JPH0792647B2 - Liquid crystal display device defect detection method - Google Patents
Liquid crystal display device defect detection methodInfo
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- JPH0792647B2 JPH0792647B2 JP62014525A JP1452587A JPH0792647B2 JP H0792647 B2 JPH0792647 B2 JP H0792647B2 JP 62014525 A JP62014525 A JP 62014525A JP 1452587 A JP1452587 A JP 1452587A JP H0792647 B2 JPH0792647 B2 JP H0792647B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は薄膜トランジスタ素子アレイを応用した液晶表
示装置の欠陥検出方法に関するものである。（以下薄膜
トランジスタ素子アレイをTFTアレイと呼ぶ。） 従来の技術 液晶表示装置の表示容量増大に伴って、走査線数が増
え、そのため従来から用いられている電極マトリックス
方式では、液晶表示装置の表示コントラストや応答速度
が低下することから、表示特性向上のためにマトリック
ス型液晶表示装置にTFTアレイか利用されつつある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a defect detection method for a liquid crystal display device to which a thin film transistor element array is applied. (Hereinafter, the thin film transistor element array is referred to as a TFT array.) Conventional technology As the display capacity of a liquid crystal display device is increased, the number of scanning lines is increased. Therefore, in the conventionally used electrode matrix method, the display contrast of the liquid crystal display device is increased. Since the response speed decreases, a TFT array is being used in a matrix type liquid crystal display device to improve display characteristics.
第４図はTFTアレイを用いた液晶表示装置の一部等価回
路図である。複数本のゲート信号線３およびこれらのゲ
ート信号線と直交する複数本のソース信号線４を備え、
その各交点に薄膜トランジスタ素子１を設け、そのドレ
イン電極は液晶の等価回路であるコンデンサ２と接続さ
れている。このコンデンサを絵素コンデンサと呼ぶ。FIG. 4 is a partial equivalent circuit diagram of a liquid crystal display device using a TFT array. A plurality of gate signal lines 3 and a plurality of source signal lines 4 orthogonal to these gate signal lines,
A thin film transistor element 1 is provided at each intersection, and its drain electrode is connected to a capacitor 2 which is an equivalent circuit of liquid crystal. This capacitor is called a pixel capacitor.
ゲート・ソース間で短絡が発生すると、これらに接続さ
れている薄膜トランジスタ素子の動作が異常となり、表
示特性における線欠陥となることから表示品位を著しく
低下させる。また、ゲート・ドレイン間およびソース・
ドレイン間で短絡が発生すると、この短絡が発生してい
る薄膜トランジスタ素子の動作が異常となることから、
この薄膜トランジスタ素子に接続されている絵素が異常
な表示、すなわち表示特性上における点欠陥となり、上
記線欠陥と同じく表示品位を低下させる要因となる。When a short circuit occurs between the gate and the source, the operation of the thin film transistor element connected to them becomes abnormal, causing a line defect in the display characteristics, which significantly deteriorates the display quality. In addition, between the gate and drain and the source
When a short circuit occurs between the drains, the operation of the thin film transistor element in which this short circuit occurs becomes abnormal,
The picture element connected to this thin film transistor element becomes an abnormal display, that is, a point defect in display characteristics, and becomes a factor of lowering display quality like the line defect.
