示すセラミック基板1としては、ア
ルミナ系基板、窒化アルミニウム系基板、ベリリア基
板、ムライト基板、チタン酸バリウム、炭化ケイ素系基
板、ガラス系基板等、通常の配線基板と同様の各種セラ
ミック材料からなる絶縁基板が使用される。これらのセ
ラミック基板1上に、そのまま導体回路層6の形成を行
うことも可能ではあるが、好ましくはメッキ導体の密着
力を上げるために、セラミック基板1の表面を化学的又
は物理的に粗面化したセラミック基板1が適しており、
この粗化したセラミック基板1の上に導体回路層6を形
成すると、セラミック基板1と導体回路層6との密着を
向上させることができる。すなわち、この粗化処理によ
り、導体回路層6とセラミック基板1との間に一種のア
ンカー効果が働くので、互いの密着力が高まり、フクレ
やハガレといった不良の発生を防止できる。粗化処理の
具体例としては、250〜330℃に加熱したリン酸中
に、例えば、アルミナ系基板等のセラミック基板1を2
〜20分間浸漬する方法が挙げられる。
The present invention will be described in detail below. As the ceramic substrate 1 shown in FIG. 1A used in the present invention, an ordinary wiring substrate such as an alumina substrate, an aluminum nitride substrate, a beryllia substrate, a mullite substrate, barium titanate, a silicon carbide substrate, a glass substrate, etc. An insulating substrate made of various ceramic materials similar to the above is used. Although it is possible to form the conductor circuit layer 6 on the ceramic substrate 1 as it is, preferably, the surface of the ceramic substrate 1 is roughened chemically or physically in order to increase the adhesion of the plated conductor. Suitable ceramic substrate 1 is
When the conductor circuit layer 6 is formed on the roughened ceramic substrate 1, the adhesion between the ceramic substrate 1 and the conductor circuit layer 6 can be improved. That is, since this roughening process causes a kind of anchor effect between the conductor circuit layer 6 and the ceramic substrate 1, the mutual adhesive force is increased, and the occurrence of defects such as blister and peeling can be prevented. As a specific example of the roughening treatment, for example, two ceramic substrates 1 such as an alumina-based substrate are placed in phosphoric acid heated to 250 to 330 ° C.
The method of immersing for 20 minutes is mentioned.

【0012】図1(b)に示すように、セラミック基板
1の上面の全面に給電用の無電解メッキ銅層2c、無電
解メッキニッケル層2n又は無電解メッキニッケル合金
層2aが下地層2として形成されている。この下地層2
の膜厚は、後工程の電気メッキで基板全面が等電位とな
るようにするため0.1μm以上必要で、0.5μm以
上であることが好ましい。また、金層40を形成後エッ
チングにより不要部分を除去するので、前記下地層2の
膜厚は、サイドエッチングの点からも10μm以下であ
ることが必要で、5μm以下であることが好ましい。す
なわち、この下地層2の膜厚が10μmを越えた場合に
は、エッチングにより、下地層2の側面部分が除去さ
れ、いわゆる、サイドエッチングとなり下地層2の接着
面積が小さくなるため、セラミック基板1との密着力が
低下する。前記下地層2である給電用金属としてニッケ
ルを用いた無電解メッキニッケル層2nにすることによ
り、銅の場合に比べセラミック基板1に対する密着性が
さらに向上する。この無電解メッキニッケル層2nの代
わりに、後工程のエッチング、メッキ速度、コストやメ
ッキつきまわり性等の観点から例えば、ニッケル/リ
ン、ニッケル/ボロン、ニッケル/コバルト等のニッケ
ル合金を用いた無電解メッキニッケル合金層2aにする
こともできる。
As shown in FIG. 1B, an electroless plated copper layer 2c, an electroless plated nickel layer 2n or an electroless plated nickel alloy layer 2a is provided as a base layer 2 on the entire upper surface of the ceramic substrate 1. Has been formed. This underlayer 2
The film thickness of is required to be 0.1 μm or more in order to make the entire surface of the substrate equipotential in the subsequent electroplating, and is preferably 0.5 μm or more. Further, since the unnecessary portion is removed by etching after the gold layer 40 is formed, the film thickness of the underlayer 2 needs to be 10 μm or less from the viewpoint of side etching, and is preferably 5 μm or less. That is, when the film thickness of the underlayer 2 exceeds 10 μm, the side surface portion of the underlayer 2 is removed by etching, so-called side etching occurs, and the adhesion area of the underlayer 2 becomes small, so the ceramic substrate 1 Adhesion with is reduced. By using the electroless plating nickel layer 2n using nickel as the power supply metal which is the base layer 2, the adhesion to the ceramic substrate 1 is further improved as compared with the case of copper. In place of the electroless plated nickel layer 2n, nickel alloys such as nickel / phosphorus, nickel / boron, nickel / cobalt, etc. are not used from the viewpoints of etching in later steps, plating rate, cost and plating throwing power. The electrolytically plated nickel alloy layer 2a can also be used.

