JPH0786250A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPH0786250A JPH0786250A JP23127593A JP23127593A JPH0786250A JP H0786250 A JPH0786250 A JP H0786250A JP 23127593 A JP23127593 A JP 23127593A JP 23127593 A JP23127593 A JP 23127593A JP H0786250 A JPH0786250 A JP H0786250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pressure
- processing
- etching
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウエハ温度制御を容易にするとともに、電極構
造を簡素化する。 【構成】処理室6にガス11を導入してエッチング処理
圧力より高い圧力に制御された雰囲気中でウエハ1を試
料台21上に載置した後、ウエハを静電吸着して試料台
21上に固定し、その後、処理室6内の圧力を処理圧力
に制御し、ウエハ1のプラズマ処理を行う。
造を簡素化する。 【構成】処理室6にガス11を導入してエッチング処理
圧力より高い圧力に制御された雰囲気中でウエハ1を試
料台21上に載置した後、ウエハを静電吸着して試料台
21上に固定し、その後、処理室6内の圧力を処理圧力
に制御し、ウエハ1のプラズマ処理を行う。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理方法に係
り、特に、ウエハの温度を制御しながらプラズマ処理す
るのに好適なプラズマ処理方法に関する。
り、特に、ウエハの温度を制御しながらプラズマ処理す
るのに好適なプラズマ処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】第1の従来技術として、例えば、特公昭
56−53853号公報および特公昭57−44747
号公報等に記載のように、ウエハを試料台上に静電吸着
してプラズマにより処理することが知られている。ま
た、第2の従来技術として、特公平2−27778号公
報および特開平2−30128号公報等に記載のよう
に、ウエハを試料台上に載置しクランプにより機械的に
支持した状態で、ウエハ裏面にHeガスを導入して、ガ
スの熱伝導,自由対流または強制対流等を利用してウエ
ハを冷却しながら処理することが知られている。さら
に、第3の従来技術として、特開昭58−32410号
公報および特開昭60−115226号公報等に記載の
ように、ウエハを試料台上に静電吸着した後、ウエハ裏
面にHeガスを導入してガスの熱伝導,自由対流または
強制対流等を利用してウエハを冷却しながら処理するこ
とが知られている。
56−53853号公報および特公昭57−44747
号公報等に記載のように、ウエハを試料台上に静電吸着
してプラズマにより処理することが知られている。ま
た、第2の従来技術として、特公平2−27778号公
報および特開平2−30128号公報等に記載のよう
に、ウエハを試料台上に載置しクランプにより機械的に
支持した状態で、ウエハ裏面にHeガスを導入して、ガ
スの熱伝導,自由対流または強制対流等を利用してウエ
ハを冷却しながら処理することが知られている。さら
に、第3の従来技術として、特開昭58−32410号
公報および特開昭60−115226号公報等に記載の
ように、ウエハを試料台上に静電吸着した後、ウエハ裏
面にHeガスを導入してガスの熱伝導,自由対流または
強制対流等を利用してウエハを冷却しながら処理するこ
とが知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術を用いて
ウエハを連続して処理、例えば、エッチング処理する場
合、次のような解決すべき課題がある。第1の従来技術
では、ウエハと試料台との間の伝熱が固体と固体の接触
のみであるため、処理中のウエハを十分に冷却すること
が困難である。第2の従来技術では、第1の従来技術に
比べてウエハの冷却特性は優れているが、新たな問題と
してウエハの外周をクランプにより機械的に支持するた
めに、チッピングによる異物やクランプへのデポ物の付
着によって異物を生じ易く、低塵埃化の点で問題があ
る。第3の従来技術では、第2の従来技術に比べて低塵
埃化を図ることができる。しかしながら、第2、第3の
従来技術のようにウエハ裏面に冷却ガスを導入しながら
プラズマ処理する方法では、処理中のウエハ温度を制御
するために、冷却ガスの流量と排気量を交互に微調整し
て裏面圧力を制御する必要があり、制御が複雑になると
いう問題がある。また、試料台に冷却ガスを導入する手
