JPH0795676B2 - Clock pulse generation circuit with duty adjustment circuit - Google Patents

Clock pulse generation circuit with duty adjustment circuit

Info

Publication number
JPH0795676B2
JPH0795676B2 JP59224080A JP22408084A JPH0795676B2 JP H0795676 B2 JPH0795676 B2 JP H0795676B2 JP 59224080 A JP59224080 A JP 59224080A JP 22408084 A JP22408084 A JP 22408084A JP H0795676 B2 JPH0795676 B2 JP H0795676B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
delay
pulse
circuits
control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP59224080A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS61103312A (en
Inventor
成弘 亀島
克明 高木
▲吉▼宗 萩原
孝樹 野口
圭次郎 進藤
実 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59224080A priority Critical patent/JPH0795676B2/en
Publication of JPS61103312A publication Critical patent/JPS61103312A/en
Publication of JPH0795676B2 publication Critical patent/JPH0795676B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/13Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
    • H03K5/133Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals using a chain of active delay devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K2005/00013Delay, i.e. output pulse is delayed after input pulse and pulse length of output pulse is dependent on pulse length of input pulse
    • H03K2005/00078Fixed delay
    • H03K2005/00136Avoiding asymmetry of delay for leading or trailing edge; Avoiding variations of delay due to threshold
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K2005/00013Delay, i.e. output pulse is delayed after input pulse and pulse length of output pulse is dependent on pulse length of input pulse
    • H03K2005/0015Layout of the delay element
    • H03K2005/00195Layout of the delay element using FET's

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、クロツクパルス発生回路に関し、特に、パル
スのデユーテイを調整する回路を備え、データ処理装置
を組込むのに適したクロツクパルス発生回路に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a clock pulse generation circuit, and more particularly to a clock pulse generation circuit equipped with a circuit for adjusting the duty of a pulse and suitable for incorporating a data processing device.

〔発明の背景〕[Background of the Invention]

発生するパルスのデユーテイが指定された値を持つこと
を必要とする回路の典型として、データ処理装置などの
デイジタル装置の制御に不可欠なクロツクパルス発生回
路がある。従来のクロツクパルス発生回路の代表的な構
成は、第3図のようなものである(渡辺弘之著「コンピ
ユータ設計技術〔1〕」CQ出版社発行1973年、第156〜1
58頁参照)。パルス発振器1は、例えば、水晶発振器と
その出力で駆動される無安定マルチバイブレータとから
なり、第4図に示すように、その出力(4f)は、フリツ
プフロツプ2により分周されて、デユーテイ(1周期に
対する“高”レベル期間の割合)が50%のパルス(2f)
となる。一般に、無安定マルチバイブレータのような発
振器の出力としてデユーテイが50%のパルスを得ること
は、高周波領域においては困難なため、フリツプフロツ
プ2を置くことになる。フリツプフロツプ2の出力は、
更にフリツプフロツプ群(例えばリングカウンタ)3に
与えられて、半分の周波数を有する多相クロツクパルス
φ1,φ2,▲▼,▲▼に変成され、被制御装置
(例えばコンピュータ)4に与えられる。この多相クロ
ツクパルスの各相は、デユーテイ50%で、互に1/4周期
の位相差を持ち、その周波数はパルス発振器1のそれの
1/4である。
A clock pulse generation circuit that is indispensable for controlling a digital device such as a data processing device is a typical circuit that requires the duty of a generated pulse to have a specified value. A typical configuration of a conventional clock pulse generation circuit is as shown in FIG. 3 (Hiroyuki Watanabe "Computer Design Technology [1]", CQ Publishing Company, 1973, 156-1).
(See page 58). The pulse oscillator 1 is composed of, for example, a crystal oscillator and an astable multivibrator driven by its output. As shown in FIG. 4, its output (4f) is frequency-divided by a flip-flop 2 to produce a duty (1 A pulse (2f) with 50% of the "high" level period to period)
Becomes Generally, it is difficult to obtain a pulse with a duty of 50% as an output of an oscillator such as an astable multivibrator in a high frequency region, and therefore the flip-flop 2 is placed. The output of flip-flop 2 is
Further, it is given to a flip-flop group (for example, a ring counter) 3, transformed into multi-phase clock pulses φ1, φ2, ▲ ▼, ▲ ▼ having a half frequency, and given to a controlled device (for example, a computer) 4. Each phase of this multiphase clock pulse has a duty of 50% and a phase difference of 1/4 period from each other, and its frequency is that of the pulse oscillator 1.
It is 1/4.

この型の回路は、所要クロツク周波数の4倍の周波数の
パルス発振器を必要とするのが難点である。換言すれ
ば、被制御装置は、パルス発振器の1/4以上の周波数で
は動作できない。したがつて、パルス発振器と被制御装
置が上限周波数の等しい素子で構成されているとすれ
ば、被制御装置は本来可能な速度の1/4の速度に甘んじ
なければならないことになる。また、このような高い周
波数の信号については、寄生容量等の影響についても格
別の配慮が必要であり、更には、それが被制御装置の内
部に雑音を誘起して、誤動作を発生させるおそれもあ
る。
The disadvantage of this type of circuit is that it requires a pulse oscillator with a frequency four times the required clock frequency. In other words, the controlled device cannot operate at frequencies above 1/4 of the pulse oscillator. Therefore, if the pulse oscillator and the controlled device are composed of elements having the same upper limit frequency, the controlled device must settle for a speed that is 1/4 of the originally possible speed. Further, regarding such a high frequency signal, special consideration should be given to the influence of parasitic capacitance and the like, and further, it may induce noise inside the controlled device and cause a malfunction. is there.

特に大規模集積回路においては、これらの問題の影響が
大きい。
Especially in a large scale integrated circuit, these problems have a great influence.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明の目的は、分周操作を経ることなく、パルスのデ
ユーテイを所望の値に調整する回路を提供し、それによ
り、クロツクパルス発生回路における、高周波パルス源
の存在に伴なう前記諸問題を解決することにある。
An object of the present invention is to provide a circuit that adjusts the duty of a pulse to a desired value without going through a frequency division operation, thereby eliminating the above problems associated with the presence of a high frequency pulse source in a clock pulse generation circuit. There is a solution.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

本発明のデユーテイ調整回路は、信号の位相に関して相
補的な(すなわち、互いに逆位相、あるいは論理的肯定
と否定の関係)な二つの段のそれぞれに、入力パルスの
立上り縁又は立下り縁の一方のみに対して遅延制御を行
なう遅延回路と、各遅延回路の時定数を制御するための
電圧を発生する制御回路とを備える。この制御回路にお
いて、時定数制御電圧を生じるコンデンサが、制御信号
により動作する切換回路を介して、充電用電流源と放電
用電流源に接続されており、これら電流源の固有電流の
比は、最終出力パルスが持つべき所定のデユーテイーに
対応する値に設定される。
The duty adjusting circuit according to the present invention has one of the rising edge and the falling edge of the input pulse in each of two stages which are complementary with respect to the phase of the signal (that is, opposite phases to each other, or a logical positive and negative relationship). A delay circuit for performing delay control for only the delay circuit and a control circuit for generating a voltage for controlling the time constant of each delay circuit. In this control circuit, the capacitor that generates the time constant control voltage is connected to the charging current source and the discharging current source via the switching circuit that operates according to the control signal, and the ratio of the characteristic currents of these current sources is It is set to a value corresponding to the predetermined duty that the final output pulse should have.

