JPH0794805A - 高配向性ダイヤモンド薄膜磁気検出素子及び磁気検出装置 - Google Patents
高配向性ダイヤモンド薄膜磁気検出素子及び磁気検出装置Info
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- JPH0794805A JPH0794805A JP5315506A JP31550693A JPH0794805A JP H0794805 A JPH0794805 A JP H0794805A JP 5315506 A JP5315506 A JP 5315506A JP 31550693 A JP31550693 A JP 31550693A JP H0794805 A JPH0794805 A JP H0794805A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁界感度が実用上十分に高いと共に、大面積
化及び大集積化が可能であり、大面積及び空間の連続的
な磁場測定が可能である耐熱性が優れた高配向性ダイヤ
モンド薄膜磁気検出素子及び磁気検出装置を提供する。 【構成】 高配向性ダイヤモンド薄膜磁気検出素子は、
磁気検知部(2)と、この磁気検知部にホール起電力を
生起させる少なくとも1対の主電流用電極3と、前記ホ
ール起電力を検出する検出電極4とを有する。そして、
前記磁気検知部が、気相合成によって形成されたダイヤ
モンド薄膜であって、その薄膜表面積の90%以上がダ
イヤモンドの(100)結晶面から構成されており、又
は(111)結晶面から構成されており、隣接する(1
00)結晶面又は(111)結晶面について、その結晶
面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△
β,△γ}が|△α|≦10°、|△β|≦10°、|
△γ|≦10°を同時に満足する高配向性ダイヤモンド
薄膜2により形成されている。
化及び大集積化が可能であり、大面積及び空間の連続的
な磁場測定が可能である耐熱性が優れた高配向性ダイヤ
モンド薄膜磁気検出素子及び磁気検出装置を提供する。 【構成】 高配向性ダイヤモンド薄膜磁気検出素子は、
磁気検知部(2)と、この磁気検知部にホール起電力を
生起させる少なくとも1対の主電流用電極3と、前記ホ
ール起電力を検出する検出電極4とを有する。そして、
前記磁気検知部が、気相合成によって形成されたダイヤ
モンド薄膜であって、その薄膜表面積の90%以上がダ
イヤモンドの(100)結晶面から構成されており、又
は(111)結晶面から構成されており、隣接する(1
00)結晶面又は(111)結晶面について、その結晶
面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△
β,△γ}が|△α|≦10°、|△β|≦10°、|
△γ|≦10°を同時に満足する高配向性ダイヤモンド
薄膜2により形成されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は放射線照射下等のよう
に、耐環境性及び高温安定性が優れていることが要求さ
れる分野に使用するのに好適の高配向性ダイヤモンド薄
膜磁気検出素子及び磁気検出装置に関する。
に、耐環境性及び高温安定性が優れていることが要求さ
れる分野に使用するのに好適の高配向性ダイヤモンド薄
膜磁気検出素子及び磁気検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体又は半導体薄膜は、そのホール現
象、即ち半導体材料中に磁場と垂直の方向に電流を流し
た場合に、前記磁場及び電流に垂直の方向にホール起電
力が発生するという現象を利用して、磁気検知に使用で
きることが公知である(例えば、薄膜ハンドブック「日
本学術振興会 薄膜第131委員会編、第635乃至6
41頁(1983年)」)。また、前記半導体薄膜とし
て耐熱性及び化学的安定性が優れたダイヤモンド薄膜を
利用したホール素子も公知であり、このダイヤモンド薄
膜を有するホール素子は200℃以上の高温でも使用可
能と考えられている(特開平4−26172号)。この
ような高温では、現在市販されているSi、GaAs、
InAs又はInSb等を使用した磁気センサは半導体
特性が消失してしまうので使用できず、このためダイヤ
モンド薄膜を使用したホール素子、即ち磁気センサの優
位性が着目されている。また、ダイヤモンド薄膜は熱伝
導性及び放熱性が優れているため、入力電流を増加し、
素子感度を向上することも可能である。
象、即ち半導体材料中に磁場と垂直の方向に電流を流し
た場合に、前記磁場及び電流に垂直の方向にホール起電
力が発生するという現象を利用して、磁気検知に使用で
きることが公知である(例えば、薄膜ハンドブック「日
本学術振興会 薄膜第131委員会編、第635乃至6
41頁(1983年)」)。また、前記半導体薄膜とし
て耐熱性及び化学的安定性が優れたダイヤモンド薄膜を
利用したホール素子も公知であり、このダイヤモンド薄
膜を有するホール素子は200℃以上の高温でも使用可
能と考えられている(特開平4−26172号)。この
ような高温では、現在市販されているSi、GaAs、
InAs又はInSb等を使用した磁気センサは半導体
特性が消失してしまうので使用できず、このためダイヤ
モンド薄膜を使用したホール素子、即ち磁気センサの優
位性が着目されている。また、ダイヤモンド薄膜は熱伝
