JPH0791565B2 - 超微粒子およびその製造方法 - Google Patents
超微粒子およびその製造方法Info
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- JPH0791565B2 JPH0791565B2 JP63166130A JP16613088A JPH0791565B2 JP H0791565 B2 JPH0791565 B2 JP H0791565B2 JP 63166130 A JP63166130 A JP 63166130A JP 16613088 A JP16613088 A JP 16613088A JP H0791565 B2 JPH0791565 B2 JP H0791565B2
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Landscapes
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、超微粒子とその製造方法およびその製造方法
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術 従来の超微粒子の製造方法は、一般に金属や金属酸化物
を真空中で蒸発固化させる方法が用いられている。
を真空中で蒸発固化させる方法が用いられている。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、この方法では製造が容易である反面、M
g、Al等空気に活性な金属超微粒子を製造する場合、空
気と触れると自然に発火したりして酸化反応が進み、危
険であると共に保存性が悪いという厄介な問題があっ
た。
g、Al等空気に活性な金属超微粒子を製造する場合、空
気と触れると自然に発火したりして酸化反応が進み、危
険であると共に保存性が悪いという厄介な問題があっ
た。
従来法の欠点に鑑み、本発明の目的は、超微粒子表面に
界面活性剤を単分子状に１層化学結合することにより空
気中で使用しても安定で品質の劣化しない超微粒子を製
造する方法を提供ことにある。
界面活性剤を単分子状に１層化学結合することにより空
気中で使用しても安定で品質の劣化しない超微粒子を製
造する方法を提供ことにある。
課題を解決するための手段 本発明は、超微粒子表面に保護膜として直接シラン界面
活性剤を単分子状に１層化学吸着させることにより超微
粒子を酸素や水に対して安定化させるものである。
活性剤を単分子状に１層化学吸着させることにより超微
粒子を酸素や水に対して安定化させるものである。
作用 即ち、本発明の方法を用いれば、外側に疎水性基を並べ
た状態の単分子膜を超微粒子表面に直接１層形成できる
ので超微粒子本来の特性を損なうことなく安定化させる
作用がある。
た状態の単分子膜を超微粒子表面に直接１層形成できる
ので超微粒子本来の特性を損なうことなく安定化させる
作用がある。
実施例 以下、実施例を第１〜２図を用いて説明する。例えば、
金属（金属酸化物でも良い）を真空中で蒸発固化させる
方法で第１図に示すような、大きさが数ミクロン程度の
超微粒子１（Fe、Ni、Co、W,Mo、Cu、Al、Mg、Ti、……
等あるいはそれらの金属酸化物の超微粒子）を作成した
後、空気中に取り出すことなく、N2ガス等の不活性ガス
雰囲気中で直接表面に化学吸着法により全面シラン界面
活性剤を吸着反応させて、シラン界面活性剤よりなる単
分子の保護膜２を形成する。例えば、シラン界面活性剤
として直鎖状のハイドロカーボン鎖を持つCH3-（CH2）
ｎ‐SiCl3（ｎ：整数。10〜25程度が最も扱いやすい）
等を用い、２×10-3〜５×10-2Mol/l程度の濃度で溶か
した80％n-ヘキサン、12％四塩化炭素、８％クロロホル
ム溶液を調整し、前記超微粒子を浸漬する。このとき、
金属超微粒子は通常時間の経過と共に表面にナチュラル
オキサイドが形成されるので、表面には−OH基が含まれ
ている。従って、−SiCl3基と−OHが脱塩酸反応して の結合が生成され、 シラン界面活性剤による単分子吸着膜３が超微粒子表面
に１層（20〜30Åの厚み）形成される。（第２図）即
ち、表面が単分子膜で覆われた空気等酸素を含む雰囲気
中で極めて安定な超微粒子を製造できる。
金属（金属酸化物でも良い）を真空中で蒸発固化させる
方法で第１図に示すような、大きさが数ミクロン程度の
超微粒子１（Fe、Ni、Co、W,Mo、Cu、Al、Mg、Ti、……
等あるいはそれらの金属酸化物の超微粒子）を作成した
後、空気中に取り出すことなく、N2ガス等の不活性ガス
雰囲気中で直接表面に化学吸着法により全面シラン界面
活性剤を吸着反応させて、シラン界面活性剤よりなる単
分子の保護膜２を形成する。例えば、シラン界面活性剤