各制御回路における切換回路は、それが制御する遅延回
路の出力パルスのレベルに応じて動作させてもよいし、
あるいは、第1の遅延回路の入力パルスと第2の遅延回
路の出力パルスの論理組合せに応じて動作させてもよ
い。
The switching circuit in each control circuit may be operated according to the level of the output pulse of the delay circuit which it controls,
Alternatively, the operation may be performed according to the logical combination of the input pulse of the first delay circuit and the output pulse of the second delay circuit.

〔発明の実施例〕Example of Invention

第1図は、本発明の予備的な説明をするための回路を示
す。入力パルスfiは、CMOSインバータ5を駆動し、この
インバータ5の出力は遅延回路6で遅延される。遅延回
路6の出力は、再びCMOSインバータ7を経て、遅延回路
8を通り、出力パルスf0となる。遅延回路6と8は同じ
構造のものであつて、可変抵抗として作用するNチヤン
ネルMOSトランジスタTrとコンデンサCからなり、Tr
Cの時定数が主たる遅延作用を生じる。入力パルスfi
遅延回路6の出力′0は、位相に関して相補的、すな
わち逆位相の関係にあり、この′0と出力パルスf0
逆位相であるから、結局、出力パルスf0は、入力パルス
fiと同相で、遅延回路6と8による各遅延量の和だけ遅
延されたものとなる。本発明の基本的特徴の一つは、こ
のように、2個の遅延回路が、信号の位相に関して相補
的な段に設けられた点にある。
FIG. 1 shows a circuit for a preliminary explanation of the invention. The input pulse f i drives the CMOS inverter 5, and the output of this inverter 5 is delayed by the delay circuit 6. The output of the delay circuit 6 passes through the CMOS inverter 7 again, the delay circuit 8, and becomes an output pulse f 0 . The delay circuits 6 and 8 have the same structure and are composed of an N-channel MOS transistor T r acting as a variable resistance and a capacitor C, and the time constant of T r and C causes the main delay action. The input pulse f i and the output ′ 0 of the delay circuit 6 are complementary in terms of phase, that is, in a reverse phase relationship, and since the ′ 0 and the output pulse f 0 are also in reverse phase, the output pulse f 0 is eventually Input pulse
It is in phase with f i and delayed by the sum of the delay amounts of the delay circuits 6 and 8. One of the basic features of the present invention is that the two delay circuits are provided in the stages complementary with respect to the phase of the signal.

パルスの操作のために遅延回路を用いること自体は、周
知であり、前記の型の遅延回路も、そのTrのゲート電圧
を制御することによつて遅延時間を調整することができ
るため、集積回路においてしばしば用いられている(例
えば特開昭58−191522号公報参照)。ところが、このよ
うな遅延回路は、第2図に示すように、入力パルスfi
立上り縁とそれに対応する出力パルス′0の立下り
縁の間の遅延時間t1と、fiの立下り縁とそれに対応
する′0の立上り縁の間の遅延時間t2とが、一般に
は等しくない(すなわち、入力と出力のデユーテイが異
なる)という点で、問題がある。この現象の原因の一つ
は、CMOSインバータ5を構成するPチヤンネルMOSトラ
ンジスタとNチヤンネルMOSトランジスタについて、そ
れらのON抵抗を完全に一致させることが集積回路の製造
技術上困難なため、コンデンサCの充電路と放電路の抵
抗に相違をきたすことにある。
The use of delay circuits for the manipulation of pulses is well known per se, and delay circuits of the type mentioned above are also integrated because the delay time can be adjusted by controlling the gate voltage of their T r . It is often used in circuits (see, for example, JP-A-58-191522). However, such a delay circuit, as shown in FIG. 2, the delay time t 1 between the rising edge and the falling edge of the output pulse "0 corresponding to that of the input pulse f i, falling of f i The problem is that the delay time t 2 between an edge and the corresponding rising edge of ' 0 is generally not equal (ie, the input and output have different duties). One of the causes of this phenomenon is that it is difficult to completely match the ON resistances of the P-channel MOS transistor and the N-channel MOS transistor forming the CMOS inverter 5 in the integrated circuit manufacturing technology. There is a difference in the resistance of the charging path and the discharging path.

もう一つの原因は、抵抗として用いられているMOSトラ
ンジスタTrの性質にある。すなわち、MOSトランジスタ
のソース・ドレイン間抵抗RDSは、ゲート・ソース間電
圧VGSによつて変化し、特に、VGSが小さくなつて閾値に
近付くと、RDSは急激に増大する。一方、遅延回路6の
要素であるMOSトランジスタTrにおいて、コンデンサC
に接続された電極は、充電又は放電のいずれか一方の期
間中ソースとして作用する。その場合(第1図ではイン
バータ5の出力が高電位の時)、充電又は放電の進行に
つれて、VGSは次第に減少し、したがつて、RDSが次第に
増加するから、充電又は放電の速度が低下する。この結
果は、遅延時間の引延ばしとなつて現われる。しかし、
コンデンサCに接続された電極がドレインとして作用す
る動作期間中(第1図ではインバータ5の出力が低電位
の時)は、このような現象は生じない。そのために、入
力パルスの立上り縁と立下り縁に対する遅延の不均衡が
生じる。
Another cause is the nature of the MOS transistor T r used as a resistor. That is, the source-drain resistance R DS of the MOS transistor changes depending on the gate-source voltage V GS , and in particular, when V GS decreases and approaches the threshold value, R DS rapidly increases. On the other hand, in the MOS transistor T r which is an element of the delay circuit 6, the capacitor C
The electrode connected to acts as the source during either charging or discharging. In that case (in FIG. 1, when the output of the inverter 5 is at a high potential), V GS gradually decreases as charging or discharging progresses, and thus R DS gradually increases, so that the charging or discharging speed is increased. descend. This result appears as a delay time extension. But,
Such a phenomenon does not occur during the operation period in which the electrode connected to the capacitor C acts as the drain (when the output of the inverter 5 is low potential in FIG. 1). This causes a delay imbalance with respect to the rising and falling edges of the input pulse.

