JPH08124979A - Check method of semiconductor element - Google Patents

Check method of semiconductor element

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JPH08124979A
JPH08124979A JP6257961A JP25796194A JPH08124979A JP H08124979 A JPH08124979 A JP H08124979A JP 6257961 A JP6257961 A JP 6257961A JP 25796194 A JP25796194 A JP 25796194A JP H08124979 A JPH08124979 A JP H08124979A
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JP
Japan
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semiconductor element
contact
inspection
defect
semiconductor
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Application number
JP6257961A
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Japanese (ja)
Inventor
Fumitaka Yoshimura
文貴 吉村
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPH08124979A publication Critical patent/JPH08124979A/en
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Abstract

PURPOSE: To provide a method of checking a semiconductor element, wherein the cause of failure is capable of being investigated immediately after the semiconductor element is judged defective. CONSTITUTION: This method of checking a semiconductor element is carried out through such a manner that a contact is made to bear successively against semiconductor elements formed on a wafer to measure the electrical properties of the semiconductor elements on the basis of their response to signals given to them (step 2), it is judged that the semiconductor element is defective or not (step 4), and a checking process is stopped as the contact is kept in contact with the semiconductor element when the semiconductor element is judged defective (step 7).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ウエハに形成された複
数の半導体素子に対して順に接触子を当接して電気的特
性における良否を判定する半導体素子の検査方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for inspecting a semiconductor device, in which contacts are sequentially contacted with a plurality of semiconductor devices formed on a wafer to judge whether the electrical characteristics are good or bad.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ウエハに形成された複数の半導体
素子に対する電気的特性を測定するには、半導体素子の
電極パッドに接触子を当接した状態で所定のテスト項目
に応じた電気信号を与え、その応答に基づく測定を行っ
ている。半導体素子の電気的特性を測定して良否を判定
する検査装置としては、テスト項目に応じた信号の発生
およびその応答による良否判定を行うための測定器(テ
スター)と、複数本の接触子を検査対象の半導体素子へ
当接させるとともにその接触子を介して測定器からの信
号および半導体素子からの応答信号を伝達する自動選別
装置(プローバ)とから構成されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to measure the electrical characteristics of a plurality of semiconductor elements formed on a wafer, an electric signal corresponding to a predetermined test item is applied while a contactor is in contact with an electrode pad of the semiconductor element. It is given and the measurement based on the response is performed. As an inspection device that determines the quality by measuring the electrical characteristics of a semiconductor element, a measuring device (tester) for making a quality determination based on the generation of a signal according to a test item and its response, and a plurality of contacts are provided. It is composed of an automatic selection device (prober) which is brought into contact with a semiconductor element to be inspected and which transmits a signal from a measuring instrument and a response signal from the semiconductor element via the contactor.

【0003】通常、検査装置では複数枚のウエハ(例え
ば、1ロット25枚)をセットした状態で1枚づつウエ
ハを自動選別装置に配置し、配置されたウエハにおける
複数の半導体素子に対して順に接触子を当接する。そし
て、各半導体素子へ数十〜数百におよぶテスト項目に応
じた信号を接触子から与え、その応答信号を測定器に送
り電気的特性に基づく良否の判定を行っている。
Generally, in an inspection apparatus, a plurality of wafers (for example, 25 pieces in one lot) are set, and the wafers are placed one by one in an automatic sorting apparatus, and a plurality of semiconductor elements in the arranged wafers are sequentially arranged. Contact the contact. Then, a signal corresponding to several tens to several hundreds of test items is applied to each semiconductor element from a contactor, and a response signal thereof is sent to a measuring instrument to judge pass / fail based on electrical characteristics.

