JPH0793233B2 - Ceramic capacitor - Google Patents

Ceramic capacitor

Info

Publication number
JPH0793233B2
JPH0793233B2 JP12626387A JP12626387A JPH0793233B2 JP H0793233 B2 JPH0793233 B2 JP H0793233B2 JP 12626387 A JP12626387 A JP 12626387A JP 12626387 A JP12626387 A JP 12626387A JP H0793233 B2 JPH0793233 B2 JP H0793233B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic capacitor
electrode
oxide
dielectric
sintered body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP12626387A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS63289917A (en
Inventor
和生 江田
哲司 三輪
豊 田口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP12626387A priority Critical patent/JPH0793233B2/en
Publication of JPS63289917A publication Critical patent/JPS63289917A/en
Publication of JPH0793233B2 publication Critical patent/JPH0793233B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Capacitors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高周波において、Q値の優れたセラミックコ
ンデンサに関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a ceramic capacitor having an excellent Q value at high frequencies.

従来の技術 従来のセラミックコンデンサとして、酸化チタン、チタ
ン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カル
シウム、チタン酸マグネシウム、亜鉛タンタル酸バリウ
ムと亜鉛ニオブ酸バリウム化合物、およびそれらの化合
物焼結体などに、Ag、Pt、Pd他の電極材料を、ペースト
状として塗布し、焼き付けたものが知られている。
Conventional technology As a conventional ceramic capacitor, titanium oxide, barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, barium zinc tantalate and barium zinc niobate compounds, and their compound sintered bodies, Ag It is known that electrode materials such as Pt, Pt, and Pd are applied in a paste form and baked.

これらのセラミックコンデンサは、大きな誘電率を有
し、また誘電体損失(tanδ)が小さく、コンデンサと
して優れた性質を有している。
These ceramic capacitors have a large dielectric constant and a small dielectric loss (tan δ), and have excellent properties as a capacitor.

発明が解決しようとする問題点 しかし、これらのセラミックコンデンサも、10GHz以上
の高周波では、その性能に問題がある。特性上最も問題
となるのは、高周波における損失の増大、すなわち、共
振のQ値の低下である。高周波におけるQ値は、誘電体
および電極の両者が関与するものであり、その組合せの
最適化が最も重要である 近年、高周波トランジスタとして、2次元電子ガスを用
いた、高移動度トランジスタが開発されており、このト
ランジスタの特性は、温度が低いほど優れている。した
がって、衛生通信などのように、高周波でかつ微弱な電
波を扱うような用途では、システム全体を低温に保って
おくような工夫もなされている。しかし、従来のセラミ
ックコンデンサでは、これによって高周波のQ値が、大
幅に向上するようなものはない。
Problems to be Solved by the Invention However, these ceramic capacitors also have a problem in their performance at high frequencies of 10 GHz or higher. The most problematic characteristic is an increase in loss at high frequencies, that is, a decrease in resonance Q value. The Q value at a high frequency involves both the dielectric and the electrode, and the optimization of the combination thereof is the most important. In recent years, a high mobility transistor using a two-dimensional electron gas has been developed as a high frequency transistor. The lower the temperature, the better the characteristics of this transistor. Therefore, in applications such as sanitary communications where high frequency and weak radio waves are handled, some measures have been taken to keep the entire system at a low temperature. However, in the conventional ceramic capacitor, the Q value of the high frequency is not significantly improved by this.

本発明はかかる点に鑑みなされたもので、高周波におい
て、Q値の優れたセラミックコンデンサを提供すること
を目的としている。
The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a ceramic capacitor having an excellent Q value at high frequencies.

問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するため層状ペロブスカイト
構造型酸化物超電導体焼結体粉末粒子40〜98重量%、ガ
ラス成分2〜60重量%からなる電極を有し、誘電体とし
て酸化物焼結体を用いたセラミックコンデンサを提供す
るものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention has an electrode composed of layered perovskite structure type oxide superconductor sintered body powder particles 40 to 98% by weight and a glass component 2 to 60% by weight. A ceramic capacitor using an oxide sintered body as a dielectric is provided.

作用 本発明は、前記した構造により、高周波におけるQ値の
大きい、セラミックコンデンサを得ることができる。
Effects The present invention can obtain a ceramic capacitor having a large Q value at high frequencies due to the above structure.

