JPH0798575A - 画像表示装置 - Google Patents
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- JPH0798575A JPH0798575A JP5242259A JP24225993A JPH0798575A JP H0798575 A JPH0798575 A JP H0798575A JP 5242259 A JP5242259 A JP 5242259A JP 24225993 A JP24225993 A JP 24225993A JP H0798575 A JPH0798575 A JP H0798575A
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Abstract
状に広がる画像表示部に沿って設けられ、ドライバ回路
1の出力信号がアクティブ素子を介して画像表示部の画
素部に入力される。応答性改善回路2は、少なくとも2
値をとる基本信号成分、および波形なまり対応信号成分
を有する波形改善信号を生成し、この信号をドライバ回
路1に供給する。上記波形改善信号は、基本信号成分の
最大振幅をv、波形なまり対応信号成分を含む部位の最
大振幅Vとしたとき、|v|<|V|となり、かつ基本
信号成分の周波数をf、波形なまり対応信号成分の周波
数をFとしたとき、f≦Fとなる。 【効果】 基本信号の波形なまりを抑制し、良好な画像
表示を行える。
Description
表示装置に関するものである。
リクス状に画素を配した画像表示装置の多くは、この表
示装置を駆動するためのドライバ回路、このドライバ回
路を制御するコントローラ回路等、所定の機能を有する
種々の回路を備えている。これらの回路の構成、および
規模等は、画像表示装置の形態により様々であるが、T
V映像など各種メディアに応じた情報を画像化する上
で、前記の回路群は必要不可欠なものである。ここで、
液晶表示装置、中でもアクティブマトリクス方式の液晶
表示装置のドライバ回路について、その回路構成を説明
する。
のドライバ回路としては、ソースドライバとも称され、
映像信号を受け取り、この信号をサンプリングして水平
走査期間分、即ち横1ライン分のサンプリングされた画
像データを随時画素部に出力するデータドライバと、ゲ
ートドライバとも称され、画素部に転送された画像デー
タの格納画素を指定する走査ドライバとの2種類があ
る。これら各ドライバの構成は液晶パネルの仕様により
回路構成が異なるものの、データドライバは、例えばシ
フトレジスタ、サンプリング回路、トランスファ回路お
よび出力バッファ等から構成され、走査ドライバは、例
えばシフトレジスタ、レベルシフタ、出力バッファ等か
ら構成されている。
構成と動作とを図16ないし図21に基づいて説明す
る。尚、図16はアクティブマトリクス方式の液晶表示
装置に使用される代表的な所謂、線順次走査方式のデー
タドライバのブロック図、図17は図16における各部
のタイミングチャート例、図18は点順次走査方式のデ
ータドライバのブロック図、図19は図18における各
部のタイミングチャート例である。
16に示すように、データドライバ内のシフトレジスタ
101に、クロック信号(以下、CLPと称する)と、
スタートパルス(以下、STPと称する)とが入力され
る。例えば、同ドライバの出力本数をNとすると、1水
平走査分のデータのサンプリングを開始するSTPが入
力されることで、シフトレジスタ101の各出力部から
は、CLPのタイミングに準じてサンプリングパルスC
1 〜CN が出力される。映像信号は、サンプリング回路
102において、シフトレジスタ101から出力される
サンプリングパルスC1 〜CN によりサンプリングさ
れ、サンプリングされた信号データZ1 〜ZN がサンプ
リングコンデンサに順次書き込まれる。サンプリングコ
ンデンサに書き込まれた1水平走査分の信号データは、
転送信号(以下、TRFと称する)に基づいて、トラン
スファ回路103から出力バッファ104を介してデー
タバスラインに出力される。このデータバスラインへの
データ転送タイミングに合わせて、走査ドライバから走
査信号線に走査パルスを印加することにより、1水平走
査分のデータが液晶パネルにおける所定の画素に格納さ
れる。
ている間に、次の水平走査分の映像信号のサンプリング
が行われる。そして、この新たにサンプリングされたデ
ータを出力バッファ104に転送するTRF信号がトラ
ンスファ回路103へ入力される前に、放電信号(以
下、DISと称する)が出力バッファ104に印加さ
れ、前の信号データがデータ信号線から消去される。
は、図18に示すように、映像信号が、上述の線順次走
査方式の場合と同様、シフトレジスタ101から出力さ
れるサンプリングパルスC1 〜CN によりサンプリング
される。しかしながら、このサンプリングされた信号