【0013】図1(c)に示すように、前記下地層2の
上面の所要部にメッキレジスト7が施され、前記下地層
2の上面のメッキレジスト7が施されていない部分の前
記下地層2の上面に電気メッキ銅層3dが第1中間層3
として形成されている。この電気メッキ銅層3dは、従
来技術での問題点であったハンダ後の錫の拡散による導
体と基板との接続部の脆化を防止する働き(耐半田エー
ジング性)がある。この電気メッキ銅層3dの銅層を無
電解メッキ法により形成することも可能であるが、無電
解メッキ法に比べて電気メッキ法の方が、より緻密な膜
を形成できるので、錫の拡散防止効果が高い。この電気
メッキ銅層3dの膜厚は、1〜10μmであることが必
要である。すなわち、この電気メッキ銅層3dの膜厚が
1μm未満の場合には、耐半田エージング性の効果が得
られず、10μmを越える場合には、メッキ時間が長く
なり実用的でない。さらに、前記電気メッキ銅層3dが
光沢剤を用いた光沢メッキ層であることにより、より高
い錫の拡散防止効果を得ることができる。この光沢メッ
キをおこなう際の光沢剤は、通常の市販品を用いればよ
く、特に限定されるものではない。
As shown in FIG. 1C, a plating resist 7 is applied to a required portion of the upper surface of the underlayer 2, and the underlying layer of the upper surface of the underlayer 2 where the plating resist 7 is not applied. 2 has an electroplated copper layer 3d on the upper surface of the first intermediate layer 3
Is formed as. The electroplated copper layer 3d has a function of preventing embrittlement of a connecting portion between a conductor and a substrate due to diffusion of tin after soldering (a solder aging resistance), which is a problem in the prior art. Although it is possible to form the copper layer of the electroplated copper layer 3d by an electroless plating method, the electroplating method can form a denser film than the electroless plating method, so that tin diffusion High prevention effect. The thickness of the electroplated copper layer 3d needs to be 1 to 10 μm. That is, when the thickness of the electroplated copper layer 3d is less than 1 μm, the effect of the solder aging resistance cannot be obtained, and when it exceeds 10 μm, the plating time becomes long and it is not practical. Further, since the electroplated copper layer 3d is a bright plated layer using a brightening agent, a higher tin diffusion preventing effect can be obtained. The brightening agent used in the bright plating may be a commercially available product, and is not particularly limited.

【0014】図1(d)に示すように、前記第1中間層
3の上面にパラジウム層4pが第2中間層4として形成
されている。この第2中間層4の上面に金層5kが表面
層5として形成されている。
As shown in FIG. 1D, a palladium layer 4p is formed as a second intermediate layer 4 on the upper surface of the first intermediate layer 3. A gold layer 5k is formed as a surface layer 5 on the upper surface of the second intermediate layer 4.

【0015】図1(e)に示すように、メッキレジスト
7を剥離後、露出した下地層2のエッチングを行うこと
により、耐ハンダ性に優れた金メッキ仕上げのセラミッ
ク配線板が得られる。
As shown in FIG. 1 (e), after removing the plating resist 7, the exposed underlayer 2 is etched to obtain a gold-plated ceramic wiring board having excellent solder resistance.

【0016】[0016]

【作用】本発明の請求項1及び請求項2に係るセラミッ
クプリント配線板は、セラミック基板1の面上に無電解
メッキ銅層2cが下地層2として形成され、前記下地層
2の上面に緻密な膜である電気メッキ銅層3dが第1中
間層3として形成されているので、半田後の錫の拡散に
よる導体と基板との接続部の脆化を防止する。
In the ceramic printed wiring board according to the first and second aspects of the present invention, the electroless-plated copper layer 2c is formed as the underlayer 2 on the surface of the ceramic substrate 1, and the upper surface of the underlayer 2 is densely packed. Since the electroplated copper layer 3d, which is a different film, is formed as the first intermediate layer 3, it prevents bridging of the connection between the conductor and the substrate due to the diffusion of tin after soldering.

