JPH08114649A - Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit device

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JPH08114649A
JPH08114649A JP6251123A JP25112394A JPH08114649A JP H08114649 A JPH08114649 A JP H08114649A JP 6251123 A JP6251123 A JP 6251123A JP 25112394 A JP25112394 A JP 25112394A JP H08114649 A JPH08114649 A JP H08114649A
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JP
Japan
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integrated circuit
semiconductor integrated
circuit device
test
cae
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JP6251123A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideyuki Tanaka
英幸 田中
Hideki Takeda
秀貴 武田
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To shorten the developing period, reduce the cost, and effectively use engineering (CAE) data for a computer by comparing the operation result by an actual chip simulator with a logical simulation result. CONSTITUTION: In a CAE1 for logical simulation, a test pattern generating circuit 4 forms an input pattern necessary for a test and a semiconductor model 3 is simulated on the basis of the input pattern and the result of simulation is stored in a measuring part 5. The input pattern formed by the pattern generating circuit 4 is also sent to an actual chip simulator 2 to be processed by a pattern controller 7 and a timing generator 8 to be converted into an electric signal by a signal generator 9. A test object (MCM) 6 is operated by this electric signal and this operation result is sent to the measuring part 5. The expect value by the simulation result of the model 3 and the actual operation result of the MCM6 are compared in the measuring part 5 to judge the quality of the MCM6.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
テスト技術に関し、特に論理シミュレーション用CAE
(Computer Aided Engineering)を用いたテスト装置に
おいて、実チップシミュレータとのインタフェースによ
って機能テストのテスタビリティの向上が可能とされる
半導体集積回路装置のテスト装置および方法に適用して
有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test technology for semiconductor integrated circuit devices, and more particularly to CAE for logic simulation.
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a technique effectively applied to a test device and method of a semiconductor integrated circuit device in which a test device using (Computer Aided Engineering) can improve the testability of a functional test by interfacing with an actual chip simulator.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体集積回路装置のテスト技術
において、この半導体集積回路装置の一例としてのMC
M(Multi Chip Module )の機能テストは、たとえば図
5に示すようなテストプログラム、テスト用マイコン、
テストパターン発生回路および測定部などから構成され
るテスト対象となるMCMに対応する専用のテスト治具
を用いて行われている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a test technique for a semiconductor integrated circuit device, an MC as an example of the semiconductor integrated circuit device is used.
The function test of M (Multi Chip Module) is performed by, for example, a test program, a test microcomputer,
It is performed by using a dedicated test jig corresponding to an MCM to be tested, which is composed of a test pattern generating circuit, a measuring unit, and the like.

【0003】すなわち、この専用テスト治具によるテス
ト方法は、テスト対象となるMCMの周辺にテスト回路
を設け、このテスト回路の中にはテストプログラムを内
蔵したROMと、テストプログラムを実行するテスト用
マイコンのマイクロプロセッサとが備えられている。
That is, in the test method using this dedicated test jig, a test circuit is provided around the MCM to be tested, and in this test circuit, a ROM containing a test program and a test program for executing the test program are provided. A microcomputer microprocessor is provided.

【0004】そして、まずMCMにテスト回路のテスト
パターン発生回路を通じてテスト信号が入力され、MC
Mはこのテスト信号に対する出力信号をテスト回路の測
定部に返し、測定部ではこの信号のタイミングや電圧レ
ベルなどを判定することによって、あらかじめ設定され
た期待値と比較することによってMCMのテストが行わ
れる。
First, a test signal is input to the MCM through the test pattern generation circuit of the test circuit, and the MC
The M returns the output signal corresponding to this test signal to the measurement section of the test circuit, and the measurement section determines the timing and voltage level of this signal, and compares it with the preset expected value to test the MCM. Be seen.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な専用テスト治具によるテスト技術においては、種類の
異なる半導体集積回路装置のそれぞれに対応するテスト
治具が必要となるために、ハードウェアおよびソフトウ
ェアの開発に時間がかかり、多大なマンパワーを必要と
し、さらにテスト治具のコストも高くなるという問題が
生じる。
However, in the test technique using the dedicated test jig as described above, since the test jigs corresponding to the different types of semiconductor integrated circuit devices are required, the hardware and It takes time to develop software, requires a lot of manpower, and raises the cost of the test jig.

【0006】また、近年のように各設計工程において人
手作業を計算機で援用するCAEなどで半導体集積回路
装置が設計されている場合には、このCAE上に存在す
る設計データをテストのために活用することができない
という問題も生じる。
When a semiconductor integrated circuit device is designed by a CAE or the like in which a manual work is aided by a computer in each design process as in recent years, the design data existing on the CAE is utilized for a test. There is also the problem of being unable to do so.

【0007】そこで、本発明の目的は、従来のような専
用のテスト治具を用いないこと、CAEからの一貫した
テスト方法を考慮して、開発期間の短縮、コストの低
減、CAEデータの有効活用、半導体集積回路装置の不
良箇所特定率の向上、さらにテスト回路変更の容易性に
ついて解決し、CAEを用いた機能テストのテスタビリ
ティを向上させることでができる半導体集積回路装置の
テスト装置および方法を提供することにある。
Therefore, the object of the present invention is to shorten the development period, reduce the cost, and make the CAE data effective in consideration of not using a dedicated test jig as in the past, and considering a consistent test method from CAE. Test apparatus and method for semiconductor integrated circuit device, which can be utilized, improved defective portion identification rate of semiconductor integrated circuit device, solved easiness of test circuit change, and improved testability of functional test using CAE To provide.

【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Of the inventions disclosed in the present application, a representative one will be briefly described below.
It is as follows.

【0010】すなわち、本発明の半導体集積回路装置の
テスト装置は、CAEを用いることを特徴とするもので
あり、テスト対象となる半導体集積回路装置のテスト回
路を作成する論理シミュレーション用CAEと、この論
理シミュレーション用CAEに接続された半導体集積回
路装置の実チップシミュレータとを有し、実チップシミ
ュレータにテスト対象となる半導体集積回路装置を実装
し、その動作結果と論理シミュレーション用CAEのテ
スト回路による動作結果とを比較して、半導体集積回路
装置の機能測定を行うものである。
That is, the test apparatus for a semiconductor integrated circuit device according to the present invention is characterized by using a CAE, and a CAE for logic simulation for creating a test circuit for the semiconductor integrated circuit device to be tested, and this CAE. A real chip simulator of a semiconductor integrated circuit device connected to a CAE for logic simulation, a semiconductor integrated circuit device to be tested is mounted on the real chip simulator, and the operation result and the operation by the test circuit of the CAE for logic simulation are mounted. The function of the semiconductor integrated circuit device is measured by comparing the result with the result.