段を設ける必要があり、構造が複雑になる。
ウエハを連続して処理、例えば、エッチング処理する場
合、次のような解決すべき課題がある。第1の従来技術
では、ウエハと試料台との間の伝熱が固体と固体の接触
のみであるため、処理中のウエハを十分に冷却すること
が困難である。第2の従来技術では、第1の従来技術に
比べてウエハの冷却特性は優れているが、新たな問題と
してウエハの外周をクランプにより機械的に支持するた
めに、チッピングによる異物やクランプへのデポ物の付
着によって異物を生じ易く、低塵埃化の点で問題があ
る。第3の従来技術では、第2の従来技術に比べて低塵
埃化を図ることができる。しかしながら、第2、第3の
従来技術のようにウエハ裏面に冷却ガスを導入しながら
プラズマ処理する方法では、処理中のウエハ温度を制御
するために、冷却ガスの流量と排気量を交互に微調整し
て裏面圧力を制御する必要があり、制御が複雑になると
いう問題がある。また、試料台に冷却ガスを導入する手
段を設ける必要があり、構造が複雑になる。
【0004】本発明の目的は、処理中のウエハの温度制
御を容易にでき、しかも構造を簡単にできるプラズマ処
理方法を提供することにある。
御を容易にでき、しかも構造を簡単にできるプラズマ処
理方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、処理室にガスを導入してエッチング処理圧力より高
い圧力に制御された雰囲気中でウエハを試料台上に載置
した後、ウエハを静電吸着して試料台上に固定する。そ
の後、処理室内の圧力を処理圧力に制御し、ウエハのプ
ラズマ処理を行う。
に、処理室にガスを導入してエッチング処理圧力より高
い圧力に制御された雰囲気中でウエハを試料台上に載置
した後、ウエハを静電吸着して試料台上に固定する。そ
の後、処理室内の圧力を処理圧力に制御し、ウエハのプ
ラズマ処理を行う。
【0006】
【作用】プラズマ処理圧力より高い圧力に制御された雰
囲気中でウエハを配置して静電吸着することにより、ウ
エハと試料台との間の空隙にも処理圧力より高い圧力の
ガスが封じ込められる。その後、処理室内の圧力をプラ
ズマ処理圧力に制御する。プラズマ処理の間は、ウエハ
と試料台との間に封じ込められたガスがウエハと試料台
間の表面粗さによる隙間を介して処理室内に洩れ、封じ
込められたガスの圧力は次第に低下するが、ウエハ配置
前の封じ込めの圧力または静電吸着力を調整することに
より、プラズマ処理中のウエハを冷却するのに十分なガ
ス圧に維持することが可能である。
囲気中でウエハを配置して静電吸着することにより、ウ
エハと試料台との間の空隙にも処理圧力より高い圧力の
ガスが封じ込められる。その後、処理室内の圧力をプラ
ズマ処理圧力に制御する。プラズマ処理の間は、ウエハ
と試料台との間に封じ込められたガスがウエハと試料台
間の表面粗さによる隙間を介して処理室内に洩れ、封じ
込められたガスの圧力は次第に低下するが、ウエハ配置
前の封じ込めの圧力または静電吸着力を調整することに
より、プラズマ処理中のウエハを冷却するのに十分なガ
ス圧に維持することが可能である。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし図5に
より説明する。この場合、プラズマ処理として、有磁場
マイクロ波エッチング装置を用いたエッチング処理を例
に説明する。
より説明する。この場合、プラズマ処理として、有磁場
マイクロ波エッチング装置を用いたエッチング処理を例
に説明する。
【0008】まず、有磁場マイクロ波エッチング装置の
全体について概要を図1および図4によって説明する。
図4によりウエハ処理の流れを説明する。ウエハ1は、
直進ア−ム2によりロ−ドカセット3から取り出され、
ロ−ドロック室4に搬入される。そして、ロ−ドロック
室4内に搬入されたウエハ1は真空雰囲気であるバッフ
ァ室5内をエッチング処理室6に向かって、旋回ア−ム
7により搬送され、エッチング処理室6に搬入される。
そして、後述する方法によりエッチング処理され、バッ
ファ室5、アンロ−ドロック室8を介して大気中に取り
出されアンロ−ドカセット9内に収納される。
全体について概要を図1および図4によって説明する。
図4によりウエハ処理の流れを説明する。ウエハ1は、
直進ア−ム2によりロ−ドカセット3から取り出され、
ロ−ドロック室4に搬入される。そして、ロ−ドロック
室4内に搬入されたウエハ1は真空雰囲気であるバッフ
ァ室5内をエッチング処理室6に向かって、旋回ア−ム
7により搬送され、エッチング処理室6に搬入される。
そして、後述する方法によりエッチング処理され、バッ
ファ室5、アンロ−ドロック室8を介して大気中に取り
出されアンロ−ドカセット9内に収納される。
【0009】次に、図1によりエッチング処理室6の構