しかるに、第1図に示した回路では、信号の位相に関し
て相補的な2つの段に遅延回路を配置した結果、前記現
象が相殺されて、立上り縁と立下り縁に対する遅延時間
が同一になる。すなわち、第2図における波形′0とf
0に示されるように、第2段の回路7,8は、fiと逆位相の
パルス′0を入力とするため、′0の立下り縁に対
してf0の立上り縁がt2の遅れとなり、そして、′0
の立上り縁に対してf0の立下り縁がt1の遅れとな
る。その結果、最終出力f0は、入力fiに対して、立上り
縁と立下り縁が共にt1+t2の遅れを持ち、結局、同一デ
ユーテイで位相のみが異なるものとなる。
However, in the circuit shown in FIG. 1, by arranging the delay circuits in the two stages complementary with respect to the phase of the signal, the above-mentioned phenomenon is canceled and the delay times for the rising edge and the falling edge become the same. That is, the waveforms' 0 and f in FIG.
As shown in 0 , since the second stage circuits 7 and 8 receive the pulse ′ 0 having a phase opposite to that of f i , the rising edge of f 0 is t 2 with respect to the falling edge of ′ 0 . Be delayed and then ′ 0
The trailing edge of f 0 is delayed by t 1 with respect to the leading edge of. As a result, the final output f 0 has a delay of t 1 + t 2 on both the rising edge and the falling edge with respect to the input f i , and eventually the phase is different in the same duty.

以上述べたような1対の遅延回路を利用して、入力パル
スと所定の位相関係(例えば1/4周期遅れ)にある同一
デユーテイの出力パルスを得ることができる。第1図に
おいて、制御回路9は、入力パルスfiと出力パルスf0
受けてそれらの位相差を検出し、その値に応じて遅延回
路6及び8のMOSトランジスタTrのゲート電圧を制御す
ることにより、それらの抵抗値を変化させて、遅延特性
を調整する。
By using a pair of delay circuits as described above, it is possible to obtain an output pulse of the same duty having a predetermined phase relationship (for example, 1/4 cycle delay) with the input pulse. In FIG. 1, the control circuit 9 receives the input pulse f i and the output pulse f 0 , detects the phase difference between them, and controls the gate voltage of the MOS transistors T r of the delay circuits 6 and 8 according to the value. By doing so, the resistance values are changed to adjust the delay characteristics.

本発明は、これとは趣を異にし、前記のような位置に配
置された両遅延回路において、立上り縁又は立下り縁の
いずれか一方の遅延時間のみを制御することにより、デ
ユーテイ調整を行なう。
The present invention is different from this, in which the delay adjustment is performed by controlling only the delay time of either the rising edge or the falling edge in both delay circuits arranged at the above positions. .

第5図は、本発明の一実施例であるデユーテイ調整回路
を示す。この回路は、任意のデユーテイを持つ入力パル
スfiを受けて、所定のデユーテイ(例えば50%)を持つ
同一周波数の出力パルスf0を発生するものであつて、位
相に関して相補的な段に配置されたパルス幅調整回路1
3,15と、それらのそれぞれのための制御回路14,16を備
えている。17〜20はインバータである。回路13と15及び
同14と16は、それぞれ同一構造のものであるから、回路
15と16の内部構造の図示は省略してある。ただし、回路
13と14及び回路15と16における符号(イ)〜(ニ)は、
互に対応する回路上の点を示す。
FIG. 5 shows a duty adjusting circuit which is an embodiment of the present invention. This circuit receives an input pulse f i having an arbitrary duty and generates an output pulse f 0 of the same frequency having a predetermined duty (for example, 50%), and is arranged in stages complementary in phase. Pulse width adjustment circuit 1
3, 15 and control circuits 14, 16 for each of them. 17 to 20 are inverters. Since the circuits 13 and 15 and the circuits 14 and 16 have the same structure, respectively,
The illustration of the internal structure of 15 and 16 is omitted. However, the circuit
The symbols (a) to (d) in 13 and 14 and circuits 15 and 16 are
Points on the circuit corresponding to each other are shown.

パルス幅調整回路13は、入力パルスfiの立上り縁のみを
遅延させる回路であり、かつ、その遅延時間は制御電圧
VGにより調整可能である。入力パルスfiは、Pチヤンネ
ルMOSトランジスタ21とNチヤンネルMOSトランジスタ23
からなるCMOSインバータに与えられる。PチヤンネルMO
Sトランジスタ21のドレインは直接コンデンサC1に接続
され、NチヤンネルMOSトランジスタ23のドレインは、
抵抗として作用するNチヤンネルMOSトランジスタ22の
ソース・ドレイン回路を介して、コンデンサC1に接続さ
れている。NチヤンネルMOSトランジスタ22のソース・
ドレイン抵抗は、そのゲートに制御回路14から与えられ
る制御電圧VGによつて制御されて、遅延時間を調整す
る。回路13の出力′0はインバータ17で反転されて
f′0となり、このf′0は、制御回路14の入力となると
ともに、インバータ18を経て次段のパルス幅調整回路15
の入力iとなる。次段のパルス幅調整回路15の出力
f″0は、インバータ19により反転されて0となり、こ
0は制御回路16の入力となるとともに、インバータ2
0で再度反転されて、最終出力f0となる。
The pulse width adjusting circuit 13 is a circuit that delays only the rising edge of the input pulse f i , and its delay time is the control voltage.
It can be adjusted by V G. The input pulse f i is applied to the P-channel MOS transistor 21 and the N-channel MOS transistor 23.
Given to a CMOS inverter consisting of. P Channel MO
The drain of the S-transistor 21 is directly connected to the capacitor C 1, and the drain of the N-channel MOS transistor 23 is
It is connected to the capacitor C 1 through the source / drain circuit of the N-channel MOS transistor 22 acting as a resistor. Source of N-channel MOS transistor 22
The drain resistance is controlled by a control voltage V G applied to the gate of the control circuit 14 to adjust the delay time. The output ′ 0 of the circuit 13 is inverted by the inverter 17 to become f ′ 0 , and this f ′ 0 becomes the input of the control circuit 14 and, via the inverter 18, the pulse width adjusting circuit 15 of the next stage.
Becomes the input i . The output f ″ 0 of the pulse width adjusting circuit 15 in the next stage is inverted by the inverter 19 to become 0 , and this 0 becomes the input of the control circuit 16 and the inverter 2
It is inverted again at 0 and becomes the final output f 0 .