【0011】この場合に、論理シミュレーション用CA
Eのテスト回路を、テストパターン発生手段と測定手段
とから構成し、特に半導体集積回路装置の選別を行う場
合には、テストパターン発生手段の情報による半導体集
積回路装置と同等の機能を持つ半導体モデルを用いたシ
ミュレーション結果を期待値としたり、またはこれに相
当する情報を外部から入力して、テストパターン発生手
段の情報による実チップシミュレータにおける半導体集
積回路装置を動作させた結果値を測定手段に戻し、この
測定手段において、シミュレーション結果による期待値
と、半導体集積回路装置を動作させた結果値とを比較す
るようにしたものである。
In this case, the logic simulation CA
The test circuit E is composed of a test pattern generating means and a measuring means, and particularly when a semiconductor integrated circuit device is selected, a semiconductor model having the same function as the semiconductor integrated circuit device based on the information of the test pattern generating means. Is used as the expected value, or information equivalent to this is input from the outside, and the result value of operating the semiconductor integrated circuit device in the actual chip simulator by the information of the test pattern generating means is returned to the measuring means. In this measuring means, the expected value obtained by the simulation result is compared with the result value obtained by operating the semiconductor integrated circuit device.

【0012】さらに、特に半導体集積回路装置の作成段
階の評価を行う場合には、実チップシミュレータにおけ
る半導体集積回路装置を動作させた結果値に基づいて、
テストパターン発生手段および半導体モデルのパラメー
タ値を変更したり、またアナログ的な機能における選別
を行う場合には、実チップシミュレータにおける半導体
集積回路装置を動作させた結果値を半導体テスタなどに
より測定するようにしたものである。
Further, particularly in the case of evaluating the manufacturing stage of the semiconductor integrated circuit device, based on the result value of operating the semiconductor integrated circuit device in the actual chip simulator,
When changing the parameter values of the test pattern generating means and the semiconductor model, or when selecting in the analog function, measure the result value of operating the semiconductor integrated circuit device in the actual chip simulator with a semiconductor tester or the like. It is the one.

【0013】また、本発明の半導体集積回路装置のテス
ト方法は、論理シミュレーション用CAE上でテスト対
象の半導体集積回路装置のテストパターン発生手段を作
成し、論理シミュレーション用CAEとインタフェース
のとれる実チップシミュレータにより半導体集積回路装
置を動作させ、その出力結果を論理シミュレーション用
CAE上で作成した測定手段に戻し、この測定手段にお
いて、論理シミュレーション用CAE上で半導体集積回
路装置と同等の機能を持つ半導体モデルを用いたシミュ
レーション結果と、実チップシミュレータにおける半導
体集積回路装置の動作結果とを比較して半導体集積回路
装置の機能測定を行うものである。
Further, according to the semiconductor integrated circuit device testing method of the present invention, a test pattern generating means for the semiconductor integrated circuit device to be tested is created on the logic simulation CAE, and an actual chip simulator capable of interfacing with the logic simulation CAE. To operate the semiconductor integrated circuit device and return the output result to the measuring means created on the CAE for logic simulation. In this measuring means, a semiconductor model having the same function as the semiconductor integrated circuit device on the CAE for logic simulation is obtained. The function measurement of the semiconductor integrated circuit device is performed by comparing the simulation result used with the operation result of the semiconductor integrated circuit device in the actual chip simulator.

【0014】[0014]

【作用】前記した半導体集積回路装置のテスト装置およ
び方法によれば、テスト対象となる半導体集積回路装置
の実チップシミュレータの他に、この半導体集積回路装
置のテスト回路を作成する論理シミュレーション用CA
Eを有することにより、テスト対象となる半導体集積回
路装置のテスト回路を論理シミュレーション用CAE上
で作成することができる。
According to the above-described semiconductor integrated circuit device testing apparatus and method, in addition to the actual chip simulator of the semiconductor integrated circuit device to be tested, a logic simulation CA for creating a test circuit of this semiconductor integrated circuit device is also provided.
By having E, the test circuit of the semiconductor integrated circuit device to be tested can be created on the CAE for logic simulation.

【0015】すなわち、論理シミュレーション用CAE
ではテスト回路を作成し、このテスト回路はテストパタ
ーン発生手段と測定手段とからなる。このテストパター
ン発生手段では、テストに必要な信号を作成し、また測
定手段では実チップシミュレータより出力される信号の
測定を行い、さらにこの測定手段にはテストの期待値が
記憶されており、実チップシミュレータの出力との比較
を行う。
That is, CAE for logic simulation
Then, a test circuit is created, and this test circuit includes a test pattern generating means and a measuring means. In this test pattern generating means, a signal required for the test is created, and in the measuring means, the signal output from the actual chip simulator is measured, and the expected value of the test is stored in this measuring means. Compare with the output of the chip simulator.

【0016】また、論理シミュレーション用CAE上で
は、半導体集積回路装置の半導体モデルをシミュレーシ
ョンし、その結果を期待値として使用したり、またはこ
れに相当する情報を外部から入力して期待値として使用
する。
On the CAE for logic simulation, a semiconductor model of a semiconductor integrated circuit device is simulated and the result is used as an expected value, or information corresponding to this is externally input and used as an expected value. .

【0017】一方、実チップシミュレータは、論理シミ
ュレーション用CAEからテストに必要な信号を受け取
り、それに合わせた信号を発生させ、半導体集積回路装
置を動作させる。この動作結果である信号を論理シミュ
レーション用CAEまたは半導体テスタに出力する。な
お、半導体テスタへは信号をそのまま出力する。
On the other hand, the real chip simulator receives a signal required for a test from the CAE for logic simulation, generates a signal corresponding to the signal, and operates the semiconductor integrated circuit device. The signal resulting from this operation is output to the CAE for logic simulation or the semiconductor tester. The signal is output as it is to the semiconductor tester.

