JPH0793357B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH0793357B2
JPH0793357B2 JP62234305A JP23430587A JPH0793357B2 JP H0793357 B2 JPH0793357 B2 JP H0793357B2 JP 62234305 A JP62234305 A JP 62234305A JP 23430587 A JP23430587 A JP 23430587A JP H0793357 B2 JPH0793357 B2 JP H0793357B2
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    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に関し、特に複数の機能ブロッ
クを備えた半導体集積回路に関する。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a semiconductor integrated circuit including a plurality of functional blocks.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

最近、半導体集積回路のシステム化,大規模化はアナロ
グ集積回路の分野に於いても著しく、開発効率の向上,
標準化を計るためシステム全体を複数の機能ブロック単
位で設計する方法が主流となっている。また、トランジ
スタ,抵抗等の基本素子の占有面積はプロセス技術の進
展につれて急激に小さくなっており、回路及びレイアウ
トの冗長度に対する制限は大福に緩和されてきている。
それ故、ASICにおいては、回路及びレイアウト設計を最
適化してチップ面積を縮少するよりも回路特性を満足す
るLSIをいかに短納期で開発するかが重要になってい
る。
Recently, the systemization and scale-up of semiconductor integrated circuits are remarkable in the field of analog integrated circuits.
The mainstream method is to design the entire system in units of multiple functional blocks for standardization. Further, the occupied area of basic elements such as transistors and resistors is rapidly decreasing with the progress of process technology, and restrictions on the redundancy of circuits and layouts have been alleviated.
Therefore, in ASIC, it is more important to develop an LSI satisfying the circuit characteristics in a shorter delivery time than to reduce the chip area by optimizing the circuit and layout design.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

従来アナログLSIではブロックの標準化が遅れており、L
SIの開発に合わせて、機能ブロックを設計し製品化する
ことが主流となっている。従って、ディジタルLSI開発
方式で用いられている検証済の機能ブロックを用いてい
るわけではなく、このため製品評価時に回路特性を満足
しないという場合がある。勿論、このような不具合を無
くすために製品と同一プロセスで作ったトランジスタを
用いてブレットボード(BB)を作成し特性確認を行なっ
ているが、最近のトランジスタは高速化するに伴ない低
電流化を計ることから負荷抵抗が1桁近く大きい値の抵
抗を用いている。このようなブレッドボード(BB)で
は、その内の布線容量の影響があるため、BBの特性は実
際のチップの動作とは大きく異なってしまっている。ま
た、回路シミュレーションもSPICEを用いてアナログ動
作の検証を行っているが、種々の制約があり全ての機能
ブロックのシミュレーションを行なうことが出来ない。
従って、製品評価で機能ブロックのオフセットが大きい
とか、利得の周波数特性が設計値と違ってしまうとか、
さまざまな理由で再設計および再試作を繰り返す必要が
あり、TATが伸びてしまうという欠点があった。
In conventional analog LSIs, block standardization has been delayed, and L
The mainstream is to design and commercialize functional blocks according to the development of SI. Therefore, the verified functional blocks used in the digital LSI development system are not used, and therefore the circuit characteristics may not be satisfied at the time of product evaluation. Of course, in order to eliminate such problems, we are making bullet boards (BB) using transistors made in the same process as the product and confirming the characteristics, but recent transistors have become lower in current as speed increases. Since the load resistance is measured, a resistance whose load resistance is one digit higher is used. In such a breadboard (BB), because of the influence of the wiring capacity in it, the characteristics of the BB are significantly different from the actual chip operation. In addition, circuit simulation also verifies the analog operation using SPICE, but due to various restrictions, it is not possible to simulate all functional blocks.
Therefore, in the product evaluation, the offset of the functional block is large, the frequency characteristic of gain is different from the design value,
For a variety of reasons, it was necessary to repeat the redesign and reprototype, which had the drawback of increasing TAT.