成を説明する。ウエハ1のエッチング処理は、放電管1
0内に所定流量で導入したプロセスガス11を、マイク
ロ波12とソレノイドコイル13による磁場との相互作
用によりプラズマ14化し、さらに試料台である下部電
極15に高周波電源16より高周波電力を印加してウエ
ハ1に入射するイオンのエネルギ−を制御しながら行わ
れ、さらに下部電極15をサ−キュレ−タ17からの冷
媒18を循環させることにより温調して行われる。下部
電極15上には、Al製の電極19にAl2O3を減圧し
た雰囲気中で溶射して絶縁膜20を形成させて構成した
静電吸着電極21が固定してあり、さらに下部電極15
にはロ−パスフィルタ22およびスイッチ23を介して
直流電源24が接続してある。エッチング処理を行うた
めのウエハ1の支持は、下部電極15を上昇させてウエ
ハ押え25によりウエハ1外周を支持し、その後、前述
の方法によりエッチング処理室6内にプラズマ14を生
成させ、スイッチ23をオンして絶縁膜20の両端に直
流電圧を印加し、これにより生じる静電吸着力によって
支持される。
成を説明する。ウエハ1のエッチング処理は、放電管1
0内に所定流量で導入したプロセスガス11を、マイク
ロ波12とソレノイドコイル13による磁場との相互作
用によりプラズマ14化し、さらに試料台である下部電
極15に高周波電源16より高周波電力を印加してウエ
ハ1に入射するイオンのエネルギ−を制御しながら行わ
れ、さらに下部電極15をサ−キュレ−タ17からの冷
媒18を循環させることにより温調して行われる。下部
電極15上には、Al製の電極19にAl2O3を減圧し
た雰囲気中で溶射して絶縁膜20を形成させて構成した
静電吸着電極21が固定してあり、さらに下部電極15
にはロ−パスフィルタ22およびスイッチ23を介して
直流電源24が接続してある。エッチング処理を行うた
めのウエハ1の支持は、下部電極15を上昇させてウエ
ハ押え25によりウエハ1外周を支持し、その後、前述
の方法によりエッチング処理室6内にプラズマ14を生
成させ、スイッチ23をオンして絶縁膜20の両端に直
流電圧を印加し、これにより生じる静電吸着力によって
支持される。
【0010】次に、下部電極15、静電吸着電極21の
詳細構成について図2および図3により説明する。下部
電極15、静電吸着電極21には、ウエハ1の載置面の
中央部にウエハ1を搬送するための静電吸着電極21か
らウエハ1を持ち上げるウエハ押し上げピン26が、下
部電極15、静電吸着電極21に設けた孔27を貫通し
て設けられている。静電吸着電極21のウエハ1の載置
面には、孔27から放射状に延びる複数の溝28とこの
溝28を互いに連結する環状の溝29が形成されてい
る。これらの溝28、29は、深さが0.05〜0.1
mmで、幅が0.5〜1mmの大きさであり、これらは
超音波加工によって加工されている。また、ウエハ押し
上げピン26は一端をスライド軸受30により支持さ
れ、他端をOリング31により気密にシ−ルされてい
る。スライド軸受30の外周には、複数のすきま32が
設けてある。これによって、静電吸着電極21上にウエ
ハ1がないときは、静電吸着電極21上の溝28、29
からウエハ押し上げピン26と孔27の隙間に至る空間
はエッチング処理室6と連通状態となる。また、下部電
極15には、ウエハ押し上げピン26と孔27との隙間
の空間まで貫通する排気孔33が設けてある。排気孔3
3につながるバルブ34を開くこと、図4に示すバルブ
35を介してエッチング処理室6を排気する真空ポンプ
36によって排気できるようになっている。
詳細構成について図2および図3により説明する。下部
電極15、静電吸着電極21には、ウエハ1の載置面の
中央部にウエハ1を搬送するための静電吸着電極21か
らウエハ1を持ち上げるウエハ押し上げピン26が、下
部電極15、静電吸着電極21に設けた孔27を貫通し
て設けられている。静電吸着電極21のウエハ1の載置
面には、孔27から放射状に延びる複数の溝28とこの
溝28を互いに連結する環状の溝29が形成されてい
る。これらの溝28、29は、深さが0.05〜0.1
mmで、幅が0.5〜1mmの大きさであり、これらは
超音波加工によって加工されている。また、ウエハ押し
上げピン26は一端をスライド軸受30により支持さ
れ、他端をOリング31により気密にシ−ルされてい
る。スライド軸受30の外周には、複数のすきま32が
設けてある。これによって、静電吸着電極21上にウエ
ハ1がないときは、静電吸着電極21上の溝28、29
からウエハ押し上げピン26と孔27の隙間に至る空間
はエッチング処理室6と連通状態となる。また、下部電
極15には、ウエハ押し上げピン26と孔27との隙間
の空間まで貫通する排気孔33が設けてある。排気孔3
3につながるバルブ34を開くこと、図4に示すバルブ
35を介してエッチング処理室6を排気する真空ポンプ
