JPH08110212A - 電子部品用三次元測定装置 - Google Patents

電子部品用三次元測定装置

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JPH08110212A
JPH08110212A JP24408794A JP24408794A JPH08110212A JP H08110212 A JPH08110212 A JP H08110212A JP 24408794 A JP24408794 A JP 24408794A JP 24408794 A JP24408794 A JP 24408794A JP H08110212 A JPH08110212 A JP H08110212A
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JP
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microscope
measured
stage
electronic parts
base
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Application number
JP24408794A
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English (en)
Inventor
Masao Nishizawa
誠夫 西沢
Masaaki Matsuo
正明 松尾
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NIPPON DEJITETSUKU KK
Apic Yamada Corp
Original Assignee
NIPPON DEJITETSUKU KK
Apic Yamada Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 リード曲げ深さ、基板の反り等を高精度でか
つ高速で測定できる測定装置を提供する。 【構成】 リードフレームあるいは半導体パッケージ等
の電子部品のリード寸法、曲げ深さ、基板の反り等を測
定する電子部品用三次元測定装置において、基台10上
に被測定体の測定ポイントに合わせて被測定体を平面内
で移動させ測定位置に位置決めして支持するX−Yステ
ージ14、16を設け、該X−Yステージ14、16の
上方に前記被測定体の測定ポイントを視認する顕微鏡を
Z軸方向に移動可能に支持するとともに、前記測定ポイ
ントに対し瞳面内分布方式によって前記顕微鏡を合焦位
置までZ軸方向に移動させて合焦させるZ軸ステージ1
8を設け、前記測定ポイントにおける前記顕微鏡のZ軸
方向の移動位置の検出手段を設けたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームあるいは
半導体パッケージ等の電子部品の検査等に使用する電子
部品用三次元測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】リードフレームあるいは半導体パッケー
ジといった半導体チップを搭載する電子部品は近年きわ
めて多ピン化および高密度化しており、これら製品の各
部分に求められる寸法精度としてきわめて高精度が要求
されるようになってきた。これらの電子部品の製造では
製品検査にあたりリード等の各部の寸法等を検査する
が、これらの検査では高精度の測定が可能な測定装置が
用いられている。
【0003】この測定装置の検査内容としては、リード
フレームではリード形状、段差、曲げ深さ、コイニング
深さ、ステージの反り、平面度、フレームの幅方向の反
り等があり、ピングリッドアレイ型半導体パッケージで
はピン配置、ピンの高さ、基板の反り、ボールグリッド
アレイ型半導体パッケージでははんだボールの高さ、平
面配置等がある。
【0004】これらの検査ではX−Y平面内での変位と
ともにZ方向での変位についても測定する三次元的な測
定が必要となる。従来、三次元的な測定を可能とする測
定装置としては焦点深度法、光切断法といった原理を用