第6図は、第5図の回路の動作を説明するための波形図
である。第6図(a)を参照して、入力パルスfiが高レ
ベルから低レベルに変わると、PチヤンネルMOSトラン
ジスタ21が導通し、コンデンサC1を急速に充電する。し
たがつて、入力パルスfiの立下り縁と、それに対応する
インバータ17の出力パルスf′0の立下り縁との間の遅
延時間は極めて小さい。しかし、入力パルスfiが低レベ
ルから高レベルに変わると、PチヤンネルMOSトランジ
スタ21は非導通となり、代つてNチヤンネルMOSトラン
ジスタ23が導通し、コンデンサC1の電荷はNチヤンネル
MOSトランジスタ22のソース・ドレイン抵抗を通つて放
電される。そのため、放電は緩やかに行なわれ、その結
果、インバータ17の出力パルスf′0の立上り縁は、対
応する入力パルスfiの立上り縁に対して、t1だけ遅延さ
れる。
FIG. 6 is a waveform diagram for explaining the operation of the circuit of FIG. Referring to FIG. 6 (a), when the input pulse f i changes from the high level to the low level, the P-channel MOS transistor 21 becomes conductive and the capacitor C 1 is rapidly charged. Therefore, the delay time between the falling edge of the input pulse f i and the corresponding falling edge of the output pulse f ′ 0 of the inverter 17 is extremely small. However, when the input pulse f i changes from the low level to the high level, the P-channel MOS transistor 21 becomes non-conductive, the N-channel MOS transistor 23 becomes conductive instead, and the charge of the capacitor C 1 becomes N-channel.
It is discharged through the source / drain resistance of the MOS transistor 22. Therefore, the discharge is performed gently, and as a result, the rising edge of the output pulse f ′ 0 of the inverter 17 is delayed by t 1 with respect to the corresponding rising edge of the input pulse f i .

この遅延時間を調整するための制御電圧VGは、制御回路
14におけるコンデンサC2の電圧である。コンデンサC
2は、適当な値の抵抗Rを通して、定電流源24から充電
されるか、又は定電流源27へ放電する。これらの定電流
源は、MOSトランジスタのソース・ドレイン電流がゲー
ト・ソース電圧の関数であることを利用して実現され
る。PチヤンネルMOSトランジスタ25とNチヤンネルMOS
トランジスタ26は、インバータ17の出力パルスf′0
受けて、充電用定電流源24及び放電用定電流源27を交互
にコンデンサC2に接続するための、切換回路を構成す
る。すなわち、f′0が低レベルにある期間中は、Pチ
ヤンネルMOSトランジスタ25が導通して、定電流源24か
らコンデンサC2を充電し、f′0が高レベルにある期間
中は、NチヤンネルMOSトランジスタ26が導通して、コ
ンデンサC2は定電流源27へ放電する。したがつて、コン
デンサC2の平均電荷、すなわち制御電圧VGは、f′0
高レベル期間が低レベル期間に比して長いほど減少傾向
が強い。そして、制御電圧VGが小さくなるほど、Nチヤ
ンネルMOSトランジスタ22のソース・ドレイン抵抗は大
きくなり、その結果、立上り縁の遅延時間t1が増大し、
出力パルスf′0の高レベル期間が減少する。すなわ
ち、パルス幅調整回路13は、入力パルスfiの高レベル期
間、換言すればデユーテイを減少させる方向に作用し、
1周期におけるコンデンサC2の充電量と放電量が平衡す
るデユーテイの出力パルスf′0が得られた状態で、定
常状態になる。定常状態に達したときの出力パルスf′
0のデユーテイは、定電流源24と27の固有電流値によつ
て定まり、例えば、両者を等しく設定すれば、f′0
デユーテイは50%となる。
The control voltage V G for adjusting this delay time is
This is the voltage on capacitor C 2 at 14. Capacitor C
2 is either charged from the constant current source 24 or discharged to the constant current source 27 through the resistor R having an appropriate value. These constant current sources are realized by utilizing the fact that the source / drain current of a MOS transistor is a function of the gate / source voltage. P-channel MOS transistor 25 and N-channel MOS
The transistor 26 receives the output pulse f ′ 0 of the inverter 17 and constitutes a switching circuit for alternately connecting the charging constant current source 24 and the discharging constant current source 27 to the capacitor C 2 . That, f 'during the period in which 0 is at the low level, and becomes conductive P-channel MOS transistor 25, to charge the capacitor C 2 from the constant current source 24, f' during the period in which 0 is at the high level, N-channel The MOS transistor 26 becomes conductive, and the capacitor C 2 is discharged to the constant current source 27. Therefore, the average charge of the capacitor C 2 , that is, the control voltage V G has a stronger tendency to decrease as the high level period of f ′ 0 is longer than the low level period. Then, as the control voltage V G decreases, the source / drain resistance of the N-channel MOS transistor 22 increases, and as a result, the rising edge delay time t 1 increases,
High-level period of the output pulse f '0 is reduced. That is, the pulse width adjusting circuit 13 acts in the high level period of the input pulse f i , in other words, in the direction of reducing the duty,
The steady state is obtained when the duty output pulse f ′ 0 in which the charge amount and the discharge amount of the capacitor C 2 are balanced in one cycle is obtained. Output pulse f'when the steady state is reached
The duty of 0 is determined by the characteristic current values of the constant current sources 24 and 27. For example, if both are set to be equal, the duty of f ′ 0 will be 50%.

しかし、この回路13は、前記定常状態において得られる
デユーテイに等しいかそれよりも小さいデユーテイの入
力パルスに対しては、単なるインバータとして作用す
る。例えば、第6図(b)に示すように、高レベル期間
の短い入力パルスfiが加えられた場合、コンデンサC2
充電期間tcnが放電期間tDnよりも長いため、制御電圧VG
は増大の一途をたどり、遂には定電流源24の電源電圧に
達して、NチヤンネルMOSトランジスタ22のソース・ド
レイン抵抗は充分低くなる。また、入力パルスが既に定
常状態での出力パルスと同じデユーテイを有していれ
ば、制御電圧VGが充分高く、遅延を生じない状態で、充
・放電が平衡する。したがつて、これらの場合には、入
力パルスの立上り縁に対する遅延機能が実質上失われ、
単なるインバータと同じことになるのである。
However, this circuit 13 acts as a mere inverter for input pulses with a duty less than or equal to the duty obtained in the steady state. For example, as shown in FIG. 6 (b), when a short input pulse f i of a high level period is applied, the charging period t cn of the capacitor C 2 is longer than the discharging period t Dn , so the control voltage V G
Gradually increases and finally reaches the power supply voltage of the constant current source 24, and the source / drain resistance of the N-channel MOS transistor 22 becomes sufficiently low. Further, if it has the same Deyutei the output pulse of the input pulse already a steady state, the control voltage V G is sufficiently high, in a state in which no delay, charging and discharging are balanced. Therefore, in these cases, the delay function for the rising edge of the input pulse is substantially lost,
It's just like an inverter.

第2段のパルス幅調整回路15とその制御回路16自体の構
造と動作は、回路13と14のそれと同じである。ただし、
回路15の入力iは、回路13の入力fiと逆位相の関係に
ある。したがつて、回路15は、初段の入力パルスfiに対
して、回路13とは逆に、立下り縁のみを遅延させること
により、デユーテイを増大させる方向に働く。
The structure and operation of the second-stage pulse width adjusting circuit 15 and its control circuit 16 itself are the same as those of the circuits 13 and 14. However,
The input i of the circuit 15 is in antiphase with the input f i of the circuit 13. Therefore, the circuit 15 works to increase the duty by delaying only the falling edge of the input pulse f i at the first stage, contrary to the circuit 13.