【0004】測定器では、検査対象からの応答信号を得
て所定の基準に基づき電気的特性のランク(FBIN)
を決定し、自動選別装置へその信号を送っている。自動
選別装置は、予め設定されたFBINを受けた場合に不
良であるとして検査対象の半導体素子へのインク塗布を
行っている。後の工程においては、このインクの塗布さ
れた半導体素子を処理の対象外とすることで、不良品を
除外し良品のみの製造を行うようにしている。
The measuring instrument obtains the response signal from the inspection object and based on a predetermined standard, the electrical characteristic rank (FBIN).
And sends the signal to the automatic sorting device. The automatic sorting device determines that the semiconductor device to be inspected is defective when it receives a preset FBIN, and applies ink to the semiconductor device to be inspected. In the subsequent process, the semiconductor element coated with the ink is excluded from the processing, so that defective products are excluded and only non-defective products are manufactured.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体素子の検査方法においては次のような問題が
ある。すなわち、良否判定において不良となった場合、
その不良原因を調査するためには不良と判断された半導
体素子を、一つ一つさがす必要があり、原因解明までに
多大な時間を要するという不都合が生じる。また、一旦
全てのウエハにおける検査が終了した後、不良と判定さ
れた半導体素子へ再び接触子を当接させると、その当接
状態の再現性がとれないため、接触子のコンタクト不良
が原因だったのか他の原因によるものなのかの追求が困
難となってしまう。
However, such a semiconductor device inspection method has the following problems. That is, if the result is defective in the quality judgment,
In order to investigate the cause of the defect, it is necessary to find each semiconductor element that has been determined to be defective, which causes a problem that it takes a lot of time to clarify the cause. Also, after the inspection of all the wafers is completed, if the contactor is brought into contact with a semiconductor element judged to be defective again, the contact state cannot be reproducible. It will be difficult to find out whether the cause is due to another cause.

【0006】さらに、他の外的要因(他の関連機器の状
態変化や環境変化等)によって不良と判定している場合
にも、所定の時間を経過した後に再度接触子を当接して
検査を行った場合に良となってしまうことがあり、不良
判定をした段階での原因究明が非常に困難となる。よっ
て、本発明は不良判定が出た段階で即座に原因調査を行
うことができる半導体素子の検査方法を提供することを
目的とする。
Further, even when the defect is determined to be due to other external factors (such as a change in the state of other related equipment or a change in the environment), the contactor is contacted again after a predetermined time has elapsed and the inspection is performed. If it is done, the result may be good, and it will be very difficult to investigate the cause at the stage when the defect is determined. Therefore, it is an object of the present invention to provide a method for inspecting a semiconductor element, which can immediately investigate the cause when a defect is determined.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために成された半導体素子の検査方法である。
すなわち、本発明は、ウエハに形成された複数の半導体
素子に対して順に接触子を当接し、その接触子から半導
体素子に与えた信号に対する応答に基づいて電気的特性
における良否の判定を行い、この電気的特性における良
否判定が不良となった場合に、その段階で検査対象とな
っている半導体素子に当接している接触子の状態を保っ
たまま検査を停止する半導体素子の検査方法である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a method for inspecting a semiconductor device, which has been made to achieve the above object.
That is, the present invention sequentially contacts the plurality of semiconductor elements formed on the wafer with a contact, and determines the quality of the electrical characteristics based on the response to the signal given to the semiconductor element from the contact, A method of inspecting a semiconductor element, in which when the quality of electrical characteristics is determined to be defective, the inspection is stopped while maintaining the state of the contactor in contact with the semiconductor element being inspected at that stage. .

【0008】[0008]

【作用】本発明では、ウエハに形成された半導体素子に
接触子を当接し、その電気的特性における良否判定を行
い、不良となった場合にその段階で半導体素子に当接し
ている接触子の状態を保ったまま検査を停止するため、
不良判定が出た段階で即座にしかもそのままの状態で原
因を調査することができるようになる。
According to the present invention, the contactor is brought into contact with the semiconductor element formed on the wafer, the quality of the electrical characteristics is judged, and when the contact is defective, the contactor contacting the semiconductor element at that stage is judged. Because the inspection is stopped while maintaining the condition,
When a defect is determined, the cause can be investigated immediately and in the same state.

【0009】[0009]

【実施例】以下に、本発明の半導体素子の検査方法の実
施例を図に基づいて説明する。図1は本発明の半導体素
子の検査方法における一実施例を説明するフローチャー
ト、図2は検査装置を説明する模式図である。先ず、本
発明の半導体装置の検査方法を説明するに先立ち、検査
装置の説明を行う。図2(a)は検査装置の全体図、
(b)はコントローラの拡大図、(c)は検査状態を示
している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a semiconductor element inspection method of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a flow chart for explaining an embodiment of a semiconductor element inspection method of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram for explaining an inspection device. First, prior to describing the semiconductor device inspection method of the present invention, the inspection device will be described. 2 (a) is an overall view of the inspection device,
(B) is an enlarged view of the controller, and (c) shows an inspection state.

