JPH0795577B2 - Partial plating method on lead frame - Google Patents
Partial plating method on lead frameInfo
- Publication number
- JPH0795577B2 JPH0795577B2 JP63089713A JP8971388A JPH0795577B2 JP H0795577 B2 JPH0795577 B2 JP H0795577B2 JP 63089713 A JP63089713 A JP 63089713A JP 8971388 A JP8971388 A JP 8971388A JP H0795577 B2 JPH0795577 B2 JP H0795577B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- lead frame
- electrodeposition
- resist
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 発明の目的 〔産業上の利用分野〕 本発明は、IC（ここでICとは、LSI,VLSIも含むものとす
る）用リードフレームに、金または銀の部分メッキを施
す方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of use] The present invention is a method of partially plating gold or silver on a lead frame for an IC (herein, IC includes LSI and VLSI). It is about.
ICリードフレーム（以下単ににリードフレームという）
上に、半導体チップのダイボンディングやワイヤボンデ
ィング加工にするには、リードフレームの全面または一
部分に、金または銀のメッキを施す必要がある。そして
部分メッキのためには、リードフレームのうちメッキ不
要箇所を、メッキが付かぬようにシールドする必要があ
る。IC lead frame (hereinafter simply referred to as lead frame)
In addition, in order to carry out die bonding or wire bonding of a semiconductor chip, it is necessary to plate the whole or a part of the lead frame with gold or silver. For partial plating, it is necessary to shield portions of the lead frame that do not require plating so that plating will not occur.
そこで従来、リードフレームのメッキ不要箇所をシール
ドする手段として、例えば次のようなものがあった。即
ち本件と同一人の発明に係る特公昭57−15675号公報に
記載の如く、シリコン系のゴムまたはスポンジのシール
ド材を、リードフレームのメッキ不要箇所へ機械的に加
圧・接触させてシールドし、露呈したメッキ必要箇所に
部分メッキを行うものがある。また同一人の発明に係る
特開昭57−79194号公報に記載の如く、リードフレーム
のメッキ不要箇所にフォトレジストインクを印刷その他
の手段により塗布・被覆し、露呈したメッキ必要箇所に
部分メッキを施すものもある。Therefore, conventionally, for example, the following means has been used as a means for shielding a portion of the lead frame that does not require plating. That is, as described in Japanese Patent Publication No. 57-15675, which is the invention of the same person as the present case, a shield material of silicon rubber or sponge is mechanically pressed and contacted with a portion of the lead frame where plating is unnecessary to shield. There are some that perform partial plating on exposed exposed areas. In addition, as described in JP-A-57-79194 relating to the invention of the same person, a photoresist ink is applied to a portion of the lead frame where plating is unnecessary by printing or other means, and the exposed portion where plating is required is partially plated. There are also things to do.
さらに、リードフレームのメッキ必要部分に、そこへ必
要な種類の金属メッキ（金または銀あるいは半田メッ
キ）を施した後、リードフレーム全体に感光型の電着性
レジストを電着してレジスト膜で被覆し、露光・現象し
て次に行うメッキ必要部分だけを露出させ、露出したそ
の部分にそこへ必要な別種類の金属メッキ（半田あるい
は金または銀メッキ）を施し、その後に残っている電着
性レジスト膜を剥離・除去するようにした、リードフレ
ームへの異種金属部分メッキ方法も提案されている。
（例えば、特開昭62−285455号公報参照）。In addition, after plating the required parts of the lead frame with the required type of metal plating (gold, silver, or solder plating), a photosensitive electrodeposition resist is electrodeposited on the entire lead frame to form a resist film. After coating, exposing / phenomenon to expose only the required plating area, apply another type of metal plating (solder or gold or silver plating) to the exposed area, and then remove the remaining electricity. There has also been proposed a method of partially plating a dissimilar metal on a lead frame in which the adhesive resist film is peeled off / removed.
(See, for example, JP-A-62-285455).
上記従来のリードフレームへの部分メッキ方法には、次
のような問題点がある。まず、弾力性のあるシールド材
を機械的に押し付けてシールドし、露呈箇所したメッキ
必要箇所に部分メッキするものは、ディプレス型の如く
凹凸のあるリードフレームでは、フレームが変形する。
またリードフレームの厚みのため各リードの側面・裏面
部が充分にシールドされず、メッキ液が漏れて置換メッ
キ析出し、またマイグレーションが発生する。そのメッ
キ被膜は密着力が弱くて剥がれ易く、近時のリードフレ
ームの如く高密度で多数のリードを持つものでは、リー
ド間の間隔が狭いため接触してリークのの原因になり、
不良品となる。さらに、シールド材の加工性および耐久
性にも問題があった。The above-described conventional method of partially plating the lead frame has the following problems. First, in a case where a resilient shield material is mechanically pressed and shielded, and a plating-required portion that is exposed is partially plated, the frame is deformed in an uneven lead frame such as a depress type.