【0017】本発明の請求項3に係るセラミックプリン
ト配線板は、セラミック基板1の面上に無電解メッキニ
ッケル層2n又は無電解メッキニッケル合金層2aが下
地層2として形成されているので、半田後の錫の拡散に
よる導体と基板との接続部の脆化をさらに防止する。
In the ceramic printed wiring board according to the third aspect of the present invention, since the electroless plated nickel layer 2n or the electroless plated nickel alloy layer 2a is formed as the base layer 2 on the surface of the ceramic substrate 1, the solder is used. Further, the brittleness of the connecting portion between the conductor and the substrate due to the later diffusion of tin is further prevented.

【0018】本発明の請求項4に係るセラミックプリン
ト配線板は、前記電気メッキ銅層3dが光沢剤を用いた
光沢メッキ層であり、さらに緻密な膜を形成するので、
錫の拡散防止効果が、さらに高まる。
In the ceramic printed wiring board according to claim 4 of the present invention, since the electroplated copper layer 3d is a bright plated layer using a brightening agent, and a dense film is formed,
The tin diffusion prevention effect is further enhanced.

【0019】[0019]

【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例によって、
具体的に説明する。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described with reference to Examples and Comparative Examples.
This will be specifically described.

【0020】(実施例1〜実施例10)300℃に加熱
した、リン酸に浸漬することにより、図1に示すよう
に、表面を粗化した96%アルミナ白色のセラミック基
板1(100mm×100mm×0.635mm:松下
電工社製)上に、アルカリキャタリスト法による核付け
工程(OPCプロセスAC:奥野製薬工業社製)を経た
後、実施例1〜実施例5については、無電解銅メッキに
よりセラミック基板1の上面の全面に無電解メッキ銅層
2cを、実施例6〜実施例10については、無電解ニッ
ケル/ボロンメッキによりセラミック基板1の上面の全
面に無電解メッキニッケル合金層2aを下地層2として
形成し、この下地層2の膜厚を蛍光X線膜厚計により測
定し、表1に示した。
(Examples 1 to 10) 96% alumina white ceramic substrate 1 (100 mm x 100 mm) whose surface was roughened by immersing in phosphoric acid heated to 300 ° C, as shown in FIG. X0.635 mm: manufactured by Matsushita Electric Works, Ltd.), and after undergoing a nucleation step (OPC process AC: manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.) by an alkali catalyst method, electroless copper plating is performed for Examples 1 to 5. Thus, the electroless plated copper layer 2c is formed on the entire upper surface of the ceramic substrate 1 and, in Examples 6 to 10, the electroless plated nickel alloy layer 2a is formed on the entire upper surface of the ceramic substrate 1 by electroless nickel / boron plating. The ground layer 2 was formed, and the film thickness of the underlayer 2 was measured by a fluorescent X-ray film thickness meter and is shown in Table 1.

【0021】次いで、メッキレジスト7としてドライフ
ィルムレジスト(リストン4620:デュポンジャパン
リミテッド社商品名)をラミネートし、非導体回路部が
透光するマスクを用いて、レジストパタ−ンの形成を行
った。
Then, a dry film resist (Liston 4620: trade name of DuPont Japan Limited) was laminated as the plating resist 7, and a resist pattern was formed by using a mask through which the non-conductor circuit portion was transparent.

【0022】前記下地層2の上面に電気メッキ銅層3d
を第1中間層3として形成し、この第1中間層3の膜厚
を蛍光X線膜厚計により測定し、表1に示した。ただ
し、電気銅メッキ浴組成は、CuSO4 ・5H2 O;7
5g/リットル、H2 SO4 ;190g/リットル、C
- ;60ppmであり、室温(25℃程度)の条件で
電気銅メッキを行った。なお、光沢剤(スルカップAC
−90:上村工業社商品名)は、5ミリリットル/リッ
トル添加し、使用の有無を表1に示した。
An electroplated copper layer 3d is formed on the upper surface of the base layer 2.
Was formed as the first intermediate layer 3, and the film thickness of the first intermediate layer 3 was measured by a fluorescent X-ray film thickness meter and is shown in Table 1. However, the composition of the electrolytic copper plating bath is CuSO 4 , 5H 2 O; 7
5 g / liter, H 2 SO 4 ; 190 g / liter, C
l : 60 ppm, and electrolytic copper plating was performed at room temperature (about 25 ° C.). In addition, brightener (Sulcap AC
-90: Uemura Kogyo Co., Ltd.) was added at 5 ml / liter, and the presence or absence of use is shown in Table 1.