本発明の目的は、アナログ特性の不具合を調整するだけ
でなく設計値からのずれに対しても調整可能な半導体集
積回路を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit that can adjust not only a defect in analog characteristics but also a deviation from a design value.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の半導体集積回路は、半導体基板上に形成した複
数個の機能ブロックと、各種トランジスタ,抵抗,コン
デンサ等の基本素子からなり且つ前記機能ブロック相互
の特性を調整するために前記機能ブロック間もしくは前
記機能ブロックに連結して前記半導体基板の一部に形成
したアナログマスターブロックと、前記機能ブロックお
よび前記アナログマスターブロック図を接続するための
複数配線およびスルーホールと、前記複数の配線を含む
すべての配線のうち外部接続を必要とする配線を接続し
たパッドとを有し、評価において不具合となった前記機
能ブロックに対しては前記アナログマスターブロックの
前記基本素子および前記配線を用いて回路変更を行なう
ように構成される。
A semiconductor integrated circuit according to the present invention comprises a plurality of functional blocks formed on a semiconductor substrate and basic elements such as various transistors, resistors, capacitors, and the like. An analog master block connected to the functional block and formed on a part of the semiconductor substrate, a plurality of wirings and through holes for connecting the functional block and the analog master block diagram, and all the wirings including the plurality of wirings Of the wiring, a pad to which a wiring that requires external connection is connected is provided, and a circuit change is performed using the basic element of the analog master block and the wiring with respect to the functional block that is defective in evaluation. Is configured as follows.

すなわち、本発明は各種のアナログ回路ブロック(電
源,OPAMP,各種AMP,コンパレータ,VCO,A/D,D/A,キラー回
路等の特殊ブロック)と、各種NPNトランジスタ,PNPト
ランジスタ,P+拡散抵抗,P-拡散抵抗,ポリシリコン抵
抗,MOSコンデンサ等の基本素子から成るアナログマスタ
ーブロック、これらブロックを接続するための複数層の
アルミ配線,スルーホールおよびパッドとからチップ全
体を構成しており、試作後の評価に於いて不具合となっ
た回路ブロックはアナログマスターブロックの基本素子
をAl配線を用いて回路変更を行うものである。
That is, the present invention includes various analog circuit blocks (power supply, OPAMP, various AMP, comparator, VCO, A / D, D / A, special block such as killer circuit), various NPN transistors, PNP transistors, and P + diffusion resistors. , A P - diffusion resistor, a polysilicon resistor, an analog master block consisting of basic elements such as a MOS capacitor, multiple layers of aluminum wiring for connecting these blocks, a through hole and a pad, and the entire chip. The circuit block that became defective in the later evaluation is to change the circuit of the basic element of the analog master block by using Al wiring.

要するに、本発明は従来機能ブロック内に内蔵していた
マスタースライス用の抵抗等をアナログマスターブロッ
クに集約するものである。
In short, the present invention integrates the master slice resistors and the like, which are conventionally incorporated in the functional block, into the analog master block.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明の実施例につい図面を参照して説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の第一の実施例を説明するためのチップ
全体の概略を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing the outline of the entire chip for explaining the first embodiment of the present invention.

第1図に示すように、チップ1は同一基板上に機能ブロ
ック2a(A1〜A4),機能ブロック2b(B1〜B4),機能ブ
ロック2c(C1〜C3),機能ブロック2d(D1〜D3),機能
ブロック2e(E1〜E3),機能ブロック2f(F1〜F3)と、
これら機能ブロックの特性を調整するためのアナログマ
スターブロック(AMB)3と、チップ1の内周部に配置
されたボンディングパッド4と、から構成される。本実
施例ではAl二層プロセスを用いて設計しており、各ブロ
ック間の配線は横方向の配線を第一Al配線5(実線で表
わす),縦方向の配線を第二Al配線6(点線で表わす)
を使用している。この第一のAl配線5と第二のAl配線6
とはスルーホール部7で電気的に接続している。各機能
ブロック2a〜2fは相互にブロック間配線領域内の第一の
Al配線5及び第二のAl配線6を用いて接続されており、
信号処理を各ブロック毎に順次行う。また、中央に配置
したアナログマスターブロック3は、各種NPNおよびPNP
トランジスタ,1KΩおよび10KΩを単位とする抵抗群,MOS
コンデンサ,ショットキーダイオード等が調整用に内蔵
されている。
As shown in FIG. 1, the chip 1 has functional blocks 2a (A1 to A4), functional blocks 2b (B1 to B4), functional blocks 2c (C1 to C3), and functional blocks 2d (D1 to D3) on the same substrate. , Function block 2e (E1 to E3), Function block 2f (F1 to F3)
It is composed of an analog master block (AMB) 3 for adjusting the characteristics of these functional blocks and a bonding pad 4 arranged on the inner peripheral portion of the chip 1. In this embodiment, the wiring is designed by using the Al two-layer process, and the wiring between the blocks is a horizontal wiring in the first Al wiring 5 (represented by a solid line) and a vertical wiring in the second Al wiring 6 (dotted line). Represented by
Are using. The first Al wiring 5 and the second Al wiring 6
Are electrically connected to each other through the through hole portion 7. Each of the functional blocks 2a to 2f is the first in the inter-block wiring area.
It is connected using the Al wiring 5 and the second Al wiring 6,
Signal processing is sequentially performed for each block. In addition, the analog master block 3 placed in the center is for various NPN and PNP
Transistor, resistance group in units of 1KΩ and 10KΩ, MOS
A capacitor, Schottky diode, etc. are built in for adjustment.

一方、設計完了後に試作したLSIについての各種の評価
を行うが、この評価の際にチャネルバランス,クロスト
ーク,S/N,オフセット,周波数特性,静電破壊などアナ
ログ回路特有の不具合が発生することがある。従来の対
策としては、まづ不具合となった回路ブロックを見つ
け、次にこの回路ブロックの回路構成を変えたりトラン
ジスタ,抵抗の定数を変えたりして行っていた。通常、
各ブロックのレイアウト設計は設計基準にしたがって最
小間隔で設計されており、変更を行う場合にはレイアウ
ト設計を最初からやり直さなければならない。従って、
修正は埋込み拡散工程からの変更になり、試作に要する
TATは最初のデザインサンプルと同じ程度にかかってし
まう。また、レイアウトを全工程についてやり直すため
に、予期せぬ寄生効果が発生したりあるいは設計誤りを
引き起していた。
On the other hand, various evaluations are performed on the prototyped LSI after the design is completed, but during this evaluation, problems specific to analog circuits such as channel balance, crosstalk, S / N, offset, frequency characteristics, and electrostatic breakdown may occur. There is. As a conventional measure, a defective circuit block is first found, and then the circuit configuration of this circuit block is changed or the constants of transistors and resistors are changed. Normal,
The layout design of each block is designed at the minimum interval in accordance with the design standard, and the layout design must be restarted from the beginning when changes are made. Therefore,
Modification is a change from the embedded diffusion process and is required for trial manufacture
TAT costs as much as the first design sample. Also, since the layout is redone for all the processes, unexpected parasitic effects occur or design errors occur.

本実施例は回路変更及び定数変更に必要な素子をAMBに
準備しておき、デザイン・サンプル評価で不具合となっ
たブロックについて該当する不具合のブロックからAMB
に配線を引き出し、Al配線工程のみでブロックの改良を
計るものである。かかる実施例は修正がAl配線のみであ
るので、ゲートアレイト同様にTATは従来と比して大幅
に短縮するばかりでなく、設計誤りをも防止することが
出来る。また、AMBへのブロック間配線は原則としてチ
ップの電気的特性を評価した後で不具合の見つかったブ
ロックとAMBとの間を第一のAl配線層5,第二のAl配線層
6およびスルーホール7を用いて設計するが、最初の設
計段階に於いて各機能ブロックAMBとの間をAMB内の素子
に接続しない状態で配線しておくことも可能である。こ
の場合、不具合の生じている機能ブロックとAMBとはた
だちに修正することを予想して修正のための配線が用意
されているので、修正のTATは一層早く行うことが可能
である。
In this example, the elements necessary for circuit change and constant change are prepared in AMB, and the blocks that become defective in the design / sample evaluation are selected from the corresponding defective block to AMB.
The wiring is drawn out to improve the block only by the Al wiring process. In this embodiment, since the correction is made only on the Al wiring, not only the TAT can be greatly shortened as compared with the conventional one but also a design error can be prevented as in the gate array. As for the inter-block wiring to the AMB, in principle, the first Al wiring layer 5, the second Al wiring layer 6 and the through hole are provided between the block where the defect is found after the electrical characteristics of the chip are evaluated and the AMB. 7 is used for designing, but it is also possible to wire between each functional block AMB and the functional block AMB in the first designing stage without connecting to the element in the AMB. In this case, since the wiring for the correction is prepared in anticipation that the functional block having the malfunction and the AMB will be corrected immediately, the correction TAT can be performed earlier.