【0010】図2(a)に示すように、この検査装置1
はテスト項目に応じた信号の発生および半導体素子11
(図2(c)参照)からの応答信号による良否判定を行
うための測定器(テスター)2と、複数本の接触子12
(図2(c)参照)を検査対象の半導体素子11へ当接
させるとともにその接触子12を介して測定器2からの
信号および半導体素子11からの応答信号を伝達する自
動選別装置(プローバ)3と、所定の設定を行うととも
に不良判定が出た場合に検査を停止するための信号を自
動選別装置3へ与えるコントローラ4と、測定器2およ
び自動選別装置3の間の信号入出力を行うインタフェー
スケーブル5および入出力用ケーブル6とから構成され
ている。
As shown in FIG. 2A, this inspection device 1
Is the generation of a signal according to the test item and the semiconductor element 11
A measuring device (tester) 2 for making a pass / fail judgment based on a response signal from (see FIG. 2C), and a plurality of contacts 12
An automatic selection device (prober) that abuts (see FIG. 2C) the semiconductor element 11 to be inspected and transmits the signal from the measuring instrument 2 and the response signal from the semiconductor element 11 via the contactor 12. 3, signal input / output between the measuring device 2 and the automatic sorting device 3 and the controller 4 for giving a signal for stopping the inspection to the automatic sorting device 3 when a predetermined determination is made and a defect judgment is made. It is composed of an interface cable 5 and an input / output cable 6.

【0011】図2(b)に示すように、コントローラ4
は所定の数値を入力するためのテンキー41と、表示部
42と、セットキー43および解除キー43とを備え、
さらに内部には図示しない演算部を備えている。測定を
行う場合には、図2(c)に示すように、ウエハ10に
複数形成された半導体素子11の電極パッド(図示せ
ず)に接触子12を所定の圧力で当接し、図2(a)に
示す測定器2から入出力用ケーブル6を介して自動選別
装置3の接触子12へテスト項目に応じた信号を送る。
そして、接触子12からこの信号を半導体素子11へ与
えその応答信号を再び接触子12から入出力用ケーブル
6を介して測定器2へ送る。
As shown in FIG. 2B, the controller 4
Includes a numeric keypad 41 for inputting a predetermined numerical value, a display section 42, a set key 43 and a release key 43,
Further, a calculation unit (not shown) is provided inside. When performing the measurement, as shown in FIG. 2C, the contact 12 is brought into contact with the electrode pads (not shown) of the plurality of semiconductor elements 11 formed on the wafer 10 at a predetermined pressure, and A signal corresponding to the test item is sent from the measuring device 2 shown in a) to the contact 12 of the automatic sorting device 3 via the input / output cable 6.
Then, this signal is applied from the contact 12 to the semiconductor element 11, and the response signal is sent again from the contact 12 to the measuring instrument 2 via the input / output cable 6.

【0012】測定器2では、この応答信号に基づいて検
査対象の半導体素子11における電気的特性を測定し、
所定の基準に沿ったランクを算出する。この電気的特性
のランクはFBIN(Fail Binの略)と呼ば
れ、例えば <1>〜<15>といったBIN番号によって特性
優劣の順を示している。すなわち、例えばBIN番号 <
1>は良、<2> 〜<15>は不良(各々番号が小さい程優れた
特性を示す)というような設定が予め成されている。
The measuring device 2 measures the electrical characteristics of the semiconductor element 11 to be inspected based on this response signal,
Calculate the rank according to a predetermined standard. This rank of electrical characteristics is called FBIN (abbreviation of Fail Bin), and the order of superiority and inferiority of characteristics is indicated by BIN numbers such as <1> to <15>. That is, for example, BIN number <
Settings such as 1> are good and <2> to <15> are bad (the smaller the number, the better the characteristic).

【0013】通常、検査装置1は、図2(c)に示すウ
エハ10に形成された複数の半導体素子11に対して順
に接触子12を当接していき、各半導体素子11につい
て数十〜数百項目のテストを行っている。また、測定器
2はこのテストの結果に基づいたFBINを算出し、そ
の値をインタフェースケーブル5を介して自動選別装置
3およびコントローラ4へ送るようにしている。コント
ローラ4の演算部(図示せず)は、測定器2から得たF
BINと予め設定したFBINとを比較演算し、それら
が一致した場合に自動選別装置3へ検査停止のための信
号を出力している。
In general, the inspection apparatus 1 sequentially brings the contacts 12 into contact with a plurality of semiconductor elements 11 formed on the wafer 10 shown in FIG. We are testing 100 items. Further, the measuring device 2 calculates the FBIN based on the result of this test and sends the FBIN to the automatic selection device 3 and the controller 4 via the interface cable 5. The calculation unit (not shown) of the controller 4 uses the F obtained from the measuring device 2.
BIN and a preset FBIN are compared and calculated, and when they match, a signal for stopping the inspection is output to the automatic sorting apparatus 3.