36によって排気できるようになっている。
【0011】次に、上記のように構成した装置を用いて
のエッチング処理方法を図5により説明する。まず、エ
ッチング処理室6内にプロセスガス11を所定の流量で
導入しながら真空排気することにより、圧力を例えば約
10Torrに調節する。これにより、エッチング処理
室6と連通状態にある静電吸着電極21上の溝28、2
9からウエハ押し上げピン26と孔27の隙間に至る空
間の圧力も約10Torrとなる。
のエッチング処理方法を図5により説明する。まず、エ
ッチング処理室6内にプロセスガス11を所定の流量で
導入しながら真空排気することにより、圧力を例えば約
10Torrに調節する。これにより、エッチング処理
室6と連通状態にある静電吸着電極21上の溝28、2
9からウエハ押し上げピン26と孔27の隙間に至る空
間の圧力も約10Torrとなる。
【0012】この状態でウエハ1が旋回ア−ム7により
エッチング処理室6に搬送され、ウエハ押し上げピン2
6を上昇させてウエハ1を持ち上げた後、旋回ア−ム7
をロ−ドロック室4側に旋回し、再びウエハ押し上げピ
ン26を下降する。これによりウエハ1は静電吸着電極
21上に載置される。
エッチング処理室6に搬送され、ウエハ押し上げピン2
6を上昇させてウエハ1を持ち上げた後、旋回ア−ム7
をロ−ドロック室4側に旋回し、再びウエハ押し上げピ
ン26を下降する。これによりウエハ1は静電吸着電極
21上に載置される。
【0013】そして、下部電極15を上昇させてウエハ
1の外周をウエハ押え25により支持した状態で、マイ
クロ波12、ソレノイドコイル13をオンさせてプラズ
マ14を生成させる。その後、スイッチ23をオンして
ウエハ1を静電吸着電極21上に静電吸着させる。これ
により、静電吸着電極21上の溝28、29からウエハ
押し上げピン26と孔27との隙間に至る空間には、ガ
ス圧約10Torrのプロセスガス11が封じ込めら
れ、ウエハ1の裏面の圧力は約10Torrとなる。
1の外周をウエハ押え25により支持した状態で、マイ
クロ波12、ソレノイドコイル13をオンさせてプラズ
マ14を生成させる。その後、スイッチ23をオンして
ウエハ1を静電吸着電極21上に静電吸着させる。これ
により、静電吸着電極21上の溝28、29からウエハ
押し上げピン26と孔27との隙間に至る空間には、ガ
ス圧約10Torrのプロセスガス11が封じ込めら
れ、ウエハ1の裏面の圧力は約10Torrとなる。
【0014】次に、一旦、マイクロ波12およびソレノ
イドコイル13をオフしてプラズマ14を消滅させ、ス
イッチ23をオフして静電吸着用の電源を解放した後、
エッチング処理室6内からのプロセスガス11の排気が
増され、当初の圧力よりは低い圧力であるエッチング処
理圧力に調節される。この間、ウエハ1は残留吸着力に
より支持されたままとなる。静電吸着電極21上の溝2
8、29からウエハ押し上げピン26と孔27とのすき
まに至る空間に存在するプロセスガス11は、エッチン
グ処理室6内の圧力低下によりウエハ1の外周部裏面と
静電吸着電極21の外周部表面の表面粗さ程度の隙間か
らエッチング処理室6に漏洩する。この漏洩分を除いた
プロセスガス11がウエハ1の裏面側に封じ込められた
状態となる。
イドコイル13をオフしてプラズマ14を消滅させ、ス
イッチ23をオフして静電吸着用の電源を解放した後、
エッチング処理室6内からのプロセスガス11の排気が
増され、当初の圧力よりは低い圧力であるエッチング処
理圧力に調節される。この間、ウエハ1は残留吸着力に
より支持されたままとなる。静電吸着電極21上の溝2
8、29からウエハ押し上げピン26と孔27とのすき
まに至る空間に存在するプロセスガス11は、エッチン
グ処理室6内の圧力低下によりウエハ1の外周部裏面と
静電吸着電極21の外周部表面の表面粗さ程度の隙間か
らエッチング処理室6に漏洩する。この漏洩分を除いた
プロセスガス11がウエハ1の裏面側に封じ込められた
状態となる。
【0015】なお、上記の他に静電吸着電極21を双極
方式としてこの間もウエハ1を静電吸着することもでき
る。
方式としてこの間もウエハ1を静電吸着することもでき
る。
【0016】次に、マイクロ波12およびソレノイド1
3を再びオンしてプラズマ14を生成し、スイッチ23
をオンする。これにより、ウエハ1に静電吸着力が付与
され、静電吸着電極21上に支持された状態でエッチン
グ処理される。ウエハ1のエッチング処理中、静電吸着
電極21上の溝28、29からウエハ押し上げピン26
と孔27の隙間に至る空間に封じ込まれたプロセスガス
11は、エッチング処理室6内の圧力との差圧によりエ
ッチング処理室6内へ漏洩し、圧力は次第に低下する。
しかし、ウエハ1の温度を所定の温度に維持するのに必
要な圧力がエッチング処理中にも維持されるように、ウ