実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

(実施例1) 酸化イットリウム(Y2O3)、酸化バリウム(BaO)と酸
化銅(CuO)を、Y1Ba2Cu3の比で含むようそれぞれ秤量
し、混合の後、950℃の空気中で5時間焼成する。これ
をもう一度粉砕、混合した後、950℃の空気中で10時間
焼成する。これを再度粉砕し、830℃の空気中で1時間
焼成して焼結体粉末粒子を得る。
(Example 1) Yttrium oxide (Y 2 O 3 ), barium oxide (BaO) and copper oxide (CuO) were weighed so as to be included in a ratio of Y 1 Ba 2 Cu 3 , and after mixing, air at 950 ° C. Bake for 5 hours. This is pulverized and mixed again, and then fired in air at 950 ° C. for 10 hours. This is pulverized again and fired in air at 830 ° C. for 1 hour to obtain sintered powder particles.

次に上記焼結体粉末粒子40〜98重量%と、硼珪酸鉛ガラ
ス粉末2〜60重量%とを、増粘剤を含む溶剤とまぜ、三
段ローラーで混練しペースト状とする。増粘剤および溶
剤は、ペーストの焼付時に飛散するものであれば特に制
限はない。本実施例では、エチルセルローズをターピネ
オールに溶解したものを用いた。固形物の55〜95重量%
に対して、増粘剤を含む溶剤が5〜45重量%の間の範囲
が好ましい。
Next, 40 to 98% by weight of the sintered powder particles and 2 to 60% by weight of lead borosilicate glass powder are mixed with a solvent containing a thickener and kneaded with a three-stage roller to form a paste. The thickener and the solvent are not particularly limited as long as they scatter when the paste is baked. In this example, ethyl cellulose dissolved in terpineol was used. 55-95% by weight of solids
On the other hand, a range of 5 to 45% by weight of the solvent containing the thickener is preferable.

次に、あらかじめ1200〜1450℃で焼結させた、酸化チタ
ン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタ
ン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、亜鉛タンタル
酸バリウムと亜鉛ニオブ酸バリウム化合物(Ba(Zn1/3
Ta2/3)O3 −Ba(Zn1/3 Nb2/3)O3)からなる6種類
の、直径5mm、厚み2mmの円板状焼結体に、前記ペースト
を、スクリーン印刷法によって印刷し、約20μmの厚膜
をそれぞれの円板状焼結体両面に形成した。その後、80
0℃の空気中で10分間焼き付け処理を行い電極とした。
Next, titanium oxide, barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, barium zinc tantalate and barium zinc niobate compound (Ba (Zn 1/3
Ta 2/3 ) O 3 −Ba (Zn 1/3 Nb 2/3 ) O 3 ), six kinds of disc-shaped sintered bodies with a diameter of 5 mm and a thickness of 2 mm were made by the screen printing method. Printing was performed to form a thick film of about 20 μm on both sides of each disk-shaped sintered body. Then 80
A baking process was performed in air at 0 ° C. for 10 minutes to obtain an electrode.

このようにして得られたセラミックコンデンサの14GHz
におけるQ値を、77Kで測定した。また比較のために、
それぞれの材料について、従来の銀電極を用いたセラミ
ックコンデンサのQ値も測定した。その結果、従来の銀
電極(実施例と同一厚み)を用いたものでは、14GHzに
おいては、誘電体の損失よりも、電極での損失の方が圧
倒的に大きく、どの誘電体材料についても、ほぼ電極の
損失に対応したQ値となっており、いずれも100以下で
あった。一方、本実施例では、77Kで電極は超電導状態
にあり、電極に係わる損失は、誘電体の損失よりもはる
かに少ないものとなっており、ほぼ誘電体の損失にのみ
対応するQ値が得られ、酸化チタン、チタン酸バリウ
ム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウムで50
0以上、チタン酸マグネシウム、亜鉛タンタル酸バリウ
ムと亜鉛ニオブ酸バリウム化合物(Ba(Zn1/3 Ta2/3)O
3 −Ba(Zn1/3 Nb2/3)O3)では1000以上のQ値が得ら
れた。電極は、X線解析で調べたところ、層状ペロブス
カイト構造を示していた。
14 GHz of the ceramic capacitor obtained in this way
The Q value at was measured at 77K. For comparison,
The Q value of a ceramic capacitor using a conventional silver electrode was also measured for each material. As a result, in the case of using the conventional silver electrode (the same thickness as that of the embodiment), the loss in the electrode is overwhelmingly larger than the loss in the dielectric at 14 GHz, and for any dielectric material, The Q value was almost corresponding to the loss of the electrode, and all were 100 or less. On the other hand, in the present example, the electrode was in the superconducting state at 77K, and the loss related to the electrode was much smaller than the loss of the dielectric, and the Q value corresponding to only the loss of the dielectric was obtained. Titanium oxide, barium titanate, strontium titanate, calcium titanate
0 or more, magnesium titanate, barium zinc tantalate and barium zinc niobate compound (Ba (Zn 1/3 Ta 2/3 ) O
For 3- Ba (Zn 1/3 Nb 2/3 ) O 3 ), a Q value of 1000 or more was obtained. The electrode showed a layered perovskite structure when examined by X-ray analysis.

