JPH08116212A - 電圧制御発振回路 - Google Patents
電圧制御発振回路Info
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- JPH08116212A JPH08116212A JP25328394A JP25328394A JPH08116212A JP H08116212 A JPH08116212 A JP H08116212A JP 25328394 A JP25328394 A JP 25328394A JP 25328394 A JP25328394 A JP 25328394A JP H08116212 A JPH08116212 A JP H08116212A
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- controlled oscillator
- voltage controlled
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- circuit
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発振周波数範囲の広帯域化を図った電圧制御
発振回路に関し、発振出力のＣ／Ｎ比を良好に保持しつ
つ発振周波数を広範囲に変化できる電圧制御発振回路を
提供することを目的とする。 【構成】 可変容量素子を含むＬＣ同調回路を備え、該
可変容量素子のキャパシタンスを変化させることにより
発振周波数を制御するよう構成された電圧制御発振回路
において、該ＬＣ同調回路のインダクタンス部は、複数
のインダクタで構成され、該インダクタの組合せを変え
ることによりインダクタンスの値が多段階に切り換えら
れ、また、該ＬＣ同調回路のキャパシタンス部にキャパ
シタンスを追加しうる帯域制御部を備え、該帯域制御部
により該キャパシタンス部のキャパシタンスを増減させ
て発振周波数の帯域が切り換えることを特徴とする電圧
制御発振回路。
発振回路に関し、発振出力のＣ／Ｎ比を良好に保持しつ
つ発振周波数を広範囲に変化できる電圧制御発振回路を
提供することを目的とする。 【構成】 可変容量素子を含むＬＣ同調回路を備え、該
可変容量素子のキャパシタンスを変化させることにより
発振周波数を制御するよう構成された電圧制御発振回路
において、該ＬＣ同調回路のインダクタンス部は、複数
のインダクタで構成され、該インダクタの組合せを変え
ることによりインダクタンスの値が多段階に切り換えら
れ、また、該ＬＣ同調回路のキャパシタンス部にキャパ
シタンスを追加しうる帯域制御部を備え、該帯域制御部
により該キャパシタンス部のキャパシタンスを増減させ
て発振周波数の帯域が切り換えることを特徴とする電圧
制御発振回路。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発振周波数範囲の広帯域
化を図った電圧制御発振回路に関する。
化を図った電圧制御発振回路に関する。
【０００２】情報通信分野では様々な面で機器の小型軽
量化と共に周波数の広帯域化が要請されているが、通信
機器等で多用される周波数シンセサイザにおける電圧制
御発振回路にも同様の要求があり、発振周波数の広帯域
化が求められている。
量化と共に周波数の広帯域化が要請されているが、通信
機器等で多用される周波数シンセサイザにおける電圧制
御発振回路にも同様の要求があり、発振周波数の広帯域
化が求められている。
【０００３】
【従来の技術】図６に従来の電圧制御発振回路の例を示
す。この電圧制御発振回路はトランジスタ２０とキャパ
シタ２１からなる発振部と並列ＬＣ同調回路とで構成さ
れる。一般に、並列ＬＣ同調回路は無線周波など高周波
の発振回路における同調回路として用いられ、図６に示
すようにインダクタ２２とキャパシタ２３と可変容量素
子２４（図では可変容量ダイオード）を並列に接続した
基本構成となるのが普通である。この電圧制御発振回路
では、発振周波数制御電圧ＶC を変化させて並列ＬＣ同
調回路の可変容量ダイオード２４のキャパシタンスを増
減させることにより発振周波数の制御を行っている。
す。この電圧制御発振回路はトランジスタ２０とキャパ