尚、チップ全体の素子規模が大きくなると、不具合のあ
る機能ブロックの全てからチップの中心に配置したAWB
ブロック3へブロック間配線を行なうことが困難とな
る。この場合、三層のAl配線プロセスを採用し、三層配
線を各ブロックからAMB3へのブロック間配線として用い
れば、目的の配線を容易に行うことが出来る。
When the element size of the entire chip increases, the AWB placed in the center of the chip from all the defective functional blocks
It becomes difficult to connect the blocks to the block 3. In this case, if the three-layer Al wiring process is adopted and the three-layer wiring is used as the inter-block wiring from each block to the AMB3, the target wiring can be easily performed.

更に、ユーザーによって特性をそれぞれ変えて設計しな
ければならないとか量産上プロセスのばらつきによって
定数が最適値からはずれたときのように、いずれの場合
においても本実施例ではAMB内に内蔵されている素子を
用いることによって最適設計に修正し直すことが容易で
ある。
Furthermore, in any case, such as when the constant has deviated from the optimum value due to the variation in the characteristics depending on the user or due to the dispersion of the process in mass production, the element built in the AMB in this embodiment is It is easy to correct the optimum design again by using.

第2図は本発明の第二の実施例を説明するためのチップ
全体の概略平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view of the entire chip for explaining the second embodiment of the present invention.

第2図に示すように、本実施例はチップ1内に機能ブロ
ック2a〜2eと、アナログマスターブロック3a〜3dとを有
し、アナログマスターブロック3a〜3d(AMB1〜AMB7)は
原則として機能ブロックの横に配置したものである。一
方、機能ブロック2e(E1ブロック,E2ブロック)のよう
に量産的にも安定した機能ブロックを用いている場合
は、修正の必要がないのでAMBを横に配置する必要がな
い。上述のとおり、本実施例では原則として各機能ブロ
ックのすぐ隣にアナログマスターブロックが配置されて
いるので、ブロック間配置を用いなくとも不具合のある
機能ブロックからAMBの中の必要な素子へ結線すること
で容易に修正を行うことが出来る。また、この場合配線
長を短くすることが出来るので周波数特性を損うことな
く改良することが可能である。更に、AMB7に示すように
左右の機能ブロック2d(D1,D2)から共通のAMBへ入って
回路および定数を作り直すことも可能である。上述した
AMBの大きさは機能ブロックの素子数及び特性の安定度
から決定され、機能ブロックの素子数が少なく安定度が
高い程AMBの素子数は少なくて良い。尚、第2図におけ
るその他の番号は第1図に示す番号と同一であるので、
機能的説明を省略する。
As shown in FIG. 2, this embodiment has functional blocks 2a to 2e and analog master blocks 3a to 3d in a chip 1, and the analog master blocks 3a to 3d (AMB1 to AMB7) are functional blocks in principle. It is arranged next to. On the other hand, when a functional block that is stable in mass production such as the functional block 2e (E1 block, E2 block) is used, the AMB does not need to be laterally arranged because no correction is necessary. As described above, in this embodiment, as a general rule, the analog master block is arranged immediately next to each functional block, and therefore the defective functional block is connected to the necessary element in the AMB without using the inter-block arrangement. This makes it easy to make corrections. Further, in this case, since the wiring length can be shortened, it is possible to improve without impairing the frequency characteristic. Further, as shown in AMB7, it is also possible to enter the common AMB from the left and right functional blocks 2d (D1, D2) to recreate the circuit and constants. Mentioned above
The size of the AMB is determined from the number of elements in the functional block and the stability of the characteristics. The smaller the number of elements in the functional block and the higher the stability, the smaller the number of elements in the AMB. The other numbers in FIG. 2 are the same as the numbers shown in FIG.
The functional description is omitted.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明の半導体集積回路はアナロ
グLSI又はアナログ・ディジタル混在LSIの開発にあた
り、初期のトップ設計段階でアナログマスターブロック
(AMB)という単体デバイスの集合を用意しておき、十
分検証されていない機能ブロックが電気的特性が不具合
であるとか設計中心からずれているような場合、Al配線
工程からの変更によって極めて簡単に機能ブロックの変
更を行うことが出来る。従って、改良されたLSIのTATす
わち量産までのTATを大幅に改善することが出来るとい
う効果がある。
As described above, in the development of an analog LSI or a mixed analog / digital LSI, the semiconductor integrated circuit of the present invention has an analog master block (AMB) prepared as a group of single devices at the initial top design stage and sufficiently verified. In the case where the functional block that has not been formed has a defective electrical characteristic or deviates from the design center, it is possible to change the functional block very easily by changing the Al wiring process. Therefore, there is an effect that the TAT of the improved LSI, that is, the TAT until mass production can be significantly improved.