Further, the thickness of the lead frame prevents the side and back surfaces of each lead from being sufficiently shielded, the plating solution leaks, displacement plating is deposited, and migration occurs. The plating film has a weak adhesion and is easy to peel off, and in the case of a lead frame having a large number of leads with a high density like a recent lead frame, the gap between the leads is narrow, which causes a leak,
It becomes a defective product. Further, there is a problem in workability and durability of the shield material.
他方、リードフレームのメッキ不良箇所に、フォトレジ
ストインクを塗布・被覆するものは、その塗布手段が例
えばスクリーン印刷では、ディプレス形の如く凹凸のあ
るリードフレームの場合、レジスト被膜が付かぬ箇所が
生じる。また転写印刷によると膜厚を制御し難く厚くな
って、各リード間や搬送用小孔がレジスト被膜で埋まっ
てしまうことがある。さらに、フォトレジストインクを
吹き付け塗布することも考えられるが、被覆する必要の
ない箇所にも被膜が形成され、ロスが多く非経済的であ
るという問題点もあった。On the other hand, in the case where the photoresist ink is applied / covered on the defective plating portion of the lead frame, when the coating means is, for example, screen printing, and the lead frame is uneven such as a depress type, the portion where the resist film is not applied is Occurs. In addition, transfer printing may make the film thickness difficult to control, and the spaces between the leads and the small holes for transportation may be filled with the resist film. Further, it is conceivable that the photoresist ink is sprayed and applied, but there is a problem that a film is formed even in a portion which does not need to be covered, resulting in a large loss and uneconomical.
さらに上記の電着性レジストを用いるようにしたもの
は、リードフレームに予め必要な金属メッキ（金または
銀或いは半田メッキ）を施した後において、電着性レジ
ストを電着するようにしている。しかしこれは、電着性
レジストを電着する上で、電着条件の設定・維持の面か
ら技術的に非常に難しい問題点が残っている。Further, in the case where the above-mentioned electrodeposition resist is used, after the necessary metal plating (gold or silver or solder plating) is applied to the lead frame in advance, the electrodeposition resist is electrodeposited. However, this remains a technically very difficult problem in terms of setting / maintaining electrodeposition conditions when electrodepositing an electrodepositable resist.
即ち、リードフレームには一般的に42−Alloy材が用い
られているが、この42−Alloy材に金または銀あるいは
半田の部分メッキを施すには、その部分メッキ前に予め
下地処理として全面銅メッキを施す必要がある。金また
は銀あるいは半田の部分メッキは、全面銅メッキの上か
ら行われており、その後に上記の電着性レジストを電着
することになる。つまり、リードフレーム上に銅メッキ
だけの箇所と、銀と金または銀あるいは半田という２種
類の金属メッキがなされた箇所とがあり、それらの上に
電着性レジストを電着することになる。しかし、リード
フレーム上には部分メッキの分だけ厚みに差が生じた箇
所や、かつ電位が異なる箇所が生じるので、その上に電
着性レジストを均一な膜厚で施すことは、技術的に容易
なことでなく、電着条件の設定・維持で非常に難しい問
題を残している。That is, the lead frame is generally made of 42-Alloy material, but in order to partially plate gold, silver, or solder on the 42-Alloy material, the entire surface is preliminarily treated with copper before the partial plating. It is necessary to plate. Partial plating of gold, silver, or solder is performed on the entire surface of copper plating, and then the above electrodepositable resist is electrodeposited. In other words, there is a portion only plated with copper on the lead frame and a portion plated with two kinds of metals such as silver and gold or silver or solder, and the electrodeposition resist is electrodeposited on these. However, on the lead frame, there is a portion where there is a difference in thickness due to partial plating and a portion where the potential is different, so it is technically necessary to apply an electrodeposition resist on it with a uniform film thickness. It is not an easy task, and it leaves a very difficult problem in setting and maintaining electrodeposition conditions.
また、仮に部分メッキ上に電着性レジスト均一な膜厚で
電着できたとしても、金または銀の部分メッキ上に電着
させた電着レジストは、メッキ表面に不純物が付着した
ことになり、後で不純物除去工程を別に設ける必要があ
る。半田の部分メッキ上に電着させた場合には、半田
（錫）メッキ表面の金属粒子が比較的粗く多孔状である
ため、電着性レジストが入り込んで完全に除去できなく
なり、より一層不純物の付着が問題となる。Even if the electrodeposition resist could be electrodeposited on the partial plating with a uniform film thickness, the electrodeposition resist electrodeposited on the gold or silver partial plating means that impurities were attached to the plating surface. However, it is necessary to separately provide an impurity removing step later. When electrodeposition is performed on the partial plating of solder, the metal particles on the surface of the solder (tin) plating are relatively coarse and porous, and the electrodeposition resist cannot enter and cannot be completely removed. Adhesion becomes a problem.