第1図は本発明の構造の一実施例を示したものである。
第1図において、1は酸化物焼結体誘電体、2は層状ペ
ロブスカイト構造型酸化物超電導体電極である。
FIG. 1 shows an embodiment of the structure of the present invention.
In FIG. 1, reference numeral 1 is an oxide sintered body dielectric, and 2 is a layered perovskite structure type oxide superconductor electrode.

第2図は、本実施例の電極用超電導体の結晶構造の構成
要素である、ペロブスカイト構造を示したものである。
図において、3にCu、4にO、5にYまたはBaが入った
もので、この構成要素がある周期をもって、層状に積み
重なったものである。実際の超電導体では、この構造か
ら、適当に酸素のぬけた酸素欠損型の構造になっている
と考えられる。
FIG. 2 shows a perovskite structure which is a constituent element of the crystal structure of the electrode superconductor of this example.
In the figure, 3 contains Cu, 4 contains O, 5 contains Y or Ba, and these constituent elements are stacked in layers with a certain period. In an actual superconductor, this structure is considered to be an oxygen-deficient structure in which oxygen is appropriately removed.

ガラス粉末の量が2重量%よりも少ないと電極の結合力
が弱く、強度的に実用的なものが得られなかった。また
22重量%を越えると、電極としての超電導体を得るのが
困難となった。したがって、酸化物超電導体粉末粒子と
ガラス成分は、それぞれ40〜98重量%および60〜2重量
%の範囲が好ましい。この範囲では焼き付けた電極はい
ずれも測定温度で超電導状態にあり、超電導状態にある
限り、Q値に関し同一の結果が得られた。
When the amount of the glass powder was less than 2% by weight, the binding force of the electrode was weak, and a practical product in terms of strength could not be obtained. Also
If it exceeds 22% by weight, it becomes difficult to obtain a superconductor as an electrode. Therefore, the oxide superconductor powder particles and the glass component are preferably in the ranges of 40 to 98% by weight and 60 to 2% by weight, respectively. In this range, all the baked electrodes were in the superconducting state at the measurement temperature, and as long as they were in the superconducting state, the same result was obtained regarding the Q value.

ガラス成分として、硼珪酸鉛ガラス以外に、硼珪酸鉛亜
鉛ガラス、硼珪酸ビスマスガラスおよび硼珪酸バリウム
ガラスで本実施例と同様の結果が得られた。すなわちガ
ラスとしては、焼き付け温度で、溶融し接着の作用が有
り、焼き付け温度で電極材料と反応して、電極の超電導
特性を損なうようなものでなければ良い。
As the glass component, in addition to lead borosilicate glass, lead zinc borosilicate glass, bismuth borosilicate glass, and barium borosilicate glass gave similar results to those of this example. That is, any glass may be used as long as it has a function of melting and adhering at the baking temperature and reacts with the electrode material at the baking temperature to impair the superconducting characteristics of the electrode.

(実施例2) 酸化ランタン(La2O3)、酸化バリウム(BaO)と酸化銅
(CuO)を、La1.84、Ba0.16Cu1の比で含むようそれぞれ
秤量し、混合の後、実施例1と同様にして、焼結体粉末
粒子を得た。
Example 2 Lanthanum oxide (La 2 O 3 ), barium oxide (BaO) and copper oxide (CuO) were weighed so as to contain La 1.84 and Ba 0.16 Cu 1 , respectively, and after mixing, Example 1 was performed. In the same manner as described above, sintered powder particles were obtained.