いた測定装置が使用されている。焦点深度法は被測定体
(被観察面)のZ方向でのずれに対し光学系を合焦位置
までZ方向に移動させ、その移動位置を直接読みとるこ
とによって被観察面のZ方向の変位を検出する方法であ
る。
【0005】光切断法は図7に示すように、被測定体に
対し斜め方向から光を入射させ受光素子にあたる位置の
ずれからZ方向の変位を検出する方法である。同図で5
が光源、6が受光センサである。被測定体の被観察面の
Z方向の高さがaからbへずれると受光センサ6での受
光位置がa’からb’にずれ、これによって被測定体の
Z方向の変位を検出することができる。図8に示すよう
に受光センサ6にはフォトアレイが列状に並置されてお
り、このフォトアレイの受光点から受光位置が検出でき
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な従来の測定装置ではきわめて微細でかつ高精度が要求
されるリードフレーム等の電子部品については所要の精
度でかつ高速で検査するには不十分であるという問題が
生じてきた。本出願人は上記の光切断法の原理に基づく
測定装置を従来開発してきたが、この光切断法による場
合は測定ポイントの大きさが大きいこと、投射光の波長
および受光側のレンズ倍率といった光学的な制約によっ
て測定精度の限界が2μm程度となること、被測定体の
表面反射をみるため被測定体の表面性状によって影響を
受けやすいといった問題があった。
【0007】なお、自動合焦方式の顕微鏡をこれらの測
定装置に利用することが最近検討されているが、自動合
焦方式の顕微鏡は合焦速度が遅いこと、被測定体の表面
状態や反射条件が異なる場合の条件設定が難しいといっ
た問題があり、実用的な測定装置の組み込みにまで至っ
ていない。本発明は、このようなリードフレーム等の寸
法精度に高精度が要求される製品を対象とする測定装置
における問題を解消すべくなされたものであり、リード
フレームあるいは半導体パッケージといったきわめて微
細でかつ高精度が要求される製品の検査に好適に使用で
き、かつ取扱いが容易な電子部品用三次元測定装置を提
供しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、リードフレーム
あるいは半導体パッケージ等の電子部品のリード寸法、
曲げ深さ、基板の反り等を測定する電子部品用三次元測
定装置において、基台上に、被測定体の測定ポイントに
合わせて被測定体を平面内で移動させ測定位置に位置決
めして支持するX−Yステージを設け、該X−Yステー
ジの上方に前記被測定体の測定ポイントを視認する顕微
鏡をZ軸方向に移動可能に支持するとともに、前記測定
ポイントに対し瞳面内分布方式によって前記顕微鏡を合
焦位置までZ軸方向に移動させて合焦させるZ軸ステー
ジを設け、前記測定ポイントにおける前記顕微鏡のZ軸
方向の移動位置の検出手段を設けたことを特徴とする。
また、前記Z軸ステージは、前記基台上に支持コラムを
立設し、該支持コラムに固定したベースに顕微鏡をZ軸
方向に移動ガイドするためのスライドガイド及び該スラ
イドガイドに係合して前記顕微鏡を支持するスライドベ
ースを設け、該スライドベースを移動させる移動機構を
設けたことを特徴とする。これによって1軸スライドス
テージによる精度の良い測定が可能になる。また、前記
顕微鏡の移動位置の検出手段として、前記Z軸ステージ
に設けたベースに移動位置検出用のスケールをZ軸に平
行に固定し、前記顕微鏡もしくは顕微鏡を支持する移動
部に前記スケールによりZ軸方向の位置を検出する検出
用ヘッドを設けたことを特徴とする。これによりZ軸方
向の移動位置を高精度で検出できる。また、前記スケー
ルが透明ガラスに目盛りを設けたガラススケールであ
り、光透過方式により前記目盛りを電気的なパルス信号
として検出ヘッドが読み取るものであることを特徴とす
る。また、前記顕微鏡に被測定体の測定ポイントを拡大
して視認する高倍率カメラを設けるとともに、該高倍率
カメラとは別体に前記被測定体の略全体像を視認する低
倍率カメラを設けたことを特徴とする。これにより、測
定ポイントの指定が容易にできティーチング作業が容易
になる。また、前記高倍率カメラおよび顕微鏡により前