近年、TFTアレイ作成プロセス技術の向上により、線欠
陥となるゲート・ソース間短絡、また点欠陥となるソー
ス・ドレイン間，ゲート・ドレイン間短絡も減少の傾向
があり表示品位は大幅に向上してきた。それにともない
ソース・ドレイン間，ゲート・ドレイン間の高抵抗短絡
が問題となる。この高抵抗短絡とは完全短絡でなく、短
絡間に数百オーム以上の抵抗値を有する短絡をいう。こ
れはプロセス上などのトラブルによりソース・ドレイン
間またはゲート・ドレイン間の絶縁膜の微細なピンホー
ルを通じて電気的導通がおこっている場合などに生じ
る。前記の高抵抗の短絡が生じている薄膜トランジスタ
素子が駆動する絵素は液晶を注入後、全面表示をおこな
うために、ゲート信号線を走査すれば点滅表示状態とな
り表示品位を低下させる。したがって、短絡欠陥だけで
なく、前記の高抵抗の短絡が生じている薄膜トランジス
タ素子をも検出し、また短絡の程度を測定してTFTアレ
イ作成プロセスを検討，改善している必要がある。In recent years, due to improvements in TFT array fabrication process technology, there has been a tendency for line-defect gate-source short-circuits, and point-defect source-drain short-circuits, gate-drain short-circuits to decrease, and display quality has improved significantly. . Along with this, a high resistance short circuit between the source and drain and between the gate and drain becomes a problem. This high resistance short circuit is not a complete short circuit but a short circuit having a resistance value of several hundred ohms or more between the short circuits. This occurs, for example, when electrical conduction is caused through a fine pinhole in the insulating film between the source / drain or the gate / drain due to a process trouble. The picture element driven by the thin film transistor element in which the high-resistance short circuit has occurred is filled with liquid crystal and then is displayed on the entire surface. Therefore, if the gate signal line is scanned, a blinking display state occurs and the display quality is degraded. Therefore, not only the short circuit defect but also the thin film transistor element in which the high resistance short circuit has occurred is detected, and the degree of the short circuit must be measured to examine and improve the TFT array manufacturing process.
以下図面を参照しながら、従来の液晶表示装置の欠陥検
出の方法の一例について説明する。第５図は従来の薄膜
トランジスタ素子のゲート・ドレイン間、第７図はソー
ス・ドレイン間短絡を検出方法を説明するための説明図
である。第５図および第６図において５はゲート信号
線、６はソース信号線、７はテストプローブ、８は抵抗
値測定手段、Tn（ｎ＝1,6）は薄膜トランジスタ素子で
ある。またT1にゲート・ドレイン間欠陥が、T3にソース
・ドレイン間欠陥を生じているところを示している。ま
ず、薄膜トランジスタ素子のゲート・ドレイン間の欠陥
を検出する方法について第５図を用いて説明する。この
場合はゲート信号線５と各薄膜トランジスタ素子のドレ
イン端子にテストプローブをたて、そのテストプローブ
間に接続された抵抗値測定手段８により抵抗値を測定
し、欠陥の検出と欠陥の程度の検出をおこなう。第５図
ではT1のゲート・ドレイン間の欠陥検出をおこなってい
るところを示している。次にソース・ドレイン間の欠陥
を検出する方法を第６図を用いて説明する。この場合は
ソース信号線５と各薄膜トランジスタ素子のドレイン端
子にテストプローブをたて、そのテストプローブ間に接
続された抵抗値測定手段８により抵抗値を測定し、欠陥
の検出と欠陥の程度の検出をおこなっていた。第６図で
はT3のソース・ドレイン間の欠陥検出をおこなっている
ところを示している。An example of a conventional defect detection method for a liquid crystal display device will be described below with reference to the drawings. FIG. 5 is a diagram for explaining a gate-drain short circuit of a conventional thin film transistor element, and FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining a method for detecting a source-drain short circuit. In FIGS. 5 and 6, 5 is a gate signal line, 6 is a source signal line, 7 is a test probe, 8 is a resistance value measuring means, and T n (n = 1,6) is a thin film transistor element. The gate-drain defective T 1 also have shown a place which is caused between the source and the drain defective T 3. First, a method of detecting a defect between the gate and the drain of the thin film transistor element will be described with reference to FIG. In this case, a test probe is set on the gate signal line 5 and the drain terminal of each thin film transistor element, and the resistance value is measured by the resistance value measuring means 8 connected between the test probes to detect the defect and the degree of the defect. Perform. FIG. 5 shows that a defect between the gate and drain of T 1 is being detected. Next, a method for detecting a source-drain defect will be described with reference to FIG. In this case, a test probe is set on the source signal line 5 and the drain terminal of each thin film transistor element, and the resistance value is measured by the resistance value measuring means 8 connected between the test probes to detect the defect and the degree of the defect. Was done. FIG. 6 shows that a defect between the source and drain of T 3 is detected.