導性及び放熱性が優れているため、入力電流を増加し、
素子感度を向上することも可能である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の単結晶
ダイヤモンドを使用したホール素子は、大面積の単結晶
を製作しにくいために基板の大きさに制約があり、ホー
ル素子の大面積化及び高集積化は困難である。また、単
結晶を使用しているので、その製造コストも高い。更
に、従来のホール素子は単一素子であり、広い面積又は
空間の磁場分布の測定のためには、ホール素子を移動さ
せる必要があり、同時に異なる場所の連続的な磁場測定
が困難である。
ダイヤモンドを使用したホール素子は、大面積の単結晶
を製作しにくいために基板の大きさに制約があり、ホー
ル素子の大面積化及び高集積化は困難である。また、単
結晶を使用しているので、その製造コストも高い。更
に、従来のホール素子は単一素子であり、広い面積又は
空間の磁場分布の測定のためには、ホール素子を移動さ
せる必要があり、同時に異なる場所の連続的な磁場測定
が困難である。
【0004】一方、多結晶ダイヤモンド薄膜を使用した
場合には、大面積化及び集積化が可能となり、コスト面
の問題も解消されるものの、多結晶ダイヤモンド薄膜中
に高密度で存在する粒界のために、キャリア移動度が小
さく(約1cm2/V・秒)、磁界感度が低すぎるため実用
に供し得ない。
場合には、大面積化及び集積化が可能となり、コスト面
の問題も解消されるものの、多結晶ダイヤモンド薄膜中
に高密度で存在する粒界のために、キャリア移動度が小
さく(約1cm2/V・秒)、磁界感度が低すぎるため実用
に供し得ない。
【0005】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、磁界感度が実用上十分に高いと共に、大面
積化及び大集積化が可能であり、大面積及び空間の連続
的な磁場測定が可能である耐熱性が優れた高配向性ダイ
ヤモンド薄膜磁気検出素子及び磁気検出装置を提供する
ことを目的とする。
のであって、磁界感度が実用上十分に高いと共に、大面
積化及び大集積化が可能であり、大面積及び空間の連続
的な磁場測定が可能である耐熱性が優れた高配向性ダイ
ヤモンド薄膜磁気検出素子及び磁気検出装置を提供する
ことを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高配向性ダ
イヤモンド薄膜磁気検出素子は、気相合成によって形成
されたダイヤモンド薄膜により形成された磁気検知部
と、この磁気検知部にホール起電力を生起させる少なく
とも1対の主電流用電極と、前記ホール起電力を検出す
る検出電極とを有する。そして、本発明は、前記磁気検
知部のダイヤモンド薄膜が、その薄膜表面積の90%以
上がダイヤモンドの(100)結晶面又は(111)結
晶面から構成されており、隣接する(100)結晶面又
は(111)結晶面について、その結晶面方位を表すオ
イラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|
△α|≦10°、|△β|≦10°、|△γ|≦10°
を同時に満足する高配向性ダイヤモンド薄膜であること
を特徴とする。
イヤモンド薄膜磁気検出素子は、気相合成によって形成
されたダイヤモンド薄膜により形成された磁気検知部
と、この磁気検知部にホール起電力を生起させる少なく
とも1対の主電流用電極と、前記ホール起電力を検出す
る検出電極とを有する。そして、本発明は、前記磁気検
知部のダイヤモンド薄膜が、その薄膜表面積の90%以
上がダイヤモンドの(100)結晶面又は(111)結
晶面から構成されており、隣接する(100)結晶面又
は(111)結晶面について、その結晶面方位を表すオ
イラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|
△α|≦10°、|△β|≦10°、|△γ|≦10°
を同時に満足する高配向性ダイヤモンド薄膜であること
を特徴とする。
【0007】この場合に、前記主電流用電極の相互間距
離が100μm以下であることが好ましく、更に好まし
くは、約10μm以下である。
離が100μm以下であることが好ましく、更に好まし
くは、約10μm以下である。
【0008】本発明に係る磁気検出装置は、この高配向
性ダイヤモンド薄膜磁気検出素子が、1次元的、2次元
的又は3次元的に配列されたものである。
性ダイヤモンド薄膜磁気検出素子が、1次元的、2次元
的又は3次元的に配列されたものである。
【0009】
【作用】図1は本発明に係る(100)結晶面が高度に
配向したダイヤモンド薄膜表面の構造を模式的に示す。
薄膜面内に相互に直交するX軸及びY軸を定義し、薄膜
表面の法線方向をZ軸と定義する。i番目及びそれに隣
接するj番目のダイヤモンド結晶面の結晶面方位を表す
オイラー角を夫々{αi,βi,γi}、{αj,βj,
γj}とし、両者の角度差を{△α,△β,△γ}とす
る。
配向したダイヤモンド薄膜表面の構造を模式的に示す。
薄膜面内に相互に直交するX軸及びY軸を定義し、薄膜
表面の法線方向をZ軸と定義する。i番目及びそれに隣
接するj番目のダイヤモンド結晶面の結晶面方位を表す
オイラー角を夫々{αi,βi,γi}、{αj,βj,
γj}とし、両者の角度差を{△α,△β,△γ}とす
る。
【0010】オイラー角{α、β、γ}は基準結晶面を
基準座標のX、Y、Z軸の周りに角度α、β、γの順に
回転して得られる結晶面の配向を表す。
基準座標のX、Y、Z軸の周りに角度α、β、γの順に
回転して得られる結晶面の配向を表す。
【0011】本発明においては、|△α|≦10°、|
△β|≦10°、|△γ|≦10°を同時に満足する高
配向性ダイヤモンド薄膜であるため、結晶が高度に配向
し、単結晶膜と同様にキャリアの移動度が高い。
△β|≦10°、|△γ|≦10°を同時に満足する高
配向性ダイヤモンド薄膜であるため、結晶が高度に配向
し、単結晶膜と同様にキャリアの移動度が高い。
【0012】(111)結晶面についても同様にオイラ
ー角の角度差の絶対値がいずれも10°以下である場合
に、結晶が高度に配向し、キャリアの移動度が高くな
る。このような高配向性ダイヤモンド薄膜は、例えば、
シリコン基板を鏡面研磨した後、メタンガスを含有する
気相中で基板に負のバイアスを印加しつつマイクロ波を
照射することにより形成することができる。
ー角の角度差の絶対値がいずれも10°以下である場合
に、結晶が高度に配向し、キャリアの移動度が高くな
る。このような高配向性ダイヤモンド薄膜は、例えば、
シリコン基板を鏡面研磨した後、メタンガスを含有する
気相中で基板に負のバイアスを印加しつつマイクロ波を
照射することにより形成することができる。
【0013】そして、本発明においては、合成されたダ
イヤモンド薄膜表面の90%以上が(100)結晶面又
は(111)結晶面で覆われている。図1に示したよう
な高配向性ダイヤモンド薄膜でも、ダイヤモンド結晶粒
子間には粒界が存在するが、結晶面が強く配向している
ために結晶面間の角度差が小さく、従来の多結晶薄膜に
比べると、キャリア散乱が大幅に低下する。また、粒界
に存在する欠陥密度が低減するために、キャリアのトラ
ップも低減する。このような理由で、前記高配向性ダイ
ヤモンド薄膜の電気的特性は従来の多結晶薄膜に比して
大幅に向上する。このような電気的特性の向上は、被覆
率を90%以上に限定すると共に、|△α|、|△β
|、|△γ|を10°以下に限定することにより得られ
る。これは後述する実施例1の実験データから得られた
条件である。これらの条件を満たさない高配向性ダイヤ
モンド薄膜は、電気的特性が低い。
イヤモンド薄膜表面の90%以上が(100)結晶面又
は(111)結晶面で覆われている。図1に示したよう
な高配向性ダイヤモンド薄膜でも、ダイヤモンド結晶粒
子間には粒界が存在するが、結晶面が強く配向している
ために結晶面間の角度差が小さく、従来の多結晶薄膜に
比べると、キャリア散乱が大幅に低下する。また、粒界
に存在する欠陥密度が低減するために、キャリアのトラ
ップも低減する。このような理由で、前記高配向性ダイ
ヤモンド薄膜の電気的特性は従来の多結晶薄膜に比して
大幅に向上する。このような電気的特性の向上は、被覆
率を90%以上に限定すると共に、|△α|、|△β
|、|△γ|を10°以下に限定することにより得られ
る。これは後述する実施例1の実験データから得られた
条件である。これらの条件を満たさない高配向性ダイヤ
モンド薄膜は、電気的特性が低い。
【0014】また、前記高配向性ダイヤモンド薄膜は直
径数インチのシリコンウエハ等に成膜できるので、単結
晶ダイヤモンドにおけるような面積に対する制限はな
い。このため、大面積の高配向性ダイヤモンド薄膜を得
ることができる。
径数インチのシリコンウエハ等に成膜できるので、単結
晶ダイヤモンドにおけるような面積に対する制限はな
い。このため、大面積の高配向性ダイヤモンド薄膜を得
ることができる。
【0015】そして、前記高配向性ダイヤモンド薄膜に
おいては、上述した理由で粒界によるキャリア散乱及び
トラップの影響が極めて小さいために、高配向性ダイヤ
モンド薄膜中のキャリア移動度は500cm2/V・秒と単
結晶ダイヤモンドのそれに近い。
おいては、上述した理由で粒界によるキャリア散乱及び
トラップの影響が極めて小さいために、高配向性ダイヤ
モンド薄膜中のキャリア移動度は500cm2/V・秒と単
結晶ダイヤモンドのそれに近い。
【0016】本発明は前記高配向性ダイヤモンド薄膜を
磁気検知部に使用したので、感度及びコストの双方の点
で、磁気検出素子として十分に実用に供し得る。即ち、
本発明においては、高配向性ダイヤモンド薄膜を磁気検
知部として使用したので、200℃以上の高温でもノイ
ズレベル以上のホール起電力を検出できる。また、高配
向性ダイヤモンド薄膜は非ダイヤモンド基板上に10cm
2以上の大面積で形成することができるため、一度に多
数の素子を低コストで製作できる。
磁気検知部に使用したので、感度及びコストの双方の点
で、磁気検出素子として十分に実用に供し得る。即ち、
本発明においては、高配向性ダイヤモンド薄膜を磁気検
知部として使用したので、200℃以上の高温でもノイ
ズレベル以上のホール起電力を検出できる。また、高配
向性ダイヤモンド薄膜は非ダイヤモンド基板上に10cm
2以上の大面積で形成することができるため、一度に多
数の素子を低コストで製作できる。
【0017】更に、フォトリソグラフィ技術によれば、
特性が完全に同一の磁気検出素子を、同一基板上に、直
線、曲線、平面又は曲面に沿って配列し、アレー化する
ことができ、空間の磁場分布を同時に測定することが可
能になる。
特性が完全に同一の磁気検出素子を、同一基板上に、直
線、曲線、平面又は曲面に沿って配列し、アレー化する
ことができ、空間の磁場分布を同時に測定することが可
能になる。
【0018】
【実施例】以下、本発明の実施例について添付の図面を
参照して具体的に説明する。図2は本発明の第1の実施
例に係る磁気検出素子を示す斜視図である。この磁気検
出素子は、平面型のものである。Si、Si3N4又は絶
縁性ダイヤモンド等からなる基板1上に、磁気検知部
(センサ部分)となるボロン(B)をドープした半導体
ダイヤモンド薄膜2が形成されている。この磁気検知部
の形状はフォトリソグラフィ及び選択成長技術によりパ
ターニングすることができる。また、磁気検知部をプラ
ズマエッチング及び電子線エッチング等のエッチング技
術を利用して加工することもできる。この半導体ダイヤ
モンド薄膜2は前述の如くして製造され、定義される高
配向性のダイヤモンド薄膜であり、この高配向性ダイヤ
モンド薄膜にBをドープしたものである。
参照して具体的に説明する。図2は本発明の第1の実施
例に係る磁気検出素子を示す斜視図である。この磁気検
出素子は、平面型のものである。Si、Si3N4又は絶
縁性ダイヤモンド等からなる基板1上に、磁気検知部
(センサ部分)となるボロン(B)をドープした半導体
ダイヤモンド薄膜2が形成されている。この磁気検知部
の形状はフォトリソグラフィ及び選択成長技術によりパ
ターニングすることができる。また、磁気検知部をプラ
ズマエッチング及び電子線エッチング等のエッチング技
術を利用して加工することもできる。この半導体ダイヤ
モンド薄膜2は前述の如くして製造され、定義される高
配向性のダイヤモンド薄膜であり、この高配向性ダイヤ
モンド薄膜にBをドープしたものである。
【0019】そして、この半導体ダイヤモンド薄膜2上
には、1対の主電流用電極3と、1対のホール起電力測
定用電極4とがその対向方向を直交させて配置されてい
る。これらの各電極の構成材料としては、熱蒸着、スパ
ッタリング、電子線ビーム蒸着及びCVD法等の気相蒸
着法により形成した種々の金属(Ti、Ta、Mo、
W、Cr等)、合金(Ti−W等)及び金属伝導を示す
化合物(TiC、TiN、TiB2、TaSi2等)等が
ある。また、電極として、これらの層を積層した積層膜
を使用することもできる。更に、電極の接触抵抗を低減
するために、電極形成部の半導体ダイヤモンド薄膜2の
表面をBで高濃度にドープしてこの部分にオーミックコ
ンタクトを形成することも有効である。
には、1対の主電流用電極3と、1対のホール起電力測
定用電極4とがその対向方向を直交させて配置されてい
る。これらの各電極の構成材料としては、熱蒸着、スパ
ッタリング、電子線ビーム蒸着及びCVD法等の気相蒸
着法により形成した種々の金属(Ti、Ta、Mo、
W、Cr等)、合金(Ti−W等)及び金属伝導を示す
化合物(TiC、TiN、TiB2、TaSi2等)等が
ある。また、電極として、これらの層を積層した積層膜
を使用することもできる。更に、電極の接触抵抗を低減
するために、電極形成部の半導体ダイヤモンド薄膜2の
表面をBで高濃度にドープしてこの部分にオーミックコ
ンタクトを形成することも有効である。
【0020】次に、上述の如く構成された本実施例の磁
気検出素子の動作について説明する。対向する一対の主
電流用電極3を介して、磁気検知部である半導体ダイヤ
モンド薄膜2に電流を流し、半導体ダイヤモンド薄膜2
の表面に垂直に磁場5が印加されるように、磁気検出素
子を磁場中に配置する。そうすると、磁場5と電極3間
に流れる電流との相互作用により、磁場5の方向と電極
3間の電流の方向とに直交する方向にホール起電力が発
生し、このホール起電力の方向に配置された起電力測定
用電極4により前記ホール起電力が測定される。
気検出素子の動作について説明する。対向する一対の主
電流用電極3を介して、磁気検知部である半導体ダイヤ
モンド薄膜2に電流を流し、半導体ダイヤモンド薄膜2
の表面に垂直に磁場5が印加されるように、磁気検出素
子を磁場中に配置する。そうすると、磁場5と電極3間
に流れる電流との相互作用により、磁場5の方向と電極
3間の電流の方向とに直交する方向にホール起電力が発
生し、このホール起電力の方向に配置された起電力測定
用電極4により前記ホール起電力が測定される。
【0021】図3は横軸に磁場(ガウス)をとり、縦軸
にホール起電力(mV)をとって、図2に示す構造の磁
気検出素子の室温における磁界感度特性を実線にて示
す。主電流用電極3間の電流量は1mAである。図2
中、破線は従来の磁気検知部に単結晶ダイヤモンド薄膜
を使用した場合(前記特開平4−26172号)に示さ
れたホール素子の性能を示す。この図2に示すように、
単結晶を使用した場合に比してその磁界感度特性は劣る
ものの、本実施例の磁気検出素子も十分実用に供し得る
だけの磁界感度が得られている。
にホール起電力(mV)をとって、図2に示す構造の磁
気検出素子の室温における磁界感度特性を実線にて示
す。主電流用電極3間の電流量は1mAである。図2
中、破線は従来の磁気検知部に単結晶ダイヤモンド薄膜
を使用した場合(前記特開平4−26172号)に示さ
れたホール素子の性能を示す。この図2に示すように、
単結晶を使用した場合に比してその磁界感度特性は劣る
ものの、本実施例の磁気検出素子も十分実用に供し得る
だけの磁界感度が得られている。
【0022】次に、図3を参照して本発明の第2の実施
例について説明する。本実施例は第1の実施例と同様の
作用を有する素子を垂直方向に形成した垂直型の磁気検
出素子である。図3に示すように、絶縁性の基板11上