は、サンプリングコンデンサに書き込まれることなく、
直ちにデータバスラインに転送される。このデータバス
ラインへのデータ転送タイミングに合わせて、前記の場
合と同様、走査ドライバから走査信号線に走査パルスを
印加することにより、1水平走査分のデータが液晶パネ
ルにおける所定の画素に格納される。
中、サンプリングが最も遅いタイミングの信号データが
格納される画素に対しては、データバスラインに信号デ
ータが出力されてから走査パルスがOFFするまでの時
間が短いため、画素のスイッチング素子、即ちアクティ
ブ素子の電子移動度が低い場合、画素への充電時間が足
りず、信号データを十分に書き込むことができなくな
る。従って、点順次走査方式の場合、必然的に電子移動
度が高い素子を使用する必要がある。
として、線順次走査方式では、アモルファスシリコン薄
膜トランジスタ(以下、a−SiTFTと称する)を使
用し、点順次走査方式では、多結晶シリコン薄膜トラン
ジスタ(以下、p−SiTFTと称する)を使用するの
が一般的である。a−SiTFTの場合、通常、前記ド
ライバ回路には外付けのドライバLSIが使用される。
一方、p−SiTFTの場合、電子移動度μが、μ≧5
cm/V・sec であり、a−SiTFTのそれと比較して1
0〜1000倍も高いので、画面を形成するガラス基板
上に前述のようなドライバ回路をモノリシックに形成す
ることが可能である。
にドライバを表示画面のガラス基板上に設けた場合に
は、従来のa−SiTFT液晶表示装置(以下、a−S
iTFTLCDと称する)のように、必然的に走査信号
線およびデータ信号線のみならず、図16および図18
に示した電源線、クロック信号線および映像信号線等
も、上記ガラス基板等の絶縁基板上、あるいは単結晶シ
リコン基板等の半導体基板上に配線する必要がある。こ
の配線材として、a−SiTFTLCDに使用されてい
る例えばTaあるいはTaNxは、比抵抗ρが25〜3
0μΩ・cmであり、この配線材により配線した場合の
配線抵抗は、例えば、配線パターンにおける配線幅を1
00μm、膜厚を3000Åとすると、1cmの配線で
100Ω程度となる。
場合、この装置の横方向、即ち水平方向の端から端まで
信号線を設けると、信号線長が約20cmとなり、この
信号線の配線抵抗は2kΩ程度となり、対角13cmク
ラスの表示装置の場合でも、1kΩ程度となる。このよ
うな信号線においては、例えば図20に示すように、信
号入力端側でAのような広い帯域を有する信号も、信号
線を通過するに従ってA→B→Cと帯域特性が悪化し、
信号線の終端ではDのような帯域特性を示すことにな
る。この状態は、液晶パネルの左端と右端とで信号の過
渡特性が大きく異なることを意味する。
示したサンプリング回路102およびシフトレジスタ1
01に当てはめると、例えば、初段では図21(a)に
示したような出力サンプリング信号の波形は、段数を経
るにつれて立ち上がり部および立ち下がり部が鈍化して
初期の形状から変化し、いわゆる波形なまりを生じる。
即ち、CM (1<M<N)段では、本来bであるべきも
のがb´となり、さらに段を経たC段では、本来cであ
るべきものがc´になる。このため、サンプリングの位
相が正規の位置からずれる、あるいはサンプリング信号
そのものが発生しないといった事態を生じ、これにより
良好な表示を行うことができないという問題点を招来す
る。
パネルに流れる電流を検出し、この電流量に応じて表示
パネルへの印加電圧を制御することにより、信号データ
の波形なまりを補正する技術が開示されている。しかし
ながら、上記公報に開示されている技術では、単純マト
リクス駆動方式の画像表示装置のみに有効であり、アク
ティブ素子を備えた例えばアクティブマトリクス駆動方
式の画像表示装置におけるドライバのモノリシック化、
あるいはCOG(chip on glass) 化等に起因する波形な
まりには対応することができないという問題点を有して
いる。
たドライバ回路におけるモノリシック化、あるいはCO
G化等に起因する波形なまりに対応することができ、良
好な表示を行うことができる画像表示装置の提供を目的
としている。
めに、請求項1の発明の画像表示装置は、面状に広がる
画像表示部、例えば液晶パネルを有し、この画像表示部
と同一基板上に、複数のアクティブ素子を含む回路手段
が設けられている画像表示装置において、少なくとも2
値をとる基本信号成分、および波形なまり対応信号成分
を有する波形改善信号を生成し、この信号を上記回路手
段に供給する波形改善信号生成回路を備え、上記の波形
改善信号が、基本信号成分の最大振幅をv、波形なまり
対応信号成分を含む部位の最大振幅をVとしたとき、|
v|<|V|の関係を有するとともに、基本信号成分の
周波数をf、波形なまり対応信号成分の周波数をFとし
たとき、f≦Fの関係を有することを特徴としている。
請求項1の発明の画像表示装置において、上記の波形改