第5図の回路の全体としての動作を、出力パルスf0のデ
ユーテイを50%に調整する場合について説明する。この
場合、両制御回路14,16における定電流源24と27の固有
電流値は、同一値に設定される。第6図(a)は、入力
パルスfiの低レベル期間が高レベル期間よりも極端に短
い場合を示す。周期T1において、入力パルスfiの立上り
縁がt1だけ遅延された出力パルスf′0が得られる。こ
のとき、出力パルスf′0の低レベル期間、すなわちコ
ンデンサC2の充電期間tC1は、高レベル期間、すなわち
放電期間tD1より短いから、次の周期T2におけるコンデ
ンサC2の電圧、すなわち制御電圧VGは低下し、遅延時間
t2はt1よりも大きくなる。この傾向は周期T4に入るまで
続いて、遅延時間はt1<t2<t3<t4と増加し、周期T4
おいて、出力パルスf′0の低レベル期間tC4と高レベル
期間tD4が等しくなる。ここでコンデンサC2の充・放電
は平衡し、周期T5における遅延時間t5はt4と変わらず、
以降、この状態が維持されて、出力パルスf′0はデユ
ーテイ50%を保つ。
The overall operation of the circuit of FIG. 5 will be described for the case where the duty of the output pulse f 0 is adjusted to 50%. In this case, the specific current values of the constant current sources 24 and 27 in both control circuits 14 and 16 are set to the same value. FIG. 6A shows a case where the low level period of the input pulse f i is extremely shorter than the high level period. In period T 1 , an output pulse f ′ 0 is obtained in which the rising edge of the input pulse f i is delayed by t 1 . At this time, since the low level period of the output pulse f ′ 0 , that is, the charging period t C1 of the capacitor C 2 is shorter than the high level period, that is, the discharging period t D1 , the voltage of the capacitor C 2 in the next cycle T 2 , that is, Control voltage V G decreases and delay time
t 2 becomes larger than t 1 . This tendency continues until the period T 4 is entered, and the delay time increases to t 1 <t 2 <t 3 <t 4, and in the period T 4 , the low level period t C4 and the high level period of the output pulse f ′ 0 are increased. t D4 becomes equal. Here, charging / discharging of the capacitor C 2 is in equilibrium, the delay time t 5 in the cycle T 5 is the same as t 4, and
Thereafter, this state is maintained, the output pulse f '0 keeps 50% Deyutei.

この間、第2段のパルス幅調整回路15は、その入力′
0の反転信号を受け、これは、低レベル期間が高レベル
期間よりも長い。したがつて、この回路15は前述のよう
に単なるインバータとして働く。
During this period, the pulse width adjusting circuit 15 of the second stage is
It receives an inverted signal of 0 , which has a low level period longer than a high level period. Therefore, this circuit 15 functions as a mere inverter as described above.

第6図(b)は、逆に、入力パルスfiの高レベル期間が
低レベル期間よりも極端に短い場合を示す。この場合、
初段のパルス幅調整回路13は、前述のように単なるイン
バータとして働く。しかし、第2段のパルス幅調整回路
15の入力iは、第6図(a)における入力fiに相当す
る。したがつて、この回路15は、第6図(a)に関して
説明した回路13と同様にして、その入力パルスiの立
上り縁、すなわち初段の入力パルスfiの立下り縁に対す
る遅延を増大するように作用して、最終段にデユーテイ
50%の出力パルスf0が発生される。
On the contrary, FIG. 6B shows the case where the high level period of the input pulse f i is extremely shorter than the low level period. in this case,
The pulse width adjusting circuit 13 at the first stage functions as a simple inverter as described above. However, the second stage pulse width adjustment circuit
The input i of 15 corresponds to the input f i in FIG. 6 (a). Therefore, this circuit 15 increases the delay with respect to the rising edge of the input pulse i , that is, the falling edge of the input pulse f i of the first stage, in the same manner as the circuit 13 described with reference to FIG. 6 (a). To the end of the duty
A 50% output pulse f 0 is generated.

制御回路14,16内の定電流源24,27の固有電流値の比率を
選定することにより、出力パルスのデユーテイを所望の
値に調整することができる。
By selecting the ratio of the characteristic current values of the constant current sources 24 and 27 in the control circuits 14 and 16, the duty of the output pulse can be adjusted to a desired value.

第7図は、本発明の別の実施例を示す。この回路は、位
相調整とデユーテイ調整のいずれにも利用することがで
き、また、第3図における分周器2及びフリツプフロツ
プ群3の部分に代わりうるものである。鎖線で囲まれた
回路28と29は同一構造のものであり、そのため、後者の
内部構造の図示は省略し、ただ、両回路の主要対応点を
符号(ホ)〜(リ)で示してある。また、両回路中で破
線で囲まれた部分13と15は、第5図におけるパルス幅調
整回路13と同一である。制御電圧VGを発生するための制
御回路部分も、本質的には第5図における制御回路14と
同じであつて、ただ、定電流源30と31が回路28と29に共
通に設けられた点と、初期設定用にPチヤンネルMOSト
ランジスタ32とNチヤンネルMOSトランジスタ33が付加
された点とが異なるだけである。しかし、充放電切換用
のトランジスタ25と26を制御する信号は、この回路にあ
つては、入力パルスfφ1及びその反転信号▲▼
と、出力パルスfφ2及びその反転信号▲▼の間
の位相差を表わす信号▲▼,DCh1,▲▼,
DCh2である。これらの位相差信号の発生については後述
する。それぞれ2段のインバータからなる回路34及び35
は、単なるバツフアとして挿入されている。インバータ
36及び37は、それぞれ出力パルスfφ2及び入力パルス
φ1の反転信号を得るためのものである。
FIG. 7 shows another embodiment of the present invention. This circuit can be used for both phase adjustment and duty adjustment, and can be used in place of the frequency divider 2 and flip-flop group 3 in FIG. The circuits 28 and 29 surrounded by the chain line have the same structure, so that the illustration of the latter internal structure is omitted, but the main corresponding points of both circuits are shown by the symbols (e) to (i). . Further, the portions 13 and 15 surrounded by the broken line in both circuits are the same as the pulse width adjusting circuit 13 in FIG. The control circuit portion for generating the control voltage V G is essentially the same as the control circuit 14 in FIG. 5, except that the constant current sources 30 and 31 are provided in common to the circuits 28 and 29. The only difference is that the P-channel MOS transistor 32 and the N-channel MOS transistor 33 are added for initial setting. However, in this circuit, the signal for controlling the charge / discharge switching transistors 25 and 26 is the input pulse fφ1 and its inverted signal ▲ ▼.
And a signal ▲ ▼, D Ch1 , ▲ ▼, representing the phase difference between the output pulse f φ2 and its inverted signal ▲ ▼.
It is D Ch2 . The generation of these phase difference signals will be described later. Circuits 34 and 35 each consisting of two stages of inverters
Is inserted as a mere buffer. Inverter
36 and 37 are for obtaining inverted signals of the output pulse f φ2 and the input pulse f φ1 respectively.