【0023】次いで、第1中間層3の上面に市販の電気
メッキ浴(パラデックスストライク:EEJA社商品
名)、及び二次電気メッキ浴(パラデックス110:E
EJA社商品名)によりパラジウム層4pを第2中間層
4として形成し、その後、市販の電気金メッキ浴(オ−
ロボンドTN:EEJA社商品名)、及び二次電気メッ
キ浴(テンプレックス401:EEJA社商品名)によ
り電気メッキを行うことにより第2中間層4の上面に表
面層5として金層5kを形成した。蛍光X線膜厚計によ
り測定した結果、前記パラジウム層4pの膜厚は3μm
で、金層5kの膜厚は2μmであった。その後、3%水
酸化ナトリウムの水溶液に浸漬することにより、メッキ
レジスト7を剥離した後、無電解メッキ銅層2c又は無
電解メッキニッケル合金層2aを過硫酸ナトリウム、硫
酸(125g、40ミリリットル/リットル)の水溶液
でソフトエッチングを行い、非導体回路部の無電解メッ
キ銅層2c又は無電解メッキニッケル合金層2aを除去
し、水洗、乾燥を行い、所望の導体回路層6が形成され
たセラミックプリント配線板を得た。サイドエッチング
については、導体幅200μmの導体回路層6にテープ
を貼り付け、勢いよく引き剥がすことによるテープ試験
により評価し、導体回路層6が剥がれない場合を良好と
し、剥がれた場合を不可として、これらの結果を表1に
示した。半田付け後の接着強度については、得られたセ
ラミックプリント配線板に半田付けをして、この半田を
引っ張ることにより、各層の密着強度として、2cm×
2cmのパターンでの、エージング前後のL字型のピー
ル強度を測定し、これらの値を表1に示した。エージン
グは、150℃、100時間の条件で行った。ピール強
度が、2kgf/4mm2 以上を合格とした。
Next, a commercially available electroplating bath (Paradex Strike: trade name of EEJA) and a secondary electroplating bath (Paradex 110: E) are formed on the upper surface of the first intermediate layer 3.
The palladium layer 4p is formed as the second intermediate layer 4 by EJA's trade name), and then a commercially available electro-gold plating bath (O-
Lobond TN: trade name of EEJA company) and electroplating with a secondary electroplating bath (Templex 401: trade name of EEJA company) to form a gold layer 5k as a surface layer 5 on the upper surface of the second intermediate layer 4. . As a result of measurement with a fluorescent X-ray film thickness meter, the film thickness of the palladium layer 4p is 3 μm.
The thickness of the gold layer 5k was 2 μm. After that, the plating resist 7 is peeled off by immersing in an aqueous solution of 3% sodium hydroxide, and then the electroless plating copper layer 2c or the electroless plating nickel alloy layer 2a is treated with sodium persulfate or sulfuric acid (125 g, 40 ml / liter). 2) soft etching is performed to remove the electroless plated copper layer 2c or the electroless plated nickel alloy layer 2a in the non-conductor circuit portion, followed by washing with water and drying, and a ceramic print on which the desired conductor circuit layer 6 is formed. The wiring board was obtained. The side etching is evaluated by a tape test by sticking a tape on the conductor circuit layer 6 having a conductor width of 200 μm and peeling off vigorously, and the case where the conductor circuit layer 6 does not peel off is evaluated as good and the case where the conductor circuit layer 6 does not peel off The results are shown in Table 1. Regarding the adhesive strength after soldering, the obtained ceramic printed wiring board is soldered and the solder is pulled to obtain an adhesion strength of each layer of 2 cm ×
The L-shaped peel strength before and after aging in a pattern of 2 cm was measured, and these values are shown in Table 1. Aging was performed under the conditions of 150 ° C. and 100 hours. A peel strength of 2 kgf / 4 mm 2 or more was regarded as acceptable.