善信号生成回路が、外部から入力された基本信号を微分
して波形改善信号を生成する微分回路であることを特徴
としている。
請求項1の発明の画像表示装置において、上記の波形改
善信号生成回路が、外部から入力された基本信号と、生
成した波形なまり対応信号とを加算して波形改善信号を
生成するものであることを特徴としている。
面状に広がる画像表示部を有し、この画像表示部と同一
基板上に、複数のアクティブ素子を含む回路手段が設け
られている画像表示装置において、上記の回路手段は、
入力信号に対して、回路の動作の指標となる、波形なま
りにより劣化した信号成分における位相特性の補償動作
を行う位相特性改善回路を備えていることを特徴として
いる。
請求項4の発明の画像表示装置において、上記の位相特
性改善回路が、微分回路からなることを特徴としてい
る。
面状に広がる画像表示部を有し、この画像表示部と同一
基板上に、複数のアクティブ素子を含む回路手段が設け
られている画像表示装置において、上記回路手段の動作
周波数を決定する基本信号に対し、この信号における動
作タイミングを指定する部位に波形なまり対応信号成分
を付与する波形改善回路を備え、上記基本信号による回
路手段の動作周波数をf、上記波形なまり対応信号成分
の最少パルス幅をTとしたとき、T<1/fの関係が成
り立つことを特徴としている。
請求項6の発明の画像表示装置において、上記の波形改
善回路が、微分回路からなることを特徴としている。
請求項6の発明の画像表示装置において、上記の波形改
善回路が、正弦波発生回路、およびこの回路により発生
された正弦波と上記基本信号とを加算する加算回路から
なることを特徴としている。
請求項6、請求項7または請求項8の発明の画像表示装
置において、上記波形なまり対応信号成分の波高値をV
T 、上記基本信号成分の波高値をVf としたとき、|V
T |>|Vf |の関係が成り立つことを特徴としてい
る。
は、面状に広がる画像表示部を有し、この画像表示部と
同一基板上に、複数のアクティブ素子を含む回路手段が
設けられている画像表示装置において、上記回路手段の
最高電源電圧をVDD、最低電源電圧をVEE、この回路手
段へ入力する信号の振幅をVPP(ピーク・ピーク値)と
したとき、VPP>|VDD−VEE|であることを特徴とし
ている。
る基本信号成分の最大振幅をv、波形なまり対応信号成
分を含む部位の最大振幅をVとしたとき、これらの関係
を|v|<|V|とすることにより、基本信号成分に対
して波形なまり対応信号成分を検出可能な成分とするこ
とができる。また、基本信号成分の周波数をf、波形な
まり対応信号成分の周波数をFとしたとき、これらの関
係をf≦Fとすることにより、基本信号成分に対し、波
形なまり信号成分を適切に設定することができる。
善信号を回路手段、例えば駆動回路に供給することによ
り、例えば画像表示部と同一の基板上に駆動回路をモノ
リシックに形成し、あるいはCOG実装を行ったとして
も、基本信号となる例えばクロック信号等の立ち上がり
部もしくは立ち下がり部、またはこれら両者の波形なま
りを抑制し、これらの急峻性を維持して、位相ずれを防
止することができる。これにより、例えば、サンプリン
グパルスのタイミング遅延が生じず、正規のタイミング
によって所望の映像信号のサンプリングが可能となり、
良好な画像表示を行うことができる。
成回路が、外部から入力された基本信号を微分して波形
改善信号を生成する微分回路であるので、構成を簡素化
することができる。
成回路が、外部から入力された基本信号と、生成した波
形なまり対応信号とを加算して波形改善信号を生成する
ものであるから、波形なまり対応信号を独立した状態で
適切に形成することができ、所望の波形改善信号を良好
に形成することができる。これにより、例えば画像信号
のさらに良好なサンプリングを行うことができ、さらに
良好な画像表示が可能となる。
ば駆動回路が備える位相特性改善回路は、入力信号にお
ける駆動回路の動作の指標となる信号成分、即ちこの劣
化した信号成分における位相特性の補償動作を行うの
で、波形なまりによる劣化を防止する波形なまり対応信
号成分を予め入力信号に設定する場合と比較して、上記
入力信号の劣化防止に対応し易くなる。
路が微分回路からなるので、構成を簡素化することがで
きる。
よる回路手段、例えば駆動回路の動作周波数をf、上記
波形なまり対応信号成分の最少パルス幅をTとしたと
き、T<1/fとすることにより、基本信号に対して波
形なまり対応信号成分を適切に設定することができる。
形なまり対応信号成分が付与されることにより、例えば
画像表示部と同一の基板上に駆動回路をモノリシックに
形成し、あるいはCOG実装を行った場合であっても、
基本信号となる例えばクロック信号等の立ち上がり部も
しくは立ち下がり部、またはこれら両者の波形なまりを
抑制し、これらの急峻性を維持して、位相ずれを防止す
ることができる。これにより、例えば、サンプリングパ