動作の開始に先立つて、初期設定パルスfSを適当な時間
低レベルに落とし、回路28及び29の双方におけるPチヤ
ンネルMOSトランジスタ32を導通とし、NチヤンネルMOS
トランジスタ33を非導通とする。これにより、両回路の
コンデンサC2は充分に充電され、制御電圧VGは高い値を
とる。したがつて、この状態において、回路13と15は、
第5図に関して述べたように、単なるインバータとして
働き、パルス幅調整機能は発揮しない。初期設定パルス
fSが高レベルになると、トランジスタ32は非導通とな
り、同33は導通して、定電流源30と31によるコンデンサ
C2の充放電が可能になり、調整動作が行なわれる。
Prior to the start of the operation, the initial setting pulse f S is dropped to a low level for an appropriate time, and the P-channel MOS transistor 32 in both the circuits 28 and 29 is turned on to make the N-channel MOS transistor 32 conductive.
The transistor 33 is turned off. As a result, the capacitor C 2 of both circuits is sufficiently charged and the control voltage V G has a high value. Therefore, in this state, circuits 13 and 15
As described with reference to FIG. 5, it functions as a simple inverter and does not exhibit the pulse width adjusting function. Initial setting pulse
When f S becomes high level, the transistor 32 becomes non-conducting, the transistor 33 becomes conducting, and the capacitor formed by the constant current sources 30 and 31 becomes
C 2 can be charged and discharged, and the adjustment operation is performed.

入力パルスfφ1のデユーテイが50%である場合に、第
7図の回路は、基本的に、位相調整回路として働く。回
路28は、制御電圧VGの値に応じて、第8図(a)に示す
ように、入力パルスfφ1の立上り縁のみがtpd1だけ遅
延された出力パルスd1を発生する。同様に、回路29
は、第8図(b)に示すように、その入力パルス(すな
わち回路28の出力パルス)d1の立上り縁、したがつて
初段の入力パルスfφ1の立下り縁のみが、tpd2だけ遅
延された出力パルスφ2を発生する。ところで、定電
流源30及び31が回路28及び29に共通であるため、両回路
による遅延量tpd1とtpd2は等しい。したがつて、出力パ
ルスfφ2は、入力パルスfφ1を全体としてtpd1(=
tpd2)だけ遅延したものとなり、これは位相を変えたこ
とに帰着する。
When the duty of the input pulse f φ1 is 50%, the circuit of FIG. 7 basically functions as a phase adjusting circuit. The circuit 28 generates an output pulse d1 in which only the rising edge of the input pulse f φ1 is delayed by t pd1 according to the value of the control voltage V G , as shown in FIG. 8 (a). Similarly, circuit 29
As shown in FIG. 8 (b), only the rising edge of its input pulse (that is, the output pulse of the circuit 28) d1 and hence the falling edge of the input pulse f φ1 at the first stage is delayed by t pd2. Generate an output pulse φ2 . By the way, since the constant current sources 30 and 31 are common to the circuits 28 and 29, the delay amounts t pd1 and t pd2 by both circuits are equal. Therefore , the output pulse f φ2 is the same as the input pulse f φ1 as a whole t pd1 (=
It is delayed by t pd2 ), which results in changing the phase.

この遅延量、すなわち位相差の制御は、入力パルスと出
力パルスの位相差に応じてコンデンサC2の充放電を制御
することによつて行なわれる。そのため、NAND回路38
は、φ2とfφ1を受けて、第9図に示すように、立
上り縁の遅延時間tf1を示す信号▲▼を発生し、
これにより回路28の充電路トランジスタ25を駆動し、ま
た、AND回路39は、fφ2とfφ1を受けて、fφ2
立上りからfφ1の立下りまでの時間tf2を示す信号D
ch1を発生し、これにより回路28の放電路トランジスタ2
6を駆動する。その結果、回路28は、第5図における回
路13及び14と同様に、コンデンサC2の充放電が平衡する
ように、fφ1の立上り縁に対する遅延時間tf1を調整
する。定電流源30と31の固有電流値が等しければ、tf1
=tf2となり、fφ1の立上り縁は、1/4周期に相当する
遅延を受けることになる。
This delay amount, that is, the phase difference is controlled by controlling the charging / discharging of the capacitor C 2 according to the phase difference between the input pulse and the output pulse. Therefore, the NAND circuit 38
Receives a φ2 and f .phi.1, as shown in FIG. 9, it generates the signal ▲ ▼ indicating the delay time t f1 rising edge,
As a result, the charge path transistor 25 of the circuit 28 is driven, and the AND circuit 39 receives the signal f φ2 and f φ1, and the signal D indicating the time t f2 from the rise of f φ2 to the fall of f φ1.
ch1 is generated, which causes discharge path transistor 2 of circuit 28 to
Drive 6 As a result, the circuit 28, like the circuits 13 and 14 in FIG. 5, adjusts the delay time t f1 with respect to the rising edge of f φ1 so that the charging and discharging of the capacitor C 2 are balanced. If the characteristic current values of the constant current sources 30 and 31 are equal, t f1
= T f2 , and the rising edge of f φ1 is delayed by 1/4 period.

他方、NAND回路40は、fφ2φ1を受けて、立下り
縁の遅延時間tb1を示す信号▲▼を発生し、これ
により回路29の充電路トランジスタを駆動し、また、AN
D回路41は、φ2φ1を受けて、φ2の立上り
からφ1の立下りまでの時間tb2を示す信号Dch2を発
生し、これにより回路29の放電路トランジスタを駆動す
る。その結果、回路28の場合と同様にして、fφ1の立
下り縁も、1/4周期に相当する遅延を受けることにな
る。
On the other hand, the NAND circuit 40 receives f φ2 and φ 1 and generates the signal ▲ ▼ indicating the delay time t b1 of the falling edge, which drives the charge path transistor of the circuit 29, and AN
The D circuit 41 receives φ2 and φ1 and generates a signal D ch2 indicating the time t b2 from the rise of φ2 to the fall of φ1 and thereby drives the discharge path transistor of the circuit 29. As a result, as in the case of the circuit 28, the falling edge of f φ1 is also delayed by 1/4 period.

以上の結果、定電流源30と31の固有電流値が等しい場合
には、出力パルスfφ2は、入力パルスfφ1に対して
1/4周期の位相差を有するものとなる。この位相差は、
定電流源30と31の固有電流値の比を変えることによつて
変更することができる。
As a result, when the constant current sources 30 and 31 have the same intrinsic current value, the output pulse f φ2 is different from the input pulse f φ1 .
It has a phase difference of 1/4 cycle. This phase difference is
It can be changed by changing the ratio of the characteristic current values of the constant current sources 30 and 31.