シタ２１からなる発振部と並列ＬＣ同調回路とで構成さ
れる。一般に、並列ＬＣ同調回路は無線周波など高周波
の発振回路における同調回路として用いられ、図６に示
すようにインダクタ２２とキャパシタ２３と可変容量素
子２４（図では可変容量ダイオード）を並列に接続した
基本構成となるのが普通である。この電圧制御発振回路
では、発振周波数制御電圧ＶC を変化させて並列ＬＣ同
調回路の可変容量ダイオード２４のキャパシタンスを増
減させることにより発振周波数の制御を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】並列ＬＣ同調回路で
は、Ｈｉｇｈ Ｃ Ｌｏｗ Ｌ（キャパシタンスの値を
高く、インダクタンスの値を低く）の原則がある。これ
は、並列ＬＣ同調回路において、プリント板上のパター
ンや部品の実装により生じる浮遊容量の影響をできるだ
け小さくするために、インダクタンスの値に比べてキャ
パシタンスの値を大きくとるという原則である。この原
則を考慮して、並列ＬＣ同調回路のキャパシタンスの最
低値は浮遊容量を無視できる程度の値にする必要があ
る。図６の電圧制御発振回路の並列ＬＣ同調回路のキャ
パシタ２３はこの最低値を確保するためのものである。
したがって、並列ＬＣ同調回路のキャパシタンスは固定
容量キャパシタの値以下にすることはできず、可変容量
ダイオードのキャパシタンスの変化だけで対応できる発
振周波数可変範囲には限度があった。
は、Ｈｉｇｈ Ｃ Ｌｏｗ Ｌ（キャパシタンスの値を
高く、インダクタンスの値を低く）の原則がある。これ
は、並列ＬＣ同調回路において、プリント板上のパター
ンや部品の実装により生じる浮遊容量の影響をできるだ
け小さくするために、インダクタンスの値に比べてキャ
パシタンスの値を大きくとるという原則である。この原
則を考慮して、並列ＬＣ同調回路のキャパシタンスの最
低値は浮遊容量を無視できる程度の値にする必要があ
る。図６の電圧制御発振回路の並列ＬＣ同調回路のキャ
パシタ２３はこの最低値を確保するためのものである。
したがって、並列ＬＣ同調回路のキャパシタンスは固定
容量キャパシタの値以下にすることはできず、可変容量
ダイオードのキャパシタンスの変化だけで対応できる発
振周波数可変範囲には限度があった。
【０００５】また、図６のような電圧制御発振回路の発
振周波数可変範囲をできるだけ広くするために、電圧感
度、すなわち制御電圧の１Ｖの変化に対する発振周波数
の変化率が高くなるような可変容量ダイオードを選定す
るという方法がある。しかし、電圧制御発振回路の電圧
感度を高くすると、発振周波数の可変範囲が広くなる代
わりに発振出力のＣ／Ｎ比（搬送波対雑音比）が劣化
し、逆に、電圧制御発振回路の電圧感度を低くすると、
発振出力のＣ／Ｎ比が良くなる代わりに発振周波数の可
変範囲が狭くなるという相反する条件がある。以上述べ
た問題点により、電圧制御発振回路では発振周波数の広
帯域化の要請に応えるのが難しかった。
振周波数可変範囲をできるだけ広くするために、電圧感
度、すなわち制御電圧の１Ｖの変化に対する発振周波数
の変化率が高くなるような可変容量ダイオードを選定す
るという方法がある。しかし、電圧制御発振回路の電圧
感度を高くすると、発振周波数の可変範囲が広くなる代
わりに発振出力のＣ／Ｎ比（搬送波対雑音比）が劣化
し、逆に、電圧制御発振回路の電圧感度を低くすると、
発振出力のＣ／Ｎ比が良くなる代わりに発振周波数の可
変範囲が狭くなるという相反する条件がある。以上述べ
た問題点により、電圧制御発振回路では発振周波数の広
帯域化の要請に応えるのが難しかった。
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであり、発振出力のＣ／Ｎ比を良好に保持しつつ発振
周波数を広範囲に変化できる電圧制御発振回路を提供す
ることを目的とする。
のであり、発振出力のＣ／Ｎ比を良好に保持しつつ発振
周波数を広範囲に変化できる電圧制御発振回路を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】図１は本発明
に係る原理説明図である。上述の課題を解決するため
に、本発明においては、図１で示されるように、ＬＣ同