【0024】[0024]

【表1】 [Table 1]

【0025】(比較例1〜比較例6)比較例1〜比較例
3については、無電解銅メッキによりセラミック基板1
の上面の全面に無電解メッキ銅層2cを、比較例4〜比
較例6については、無電解ニッケル/ボロンメッキによ
りセラミック基板1の上面の全面に無電解メッキニッケ
ル合金層2aを下地層2として形成し、実施例1と同様
にしてセラミックプリント配線板を得て評価し、その結
果を表1に示した。
Comparative Examples 1 to 6 In Comparative Examples 1 to 3, the ceramic substrate 1 was formed by electroless copper plating.
Of the electroless plated copper layer 2c is formed on the entire upper surface of the ceramic substrate 1 and the electroless plated nickel alloy layer 2a is formed on the entire upper surface of the ceramic substrate 1 by electroless nickel / boron plating as the underlayer 2. Then, a ceramic printed wiring board was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.

【0026】表1の結果、実施例は比較例に比べて,導
体回路層上に錫、鉛よりなる半田を用いて部品を実装し
た場合で、実装後の導体回路層の使用温度が高いときで
も、半田の錫成分の拡散による導体回路層6とセラミッ
ク基板1との密着力の低下を防ぐことができるというこ
とが確認できた。
As a result of Table 1, in the example, compared to the comparative example, when the component was mounted on the conductor circuit layer by using solder made of tin and lead, and the operating temperature of the conductor circuit layer after mounting was high, However, it has been confirmed that it is possible to prevent a decrease in the adhesive force between the conductor circuit layer 6 and the ceramic substrate 1 due to the diffusion of the tin component of the solder.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明の請求項1及び請求項2に係るセ
ラミックプリント配線板によると、導体回路層上に錫、
鉛よりなる半田を用いて部品を実装した場合で、実装後
の導体回路層の使用温度が高いときでも、半田の錫成分
の拡散による導体回路層とセラミック基板との密着力の
低下を防ぐことができる。
According to the ceramic printed wiring board of the first and second aspects of the present invention, tin is provided on the conductor circuit layer.
When mounting components using lead solder, even when the operating temperature of the conductor circuit layer after mounting is high, prevent the adhesive force between the conductor circuit layer and the ceramic substrate from decreasing due to diffusion of the tin component of the solder. You can

【0028】本発明の請求項3に係るセラミックプリン
ト配線板によると、半田の錫成分の拡散による導体回路
層とセラミック基板との密着力の低下を、さらに防ぐこ
とができる。
According to the ceramic printed wiring board of the third aspect of the present invention, it is possible to further prevent a decrease in the adhesive force between the conductor circuit layer and the ceramic substrate due to the diffusion of the tin component of the solder.