以上に説明した回路の出力を適当な論理回路によつて結
合すれば、周波数逓倍機能が容易に実現される。NOR回
路42とAND回路43はそのことを例示するものであつて、
前者は、Dch1とDch2を受けてfφ1の2倍の周波数のパ
ルスを生成し、後者は、▲▼と▲▼を受け
て前記パルスと逆位相のパルスを生成する。入力パルス
φ1のデユーテイが50%で、それと出力パルスfφ2
の位相差が1/4周期であれば、前記逓倍パルスのデユー
テイも50%となる。
If the outputs of the circuits described above are combined by an appropriate logic circuit, the frequency multiplication function can be easily realized. The NOR circuit 42 and the AND circuit 43 are examples of that.
The former receives D ch1 and D ch2 and generates a pulse having a frequency twice that of f φ1 , and the latter receives ▲ ▼ and ▲ ▼ to generate a pulse having a phase opposite to that of the pulse. In Deyutei 50% of the input pulse f .phi.1, therewith the output pulse f .phi.2
If the phase difference is 1/4 cycle, the duty of the multiplied pulse is also 50%.

また、第7図の回路は、デユーテイ調整回路としても機
能する。例えば、定電流源30と31の固有電流値を等しく
設定すると、前述の位相調整作用の説明から明らかなよ
うに、tf1とtf2が等しく、また、tb1とtb2が等しくなる
が、このことは、fφ2の立上り縁がfφ1の高レベル
期間の中央で生じ、かつ、fφ2の立下り縁がfφ1
低レベル期間の中央で生じることを意味する。したがつ
て、第10図に示すように、入力パルスfφ1のデユーテ
イの如何にかかわらず、出力パルスfφ2の高レベル期
間は1/2周期に等しくなり、出力パルスfφ2のデユー
テイは50%となる。
The circuit of FIG. 7 also functions as a duty adjusting circuit. For example, if the constant current values of the constant current sources 30 and 31 are set to be equal, as is clear from the above description of the phase adjustment operation, t f1 and t f2 are equal, and t b1 and t b2 are equal, this rising edge of f .phi.2 occurs at the center of the high-level period of f .phi.1, and the falling edge of the f .phi.2 is meant to occur at the center of the low level period of f .phi.1. It was but connexion, as shown in FIG. 10, regardless of the Deyutei of the input pulse f .phi.1, high-level period of the output pulse f .phi.2 is equal to 1/2 period, Deyutei of the output pulse f .phi.2 50% Becomes

一般には、tf1とtf2の比及びtb1とtb2の比が定電流源31
と30の固有電流値の比に等しくなり、したがつて、f
φ1の高レベル期間におけるfφ2の立上り縁の位置
と、fφ1の低レベル期間におけるfφ2の立下り縁の
位置は、いずれも、定電流源30と31の固有電流値の比に
対応する。その結果、fφ1の電流が50%の場合を除き
(この場合には、前述のように、位相調整のみが行なわ
れる)、fφ2の高レベル期間と低レベル期間の比は、
定電流源30と31の固有電流値の比によつて決まることに
なる。
Generally, the ratio of t f1 to t f2 and the ratio of t b1 to t b2 are constant current source 31
Is equal to the ratio of the intrinsic current values of 30 and, therefore, f
the position of the rising edge of f .phi.2 at high level period of .phi.1, the position of the falling edge of the f .phi.2 at low level period of f .phi.1 are both corresponding to the ratio of the specific current value of the constant current source 30 and 31 . As a result, except when the current of f φ1 is 50% (in this case, only the phase adjustment is performed as described above), the ratio of the high level period and the low level period of f φ2 is:
It depends on the ratio of the characteristic current values of the constant current sources 30 and 31.

第5図及び第7図の実施例において、回路13,15として
入力パルスの立下り縁のみを遅延させる回路を用いて
も、同様な結果が得られる。また、使用するトランジス
タも、他の形式あるいは種類のもので代替しうることは
いうまでもない。
Similar results can be obtained by using circuits for delaying only the falling edge of the input pulse as the circuits 13 and 15 in the embodiments of FIGS. 5 and 7. Also, it goes without saying that the transistor used may be replaced by another type or type.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明によれば、分周操作を必要とせずに、パルスに対
して、デユーテイを所望の値に正確に調整することがで
き、その結果、各種クロツクパルス発生回路、例えばデ
ータ処理装置におけるクロツクパルス発生回路におい
て、高周波パルス源の存在に起因する諸問題を一挙に解
決することができ、特に、データ処理装置を集積回路と
して形成する場合に有用である。
According to the present invention, the duty can be accurately adjusted to a desired value for a pulse without requiring a frequency dividing operation, and as a result, various clock pulse generating circuits, for example, a clock pulse generating circuit in a data processing device. In, the various problems caused by the existence of the high frequency pulse source can be solved at once, and it is particularly useful when the data processing device is formed as an integrated circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の予備的説明のためのの回路図、第2図
は第1図の回路の波形図、第3図は従来のクロツクパル
ス発生回路のブロツクダイヤグラム、第4図は第3図の
回路の波形図、第5図は本発明の一実施例の回路図、第
6図は第5図の回路の波形図、第7図は本発明の他の実
施例の回路図、第8図ないし第10図は第7図の回路の波
形図である。 5,7…インバータ回路、6,8…遅延回路、9…遅延量制御
回路、13,15…立上り縁遅延回路、14,16…遅延量制御回
路、C2…制御電圧発生用コンデンサ、24,27,30,31…定
電流源、25,26…切換用トランジスタ。
1 is a circuit diagram for preliminary explanation of the present invention, FIG. 2 is a waveform diagram of the circuit of FIG. 1, FIG. 3 is a block diagram of a conventional clock pulse generation circuit, and FIG. 4 is FIG. FIG. 5 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention, FIG. 6 is a waveform diagram of the circuit of FIG. 5, and FIG. 7 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention. Figures 10 through 10 are waveform diagrams for the circuit of Figure 7. 5,7 ... inverter circuit, 6,8 ... delay circuit, 9 ... delay control circuit, 13, 15 ... rising edge delay circuit, 14, 16 ... delay control circuit, C 2 ... control voltage generating capacitor, 24, 27, 30, 31 ... Constant current source, 25, 26 ... Switching transistor.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 孝樹 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 進藤 圭次郎 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 石井 実 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takaki Noguchi 1-280 Higashi Koigakubo, Kokubunji, Tokyo Inside Hitachi Central Research Laboratory (72) Inventor Keijiro Shindo 1-280 Higashi Koigakubo, Kokubunji, Tokyo Hitachi, Ltd. Central Research Laboratory (72) Inventor Minoru Ishii 1-280 Higashi Koigakubo, Kokubunji City, Tokyo Hitachi Research Laboratory Central Research Laboratory