記被測定体を測定するための光源とは別体に前記低倍率
カメラにより前記被測定体を視認するための光源を設け
たことを特徴とする。これにより、測定に影響を与えず
に低倍率カメラによる被測定体の視認が容易にできティ
ーチング等の作業が容易になる。また、前記基台上に防
振構造を介して前記X−Yステージを設けたことによ
り、安定した高精度の測定を可能にする。
【0009】
【作用】被測定体はX−Yステージに支持されて測定位
置に測定ポイントを位置決めしてセットされる。X−Y
ステージの上方に配置されたZ軸ステージに取り付けら
れた顕微鏡は被測定体の測定ポイントごとZ軸ステージ
の移動により合焦位置に合致する位置までZ軸方向に移
動する。測定ポイントにおいてZ軸方向の移動位置検出
手段により顕微鏡の移動位置が検出され、各測定ポイン
トでの顕微鏡の移動位置から被測定体の各測定ポイント
の高さ測定がなされる。これら、高さ測定値からリード
寸法、曲げ深さ、基板の反り等が測定できる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて説明する。図1は本発明に係る電子部品用三次元
測定装置を組み込んだ全体装置の説明図である。同図で
10は装置の基台であり、12は基台10上に設置した
定盤である。定盤12上にはXYステージを配置する
が、14は定盤12上に配置したX軸ステージ、16は
X軸ステージ14の上に配置したY軸ステージである。
X軸ステージ14は図の左右方向に移動し、Y軸ステー
ジ16は紙面に垂直方向に移動する。これらX軸ステー
ジ14およびY軸ステージ16の構成は一般のX−Yス
テージと同様である。
【0011】X−Yステージの上方にはZ軸ステージ1
8を配置する。Z軸ステージ18は被測定体のZ軸方向
の変位を測定するためのもので、検査用の光学機構とと
もにX−Yステージの上方に配置する。20はZ軸ステ
ージ18を基台10の上方で支持するための支持コラム
である。22はコンピュータ制御用のキーボード、24
はモニター、26はマウステーブル、28はステージカ
バーである。
【0012】なお、リードフレームあるいは半導体パッ
ケージといったきわめて高精度が要求される三次元測定
装置では、X−YステージおよびZ軸ステージには高度
の位置精度が要求されるばかりでなく、基台10を含め
て外部からの振動や温湿度変化などに対しても適切な対
策を施す必要がある。実施例の装置では機械的剛性を高
めるため基台10にじかに支持コラム20を固定し、支
持コラム20を変形コの字形としている。また、X−Y
ステージを支持する定盤12は防振ゴムを介して基台1
0に支持することにより、X−Yステージが高速で移動
し、停止を繰り返した際の慣性を吸収して被測定体が位
置ずれすることを防止している。
【0013】図2はZ軸ステージ18とこれに付設する
検査用の光学機構等の構成を示す。30は支持コラム2
0によって鉛直に固定支持したベースで、32はベース
30に固定したスライドガイドである。本実施例の光学
系は自動合焦方式の顕微鏡を使用するが、34は顕微鏡
を支持するスライドベースであり、前記スライドガイド
32にガイドされて鉛直方向(Z軸方向)に上下動す
る。36はスライドベース34を上下移動させるための
パルスモータである。パルスモータ36の出力軸にはス
ライドベース34を上下に移動させるボールネジ38を
連結する。ボールネジ38は軸線方向をスライドガイド
32と平行にして配置し、スライドベース34にその背
面で係合する。パルスモータ36はパルス制御によって
そのボールネジ38の回転量を制御し、これによってス
ライドベース34の高さ位置を変えることができる。上
記パルスモータ36、ボールネジ38等はスライドベー
ス34の移動機構を構成するが、パルスモータのかわり
にサーボモータを使用することも可能であり、スライド
ベース34を移動させる構成も本実施例に限るものでは
ない。
【0014】40は自動合焦方式の顕微鏡を構成する光
学系の収納部、42は対物レンズの収納部、44は高倍
率カメラである。これらはスライドベース34に固定さ
れている。また、46は低倍率の顕微鏡、48は低倍率