しかも、電着性レジストの電着後に他の金属メッキ（例
えば半田あるいは金または銀メッキ）を施し、その後に
電着性レジストを剥離する場合に、剥離液として通常は
苛性ソーダ液が用いられる。ところがこの苛性ソーダ液
が上記電着の前または後で施した半田メッキに触れる
と、半田表面を侵して黒く変色させてしまい、リードフ
レームの品質を悪くする。これは、剥離液に有機剤を用
いた場合もほぼ同様であり、いずれの場合も後で洗浄工
程を別に設けることが必要になってくる。Moreover, when another metal plating (for example, solder or gold or silver plating) is applied after electrodeposition of the electrodepositable resist, and then the electrodepositable resist is peeled off, a caustic soda solution is usually used as a peeling liquid. However, when the caustic soda solution touches the solder plating applied before or after the electrodeposition, the surface of the solder is attacked and discolored to black, which deteriorates the quality of the lead frame. This is almost the same when an organic agent is used as the stripping solution, and in any case, it is necessary to separately provide a cleaning step later.
上記のように、上記の電着性レジストを用いたメッキ方
法は、それを具体化・実施化する上で幾つかの難しい問
題点を残している。As described above, the plating method using the above-mentioned electrodeposition resist has some difficult problems in realizing and embodying it.
本発明は、上記従来のリードフレームへの部分メッキ方
法がもつ問題点を解決しようとするものである。即ち本
発明の目的は、リードフレームの形状・種類を問わず、
リードフレームを変形さすことなく、また各リードの側
面・裏面部を含むメッキ不要箇所は、全体的に薄く均一
に被覆可能であるとともに、メッキ不要箇所へのメッキ
の付着を無くして、メッキ必要箇所に高精度な部分メッ
キが可能で、かつ今後も高密度化するリードフレームへ
の部分メッキに対応でき、しかも電着性レジストを用い
るのでありながら、電着条件の設定・維持上の問題点、
金または金あるいは半田メッキ上に電着性レジストが不
純物として残存したり、レジスト剥離液で半田メッキ表
面が汚染されたりする品質上の問題点等も解消できるよ
うな、リードフレームへの部分メッキ方法を提供するこ
とにある。The present invention is intended to solve the problems of the above-described conventional method of partially plating the lead frame. That is, the object of the present invention is to provide the lead frame regardless of its shape and type.
Without deforming the lead frame, the areas where plating is not required, including the side and back surfaces of each lead, can be covered thinly and uniformly. It is possible to perform high-precision partial plating, and it is possible to support partial plating on lead frames that will continue to be densified in the future, and while using an electrodepositable resist, problems in setting and maintaining electrodeposition conditions,
Partial plating method on lead frame that can solve problems such as quality problems such as electrodeposition resist remaining as an impurity on gold or gold or solder plating, and the solder plating surface being contaminated by resist stripping solution To provide.
発明の構成 〔課題を解決するための手段〕 本発明に係るリードフレームへの部分メッキ方法は、 リードフレーム（１）のメッキ必要箇所（２）へ金また
は銀の部分メッキを施すリードフレームへの部分メッキ
方法において、 その部分メッキを施す前の段階で予め、部分メッキ必要
箇所（２）を含むリードフレーム（１）の全面にわた
り、電着性レジスト（４）を電着で被覆させるととも
に、乾燥させて電着レジスト被膜（５）を形成し、 次に該レジスト被膜（５）を露光・現象処理して、リー
ドフレーム（１）のメッキ必要箇所（２）を露呈させる
とともに、メッキ不要箇所（３）は電着レジスト被膜
（５）を残し、 その状態で金または銀メッキ処理をして、露呈したメッ
キ必要箇所（２）にだけメッキ膜（６）を形成させ、 その後に、メッキ不要箇所（３）に残っている電着レジ
スト被膜（５）を剥離するようにしたものである。Configuration of the Invention [Means for Solving the Problems] A method of partially plating a lead frame according to the present invention is a method of partially plating a lead frame (1) with gold or silver on a required plating portion (2). In the partial plating method, before the partial plating is performed, the entire surface of the lead frame (1) including the required partial plating (2) is coated with the electrodepositable resist (4) by electrodeposition and dried. To form an electrodeposition resist coating (5), and then the resist coating (5) is exposed and subjected to a phenomenon treatment to expose the plating-required portion (2) of the lead frame (1) and the plating-unnecessary portion ( In 3), the electrodeposition resist film (5) is left, and gold or silver plating is performed in that state to form the plating film (6) only on the exposed plating-required portions (2), and thereafter, The electrodeposition resist coating (5) remaining on the plating unnecessary portion (3) is peeled off.
上記構成において、リードフレーム（１）は、材質がFe
系・Cu系を問わないし、またフラットタイプは勿論、ア
イランド部（ダイパット部）（７）が凹んだディプレス
型のものでもよい。In the above structure, the material of the lead frame (1) is Fe.
It does not matter whether it is Cu-based or Cu-based, and it may be of a flat type or a depress type of which the island portion (die pad portion) (7) is recessed.