次に、この原料粉末を電極材料として用いて、実施例1
と同様のプロセスを経て、セラミックコンデンサを形成
した。得られたセラミックコンデンサのQ値を30Kで測
定し、従来の銀電極のものと比較した結果、実施例1と
同様の結果が得られた。すなわちこの場合にも、電極は
超電導体となっており、本実施例のものでは、電極損失
が極めて低くなっており、良好なQ値が得られた。
Next, using this raw material powder as an electrode material, Example 1
A ceramic capacitor was formed through the same process as described above. The Q value of the obtained ceramic capacitor was measured at 30K and compared with that of a conventional silver electrode. As a result, the same result as in Example 1 was obtained. That is, also in this case, the electrode was a superconductor, and the electrode loss was extremely low in this example, and a good Q value was obtained.

焼結体粉末粒子とガラス成分の比を変えて作成した結果
は、やはり実施例1と同様であった。またガラス成分を
変えた場合の結果も同様であった。
The results produced by changing the ratio of the sintered powder particles and the glass component were the same as in Example 1. Moreover, the result when the glass component was changed was also the same.

電極は、実施例1と同様、層状ペロブスカイト構造であ
る。
The electrode has a layered perovskite structure as in Example 1.

(実施例3) 希土類酸化物(Yb、Er、Ho、Dyの酸化物)、酸化バリウ
ム(BaO)と酸化銅(CuO)を、酸化銅1に対し、希土類
酸化物と酸化物バリウムが0.3および0.7になるよう種々
秤量し、混合の後、実施例1と同様にして、焼結体粉末
粒子を得た。
(Example 3) Rare earth oxides (oxides of Yb, Er, Ho, and Dy), barium oxide (BaO) and copper oxide (CuO) were used, and the ratio of rare earth oxides and barium oxide was 0.3 to 1 copper oxide. Various weighings were performed to obtain 0.7, and after mixing, the sintered body powder particles were obtained in the same manner as in Example 1.

次に、この原料粉末を電極材料として用いて、実施例1
と同様のプロセスを経て、セラミックコンデンサを形成
した。得られたセラミックコンデンサのQ値を50Kで測
定し、従来の銀電極のものと比較した結果、実施例1と
同様の結果が得られた。すなわちこの場合にも、電極は
超電導体となっており、本実施例のものでは、電極損失
が極めて低くなっており、良好なQ値が得られた。
Next, using this raw material powder as an electrode material, Example 1
A ceramic capacitor was formed through the same process as described above. The Q value of the obtained ceramic capacitor was measured at 50K and compared with that of a conventional silver electrode. As a result, the same result as in Example 1 was obtained. That is, also in this case, the electrode was a superconductor, and the electrode loss was extremely low in this example, and a good Q value was obtained.

焼結体粉末粒子とガラス成分の比を変えて作成した結果
は、やはり実施例1と同様であった。またガラスを変え
た場合の結果も同様であった。
The results produced by changing the ratio of the sintered powder particles and the glass component were the same as in Example 1. Moreover, the result when the glass was changed was also the same.

電極は、実施例1と同様、層状ペロブスカイト構造であ
る。
The electrode has a layered perovskite structure as in Example 1.

以上述べた如く、本発明の方法によれば、高周波のQ値
の大きいセラミックコンデンサを得ることができる。
As described above, according to the method of the present invention, it is possible to obtain a ceramic capacitor having a large high frequency Q value.

第2図は、実施例1の結晶構造について、示したもので
あるが、実施例2〜3の場合の層状ペロブスカイト構造
は、この構造において、Y、Baの代りに、それぞれの実
施例で用いられた、Cu、O以外の元素で置き代えたもの
である。
FIG. 2 shows the crystal structure of Example 1. The layered perovskite structure of Examples 2 to 3 is used in each Example instead of Y and Ba. The elements are replaced by elements other than Cu and O.

本実施例の構造では、誘電体、超電導体電極ともに酸化
物である。そのため電極焼き付けを、酸素を含む雰囲
気、例えば空気中で行うことができ、電極としての超電
導特性、および誘電体としての誘電特性を損なうことな
く作ることができる。
In the structure of this embodiment, both the dielectric and the superconductor electrode are oxides. Therefore, the electrodes can be baked in an atmosphere containing oxygen, for example, in the air, and the electrodes can be produced without impairing the superconducting properties of the electrodes and the dielectric properties of the dielectric.