カメラで、これらもスライドベース34に固定されてい
る。高倍率カメラ44は被測定体を高倍率で観察するた
めのもの、低倍率カメラ48は被測定体の全体像を視認
するためのものである。高倍率カメラ44と低倍率カメ
ラ48とを併設することにより、モニター24の画面に
高倍率カメラ44によってとらえた被測定体の像を大き
く拡大して示し、同時にモニター24の窓内に低倍率カ
メラ48によってとらえた被測定体の全体像を表示する
といった使い方ができる。
【0015】実施例のZ軸ステージ18は上記のように
1軸スライドステージの構成により自動合焦方式の顕微
鏡を移動するものである。そして、顕微鏡の移動位置を
検知するため、スライドベース34の一方の外側面にス
ライドベース34の移動方向と平行にガラススケール5
0を設置し、ガラススケール50に対向するスライドベ
ース34の側縁に検出用ヘッドを固定する。ガラススケ
ール50には透明な基体上に高精度の目盛りが設けられ
ており、前記検出用ヘッドはガラススケール50に設け
たスケールを光透過式によって検出し、目盛りをパルス
信号として読み取ることによって移動量を検知する。実
際には、目盛りを読み取ったパルス信号を電気的にいっ
たん変換して移動精度を0.1μm程度で検知できるよ
うにしている。スライドベース34およびガラススケー
ル50はZ軸方向の顕微鏡の変位量を正確に検出するた
め、X−Yステージに対して正確に垂直に取り付ける。
【0016】図3は実施例での自動合焦方式の顕微鏡の
光学系を示す説明図である。同図で60は測定用の光源
として用いる半導体レーザダイオードで、62はビーム
エキスパンダ用レンズ、64はハーフミラー、66は対
物レンズである。実施例の顕微鏡はZ軸方向に顕微鏡を
移動させて合焦位置を検知し、1軸スライドステージで
の顕微鏡の位置から被測定体の高さを測定するが、実施
例で顕微鏡の合焦方法として採用している方法は、瞳面
内分布方式(ナイフエッジ方式)によるものである。
【0017】瞳面内分布方式による自動合焦方法の原理
を図4に示す。この方法では、観察面に対する焦点面に
2分割したセンサA、Bを配置し、センサA、Bの直前
に光軸に対して一方側を半分遮蔽する遮蔽板Cを配置
し、ちょうどフォーカスしたときにセンサA、Bがとも
に光照射されて明るくなるように配置する。図4(b) が
ちょうどフォーカスした状態でセンサA、Bが明るい状
態、図4(a) は焦点位置よりも後ろでフォーカスしてい
る状態、図4(c) は焦点位置よりも前でフォーカスして
いる状態である。この方法の特徴はセンサA、Bの明暗
によって容易にフォーカス位置が識別でき、図4(a) の
ように焦点位置よりも後ろでフォーカスしている場合は
顕微鏡を下げ、図4(c) のように前でフォーカスしてい
る場合は顕微鏡を上げることによって自動的に合焦させ
ることができる。
【0018】図3で68は上記の遮蔽板であり、70は
上記の2分割センサを内蔵した受光センサである。半導
体レーザダイオード60から放射されたレーザ光は対物
レンズ66から微小スポットにしぼられて被測定体10
0に投射され、被測定体100から反射された光はハー
フミラー64により一部反射され、受光センサ70によ
って検知される。受光センサ70と遮蔽板68により顕
微鏡位置がフォーカス位置からずれている場合はパルス
モータ36を駆動しスライドベース34を移動させるこ
とによって顕微鏡のZ方向の位置を調節してフォーカス
させる。こうして、被測定体100の任意の測定ポイン
トに対して顕微鏡がフォーカスされる。
【0019】上記半導体レーザダイオード60は測定用
の光源であるが、同時に高倍率カメラ44によって被測
定体100を視認する光源としても利用している。一
方、図3で光ファイバー72は低倍率顕微鏡46および
低倍率カメラ48によって被測定体100を視認する光
を導入するための光ファイバーである。74は光学レン
ズ等の光学系、76はハーフミラーである。このよう
に、本実施例では低倍率カメラ48用の光源と測定用の
光源とを別の光源としているから、測定時であっても測
定精度に影響を与えない範囲で観察用の光源の光量を調
節することができ、被測定体100を容易に視認するこ
とが可能になる。また、測定前に被測定体100を視認
して測定位置を決めるといったような場合は観察用の光
源を優先することによって、的確な観察を行うことが可
能になる。
【0020】次に、実施例の三次元測定装置の使用例と
して、図5に示すリードフレームのインナーリード先端
部のコイニング部の高さを測定する場合を説明する。被
測定体の検査対象部位は、この場合各々のインナーリー
ドの先端部であるから、X−Yステージにより被測定体
をX−Y平面内で移動させ、顕微鏡による検査位置にイ
ンナーリードの先端を合わせる。測定ポイントでは顕微
鏡を合焦させ、合焦位置でガラススケール50のスケー
ルを読み取り、その値を0とする。次いで、X−Yステ
ージで被測定体を移動させ次のインナーリード先端部に
測定ポイントを移動させ、顕微鏡を合焦してそのときの
ガラススケール50のスケールを取り込む。
【0021】このようにして、次々とインナーリードの
先端部について顕微鏡を合焦させ、合焦した顕微鏡の位
置(Z方向のスケール値)を読み取っていく。インナー
リードの先端部の測定ポイントでリードの高さが異なる
と顕微鏡は合焦位置までZ軸方向に移動し合焦した位置
で停止する。こうして、図6に示すような各測定ポイン
トでZ軸方向の読み取り値が得られる。読み取り値は電
気的な変換により現実の高さ変位値におきかえられ測定
値となる。これらの測定値はインナーリードの先端部の
高さの変動を示すものであり、これらの結果から各測定
ポイントでの高さの差を知ることができる。
【0022】実施例の三次元測定装置はこのようにX−
Y平面で適宜測定ポイントを設定し、当該測定ポイント
ごとにZ軸方向、すなわち高さ測定することによって、
種々の三次元的な測定を行うことができる。測定ポイン
トは検査対象に応じて適宜設定すればよく、たとえばリ
ードフレームのステージ上で何点か測定ポイントをとる
ことでステージの反り、平坦度を測定することができ
る。また、同様にしてリードの曲げ深さ、幅反り、チル
ト、ツイスト測定等ができる。
【0023】なお、図5に示した例のように、多ピンの
リードフレームで個々のリードにつて測定するような場
合に自動測定するには、被測定体のどの部分を測定する
かあらかじめ三次元測定装置に教え込む(ティーチン
グ)ことが必要である。このようなティーチング作業で
は被測定体のかなり広い範囲を観察できるようにし、測
定個所が容易に把握できるようにするのが作業性の向上
には好都合である。実施例の装置では、この点で高倍率
カメラ44とともに低倍率カメラ48を併設したことに
よってこのようなティーチング作業が容易にできるとい
う利点がある。すなわち、低倍率カメラ48によって被
測定体の全体像を把握することによって測定ポイントを
的確に選択してティーチングでき、測定の際には高倍率
像に切り換えて測定することができる。
【0024】顕微鏡の測定倍率等は適宜設定できるが、
実施例での自動合焦方式の顕微鏡の測定倍率は倍率40
倍、フォーカス精度±0.2μm、フォーカス範囲±1
70μm、測定ポイント6μmである。低倍率カメラ4
8を使用するティーチング用の光学系は、ティーチング
画面視野7×7mm、画面分解能13μm、低倍率カメ
ラ48は30万画素のCCDカメラを使用し、光源はハ
ロゲン照明によった。これらの光学系の設定によって測
定ポイントがきわめてしぼられて設定されることからリ
ードフレームのインナーリード部分のようにきわめて微
細なパターンで形成される部位についても的確な測定が
可能である。とくに、実施例の装置では1本のリード内
で複数の測定ポイントを設定するといった超高精度の測
定も可能であり、リードごとのチルト、ツイストを測定
することも可能である。また、測定ポイントを適宜設定
することで、三次元グラフィック表示とすることも可能
であり、被測定体の断面形状、等高線表示といった種々
のデータ処理を施すことも可能である。
【0025】また、ティーチング操作の際も高精度で測
定ポイントを特定することができ、これによっても的確
な自動測定を可能にしている。なお、実施例では高倍率
カメラ44の光学系と低倍率カメラ48の光学系が別個
にあり各々の光軸は一致していないが、画像を認識する