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成ではテストプローブを用
いるため、テストプローブを薄膜トランジスタ素子のド
レイン端子やドレイン端子に接続された絵素電極に直接
接触させる必要があり表面を損傷するおそれがある。ま
たテストプローブの接触不良による欠陥検出もれがおこ
りやすい。そのうえテストプローブを移動させながら欠
陥検出を行なう必要があるため、膨大な時間をようする
という問題点を有していた。Problems to be Solved by the Invention However, since the test probe is used in the above configuration, it is necessary to directly contact the test probe with the drain terminal of the thin film transistor element or the pixel electrode connected to the drain terminal, which damages the surface. There is a risk. In addition, defect detection is likely to occur due to poor contact of the test probe. Moreover, since it is necessary to detect defects while moving the test probe, there is a problem in that a huge amount of time is spent.
本発明は上記問題点に鑑み、液晶表示装置の点欠陥およ
び欠陥状態を非接触でかつ容易に検出する検査方法を提
供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an inspection method for easily detecting a point defect and a defect state of a liquid crystal display device in a non-contact manner.
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の液晶表示装置の
欠陥検出方法は、薄膜トランジスタ素子のソース端子に
接続されたソース信号線に電圧を印加し、前記薄膜トラ
ンジスタ素子のゲート端子に接続されたゲート信号線
に、前記薄膜トランジスタ素子を周期的にオンオフさせ
る信号を印加し、前記ソース信号線に印加された電圧
を、前記薄膜トランジスタ素子のドレイン端子に形成さ
れた絵素電極に印加し、前記絵素の点滅表示状態を光学
的に検出することにより、前記薄膜トランジスタ素子の
欠陥を検出するものである。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, a defect detection method for a liquid crystal display device according to the present invention includes applying a voltage to a source signal line connected to a source terminal of a thin film transistor element, A signal for periodically turning on and off the thin film transistor element is applied to the gate signal line connected to the gate terminal of the thin film transistor element, and the voltage applied to the source signal line is applied to the pixel electrode formed on the drain terminal of the thin film transistor element. To detect a defect of the thin film transistor element by optically detecting the blinking display state of the picture element.
また、絵素の表示状態を光学的に検出する際には、ゲー
ト信号線に印加した信号において、薄膜トランジスタ素
子をオンさせる時間とオンさせる周期のうち少なくとも
一方を変化させる手法が好ましい。Further, when optically detecting the display state of the picture element, it is preferable to change at least one of the time for turning on the thin film transistor element and the period for turning on the thin film transistor element in the signal applied to the gate signal line.
さらに、欠陥検出の動作としては、ゲート信号線に印加
した信号において、薄膜トランジスタ素子をオンさせる
時間とオンさせる周期のうち少なくとも一方を変化さ
せ、絵素の表示状態を光学的に検出し、絵素が点滅状態
の時に欠陥として検出し、薄膜トランジスタに電圧を印
加するソース信号線とゲート信号線の何れか一方に対
し、他方の信号線の走査を順次繰り返すことが好まし
い。Further, as a defect detection operation, in the signal applied to the gate signal line, at least one of the time for turning on the thin film transistor element and the period for turning on the thin film transistor element is changed to optically detect the display state of the pixel and It is preferable to sequentially repeat the scanning of the other signal line with respect to one of the source signal line and the gate signal line for detecting a defect and applying a voltage to the thin film transistor when is blinking.
作用 本発明は上記した方法によって次のようになる。薄膜ト
ランジスタ素子のソース端子にドレイン端子に接続され
たコンデンサを充電させるような電気信号を印加し、前
記コンデンサを十分充電できる時間だけゲート端子に電
気信号を印加し、ゲートを動作させれば絵素上の液晶の
配向が変化し点燈状態となる。前述のゲート信号をコン
デンサに充電された電荷が放電し液晶の配向がもとにも
どるよりも短時間に周期的に印加すれば点燈状態がつづ
く。しかし、ゲート・ドレイン間，ソース・ドレイン間
に短絡あるいは高抵抗の短絡がある場合、放電時間が短
く、次のゲート信号前に放電が修了し、消燈状態とな
る。つまり周期的にゲート信号を印加すれば点滅状態と
なる。また前記電気信号の周期，大きさを可変させるこ
とにより放電を終了する前に充電できるようにすること
ができるため点燈状態を接続させることが可能となるか
ら、前記電気信号の周期，大きさから欠陥の程度をも検
出することができる。Action The present invention is as follows by the above method. An electric signal that charges the capacitor connected to the drain terminal is applied to the source terminal of the thin film transistor element, and the electric signal is applied to the gate terminal only for a time sufficient to charge the capacitor, and the gate is operated The orientation of the liquid crystal changes to turn on. If the above-mentioned gate signal is periodically applied in a shorter time than when the charge charged in the capacitor is discharged and the orientation of the liquid crystal is restored, the lighting state continues. However, when there is a short circuit between the gate and the drain or between the source and the drain or a short circuit with high resistance, the discharge time is short, the discharge is completed before the next gate signal, and the light is turned off. That is, if a gate signal is applied periodically, it will be in a blinking state. Further, by changing the period and magnitude of the electric signal, it is possible to charge the battery before discharging is completed, so that the lighting state can be connected. Therefore, the period and magnitude of the electric signal can be changed. It is also possible to detect the degree of the defect.
実施例 以下本発明の液晶表示装置の欠陥検出方法の一実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の
一実施例における液晶表示装置の欠陥検出方法を説明す
るための説明図である。第１図においてX1〜Xn（ｎは整
数）はゲート信号線、Y1〜Yn（ｎは整数）ソース信号
線、T11〜Tmn（m,nは整数）は薄膜トランジスタ素子、C
11〜Cmn（m,nは整数）は絵素コンデンサ、９は信号切り
かえ手段、10はゲート信号源、11はソース信号源であ
る。12は薄膜トランジスタ素子のゲート・ドレイン間の
高抵抗の短絡を、13はソース・ドレイン間の高抵抗の短
絡を示している。また第２図はゲート・ドレイン間の短
絡を検出するためのゲート信号線とソース信号線に印加
する信号の一例であるタイミングチャートであり、第３
図はソース・ドレイン間の短絡を検出するためのソース
信号線とゲート信号線に印加する信号の一例であるタイ
ミングチャートである。Embodiment An embodiment of the defect detection method for a liquid crystal display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining a defect detection method for a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, X 1 to X n (n is an integer) are gate signal lines, Y 1 to Y n (n is an integer) source signal lines, T 11 to T mn (m and n are integers) are thin film transistor elements, and C
11 to C mn (m and n are integers) are picture element capacitors, 9 is a signal switching means, 10 is a gate signal source, and 11 is a source signal source. 12 indicates a high resistance short circuit between the gate and drain of the thin film transistor element, and 13 indicates a high resistance short circuit between the source and drain. FIG. 2 is a timing chart showing an example of signals applied to the gate signal line and the source signal line for detecting a short circuit between the gate and the drain.
The figure is a timing chart showing an example of signals applied to a source signal line and a gate signal line for detecting a short circuit between a source and a drain.
以上のように構成された本実施例についてその動作を図
面を参照しながら説明する。まず、T21のゲート・ドレ
イン間の短絡およびその大きさを検出する方法について
説明する。この場合は第２図のタイミングチャートに示
すゲート信号をX2端子にソース信号をY1端子に印加す
る。前記ゲート信号は正常の薄膜トランジスタ素子のド
レイン端子に形成されたコンデンサに充電できる時間ゲ
ートを開くことができ、かつゲートが閉じかつコンデン
サに充電された電荷が放電してしまう前に次の周期でゲ
ートを開き充電できる信号である。正常な薄膜トランジ
スタ素子であれば、放電してしまう前に次の充電がおこ
なわれるから連続点燈状態となるが、ゲート・ドレイン
間短絡があるためにゲートが閉じられている時間内にコ
ンデンサの電荷を放電してしまう。そのため前記薄膜ト
ランジスタ素子が駆動する絵素は点滅状態となる。前記
絵素の表示状態を光学的手段で検出すれば薄膜トランジ
スタ素子の欠陥を検出することができる。この光学的手
段とはフォトトランジスタ素子などを用いてもよいし、
目視でもおこなうことができる。つぎにゲートを開く時
間ａを長く、または周期時間ｂを短くすれば、前記絵素
の表示状態は点滅状態から点燈状態に変化する。点燈状
態になったときのゲート信号のａおよびｂの値から薄膜
トランジスタ素子の欠陥の程度を知ることができる。The operation of the present embodiment configured as described above will be described with reference to the drawings. First, a method of detecting the short circuit between the gate and drain of T 21 and the magnitude thereof will be described. In this case, the gate signal shown in the timing chart of FIG. 2 is applied to the X 2 terminal and the source signal is applied to the Y 1 terminal. The gate signal can open the gate during the time when the capacitor formed in the drain terminal of the normal thin film transistor element can be charged, and in the next cycle before the gate is closed and the charge charged in the capacitor is discharged. Is a signal that can be opened and charged. If it is a normal thin film transistor element, it will be in the continuous lighting state because the next charge will be performed before it is discharged, but due to the short circuit between the gate and drain, the charge of the capacitor will be charged within the time when the gate is closed. Will discharge. Therefore, the pixel driven by the thin film transistor element is in a blinking state. If the display state of the picture element is detected by an optical means, the defect of the thin film transistor element can be detected. A phototransistor element or the like may be used as the optical means,
It can also be done visually. Next, if the gate opening time a is lengthened or the cycle time b is shortened, the display state of the picture element is changed from the blinking state to the lighting state. The degree of defect of the thin film transistor element can be known from the values of a and b of the gate signal when the light is turned on.