には主電流用の一方の電極13aが蒸着等により形成さ
れている。そして、この電極13aの一部を被覆し、こ
の被覆部分より幅広で基板11上に延出するようにパタ
ーニングされて、半導体ダイヤモンド薄膜12が基板1
1及び電極13a上に合成されている。この半導体ダイ
ヤモンド薄膜12も高配向性の半導体ダイヤモンド薄膜
である。そして、主電力印加用の電極の対となる他方の
電極13bが、半導体ダイヤモンド薄膜12上に、平面
視でこの半導体ダイヤモンド薄膜12と電極13aとが
重なる領域に形成されている。また、ホール起電力測定
用の一対の電極14がその一部を主電流用電極13bに
覆われていない部分の半導体ダイヤモンド薄膜12上に
形成されており、この部分から半導体ダイヤモンド薄膜
12の側面を経由して基板11上に延出している。
例について説明する。本実施例は第1の実施例と同様の
作用を有する素子を垂直方向に形成した垂直型の磁気検
出素子である。図3に示すように、絶縁性の基板11上
には主電流用の一方の電極13aが蒸着等により形成さ
れている。そして、この電極13aの一部を被覆し、こ
の被覆部分より幅広で基板11上に延出するようにパタ
ーニングされて、半導体ダイヤモンド薄膜12が基板1
1及び電極13a上に合成されている。この半導体ダイ
ヤモンド薄膜12も高配向性の半導体ダイヤモンド薄膜
である。そして、主電力印加用の電極の対となる他方の
電極13bが、半導体ダイヤモンド薄膜12上に、平面
視でこの半導体ダイヤモンド薄膜12と電極13aとが
重なる領域に形成されている。また、ホール起電力測定
用の一対の電極14がその一部を主電流用電極13bに
覆われていない部分の半導体ダイヤモンド薄膜12上に
形成されており、この部分から半導体ダイヤモンド薄膜
12の側面を経由して基板11上に延出している。
【0023】次に、このように構成された磁気検出素子
の動作について説明する。本実施例においては、電極1
3a,13b間に電流を印加することにより、薄膜12
の厚さ方向に電流を流す。そして、この磁気検出素子を
磁場15の方向が半導体ダイヤモンド薄膜12の表面に
平行に、且つ電極14の対向方向に垂直になるように、
この磁気検出素子を磁場中に配置する。そうすると、電
極13a,13bの対向方向、即ち基板表面に垂直の方
向と、磁場15に垂直の方向にホール起電力が発生し、
この起電力が電極14により検出される。
の動作について説明する。本実施例においては、電極1
3a,13b間に電流を印加することにより、薄膜12
の厚さ方向に電流を流す。そして、この磁気検出素子を
磁場15の方向が半導体ダイヤモンド薄膜12の表面に
平行に、且つ電極14の対向方向に垂直になるように、
この磁気検出素子を磁場中に配置する。そうすると、電
極13a,13bの対向方向、即ち基板表面に垂直の方
向と、磁場15に垂直の方向にホール起電力が発生し、
この起電力が電極14により検出される。
【0024】本実施例の素子構造は、基板11上にダイ
ヤモンドを気相合成する際の膜厚制御が容易であり、こ
のため、主電流用電極13a,13bの電極間距離を1
00μm以下の任意のものに選択することができるとい
う利点がある。また、電流用電極13a,13b間の磁
気検知部、即ち、半導体ダイヤモンド薄膜12の面積を
大面積に形成することができるため、電流用電極間に大
電流を流すことができ、素子の磁界感度を増大できると
いう利点もある。
ヤモンドを気相合成する際の膜厚制御が容易であり、こ
のため、主電流用電極13a,13bの電極間距離を1
00μm以下の任意のものに選択することができるとい
う利点がある。また、電流用電極13a,13b間の磁
気検知部、即ち、半導体ダイヤモンド薄膜12の面積を
大面積に形成することができるため、電流用電極間に大
電流を流すことができ、素子の磁界感度を増大できると
いう利点もある。
【0025】図5は図2又は図4に示す磁気検出素子か
らなる磁気検出装置(磁気検出測定用センサ)である。
図5(a)は図2又は図4に示す磁気検出素子22を1
次元的に配列したリニアアレイ21であり、図5(b)
は同じく図2又は図4に示す磁気検出素子24を2次元
的に配列した平面アレイ23である。このようにアレー
21,23を形成することで、大面積の部分の磁場分布
を同時に且つ連続的に測定できる。
らなる磁気検出装置(磁気検出測定用センサ)である。
図5(a)は図2又は図4に示す磁気検出素子22を1
次元的に配列したリニアアレイ21であり、図5(b)
は同じく図2又は図4に示す磁気検出素子24を2次元
的に配列した平面アレイ23である。このようにアレー
21,23を形成することで、大面積の部分の磁場分布
を同時に且つ連続的に測定できる。
【0026】なお、図2及び図4に示す実施例では、4
端子の磁気検出素子を例示したが、電極が3個又は5個
の夫々3端子乃至5端子又はそれ以上でも同様の効果を
有する素子を製造することができる。
端子の磁気検出素子を例示したが、電極が3個又は5個
の夫々3端子乃至5端子又はそれ以上でも同様の効果を
有する素子を製造することができる。
【0027】次に、本実施例の磁気検出素子を実際に作
製し、その特性を評価した結果について説明する。 (ステップ1)高配向性ダイヤモンド薄膜を形成する基
板として、直径1インチ、方位(100)のシリコンウ
エハを使用した。基板をマイクロ波化学気相蒸着装置に
入れ、メタン5%、水素95%、ガス圧25Torr、ガス
流量300cc/分、基板温度650℃で15分間処理し
た。マイクロ波入力パワーはほぼ1000Wであった
が、基板温度を650℃に維持するように微調整した。
これと同時に基板に負バイアス電圧を印加した。負バイ
アスによる電流量は30mA/cm2であった。
製し、その特性を評価した結果について説明する。 (ステップ1)高配向性ダイヤモンド薄膜を形成する基
板として、直径1インチ、方位(100)のシリコンウ
エハを使用した。基板をマイクロ波化学気相蒸着装置に
入れ、メタン5%、水素95%、ガス圧25Torr、ガス
流量300cc/分、基板温度650℃で15分間処理し
た。マイクロ波入力パワーはほぼ1000Wであった
が、基板温度を650℃に維持するように微調整した。
これと同時に基板に負バイアス電圧を印加した。負バイ
アスによる電流量は30mA/cm2であった。
【0028】(ステップ2)その後、メタン5%、水素
93%、酸素2%、ガス圧60Torr、ガス流量300cc
/分、基板温度800℃で80時間合成を続けた。この
結果、膜厚が約80μmで高配向したダイヤモンド薄膜
を合成することができた。
93%、酸素2%、ガス圧60Torr、ガス流量300cc
/分、基板温度800℃で80時間合成を続けた。この
結果、膜厚が約80μmで高配向したダイヤモンド薄膜
を合成することができた。
【0029】電子顕微鏡による観察からこの膜表面の9
0%が(100)結晶面で覆われていることが分かっ
た。また、薄膜の断面写真から各結晶面の高低差は0.
8μmであった。
0%が(100)結晶面で覆われていることが分かっ
た。また、薄膜の断面写真から各結晶面の高低差は0.
8μmであった。
【0030】この薄膜表面の法線方向から±5°の角度
で2枚の電子顕微鏡写真を撮影し、各写真に撮影された
(100)結晶面の傾きを測定したところ、隣接する結
晶面の傾きの差は|△α|≦10°、|△β|≦10
°、|△γ|≦10°の全ての条件を満足した。
で2枚の電子顕微鏡写真を撮影し、各写真に撮影された
(100)結晶面の傾きを測定したところ、隣接する結
晶面の傾きの差は|△α|≦10°、|△β|≦10
°、|△γ|≦10°の全ての条件を満足した。
【0031】(ステップ3)この高配向膜に更にP型半
導体ダイヤモンド薄膜を積層した。合成条件はメタン2
%、水素98%、ジボラン(B2H6)1ppm、ガス圧5
0Torr、ガス流量300cc/分、基板温度800℃で7
時間合成を続けた。その結果、下地の高配向性膜と同一
の表面形態をもつ厚さ3μmのP型半導体ダイヤモンド
薄膜層が積層された。
導体ダイヤモンド薄膜を積層した。合成条件はメタン2
%、水素98%、ジボラン(B2H6)1ppm、ガス圧5
0Torr、ガス流量300cc/分、基板温度800℃で7
時間合成を続けた。その結果、下地の高配向性膜と同一
の表面形態をもつ厚さ3μmのP型半導体ダイヤモンド
薄膜層が積層された。
【0032】この半導体ダイヤモンド層のホール移動度
を測定した結果、500cm2/V・秒と高い値が得られ
た。この値は通常の多結晶ダイヤモンド薄膜(約1cm2
/V・秒)の約500倍である。
を測定した結果、500cm2/V・秒と高い値が得られ
た。この値は通常の多結晶ダイヤモンド薄膜(約1cm2
/V・秒)の約500倍である。
【0033】(ステップ4)ステップ1の条件を下記表
1に示すように種々変更して同様の実験を繰り返した。
但し、表1の試料1はステップ1にて説明した条件の場
合のものである。
1に示すように種々変更して同様の実験を繰り返した。
但し、表1の試料1はステップ1にて説明した条件の場
合のものである。
【0034】
【表1】
【0035】この表1に示す試料2,3の条件では、夫
々薄膜表面の96%及び98%が(100)結晶面で覆
われたダイヤモンド薄膜が得られ、隣接するいずれの結
晶面についても|△α|≦10°、|△β|≦10°、
|△γ|≦10°の条件が満足された。
々薄膜表面の96%及び98%が(100)結晶面で覆
われたダイヤモンド薄膜が得られ、隣接するいずれの結
晶面についても|△α|≦10°、|△β|≦10°、
|△γ|≦10°の条件が満足された。
【0036】これに対し、試料4,5では夫々薄膜表面
の80%及び70%が(100)結晶面で覆われ、また
隣接するいずれの結晶面でも|△α|>10°、|△β
|>10°、|△γ|>10°となった。
の80%及び70%が(100)結晶面で覆われ、また
隣接するいずれの結晶面でも|△α|>10°、|△β
|>10°、|△γ|>10°となった。
【0037】そこで、これらの試料1〜5についてホー
ル移動度を測定した。このホール移動度の測定結果を図
6に横軸に試料番号をとり、縦軸に移動度をとって示
す。この図5から明らかなように、本発明にて規定した
条件を満足する高配向性ダイヤモンド薄膜(試料1,
2,3)においては、極めて高いホール移動度が得られ
る一方、本発明から外れる場合(試料4,5)には、ホ
ール移動度が極めて低いことが分かる。これにより、本
発明にて規定した高配向性膜は、ホール素子として実用
上十分な特性を有することが結論される。
ル移動度を測定した。このホール移動度の測定結果を図
6に横軸に試料番号をとり、縦軸に移動度をとって示
す。この図5から明らかなように、本発明にて規定した
条件を満足する高配向性ダイヤモンド薄膜(試料1,
2,3)においては、極めて高いホール移動度が得られ
る一方、本発明から外れる場合(試料4,5)には、ホ
ール移動度が極めて低いことが分かる。これにより、本
発明にて規定した高配向性膜は、ホール素子として実用
上十分な特性を有することが結論される。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
磁気検知部に高配向性ダイヤモンド薄膜を使用したの
で、従来の多結晶ダイヤモンド薄膜で問題であったキャ
リア移動度が大幅に向上し、実用上十分なレベルの磁界
感度を有する磁気検出素子が得られる。また、本発明は
このように単結晶膜を使用した場合に近い電気的特性を
有するにも拘らず、天然又は人工の単結晶ダイヤモンド
では不可能であった素子作製面積の大型化及び素子の集
積化が可能となり、低コストで高性能の大面積及び高集
積化磁気検出素子及び磁気検出装置を得ることができ
る。更に、本発明の磁気検出素子及び磁気検出装置はダ
イヤモンドの特徴である高い熱伝導度並びに熱的及び化
学的安定性を有しており、高温及び放射線照射等の厳し
い環境下でも使用することができる。
磁気検知部に高配向性ダイヤモンド薄膜を使用したの
で、従来の多結晶ダイヤモンド薄膜で問題であったキャ
リア移動度が大幅に向上し、実用上十分なレベルの磁界
感度を有する磁気検出素子が得られる。また、本発明は
このように単結晶膜を使用した場合に近い電気的特性を
有するにも拘らず、天然又は人工の単結晶ダイヤモンド
では不可能であった素子作製面積の大型化及び素子の集
積化が可能となり、低コストで高性能の大面積及び高集
積化磁気検出素子及び磁気検出装置を得ることができ
る。更に、本発明の磁気検出素子及び磁気検出装置はダ
イヤモンドの特徴である高い熱伝導度並びに熱的及び化
学的安定性を有しており、高温及び放射線照射等の厳し
い環境下でも使用することができる。
【図1】本発明の特徴である高配向性ダイヤモンド薄膜
を説明する模式図である。
を説明する模式図である。
【図2】本発明の第1の実施例に係る平面型磁気検出素
子を示す斜視図である。
子を示す斜視図である。
【図3】本実施例の磁気検出素子の室温における磁場ホ
ール起電力特性(磁界感度特性)を示すグラフ図であ
る。
ール起電力特性(磁界感度特性)を示すグラフ図であ
る。
【図4】本発明の第2の実施例に係る垂直型磁気検出素
子を示す斜視図である。
子を示す斜視図である。
【図5】本発明の実施例に係る磁気検出装置(センサア
レイ)を示し、図5(a)はリニアアレイ、図5(b)
は平面アレイである。
レイ)を示し、図5(a)はリニアアレイ、図5(b)
は平面アレイである。
【図6】本発明の効果を示す移動度のグラフ図である。
1,11:基板 2,12;半導体ダイヤモンド薄膜 3,13a,13b;主電流用電極 4,14;起電力測定用電極 5,15;磁場 21,22;センサアレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 和志 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 小橋 宏司 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 ブラッドリー・アラン・フォックス アメリカ合衆国,ノースカロライナ州 27511,ケリー,ハフトン・コート,102 (72)発明者 ヤスコ・エイド・フォン・ウインドハイム アメリカ合衆国,ノースカロライナ州 27615,ローリ,ブラフトップ・コート 7709 (72)発明者 デービッド・レイン・ドレイフェス アメリカ合衆国,ノースカロライナ州 27513,ケリー,ワイドコム・コート,101 (72)発明者 ブライアン・ライズ・ストーナー アメリカ合衆国,ノースカロライナ州 27603, ローリ,ブロード・オークス・ プレイス,2659
Claims (7)
- 【請求項1】 気相合成によって形成されたダイヤモン
ド薄膜であって、その薄膜表面積の90%以上がダイヤ
モンドの(100)結晶面から構成されており、隣接す
る(100)結晶面について、その結晶面方位を表すオ
イラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|
△α|≦10°、|△β|≦10°、|△γ|≦10°
を同時に満足する高配向性ダイヤモンド薄膜により形成
された磁気検知部と、この磁気検知部にホール起電力を
生起させる少なくとも1対の主電流用電極と、前記ホー
ル起電力を検出する検出電極とを有することを特徴とす
る高配向性ダイヤモンド薄膜磁気検出素子。 - 【請求項2】 気相合成によって形成されたダイヤモン
ド薄膜であって、その薄膜表面積の90%以上がダイヤ
モンドの(111)結晶面から構成されており、隣接す
る(111)結晶面について、その結晶面方位を表すオ
イラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|
△α|≦10°、|△β|≦10°、|△γ|≦10°
を同時に満足する高配向性ダイヤモンド薄膜により形成
された磁気検知部と、この磁気検知部にホール起電力を
生起させる少なくとも1対の主電流用電極と、前記ホー
ル起電力を検出する検出電極とを有することを特徴とす
る高配向性ダイヤモンド薄膜磁気検出素子。 - 【請求項3】 前記主電流用電極の相互間距離が100
μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載
の高配向性ダイヤモンド薄膜磁気検出素子。 - 【請求項4】 前記高配向性ダイヤモンド薄膜はP型半
導体であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか
1項に記載の高配向性ダイヤモンド薄膜磁気検出素子。 - 【請求項5】 気相合成により形成されたダイヤモンド
薄膜からなる基板又は非ダイヤモンド材料からなる基板
上に、前記磁気検知部の高配向性ダイヤモンド薄膜が形
成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれ
か1項に記載の高配向性ダイヤモンド薄膜磁気検出素
子。 - 【請求項6】 前記磁気検知部の高配向性ダイヤモンド
薄膜は、選択成長又はエッチング技術により1mm2以下
の大きさでパターン形成されていることを特徴とする請
求項1乃至5のいずれか1項に記載の高配向性ダイヤモ
ンド磁気検出素子。 - 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の
ダイヤモンド薄膜磁気検出素子が、1次元的、2次元的
又は3次元的に配列されたものであることを特徴とする
磁気検出装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US6144593A | 1993-05-14 | 1993-05-14 | |
US08/061,445 | 1993-05-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0794805A true JPH0794805A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=22035821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5315506A Pending JPH0794805A (ja) | 1993-05-14 | 1993-12-15 | 高配向性ダイヤモンド薄膜磁気検出素子及び磁気検出装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5424561A (ja) |
JP (1) | JPH0794805A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9309346D0 (en) * | 1993-05-06 | 1993-06-16 | Kobe Steel Europ Ltd | Preparation of nucleated silicon surfaces |
JP3755904B2 (ja) * | 1993-05-14 | 2006-03-15 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド整流素子 |
JPH0786311A (ja) * | 1993-05-14 | 1995-03-31 | Kobe Steel Ltd | 高配向性ダイヤモンド薄膜電界効果トランジスタ |
GB2300425A (en) * | 1995-05-01 | 1996-11-06 | Kobe Steel Europ Ltd | Nucleation of diamond films using an electrode |
JP2005333103A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-12-02 | Denso Corp | 縦型ホール素子およびその製造方法 |
US7829363B2 (en) * | 2006-05-22 | 2010-11-09 | Cardiomems, Inc. | Method and apparatus for microjoining dissimilar materials |
DE102012024062A1 (de) * | 2012-12-10 | 2014-06-12 | Micronas Gmbh | Magnetfeldsensor |
US9797965B2 (en) | 2016-01-15 | 2017-10-24 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Fast hall effect measurement system |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5927754A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-14 | Nippon Steel Corp | 非晶質合金薄帯製造用ノズル |
JPS59137396A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-08-07 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | P型半導体ダイヤモンドの合成法 |
JPS6012747A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エレクトロニクスデバイス用ヒートシンクおよびその製造法 |
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