際に互いの光学系の位置関係を補正することよって同じ
光軸像として認識することが可能である。これによっ
て、ティーチング作業を正確に行うことができる。
【0026】また、実施例の三次元測定装置では瞳面内
光分布式(ナイフエッジ式)による合焦方式を採用した
ことによってフォーカス位置に短時間に到達させること
ができるという利点がある。自動合焦方式の顕微鏡の場
合、フォーカス位置にできるだけ短時間で到達できるよ
うにすることが測定時間を短縮する上で非常に重要であ
る。任意位置にある顕微鏡が任意位置にある被測定体の
フォーカス位置に到達させる場合、一般的な合焦方式で
はフォーカス位置への方向性が確定しないため、毎回決
まった基準点にいったん戻ってからフォーカス位置を探
しにいくという方法をとるが、実施例の場合は原理的に
は一定のフォーカス範囲内にあればフォーカス位置に対
する現在位置からの方向性が確定可能であり、そのつど
基準点に戻るという必要がないことから短時間でフォー
カスすることが可能になる。
【0027】また、実施例の場合は2分割した受光セン
サからの出力電圧を比較してフォーカス位置を判別する
から、画像を積分したり微分したりする必要がなく、電
気回路レベルの速度で結果が識別できることからも測定
時間の高速化に寄与している。なお、三次元測定装置の
総合的な測定時間は顕微鏡がフォーカス範囲外にあった
場合にフォーカス範囲内に移動させてフォーカスさせる
までの時間が測定速度に大きく影響する。実施例の装置
ではこの測定時間を短縮するため、コンピュータ制御に
よってあらかじめ登録されているフォーカス範囲内まで
自動的に顕微鏡を移動させ、フォーカス位置近傍から自
動フォーカス動作をさせることで総合的な測定時間の短
縮を図っている。
【0028】また、実施例の装置では上述したようにき
わめて微細な測定ポイントについて測定するため、測定
対象位置や測定条件によってスポット光が欠けるといっ
たことが生じ得る。このため、実際の測定にあたっては
指定測定ポイントにおいて複数のデータを取り、データ
の差が一定以上のデータは異常データとして除去し、残
りのデータの平均をとって当該測定ポイントのデータ値
とするようにしている。これによって、光の回折や干
渉、使用するスポット光やスリット光の欠けなどによる
生のデータのばらつきを取り除いて、繰り返し再現精度
のよい高精度の測定を可能にしている。
【0029】
【発明の効果】本発明に係る電子部品用三次元測定装置
によれば、上述したように、リードフレームあるいは半
導体パッケージといったきわめて微細にかつ高精度に形
成される電子部品について、高精度でかつ高速での測定
が可能になる。また、リード形状、段差形状等の他、リ
ードピン等の外部接続端子の平面配置、高さ等の種々の
測定に好適に利用することができる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】電子部品用三次元測定装置の全体構成を示す説
明図である。
【図2】Z軸ステージの構成を示す説明図である。
【図3】自動合焦方式による実施例装置の光学系の構成
を示す説明図である。
【図4】瞳面内分布方式の自動合焦方法の原理を示す説
明図である。
【図5】電子部品用三次元測定装置によりリードフレー
ムを測定する方法を示す説明図である。
【図6】リードフレームの測定結果を示すグラフであ
る。
【図7】光切断法による測定方法を示す説明図である。
【図8】光切断法で用いる受光センサを示す説明図であ
る。
【符号の説明】
10 基台 12 定盤 14 X軸ステージ 16 Y軸ステージ 18 Z軸ステージ 20 支持コラム 24 モニター 32 スライドガイド 34 スライドベース 36 パルスモータ 38 ボールネジ 44 高倍率カメラ 46 低倍率の顕微鏡 48 低倍率カメラ 50 ガラススケール 60 半導体レーザダイオード 66 対物レンズ 68 遮蔽板 70 受光センサ 72 光ファイバー 100 被測定体

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームあるいは半導体パッケー
    ジ等の電子部品のリード寸法、曲げ深さ、基板の反り等