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】到来するパルスをそれと同一の周波数で所
定のデユーテイを持つパルスに変換するデユーテイ調整
回路を具備し、該デユーテイ調整回路は、 信号の位相に関して互いに相補的な第1と第2の段にそ
れぞれ設けられ、入力パルスの立上り縁又は立下り縁の
一方に対してのみ遅延制御を行なう第1及び第2の遅延
回路と、該第1と第2の遅延回路の遅延量をそれぞれ制
御する第1と第2の制御回路を備え、 前記第1と第2の遅延回路のそれぞれは、外部制御電圧
によつて時定数値が変化する時定数回路を有し、 前記第1と第2の制御回路のそれぞれは、前記外部制御
電圧を与えるコンデンサと、該コンデンサに対する充電
用及び放電用の各電流源と、前記コンデンサと前記両電
流源の間の接続を制御信号に応じて切換える切換回路と
を有し、前記充電用及び放電用電流源の固有電流の比が
前記所定のデユーテイーに対応する値に設定されてい
る、 ことを特徴とするクロツクパルス発生回路。
1. A duty adjusting circuit for converting an incoming pulse into a pulse having a predetermined duty at the same frequency as the duty adjusting circuit, the duty adjusting circuit comprising: a first and a second complementary to each other with respect to a phase of a signal. First and second delay circuits that are respectively provided in the stages and perform delay control only for one of the rising edge and the falling edge of the input pulse, and control the delay amounts of the first and second delay circuits, respectively. And a first control circuit, wherein each of the first and second delay circuits has a time constant circuit whose time constant value changes according to an external control voltage. Each of the control circuits is a switching circuit that switches a capacitor for applying the external control voltage, current sources for charging and discharging the capacitor, and connection between the capacitor and the current sources according to a control signal. The a, clock pulses generating circuit ratio of specific current of the charging and discharging current source is set to a value corresponding to the predetermined Deyutei, it is characterized.
【請求項2】特許請求の範囲第1項において、前記第1
と第2の制御回路内の各切換回路を制御する前記制御信
号は、それぞれ前記第1と第2の遅延回路の出力である
ことを特徴とするクロツクパルス発生回路。
2. The method according to claim 1, wherein
The clock pulse generating circuit is characterized in that the control signals for controlling the switching circuits in the first and second control circuits are outputs of the first and second delay circuits, respectively.
【請求項3】特許請求の範囲第1項において、前記第1
と第2の制御回路内の各切換回路を制御する前記制御信
号は、前記第1の遅延回路の入力と前記第2の遅延回路
の出力の論理組合せであることを特徴とするクロツクパ
ルス発生回路。
3. The method according to claim 1, wherein
The clock pulse generating circuit is characterized in that the control signal for controlling each switching circuit in the second control circuit is a logical combination of the input of the first delay circuit and the output of the second delay circuit.
【請求項4】特許請求の範囲第1項ないし第3項のいず
れかにおいて、前記所定のデユーテイは50%であり、前
記充電用及び放電用電流源の固有電流は同一値に設定さ
れていることを特徴とするクロツクパルス発生回路。
4. The claim according to any one of claims 1 to 3, wherein the predetermined duty is 50% and the intrinsic currents of the charging and discharging current sources are set to the same value. A clock pulse generation circuit characterized in that
【請求項5】特許請求の範囲第1項ないし第4項のいず
れかにおいて、PチヤンネルMOSトランジスタとNチヤ
ンネルMOSトランジスタの双方を構成素子として含むこ
とを特徴とするクロツクパルス発生回路。
5. A clock pulse generation circuit according to any one of claims 1 to 4, wherein both the P-channel MOS transistor and the N-channel MOS transistor are included as constituent elements.
【請求項6】特許請求の範囲第1項ないし第5項のいず
れかに記載された、データ処理装置のクロツクパルス発
生回路。
6. A clock pulse generation circuit for a data processing device according to any one of claims 1 to 5. Description:
JP59224080A 1984-10-26 1984-10-26 Clock pulse generation circuit with duty adjustment circuit Expired - Fee Related JPH0795676B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59224080A JPH0795676B2 (en) 1984-10-26 1984-10-26 Clock pulse generation circuit with duty adjustment circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59224080A JPH0795676B2 (en) 1984-10-26 1984-10-26 Clock pulse generation circuit with duty adjustment circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61103312A JPS61103312A (en) 1986-05-21
JPH0795676B2 true JPH0795676B2 (en) 1995-10-11

Family

ID=16808242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59224080A Expired - Fee Related JPH0795676B2 (en) 1984-10-26 1984-10-26 Clock pulse generation circuit with duty adjustment circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0795676B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS648832U (en) * 1987-07-03 1989-01-18
JP2635789B2 (en) * 1989-01-17 1997-07-30 株式会社東芝 Signal delay circuit and clock signal generation circuit using the circuit

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5412354B2 (en) * 1974-12-11 1979-05-22
JPS5783922A (en) * 1980-11-12 1982-05-26 Fujitsu Ltd Delay circuit
JPS5990422A (en) * 1982-11-15 1984-05-24 Hitachi Ltd Automatic control circuit of pulse phase

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5412354U (en) * 1977-06-27 1979-01-26

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5412354B2 (en) * 1974-12-11 1979-05-22
JPS5783922A (en) * 1980-11-12 1982-05-26 Fujitsu Ltd Delay circuit
JPS5990422A (en) * 1982-11-15 1984-05-24 Hitachi Ltd Automatic control circuit of pulse phase

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61103312A (en) 1986-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4479216A (en) Skew-free clock circuit for integrated circuit chip
EP0550216B1 (en) CMOS digital-controlled delay gate
US5459424A (en) CMOS pulse delay circuit
KR920010819B1 (en) Joutput buffer circuit with level conversion function
US5453707A (en) Polyphase clock generation circuit
JPH07202653A (en) Time delay circuit
JPH029224A (en) Cmos output circuit
JP2877205B2 (en) Two-phase non-overlap signal generation circuit
US4728827A (en) Static PLA or ROM circuit with self-generated precharge
US6154077A (en) Bistable flip-flop
JPH09321596A (en) Differential signal generation circuit
JPH02119427A (en) Output buffer circuit
JPH0795676B2 (en) Clock pulse generation circuit with duty adjustment circuit
JPH0427729B2 (en)
JPH04151912A (en) Frequency divider circuit
US6097783A (en) Dividing circuit for dividing by even numbers
JP3060953B2 (en) Variable delay circuit and pulse width control circuit using the same
JP2580989B2 (en) Multi-phase clock generation circuit
KR930010879B1 (en) Frequency counter having schumitt triger
JPH05268002A (en) Voltage controlled oscillator
CA1207035A (en) Clock pulse-shaping circuit
JP2569750B2 (en) Synchronous driver circuit
JP3093254B2 (en) Clock driver
JPH10339746A (en) High withstand voltage level detection circuit
JPH1174786A (en) Semiconductor integrated circuit

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees