JPH0794534A - ダイボンディング方法とダイボンディング装置 - Google Patents
ダイボンディング方法とダイボンディング装置Info
- Publication number
- JPH0794534A JPH0794534A JP26167093A JP26167093A JPH0794534A JP H0794534 A JPH0794534 A JP H0794534A JP 26167093 A JP26167093 A JP 26167093A JP 26167093 A JP26167093 A JP 26167093A JP H0794534 A JPH0794534 A JP H0794534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die bonding
- solid
- state image
- image sensor
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像素子６のアオリ精度を支障なく高く
する。 【構成】 サイドチャック２、２と、固体撮像素子６を
その主面６ｂにて加圧ピン４、４、４により加圧する加
圧機構５、５とを有するダイボンディング装置を用いて
サイドチャック２、２によるチャッキング後、加圧ピン
４、４、４により固体撮像素子６の有効画素領域７より
外側を加圧してダイボンディングする。
する。 【構成】 サイドチャック２、２と、固体撮像素子６を
その主面６ｂにて加圧ピン４、４、４により加圧する加
圧機構５、５とを有するダイボンディング装置を用いて
サイドチャック２、２によるチャッキング後、加圧ピン
４、４、４により固体撮像素子６の有効画素領域７より
外側を加圧してダイボンディングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイボンディング方
法、即ち半導体素子、主として固体撮像素子をダイボン
ディングするダイボンディング方法と、その実施に用い
るダイボンディング装置に関する。
法、即ち半導体素子、主として固体撮像素子をダイボン
ディングするダイボンディング方法と、その実施に用い
るダイボンディング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来において、固体撮像素子、例えばＣ
ＣＤ型固体撮像素子のダイボンディングは、図３（Ａ）
に示すように、サイドチャック２、２、２により固体撮
像素子６の側面を押えることにより、即ちサイドチャッ
ク方式により固体撮像素子６を保持し、図３（Ｂ）に示
すように、その状態でパッケージ８の接着剤９があるボ
ンディング部に押圧することにより行われた。固体撮像
素子のダイボンディングを、普通の半導体素子のダイボ
ンディングのようにコレットを用いて半導体素子を保持
し該コレットにより下へ押圧することによってではな
く、即ち平コレットダイボンディング方式によってでは
なく、サイドチャック方式により行うのは、固体撮像素
子の有効画素領域がダメージを受けたりダストにより汚
染されるのを回避するためである。
ＣＤ型固体撮像素子のダイボンディングは、図３（Ａ）
に示すように、サイドチャック２、２、２により固体撮
像素子６の側面を押えることにより、即ちサイドチャッ
ク方式により固体撮像素子６を保持し、図３（Ｂ）に示
すように、その状態でパッケージ８の接着剤９があるボ
ンディング部に押圧することにより行われた。固体撮像
素子のダイボンディングを、普通の半導体素子のダイボ
ンディングのようにコレットを用いて半導体素子を保持
し該コレットにより下へ押圧することによってではな
く、即ち平コレットダイボンディング方式によってでは
なく、サイドチャック方式により行うのは、固体撮像素
子の有効画素領域がダメージを受けたりダストにより汚
染されるのを回避するためである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のサイ
ドチャック方式によるダイボンディング方法には、ダイ
ボンディング時に必要な荷重を加えたとき、その荷重に
より図３（Ｂ）に示すようにサイドチャック２、２が固
体撮像素子６の側面を滑り、固体撮像素子６にアオリが
生じ、アオリ精度が低下するという問題があった。特
に、固体撮像素子６の小型化、高画素化に伴って僅かな
すべりが大きなアオリ誤差をもたらすうえに僅かなアオ
リ誤差も許されなくなりつつあるので、アオリ精度の低
下は看過できない問題となる。
ドチャック方式によるダイボンディング方法には、ダイ
ボンディング時に必要な荷重を加えたとき、その荷重に
より図３（Ｂ）に示すようにサイドチャック２、２が固
体撮像素子６の側面を滑り、固体撮像素子６にアオリが
生じ、アオリ精度が低下するという問題があった。特
に、固体撮像素子６の小型化、高画素化に伴って僅かな
すべりが大きなアオリ誤差をもたらすうえに僅かなアオ
リ誤差も許されなくなりつつあるので、アオリ精度の低
下は看過できない問題となる。
【０００４】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、半導体素子、主として固体撮像素子
のアオリ精度を支障なく高くすることを目的とする。
されたものであり、半導体素子、主として固体撮像素子
のアオリ精度を支障なく高くすることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１のダイボンディ
ング方法は、サイドチャックによるチャッキング後、加
圧ピンにより半導体素子の主表面を加圧してダイボンデ
ィングすることを特徴とする。請求項２のダイボンディ
ング装置は、サイドチャックと、半導体素子をその主表