つぎにT12のソース・ドレイン間の短絡およびその大き
さを検出する方法について説明する。この場合は第３図
に示すゲート信号をX1端子にソース信号をY2端子に印加
する。前述のように正常なトランジスタ素子であれば電
荷を次の充電時間まで保持されるため連続点燈状態とな
るが、T12はソース・ドレイン間短絡があるためゲート
が閉じられている時間つまりｂ−ａの間に放電してしま
う。そのため前記薄膜トランジスタ素子が駆動する絵素
は点滅状態となる。ゆえに前記絵素の表示状態を光学的
手段で検出すれば薄膜トランジスタ素子の欠陥を検出す
ることができる。つぎに第３図に示すソース信号および
ゲート信号の高電位時間ａを長く、またはその同期時間
ｂを短くしていれば、前記絵素の表示状態は点滅状態か
ら点燈状態に変化する。点燈状態となったときのａおよ
びｂの値から薄膜トランジスタ素子の欠陥の程度を知る
ことができる。以上のように説明したゲート信号，ソー
ス信号を信号きりかえ手段９により、X1〜Xmのゲート信
号線とY1〜Ynのソース信号線のマトリックスについて、
例えばX1へのゲート信号電圧印加に対してY1〜Ynに順次
ソース信号電圧印加し、次にX2へのゲート信号電圧印加
に対してY1〜Ynに順次ソース信号電圧印加‥‥‥以下同
様の走査を繰り返し、その状態を光学的手段で検出する
ことにより、薄膜トランジスタ素子の欠陥および欠陥状
態を検出することができる。Next, a method of detecting the short circuit between the source and drain of T 12 and the magnitude thereof will be described. In this case, the gate signal shown in FIG. 3 is applied to the X 1 terminal and the source signal is applied to the Y 2 terminal. While the charge if a normal transistor device as described above the successive points lamp state to be held until the next charging time, T 12 is the gate is closed because there is a short between the source and drain time that is b Discharges during -a. Therefore, the pixel driven by the thin film transistor element is in a blinking state. Therefore, if the display state of the picture element is detected by optical means, the defect of the thin film transistor element can be detected. Next, if the high potential time a of the source signal and the gate signal shown in FIG. 3 is lengthened or the synchronization time b thereof is shortened, the display state of the picture element changes from the blinking state to the lighting state. The degree of defect of the thin film transistor element can be known from the values of a and b when the light is turned on. The matrix of the gate signal lines X 1 to X m and the source signal lines Y 1 to Y n by the signal switching means 9 for switching the gate signal and the source signal as described above,
For example, when the gate signal voltage is applied to X 1 , the source signal voltage is sequentially applied to Y 1 to Y n , and then when the gate signal voltage is applied to X 2 , the source signal voltage is sequentially applied to Y 1 to Y n. The same scanning is repeated thereafter, and the state and the defective state of the thin film transistor element can be detected by detecting the state by optical means.