エハ1は最初から高めの圧力を保持させてあるので、問
題とはならない。
3を再びオンしてプラズマ14を生成し、スイッチ23
をオンする。これにより、ウエハ1に静電吸着力が付与
され、静電吸着電極21上に支持された状態でエッチン
グ処理される。ウエハ1のエッチング処理中、静電吸着
電極21上の溝28、29からウエハ押し上げピン26
と孔27の隙間に至る空間に封じ込まれたプロセスガス
11は、エッチング処理室6内の圧力との差圧によりエ
ッチング処理室6内へ漏洩し、圧力は次第に低下する。
しかし、ウエハ1の温度を所定の温度に維持するのに必
要な圧力がエッチング処理中にも維持されるように、ウ
エハ1は最初から高めの圧力を保持させてあるので、問
題とはならない。
【0017】その後、エッチング処理が終了するとバル
ブ34を開いて真空ポンプ36により、静電吸着電極2
1上の溝28、29からウエハ押し上げピン26と孔2
7のすきまに至る空間のプロセスガス11を排気した
後、マイクロ波12およびソレノイドコイル13をオフ
してプラズマ14を消滅させ、スイッチ23をオフして
ウエハ1の静電吸着を解放する。そして、下部電極15
を下降してウエハ押え25によるウエハ1の支持を解放
する。
ブ34を開いて真空ポンプ36により、静電吸着電極2
1上の溝28、29からウエハ押し上げピン26と孔2
7のすきまに至る空間のプロセスガス11を排気した
後、マイクロ波12およびソレノイドコイル13をオフ
してプラズマ14を消滅させ、スイッチ23をオフして
ウエハ1の静電吸着を解放する。そして、下部電極15
を下降してウエハ押え25によるウエハ1の支持を解放
する。
【0018】次に、本エッチング方法におけるエッチン
グ処理中のウエハ1の温度変化について、実験により検
討を行った結果を表1に示す。
グ処理中のウエハ1の温度変化について、実験により検
討を行った結果を表1に示す。
【0019】
【表1】
【0020】この結果より、ウエハ1のそり量が約5μ
mと小さい場合では、静電吸着電極21への印加電圧を
−300V以上とした場合、エッチング処理中のウエハ
1の温度変化は約1℃以内であリ、良好な結果が得られ
た。また、ウエハ1のそり量が約30μmとさらに大き
い場合では、印加電圧−300Vではエッチング処理中
のウエハ1の温度変化が約2.7℃と大きくなったが、
印加電圧を−600Vまで高くして吸着力を増加させる
ことにより、温度変化を1℃以内に抑えることができ、
良好な結果が得られた。なお、このときのウエハ1への
入熱量は約120W/6インチであった。
mと小さい場合では、静電吸着電極21への印加電圧を
−300V以上とした場合、エッチング処理中のウエハ
1の温度変化は約1℃以内であリ、良好な結果が得られ
た。また、ウエハ1のそり量が約30μmとさらに大き
い場合では、印加電圧−300Vではエッチング処理中
のウエハ1の温度変化が約2.7℃と大きくなったが、
印加電圧を−600Vまで高くして吸着力を増加させる
ことにより、温度変化を1℃以内に抑えることができ、
良好な結果が得られた。なお、このときのウエハ1への
入熱量は約120W/6インチであった。
【0021】また、ウエハ1の処理温度はウエハ1を配
置して静電吸着したときのウエハ1裏面の圧力を変化さ
せたり、エッチング処理開始時のウエハ1裏面圧力を変
化させることにより設定でき、連続処理時のウエハ毎の
温度の再現性は、排気孔33とバルブ34の間に圧力計
を設け、エッチング開始時の圧力を一定値に制御するこ
とにより得られる。
置して静電吸着したときのウエハ1裏面の圧力を変化さ
せたり、エッチング処理開始時のウエハ1裏面圧力を変
化させることにより設定でき、連続処理時のウエハ毎の
温度の再現性は、排気孔33とバルブ34の間に圧力計
を設け、エッチング開始時の圧力を一定値に制御するこ
とにより得られる。
【0022】また、静電吸着電極21上の溝28、29
からウエハ押し上げピン26と孔27の隙間に至る空間
へ封じ込めるガスとしてプロセスガス11の他にHeガ
ス等のプロセスガス以外のガスを使用しても良い。この
場合、ウエハ1を配置する前にエッチング処理室6内に
Heガス等を導入し、ウエハを配置して静電吸着が完了
した時点で、Heガス等の封じ込めガスに替えてプロセ
スガス11をエッチング処理室6内に導入し、所定の処
理圧力に制御してエッチング処理を行う。
からウエハ押し上げピン26と孔27の隙間に至る空間
へ封じ込めるガスとしてプロセスガス11の他にHeガ
ス等のプロセスガス以外のガスを使用しても良い。この
場合、ウエハ1を配置する前にエッチング処理室6内に
Heガス等を導入し、ウエハを配置して静電吸着が完了
した時点で、Heガス等の封じ込めガスに替えてプロセ
スガス11をエッチング処理室6内に導入し、所定の処
理圧力に制御してエッチング処理を行う。