【0014】次に、このような検査装置1を用いた半導
体素子11の検査方法を図1に沿って順に説明する。な
お、図1に示されない符号については図2を参照するも
のとする。先ず、ステップS1に示すFBIN設定入力
として、コントローラ4に設けられたテンキー41を用
いて所定のBIN番号を設定入力する。ここで設定入力
するFBINは、不良原因の調査対象となるランクを示
すものである。
Next, a method of inspecting the semiconductor element 11 using such an inspection apparatus 1 will be described in order with reference to FIG. 2 will be referred to for the reference numerals not shown in FIG. First, as the FBIN setting input shown in step S1, a predetermined BIN number is set and input using the ten-key 41 provided in the controller 4. The FBIN that is set and input here indicates the rank to be investigated for the cause of the defect.

【0015】次に、ステップS2に示すように、測定器
2からの信号に基づいた半導体素子11の特性測定を開
始する。測定開始の指示があった段階で、自動選別装置
3は所定の位置にウエハ10を配置し、その中の一つの
半導体素子11と接触子12とのコンタクトを図る。測
定器2は、数十〜数百の項目に応じた信号を入出力用ケ
ーブル6を介して順に自動選別装置3へ送り、その信号
を接触子12から検査対象となる半導体素子11へ入力
する。そして、その応答信号を再び接触子12からイン
タフェースケーブル5を介して測定器2へ伝達し、測定
器2にて電気的特性の評価を行う。
Next, as shown in step S2, the characteristic measurement of the semiconductor element 11 based on the signal from the measuring device 2 is started. At the stage of the instruction to start the measurement, the automatic sorting apparatus 3 arranges the wafer 10 at a predetermined position and makes contact between one of the semiconductor elements 11 and the contact 12. The measuring instrument 2 sequentially sends signals corresponding to several tens to several hundreds of items to the automatic sorting device 3 via the input / output cable 6, and inputs the signals from the contact 12 to the semiconductor element 11 to be inspected. . Then, the response signal is transmitted again from the contact 12 to the measuring instrument 2 via the interface cable 5, and the measuring instrument 2 evaluates the electrical characteristics.

【0016】次に、ステップS3に示すFBIN出力と
して、半導体素子11からの応答信号を受けた測定器2
から電気的特性のランクに応じたBIN番号を出力する
処理を行う。測定器2内には電気的特性のランクに応じ
た基準値が設定されており、測定器2は、検査対象とな
る半導体素子11の電気的特性とその基準値とを比較し
て当てはまるランクに対応したFBINを算出し、それ
をインタフェースケーブル5を介して自動選別装置3お
よびコントローラ4へ出力する。
Next, the measuring device 2 which receives the response signal from the semiconductor element 11 as the FBIN output shown in step S3.
To output a BIN number according to the rank of electrical characteristics. A reference value corresponding to the rank of the electrical characteristic is set in the measuring instrument 2, and the measuring instrument 2 compares the electrical characteristic of the semiconductor element 11 to be inspected with the reference value to obtain the applicable rank. The corresponding FBIN is calculated and output to the automatic selection device 3 and the controller 4 via the interface cable 5.

【0017】次いで、ステップS4に示す不良か否かの
判断として、検査対象の半導体素子11が予め設定した
ランクの不良となっているか否かをコントローラ4にて
判断する処理を行う。この処理でコントローラ4が行う
判断の基準となるランクは、ステップS1で設定入力し
たFBINである。
Next, as a judgment as to whether the semiconductor element 11 to be inspected has a defect of a preset rank or not, the controller 4 judges whether or not the semiconductor element 11 to be inspected has a defect as shown in step S4. The rank used as a reference for the determination made by the controller 4 in this process is the FBIN set and input in step S1.

【0018】すなわち、コントローラ4は、測定器2か
ら送られた検査対象の半導体素子11におけるFBIN
と予め設定入力されたFBINとを比較する。そして、
検査対象の半導体素子11におけるFBINと予め設定
入力されたFBINとが一致している場合にはステップ
S4の判断でYesとなり、不一致の場合にはステップ
S4の判断でNoとなる。
That is, the controller 4 controls the FBIN in the semiconductor element 11 to be inspected sent from the measuring instrument 2.
And FBIN that has been set and input in advance are compared. And
If the FBIN of the semiconductor element 11 to be inspected matches the FBIN set and input in advance, the determination in step S4 is Yes, and if they do not match, the determination in step S4 is No.