また誘電体が酸化物焼結体であり、また電極も酸化物焼
結体を主成分とすることから、電極焼き付け時の誘電体
焼結体と電極とのなじみが極めて良く、焼き付け時の電
極剥離やクラック発生による、電極の超伝導臨界温度の
低下などの問題がみられなかった。このことから本実施
例の製造方法によれば、酸化物焼結体誘電体および層状
ペロブスカイト構造型酸化物超電導体の組合せについて
は、いずれの材料についても適用できるものである。例
えば、チタン酸バリウムとチタン酸ストロンチウムの化
合物、チタン酸ストロンチウムとチタン酸カルシウムの
化合物を誘電体として用いた場合も、同様の結果の得ら
れるものである。
Also, since the dielectric is an oxide sintered body and the electrode is mainly composed of an oxide sintered body, the familiarity between the dielectric sintered body and the electrode during electrode baking is extremely good, and the electrode during baking is very good. No problems such as lowering of the superconducting critical temperature of the electrode due to peeling or cracking were observed. Therefore, according to the manufacturing method of the present embodiment, any combination of the oxide sintered body dielectric and the layered perovskite structure type oxide superconductor can be applied. For example, similar results are obtained when a compound of barium titanate and strontium titanate or a compound of strontium titanate and calcium titanate is used as a dielectric.

また本実施例では、誘電体の厚み、および電極用酸化物
超電導体の厚みとして特定の値を用いたが、誘電体の厚
みは任意であり、また電極の厚みは、ペーストの粘度、
印刷に使うスクリーンの目の粗さなどを変えることによ
り数μmから1000μm程度の厚みが任意に得られる。
Further, in this example, a specific value was used as the thickness of the dielectric and the thickness of the oxide superconductor for an electrode, but the thickness of the dielectric is arbitrary, and the thickness of the electrode is the viscosity of the paste,
A thickness of several μm to 1000 μm can be arbitrarily obtained by changing the roughness of the screen used for printing.

また本実施例では、いずれの実施例においても、酸化物
焼結体粉末の結晶構造をX線解析した結果、粉末の状態
ですでに層状ペロブスカイト構造を有しており、また磁
化率の測定から、反磁性が観測され、すでに超電導体状
態の粉末粒子となっていることがわかった。そのため焼
き付け温度は低く、また焼き付け時間も短く、これによ
り、ガラス成分が、超電導体成分に悪影響を及ぼすこと
なく、酸化物超電導体電極が得られている。
In addition, in each of the examples, as a result of X-ray analysis of the crystal structure of the oxide sintered body powder in any of the examples, the powdery state already had a layered perovskite structure, and the magnetic susceptibility was measured. , Diamagnetism was observed, and it was found that the powder particles were already in a superconductor state. Therefore, the baking temperature is low and the baking time is short, whereby an oxide superconductor electrode can be obtained without the glass component adversely affecting the superconductor component.

本発明のセラミックコンデンサは、低温において、高周
波におけるQ値が極めて優れており、2次元電子ガスを
用いた、高移動度トランジスタ等の高周波トランジスタ
等と組合せて、低温で使用することにより、きわめて性
能の良い、増幅器、発振器等を構成できるものである。
The ceramic capacitor of the present invention has an extremely excellent Q value at high frequencies at low temperatures, and when used in combination with high-frequency transistors such as high-mobility transistors using a two-dimensional electron gas at low temperatures, the performance is extremely high. It is possible to configure an amplifier, an oscillator, etc. with good performance.