リードフレーム（１）の内で、金または銀の部分メッキ
必要箇所（２）とは、通常アイランド部（７）およびイ
ンナーリード（８）先端寄りの上面であり、またメッキ
不要箇所（３）とはそれ以外の部分をいう。インナーリ
ード（８）の先端寄り上面のメッキ必要箇所（２）は、
必要最小面積にするため第３図で示す如く円形にするこ
とが望ましい。In the lead frame (1), the part (2) requiring partial plating of gold or silver is usually the upper surface near the tips of the island part (7) and the inner lead (8), and the part not requiring plating (3). Means the other part. The required plating area (2) on the upper surface of the inner lead (8) near the tip is
It is desirable to make it circular as shown in FIG. 3 in order to make the required minimum area.
電着性レジスト（４）としての電着液には、例えばカル
ボキシル基を有するアクリル系不飽和化合物で、それを
アクリルモノマーまたはスチレンに溶解させて有機アミ
ンで中和させたものに、光増感剤を少量加えたものとす
る。しかし上記アクリル系に限らず、例えばポリオレフ
ィン系やポリブタジン系等の電着液であってもよい。ま
た光増感剤としては、例えばベンゾインエーテルがあ
る。The electrodeposition liquid as the electrodeposition resist (4) is, for example, an acrylic unsaturated compound having a carboxyl group, which is dissolved in an acrylic monomer or styrene and neutralized with an organic amine. A small amount of the agent is added. However, the electrodepositing liquid is not limited to the acrylic type and may be, for example, a polyolefin type or polybutazine type electrodeposition liquid. The photosensitizer includes, for example, benzoin ether.
硬化後の電着レジスト被膜（５）への露光は、例えば紫
外線を照射するものとし、また現象液としては、例えば
炭酸ソーダ（Na2CO3）の１％溶液を用いればよい。露光
・現像およびその際のフィルム状マスク（９）は、感光
箇所が現像時に溶解除去されるポジ型でも、逆のネガ型
としてもよい。The electrodeposition resist coating (5) after curing is exposed to, for example, ultraviolet rays, and the phenomenon liquid may be, for example, a 1% solution of sodium carbonate (Na 2 CO 3 ). The film-like mask (9) at the time of exposure / development and at that time may be of a positive type in which exposed portions are dissolved and removed at the time of development, or a negative type.
電着レジスト被膜（５）の剥離液としては、例えば苛性
ソーダ（NaOH）の５％溶液を用いればよい。As a stripping solution for the electrodeposition resist coating (5), for example, a 5% solution of caustic soda (NaOH) may be used.
なお電着は、リードフレーム（１）を陽極とするアニオ
ン型が望ましいが、リードフレーム（１）を陰極とする
カチオン型としてもよい。また上記電着化を良くするた
め、電着前のリードフレーム（１）をソフトエッチング
し、金または銀のメッキの付きを良くするため、メッキ
前のリードフレーム（１）をソフトエッチングしておく
ことが望ましい。The electrodeposition is preferably an anion type using the lead frame (1) as an anode, but may be a cation type using the lead frame (1) as a cathode. In order to improve the electrodeposition, the lead frame (1) before electrodeposition is soft-etched, and the lead frame (1) before plating is soft-etched to improve the adhesion of gold or silver. Is desirable.
本発明のリードフレームへの部分メッキ方法の実施状態
は、以下の如くである。The implementation state of the method of partially plating the lead frame of the present invention is as follows.
第2a図のようなリードフレーム（１）を必要に応じて脱
脂・ソフトエッチングを施した後、該リードフレーム
（１）の全面、即ち金または銀のメッキ必要箇所（２）
およびメッキ不要箇所（３）の全面に、第2b図の如く電
着性レジスト（４）を電着で被覆させる。ここで用いる
電着液は、上記の如く例えばカルボキシル基を有するア
クリル系不飽和化合物を、アクリルモノマーまたはスチ
レンに溶解させて有機アミンで中和させ、それに光増感
剤として例えばベンゾインエーテルを少量加えたもので
ある。After degreasing and soft etching the lead frame (1) as shown in FIG. 2a as necessary, the entire surface of the lead frame (1), that is, the required plating area (2) of gold or silver.
And the whole surface of the plating unnecessary portion (3) is coated with an electrodepositable resist (4) by electrodeposition as shown in FIG. 2b. The electrodeposition liquid used here is, for example, an acrylic unsaturated compound having a carboxyl group dissolved in an acrylic monomer or styrene and neutralized with an organic amine as described above, to which a small amount of, for example, benzoin ether is added as a photosensitizer. It is a thing.
上記の電着をアニオン型電着とすれば、電着液は電着槽
内で負に荷電しており、これに直流電流を通じると、ア
クリル系不飽和化合物の分散粒子が陽極であるリードフ
レーム（１）表面へ泳動し、PHの下降に従い凝集・析出
し、リードフレーム（１）の全面が電着性レジスト
（４）で被覆される。If the above-mentioned electrodeposition is anion type electrodeposition, the electrodeposition liquid is negatively charged in the electrodeposition tank, and when a direct current is applied to this, the dispersed particles of acrylic unsaturated compound are the anode. It migrates to the surface of the frame (1) and aggregates / precipitates as the PH decreases, and the entire surface of the lead frame (1) is covered with the electrodepositable resist (4).