【0019】ステップS4の判断でNoとなった場合、
つまり検査対象の半導体素子11が予め設定したランク
の不良となっていない場合には、次のステップS5へ進
み全ての半導体素子11の検査を終了したか否かを判断
する。ここで全ての半導体素子11の検査を終了した場
合には検査処理を終了し、全ての半導体素子11の検査
が終了していない場合にはステップS6へ進んで次の半
導体素子11へ接触子12を移動する。そして、先と同
様な測定を繰り返し行う。
If the determination in step S4 is No,
That is, if the semiconductor elements 11 to be inspected are not defective in a preset rank, the process proceeds to the next step S5, and it is determined whether or not the inspection of all the semiconductor elements 11 is completed. If all semiconductor elements 11 have been inspected, the inspection process is terminated. If all semiconductor elements 11 have not been inspected, the process proceeds to step S6 and the next semiconductor element 11 is contacted with the contacts 12. To move. Then, the same measurement as above is repeated.

【0020】一方、ステップS4の判断でYesとなっ
た場合、つまり検査対象の半導体素子11が予め設定し
たランクの不良となっている場合には、ステップS7へ
進む。ステップS7では、コントローラ4から自動選別
装置3に対して検査停止の指示を示す信号を送る。自動
選別装置3は、コントローラ4からこの信号を受けた段
階で即座に検査を停止する。すなわち、予め設定された
ランクの不良となった半導体素子11に対して接触子1
2が当接したままの状態での検査停止を行う。
On the other hand, if the result of the determination in step S4 is Yes, that is, if the semiconductor element 11 to be inspected has a defect of a preset rank, the process proceeds to step S7. In step S7, the controller 4 sends a signal indicating an instruction to stop the inspection to the automatic sorting apparatus 3. The automatic selection device 3 immediately stops the inspection when it receives this signal from the controller 4. That is, the contact 1 is attached to the defective semiconductor element 11 of the preset rank.
The inspection is stopped in the state where 2 is still in contact.

【0021】次に、ステップS8に示す不良原因調査を
行う。先に説明したように、ステップS7において、予
め設定されたランクの不良判定が出た半導体素子11に
接触子12が当接したままの状態で検査が停止している
ため、ここで不良原因を調査することにより不良が出た
状態での原因究明を的確に行うことが可能となる。
Next, the cause of the defect is investigated in step S8. As described above, in step S7, the inspection is stopped in the state where the contact 12 remains in contact with the semiconductor element 11 for which the failure determination of the preset rank has been made. By investigating, it becomes possible to accurately investigate the cause when a defect appears.

【0022】不良原因調査としては、例えば不良となっ
た測定項目における半導体素子11からの応答信号波形
を参照したり、再度半導体素子11へ信号を与えて不良
判定が出た際と同じ接触子12のコンタクト状態での測
定を行ったりして、回路内部の欠陥なのか接触子12の
コンタクト不良なのか、または他の原因なのかを調査す
る。なお、上記の調査を行った後、接触子12を半導体
素子11に当て直して異なる接触状態での特性測定を行
ってもよい。
For investigation of the cause of the defect, for example, the response signal waveform from the semiconductor element 11 in the defective measurement item is referred to, or the same contactor 12 as when the defect is judged by giving a signal to the semiconductor element 11 again. Is measured in the contact state to investigate whether the defect is in the circuit, the contact of the contact 12 is defective, or other cause. After conducting the above-mentioned investigation, the contact 12 may be re-applied to the semiconductor element 11 to measure the characteristics in different contact states.

【0023】このような調査により、不良判定が出た際
の状態を保ったままの原因究明を行うことができ、的確
に不良原因を判別することが可能となる。また、この不
良原因調査によって、不良原因が半導体素子11の回路
内部の欠陥によるもと分かった場合には、そのウエハ1
0における製造工程へその内容をフィードバックし、同
じ欠陥が生じないよう即座に対応すればよい。一方、不
良原因が接触子12の当接不良であることが分かった場
合には、接触子12の接触圧力等の調整を行い、次の検
査にて同様な当接不良が発生しないよう対処すればよ
い。
By such an investigation, it is possible to investigate the cause while maintaining the state when the defect is determined, and it is possible to accurately determine the cause of the defect. If the cause of the defect is found to be due to a defect inside the circuit of the semiconductor element 11 by this defect cause investigation, the wafer 1
The content may be fed back to the manufacturing process at 0, and the same defect may be immediately dealt with so as not to occur. On the other hand, when it is found that the cause of the contact failure is the contact failure of the contactor 12, the contact pressure of the contactor 12 or the like is adjusted so that similar contact failure will not occur in the next inspection. Good.

【0024】不良原因調査が終了した後は、ステップS
9に示すように停止解除を行う。すなわち、コントロー
ラ4から自動選別装置3へ停止解除を示す信号を送り、
通常の検査処理を再開する。そして、ステップS5へ進
み全ての半導体素子11の検査を終了したか否かを判断
し、終了していない場合にはステップS6〜ステップS
2へ進んで次の半導体素子11の測定を開始する。ま
た、全ての半導体素子11の検査を終了している場合に
は、検査処理を終了する。このような半導体素子11の
検査方法により、不良判定が出た段階での適切な原因調
査を即座に行うことが可能となる。
After the defect cause investigation is completed, step S
As shown in 9, the stop is released. That is, the controller 4 sends a signal indicating the stop release to the automatic sorting device 3,
Normal inspection processing is resumed. Then, the process proceeds to step S5, and it is determined whether or not the inspection of all the semiconductor elements 11 is completed. If not completed, steps S6 to S are performed.
Proceed to 2 to start measurement of the next semiconductor element 11. When the inspection of all the semiconductor elements 11 has been completed, the inspection process is completed. With such a method of inspecting the semiconductor element 11, it is possible to immediately perform an appropriate cause investigation at the stage when a defect is determined.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体素
子の検査方法によれば次のような効果がある。すなわ
ち、本発明では半導体素子の電気的特性における良否を
判定し、不良となった場合にその段階で接触子の当接状
態を保ったまま検査を停止しているため、不良判定が出
た時点で即座にその原因を調査することが可能となる。
しかも、停止の際に接触子の当接状態が保たれているた
め、不良判定が出た際と同様な条件による原因究明を行
うことが可能となり、不良原因の的確な調査結果を得る
ことが可能となる。これらによって、半導体素子の不良
原因を調査するのに必要な作業工数を大幅に削減するこ
とが可能となる。
As described above, the method for inspecting a semiconductor device of the present invention has the following effects. That is, in the present invention, the quality of the electrical characteristics of the semiconductor element is determined, and when a defect is found, the inspection is stopped while maintaining the contact state of the contact at that stage, and therefore, when the defect is determined, With, it becomes possible to investigate the cause immediately.
Moreover, since the contact state of the contactor is maintained at the time of stop, it is possible to investigate the cause under the same conditions as when a defect judgment is made, and obtain an accurate investigation result of the defect cause. It will be possible. As a result, it is possible to significantly reduce the number of work steps required for investigating the cause of the defect in the semiconductor element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を説明するフローチャートで
ある。
FIG. 1 is a flowchart illustrating an embodiment of the present invention.

【図2】検査装置を説明する模式図で、(a)は全体
図、(b)はコントローラ、(c)は検査状態を示すも
のである。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an inspection apparatus, in which (a) is an overall view, (b) is a controller, and (c) is an inspection state.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 検査装置 2 測定器 3 自動選別装置 4 コントローラ 5 インタフェースケーブル 6 入出力用ケーブル 10 ウエハ 11 半導体素子 12 接触子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Inspection device 2 Measuring device 3 Automatic sorting device 4 Controller 5 Interface cable 6 Input / output cable 10 Wafer 11 Semiconductor element 12 Contact

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウエハに形成された複数の半導体素子に
対して順に接触子を当接し、該接触子から該半導体素子
に与えた信号に対する応答に基づいて電気的特性におけ
る良否の判定を行い、 前記電気的特性における良否判定が不良となった場合
に、その段階で検査対象となっている半導体素子に当接
している前記接触子の状態を保ったまま検査を停止する
ことを特徴とする半導体素子の検査方法。
1. A contactor is sequentially brought into contact with a plurality of semiconductor elements formed on a wafer, and the quality of electrical characteristics is judged based on a response to a signal given from the contactor to the semiconductor element. When the pass / fail judgment in the electrical characteristics is defective, the inspection is stopped while maintaining the state of the contactor in contact with the semiconductor element being inspected at that stage. Device inspection method.
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