ルスのタイミング遅延が生じず、正規のタイミングによ
って所望の映像信号のサンプリングが可能となり、良好
な画像表示を行うことができる。
微分回路からなるので、構成を簡素化することができ
る。
が、正弦波発生回路、およびこの回路により発生された
正弦波と上記基本信号とを加算する加算回路からなるの
で、正弦波を使用しての波形なまり防止動作が可能とな
る。
信号成分の波高値をVT 、基本信号成分の波高値をVf
としたとき、|VT |>|Vf |とすると、基本信号成
分に対して波形なまり対応信号成分を検出可能な成分と
することができ、別に、波形なまり対応信号成分の増幅
手段等のレベル調整手段を設けることが不要となる。
力する信号を例えば増幅して、その振幅VPP(ピーク・
ピーク値)と回路手段の最高電源電圧VDDおよび最低電
源電圧VEEとの関係を、VPP>|VDD−VEE|とするこ
とにより、簡便な構成にて、上記入力信号における波形
なまりを抑制し、波形改善の効果を得ることができる。
いて以下に説明する。本実施例の画像表示装置としての
液晶表示装置は、アクティブマトリクス型点順次走査方
式となっており、さらにはアクティブ素子を含み、画像
表示部と同一基板上に設けられた回路手段が画像表示部
を駆動するための駆動回路となっている。この本液晶表
示装置は、図1に示すように、図示しない液晶パネルを
駆動するドライバ回路1の前段に、応答性改善回路2を
備えている。この応答性改善回路2は、原クロック信号
(以下、原CLPと称する)を発生する図示しないクロ
ック信号発生回路と共に波形改善信号生成回路を構成し
ている。
示す方形パルス状の基本信号成分としての原CLPか
ら、同図(b)に示す波形なまり対応信号成分としての
応答性改善信号を生成する微分回路3と、上記原CLP
に上記応答性改善信号を加算し、即ちミキシングし、同
図(c)に示す波形改善信号としての改善クロック信号
(以下、改善CLPと称する)を生成する加算器4とを
備えている。上記微分回路3は、例えば図3に示す抵抗
R1 、コンデンサC1 からなる。この微分回路3から出
力される上記応答性改善信号の同図(b)に示すパルス
幅tは、周知のようにR1 とC1 との積(t=R1 ・C
1 )にて、即ち微分回路3の時定数にて決定される。
イバ回路1に近接している方が改善CLP信号の波形な
まり防止の点において良好であるものの、クロック信号
発生回路とドライバ回路1との間であれば特に限定され
ない。
に、1個の演算増幅器OP1 と4個の抵抗R2 と1個の
抵抗R3 とから構成されている。尚、抵抗R3 は、R3
=R2/2となっている。同回路において、演算増幅器
OP1 の反転入力端子の入力電圧をV- 、非反転入力端
子の入力電圧をV+ 、入力端子a、入力端子bの入力電
圧をそれぞれVa、Vb、出力端子cの出力電圧をVc
とすると、 V+ =(R2 /3)(Va/R2 +Vb/R2 )=(V
a+Vb)/3 V- ={Vc/(R2 /2+R2 )}R2 /2=Vc/
3 V+ =V- より、 Vc=Va+Vbとなる。
で示すHigh/Low、即ちH/L、もしくは1/0
の値をとる基本信号成分Ssと、原CLPの立ち上がり
部、立ち下がり部にそれぞれ付与された細い線で示すオ
ーバーシュート成分So、アンダーシュート成分Suと
を有している。
のデータドライバであり、シフトレジスタ11とサンプ
リング回路12とを備え、液晶パネルにおける画素部と
同一のガラス基板上に設けられている。シフトレジスタ
11には、上記の改善CLPと、スタートパルス(以
下、STPと称する)とが入力される。
ち上がりもしくは立ち下がりのタイミングでSTPをシ
フトさせていく。ここでは、シフトレジスタ11が改善
CLPの立ち上がりで上記シフト動作を行うものとす
る。
(c)に示す改善CLPは、先述のように、ドライバ回
路1内の配線における配線抵抗、および寄生容量によ
り、立ち上がり部が鈍化する方向に変形する。しかしな
がら、改善CLPには、予めオーバーシュート成分So
が付与されているので、改善CLPの波形なまりが防止
され、立ち上がりの遅延は殆ど生じない。また、寄生容
量の影響が大きければ、それに応じてオーバーシュート
成分Soの割合を大きくすることで立ち上がり部の遅延
を確実に解消することができる。
水平走査分のデータのサンプリングを開始するSTPが
入力されることで、シフトレジスタ11の各出力部から
は、改善CLPのタイミングに準じてサンプリングパル
スC1 〜CN が出力される。映像信号は、サンプリング
回路12において、シフトレジスタ11から出力される
サンプリングパルスC1 〜CN によりサンプリングさ
れ、このサンプリングされた信号は、直ちにデータバス
ラインに転送される。
イミングに合わせて、走査ドライバから走査信号線に走
査パルスを印加することにより、1水平走査分のデータ
が液晶パネルにおける所定の画素に格納される。これに