として直鎖状のハイドロカーボン鎖を持つCH3-（CH2）
ｎ‐SiCl3（ｎ：整数。10〜25程度が最も扱いやすい）
等を用い、２×10-3〜５×10-2Mol/l程度の濃度で溶か
した80％n-ヘキサン、12％四塩化炭素、８％クロロホル
ム溶液を調整し、前記超微粒子を浸漬する。このとき、
金属超微粒子は通常時間の経過と共に表面にナチュラル
オキサイドが形成されるので、表面には−OH基が含まれ
ている。従って、−SiCl3基と−OHが脱塩酸反応して の結合が生成され、 シラン界面活性剤による単分子吸着膜３が超微粒子表面
に１層（20〜30Åの厚み）形成される。（第２図）即
ち、表面が単分子膜で覆われた空気等酸素を含む雰囲気
中で極めて安定な超微粒子を製造できる。
なお、化学吸着用の材料としては、−OH基に対して結合
性を有する基 を含んでいれば、実施例で示したシラン系界面活性剤に
限定されるものではない。また、直鎖状のハイドロカー
ボン鎖の一部にＦ（フッ素）を含むシラン界面活性剤、
例えばCF3-（CH2）ｎ‐SiCl3（ｎ：整数。10〜25程度が
最も扱いやすい）、またはCF3-（CF2 ｍ（CH2）ｎ‐SiCl
3（ｍ、ｎ：整数）等を用いればさらに発水性を向上で
き、より安定な超微粒子を製造できる。なお、超微粒子
がAl2O3、やFe2O3、Fe3O4等の金属酸化物の場合は、当
然空気により酸化されると言うことはないが、表面が酸
化物であるため、同様の方法でいずれも表面が単分子膜
で覆われた超微粒子を製造できることは明らかであろ
う。
性を有する基 を含んでいれば、実施例で示したシラン系界面活性剤に
限定されるものではない。また、直鎖状のハイドロカー
ボン鎖の一部にＦ（フッ素）を含むシラン界面活性剤、
例えばCF3-（CH2）ｎ‐SiCl3（ｎ：整数。10〜25程度が
最も扱いやすい）、またはCF3-（CF2 ｍ（CH2）ｎ‐SiCl
3（ｍ、ｎ：整数）等を用いればさらに発水性を向上で
き、より安定な超微粒子を製造できる。なお、超微粒子
がAl2O3、やFe2O3、Fe3O4等の金属酸化物の場合は、当
然空気により酸化されると言うことはないが、表面が酸
化物であるため、同様の方法でいずれも表面が単分子膜
で覆われた超微粒子を製造できることは明らかであろ
う。
発明の効果 以上述べてきた方法により作られた超微粒子は、金属や
金属酸化物の超微粒子表面に単分子状の有機薄膜が直接
化学結合した状態で高密度でピンホール無く形成されて
いるため、たとえ酸素や水分を含んだ雰囲気中で使用し
ても微粒子が発火することがない。また、有機薄膜が直
接超微粒子表面に化学結合し、かつ均一な厚みで非常に
薄く形成されているため超微粒子本来の特性を損なうこ
ともない。
金属酸化物の超微粒子表面に単分子状の有機薄膜が直接
化学結合した状態で高密度でピンホール無く形成されて
いるため、たとえ酸素や水分を含んだ雰囲気中で使用し
ても微粒子が発火することがない。また、有機薄膜が直
接超微粒子表面に化学結合し、かつ均一な厚みで非常に
薄く形成されているため超微粒子本来の特性を損なうこ
ともない。
第１図〜第２図は本発明の方法を説明するための超微粒
子断面図を示し、第１図は概念図、第２図は吸着単分子
膜の形成された超微粒子で第１図に示したＯ印Ａ部を分
子レベルまで拡大した図である。 １……超微粒子、２……単分子膜保護膜、３……単分子
吸着膜。
子断面図を示し、第１図は概念図、第２図は吸着単分子
膜の形成された超微粒子で第１図に示したＯ印Ａ部を分
子レベルまで拡大した図である。 １……超微粒子、２……単分子膜保護膜、３……単分子
吸着膜。
Claims (4)
- 【請求項１】クロロシラン系界面活性剤が超微粒子表面
と化学結合して形成された単分子吸着膜で表面が覆われ
ていることを特徴とする超微粒子。 - 【請求項２】クロロシラン系界面活性剤が直鎖状のハイ
ドロカーボン鎖を含んでいることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の超微粒子。 - 【請求項３】表面にOH基が含まれた超微粒子をクロロシ
ラン系界面活性剤層を含む非水系の有機溶媒に浸漬し、
前記超微粒子表面にクロロシラン系界面活性剤を化学吸
着させ、前記超微粒子表面に直接前記界面活性剤のシリ
コンと超微粒子表面を化学結合させて単分子膜を形成す
る工程を含むことを特徴とする超微粒子の製造方法。 - 【請求項４】クロロシラン界面活性剤として、 CH3−（CH2）ｎ−SiCl3（n:整数）で表される化学物質
または、 CF3−（CF2）ｍ−（CH2）ｎ−SiCl３（m,n:整数）で表
される化学物質を用いることを特徴とする特許請求の範
囲第３項記載の超微粒子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166130A JPH0791565B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 超微粒子およびその製造方法 |