なお、本実施例では第３図および第４図に示すａおよび
ｂを可変させて欠陥の程度を検出するとしたが、電圧の
大きさを可変することにより、コンデンサに充電させる
時間が変化することは明らかであるから、電圧の大きさ
を変化させても容易に欠陥状態を検出できることは明ら
かである。In this embodiment, the degree of defect is detected by changing a and b shown in FIGS. 3 and 4, but the time for charging the capacitor may be changed by changing the magnitude of the voltage. Since it is clear, it is clear that the defect state can be easily detected even if the magnitude of the voltage is changed.
発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明の液晶表示装置
の欠陥検出方法では、絵素の欠陥状態を光学的に検出す
るものであるから、非接触で欠陥検出をおこなうことが
できるため薄膜トランジスタ素子の表面を損傷するおそ
れが全くない。またテストプローブ移動部などの機械的
な駆動部がないため高速に欠陥検出をおこなうことがで
き、その効果は大である。EFFECTS OF THE INVENTION As is apparent from the above description, in the defect detection method of the liquid crystal display device of the present invention, the defect state of the picture element is optically detected, and therefore the defect detection can be performed in a non-contact manner. Therefore, there is no possibility of damaging the surface of the thin film transistor element. In addition, since there is no mechanical drive unit such as the test probe moving unit, defect detection can be performed at high speed, and the effect is great.
第１図は本発明の一実施例における液晶表示装置の欠陥
検出方法を説明するための説明図、第２図，第３図はゲ
ート信号およびソース信号のタイミングチャート、第４
図はTFTアレイを用いた液晶表示装置の一部等価回路
図、第５図，第６図は従来の液晶表示装置の欠陥検出方
法を説明するための説明図である。 １……薄膜トランジスタ素子、２……絵素コンデンサ
（液晶）、3,5……ゲート信号線、4,6……ソース信号
線、７……テストプローブ、８……抵抗値測定手段、９
……信号切りかえ手段、10……ゲート信号源、11……ソ
ース信号源、12……ゲート・ドレイン間の短絡、13……
ソース・ドレイン間の短絡。FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining a defect detection method for a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are timing charts of gate signals and source signals, and FIG.
FIG. 5 is a partial equivalent circuit diagram of a liquid crystal display device using a TFT array, and FIGS. 5 and 6 are explanatory diagrams for explaining a defect detection method of a conventional liquid crystal display device. 1 ... Thin film transistor element, 2 ... Pixel capacitor (liquid crystal), 3, 5 ... Gate signal line, 4, 6 ... Source signal line, 7 ... Test probe, 8 ... Resistance value measuring means, 9
…… Signal switching means, 10 …… Gate signal source, 11 …… Source signal source, 12 …… Gate-drain short circuit, 13 ……
Short circuit between source and drain.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 達彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−38498（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tatsuhiko Tamura 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) Reference JP-A-57-38498 (JP, A)
Claims (3)
列されたソース信号線とゲート信号線を具備する基板
と、対向基板との間隙に液晶を挟持した液晶表示装置に
おける薄膜トランジスタ素子の欠陥を検出する方法であ
って、薄膜トランジスタ素子のソース端子に接続された
ソース信号線に電圧を印加し、前記薄膜トランジスタ素
子のゲート端子に接続されたゲート信号線に、前記薄膜
トランジスタ素子を周期的にオンオフさせる信号を印加
し、前記ソース信号線に印加された電圧を、前記薄膜ト
ランジスタ素子のドレイン端子に形成された絵素電極に
印加し、前記絵素の点滅表示状態を光学的に検出するこ
とにより、前記薄膜トランジスタ素子の欠陥を検出する
ことを特徴とする液晶表示装置の欠陥検出方法。1. A method for detecting a defect of a thin film transistor element in a liquid crystal display device in which a liquid crystal is held in a gap between a substrate provided with a thin film transistor and a source signal line and a gate signal line arranged in a matrix and a counter substrate. A voltage is applied to the source signal line connected to the source terminal of the thin film transistor element, and the gate signal line connected to the gate terminal of the thin film transistor element is applied with a signal for periodically turning on and off the thin film transistor element, The voltage applied to the source signal line is applied to the pixel electrode formed on the drain terminal of the thin film transistor element, and the blinking display state of the pixel is optically detected to detect the defect of the thin film transistor element. A method for detecting a defect in a liquid crystal display device, comprising:
列されたソース信号線とゲート信号線を具備する基板
と、対向基板との間隙に液晶を挟持した液晶表示装置に
おける薄膜トランジスタ素子の欠陥を検出する方法であ
って、薄膜トランジスタ素子のソース端子に接続された
ソース信号線に電圧を印加し、前記薄膜トランジスタ素