【0018】また、半導体テスタでは、実チップシミュ
レータまたは実チップより受け取った信号の測定を行
い、この場合に論理シミュレーション用CAEより受け
取ったシミュレーション結果を期待値として用いる。
In the semiconductor tester, the signal received from the real chip simulator or the real chip is measured, and the simulation result received from the logic simulation CAE in this case is used as an expected value.

【0019】以上により、論理シミュレーション用CA
Eの測定手段において、実チップシミュレータにおける
半導体集積回路装置による動作結果と、論理シミュレー
ション用CAEによる期待値とを比較することにより、
半導体集積回路装置の良否選別を行うことができる。
From the above, the CA for logic simulation
In the measuring means of E, by comparing the operation result by the semiconductor integrated circuit device in the real chip simulator and the expected value by the CAE for logic simulation,
The quality of the semiconductor integrated circuit device can be determined.

【0020】また、実チップシミュレータにおける半導
体集積回路装置の動作結果に基づいて、テストパターン
発生手段および半導体モデルのパラメータ値を変更する
ことにより、半導体集積回路装置の作成段階における評
価を行うことができ、さらに半導体集積回路装置の動作
結果を半導体テスタによって測定することにより、半導
体集積回路装置のアナログ的な機能における良否選別を
可能とすることができる。
Further, by changing the parameter values of the test pattern generating means and the semiconductor model on the basis of the operation result of the semiconductor integrated circuit device in the actual chip simulator, it is possible to evaluate the semiconductor integrated circuit device at the production stage. Further, by measuring the operation result of the semiconductor integrated circuit device with the semiconductor tester, it is possible to perform pass / fail selection in the analog function of the semiconductor integrated circuit device.

【0021】これにより、論理シミュレーション用CA
Eの設計データを有効に活用し、テスト対象となる半導
体集積回路装置のテスト回路の作成期間を短縮すること
ができ、またテスト回路も容易に変更することができ、
さらに従来の専用のテスト治具の作成に比べて個々の製
品にかかるコストを安くすることができる。
As a result, the logic simulation CA
By effectively utilizing the design data of E, it is possible to shorten the period for creating the test circuit of the semiconductor integrated circuit device to be tested, and to easily change the test circuit,
Furthermore, the cost for each product can be reduced compared to the conventional production of a dedicated test jig.

【0022】[0022]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0023】(実施例1)図1は本発明の実施例1であ
る半導体集積回路装置のテスト装置を示す機能ブロック
図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a functional block diagram showing a test device for a semiconductor integrated circuit device which is Embodiment 1 of the present invention.

【0024】まず、図1により本実施例の半導体集積回
路装置のテスト装置の構成を説明する。
First, the configuration of the test device for the semiconductor integrated circuit device of this embodiment will be described with reference to FIG.

【0025】本実施例の半導体集積回路装置のテスト装
置は、たとえばCAEを用いた半導体集積回路装置のテ
スト装置であって、テスト対象となる半導体集積回路装
置のテスト回路を作成する論理シミュレーション用CA
E1と、この論理シミュレーション用CAE1に接続さ
れた半導体集積回路装置の実チップシミュレータ2とか
ら構成され、実チップシミュレータ2による動作結果
と、論理シミュレーション用CAE1による動作結果と
が比較されて半導体集積回路装置の機能測定が行われる
ようになっている。
The semiconductor integrated circuit device test apparatus according to the present embodiment is a semiconductor integrated circuit device test apparatus using, for example, CAE, which is a logic simulation CA for creating a test circuit of a semiconductor integrated circuit device to be tested.
E1 and the real chip simulator 2 of the semiconductor integrated circuit device connected to the logic simulation CAE1. The operation result by the real chip simulator 2 is compared with the operation result by the logic simulation CAE1 to compare the semiconductor integrated circuit. The function of the device is measured.

【0026】論理シミュレーション用CAE1は、半導
体集積回路装置と同等の機能を持つ半導体モデル3と、
テスト回路としてのテストパターン発生回路(テストパ
ターン発生手段)4および測定部(測定手段)5とから
構成されている。テストパターン発生回路4では、テス
トに必要な入力パターンおよびタイミング情報が作成さ
れ、このテスト情報が実チップシミュレータ2に出力さ
れるとともに、このテスト情報によって半導体モデル3
がシミュレーションされる。
The CAE 1 for logic simulation includes a semiconductor model 3 having a function equivalent to that of a semiconductor integrated circuit device,
It is composed of a test pattern generating circuit (test pattern generating means) 4 as a test circuit and a measuring section (measuring means) 5. The test pattern generation circuit 4 creates input patterns and timing information necessary for the test, outputs this test information to the real chip simulator 2, and uses this test information to generate the semiconductor model 3
Is simulated.

【0027】また、測定部5では、半導体モデル3のシ
ミュレーション結果がテストの期待値として取り扱われ
ており、さらにこの測定部5において、実チップシミュ
レータ2より出力される出力パターンおよびタイミング
情報との比較が行われ、実チップシミュレータ2の半導
体集積回路装置の測定が行われるようになっている。
Further, in the measuring section 5, the simulation result of the semiconductor model 3 is treated as an expected value of the test, and in the measuring section 5, comparison with the output pattern and timing information output from the actual chip simulator 2 is carried out. Then, the semiconductor integrated circuit device of the actual chip simulator 2 is measured.

【0028】なお、この論理シミュレーション用CAE
1において、この中でのテストパターン、期待値などは
すべてCAEのデータであり、個々の回路が持っている
ものではない。
Incidentally, this CAE for logic simulation is used.
In No. 1, the test patterns, expected values, etc. in this are all CAE data, and are not owned by individual circuits.

【0029】実チップシミュレータ2は、テスト対象と
なるMCM(半導体集積回路装置)6と、このMCM6
のシミュレーションのためのパターンコントローラ7、
タイミング発生器8および信号発生器9とから構成され
ている。この実チップシミュレータ2において、論理シ
ミュレーション用CAE1から入力される入力パターン
およびタイミング情報が受け取られ、パターンコントロ
ーラ7、タイミング発生器8および信号発生器9を通じ
てそれに合わせた電気的信号が発生される。
The real chip simulator 2 includes an MCM (semiconductor integrated circuit device) 6 to be tested and the MCM 6
Pattern controller 7 for simulation of
It is composed of a timing generator 8 and a signal generator 9. In this real chip simulator 2, the input pattern and timing information inputted from the CAE 1 for logic simulation are received, and an electric signal matching them is generated through the pattern controller 7, the timing generator 8 and the signal generator 9.