この電着性レジスト（４）は、リードフレーム（１）の
複雑・微細な形状に対しても、全体的に薄く均一に電着
する。なおその厚みの調節は、上記電着時間・電流の強
さ・電着液の濃度等の何れかを適度にすることにより、
容易に行える。The electrodepositable resist (4) is thinly and uniformly electrodeposited even on the complicated and fine shape of the lead frame (1). The thickness can be adjusted by adjusting any of the electrodeposition time, the strength of the current, the concentration of the electrodeposition solution, etc.
Easy to do.
上記の如くリードフレーム（１）の全面に電着性レジス
ト（４）を電着させる際に、本発明では下地処理として
銅の全面メッキを施すのは同様であるが、金または銀の
部分メッキ施す前の段階で予めリードフレーム（１）の
全面に電着性レジストを電着してしている。従来の技術
が、リードフレームの下地処理としての銅メッキ上に、
金または銀あるいは半田の部分メッキを施した後に、電
着性レジストを電着するのと異なる。In the present invention, when the electrodepositable resist (4) is electrodeposited on the entire surface of the lead frame (1) as described above, the entire surface of copper is plated as a base treatment, but gold or silver is partially plated. Before the application, an electrodepositable resist is electrodeposited on the entire surface of the lead frame (1) in advance. The conventional technology is to apply copper plating as the lead frame surface treatment.
This is different from electrodeposition of an electrodepositable resist after partial plating of gold or silver or solder.
そのため、リードフレームには全面銅メッキがなされた
ままであり、従来技術のように部分メッキの分だけ厚み
に差が生じた箇所があったり、電位が異なる箇所があっ
たりせず、リードフレーム上は全体的に見ていわば平面
状で、電位の差も殆どない状態にある。その状に電着性
レジストを電着することになるので、電着性レジストを
均一な膜厚で施すことは技術的に容易であり、電着条件
の設定・維持上の問題も解消されている。Therefore, the entire surface of the lead frame is still copper-plated, there is no difference in thickness due to partial plating as in the prior art, and there is no difference in potential. Overall, it is flat and there is almost no potential difference. Since the electrodepositable resist is electrodeposited in that way, it is technically easy to apply the electrodepositable resist with a uniform film thickness, and the problems in setting and maintaining the electrodeposition conditions are solved. There is.
さらに、金または銀あるいは半田の部分メッキ上に電着
性レジストを電着させるのと異なり、部分メッキ上に電
着性レジストが不純物として付着することがなく、この
面での品質上の問題も解消されており、別に不純物除去
工程を設ける必要もない。Further, unlike electrodeposition of the electrodeposition resist on the gold, silver or solder partial plating, the electrodeposition resist does not adhere as an impurity on the partial plating, and there is a quality problem in this respect. It has been resolved and there is no need to separately provide an impurity removing step.
その析出した電着性レジスト（４）を乾燥・硬化させて
電着レジスト被膜（５）を形成した後、該被膜（５）の
表面に部分メッキ必要箇所と不要箇所のパターンを描い
たフイルム状マスク（９）を、第2c図で示す如く載置・
密着させて、例えば紫外線照射により露光する。この
際、ポジ型ではメッキ必要箇所を感光させ、ネガ型では
メッキ不要箇所を感光させることになる。図示例はネガ
型を用いた場合を示している。The deposited electrodepositable resist (4) is dried and cured to form an electrodeposition resist coating film (5), and then a film-like pattern is formed on the surface of the coating film (5), showing the areas where partial plating is required and areas where unnecessary plating is required. Place the mask (9) on it as shown in Fig. 2c.
They are brought into close contact with each other and exposed by, for example, ultraviolet irradiation. At this time, in the positive type, the areas where plating is required are exposed, and in the negative type, the areas where plating is not required are exposed. The illustrated example shows the case where a negative type is used.
続いて現像処理することにより、電着レジスト被膜
（５）の内でポジ型では感光箇所が、またネガ型では非
感光箇所が各々溶解・除去される。いずれの場合も第2d
図で示す如く、リードフレーム（１）表面のメッキ必要
箇所（２）、即ち第３図で示すアイランド部（７）およ
びインナーリード（８）先端寄りの上面が露呈され、そ
れ以外のメッキ不要箇所（３）は電着レジスト被膜
（５）で被覆されたままである。Subsequently, by developing, in the electro-deposited resist film (5), the exposed areas are dissolved and removed in the positive type and the unexposed areas in the negative type, respectively. In any case 2d
As shown in the figure, the plating-required portion (2) on the surface of the lead frame (1), that is, the island portion (7) and the inner leads (8) shown in FIG. (3) remains covered with the electrodeposition resist coating (5).
上記露光・現像時に、電着レジスト被膜（５）が上記の
如く薄く均一なため、露光・現像の解像度がよく、高精
度にメッキ必要箇所（２）が露呈される。During the exposure / development, since the electrodeposition resist film (5) is thin and uniform as described above, the exposure / development resolution is good and the plating-required portion (2) is exposed with high accuracy.
次に、露呈したメッキ必要箇所（２）を活性化するた
め、必要に応じてソフトエッチングした後、メッキ不要
箇所（３）が電着レジスト被膜（５）で被応された状態
で、例えばメッキ液中に浸漬または通過させ、金または
銀メッキ処理する。その結果第2e図で示す如く、電着レ
ジスト被膜（５）で被覆された箇所にはメッキ液が付着
せず、露呈したメッキ必要箇所（２）にだけメッキ膜
（６）が形成されることになる。この場合、上記の如く
メッキ必要箇所（２）が高精度に露呈しているので、メ
ッキ膜（６）も高精度に形成される。Next, in order to activate the exposed plating-required portion (2), soft etching is performed as necessary, and then the plating-unnecessary portion (3) is covered with the electrodeposition resist coating (5). Immerse in or pass through the solution and perform gold or silver plating. As a result, as shown in FIG. 2e, the plating solution does not adhere to the portion coated with the electrodeposition resist coating (5), and the plating film (6) is formed only on the exposed required plating portion (2). become. In this case, since the plating required portion (2) is exposed with high precision as described above, the plating film (6) is also formed with high precision.
その後は、メッキ不要箇所（３）を被覆している電着レ
ジスト被膜（５）を剥離すればよい。ここでの剥離液
は、電着レジスト被膜（５）の材料によって異なるが、
上記の如きアクリル系の場合は、例えば苛性ソーダ（Na
OH）の５％溶液を用いればよい。After that, the electrodeposition resist coating (5) covering the plating unnecessary portion (3) may be peeled off. The stripping solution here differs depending on the material of the electrodeposition resist coating (5),
In the case of the acrylic type as described above, for example, caustic soda (Na
A 5% solution of OH) may be used.
上記の電着レジスト被膜（５）の剥離液として苛性ソー
ダ液を用いたとしても、本発明では電着レジスト（４）
を電着後は金または銀の部分メッキを施すものであり、
電着性レジスト（４）の電着前または後で半田（錫）メ
ッキを施すものではない。本願発明は、金または銀の部
分メッキ処理後、半導体チップをボンディングし、樹脂
モールド等でパッケージングした後に、アウターリード
部に外装処理として半田の部分メッキを行うものであ
る。Even if a caustic soda solution is used as a stripping solution for the above electrodeposition resist coating (5), in the present invention the electrodeposition resist (4) is used.
After electrodeposition, gold or silver partial plating is applied,
Solder (tin) plating is not performed before or after electrodeposition of the electrodepositable resist (4). According to the present invention, after the gold or silver is partially plated, the semiconductor chip is bonded and packaged with a resin mold or the like, and then the outer lead portion is partially plated with solder as an exterior treatment.
そのため、部分メッキ処理時の電着レジスト膜（５）の
剥離液として苛性ソーダ液を用いても、半田メッキの表
面が侵され黒ずんでリードフレームとしての品質を低下
させるようなことは無く、別に洗浄工程を設ける必要も
ない。Therefore, even if a caustic soda solution is used as a stripping solution for the electrodeposition resist film (5) at the time of partial plating, the surface of the solder plating is not attacked and blackened to deteriorate the quality of the lead frame. There is no need to provide steps.
これで第2f図で示すように、メッキ必要箇所（２）が高
精度に部分メッキされたリードフレーム（１）が得られ
る。御は必要な洗浄処理を行えばよい。As a result, as shown in FIG. 2f, the lead frame (1) is obtained in which the required plating portion (2) is partially plated with high precision. The control may be carried out as necessary.
発明の効果 以上で明らかな如く、本発明のリードフレームへの部分
メッキ方法は、リードフレームの形状・種類を問わず、
リードフレームの変形をなくし、またリードの側面・裏
面部をメッキ不要箇所は全体的に薄く均一に被覆でき
る。そのため、メッキ不要箇所へのメッキの付着を皆無
にできるとともに、メッキ必要箇所には高精度な部分メ
ッキができ、今後も高密度化するリードフレームに対応
できるものである。EFFECTS OF THE INVENTION As is clear from the above, the method of partially plating a lead frame according to the present invention, regardless of the shape and type of the lead frame,
The lead frame is not deformed, and the side surface and back surface of the lead can be uniformly thinly coated over the areas where plating is unnecessary. Therefore, it is possible to completely prevent the plating from being attached to the unnecessary plating portion, and to perform the highly accurate partial plating at the required plating portion, which can be applied to the lead frame whose density is increased in the future.
即ち、従来のリードフレームのメッキ不要箇所にシール
ド部材を機械的に押し付け、露呈したメッキ必要箇所に
メッキを施すものは、ディプレス型の如く凹凸があるリ
ードフレームでは変形を生じたり、フレームの厚みのた
め側面・裏面部を充分にシールドできなかった。またリ
ードフレームメッキ不要箇所にフォトレジストを塗布・
被覆して、露呈したメッキ必要箇所にメッキを施すもの
は、塗布手段がスクリーン印刷では凹凸があるリードフ
レームを確実に被覆できない。しかも転写印刷では膜厚
の調節が困難で厚い被膜となって、高密度なリードフレ
ームではリード間を埋めてしまい、さらに吹き付け塗布
では被覆が不要な部分にもレジストが付着して、ロスが
多かった。That is, in the conventional lead frame where the shield member is mechanically pressed against the unnecessary plating portion and the exposed unnecessary plating portion is plated, the lead frame having irregularities such as the depression type may be deformed or the thickness of the frame may be increased. As a result, the side and back surfaces could not be shielded sufficiently. Also, apply photoresist to areas where lead frame plating is unnecessary.
In the case of coating and plating the exposed portions where plating is required, the coating means cannot reliably coat the lead frame having irregularities by screen printing. Moreover, it is difficult to control the film thickness by transfer printing, resulting in a thick film, which fills the gaps between the leads in a high-density lead frame, and the resist adheres even to areas where the coating is unnecessary in spray coating, resulting in a large loss. It was
これに対して本発明では、上記の如くリードフレーム全
面を電着性レジストの電着にて被覆し、その後にメッキ
必要箇所のみを露呈させてメッキするものである。その
ため、リードフレームの種類・形状を問わず、変形もな
く被膜で被覆できる。そしてその電着レジスト被膜は、
リードの側面・裏面部を含むメッキ不要箇所の全面に、
薄く均一に形成できるので、露光・現像を高解像度で行
えてメッキ必要箇所を高精度に形成でき、金または銀の
部分メッキを高精度に行える。On the other hand, in the present invention, as described above, the entire surface of the lead frame is coated by electrodeposition of the electrodepositable resist, and thereafter, only the required plating portion is exposed and plating is performed. Therefore, regardless of the type and shape of the lead frame, the lead frame can be covered with the coating without deformation. And the electrodeposition resist coating is
On the entire surface of the plating unnecessary part, including the side and back surfaces of the lead,
Since it can be thinly and uniformly formed, exposure and development can be performed with high resolution, and required plating spots can be formed with high precision, and gold or silver partial plating can be performed with high precision.
しかも、本発明のリードフレームへの部分メッキ方法で
は、電着性レジストを電着して用いる方法でありが、上
記の如く電着レジスト膜を均一な膜厚にすることができ
るので、電着条件の設定・維持の問題を解消し容易に実
施することがでのるようになる。また、金または銀等の
部分メッキ上に電着性レジストが不純物として付着しな
いので、それを除去する除去工程を別に設ける必要もな
くなる。さらに電着レジスト被膜を剥離する際に剥離液
で半田メッキが侵されて黒ずみ、品質低下させるような
ことなく、洗浄工程を別に設ける必要も無くなる等、実
施化・具体化する上での諸問題点を解決したものであ
る。Moreover, in the method of partial plating on the lead frame of the present invention, the electrodeposition resist is used by electrodeposition, but since the electrodeposition resist film can be formed to a uniform film thickness as described above, It will be possible to solve the problem of setting and maintaining the conditions and to easily implement them. Further, since the electrodepositable resist does not adhere as impurities on the partial plating of gold or silver, it is not necessary to separately provide a removing step for removing it. Furthermore, when the electrodeposition resist coating is peeled off, the solder plating is not attacked by the peeling solution, resulting in darkening and no deterioration in quality, and there is no need for a separate cleaning step. It is a solution to the problem.
したがって、今後ますます高密度化するリードフレーム
への部分メッキに充分に対応できるとともに、メッキ漏
れが無くて置換メッキやマイグレーションが生じぬ高品
質の製品を製造できるものである。Therefore, it is possible to sufficiently deal with partial plating on the lead frame, which will become more and more dense in the future, and to manufacture a high-quality product with no plating leakage and no displacement plating or migration.