子のゲート端子に接続されたゲート信号線に、前記薄膜
トランジスタ素子を周期的にオンオフさせる信号を印加
し、前記ソース信号線に印加された電圧を、前記薄膜ト
ランジスタ素子のドレイン端子に形成された絵素電極に
印加し、前記ゲート信号線に印加した信号において、薄
膜トランジスタ素子をオンさせる時間とオンさせる周期
のうち少なくとも一方を変化させるとともに、前記絵素
の表示状態を光学的に検出し、前記薄膜トランジスタ素
子の欠陥を検出することを特徴とする液晶表示装置を欠
陥検出方法。2. A method of detecting a defect of a thin film transistor element in a liquid crystal display device in which liquid crystal is sandwiched between a substrate provided with a thin film transistor and a source signal line and a gate signal line arranged in a matrix and a counter substrate. A voltage is applied to the source signal line connected to the source terminal of the thin film transistor element, and the gate signal line connected to the gate terminal of the thin film transistor element is applied with a signal for periodically turning on and off the thin film transistor element, The voltage applied to the source signal line is applied to the pixel electrode formed on the drain terminal of the thin film transistor element, and in the signal applied to the gate signal line, at least the time for turning on the thin film transistor element and the period for turning on the thin film transistor element While changing one, the display state of the picture element can be changed optically. Detecting, the defect detection method of the liquid crystal display device characterized by detecting defects of a thin film transistor element.
列されたソース信号線とゲート信号線を具備する基板
と、対向基板との間隙に液晶を挟持した液晶表示装置に
おける薄膜トランジスタ素子の欠陥を検出する方法であ
って、薄膜トランジスタ素子のソース端子に接続された
ソース信号線に電圧を印加し、前記薄膜トランジスタ素
子のゲート端子に接続されたゲート信号線に、前記薄膜
トランジスタ素子を周期的にオンオフさせる信号を印加
し、前記ソース信号線に印加された電圧を、前記薄膜ト
ランジスタ素子のドレイン端子に形成された絵素電極に
印加し、前記ゲート信号線に印加した信号において、薄
膜トランジスタ素子をオンさせる時間とオンさせる周期
のうち少なくとも一方を変化させるとともに、前記絵素
の表示状態を光学的に検出し、前記絵素が点滅表示状態
の時に欠陥として検出し、前記２種類の信号線の何れか
一方に対し、他方の信号線の走査を順次繰り返し、前記
欠陥検出の動作を行うことを特徴とする液晶表示装置の
欠陥検出方法。3. A method of detecting a defect of a thin film transistor element in a liquid crystal display device in which a liquid crystal is sandwiched between a substrate provided with a thin film transistor and a source signal line and a gate signal line arranged in a matrix and a counter substrate. A voltage is applied to the source signal line connected to the source terminal of the thin film transistor element, and the gate signal line connected to the gate terminal of the thin film transistor element is applied with a signal for periodically turning on and off the thin film transistor element, The voltage applied to the source signal line is applied to the pixel electrode formed on the drain terminal of the thin film transistor element, and in the signal applied to the gate signal line, at least the time for turning on the thin film transistor element and the period for turning on the thin film transistor element While changing one, the display state of the picture element can be changed optically. The defect is detected and detected as a defect when the picture element is in a blinking display state, and the scanning of the other signal line is sequentially repeated for one of the two types of signal lines to perform the defect detection operation. A method for detecting defects in a liquid crystal display device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62014525A JPH0792647B2 (en) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | Liquid crystal display device defect detection method |
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| JP62014525A JPH0792647B2 (en) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | Liquid crystal display device defect detection method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63182696A JPS63182696A (en) | 1988-07-27 |
| JPH0792647B2 true JPH0792647B2 (en) | 1995-10-09 |
Family
ID=11863534
Family Applications (1)
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| JP62014525A Expired - Fee Related JPH0792647B2 (en) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | Liquid crystal display device defect detection method |
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