調回路１のキャパシタンス部３は可変容量素子６を含ん
で構成し、また、ＬＣ同調回路のインダクタンス部２は
組合せの変更が可能な複数のインダクタ５で構成した電
圧制御発振回路が提供される。
に係る原理説明図である。上述の課題を解決するため
に、本発明においては、図１で示されるように、ＬＣ同
調回路１のキャパシタンス部３は可変容量素子６を含ん
で構成し、また、ＬＣ同調回路のインダクタンス部２は
組合せの変更が可能な複数のインダクタ５で構成した電
圧制御発振回路が提供される。
【０００８】このように構成することで、発振周波数制
御電圧で可変容量素子６のキャパシタンスを変化させる
と共に、複数のインダクタ５の組合せを変更して合成イ
ンダクタンスを多段階に切り換えることにより、電圧制
御発振回路の発振周波数を広範囲に変化させることがで
きる。
御電圧で可変容量素子６のキャパシタンスを変化させる
と共に、複数のインダクタ５の組合せを変更して合成イ
ンダクタンスを多段階に切り換えることにより、電圧制
御発振回路の発振周波数を広範囲に変化させることがで
きる。
【０００９】また、この電圧制御発振回路は、ＬＣ同調
回路１のキャパシタンス部３にキャパシタンスを追加し
うる帯域制御部４を更に備えた構成とすることができ
る。
回路１のキャパシタンス部３にキャパシタンスを追加し
うる帯域制御部４を更に備えた構成とすることができ
る。
【００１０】このように構成することで、ＬＣ同調回路
１のキャパシタンス部３に対してキャパシタを追加また
は分離して全体のキャパシタンスを増減させることによ
り、キャパシタンス部３とインダクタンス部２で調整可
能な発振周波数の帯域を変更することができる。
１のキャパシタンス部３に対してキャパシタを追加また
は分離して全体のキャパシタンスを増減させることによ
り、キャパシタンス部３とインダクタンス部２で調整可
能な発振周波数の帯域を変更することができる。
【００１１】また、この電圧制御発振回路は、帯域制御
部４を第２の可変容量素子８を含んた構成とすることが
できる。
部４を第２の可変容量素子８を含んた構成とすることが
できる。
【００１２】すなわち、帯域制御部４が含む第２の可変
容量素子８のキャパシタンスを帯域制御電圧で制御し
て、ＬＣ同調回路１全体のキャパシタンスを連続的に増
減させることにより、キャパシタンス部３およびインダ
クタンス部２で調整可能な発振周波数の帯域を連続的に
変更することができる。
容量素子８のキャパシタンスを帯域制御電圧で制御し
て、ＬＣ同調回路１全体のキャパシタンスを連続的に増
減させることにより、キャパシタンス部３およびインダ
クタンス部２で調整可能な発振周波数の帯域を連続的に
変更することができる。
【００１３】なお、図１に示したＬＣ同調回路１の構成
は一例である。
は一例である。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図２〜図５に本発明の実施例としての電圧制御発
振回路を示す。図２〜図５の各電圧制御発振回路の間で
対応する部分には同一の記号が付されている。
する。図２〜図５に本発明の実施例としての電圧制御発
振回路を示す。図２〜図５の各電圧制御発振回路の間で
対応する部分には同一の記号が付されている。
【００１５】以下に説明する各電圧制御発振回路は発振
部と並列ＬＣ同調回路とで構成される。発振部はトラン
ジスタＴ１とキャパシタＣ１で構成され、並列ＬＣ同調
回路はインダクタンス部とキャパシタンス部との並列接
続により構成される。
部と並列ＬＣ同調回路とで構成される。発振部はトラン
ジスタＴ１とキャパシタＣ１で構成され、並列ＬＣ同調
回路はインダクタンス部とキャパシタンス部との並列接
続により構成される。
【００１６】図２には本発明の実施例が示される。この
電圧制御発振回路の並列ＬＣ同調回路において、インダ
クタンス部は、並列接続された複数個のインダクタＬａ
〜Ｌｎを主要部とし、その他にトランジスタスイッチＴ
ａ〜Ｔｎ、キャパシタＣａ〜Ｃｎ、インダクタＬ１を加
えて構成される。また、キャパシタンス部は、並列接続
された固定容量キャパシタＣ２と可変容量ダイオードＶ
１を主要部とし、その他にキャパシタＣ４とインダクタ
Ｌ２を加えて構成される。