【0023】以上、本実施例によれば、処理室にガスを
導入してエッチング処理圧力より高い圧力に制御された
雰囲気中でウエハを試料台上に載置した後、ウエハを静
電吸着して試料台上に固定し、その後、処理室内の圧力
を処理圧力に制御してウエハのプラズマ処理を行うよう
にすることにより、ウエハと試料台との間にプラズマ処
理中のウエハを冷却するのに十分な圧力のガスを保持す
ることが可能となり、処理中のウエハの温度制御を容易
にできるとともに、しかも従来のようなウエハと試料台
との間に冷却ガスを供給するための機構を必要としない
ので、装置の構造を簡単にできる。
導入してエッチング処理圧力より高い圧力に制御された
雰囲気中でウエハを試料台上に載置した後、ウエハを静
電吸着して試料台上に固定し、その後、処理室内の圧力
を処理圧力に制御してウエハのプラズマ処理を行うよう
にすることにより、ウエハと試料台との間にプラズマ処
理中のウエハを冷却するのに十分な圧力のガスを保持す
ることが可能となり、処理中のウエハの温度制御を容易
にできるとともに、しかも従来のようなウエハと試料台
との間に冷却ガスを供給するための機構を必要としない
ので、装置の構造を簡単にできる。
【0024】
【発明の効果】本発明によればウエハの温度制御を容易
にでき、しかも構造を簡単にできるという効果がある。
にでき、しかも構造を簡単にできるという効果がある。
【図1】本発明のプラズマ処理方法を実施するための装
置のエッチング処理室部の一実施例を示す縦断面図であ
る。
置のエッチング処理室部の一実施例を示す縦断面図であ
る。
【図2】図1のエッチング処理室部のウエハ配置部の詳
細を示す縦断面図である。
細を示す縦断面図である。
【図3】図2の詳細を示す部分断面図である。
【図4】本発明のプラズマ処理方法を実施するためのプ
ラズマ処理装置の一実施例であるエッチング装置の全体
構成を示す平面図である。
ラズマ処理装置の一実施例であるエッチング装置の全体
構成を示す平面図である。
【図5】本発明のプラズマ処理方法の一実施例であるエ
ッチング処理方法を示すタイムチャート図である。
ッチング処理方法を示すタイムチャート図である。
1…ウエハ、11…プロセスガス、15…下部電極、1
6…高周波電源、20…絶縁膜、21…静電吸着電極、
22…ロ−パスフィルタ、23…スイッチ、24…直流
電源、25…ウエハ押え、26…ウエハ押し上げピン、
27…孔、28,29…溝、30…スライド軸受、31
…Oリング、33…排気孔、34…バルブ、36…真空
ポンプ。
6…高周波電源、20…絶縁膜、21…静電吸着電極、
22…ロ−パスフィルタ、23…スイッチ、24…直流
電源、25…ウエハ押え、26…ウエハ押し上げピン、
27…孔、28,29…溝、30…スライド軸受、31
…Oリング、33…排気孔、34…バルブ、36…真空
ポンプ。
Claims (1)
- 【請求項1】処理圧力より高い圧力の処理室系内で試料
台上にウエハを載置する工程と、前記試料台上に前記ウ
エハを静電吸着した後、前記処理室内を所定の圧力に制
御する工程と、前記所定圧力で前記ウエハをプラズマ処
理する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23127593A JP2882254B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23127593A JP2882254B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0786250A true JPH0786250A (ja) | 1995-03-31 |
JP2882254B2 JP2882254B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=16921055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23127593A Expired - Lifetime JP2882254B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2882254B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008294042A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Tokyo Electron Ltd | 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置 |