発明の効果 以上述べた如く、本発明は、層状ペロブスカイト構造型
酸化物超電導体焼結粉末粒子40〜98重量%と、ガラス成
分2〜60重量%からなる電極を有し、誘電体として酸化
物焼結体を用いたセラミックコンデンサを提供するもの
である。
As described above, the present invention has an electrode composed of layered perovskite structure type oxide superconductor sintered powder particles 40 to 98% by weight and a glass component 2 to 60% by weight, and has an oxide as a dielectric. A ceramic capacitor using a sintered body is provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の構造の一実施例を示す構造図、第2図
は本発明に用いた酸化物超電導体の結晶構造である層状
ペロブスカイト構造の、構成要素であるペロブスカイト
構造を示した構造図である。 1……酸化物焼結体誘電体、2……電極、3……Cu、4
……O、5……YまたはBa。
FIG. 1 is a structural view showing one embodiment of the structure of the present invention, and FIG. 2 is a structure showing a perovskite structure which is a constituent element of the layered perovskite structure which is the crystal structure of the oxide superconductor used in the present invention. It is a figure. 1 ... Oxide sintered body dielectric, 2 ... Electrode, 3 ... Cu, 4
…… O, 5 …… Y or Ba.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】層状ペロブスカイト構造型酸化物超電導体
焼結体粉末粒子40〜98重量%と、ガラス成分2〜60重量
%からなる電極を有し、誘電体として酸化物焼結体を用
いたことを特徴とするセラミックコンデンサ。
1. A layered perovskite structure type oxide superconductor sintered body powder particles having 40 to 98% by weight and an electrode composed of 2 to 60% by weight of a glass component, and an oxide sintered body is used as a dielectric. A ceramic capacitor characterized in that.
【請求項2】層状ペロブスカイト構造型酸化物超電導体
焼結体粉末粒子として、A−Ba−Cu酸化物(但しAは、
Y、希土類)を用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第(1)項記載のセラミックコンデンサ。
2. A layered perovskite structure type oxide superconductor sintered body powder particles, wherein A-Ba-Cu oxide (where A is
Y, rare earth) is used, The ceramic capacitor according to claim (1).
【請求項3】希土類として、La、Yb、Er、Ho、Dyを用い
たことを特徴とする特許請求の範囲第(2)項記載のセ
ラミックコンデンサ。
3. The ceramic capacitor according to claim 2, wherein La, Yb, Er, Ho and Dy are used as the rare earth element.
【請求項4】ガラス成分として、硼珪酸鉛ガラス、硼珪
酸鉛亜鉛ガラス、硼珪酸ビスマスガラス、硼珪酸バリウ
ムガラスを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
(1)項記載のセラミックコンデンサ。
4. A ceramic capacitor according to claim 1, wherein lead borosilicate glass, lead borosilicate zinc glass, bismuth borosilicate glass, and barium borosilicate glass are used as the glass component. .
【請求項5】酸化物焼結体誘電体として、酸化チタン、
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸
カルシウム、チタン酸マグネシウム、亜鉛タンタル酸バ
リウムと亜鉛ニオブ酸バリウム化合物、およびそれらの
化合物を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
(1)項記載のセラミックコンデンサ。
5. A titanium oxide as the oxide sintered body dielectric,
The barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, barium zinc tantalate and barium zinc niobate compounds, and the compounds thereof are used. Ceramic capacitor.
JP12626387A 1987-05-22 1987-05-22 Ceramic capacitor Expired - Lifetime JPH0793233B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12626387A JPH0793233B2 (en) 1987-05-22 1987-05-22 Ceramic capacitor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12626387A JPH0793233B2 (en) 1987-05-22 1987-05-22 Ceramic capacitor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63289917A JPS63289917A (en) 1988-11-28
JPH0793233B2 true JPH0793233B2 (en) 1995-10-09

Family

ID=14930854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12626387A Expired - Lifetime JPH0793233B2 (en) 1987-05-22 1987-05-22 Ceramic capacitor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0793233B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63289917A (en) 1988-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5292694A (en) Method of producing low temperature firing dielectric ceramic composition containing B2 O3
JP3305626B2 (en) Dielectric porcelain composition and ceramic electronic component using this dielectric porcelain composition
JP2000290068A (en) Dielectric ceramic composition for high frequency wave, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer and communication device
US4872086A (en) Dielectric RF devices suited for use with superconductors
US5750452A (en) Dielectric ceramic composition for microwave
JPH0793234B2 (en) Ceramic capacitor
JPH0793233B2 (en) Ceramic capacitor
US6703336B2 (en) Dielectric ceramic composition
JPH013046A (en) Dielectric ceramic composition with high dielectric constant
JPH0793225B2 (en) Ceramic capacitor and manufacturing method thereof
JPS61193419A (en) Reduction/reoxidation type semiconductor capacitor ceramic composition
KR910001347B1 (en) Ultra-low fire ceramic compositions and method for producing thereof
JP3253835B2 (en) Dielectric ceramic composition for microwave
JP2725372B2 (en) Dielectric porcelain composition
JP2900687B2 (en) Semiconductor porcelain composition and method for producing the same
JPS63293909A (en) Ceramic capacitor and manufacture thereof
KR900005443B1 (en) Thick film capacitor
JP2568411B2 (en) Semiconductor porcelain composition
KR910001344B1 (en) Multilayer ceramic capacitor and method for producing thereof
JP2984115B2 (en) Manufacturing method of grain boundary insulated semiconductor porcelain capacitor
KR0165557B1 (en) Ceramic composition
JP2576605B2 (en) Method for producing porcelain composition
JP2866503B2 (en) Manufacturing method of oxide superconducting structure
JP2677631B2 (en) Thick film capacitor manufacturing method
JPH0388768A (en) Semiconductor porcelain and its production