電圧制御発振回路の並列ＬＣ同調回路において、インダ
クタンス部は、並列接続された複数個のインダクタＬａ
〜Ｌｎを主要部とし、その他にトランジスタスイッチＴ
ａ〜Ｔｎ、キャパシタＣａ〜Ｃｎ、インダクタＬ１を加
えて構成される。また、キャパシタンス部は、並列接続
された固定容量キャパシタＣ２と可変容量ダイオードＶ
１を主要部とし、その他にキャパシタＣ４とインダクタ
Ｌ２を加えて構成される。
【００１７】インダクタンス部のインダクタＬａ〜Ｌｎ
は、実際には、例えば、導体を空芯またはボビンにスパ
イラル状に巻いたコイル、プリント基板上に印刷して構
成した線状またはスパイラル状の印刷パターン、多層プ
リント板の各層に渡り形成したコイルなどである。
は、実際には、例えば、導体を空芯またはボビンにスパ
イラル状に巻いたコイル、プリント基板上に印刷して構
成した線状またはスパイラル状の印刷パターン、多層プ
リント板の各層に渡り形成したコイルなどである。
【００１８】インダクタＬａ〜Ｌｎにはそれぞれトラン
ジスタスイッチＴａ〜Ｔｎが直列接続され、各トランジ
スタスイッチはＣＰＵ等の制御回路からの制御信号
（ａ）〜（ｎ）によりオンオフされる。したがって、イ
ンダクタンス部の合計インダクタンスは、トランジスタ
スイッチがオンになっているインダクタの並列合成イン
ダクタンスである。
ジスタスイッチＴａ〜Ｔｎが直列接続され、各トランジ
スタスイッチはＣＰＵ等の制御回路からの制御信号
（ａ）〜（ｎ）によりオンオフされる。したがって、イ
ンダクタンス部の合計インダクタンスは、トランジスタ
スイッチがオンになっているインダクタの並列合成イン
ダクタンスである。
【００１９】キャパシタＣａ〜Ｃｎは、トランジスタス
イッチがオンの時に流れる高周波電流をアースへ導くた
めのものである。また、インダクタＬ１は、各トランジ
スタに直流バイアス電圧Ｖｃｃを印加する電源に高周波
電流が流れ込まないようにするためのものである。
イッチがオンの時に流れる高周波電流をアースへ導くた
めのものである。また、インダクタＬ１は、各トランジ
スタに直流バイアス電圧Ｖｃｃを印加する電源に高周波
電流が流れ込まないようにするためのものである。
【００２０】なお、トランジスタスイッチの代わりに他
の種類のスイッチを用いても構わない。
の種類のスイッチを用いても構わない。
【００２１】インダクタンス部とキャパシタンス部の間
には、インダクタンス部からキャパシタンス部へ直流が
流れ込むのを防止するためにキャパシタＣ３が挿入され
ている。
には、インダクタンス部からキャパシタンス部へ直流が
流れ込むのを防止するためにキャパシタＣ３が挿入され
ている。
【００２２】キャパシタンス部の固定容量キャパシタＣ
２は回路の浮遊容量の影響を無視できる最低限以上のキ
ャパシタンスを確保するためのものである。可変容量ダ
イオードＶ１は印加される発振周波数制御電圧Ｖｃによ
りキャパシタンスが変化する。キャパシタＣ４は、発振
部からキャパシタンス部へ流れ込む直流を遮断するため
のものである。また、インダクタＬ２は、発振周波数制
御電圧Ｖｃの電源に高周波電流が流れ込まないようにす
るためのものである。キャパシタンス部のキャパシタン
スは、主に、固定容量キャパシタＣ２と可変容量ダイオ
ードＶ１の並列合成キャパシタンスにより決定する。
２は回路の浮遊容量の影響を無視できる最低限以上のキ
ャパシタンスを確保するためのものである。可変容量ダ
イオードＶ１は印加される発振周波数制御電圧Ｖｃによ
りキャパシタンスが変化する。キャパシタＣ４は、発振
部からキャパシタンス部へ流れ込む直流を遮断するため
のものである。また、インダクタＬ２は、発振周波数制
御電圧Ｖｃの電源に高周波電流が流れ込まないようにす
るためのものである。キャパシタンス部のキャパシタン
スは、主に、固定容量キャパシタＣ２と可変容量ダイオ
ードＶ１の並列合成キャパシタンスにより決定する。
【００２３】図３には本発明の他の実施例が示される。
この電圧制御発振回路は、並列ＬＣ同調回路におけるイ
ンダクタンス部の構成だけが図２と異なる。インダクタ
Ｌｎは中間に複数のタップを有するタイプである。この
ようなインダクタを使用する代わりに直列接続した複数
のインダクタの各接続点からタップをとるようにしても
構わない。
この電圧制御発振回路は、並列ＬＣ同調回路におけるイ
ンダクタンス部の構成だけが図２と異なる。インダクタ
Ｌｎは中間に複数のタップを有するタイプである。この
ようなインダクタを使用する代わりに直列接続した複数
のインダクタの各接続点からタップをとるようにしても
構わない。
【００２４】各タップとアース間にはトランジスタスイ
ッチＴａ〜Ｔｎが接続され、各トランジスタスイッチは
ＣＰＵ等の制御回路からの制御信号（ａ）〜（ｎ）によ
りオンオフされる。トランジスタスイッチがオンの時、
対応するタップとアース間がキャパシタＣｎを介して高
周波的にアースされる。この場合、インダクタＬｎの最
上位タップ（図ではトランジスタＴｎが接続するタッ
プ）から数えて何個目のトランジスタスイッチをオンす
るかによってインダクタンス部のインダクタンスが決定
する。
ッチＴａ〜Ｔｎが接続され、各トランジスタスイッチは
ＣＰＵ等の制御回路からの制御信号（ａ）〜（ｎ）によ
りオンオフされる。トランジスタスイッチがオンの時、
対応するタップとアース間がキャパシタＣｎを介して高
周波的にアースされる。この場合、インダクタＬｎの最
上位タップ（図ではトランジスタＴｎが接続するタッ
プ）から数えて何個目のトランジスタスイッチをオンす
るかによってインダクタンス部のインダクタンスが決定
する。
【００２５】インダクタＬ１は、各トランジスタに直流
バイアス電圧Ｖｃｃを印加する電源に高周波電流が流れ
込まないようにするためのものである。
バイアス電圧Ｖｃｃを印加する電源に高周波電流が流れ
込まないようにするためのものである。
【００２６】図４には本発明のまた他の実施例が示され
る。この電圧制御発振回路は、図２の電圧制御発振回路
に帯域制御部を付加した構成になっている。帯域制御部
は、可変容量ダイオードＶ２とキャパシタＣ５とインダ
クタ３とで構成され、ＬＣ同調回路のキャパシタンス部
に並列に接続される。
る。この電圧制御発振回路は、図２の電圧制御発振回路
に帯域制御部を付加した構成になっている。帯域制御部
は、可変容量ダイオードＶ２とキャパシタＣ５とインダ
クタ３とで構成され、ＬＣ同調回路のキャパシタンス部
に並列に接続される。
【００２７】可変容量ダイオードＶ２は印加される帯域
制御電圧Ｖｂによりキャパシタンスが調節される。キャ
パシタＣ５は発振部から帯域制御部へ流れ込む直流を遮
断するためのものである。また、インダクタＬ３は帯域
制御電圧の電源に高周波電流が流れ込まないようにする
ためのものである。
制御電圧Ｖｂによりキャパシタンスが調節される。キャ
パシタＣ５は発振部から帯域制御部へ流れ込む直流を遮
断するためのものである。また、インダクタＬ３は帯域
制御電圧の電源に高周波電流が流れ込まないようにする
ためのものである。
【００２８】したがって、キャパシタンス部のキャパシ
タンスは、主に、固定容量キャパシタＣ２と可変容量ダ
イオードＶ１と可変容量ダイオードＶ２の並列合成キャ
パシタンスにより決定する。
タンスは、主に、固定容量キャパシタＣ２と可変容量ダ
イオードＶ１と可変容量ダイオードＶ２の並列合成キャ
パシタンスにより決定する。
【００２９】図５には本発明のまた他の実施例が示され
る。この電圧制御発振回路は、図３の電圧制御発振回路
に上記の帯域制御部を付加した構成になっている。
る。この電圧制御発振回路は、図３の電圧制御発振回路
に上記の帯域制御部を付加した構成になっている。
【００３０】以上に述べた電圧制御発振回路は、キャパ
シタンス部の可変容量ダイオードＶ１のキャパシタンス
を発振周波数制御電圧Ｖｃで変化させることにより発振
周波数を変化させているが、可変容量ダイオードＶ１だ
けでは対応できない周波数の発振を可能にするためにイ
ンダクタンス部のインダクタンスも変化させている。そ
のために、インダクタンス部を設計する際、必要な発振
周波数に対して最適なインダクタの値および組合せを決
定しておき、運用時に、所望の発振周波数が得られるイ
ンダクタの組合せとなるように制御回路からのスイッチ
制御信号（ａ）〜（ｎ）でトランジスタスイッチのオン
オフを制御している。
シタンス部の可変容量ダイオードＶ１のキャパシタンス
を発振周波数制御電圧Ｖｃで変化させることにより発振
周波数を変化させているが、可変容量ダイオードＶ１だ
けでは対応できない周波数の発振を可能にするためにイ
ンダクタンス部のインダクタンスも変化させている。そ
のために、インダクタンス部を設計する際、必要な発振
周波数に対して最適なインダクタの値および組合せを決
定しておき、運用時に、所望の発振周波数が得られるイ
ンダクタの組合せとなるように制御回路からのスイッチ
制御信号（ａ）〜（ｎ）でトランジスタスイッチのオン
オフを制御している。
【００３１】また、図４および図５の電圧制御発振回路
は、帯域制御部の可変容量ダイオードＶ２のキャパシタ
ンスを帯域制御電圧Ｖｂで変化させることにより、発振
周波数の更に広範囲な変化を可能にしている。この場
合、一つの方法として、帯域制御電圧Ｖｂの値を不連続
的に多段階に切り換えることにより発振周波数の帯域選
択を行い、キャパシタンス部とインダクタンス部により
選択帯域内で発振周波数を変化させるようにすることが
できる。勿論、帯域制御電圧Ｖｂを連続的に変化させて
も構わない。また、帯域制御電圧Ｖｂを不連続的に多段
階に変化させるのであれば、帯域制御部は複数の固定容
量キャパシタの組合せをスイッチで切り換える構成にし
てもよい。
は、帯域制御部の可変容量ダイオードＶ２のキャパシタ
ンスを帯域制御電圧Ｖｂで変化させることにより、発振
周波数の更に広範囲な変化を可能にしている。この場
合、一つの方法として、帯域制御電圧Ｖｂの値を不連続
的に多段階に切り換えることにより発振周波数の帯域選
択を行い、キャパシタンス部とインダクタンス部により
選択帯域内で発振周波数を変化させるようにすることが
できる。勿論、帯域制御電圧Ｖｂを連続的に変化させて
も構わない。また、帯域制御電圧Ｖｂを不連続的に多段
階に変化させるのであれば、帯域制御部は複数の固定容
量キャパシタの組合せをスイッチで切り換える構成にし
てもよい。
【００３２】本発明の実施にあたっては上述の実施例の
他にも種々の変形形態が可能である。実施例に示した回
路構成は一例にすぎず、請求項で規定した構成に当ては
まる限り、いかなる構成であっても構わない。
他にも種々の変形形態が可能である。実施例に示した回
路構成は一例にすぎず、請求項で規定した構成に当ては
まる限り、いかなる構成であっても構わない。
【００３３】
【発明の効果】以上、本発明によれば、従来の電圧制御
発振回路に比べて広い周波数範囲にわたり安定な発振を
得ることが可能となり、電圧制御発振回路の広帯域化を
図ることができる。
発振回路に比べて広い周波数範囲にわたり安定な発振を
得ることが可能となり、電圧制御発振回路の広帯域化を
図ることができる。
【図１】本発明に係る原理説明図である。
【図２】本発明に係る実施例である。
【図３】本発明に係る他の実施例である。
【図４】本発明に係るまた他の実施例である。
【図５】本発明に係るまた他の実施例である。
【図６】従来例を説明するための図である。
１ 並列ＬＣ同調回路 ２ インダクタンス部 ３ キャパシタンス部 ４ 帯域制御部 ５ インダクタ ６、８ 可変容量ダイオード ７ 固定容量キャパシタ ９ 発振部 Ｔ１ 発振部のトランジスタ Ｃ１ 発振部のキャパシタ Ｃ２ 固定容量キャパシタ Ｖ１、Ｖ２ 可変容量ダイオード Ｌａ〜Ｌｎ インダクタ Ｔａ〜Ｔｎ トランジスタスイッチ Ｃａ〜Ｃｎ 高周波アース用キャパシタ Ｃ３〜Ｃ５ 直流遮断用キャパシタ Ｌ１〜Ｌ３ 高周波遮断用インダクタ Ｖｃ 発振周波数制御電圧 Ｖｂ 帯域制御電圧 Ｖｃｃ トランジスタスイッチの直流バイアス電源 （ａ）〜（ｎ） トランジスタスイッチ制御信号
Claims (3)
- 【請求項１】 可変容量素子を含むＬＣ同調回路を備
え、該可変容量素子のキャパシタンスを変化させること
により発振周波数を制御するよう構成された電圧制御発
振回路において、 該ＬＣ同調回路のインダクタンス部は、複数のインダク
タで構成され、該インダクタの組合せを変えることによ
りインダクタンスの値が多段階に切り換えられることを
特徴とする電圧制御発振回路。 - 【請求項２】 可変容量素子を含むＬＣ同調回路を備
え、該可変容量素子のキャパシタンスを変化させること
により発振周波数を制御するよう構成された電圧制御発
振回路において、 該ＬＣ同調回路のキャパシタンス部にキャパシタンスを