| US07/781,673 US5209976A (en) | 1988-07-04 | 1991-10-24 | Structure having a surface covered with a monomolecular film |
| US08/021,910 US5445886A (en) | 1988-07-04 | 1993-02-24 | Structure having a surface covered with a monomolecular film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166130A JPH0791565B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 超微粒子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215101A JPH0215101A (ja) | 1990-01-18 |
| JPH0791565B2 true JPH0791565B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=15825590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63166130A Expired - Lifetime JPH0791565B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 超微粒子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0791565B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69231787T2 (de) * | 1991-01-28 | 2001-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Medizinischer Artikel und Verfahren zu seiner Herstellung |
| CA2060294C (en) * | 1991-02-06 | 2000-01-18 | Kazufumi Ogawa | Chemically absorbed film and method of manufacturing the same |
| CN1054780C (zh) * | 1994-10-20 | 2000-07-26 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 金属表面活性剂相转移制包覆式超细粉体的方法 |
| JP4947509B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2012-06-06 | 三井金属鉱業株式会社 | ニッケルスラリー及びその製造方法並びに該ニッケルスラリーを用いたニッケルペースト又はニッケルインキ |
| JP5487460B2 (ja) * | 2007-03-31 | 2014-05-07 | 国立大学法人 香川大学 | シリコン微粒子とその製造方法およびそれらを用いた太陽電池とその製造方法 |
| JP7121173B1 (ja) * | 2021-07-19 | 2022-08-17 | 大陽日酸株式会社 | 複合銅ナノ粒子及び複合銅ナノ粒子の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5532206A (en) * | 1978-08-23 | 1980-03-06 | Tdk Corp | Memory unit |
| JPS60145301A (ja) * | 1984-01-06 | 1985-07-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 磁性粉末の表面処理方法 |
-
1988
- 1988-07-04 JP JP63166130A patent/JPH0791565B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0215101A (ja) | 1990-01-18 |
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Legal Events
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