図は本発明の実施例を示すものであり、第１図は工程
図、第2a図・第2b図・第2c図・第2d図・第2e図・第2f図
は各工程はでのリードフレームの一部拡大縦断正面図、
第３図は現像後のリードフレームの一部拡大斜視図であ
る。 図面符号 （１）……リードフレーム、（２）……メッキ必要箇所 （３）……メッキ不要箇所、（４）……電着性レジスト （５）……電着レジスト被膜、（６）……メッキ膜 （７）……アイランド部、（８）……インナーリード部 （９）……マスクFIG. 1 shows an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a process drawing, and FIG. 2a, FIG. 2b, FIG. 2c, FIG. 2d, FIG. 2e, and FIG. Partially enlarged vertical section front view,
FIG. 3 is a partially enlarged perspective view of the lead frame after development. Drawing reference numeral (1): lead frame, (2): plating required part (3): plating unnecessary part, (4): electrodeposition resist (5): electrodeposition resist coating, (6) ... … Plating film (7) …… Island part (8) …… Inner lead part (9) …… Mask
Claims (1)
（２）へ金または銀の部分メッキを施すリードフレーム
への部分メッキ方法において、 その部分メッキを施す前の段階で予め、部分メッキ必要
箇所（２）を含むリードフレーム（１）の全面にわた
り、電着性レジスト（４）を電着で被覆させるととも
に、乾燥させて電着レジスト被膜（５）を形成し、 次に該レジスト被膜（５）を露光・現象処理して、リー
ドフレーム（１）のメッキ必要箇所（２）を露呈させる
とともに、メッキ不要箇所（３）は電着レジスト被膜
（５）を残し、 その状態で金または銀メッキ処理をして、露呈したメッ
キ必要箇所（２）にだけメッキ膜（６）を形成させ、 その後に、メッキ不要箇所（３）に残っている電着レジ
スト被膜（５）を剥離するようにしたことを特徴とす
る、リードフレームへの部分メッキ方法。1. A method of partially plating a lead frame (1), wherein gold or silver is partially plated on a required plating area (2) of the lead frame (1). The electrodepositable resist (4) is coated over the entire surface of the lead frame (1) including (2) by electrodeposition and dried to form an electrodeposited resist film (5), and then the resist film (5) is formed. ) Is exposed to light and the phenomenon is exposed to expose the plating required portion (2) of the lead frame (1), and the plating unnecessary portion (3) leaves the electrodeposition resist coating (5), and gold or silver plating is performed in that state. After the treatment, the plating film (6) is formed only on the exposed plating-required portion (2), and then the electrodeposition resist coating (5) remaining on the plating-unnecessary portion (3) is peeled off. This And a method of partial plating on the lead frame.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089713A JPH0795577B2 (en) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | Partial plating method on lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089713A JPH0795577B2 (en) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | Partial plating method on lead frame |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01261852A JPH01261852A (en) | 1989-10-18 |
| JPH0795577B2 true JPH0795577B2 (en) | 1995-10-11 |
Family
ID=13978413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63089713A Expired - Lifetime JPH0795577B2 (en) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | Partial plating method on lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795577B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2525513B2 (en) * | 1990-12-21 | 1996-08-21 | 株式会社三井ハイテック | Method for manufacturing lead frame for semiconductor device |
| TW332334B (en) * | 1996-05-31 | 1998-05-21 | Toshiba Co Ltd | The semiconductor substrate and its producing method and semiconductor apparatus |
| JP7174240B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | Method for manufacturing light emitting device |
| JP6947988B2 (en) | 2019-01-28 | 2021-10-13 | 日亜化学工業株式会社 | Manufacturing method of light emitting device |
| CN113737265B (en) * | 2021-11-04 | 2022-02-08 | 新恒汇电子股份有限公司 | Flexible carrier band coating quality control system and control method |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS515984B2 (en) * | 1971-10-20 | 1976-02-24 | ||
| JPS5436069A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-16 | Hitachi Ltd | Apparatus for protecting lead wire of washer |
| JPS6024583B2 (en) * | 1979-04-03 | 1985-06-13 | 大日本印刷株式会社 | Manufacturing method for semiconductor lead frames |
| JPS60165747A (en) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacture of lead frame |
| US4592816A (en) * | 1984-09-26 | 1986-06-03 | Rohm And Haas Company | Electrophoretic deposition process |
| JPS61247090A (en) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | 日本ペイント株式会社 | Manufacture of circuit board having solder through hole |
| JPS62285455A (en) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Fuji Kiko Denshi Kk | Plating method for dissimilar metallic section onto lead frame |
| JPS6356918A (en) * | 1986-08-27 | 1988-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor element |
-
1988
- 1988-04-12 JP JP63089713A patent/JPH0795577B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01261852A (en) | 1989-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62230082A (en) | Printed wiring board and manufacture of the same | |
| KR0165413B1 (en) | Pattern etching method | |
| JPH0795577B2 (en) | Partial plating method on lead frame | |
| US2765230A (en) | Method of forming matrices for the electrodeposition of grids | |
| US5939786A (en) | Uniform plating of dendrites | |
| KR0133994B1 (en) | Process for production of electroformed patterns | |
| JP2938767B2 (en) | Manufacturing method of electrodeposited image | |
| JP3061206B2 (en) | Manufacturing method of metal mask | |
| JPH09315026A (en) | Metal mask and manufacture thereof | |
| KR0157143B1 (en) | Process for manufacturing electroformed patterns | |
| JP3655029B2 (en) | Electrodeposition resist film exposure method | |
| JPH09199654A (en) | Machining method of lead frame and lead frame | |
| KR100243373B1 (en) | Manufacturing method of lead frame | |
| JP4090546B2 (en) | Electromagnetic shielding plate | |
| JP2659335B2 (en) | Manufacturing method of electrodeposited image | |
| JPH06291232A (en) | Lead frame and manufacture thereof | |
| JPH05104696A (en) | Manufacture of form plate | |
| JPH0992140A (en) | Thick film pattern forming method | |
| CN116991045A (en) | Etching process for controlling etching (depth and shape of half etching area) | |
| JP3018216B2 (en) | Method for manufacturing lead frame | |
| US20020182370A1 (en) | Semiconductor packaging part and method producing the same | |
| JPH05121482A (en) | Manufacture of lead frame with bump | |
| JPH02294095A (en) | Printed circuit board and manufacture thereof | |
| JPH0864751A (en) | Manufacture of lead frame | |
| JPH10135391A (en) | Photolithographic method of electrodeposition resist film |