また、チップの一部に冗長度を持たせることでその分当
然チップは大きくなるが、最近のデバイスの微細化は急
速に進んでおりAMBの冗長度をチップ全体としては面積
的にもコスト的にも十分吸収することができる。すなわ
ち、機能ブロックの内に多数の条件振りのための素子を
準備せずに、チップ全体の中心に集中してもしくは複数
の機能ブロックに対応してAMBを配置しているのでチッ
プ面積を少なくすることが可能である。従って、本発明
の半導体集積回路は不具合な機能ブロックの修正及び最
適値への定数変更をAl配線工程で行うことが出来るの
で、修正が容易であり且つ設計誤りも少なにという効果
がある。
Also, by providing redundancy in a part of the chip, the size of the chip naturally increases, but recent device miniaturization is rapidly progressing, and the redundancy of AMB is costly in terms of area as a whole chip. Can also be fully absorbed. In other words, the chip area is reduced because the AMBs are arranged in the center of the entire chip or corresponding to a plurality of function blocks without preparing a large number of elements for condition adjustment in the function blocks. It is possible. Therefore, in the semiconductor integrated circuit of the present invention, the defective functional block can be corrected and the constant can be changed to the optimum value in the Al wiring step, so that the correction is easy and the design error is small.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の第一の実施例を説明するためのチップ
全体の概略を示す平面図、第2図は本発明の第二の実施
例を説明するためのチップ全体の概略を示す平面図であ
る。 1……チップ、2a〜2f……機能ブロック、3,3a〜3d……
アナログマスターブロック(AMB)、4……パッド、5
……第一のアルミ配線(実線)、6……第二のアルミ配
線(点線)、7……スルーホール。
FIG. 1 is a plan view showing the outline of the entire chip for explaining the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing the outline of the entire chip for explaining the second embodiment of the present invention. It is a figure. 1 ... Chip, 2a-2f ... Function block, 3,3a-3d ...
Analog master block (AMB), 4 ... Pad, 5
...... First aluminum wiring (solid line), 6 ... Second aluminum wiring (dotted line), 7 ... through hole.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体基板上に形成した複数個の機能ブロ
ックと、各種トランジスタ,抵抗,コンデンサ等の基本
素子からなり且つ前記機能ブロック相互の特性を調整す
るために前記機能ブロック間もしくは前記機能ブロック
に連結して前記半導体基板の一部に形成したアナログマ
スターブロックと、前記機能ブロックおよび前記アナロ
グマスターブロックを接続するための複数の配線および
スルーホールと、前記複数の配線を含むすべての配線の
うち外部接続を必要とする配線を接続したパッドとを有
し、評価において不具合となった前記機能ブロックに対
しては前記アナログマスターブロックの前記基本素子お
よび前記配線を用いて回路変更を行なうことを特徴とす
る半導体集積回路。
1. A plurality of functional blocks formed on a semiconductor substrate and basic elements such as various transistors, resistors, capacitors, etc., and between the functional blocks or the functional blocks in order to adjust mutual characteristics of the functional blocks. An analog master block formed on a part of the semiconductor substrate by being connected to a plurality of wirings and through holes for connecting the functional block and the analog master block, and all wirings including the plurality of wirings. It has a pad to which a wiring that requires external connection is connected, and for the functional block that becomes defective in evaluation, the circuit is changed using the basic element and the wiring of the analog master block. Semiconductor integrated circuit.
【請求項2】前記アナログマスターブロックは、前記機
能ブロックに隣接する第一のアナログマスターブロック
と、前記機能ブロック間に配置する第二のアナログマス
ターブロックとからなる特許請求の範囲第1項記載の半
導体集積回路。
2. The analog master block according to claim 1, further comprising a first analog master block adjacent to the functional block and a second analog master block arranged between the functional blocks. Semiconductor integrated circuit.
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