より、液晶表示装置は表示を良好に行うことができる。
ち上がり部にオーバーシュート成分Soを有し、立ち下
がり部にアンダーシュート成分Suを有しているもの
の、シフトレジスタ11は、改善CLPの立ち上がりの
みにより上記シフト動作を行うものであるから、立ち下
がり部のアンダーシュート成分Suはなくてもよい。逆
に、仮にシフトレジスタ11が改善CLPの立ち下がり
により上記シフト動作を行うものであれば、立ち下がり
部のアンダーシュート成分Suのみでよい。
発生回路から出力された原CLPに対し応答性改善回路
2にて応答性改善信号を付与しているが、上記クロック
信号発生回路から応答性改善信号が付与された改善CL
Pを出力する構成、即ちクロック信号発生回路が応答性
改善回路2を備えている構成であってもよい。
微分により改善CLPとなるような原CLPをクロック
信号発生回路6にて生成し、この原CLPを微分回路3
にて処理することにより、得るようにしてもよい。
り部と立ち下がり部とに応答性改善信号としての微分信
号を付与しているものとなっているが、その他、原CL
Pと同期関係にある他の応答性改善信号を付与したも
の、例えば図8(a)に示すように、正弦波からなる応
答性改善信号を付与したもの、同図(b)に示すよう
に、パルス状の応答性改善信号を付与したものであって
もよい。また、上記の応答性改善信号としては、三角波
状のもの、あるいは台形状のものであってもよい。ま
た、応答性改善信号は、原CLPの立ち上がり部と立ち
下がり部とに設けられるばかりでなく、同図(c)に示
すように、例えばこれらの位置からずれた位置に設けら
れていてもよい。さらに改善CLPは、同図(d)に示
すように、原CLPの立ち上がり部から立ち下がり部ま
での間に、2個の応答性改善信号が設けられたものであ
ってもよい。尚、立ち上がり特性の改善が立ち下がり特
性に、逆に立ち下がり特性の改善が立ち上がり特性に、
それぞれ、影響を及ぼして弊害が発生する場合には、応
答性改善信号の挿入位置を、原CLP信号の立ち上がり
部と立ち下がり部の中間、即ち1/2の点よりも前側と
することが望ましい。
記の改善CLPにおいて、図5に示すように、原CL
P、即ち基本信号に対応する成分の最大振幅をv、この
基本信号の特性を改善する部位の最大振幅をVとしたと
き、 |v|<|V| の関係が成立すること、並びに基本信号成分の周波数を
fとし、応答性改善信号の周波数をFとしたとき、 f≦F が成立すること、という条件を満たしていればよい。
尚、ここで言う応答性改善信号の周波数Fとは、図2に
示すtにより算出される周波数であり、F=1/2tを
指すものである。
原CLPに対して応答性改善信号を検出可能な成分とす
ることができる。また、f≦Fとすることにより、原C
LPに対して応答性改善信号を適切に設けることができ
る。
ら、これを使用することにより回路の構成を簡素化する
ことができる。また、図1に示した構成は、図7に示し
た構成と比較して若干複雑であるものの、微分回路3に
よって応答性改善信号を生成し、これを原CLPに加算
して改善CLPを生成しているので、応答性改善信号を
より適切に形成することができる。
数のアクティブ素子が使用され、このアクティブ素子と
して、電子移動度μが、μ≧5cm/V・secの多結晶シリ
コン薄膜トランジスタ(以下、p−SiTFTと称す
る)が使用されること、ドライバ回路1が液晶パネルの
画面を形成するガラス基板上にモノリシックに形成され
ていることについては、先述の通りである。
性改善信号を付与し、改善CLPを得るものとなってい
るが、このような構成は、上記の改善CLPと同様、H
/Lもしくは1/0の2値をとる例えばスタートパル
ス、およびその他のデータ信号、並びに多階調、即ち多
数値をとる映像信号に対しても同様に適用可能である。
これらは、後述の他の実施例においても同様に適用可能
である。
いし図12に基づいて以下に説明する。尚、説明の便宜
上、前記の実施例に示した手段と同一の機能を有する手
段には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
ように、液晶パネルの画面を形成するガラス基板上にデ
ータドライバであるドライバ回路1が設けられ、このド
ライバ回路1が位相特性改善回路としての微分回路3を
備えている。微分回路3は、N段のシフトレジスタ11
全ての前段に設けられている。
信号発生回路から出力された原CLPは、ドライバ回路
1内における配線抵抗や寄生容量により、図10(a)
に示す波形が同図(b)に示すように、立ち上がり部お
よび立ち下がり部が鈍化して変形した波形となって、即
ち波形なまりを生じて微分回路3に入力される。この原
CLPは、微分回路3にて処理されることにより、同図
(c)に示すように、上記立ち上がり部および立ち下が
り部が急峻な波形となる。これにより、立ち上がり部お
よび立ち下がり部の遅延を補償することができ、液晶表
示装置は良好な表示を行うことができる。
のシフトレジスタ11の前段全てに設けているが、図1
1に示すように、CLPの供給線がN段のシフトレジス
タ11に応じて分岐される前段に1個の微分回路3を設
けてもよい。さらには、図12に示すように、シフトレ
ジスタ11の途中、即ち後段への伝達パルスそのものを
微分回路3にて処理することにより応答性の改善を図る
ようにしてもよい。
図13ないし図15に基づいて以下に説明する。尚、説
明の便宜上、前記の実施例に示した手段と同一の機能を
有する手段には同一の符号を付記し、その説明を省略す
る。
ように、データドライバであるドライバ回路1における
N段のシフトレジスタ11全ての前段にそれぞれ改善信
号挿入回路31を備えている。この改善信号挿入回路3
1には、改善信号発生回路32から出力される図14
(c)に示す波形なまり対応信号成分としての応答性改
善信号と、図示しないクロック信号発生回路から出力さ
れた原CLPとが入力されている。改善信号発生回路3
2は改善信号挿入回路31と共に波形改善回路を構成し
ている。上記改善信号挿入回路31は、例えば図4に示
した加算器4からなり、上記原CLPに応答性改善信号
を加算し、シフトレジスタ11に出力するようになって
いる。
信号発生回路から出力された原CLPは、ドライバ回路
1内における配線抵抗や寄生容量により、図14(a)
に示す波形が同図(b)に示すように、立ち上がり部お
よび立ち下がり部に波形なまりを生じて、改善信号挿入
回路31に入力される。改善信号挿入回路32は、改善
信号発生回路32から入力された図14(c)に示す応
答性改善信号を上記入力信号に加算して、同図(d)に
示す改善CLPを生成し、シフトレジスタ11に出力す
る。上記改善CLPは、立ち上がり部および立ち下がり
部が急峻となっており、これにより、シフトレジスタ1
1での応答性が改善される。
ス幅Tは、前記ガラス基板上に形成されたドライバ回路
1の動作周波数をfとすると、 T<1/f に設定する必要がある。従って、上記の応答性改善信号
としては、例えば図14(e)に示す原CLPの微分信
号も使用することができる。即ち、応答性改善信号は、
改善CLPにおける立ち上がり部および立ち下がり部の
急峻性を高めることができるものであればよく、例えば
正弦波であってもよい。
4(c)に示す応答性改善信号を発生する場合、周知の
パルス信号発生回路からなり、同図(e)に示す応答性
改善信号を発生する場合、周知の微分回路あるいはマル
チバイブレータから構成される。さらに、改善信号発生
回路32は、応答性改善信号が正弦波である場合、周知
の正弦波信号発生回路あるいは発振回路により構成され
る。
T と、原CLPの振幅をVf との関係を、 |VT |>|Vf | に設定すると、応答性改善信号を増幅する手段等のレベ
ル調整手段が不要となる。
示すように、シフトレジスタ11への原CLPの供給線
がN段のシフトレジスタ11に応じて分岐される前段に
設けてもよい。
て点順次走査方式のデータドライバを例にして説明した
が、本発明の構成は、点順次走査方式の走査ドライバ、
線順次走査方式のデータドライバと走査ドライバ、その
他、立ち上がりもしくは立ち下がりのタイミングが要求
される信号の処理に、例えば所謂スタイラスペンの処理
機能、あるいは二次元イメージセンサの処理機能等の全
て、あるいは一部を画像処理表示部と同一基板に形成し
た場合にも適用可能である。さらに、液晶表示装置から
なる画像表示装置に限定されることなく、その他の画像
表示装置、例えばエレクトロルミネッセンス表示装置、
あるいはプラズマディスプレイ等にも適用可能である。
性改善回路2等の各回路は、ガラス基板等の絶縁性基
板、あるいは表面に絶縁膜を形成した半導体基板上に形
成された電子移動度μ≧5cm2/V ・sec なるアクティブ
素子、あるいは上記基板上に実装されたCOG等により
実現することができる。
構成素子の耐圧等を考慮して、波形改善信号が例えばパ
ルス状の信号成分を有するものとして取り扱ったが、耐
圧に問題がなければ、単に波形改善信号を基本信号を増
幅したものとして取り扱うことも可能である。即ち、回
路手段の最高電源電圧をVDD、例えばグランド側の電圧
である最低電源電圧をVEE、この回路手段へ入力する信
号の振幅をVPP(ピーク・ピーク値)としたとき、 VPP>|VDD−VEE| の関係を有することにより、簡便な構成で上記入力信号
における波形なまりを抑制し、波形改善の効果を得るこ
とができる。尚、クリスタルシリコン基板上に構成され
たCMOS半導体では、一般に電源電圧よりも高い電圧
の信号を入力することができないものの、例えば、ガラ
ス基板上に構成されたTFT(薄膜トランジスタ)で
は、電子移動度が小さく、電源電圧よりも高い電圧の信
号を入力した場合にも破壊され難いので、上記の動作が
可能となる。
示装置は、少なくとも2値をとる基本信号成分、および
波形なまり対応信号成分を有する波形改善信号を生成
し、この信号を回路手段、例えば駆動回路に供給する波
形改善信号生成回路を備え、上記の波形改善信号が、基
本信号成分の最大振幅をv、波形なまり対応信号成分を
含む部位の最大振幅をVとしたとき、|v|<|V|の
関係を有するとともに、基本信号成分の周波数をf、波
形なまり対応信号成分の周波数をFとしたとき、f≦F
の関係を有する構成である。
形改善信号が回路手段、例えば駆動回路に供給されるの
で、例えば画像表示部と同一の基板上に駆動回路をモノ
リシックに形成し、あるいはCOG実装を行った場合で
あっても、基本信号となる例えばクロック信号等の立ち
上がり部もしくは立ち下がり部、またはこれら両者の波
形なまりを抑制し、これらの急峻性を維持して、位相ず
れを防止することができる。これにより、例えば、サン
プリングパルスのタイミング遅延が生じず、正規のタイ
ミングによって所望の映像信号のサンプリングが可能と
なり、良好な画像表示を行うことができるという効果を
奏する。
請求項1の発明の画像表示装置において、上記の波形改
善信号生成回路が、外部から入力された基本信号を微分
して波形改善信号を生成する微分回路からなる構成であ
る。
て、構成を簡素化することができるという効果を奏す
る。
請求項1の発明の画像表示装置において、上記の波形改
善信号生成回路が、外部から入力された基本信号と、生
成した波形なまり対応信号とを加算して波形改善信号を
生成する構成である。
て、波形なまり対応信号を独立した状態で適切に形成す
ることができ、所望の波形改善信号を良好に形成するこ
とができる。従って、例えば画像信号のさらに良好なサ
ンプリングを行うことができ、さらに良好な画像表示が
可能であるという効果を奏する。
回路手段、例えば駆動回路が、入力信号に対して、駆動
回路の動作の指標となる、波形なまりにより劣化した信
号成分における位相特性の補償動作を行う位相特性改善
回路を備えている構成である。
て、波形なまりによる劣化を防止する波形なまり対応信
号成分を予め入力信号に設定する場合と比較して、上記
入力信号の劣化防止に対応し易くなるという効果を奏す
る。
請求項4の発明の画像表示装置において、上記の位相特
性改善回路が、微分回路からなる構成である。
て、構成を簡素化することができるという効果を奏す
る。
回路手段、例えば駆動回路の動作周波数を決定する基本
信号に対し、この信号における動作タイミングを指定す
る部位に波形なまり対応信号成分を付与する波形改善回
路を備え、上記基本信号による駆動回路の動作周波数を
f、上記波形なまり対応信号成分の最少パルス幅をTと
したとき、T<1/fの関係が成り立つ構成である。
様、良好な画像表示を行うことができるという効果を奏
する。
請求項6の発明の画像表示装置において、上記の波形改
善回路が、微分回路からなる構成である。
て、構成を簡素化することができるという効果を奏す
る。
請求項6の発明の画像表示装置において、上記の波形改
善回路が、正弦波発生回路、およびこの回路により発生
された正弦波と上記基本信号とを加算する加算回路から
なる構成である。
て、正弦波を使用しての波形なまり防止動作が可能であ
るという効果を奏する。
請求項6、請求項7または請求項8の発明の画像表示装
置において、上記波形なまり対応信号成分の波高値をV
T 、上記基本信号成分の波高値をVf としたとき、|V
T |>|Vf |の関係が成り立つことを特徴としてい
る。
求項8の発明の効果に加えて、別に、波形なまり対応信
号成分の増幅手段等のレベル調整手段が不要であるとい
う効果を奏する。
は、回路手段の最高電源電圧をVDD、最低電源電圧をV
EE、この回路手段へ入力する信号の振幅をVPP(ピーク
・ピーク値)としたとき、 VPP>|VDD−VEE| とした構成である。
抑制し、波形改善の効果を得ることができる。
の構成を示すブロック図である。
である。
ク図である。
すブロック図である。
他の例を示すものであって、同図(a)は、原クロック
信号に応答性改善信号としての正弦波を重畳したもの、
同図(b)は、原クロック信号にパルス波を重畳したも
の、同図(c)は、原クロック信号の立ち上がり部と立
ち下がり部とからずれた位置に応答性改善信号を重畳し
たもの、同図(d)は原クロック信号の1個のパルスに
2個の応答性改善信号を重畳したものを示す波形図であ
る。
部の構成を示すブロック図である。
トである。
である。
ック図である。
装置の要部の構成を示すブロック図である。
ートである。
図である。
成を示すブロック図である。
である。
成を示すブロック図である。
である。
の信号の通過距離に対応する帯域特性の変化を示すグラ
フである。
号波形の変化を示すものであって、同図(a)は、原信
号、同図(b)は波形なまりが生じた状態、同図(c)
は波形なまりがさらに進行した状態の各波形図である。
Claims (10)
- 【請求項1】面状に広がる画像表示部を有し、この画像
表示部と同一基板上に、複数のアクティブ素子を含む回
路手段が設けられている画像表示装置において、 少なくとも2値をとる基本信号成分、および波形なまり
対応信号成分を有する波形改善信号を生成し、この信号
を上記回路手段に供給する波形改善信号生成回路を備
え、上記の波形改善信号が、基本信号成分の最大振幅を
v、波形なまり対応信号成分を含む部位の最大振幅をV
としたとき、 |v|<|V| の関係を有するとともに、基本信号成分の周波数をf、
波形なまり対応信号成分の周波数をFとしたとき、 f≦F の関係を有することを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項2】上記の波形改善信号生成回路が、外部から
入力された基本信号を微分して波形改善信号を生成する
微分回路であることを特徴とする請求項1に記載の画像
表示装置。 - 【請求項3】上記の波形改善信号生成回路が、外部から
入力された基本信号と、生成した波形なまり対応信号と
を加算して波形改善信号を生成するものであることを特
徴とする請求項1に記載の画像表示装置。 - 【請求項4】面状に広がる画像表示部を有し、この画像
表示部と同一基板上に、複数のアクティブ素子を含む回
路手段が設けられている画像表示装置において、 上記の回路手段は、入力信号に対して、回路の動作の指
標となる、波形なまりにより劣化した信号成分における
位相特性の補償動作を行う位相特性改善回路を備えてい
ることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項5】上記の位相特性改善回路が、微分回路から
なることを特徴とする請求項4に記載の画像表示装置。 - 【請求項6】面状に広がる画像表示部を有し、この画像
表示部と同一基板上に、複数のアクティブ素子を含む回
路手段が設けられている画像表示装置において、 上記回路手段の動作周波数を決定する基本信号に対し、
この信号における動作タイミングを指定する部位に波形
なまり対応信号成分を付与する波形改善回路を備え、上
記基本信号による回路手段の動作周波数をf、上記波形
なまり対応信号成分の最少パルス幅をTとしたとき、 T<1/f の関係が成り立つことを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項7】上記の波形改善回路が、微分回路からなる
ことを特徴とする請求項6に記載の画像表示装置。 - 【請求項8】上記の波形改善回路が、正弦波発生回路、
およびこの回路により発生された正弦波と上記基本信号
とを加算する加算回路からなることを特徴とする請求項
6に記載の画像表示装置。 - 【請求項9】上記波形なまり対応信号成分の波高値をV
T 、上記基本信号成分の波高値をVf としたとき、 |VT |>|Vf | の関係が成り立つことを特徴とする請求項6、請求項7
または請求項8に記載の画像表示装置。 - 【請求項10】面状に広がる画像表示部を有し、この画
像表示部と同一基板上に、複数のアクティブ素子を含む
回路手段が設けられている画像表示装置において、 上記回路手段の最高電源電圧をVDD、最低電源電圧をV
EE、この回路手段へ入力する信号の振幅をVPP(ピーク
・ピーク値)としたとき、 VPP>|VDD−VEE| であることを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (8)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005078096A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Samsung Electronics Co Ltd | データライン駆動方法及びその装置とこれを有する表示装置 |
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JP2017142311A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネルおよび液晶表示装置 |
JP2017156769A (ja) * | 2017-05-23 | 2017-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 階調電圧生成回路、データ線ドライバー、半導体集積回路装置、及び、電子機器 |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP24225993A patent/JP3460847B2/ja not_active Expired - Fee Related
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