    を測定する電子部品用三次元測定装置において、 基台上に、被測定体の測定ポイントに合わせて被測定体
    を平面内で移動させ測定位置に位置決めして支持するX
    −Yステージを設け、 該X−Yステージの上方に前記被測定体の測定ポイント
    を視認する顕微鏡をZ軸方向に移動可能に支持するとと
    もに、前記測定ポイントに対し瞳面内分布方式によって
    前記顕微鏡を合焦位置までZ軸方向に移動させて合焦さ
    せるZ軸ステージを設け、 前記測定ポイントにおける前記顕微鏡のZ軸方向の移動
    位置の検出手段を設けたことを特徴とする電子部品用三
    次元測定装置。
  2. 【請求項2】 前記Z軸ステージは、前記基台上に支持
    コラムを立設し、該支持コラムに固定したベースに顕微
    鏡をZ軸方向に移動ガイドするためのスライドガイド及
    び該スライドガイドに係合して前記顕微鏡を支持するス
    ライドベースを設け、該スライドベースを移動させる移
    動機構を設けたことを特徴とする請求項1記載の電子部
    品用三次元測定装置。
  3. 【請求項3】 前記顕微鏡の移動位置の検出手段とし
    て、前記Z軸ステージに設けたベースに移動位置検出用
    のスケールをZ軸に平行に固定し、 前記顕微鏡もしくは顕微鏡を支持する移動部に前記スケ
    ールによりZ軸方向の位置を検出する検出用ヘッドを設
    けたことを特徴とする請求項1記載の電子部品用三次元
    測定装置。
  4. 【請求項4】 前記スケールが透明ガラスに目盛りを設
    けたガラススケールであり、光透過方式により前記目盛
    りを電気的なパルス信号として検出ヘッドが読み取るも
    のであることを特徴とする請求項3記載の電子部品用三
    次元測定装置。
  5. 【請求項5】 前記顕微鏡に被測定体の測定ポイントを
    拡大して視認する高倍率カメラを設けるとともに、該高
    倍率カメラとは別体に前記被測定体の略全体像を視認す
    る低倍率カメラを設けたことを特徴とする請求項1記載
    の電子部品用測定装置。
  6. 【請求項6】 前記高倍率カメラおよび顕微鏡により前
    記被測定体を測定するための光源とは別体に前記低倍率
    カメラにより前記被測定体を視認するための光源を設け
    たことを特徴とする請求項5記載の電子部品用測定装
    置。
  7. 【請求項7】 前記基台上に防振構造を介して前記X−
    Yステージを設けたことを特徴とする請求項1記載の電
    子部品用測定装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006289108A (ja) * 2006-05-22 2006-10-26 Olympus Corp 光源装置
JP2007167905A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Aida Eng Ltd パンチの折損検出方法および成形装置
CN112964734A (zh) * 2021-02-23 2021-06-15 珠海迪沃航空工程有限公司 一种曲面三维扫描缺陷检测识别装置及其检测方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007167905A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Aida Eng Ltd パンチの折損検出方法および成形装置
JP4628947B2 (ja) * 2005-12-22 2011-02-09 アイダエンジニアリング株式会社 パンチの折損検出方法および成形装置
JP2006289108A (ja) * 2006-05-22 2006-10-26 Olympus Corp 光源装置
CN112964734A (zh) * 2021-02-23 2021-06-15 珠海迪沃航空工程有限公司 一种曲面三维扫描缺陷检测识别装置及其检测方法

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