JPH0786181A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPH0786181A JPH0786181A JP22936493A JP22936493A JPH0786181A JP H0786181 A JPH0786181 A JP H0786181A JP 22936493 A JP22936493 A JP 22936493A JP 22936493 A JP22936493 A JP 22936493A JP H0786181 A JPH0786181 A JP H0786181A
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- Japan
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- wafer
- holder
- suction port
- conductor
- wafer holder
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜装置に関し，ウエハの保持具への脱着性
と密着性の両方を同時に向上させることにより，異常放
電を防止して膜厚分布を良くする。 【構成】 １）ウエハを載置し且つ電力を印加するウエ
ハ保持具 1を有し, ウエハ保持具は中空の導電体で形成
され，ウエハの当たる位置にウエハの周縁に沿った溝状
の吸引孔 5が形成され，且つ中空部を真空吸引する吸引
口 4が設けられている, ２）ウエハ保持具 1は成膜装置
内で垂直に保持され，真空吸引しないときに該ウエハを
保持するための切り込みを有するピン 3が設けられ，切
り込みの幅がウエハの厚さより大きい, ３）ウエハ保持
具 1が間隔をおいて複数個並べて配置され，且つ１つお
きに前記吸引口 4を介して第１通電導体 7に接続され，
残りのウエハ保持具は該吸引口を介して第２通電導電体
8に接続され，両方の通電導体間に電力を印加し，且つ
両方の該通電導体を介して前記中空部を排気する。
と密着性の両方を同時に向上させることにより，異常放
電を防止して膜厚分布を良くする。 【構成】 １）ウエハを載置し且つ電力を印加するウエ
ハ保持具 1を有し, ウエハ保持具は中空の導電体で形成
され，ウエハの当たる位置にウエハの周縁に沿った溝状
の吸引孔 5が形成され，且つ中空部を真空吸引する吸引
口 4が設けられている, ２）ウエハ保持具 1は成膜装置
内で垂直に保持され，真空吸引しないときに該ウエハを
保持するための切り込みを有するピン 3が設けられ，切
り込みの幅がウエハの厚さより大きい, ３）ウエハ保持
具 1が間隔をおいて複数個並べて配置され，且つ１つお
きに前記吸引口 4を介して第１通電導体 7に接続され，
残りのウエハ保持具は該吸引口を介して第２通電導電体
8に接続され，両方の通電導体間に電力を印加し，且つ
両方の該通電導体を介して前記中空部を排気する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は成膜装置に係り，特にプ
ラズマ気相成長(CVD) 装置のウエハ保持具に関する。
ラズマ気相成長(CVD) 装置のウエハ保持具に関する。
【０００２】半導体装置の製造工程においては，成膜装
置としてプラズマを利用した気相成長装置が多く用いら
れている。この装置においては，ウエハとそれを載置す
る電極との密着性が悪いと, 異常放電が起こり膜厚分布
に悪影響を与える。そのため，密着性を良くすることが
必要である。
置としてプラズマを利用した気相成長装置が多く用いら
れている。この装置においては，ウエハとそれを載置す
る電極との密着性が悪いと, 異常放電が起こり膜厚分布
に悪影響を与える。そのため，密着性を良くすることが
必要である。
【０００３】
【従来の技術】従来のプラズマCVD 装置では，ウエハと
電極を密着させるため, ピン (爪) 等でウエハを保持し
て密着させていた。
電極を密着させるため, ピン (爪) 等でウエハを保持し
て密着させていた。
【０００４】図５(A),(B) は従来例によるウエハの保持
具の説明図である。図において， 1はウエハを保持する
電極, 2はウエハ, 3はピンである。この例では, 電極
の両面にウエハを垂直にしてピン 3により保持してい
る。
具の説明図である。図において， 1はウエハを保持する
電極, 2はウエハ, 3はピンである。この例では, 電極