【0029】本発明の請求項4に係るセラミックプリン
ト配線板によると、錫の拡散防止効果が、さらに高まる
ので、より一層、導体回路層とセラミック基板との密着
力の低下を防ぐことができる。
According to the ceramic printed wiring board of the fourth aspect of the present invention, the effect of preventing tin diffusion is further enhanced, so that the adhesion force between the conductor circuit layer and the ceramic substrate can be further prevented from decreasing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例に係るセラミックプリント配線
板の製造方法の説明断面図である。
FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view of a method for manufacturing a ceramic printed wiring board according to an example of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 セラミック基板 2 下地層 2a 無電解メッキニッケル合金層 2c 無電解メッキ銅層 2n 無電解メッキニッケル層 3 第1中間層 3d 電気メッキ銅層 4 第2中間層 4p パラジウム層 5 表面層 5k 金層 6 導体回路層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic substrate 2 Underlayer 2a Electroless plating nickel alloy layer 2c Electroless plating copper layer 2n Electroless plating nickel layer 3 First intermediate layer 3d Electroplating copper layer 4 Second intermediate layer 4p Palladium layer 5 Surface layer 5k Gold layer 6 Conductor circuit layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福家 直仁 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Naohito Fukuya 1048 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Works Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミック基板(1)の面上に無電解メ
ッキ層で構成されている下地層(2)と、この下地層
(2)の上面にパラジウム層(4p)で構成されている
第2中間層(4)と、この第2中間層(4)の上面に金
層(5k)で構成されている表面層(5)とにより、導
体回路層(6)が形成されているセラミックプリント配
線板において、前記下地層(2)と第2中間層(4)と
の間に、電気メッキ銅層(3d)で構成されている第1
中間層(3)が形成され、この第1中間層(3)の膜厚
が1〜10μmであり、前記下地層(2)の膜厚が、
0.1〜10μmであることを特徴とするセラミックプ
リント配線板。
1. A base layer (2) formed of an electroless plating layer on the surface of a ceramic substrate (1), and a palladium layer (4p) formed on the upper surface of the base layer (2). 2 A ceramic print in which a conductor circuit layer (6) is formed by an intermediate layer (4) and a surface layer (5) composed of a gold layer (5k) on the upper surface of the second intermediate layer (4). In the wiring board, a first electroplated copper layer (3d) is formed between the base layer (2) and the second intermediate layer (4).
An intermediate layer (3) is formed, the thickness of the first intermediate layer (3) is 1 to 10 μm, and the thickness of the underlayer (2) is
A ceramic printed wiring board having a thickness of 0.1 to 10 μm.
【請求項2】 前記下地層(2)が無電解メッキ銅層
(2c)で構成されていることを特徴とする請求項1記
載のセラミックプリント配線板。
2. The ceramic printed wiring board according to claim 1, wherein the underlayer (2) is composed of an electroless plated copper layer (2c).
【請求項3】 前記下地層(2)が無電解メッキニッケ
ル層(2n)又は無電解メッキニッケル合金層(2a)
で構成されていることを特徴とする請求項1記載のセラ
ミックプリント配線板。
3. The electroless plating nickel layer (2n) or the electroless plating nickel alloy layer (2a) is used as the underlayer (2).
The ceramic printed wiring board according to claim 1, wherein the ceramic printed wiring board is formed of:
【請求項4】 前記電気メッキ銅層(3d)が光沢剤を
用いた光沢メッキ層であることを特徴とする請求項1乃
至請求項3いずれかに記載のセラミックプリント配線
板。
4. The ceramic printed wiring board according to claim 1, wherein the electroplated copper layer (3d) is a bright plated layer using a brightening agent.
JP26341294A 1994-10-27 1994-10-27 Ceramic printed wiring board Withdrawn JPH08125309A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26341294A JPH08125309A (en) 1994-10-27 1994-10-27 Ceramic printed wiring board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26341294A JPH08125309A (en) 1994-10-27 1994-10-27 Ceramic printed wiring board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08125309A true JPH08125309A (en) 1996-05-17

Family

ID=17389141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26341294A Withdrawn JPH08125309A (en) 1994-10-27 1994-10-27 Ceramic printed wiring board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08125309A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20070104929A1 (en) Method for plating printed circuit board and printed circuit board manufactured therefrom
JPH05251849A (en) Manufacture of copper metalized ceramic board
JPH07147483A (en) Printed wiring board and manufacture thereof
JP4129665B2 (en) Manufacturing method of substrate for semiconductor package
JP4391671B2 (en) Electronic component mounting substrate and manufacturing method thereof
JPH08125309A (en) Ceramic printed wiring board
EP0402811A2 (en) Method of manufacturing printed circuit boards
EP0219122B1 (en) Metallized ceramic substrate and method of manufacturing the same
JP2004124110A (en) Pretreatment method for electroless gold plating, wiring board, and method for manufacturing the same
JPH06334341A (en) Thin film multilayered wiring board and its manufacture
JPH06204645A (en) Manufacture of ceramic circuit board
JPH10107394A (en) Ceramic wiring board
JP3801334B2 (en) Semiconductor device mounting substrate and manufacturing method thereof
JP3385752B2 (en) Ceramic printed wiring board and method of manufacturing the same
JPH1074859A (en) Qfn semiconductor package
JPH0555750A (en) Multilayer printed circuit board and manufacture of the same
JPH0426560B2 (en)
JPH08102578A (en) Ceramic printed wiring board and its manufacture
JPH11312857A (en) Manufacture of wiring board and manufacture of wiring board with bump
JPH05243699A (en) Substrate for module and its manufacture
JPH05235519A (en) Manufacture of wiring board
Fudala et al. The performance and reliability of a new plated copper technology on ceramic
JP3152089B2 (en) Manufacturing method of ceramic wiring board
JPS622591A (en) Manufacture of metal base hybrid integrated circuit board
JP4059539B2 (en) Aluminum nitride circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20020115