面にて加圧ピンにより加圧する加圧機構とを有すること
を特徴とする。請求項３のダイボンディング装置は、加
圧ピンにより半導体素子の周辺部を加圧するようにした
ことを特徴とする。
ング方法は、サイドチャックによるチャッキング後、加
圧ピンにより半導体素子の主表面を加圧してダイボンデ
ィングすることを特徴とする。請求項２のダイボンディ
ング装置は、サイドチャックと、半導体素子をその主表
面にて加圧ピンにより加圧する加圧機構とを有すること
を特徴とする。請求項３のダイボンディング装置は、加
圧ピンにより半導体素子の周辺部を加圧するようにした
ことを特徴とする。
【０００６】
【作用】請求項１のダイボンディング方法によれば、半
導体素子をサイドチャックにより保持、位置決めした
後、該素子の表面を加圧ピンにより加圧することによっ
てダイボンディングに必要な荷重によるアオリが生じる
ことを防止することができる。従って、アオリ精度を高
めることができる。
導体素子をサイドチャックにより保持、位置決めした
後、該素子の表面を加圧ピンにより加圧することによっ
てダイボンディングに必要な荷重によるアオリが生じる
ことを防止することができる。従って、アオリ精度を高
めることができる。
【０００７】請求項２のダイボンディング装置によれ
ば、サイドチャックと加圧機構を有するので、サイドチ
ャックによりチャッキングし、加圧機構により半導体素
子表面を加圧する請求項１のダイボンディング方法を実
施することができる。請求項３のダイボンディング装置
によれば、加圧ピンで半導体素子表面を周辺部にて加圧
するので、固体撮像素子の有効画素領域に対してダメー
ジを与えたりダストで汚染したりする虞れを伴うことな
く加圧機構により固体撮像素子の主表面を加圧すること
ができる。従って、固体撮像素子のダイボンディングに
最適である。
ば、サイドチャックと加圧機構を有するので、サイドチ
ャックによりチャッキングし、加圧機構により半導体素
子表面を加圧する請求項１のダイボンディング方法を実
施することができる。請求項３のダイボンディング装置
によれば、加圧ピンで半導体素子表面を周辺部にて加圧
するので、固体撮像素子の有効画素領域に対してダメー
ジを与えたりダストで汚染したりする虞れを伴うことな
く加圧機構により固体撮像素子の主表面を加圧すること
ができる。従って、固体撮像素子のダイボンディングに
最適である。
【０００８】
【実施例】以下、本発明ダイボンディング方法とその実
施に用いるダイボンディング装置を図示実施例に従って
詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明ダイボ
ンディング装置の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は
斜視図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）はサイドチャックの爪
部と半導体素子（固体撮像素子）の位置関係を示す平面
図である。図面において、１、１はチャックアーム、
２、２は該チャックアーム１、１に取り付けられたサイ
ドチャックで、下部に内側を向いた爪３、３、３を有す
る。
施に用いるダイボンディング装置を図示実施例に従って
詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明ダイボ
ンディング装置の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は
斜視図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）はサイドチャックの爪
部と半導体素子（固体撮像素子）の位置関係を示す平面
図である。図面において、１、１はチャックアーム、
２、２は該チャックアーム１、１に取り付けられたサイ
ドチャックで、下部に内側を向いた爪３、３、３を有す
る。
【０００９】４、４、４はサイドチャック２、２に設け
られた加圧ピンで、サイドチャック２、２内の例えば図
示しないエアーシリンダ等を用いた加圧機構５、５によ
り垂直方向に駆動されて固体撮像素子６主表面の周辺部
を上から下へ加圧する動作をする。７は固体撮像素子６
の有効画素領域である。
られた加圧ピンで、サイドチャック２、２内の例えば図
示しないエアーシリンダ等を用いた加圧機構５、５によ
り垂直方向に駆動されて固体撮像素子６主表面の周辺部
を上から下へ加圧する動作をする。７は固体撮像素子６
の有効画素領域である。
【００１０】図２（Ａ）乃至（Ｄ）は図１に示したダイ
ボンディング装置を用いてのダイボンディング方法をダ
イボンディング装置の動作順に示す正面図である。先
ず、同図（Ａ）に示すように、加圧ピン４、４（左側の
加圧ピン４は２個４、４あるが、図２には１個４のみ現
われる。）が上側に位置した状態にあり、そして、互い
に大きく離間していたチャックアーム１、１が互いに接
近し合ってサイドチャック２、２の爪３、３（左側の爪
３は２個３、３あるが、図２には１個３のみ現われ
る。）にて固体撮像素子６の側面６ａ、６ａを押えてチ
ャッキングする。そして、この状態で固体撮像素子６の
便宜上図２には示さないパッケージ上のボンディング領
域に位置決めする。
ボンディング装置を用いてのダイボンディング方法をダ
イボンディング装置の動作順に示す正面図である。先
ず、同図（Ａ）に示すように、加圧ピン４、４（左側の
加圧ピン４は２個４、４あるが、図２には１個４のみ現
われる。）が上側に位置した状態にあり、そして、互い
に大きく離間していたチャックアーム１、１が互いに接
近し合ってサイドチャック２、２の爪３、３（左側の爪
３は２個３、３あるが、図２には１個３のみ現われ
る。）にて固体撮像素子６の側面６ａ、６ａを押えてチ
ャッキングする。そして、この状態で固体撮像素子６の
便宜上図２には示さないパッケージ上のボンディング領
域に位置決めする。
【００１１】次に、加圧機構５、５の働きにより図２
（Ｂ）に示すように加圧ピン４、４を降下させ、該加圧
ピン４、４により固体撮像素子６の主表面６ｂをその有
効画素領域７の外側の周辺部にて加圧することにより固
体撮像素子６のダイボンディングする。ダイボンディン
グの終了後は、加圧機構５、５により図２（Ｃ）に示す
ように、加圧ピン４、４による加圧を停止し、該加圧ピ
ン４、４を上昇させる。
（Ｂ）に示すように加圧ピン４、４を降下させ、該加圧
ピン４、４により固体撮像素子６の主表面６ｂをその有
効画素領域７の外側の周辺部にて加圧することにより固
体撮像素子６のダイボンディングする。ダイボンディン
グの終了後は、加圧機構５、５により図２（Ｃ）に示す
ように、加圧ピン４、４による加圧を停止し、該加圧ピ
ン４、４を上昇させる。
【００１２】その後、チャックアーム１、１を互いに遠
ざけることにより図２（Ｄ）に示すように爪３、３によ
るチャッキングを終らせ固体撮像素子６を開放する。こ
の図２（Ａ）乃至（Ｄ）に示す動作を繰返すことにより
ダイボンディングを繰返し行うようにする。
ざけることにより図２（Ｄ）に示すように爪３、３によ
るチャッキングを終らせ固体撮像素子６を開放する。こ
の図２（Ａ）乃至（Ｄ）に示す動作を繰返すことにより
ダイボンディングを繰返し行うようにする。
【００１３】このような図１に示すダイボンディング装
置を用いての図２に示すようなダイボンディング方法に
よれば、固体撮像素子６の主表面６ｂを加圧ピン４、
４、４により加圧することによってダイボンディングに
必要な荷重によるアオリが生じることを防止することが
できる。従って、アオリ精度を高めることができる。そ
して、加圧ピンで半導体素子６の主表面６ｂを周辺部、
即ち有効画素領域７の外側の部分にて加圧するので、固
体撮像素子６の有効画素領域７に対してダメージを与え
たりダストで汚染したりする虞れを伴うことなく加圧機
構５、５により固体撮像素子６の主表面６ｂを加圧する
ことができる。具体的には、このようなダイボンディン
グによりアオリ精度を２倍以上に高める（アオリ誤差を
１２μｍから５μｍに改良する）ことができ、そして、
４乃至５μｍあったアオリ精度のバラツキを１μｍに低
減することができた。
置を用いての図２に示すようなダイボンディング方法に
よれば、固体撮像素子６の主表面６ｂを加圧ピン４、
４、４により加圧することによってダイボンディングに
必要な荷重によるアオリが生じることを防止することが
できる。従って、アオリ精度を高めることができる。そ
して、加圧ピンで半導体素子６の主表面６ｂを周辺部、
即ち有効画素領域７の外側の部分にて加圧するので、固
体撮像素子６の有効画素領域７に対してダメージを与え
たりダストで汚染したりする虞れを伴うことなく加圧機
構５、５により固体撮像素子６の主表面６ｂを加圧する
ことができる。具体的には、このようなダイボンディン
グによりアオリ精度を２倍以上に高める（アオリ誤差を
１２μｍから５μｍに改良する）ことができ、そして、
４乃至５μｍあったアオリ精度のバラツキを１μｍに低
減することができた。
【００１４】
【発明の効果】請求項１のダイボンディング方法は、サ
イドチャックによるチャッキング後加圧ピンにより半導
体素子の主表面を加圧してダイボンディングすることを
特徴とするものである。従って、請求項１のダイボンデ
ィング方法によれば、固体撮像素子の主表面を加圧ピン
により加圧することによってダイボンディングに必要な
荷重によるアオリが生じることを防止することができ
る。従って、アオリ精度を高めることができる。
イドチャックによるチャッキング後加圧ピンにより半導
体素子の主表面を加圧してダイボンディングすることを
特徴とするものである。従って、請求項１のダイボンデ
ィング方法によれば、固体撮像素子の主表面を加圧ピン
により加圧することによってダイボンディングに必要な
荷重によるアオリが生じることを防止することができ
る。従って、アオリ精度を高めることができる。
【００１５】請求項２のダイボンディング装置は、サイ
ドチャックと、固体撮像素子をその表面にて加圧ピンに
より加圧する加圧機構とを有することを特徴とするもの
である。従って、請求項２のダイボンディング装置によ
れば、サイドチャックと加圧機構を有するので、サイド
チャックによりチャッキングし、加圧機構により半導体
素子表面を加圧する請求項１のダイボンディング方法を
実施することができる。
ドチャックと、固体撮像素子をその表面にて加圧ピンに
より加圧する加圧機構とを有することを特徴とするもの
である。従って、請求項２のダイボンディング装置によ
れば、サイドチャックと加圧機構を有するので、サイド
チャックによりチャッキングし、加圧機構により半導体
素子表面を加圧する請求項１のダイボンディング方法を
実施することができる。
【００１６】請求項３のダイボンディング装置は、加圧
ピンにより固体撮像素子の周辺部を加圧するようにした
ことを特徴とするものである。従って、請求項３のダイ
ボンディング装置によれば、加圧ピンで半導体素子表面
を周辺部にて加圧するので、固体撮像素子の有効画素領
域に対してダメージを与えたりダストで汚染したりする
虞れを伴うことなく加圧機構により固体撮像素子の主表
面を加圧することができる。
ピンにより固体撮像素子の周辺部を加圧するようにした
ことを特徴とするものである。従って、請求項３のダイ
ボンディング装置によれば、加圧ピンで半導体素子表面
を周辺部にて加圧するので、固体撮像素子の有効画素領
域に対してダメージを与えたりダストで汚染したりする
虞れを伴うことなく加圧機構により固体撮像素子の主表
面を加圧することができる。
【図１】（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明ダイボンディング装
置の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は斜視図、
（Ｂ）は正面図、（Ｃ）はサイドチャックの爪部と半導
体素子（固体撮像素子）の位置関係を示す平面図であ
る。
置の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は斜視図、
（Ｂ）は正面図、（Ｃ）はサイドチャックの爪部と半導
体素子（固体撮像素子）の位置関係を示す平面図であ
る。
【図２】（Ａ）乃至（Ｄ）は図１に示したダイボンディ
ング装置を用いてのダイボンディング方法をダイボンデ
ィング装置の動作順に示す正面図である。
ング装置を用いてのダイボンディング方法をダイボンデ
ィング装置の動作順に示す正面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は固体撮像素子のダイボンディ
ング方法の従来例を動作順に示す断面図である。
ング方法の従来例を動作順に示す断面図である。
２ サイドチャック ４ 加圧ピン ５ 加圧機構 ６ 半導体素子（固体撮像素子） ６ａ 半導体素子（固体撮像素子）の側面 ６ｂ 半導体素子（固体撮像素子）の主表面 ７ 固体撮像素子の有効画素領域
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子を側面にてサイドチャックに
よりチャッキングし、 その後、そのチャッキングをした状態で加圧ピンにより
固体撮像素子の主表面を複数の互いに離間した位置にて
加圧ピンで加圧してダイボンディングすることを特徴と
するダイボンディング方法 - 【請求項２】 半導体素子の側面を押圧してチャッキン
グするサイドチャックと、 半導体素子の主表面を加圧ピンにて加圧する加圧機構
と、 を有することを特徴とするダイボンディング装置 - 【請求項３】 加圧機構の加圧ピンが半導体素子の周辺
部を加圧するようにされたことを特徴とする請求項２記
載のダイボンディング装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26167093A JPH0794534A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | ダイボンディング方法とダイボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26167093A JPH0794534A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | ダイボンディング方法とダイボンディング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794534A true JPH0794534A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17365116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26167093A Pending JPH0794534A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | ダイボンディング方法とダイボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794534A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100591698B1 (ko) * | 1999-01-29 | 2006-06-20 | 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 에폭시 수지용 경화제, 에폭시 수지 조성물 및 실란변성페놀 수지의 제조법 |
| US7109273B2 (en) | 2002-10-28 | 2006-09-19 | Nikko Materials Co., Ltd. | Solid silane coupling agent composition, process for producing the same, and resin composition containing the same |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP26167093A patent/JPH0794534A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100591698B1 (ko) * | 1999-01-29 | 2006-06-20 | 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 에폭시 수지용 경화제, 에폭시 수지 조성물 및 실란변성페놀 수지의 제조법 |
| US7109273B2 (en) | 2002-10-28 | 2006-09-19 | Nikko Materials Co., Ltd. | Solid silane coupling agent composition, process for producing the same, and resin composition containing the same |
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