【0030】MCM6は、タイミング発生器8および信
号発生器9からの電気的信号によって動作され、この動
作結果である出力パターンやタイミング情報は論理シミ
ュレーション用CAE1に出力されるようになってい
る。なお、このMCM6は、数個から数十個のIC(In
tegrated Circuit)チップを同一パッケージ内で相互に
結線して1つのモジュールとしたものである。
The MCM 6 is operated by electric signals from the timing generator 8 and the signal generator 9, and the output pattern and timing information as the result of this operation are output to the CAE 1 for logic simulation. Note that this MCM6 has several to several tens of ICs (In
integrated circuit) Chips are connected to each other in the same package to form one module.

【0031】次に、本実施例の作用について、実際にM
CM6の機能測定を行う場合を説明する。
Next, regarding the operation of this embodiment, M
A case of measuring the function of the CM 6 will be described.

【0032】まず、論理シミュレーション用CAE1に
おいて、テストパターン発生回路4でテストに必要な入
力パターンおよびタイミング情報を作り出す。そして、
この入力パターンおよびタイミング情報によって半導体
モデル3をシミュレーションし、その結果を実チップシ
ミュレータ2のテスト対象となるMCM6の期待値とし
て測定部5に記憶する。
First, in the CAE 1 for logic simulation, the test pattern generating circuit 4 creates the input pattern and timing information required for the test. And
The semiconductor model 3 is simulated by this input pattern and timing information, and the result is stored in the measurement unit 5 as an expected value of the MCM 6 which is the test target of the real chip simulator 2.

【0033】一方、論理シミュレーション用CAE1の
テストパターン発生回路4で作成された入力パターンお
よびタイミング情報を実チップシミュレータ2に送る。
そして、実チップシミュレータ2において、入力パター
ンおよびタイミング情報を受け取り、パターンコントロ
ーラ7とタイミング発生器8によって処理した後に信号
発生器9によって電気的信号に変換する。
On the other hand, the input pattern and timing information created by the test pattern generating circuit 4 of the CAE 1 for logic simulation are sent to the real chip simulator 2.
Then, in the actual chip simulator 2, the input pattern and the timing information are received, processed by the pattern controller 7 and the timing generator 8, and then converted into an electric signal by the signal generator 9.

【0034】さらに、この電気的信号によって実際にテ
スト対象となるMCM6を動作させ、この動作結果とし
ての出力パターンおよびタイミング情報を実チップシミ
ュレータ2から論理シミュレーション用CAE1の測定
部5に送る。そして、測定部5において、半導体モデル
3のシミュレーション結果による期待値と、実際のMC
M6の動作結果としての出力パターンおよびタイミング
情報とを比較する。
Further, the MCM 6 to be tested is actually operated by this electrical signal, and the output pattern and timing information as the result of this operation are sent from the real chip simulator 2 to the measuring section 5 of the CAE 1 for logic simulation. Then, in the measuring unit 5, the expected value based on the simulation result of the semiconductor model 3 and the actual MC
The output pattern and timing information as the operation result of M6 are compared.

【0035】これにより、MCM6の機能測定におい
て、測定部5による比較測定に基づいた良否判定によっ
て、機能テストによるMCM6の良品または不良品の選
別を行うことができる。
As a result, in the function measurement of the MCM 6, it is possible to select the good product or the defective product of the MCM 6 by the function test based on the quality judgment based on the comparative measurement by the measuring unit 5.

【0036】従って、本実施例の半導体集積回路装置の
テスト装置によれば、実チップシミュレータ2に接続さ
れる論理シミュレーション用CAE1上で、テスト対象
となるMCM6のテスト回路としてのテストパターン発
生回路4および測定部5を作成することにより、論理シ
ミュレーション用CAE1の測定部5において、実チッ
プシミュレータ2におけるMCM6の動作結果と、論理
シミュレーション用CAE1における半導体モデル3の
動作結果の期待値とを比較することによって、MCM6
の良否選別の機能測定を行うことができる。
Therefore, according to the test apparatus for the semiconductor integrated circuit device of the present embodiment, the test pattern generation circuit 4 as the test circuit of the MCM 6 to be tested on the CAE 1 for logic simulation connected to the real chip simulator 2. And the measurement unit 5 is created to compare the operation result of the MCM 6 in the real chip simulator 2 with the expected value of the operation result of the semiconductor model 3 in the CAE 1 for logic simulation in the measurement unit 5 of the CAE 1 for logic simulation. By MCM6
It is possible to measure the function of the quality selection.

【0037】この場合に、テストパターン発生回路4お
よび測定部5によるテスト回路を論理シミュレーション
用CAE1上で作成することができるので、論理シミュ
レーション用CAE1による設計データを有効に活用
し、さらにテスト回路を容易に作成することができる上
に、このテスト回路の作成期間が短縮できる。また、従
来の専用のテスト治具を作成する場合に比べて、それぞ
れのMCM6にかかるコストを安くすることもできる。
In this case, the test circuit generated by the test pattern generating circuit 4 and the measuring section 5 can be created on the CAE1 for logic simulation. Therefore, the design data by the CAE1 for logic simulation can be effectively utilized and the test circuit can be further used. Not only can it be easily created, but the time for creating this test circuit can be shortened. Further, the cost required for each MCM 6 can be reduced as compared with the case where a conventional dedicated test jig is created.

【0038】(実施例2)図2は本発明の実施例2であ
る半導体集積回路装置のテスト装置を示す機能ブロック
図である。
(Embodiment 2) FIG. 2 is a functional block diagram showing a test device for a semiconductor integrated circuit device which is Embodiment 2 of the present invention.

【0039】本実施例の半導体集積回路装置のテスト装
置は、実施例1と同様にCAEを用いた半導体集積回路
装置のテスト装置であって、テスト対象となるMCM
(半導体集積回路装置)6のテスト回路を作成する論理
シミュレーション用CAE1aと、この論理シミュレー
ション用CAE1aに接続されたMCM6の実チップシ
ミュレータ2とから構成され、実施例1との相違点は、
実施例1における半導体モデルのシミュレーション結果
に相当する情報を外部から入力する点である。
The test apparatus for the semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment is the test apparatus for the semiconductor integrated circuit device using CAE as in the case of the first embodiment, and is the MCM to be tested.
(Semiconductor integrated circuit device) 6 is composed of a logic simulation CAE 1a for creating a test circuit and an MCM 6 real chip simulator 2 connected to the logic simulation CAE 1a.
The point is that information corresponding to the simulation result of the semiconductor model in the first embodiment is input from the outside.

【0040】すなわち、本実施例の論理シミュレーショ
ン用CAE1aは、図2に示すように、テスト回路とし
てのテストパターン発生回路(テストパターン発生手
段)4aおよび測定部(測定手段)5aとから構成さ
れ、論理シミュレーションCAE1a上での期待値を半
導体モデルのシミュレーション結果ではなく、論理シミ
ュレーション用CAE1aの外部から半導体モデルのシ
ミュレーション結果と同等の情報を設定することができ
るようになっている。
That is, the CAE 1a for logic simulation of this embodiment is composed of a test pattern generating circuit (test pattern generating means) 4a as a test circuit and a measuring section (measuring means) 5a, as shown in FIG. The expected value on the logic simulation CAE 1a can be set not from the simulation result of the semiconductor model but from the outside of the CAE 1a for logic simulation, information equivalent to the simulation result of the semiconductor model can be set.

【0041】従って、本実施例においても、論理シミュ
レーション用CAE1aの測定部5aにおいて、実チッ
プシミュレータ2におけるMCM6の動作結果と、外部
から論理シミュレーション用CAE1aに入力される期
待値とを比較することによってMCM6の良否選別の機
能測定を行うことができ、この場合にも実施例1と同様
に、論理シミュレーション用CAE1a上でテスト回路
を作成することができるので、論理シミュレーション用
CAE1aによる設計データの有効活用、テスト回路作
成の容易化および作成期間の短縮化、コストの低減を可
能とすることができる。
Therefore, also in this embodiment, by comparing the operation result of the MCM 6 in the real chip simulator 2 with the expected value input from the outside to the CAE 1a for logic simulation in the measuring section 5a of the CAE 1a for logic simulation. It is possible to perform a function measurement of pass / fail selection of the MCM 6, and even in this case, a test circuit can be created on the CAE 1a for logic simulation as in the case of the first embodiment. Therefore, effective use of design data by the CAE 1a for logic simulation is possible. It is possible to facilitate the production of the test circuit, shorten the production period, and reduce the cost.

【0042】(実施例3)図3は本発明の実施例3であ
る半導体集積回路装置のテスト装置を示す機能ブロック
図である。
(Embodiment 3) FIG. 3 is a functional block diagram showing a test device for a semiconductor integrated circuit device which is Embodiment 3 of the present invention.

【0043】本実施例の半導体集積回路装置のテスト装
置は、実施例1および2と同様にCAEを用いた半導体
集積回路装置のテスト装置であって、テスト対象となる
MCM(半導体集積回路装置)6のテスト回路を作成す
る論理シミュレーション用CAE1bと、この論理シミ
ュレーション用CAE1bに接続されたMCM6の実チ
ップシミュレータ2とから構成され、実施例1および2
との相違点は、実施例1および2のようなMCM6の良
否選別の機能測定ではなく、作成段階における評価のた
めの機能測定を行う点である。
The test apparatus for a semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment is a test apparatus for a semiconductor integrated circuit device using CAE as in the first and second embodiments, and is an MCM (semiconductor integrated circuit device) to be tested. 6 includes a logic simulation CAE 1b for creating a test circuit 6 and an MCM 6 real chip simulator 2 connected to the logic simulation CAE 1b.
The difference is that the function measurement for evaluation in the preparation stage is performed, not the function measurement for quality selection of the MCM 6 as in the first and second embodiments.

【0044】すなわち、本実施例の論理シミュレーショ
ン用CAE1bは、図3に示すように、MCM6の半導
体モデル3b、テスト回路としてのテストパターン発生
回路(テストパターン発生手段)4bおよび測定部(測
定手段)5bに加えて、さらにパラメータ変更部10が
追加されて構成され、測定部5bで比較された結果をテ
ストパターン発生回路4bおよび半導体モデル3bにフ
ィードバックし、これらのパラメータをパラメータ変更
部10により変更して、テストパターン発生回路4bお
よび半導体モデル3bのパラメータを設定することがで
きるようになっている。
That is, as shown in FIG. 3, the CAE 1b for logic simulation of this embodiment has a semiconductor model 3b of the MCM 6, a test pattern generating circuit (test pattern generating means) 4b as a test circuit, and a measuring section (measuring means). In addition to 5b, a parameter changing section 10 is further added, and the result of comparison by the measuring section 5b is fed back to the test pattern generating circuit 4b and the semiconductor model 3b, and these parameters are changed by the parameter changing section 10. Thus, the parameters of the test pattern generating circuit 4b and the semiconductor model 3b can be set.

【0045】従って、本実施例においては、論理シミュ
レーション用CAE1bの測定部5bにおいて、実チッ
プシミュレータ2におけるMCM6の動作結果と、論理
シミュレーション用CAE1bにおける半導体モデル3
bの動作結果とを比較することによって、MCM6の作
成段階における評価の機能測定を行うことができ、この
場合にも実施例1および2と同様に、論理シミュレーシ
ョン用CAE1b上でテスト回路を作成することができ
るので、論理シミュレーション用CAE1bによる設計
データの有効活用、テスト回路作成の容易化および作成
期間の短縮化、コストの低減に加えて、さらにMCMの
不良箇所の特定が容易になるとともに、テスト回路の変
更を容易に行うことができる。
Therefore, in the present embodiment, in the measuring section 5b of the CAE 1b for logic simulation, the operation result of the MCM 6 in the real chip simulator 2 and the semiconductor model 3 in the CAE 1b for logic simulation are shown.
By comparing the operation result of b with the operation result of b, it is possible to perform the functional measurement of the evaluation in the production stage of the MCM 6, and in this case as well, similar to the first and second embodiments, the test circuit is produced on the CAE 1b for logic simulation. Therefore, in addition to effective use of design data by the CAE1b for logic simulation, facilitation of test circuit creation and shortening of the creation period, and cost reduction, it becomes easier to identify defective parts of the MCM and to perform testing. The circuit can be easily changed.

【0046】(実施例4)図4は本発明の実施例4であ
る半導体集積回路装置のテスト装置を示す機能ブロック
図である。
(Embodiment 4) FIG. 4 is a functional block diagram showing a test device for a semiconductor integrated circuit device which is Embodiment 4 of the present invention.

【0047】本実施例の半導体集積回路装置のテスト装
置は、実施例1〜3と同様にCAEを用いた半導体集積
回路装置のテスト装置であって、テスト対象となるMC
M(半導体集積回路装置)6のテスト回路を作成する論
理シミュレーション用CAE1cと、この論理シミュレ
ーション用CAE1cに接続されたMCM6の実チップ
シミュレータ2とから構成され、実施例1〜3との相違
点は、アナログ的な機能における選別のための機能測定
を行う点である。
The semiconductor integrated circuit device test device of this embodiment is a semiconductor integrated circuit device test device using CAE as in the case of the first to third embodiments.
It is composed of a CAE1c for logic simulation that creates a test circuit of an M (semiconductor integrated circuit device) 6 and a real chip simulator 2 of the MCM6 connected to the CAE1c for logic simulation. The point is to perform function measurement for selection of analog functions.

【0048】すなわち、本実施例のテスト装置は、図4
に示すように論理シミュレーション用CAE1c、実チ
ップシミュレータ2に加えて、さらに半導体テスタ11
が追加されて構成され、論理シミュレーション用CAE
1cには、MCM6と同等の機能を持つ半導体モデル3
cと、テスト回路としてのテストパターン発生回路(テ
ストパターン発生手段)4cのみが設けられ、また半導
体テスタ11には、実チップシミュレータ2のテスト対
象となるMCM6と同等のMCM12と、実施例1にお
ける論理シミュレーション用CAEの測定部と同等のテ
スト回路としての測定部(測定手段)13が設けられて
いる。
That is, the test apparatus of this embodiment has the configuration shown in FIG.
In addition to the logic simulation CAE 1c and the real chip simulator 2, as shown in FIG.
CAE for logic simulation
1c has a semiconductor model 3 with the same function as MCM6
c and a test pattern generation circuit (test pattern generation means) 4c as a test circuit, and the semiconductor tester 11 has an MCM12 equivalent to the MCM6 to be tested by the real chip simulator 2 and the first embodiment. A measurement section (measurement means) 13 as a test circuit equivalent to the measurement section of the CAE for logic simulation is provided.

【0049】これにより、論理シミュレーション用CA
E1cにおいて、テストパターン発生回路4cで作成さ
れた入力パターンおよびタイミング情報によって半導体
モデル3cをシミュレーションし、その結果を半導体テ
スタ11の測定部13に送り、また入力パターンおよび
タイミング情報を実チップシミュレータ2に送り、MC
M6の動作結果を半導体テスタ11の測定部13に送
り、この測定部13において、半導体モデル3cのシミ
ュレーション結果による期待値と、実際のMCM6の動
作結果としての出力パターンおよびタイミング情報とを
比較してディジタル的な機能測定を行うことができる。
As a result, the CA for logic simulation is
At E1c, the semiconductor model 3c is simulated by the input pattern and timing information created by the test pattern generation circuit 4c, the result is sent to the measuring unit 13 of the semiconductor tester 11, and the input pattern and timing information is sent to the real chip simulator 2. Send, MC
The operation result of M6 is sent to the measuring unit 13 of the semiconductor tester 11, and the measuring unit 13 compares the expected value based on the simulation result of the semiconductor model 3c with the output pattern and timing information as the actual operation result of the MCM6. It is possible to perform digital function measurement.

【0050】同時に、論理シミュレーション用CAE1
cのテストパターン発生回路4cから直接、入力パター
ンおよびタイミング情報を半導体テスタ11のMCM1
2に送り、これによってシミュレーションにより測定不
可能な電流値などのアナログ的な機能測定を行うことも
できるようになっている。
At the same time, CAE1 for logic simulation
The input pattern and timing information are directly input from the test pattern generating circuit 4c of the semiconductor tester c of the MCM1 of the semiconductor tester 11.
It is also possible to perform analog function measurement such as a current value that cannot be measured by simulation.

【0051】従って、本実施例においては、半導体テス
タ11の測定部13において、実チップシミュレータ2
におけるMCM6の動作結果と、論理シミュレーション
用CAE1cにおける半導体モデル3cの動作結果とを
比較することによって、MCM6のディジタル的な良否
選別の機能測定を行うことができると同時に、電流値な
どのアナログ的な機能測定も行うことができ、この場合
にも実施例1〜3と同様に、論理シミュレーション用C
AE1c上でテスト回路を作成することができるので、
論理シミュレーション用CAE1cによる設計データの
有効活用、テスト回路作成の容易化および作成期間の短
縮化、コストの低減、テスト回路変更の容易性に加え
て、さらに論理シミュレーション用CAE1c、半導体
テスタ11との組み合わせによる新しいテスト方法を実
現することができる。
Therefore, in this embodiment, in the measuring section 13 of the semiconductor tester 11, the actual chip simulator 2 is used.
By comparing the operation result of the MCM 6 in the above and the operation result of the semiconductor model 3c in the CAE 1c for logic simulation, it is possible to perform a digital pass / fail function measurement of the MCM 6 and at the same time, perform an analog operation such as a current value. Functional measurement can also be performed, and in this case, as in the first to third embodiments, the logic simulation C
Since a test circuit can be created on the AE1c,
In addition to effective utilization of design data by the CAE1c for logic simulation, facilitation of test circuit creation and shortening of creation time, cost reduction, and easiness of test circuit change, the CAE1c for logic simulation and the semiconductor tester 11 are combined. A new test method by can be realized.

【0052】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例1〜4に基づき具体的に説明したが、本発明は前記
実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the first to fourth embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it is possible.