追加しうる帯域制御部を備え、 該帯域制御部により該キャパシタンス部のキャパシタン
スを増減させて発振周波数の帯域を切り換えることを特
徴とする電圧制御発振回路。 - 【請求項３】 該帯域制御部は第２の可変容量素子を含
んで構成し、該第２の可変容量素子のキャパシタンスを
変化させることにより、発振周波数の帯域を変化させる
請求項２記載の電圧制御発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25328394A JPH08116212A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 電圧制御発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25328394A JPH08116212A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 電圧制御発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08116212A true JPH08116212A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=17249134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25328394A Withdrawn JPH08116212A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 電圧制御発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08116212A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1391989A1 (en) * | 2001-07-31 | 2004-02-25 | Nokia Corporation | Tuning circuit and IGFET |
| US6784754B1 (en) * | 2002-06-24 | 2004-08-31 | Skyworks,Solutions, Inc. | VCO resonance tuning |
| JP2011101322A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Renesas Electronics Corp | 発振回路及び半導体装置 |
| JP2014112885A (ja) * | 2014-01-07 | 2014-06-19 | Renesas Electronics Corp | 発振回路及び半導体装置 |
-
1994
- 1994-10-19 JP JP25328394A patent/JPH08116212A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1391989A1 (en) * | 2001-07-31 | 2004-02-25 | Nokia Corporation | Tuning circuit and IGFET |
| US6992532B2 (en) | 2001-07-31 | 2006-01-31 | Nokia Corporation | IGFET and tuning circuit |
| US6784754B1 (en) * | 2002-06-24 | 2004-08-31 | Skyworks,Solutions, Inc. | VCO resonance tuning |
| JP2011101322A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Renesas Electronics Corp | 発振回路及び半導体装置 |
| JP2014112885A (ja) * | 2014-01-07 | 2014-06-19 | Renesas Electronics Corp | 発振回路及び半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |