JPH0797904B2 - 交流電源装置 - Google Patents

交流電源装置

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JPH0797904B2
JPH0797904B2 JP5033893A JP3389393A JPH0797904B2 JP H0797904 B2 JPH0797904 B2 JP H0797904B2 JP 5033893 A JP5033893 A JP 5033893A JP 3389393 A JP3389393 A JP 3389393A JP H0797904 B2 JPH0797904 B2 JP H0797904B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、交流入力電力を直流交
流入力電力レベルおよびそれ以下のレベルの出力電力に
変換する交流電源装置に関し、特に携帯または可搬が容
易な交流電源装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、国外等において、定格電圧が1
00Vの電気機器(電気カミソリ、その他)を、その定
格電圧より高い200Vなどの商用電源に接続して使用
する場合は、この高い商用電源電圧を使用電気機器の定
格電圧に降圧する交流電源装置が必要になり、しかも、
この交流電源装置は電気機器と別体の携帯可能な小形、
軽量の構造にする必要がある。
【0003】従来、このような交流電源装置には、交流
入力電力を直流に変換し、この直流をチョッピングする
ことにより、所定の周波数(50/60Hz)および所
定振幅の出力電流あるいは出力電圧に変換して、使用電
気機器の定格に適合した交流出力を得るAC−DC−A
C変換方式の電源装置が知られている。この種の電源装
置は、トランスを使用しないため、小形、軽量化でき、
携帯が容易である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来の交流電源装置では、交流入力電力を直流に
変換した後、所定の振幅および周波数の出力電流あるい
は出力電圧に変換するAC−DC−AC変換方式である
ため、整流回路およびその直流出力を平滑化する回路が
必要になり、これに伴い回路素子数が多くなって回路が
複雑になるとともに、装置全体の力率が低下するという
問題があった。
【0005】本発明は、上述のような従来の問題を解決
するものであり、その目的とするところは、力率を低下
することなく所定レベルの交流出力を安定して得ること
ができるとともに、小形、軽量化を可能にした交流電源
装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の請求項1の発明は、交流電源に接続される入
力端子と、負荷が接続される出力端子と、前記入力端子
の一端と前記出力端子の一端間に単相ブリッジに接続さ
れた4個のダイオード及び該ダイオードのうちのカソー
ド同士の接続点とアノード同士の接続点間に接続された
スイッチング素子を有する高周波スイッチング回路と、
所定の高周波ゲート信号を発生し該ゲート信号により前
記スイッチング素子をオン・オフ制御することにより前
記入力端子から供給される交流電力波形をチョッピング
して前記高周波スイッチング回路からチョッピング出力
を発生させるゲート制御回路と、前記高周波スイッチン
グ回路の出力段と前記出力端子間に接続され、前記高周
波スイッチング回路から出力されるチョッピング出力波
形を交流波形に整形するとともに該交流波形に含まれる
ノイズ成分を除去して負荷に出力するチョークコイル及
びコンデンサなどのリアクタンス素子からなる波形整形
・ノイズ除去回路と、前記波形整形・ノイズ除去回路と
該波形整形・ノイズ除去回路に直結される前記一対の各
ダイオードとの間に順方向にそれぞれ接続された一対の
スイッチング素子及び該一方のスイッチング素子の出力
側と前記他方の出力端子間及び他方のスイッチング素子
の入力側と前記他方の出力端子間に順方向にそれぞれ接
続された一対のダイオードを有 する低周波スイッチング
回路と、前記各制御整流素子を前記交流電源周波数に同
期して交流波形の半サイクルずつ交互にオン・オフ制御
するゲート制御回路とを備えてなるものである。また、
請求項2の発明は、請求項1に記載の交流電源装置にお
いて、前記ゲート制御回路および前記低周波スイッチン
グ回路の制御用電源回路と、この制御用電源回路の入力
電圧を交流電源電圧に応じて降圧もしくは昇圧方向に自
動的に切り替える交流入力切替手段とを備えてなるもの
である。さらに請求項3の発明は、請求項1に記載の交
流電源装置において、前記高周波スイッチング回路に流
れる電流および前記負荷に流れる電流を検出し、これら
の電流が設定値以上になったときに動作して前記ゲート
制御回路の発振動作を停止保持させる過電流防止回路を
設けてなるものである。
【0007】
【作用】請求項1の構成により、前記低周波スイッチン
グ回路の各スイッチング素子のオン動作時に前記高周波
スイッチング回路のチョッピング出力は前記波形整形・
ノイズ除去回路を通して負荷に供給されるとともに前記
高周波スイッチング素子のオン動作時に負荷に流される
電流で前記リアクタンス素子に蓄えられた電気エネルギ
は前記高周波スイッチング素子のオフ動作時に前記低周
波スイッチング回路のスイッチング素子及びダイオード
を通して負荷に放出される。よつて、負荷の定格に応じ
た交流出力を安定して得ることができるとともに、整流
回路を用いなくとも交流−交流変換方式の電流装置
率を低下させることなく容易に得ることができる。ま
た、請求項2の構成により、制御用電源回路の入力電圧
を人手を用することなく降圧または昇圧方向に自動的に
切り替え、ゲート制御回路等に必要な電圧を確保し得
る。さらにまた、請求項3の構成により、電源装置およ
び負荷を過電流から保護し得る。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は、本発明による交流電源装置の全体の回路
構成図である。図1において、10a、10bは交流入
力端子であり、例えば100V乃至それ以上の交流電源
に接続される。11はヒューズ12を介して交流入力端
子10a、10b間に接続した入力フィルタであり、こ
の入力フィルタ11はコンデンサC1、C2、チョーク
コイルL1およびサージ吸収素子SAとから構成され、
交流入力端子10a、10bを通して外部から入力され
るノイズおよびサージを吸収するとともに、後述する高
周波スイッチング回路13のスイッチングトランジスタ
の開閉サージ等を吸収する。
【0009】高周波スイッチング回路13は入力端子1
0a、10bから供給される交流波形をチョッピングし
て負荷の定格に応じた電圧を生成するもので、入力フィ
ルタ11の一方の出力端に接続したライン11aにブリ
ッジに接続されたダイオードD1〜D4と、このダイオ
ードD1とD4とのカソード側接続点aとダイオードD
2とD3とのアノード側接続点b間にドレイン・ソース
間を接続したnチャンネルMOSFETQ1とから構成
される。
【0010】14は高周波スイッチング回路13の出力
側に接続した低周波スイッチング回路であり、この低周
波スイッチング回路14は、高周波スイッチング回路1
3のダイオードD4に直列に接続されたサイリスタSC
R1と、高周波スイッチング回路13のダイオードD3
に直列に接続されたサイリスタSCR2と、ダイオード
D3のカソードとサイリスタSCR2のアノードとの接
続点と入力フィルタ11の他方の出力端に接続したライ
ン11b間に接続されたダイオードD5と、ダイオード
D4のアノードとサイリスタSCR1のカソードとの接
続点と他方のライン11b間に接続されたダイオードD
6とから構成され、前記サイリスタSCR1、SCR2
は高周波スイッチング回路13のトランジスタQ1のス
イッチング周波数(例えば20kHz)より十分低い入
力電源周波数に同期した速度で半サイクルずつ交互にオ
ン・オフされる。
【0011】15は低周波スイッチング回路14の出力
側に接続された波形整形・ノイズ除去回路であり、この
波形整形・ノイズ除去回路15はMOSFETQ1のス
イッチングによって得られる入力交流波形を時間軸方向
にチョッピングした矩形波出力を入力電圧より低い交流
出力電圧に波形整形とともにノイズ成分および高周波成
分を除去するもので、図1に示すようにライン11aに
直列に接続したインプットタイプのチョークコイルCH
と、ライン11a、11b間に並列接続した抵抗ROお
よびコンデンサC3と、ライン11a、11bに直列に
接続した2巻線タイプのチョークコイルL2と、チョー
クコイルL2の出力側端間に並列接続したコンデンサC
4および2巻線タイプのチョークコイルL3とから構成
される。
【0012】また、16は波形整形・ノイズ除去回路1
5の出力側と出力端子17a、17b間に接続したフィ
ルタであり、このフィルタ16は負荷に発生するサージ
およびノイズ成分を吸収するもので、出力端子17a、
17b間に並列に接続したコンデンサC5、C6から構
成され、そして、2巻線タイプのチョークコイルL3は
負荷で発生するノイズ成分をも吸収する。出力端子17
a、17bには、電気カミソリその他の電気機器に相当
する負荷18が接続されている。
【0013】図1において、制御用の電源回路19は補
助トランス20を備え、その一次巻線20aの一端側
は、100V/200Vの入力電圧切替用の常閉接点R
Y1および常閉接点RY2を介して入力フィルタ11の
出力端Aに接続され、一次巻線20aの他端は入力フィ
ルタ11の出力端Bに接続されている。
【0014】また、補助トランス20の第1の二次巻線
20bは、低周波スイッチング回路14のサイリスタS
CR1に入力電圧の負の半サイクルに相当する期間、ゲ
ート信号を供給するためのもので、この第1の二次巻線
20bの両端には、抵抗R12およびダイオードD1
1、D12を介してサイリスタSCR1のゲートG1と
カソードK1が接続されている。補助トランス20の第
2の二次巻線20cは、低周波スイッチング回路14の
サイリスタSCR2に入力電圧の正の半サイクルに相当
する期間、ゲート信号を供給するためのもので、この第
2の二次巻線20cの両端には、抵抗R12およびダイ
オードD13、D14を介してサイリスタSCR2のゲ
ートG2とカソードK2が接続されている。
【0015】補助トランス20の第3の二次巻線20d
は、制御用の直流電力を得るためのもので、この二次巻
線20dの両端には全波整流器SR11の入力端を接続
し、その出力端には平滑用のコンデンサC11が並列に
接続されている。
【0016】前記平滑用コンデンサC11の両端に接続
した直流出力ライン21a、21b間には、サイリスタ
SCR11を介して電源電圧切替リレーRYが並列に接
続され、さらに、電源電圧を検出する電圧検出回路22
が並列に接続されており、この電圧検出回路22は、入
力端子10a、10bが交流200Vの電源に接続され
たときに前記サイリスタSCR11を不導通にしてリレ
ーRYをメークアップさせる。また、入力端子10a、
10bが交流100Vの電源に接続されたときはサイリ
スタSCR11を導通してリレーRYをブレークダウン
させる。ZDは直流出力ライン21a、21b間に並列
に接続した定電圧用のツェナーダイオード、C12はツ
ェナーダイオードZDの出力側に並列に接続した交流除
去用のコンデンサである。
【0017】23は、ツェナーダイオードZDの定電圧
が動作電源として供給されるように直流出力ライン21
a、21b間に接続した過電流防止回路であり、この過
電流防止回路23には、MOSFETQ1のソース電流
Isが供給されるようになっているとともに、負荷電流
検出回路24で検出した負荷電流Ioが供給されるよう
になっており、このソース電流Isまたは負荷電流Io
は過電流防止回路23内で設定値と比較され、ソース電
流Isまたは負荷電流Ioが設定値以上になつたときに
後述するゲート制御回路25に対し発振停止信号S1を
出力し、かつ、過電流防止回路23と直流出力ライン2
1a間に接続した発光ダイオードLED11を点灯させ
る。また、この過電流防止回路23は、過電流を検出し
て動作した後は、装置全体を停止状態に保持し、電源を
遮断しない限り、元の状態に復帰しない構成になってい
る。
【0018】前記負荷電流検出回路24は、カーレント
トランスCTと、このカーレントトランスCTにより取
り出した負荷電流を全波整流する整流器SR12と、こ
の整流器SR12の出力端に接続した抵抗R21とから
構成される。
【0019】前記ゲート制御回路25は、前記高周波ス
イッチング回路13のMOSFETQ1をスイッチング
制御するもので、所定の交流出力を得るための所定デュ
ティ比のパルス信号を発生するICから構成され、この
ICの電源端は直流出力ライン21a、21b間に接続
されている。また、ゲート制御回路25は、パルス信号
の発振周波数を設定する外付けのコンデンサC14およ
び抵抗R15を有するとともに、ICの入力端11に
は、抵抗R16と可変抵抗VR1で設定される基準電圧
が供給され、さらに、ICの入力端子12には、出力電
圧検出回路26で検出された出力電圧を抵抗R18とR
19で分圧した電圧が加えられる。これにより、ICで
は分圧電圧と基準電圧を比較し、その差がゼロとなるよ
うに、即ち、出力電圧Voutが所定の電圧に安定する
ようにゲート制御回路25の出力端O1から出力される
パルス信号PSのパルス幅を制御するようになってい
る。
【0020】前記出力電圧検出回路26は、波形整形・
ノイズ除去回路15から得られる交流出力を全波整流す
る整流器SR1と、この整流器SR1の出力端に接続し
た抵抗R3、R4およびフォトカプラPHと、整流器S
R1の出力端に接続した運転表示用の発光ダイオードL
ED1とから構成され、フォトカプラPHのフォトトラ
ンジスタは、分圧用抵抗R18、R19に直列に接続さ
れる。これにより、抵抗19の両端に交流出力に比例し
た電圧を発生させるようになっている。
【0021】27は、直流出力ライン21a、21b間
に接続したパルス信号増幅回路であり、この増幅回路2
7の入力端INは、直流出力ライン21a、21b間に
接続した抵抗R20とコンデンサC15との接続点に接
続され、さらに、この接続点にはゲート制御回路25の
出力端O1が接続されている。また、増幅回路27の出
力端はMOSFETQ1のゲート・ソースG、Sに接続
され、ゲート制御回路25から出力されるパルス信号P
Sは増幅回路27を通してMOSFETQ1のゲート・
ソース間に供給される。
【0022】次に、上記のように構成された本実施例の
動作について説明する。本電源装置の出力端子17a、
17bに、例えば定格電圧が100Vの電気カミソリに
相当する負荷機器18が接続された状態において、入力
端子10a、10bが、例えば200Vの商用交流電源
eが接続されると、この交流電源電圧eは入力フィルタ
11を通して出力端A、Bから補助トランス20の一次
巻線20aに供給される。このとき、第3の二次巻線2
0dおよび整流器SR11により取り出される直流電圧
は電圧検出回路22により検出されるが、この検出電圧
は、交流電源電圧eが200Vであることによってサイ
リスタSCR11のゲート電圧以上になるため、サイリ
スタSCR11が導通し、リレーRYがメークアップす
る。これにより補助トランス20の一次巻線20aの常
開接点RY1がオンし、常閉接点RYがオフするため、
一次巻線20aの巻線数が減少し、これに伴って二次側
の各巻線には、巻線比に応じた所定の電圧が誘起され
る。そして、第1の二次巻線20bに誘起された交流電
圧波形のうち、負の半サイクルの波形がダイオードD1
1、D12により半波整流されて低周波スイッチング回
路14のサイリスタSCR1のゲート−カソードG1−
K1に供給され、これにより、サイリスタSCR1を電
源交流波形の負の半サイクルの期間導通させる。
【0023】一方、ゲート制御回路25にツェナーダイ
オードZDで定電圧化された動作電圧が加えられると、
該ゲート制御回路25が作動して、その出力端O1から
デューティ比が50%のパルス信号PSが発生し、この
パルス信号PSは増幅回路27により増幅された後、高
周波スイッチング回路13のMOSFETQ1のゲート
ソースG−S間に供給される。これに伴いMOSFET
Q1はパルス信号PSにより、所定の周波数(例えば2
0kHz)でスイッチングされる。
【0024】MOSFETQ1がスイッチングされる
と、図2(a)に示す電源入力の正の半サイクルに対す
るオン時は、図3の概略回路図に示すように、入力端子
10a−ダイオードD1−MOSFETQ1−ダイオー
ドD3−サイリスタSCR2−チョークコイルCH−出
力端子17a−負荷18−出力端子17b−入力端子1
0bの経路で図2(b)に示すような正の半サイクル波
形をチョッピングした矩形波状の電圧31が流れるとと
もに、MOSFETQ1のオフ時には、波形整形・ノイ
ズ除去回路15のチョークコイルCHに蓄えられた電流
32が図3の概略回路図に示すように、チョークコイル
CH−出力端子17a−負荷18−出力端子17b−ダ
イオードD5−サイリスタSCR2−チョークコイルC
Hの経路で放電される。そして、MOSFETQ1のオ
フ時には、波形整形・ノイズ除去回路15のコンデンサ
C3に充電された電荷も負荷18に放電される。
【0025】また、MOSFETQ1が図2(a)に示
す電源入力の負の半サイクルに対してスイッチングされ
た場合のオン時は、図4の概略回路図に示すように、入
力端子10b−出力端子17a−負荷18−出力端子1
7a−チョークコイルCH−サイリスタSCR1−ダイ
オードD4−MOSFETQ1−ダイオ−ドD2−入力
端子10aの経路で図2(b)に示すような負の半サイ
クル波形をチョッピングした矩形波状の電流33が流れ
るとともに、MOSFETQ1のオフ時には、チョーク
コイルCHに蓄えられた電流34が図4の概略回路図に
示すように、チョークコイルCH−サイリスタSCR1
−ダイオードD6−出力端子17b−負荷18−出力端
子17a−チョークCHの経路で放電する。そして、M
OSFETQ1のオフ時にはコンデンサC3に充電され
た電荷も負荷18に放電される。
【0026】このようなMOSFETQ1のスイッチン
グにより生成された図2(b)に示す波形の矩形波出力
が、電源周波数に同期して半サイクル期間ずつ交互にオ
ン・オフするサイリスタSCR1、SCR2を通して波
形整形・ノイズ除去回路15に入力されると、図2
(b)に示す矩形波出力はチョークコイルCHとコンデ
ンサC3により平滑化され、電源電圧より低い約1/2
に相当する図2(c)に示す正弦波の出力ら波形整形さ
れるとともに、この出力波形に重畳される高周波ノイズ
成分はチョークコイルL2、L3等により除去される。
そして、このようにして電源電圧(200V)を約1/
2に降圧して得られる出力電圧(100V)は、出力端
子17a、17bから負荷18である使用電気機器に供
給される。
【0027】本装置の出力電圧は検出回路26により検
出され、この検出電圧に応じてフォトカプラPHの2次
側フォトトランジスタに流れる電流が変化する。これに
伴いゲート制御回路25の抵抗R19の両端に発生する
電圧は、出力電圧に比例して変化することになる。した
がつて、ゲート制御回路25では、抵抗R19の両端に
発生する電圧と、可変抵抗VR1で設定された基準電圧
とを比較し、この差電圧がゼロとなるようにMOSFE
TQ1のゲートに加えられるパルス信号PSのパルス幅
(デューティ比)を変化させることで、出力電圧Vou
tを負荷の変動あるいは入力電圧の変動に関係なく一定
に制御する。
【0028】MOSFETQ1のソース電流Isおよび
負荷電流検出回路24で検出された負荷電流Ioは過電
流防止回路23に入力される。ここで、MOSFETQ
1のショートなどによりソース電流Isが過大になった
り、あるいは過電流防止回路23が動作して発生ダイオ
ードLED11を点灯させ、装置回路が過電流状態にな
ったことを表示する。これと同時に、ゲート制御回路2
5に対し発振停止信号S1を送出し、ゲート制御回路2
5を停止させる。これにより、電源装置および負荷18
を過電流から保護する。また、この状態は、入力端子1
0a、10bを交流電源から切り離すか、あるいは図略
の電源スイッチをオフしない限り保持される。
【0029】次に、本電源装置を100Vの交流電源に
接続した場合について述べる。この電源装置の入力端子
10a、10bが100Vの交流電源eに接続される
と、電圧検出回路22で検出された電圧は設定値以下に
なるため、サイリスタSCR11は不導通となり、リレ
ーRYはブレークダウンされる。これに伴い常開接点R
Y1がオフし、常閉接点RY2がオンするため、入力フ
ィルタ11を通過した交流電源eは常閉接点RY2を通
して補助トランス20の一次巻線に供給される。その結
果、この一次巻線と二次巻線との巻数比に応じた電圧が
それぞれの二次巻線に誘起される。この場合、各電圧は
200V時より低いものの所定レベルの電圧が誘起さ
れ、かつ、ツェナーダイオードZDで定電圧化されるた
め、ゲート制御回路25等の動作には支障を来すことが
ない。
【0030】一方、補助トランス20の第1および第2
の二次巻線20b、20cに誘起されたそれぞれの電圧
は、上述の200V時と同様にサイリスタSCR1、S
CR2のゲートにそれぞれ供給され、これらのサイリス
タを交流電源周波数に同期し半サイクル期間ずつ交互に
オン・オフされる。また、ゲート制御回路25において
は、90%を越えるデューティ比のパルス信号PSが発
生し、このパルス信号は抵抗R20、コンデンサC16
および増幅回路27で隙間のない連続する信号に整形さ
れ、かつ、増幅されてMOSFETQ1のゲート・ソー
スG−Sに加えられる。これにより、MOSFETQ1
はオン状態に保持され、電源電圧をそのまま低周波スイ
ッチング回路14および波形整形・ノイズ除去回路15
を通して負荷18に出力電圧として供給する。
【0031】上述の如く本実施例においては、ゲート制
御回路25からのパルス信号によりスイッチングされる
MOSFETQ1を有する高周波スイッチング回路13
と、交流電源周波数に同期して半サイクル期間ずつ交互
にオン・オフ制御されるサイリスタSCR1、SCR2
を有する低周波スイッチング回路14と、高周波スイッ
チング回路13により得られた出力波形を交流波形に整
形するとともに、該交流波形に含まれるノイズ成分を除
去する波形整形・ノイズ除去回路15を備え、サイリス
タSCR1、サイリスタSCR2のオン動作時に高周波
スイッチング回 路13のチョッピング出力を波形整形・
ノイズ除去回路15を通して負荷に供給するとともに、
MOSFETQ1のオン動作時に負荷18に流れる電流
波形整形・ノイズ除去回路15のチョークコイルCH
およびコンデンサC3に蓄えられた電気エネルギをMO
SFETQ1のオフ動作時に低周波スイッチング回路1
4のサイリスタSCR1とダイオードD6またはサイリ
スタSCR2とダイオードD5を通して負荷18に放出
し交流出力を得るようにしたので、負荷18の定格に応
じた一定電圧の交流出力を安定して得ることができると
ともに、チョークコイルCHに蓄えられた電流を無駄な
く負荷に供給でき、これによってチョークコイルCHが
飽和するようなことがなく、かつ、従来のAC−DC−
AC変換方式のような力率低下をなくすことができる。
また、従来のような整流回路が不要になるため部品数を
低減でき、AC−AC電源装置を小形軽量化できるとと
もに低コスト化も可能になり、これに伴い携帯用の電源
装置として好適になる。さらにまた、リレーRY、サイ
リスタSCR11および電圧検出回路22により、10
0/200Vの交流入力切替回路を設けることにより入
力端子10a、10bが100Vまたは200Vの交流
電源に接続されても、補助トランスの入力端を200V
用または100V用に自動的に切り替えるから、人手を
要することなく負荷の定格に応じた交流出力を安定して
得ることができる。また、MOSFETQ1のソース電
流および負荷電流を検出して動作する過電流防止回路2
3を備えているから、ソース電流または負荷電流が何ら
かの原因により過大になれば直ちに電源装置が停止し、
過電流から電源装置および負荷を保護することができ
る。
【0032】なお、上記実施例では、200Vの交流入
力を100Vの交流出力および100Vの交流出力を1
00Vの交流出力に変換する場合について述べたが、本
発明はこれに限定されない。例えば、100Vまた20
0Vなどの交流入力を100V以下の交流出力に変換す
ることも可能である。この場合、ゲート制御回路25の
基準値および発振周波数を変更すればよい。また、上記
実施例では、高周波スイッチング回路13のMOSFE
Tを1個用いた場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、2つのMOSFETなどを逆並列に接続した回
路でもよい。さらに、低速スイッチング回路14のスイ
ッチング素子もサイリスタに限らず、トランジスタを用
いてもよい。さらに、本発明は、上記実施例に示す構成
のものに限らず、請求項に記載した範囲を逸脱しない限
り種々の変形が可能である。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1の
発明は、交流電源に接続される入力端子と、負荷が接続
される出力端子と、前記入力端子の一端と前記出力端子
の一端間に単相ブリッジに接続された4個のダイオード
及び該ダイオードのうちのカソード同士の接続点とアノ
ード同士の接続点間に接続されたスイッチング素子を有
する高周波スイッチング回路と、所定の高周波ゲート信
号を発生し該ゲート信号により前記スイッチング素子を
オン・オフ制御することにより前記入力端子から供給さ
れる交流電力波形をチョッピングして前記高周波スイッ
チング回路からチョッピング出力を発生させるゲート制
御回路と、前記高周波スイッチング回路の出力段と前記
出力端子間に接続され、前記高周波スイッチング回路か
ら出力されるチョッピング出力波形を交流波形に整形す
るとともに該交流波形に含まれるノイズ成分を除去して
負荷に出力するチョークコイル及びコンデンサなどのリ
アクタンス素子からなる波形整形・ノイズ除去回路と、
前記波形整形・ノイズ除去回路と該波形整形・ノイズ除
去回路に直結される前記一対の各ダイオードとの間に順
方向にそれぞれ接続された一対のスイッチング素子及び
該一方のスイッチング素子の出力側と前記他方の出力端
子間及び他方のスイッチング素子の入力側と前記他方の
出力端子間に、順方向にそれぞれ接続された一対のダイ
オードを有する低周波スイッチング回路と、前記各制御
整流素子を前記交流電源周波数に同期して交流波形の半
サイクルずつ交互にオン・オフ制御するゲート制御回路
とを備え、前記低周波スイッチング回路の各スイッチン
グ素子のオン動作時に前記高周波スイッチング回路のチ
ョッピング出力を前記波形整形・ノイズ除去回路を通し
て負荷に供給するとともに前記高周波スイッチング素子
のオン動作時に負荷に流れる電流で前記リアクタンス素
子に蓄えられた電気エネルギを前記高周波スイッチ ング
素子のオフ動作時に前記低周波スイッチング回路のスイ
ッチング素子及びダイオードを通して負荷に放出する構
成にした。 従って、本発明によれば、負荷の定格に応じ
た一定電圧の交流出力を安定して得ることができるとと
もに、リアクタンス素子に蓄えられた電気エネルギを無
駄なく負荷へ供給でき、リアクタンス素子の飽和を防止
できる。また、整流回路を用いずに交流−交流変換が可
能であるため、力率の低下がなくなり、回路部品数が少
なくて済み、これによつて装置の小形軽量化が容易にな
り、携帯あるいは可搬用の電源装置に好適となる。ま
た、請求項2の発明によれば、制御用電源回路の入力端
を、人手を要することなく交流電源電圧に応じて昇圧ま
たは降圧方向に自動的に切り替え、ゲート制御回路に必
要な制御電圧を確保することができる。さらにまた、請
求項3の発明によれば、装置および負荷を過電流から保
護することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による交流電源装置の一実施例を示す全
体の構成図である。
【図2】本実施例における説明用の波形図である。
【図3】本実施例における高周波スイッチング用MOS
FETの正の半サイクル時における電流の流れ状態を示
す説明用回路である。
【図4】本実施例における高周波スイッチング用MOS
FETの負の半サイクル時における電流の流れ状態を示
す説明用回路図である。
【符号の説明】
10a、10b 入力端子 11 入力フィルタ 13 高周波スイッチング回路 14 低周波スイッチング回路 15 波形整形・ノイズ除去回路 16 フィルタ 17a、17b 出力端子 18 負荷 19 制御用電源回路 20 補助トランス 22 電圧検出回路 RY リレー SCR11 サイリスタ 24 負荷電流検出回路 25 ゲート制御回路 26 出力電圧検出回路 27 増幅回路

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 交流電源に接続される入力端子と、負荷が接続される出力端子と、 前記入力端子の一端と前記出力端子の一端間に単相ブリ
    ッジに接続された4個のダイオード及び該ダイオードの
    うちのカソード同士の接続点とアノード同士の接続点間
    に接続されたスイッチング素子を有する高周波スイッチ
    ング回路と、所定の高周波ゲート信号を発生し該ゲート信号により前
    記スイッチング素子をオン・オフ制御することにより前
    記入力端子から供給される交流電力波形をチョッピング
    して前記高周波スイッチング回路からチョッピング出力
    を発生させる ゲート制御回路と、 前記高周波スイッチング回路の出力段と前記出力端子間
    に接続され、前記高周波スイッチング回路から出力され
    るチョッピング出力波形を交流波形に整形するとともに
    該交流波形に含まれるノイズ成分を除去して負荷に出力
    するチョークコイル及びコンデンサなどのリアクタンス
    素子からなる波形整形・ノイズ除去回路と、前記波形整形・ノイズ除去回路と該波形整形・ノイズ除
    去回路に直結される前記一対の各ダイオードとの間に順
    方向にそれぞれ接続された一対のスイッチング素子及び
    該一方のスイッチング素子の出力側と前記他方の出力端
    子間及び他方のスイッチング素子の入力側と前記他方の
    出力端子間に順方向にそれぞれ接続された一対のダイオ
    ードを有する 低周波スイッチング回路と、前記各制御整流素子を前記交流電源周波数に同期して交
    流波形の半サイクルずつ交互にオン・オフ制御するゲー
    ト制御回路と を備え、前記低周波スイッチング回路の各スイッチング素子のオ
    ン動作時に前記高周波スイッチング回路のチョッピング
    出力を前記波形整形・ノイズ除去回路を通して負荷に供
    給するとともに前記高周波スイッチング素子のオン動作
    時に負荷に流れる電流で前記リアクタンス素子に蓄えら
    れた電気エネルギを前記高周波スイッチング素子のオフ
    動作時に前記低周波スイッチング回路のスイッチング素
    子及びダ イオードを通して負荷に放出する ことを特徴と
    する交流電源装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の交流電源装置におい
    て、前記ゲート制御回路および前記低周波スイッチング
    回路の制御用電源回路と、この制御用電源回路の入力電
    圧を交流電源電圧に応じて降圧もしくは昇圧方向に自動
    的に切り替える交流入力切替手段とをさらに備えたこと
    を特徴とする交流電源装置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の交流電源装置におい
    て、前記高周波スイッチング回路に流れる電流および前
    記負荷に流れる電流を除去し、これらの電流が設定値以
    上になったときに動作して前記ゲート制御回路の発振動
    作を停止保持させる過電流防止回路を設けたことを特徴
    とする交流電源回路。
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