【0053】たとえば、前記実施例の半導体集積回路装
置のテスト装置については、一例としてのMCM6をテ
スト対象とする場合について説明したが、本発明は前記
実施例に限定されるものではなく、他の半導体集積回路
装置、特により多機能・複雑化された構造の半導体集積
回路装置についても広く適用可能である。
For example, with respect to the test apparatus for the semiconductor integrated circuit device of the above-described embodiment, the case where the MCM 6 as an example is used as a test target has been described, but the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and other embodiments. The present invention is also widely applicable to semiconductor integrated circuit devices, particularly semiconductor integrated circuit devices having a more multifunctional and complicated structure.

【0054】[0054]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described.
It is as follows.

【0055】(1).テスト対象となる半導体集積回路装置
のテスト回路を作成する論理シミュレーション用CAE
と、この論理シミュレーション用CAEに接続された半
導体集積回路装置の実チップシミュレータとを有するこ
とにより、実チップシミュレータによる動作結果と論理
シミュレーション用CAEのテスト回路による動作結果
とを比較して、半導体集積回路装置の機能測定を行うこ
とができるので、半導体集積回路装置のテスト回路を論
理シミュレーション用CAE上で作成することが可能と
なる。
(1). CAE for logic simulation for creating a test circuit of a semiconductor integrated circuit device to be tested
And an actual chip simulator of the semiconductor integrated circuit device connected to the CAE for logic simulation, the operation result by the actual chip simulator and the operation result by the test circuit of the CAE for logic simulation are compared, and the semiconductor integrated circuit Since the function of the circuit device can be measured, the test circuit of the semiconductor integrated circuit device can be created on the CAE for logic simulation.

【0056】(2).前記(1) において、論理シミュレーシ
ョン用CAEのテストパターン発生手段の情報による半
導体モデルを用いたシミュレーション結果を期待値とし
たり、またはこれに相当する情報を外部から入力して期
待値として、テストパターン発生手段の情報による実チ
ップシミュレータにおける半導体集積回路装置を動作さ
せた結果値とを比較することにより、半導体集積回路装
置の選別の機能測定において、論理シミュレーション用
CAEの設計データを有効に活用し、かつテスト回路を
容易に作成することができる上に、このテスト回路の作
成期間が短縮でき、さらに専用のテスト治具を作成する
場合に比べてコストの低減が可能となる。
(2) In the above (1), the simulation result using the semiconductor model based on the information of the test pattern generating means of the CAE for logic simulation is used as an expected value, or information corresponding to this is input from the outside. By comparing the expected value with the result value obtained by operating the semiconductor integrated circuit device in the real chip simulator based on the information of the test pattern generating means, the design data of the CAE for logic simulation in the function measurement of the selection of the semiconductor integrated circuit device. Can be used effectively and a test circuit can be easily created, the time required for creating this test circuit can be shortened, and the cost can be reduced compared to the case where a dedicated test jig is created. .

【0057】(3).前記(1) において、実チップシミュレ
ータにおける半導体集積回路装置を動作させた結果値に
基づいて、テストパターン発生手段および半導体モデル
のパラメータ値を変更することにより、特に半導体集積
回路装置の作成段階における評価の機能測定を行うこと
ができ、この場合にも前記(2) の効果に加えて、さらに
半導体集積回路装置の不良箇所の特定が容易になるとと
もに、テスト回路の変更が容易に可能となる。
(3) In the above (1), by changing the parameter values of the test pattern generating means and the semiconductor model based on the result value of operating the semiconductor integrated circuit device in the actual chip simulator, the semiconductor integrated circuit It is possible to perform evaluation function measurement at the circuit device creation stage, and in this case, in addition to the effect of (2) above, it is easier to identify defective parts of the semiconductor integrated circuit device and the test circuit is changed. Is easily possible.

【0058】(4).前記(1) において、実チップシミュレ
ータにおける半導体集積回路装置を動作させた結果値を
半導体テスタにより測定することにより、特に半導体集
積回路装置のディジタル的な選別の機能測定を行うこと
ができると同時に、アナログ的な機能測定も行うことが
でき、この場合にも前記(3) の効果に加えて、さらに論
理シミュレーション用CAEと半導体テスタとの組み合
わせによる新しいテスト方法の実現が可能となる。
(4) In the above (1), by measuring the result value of the operation of the semiconductor integrated circuit device in the actual chip simulator by the semiconductor tester, particularly the function of digital selection of the semiconductor integrated circuit device can be measured. In addition to the effect of (3) above, in addition to the effect of (3), a new test method can be realized by combining the CAE for logic simulation and the semiconductor tester. It will be possible.

【0059】(5).前記(1) 〜(4) により、従来のような
専用のテスト治具を不要とし、かつCAEからの一貫し
た新しいテスト方法を考慮して、開発期間の短縮、開発
費用の低減、CAEデータの有効活用、半導体集積回路
装置の不良箇所特定率の向上、さらにテスト回路変更の
容易性について解決し、CAEを用いた機能テストのテ
スタビリティの向上が可能とされる半導体集積回路装置
のテスト技術を得ることができる。
(5) Due to the above (1) to (4), the development period is shortened and the development is shortened by eliminating the need for the conventional dedicated test jig and considering the consistent new test method from CAE. A semiconductor capable of reducing costs, effectively utilizing CAE data, improving the defect identification rate of semiconductor integrated circuit devices, and improving the ease of changing test circuits, and improving the testability of functional tests using CAE. A test technique for an integrated circuit device can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1である半導体集積回路装置の
テスト装置を示す機能ブロック図である。
FIG. 1 is a functional block diagram showing a test device for a semiconductor integrated circuit device that is Embodiment 1 of the present invention.

【図2】本発明の実施例2である半導体集積回路装置の
テスト装置を示す機能ブロック図である。
FIG. 2 is a functional block diagram showing a test device for a semiconductor integrated circuit device which is Embodiment 2 of the present invention.

【図3】本発明の実施例3である半導体集積回路装置の
テスト装置を示す機能ブロック図である。
FIG. 3 is a functional block diagram showing a test device for a semiconductor integrated circuit device which is Embodiment 3 of the present invention.

【図4】本発明の実施例4である半導体集積回路装置の
テスト装置を示す機能ブロック図である。
FIG. 4 is a functional block diagram showing a test device for a semiconductor integrated circuit device which is Embodiment 4 of the present invention.

【図5】従来技術の一例である半導体集積回路装置の専
用テスト治具を示す機能ブロック図である。
FIG. 5 is a functional block diagram showing a dedicated test jig for a semiconductor integrated circuit device, which is an example of a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a〜1c 論理シミュレーション用CAE 2 実チップシミュレータ 3,3b,3c 半導体モデル 4,4a〜4c テストパターン発生回路(テストパタ
ーン発生手段) 5,5a,5b 測定部(測定手段) 6 MCM(半導体集積回路装置) 7 パターンコントローラ 8 タイミング発生器 9 信号発生器 10 パラメータ変更部 11 半導体テスタ 12 MCM 13 測定部(測定手段)
1, 1a to 1c CAE for logic simulation 2 Real chip simulator 3, 3b, 3c Semiconductor model 4, 4a to 4c Test pattern generating circuit (test pattern generating means) 5, 5a, 5b Measuring unit (measuring means) 6 MCM (semiconductor) Integrated circuit device) 7 Pattern controller 8 Timing generator 9 Signal generator 10 Parameter changing unit 11 Semiconductor tester 12 MCM 13 Measuring unit (measuring means)

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 CAEを用いた半導体集積回路装置のテ
スト装置であって、テスト対象となる前記半導体集積回
路装置のテスト回路を作成する論理シミュレーション用
CAEと、該論理シミュレーション用CAEに接続され
た前記半導体集積回路装置の実チップシミュレータとを
有し、該実チップシミュレータによる動作結果と前記論
理シミュレーション用CAEのテスト回路による動作結
果とを比較して、前記半導体集積回路装置の機能測定を
行うことを特徴とする半導体集積回路装置のテスト装
置。
1. A test apparatus for a semiconductor integrated circuit device using a CAE, comprising: a logic simulation CAE for creating a test circuit of the semiconductor integrated circuit device to be tested; and a logic simulation CAE connected to the CAE. A real chip simulator of the semiconductor integrated circuit device is provided, and the function of the semiconductor integrated circuit device is measured by comparing the operation result of the real chip simulator with the operation result of the test circuit of the CAE for logic simulation. A test device for a semiconductor integrated circuit device, which is characterized by:
【請求項2】 前記論理シミュレーション用CAEのテ
スト回路を、テストパターン発生手段と測定手段とから
構成し、前記テストパターン発生手段の情報による前記
半導体集積回路装置と同等の機能を持つ半導体モデルを
用いたシミュレーション結果を期待値として、前記テス
トパターン発生手段の情報による前記実チップシミュレ
ータにおける前記半導体集積回路装置を動作させた結果
値を前記測定手段に戻し、該測定手段において、前記シ
ミュレーション結果による期待値と、前記半導体集積回
路装置を動作させた結果値とを比較することを特徴とす
る請求項1記載の半導体集積回路装置のテスト装置。
2. A test circuit of the CAE for logic simulation is composed of a test pattern generating means and a measuring means, and a semiconductor model having a function equivalent to that of the semiconductor integrated circuit device based on the information of the test pattern generating means is used. Using the simulation result as an expected value, the result value obtained by operating the semiconductor integrated circuit device in the real chip simulator based on the information of the test pattern generating means is returned to the measuring means, and the expected value according to the simulation result is obtained in the measuring means. 2. The test apparatus for a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the test result is compared with a value obtained by operating the semiconductor integrated circuit device.
【請求項3】 前記半導体集積回路装置のシミュレーシ
ョン結果による期待値に相当する情報を外部から入力す
ることを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路装置
のテスト装置。
3. The test apparatus for a semiconductor integrated circuit device according to claim 2, wherein information corresponding to an expected value obtained from a simulation result of the semiconductor integrated circuit device is input from the outside.
【請求項4】 前記実チップシミュレータにおける前記
半導体集積回路装置を動作させた結果値に基づいて、前
記テストパターン発生手段および前記半導体モデルのパ
ラメータ値を変更することを特徴とする請求項2または
3記載の半導体集積回路装置のテスト装置。
4. The parameter value of the test pattern generating means and the semiconductor model is changed based on a result value of operating the semiconductor integrated circuit device in the real chip simulator. A test device for a semiconductor integrated circuit device according to claim 1.
【請求項5】 前記実チップシミュレータにおける前記
半導体集積回路装置を動作させた結果値を半導体テスタ
により測定することを特徴とする請求項2、3または4
記載の半導体集積回路装置のテスト装置。
5. A semiconductor tester is used to measure a result value of operating the semiconductor integrated circuit device in the actual chip simulator.
A test device for a semiconductor integrated circuit device according to claim 1.
【請求項6】 CAEを用いた半導体集積回路装置のテ
スト方法であって、論理シミュレーション用CAE上で
テスト対象の前記半導体集積回路装置のテストパターン
発生手段を作成し、前記論理シミュレーション用CAE
とインタフェースのとれる実チップシミュレータにより
前記半導体集積回路装置を動作させ、その出力結果を前
記論理シミュレーション用CAE上で作成した測定手段
に戻し、この測定手段において、前記論理シミュレーシ
ョン用CAE上で前記半導体集積回路装置と同等の機能
を持つ半導体モデルを用いたシミュレーション結果と、
前記実チップシミュレータにおける前記半導体集積回路
装置の動作結果とを比較して、前記半導体集積回路装置
の機能測定を行うことを特徴とする半導体集積回路装置
のテスト方法。
6. A method of testing a semiconductor integrated circuit device using a CAE, comprising forming a test pattern generating means of the semiconductor integrated circuit device to be tested on the CAE for logic simulation, and then the CAE for logic simulation.
The semiconductor integrated circuit device is operated by an actual chip simulator capable of interfacing with the semiconductor integrated circuit device, and the output result is returned to the measuring means created on the CAE for logic simulation. In this measuring means, the semiconductor integrated circuit device is operated on the CAE for logic simulation. Simulation results using a semiconductor model having the same function as the circuit device,
A method for testing a semiconductor integrated circuit device, comprising: comparing a result of operation of the semiconductor integrated circuit device in the real chip simulator to measure a function of the semiconductor integrated circuit device.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2007113940A1 (en) * 2006-04-04 2007-10-11 Panasonic Corporation Semiconductor test device

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