WO2014049915A1 (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | シャープ株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法、半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP23127593A patent/JP2882254B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008294042A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Tokyo Electron Ltd | 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置 |
TWI485803B (zh) * | 2007-05-22 | 2015-05-21 | Tokyo Electron Ltd | And the use of the plasma processing device |
WO2014049915A1 (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-03 | シャープ株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法、半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2882254B2 (ja) | 1999-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7454976B2 (ja) | 基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法 | |
US5997962A (en) | Plasma process utilizing an electrostatic chuck | |
US6057244A (en) | Method for improved sputter etch processing | |
US5423918A (en) | Method for reducing particulate contamination during plasma processing of semiconductor devices | |
JP4255747B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2001077088A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH09326385A (ja) | 基板冷却方法 | |
JPH098014A (ja) | プラズマ成膜方法及びその装置 | |
US20080242086A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
JP2879887B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
CN113614274A (zh) | 用于沉积具有超导膜的多层器件的方法及装置 | |
CN113614275B (zh) | 用于沉积金属氮化物的方法及装置 | |
JP2869384B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JPH0786247A (ja) | 減圧雰囲気内における被処理物の処理方法及び処理装置 | |
JP4060941B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JPH0786250A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2020205382A (ja) | 基板処理装置、基板処理システム及び基板搬送方法 | |
JP3162272B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2010267708A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 | |
JP7409976B2 (ja) | プラズマ処理システム、プラズマ処理装置及びエッジリングの交換方法 | |
JPH0786382A (ja) | 基板保持方法及び基板保持装置 | |
KR100319468B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
JP4443818B2 (ja) | プラズマドーピング方法 | |
JPH05152425A (ja) | 処理装置およびスパツタリング装置 | |
JPH07183280A (ja) | プラズマ処理装置 |