の両面にウエハを垂直にしてピン 3により保持してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図６(A),(B) は従来例
の問題点の説明図である。図６(A) に示されるようにピ
ン３のテーパ角が大きいと，ウエハの密着性は良くなる
が，ウエハの脱着性は悪くなる。また，反対に図６(B)
に示されるようにピン３のテーパ角が小さいと，ウエハ
の脱着性は良くなるが，ウエハの密着性は悪くなり，プ
ラズマ中で異常放電が起こる。
の問題点の説明図である。図６(A) に示されるようにピ
ン３のテーパ角が大きいと，ウエハの密着性は良くなる
が，ウエハの脱着性は悪くなる。また，反対に図６(B)
に示されるようにピン３のテーパ角が小さいと，ウエハ
の脱着性は良くなるが，ウエハの密着性は悪くなり，プ
ラズマ中で異常放電が起こる。
【０００６】本発明は従来例の欠点を改善し，ウエハの
保持具への脱着性と密着性の両方を同時に向上させるこ
とにより，異常放電を防止して膜厚分布を良くすること
を目的とする。
保持具への脱着性と密着性の両方を同時に向上させるこ
とにより，異常放電を防止して膜厚分布を良くすること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）ウエハを載置し且つ電力を印加するウエハ保持具 1
を有し, 該ウエハ保持具は中空の導電体で形成され，該
ウエハの当たる位置に該ウエハの周縁に沿った溝状の吸
引孔 5が形成され，且つ該中空部を真空吸引する吸引口
4が設けられている成膜装置，あるいは ２）前記ウエハ保持具 1は成膜装置内で垂直に保持さ
れ，真空吸引しないときに該ウエハを保持するための切
り込みを有するピン 3が設けられ，該切り込みの幅がウ
エハの厚さより大きい前記１）記載の成膜装置，あるい
は ３）前記ウエハ保持具 1がその主面を対向させ間隔をお
いて複数個並べて配置され，且つ１つおきに前記吸引口
4を介して第１の通電導体 7に接続され，残りのウエハ
保持具は該吸引口を介して第２の通電導電体 8に接続さ
れ，該第１の通電導体と該第２の通電導体との間に電力
を印加し，且つ両方の該通電導体を介して前記中空部を
排気できるように構成されていることを特徴とする前記
１）または２）記載の成膜装置により達成される。
を有し, 該ウエハ保持具は中空の導電体で形成され，該
ウエハの当たる位置に該ウエハの周縁に沿った溝状の吸
引孔 5が形成され，且つ該中空部を真空吸引する吸引口
4が設けられている成膜装置，あるいは ２）前記ウエハ保持具 1は成膜装置内で垂直に保持さ
れ，真空吸引しないときに該ウエハを保持するための切
り込みを有するピン 3が設けられ，該切り込みの幅がウ
エハの厚さより大きい前記１）記載の成膜装置，あるい
は ３）前記ウエハ保持具 1がその主面を対向させ間隔をお
いて複数個並べて配置され，且つ１つおきに前記吸引口
4を介して第１の通電導体 7に接続され，残りのウエハ
保持具は該吸引口を介して第２の通電導電体 8に接続さ
れ，該第１の通電導体と該第２の通電導体との間に電力
を印加し，且つ両方の該通電導体を介して前記中空部を
排気できるように構成されていることを特徴とする前記
１）または２）記載の成膜装置により達成される。
【０００８】
【作用】図１(A),(B) は本発明の原理説明図である。図
１(A) は斜視図，図１(B) はピンの側面図， 1はウエハ
保持具, 2はウエハ, 3はウエハ保持用のピン， 4は吸
引口, 5はウエハ吸引口である。
１(A) は斜視図，図１(B) はピンの側面図， 1はウエハ
保持具, 2はウエハ, 3はウエハ保持用のピン， 4は吸
引口, 5はウエハ吸引口である。
【０００９】本発明の保持具 1は内部が中空でウエハが
当たる部分に吸引孔が設けられ, 吸引口 4より真空吸引
してウエハ 2を保持具 1に密着できる。ピンの断面は図
１(B) に示されるように, テーパ形状ではなく, 寸法上
の余裕をもってウエハを脱着できるよになっている。
当たる部分に吸引孔が設けられ, 吸引口 4より真空吸引
してウエハ 2を保持具 1に密着できる。ピンの断面は図
１(B) に示されるように, テーパ形状ではなく, 寸法上
の余裕をもってウエハを脱着できるよになっている。
【００１０】この保持具を用いて成膜を行う際は次のよ
うにする。ウエハを装置内に挿入するときは, ウエハは
ピン 3で保持されて落下を防ぎ, 所定位置に入ってから
真空吸引して, ウエハを保持具に密着させた後成膜す
る。
うにする。ウエハを装置内に挿入するときは, ウエハは
ピン 3で保持されて落下を防ぎ, 所定位置に入ってから
真空吸引して, ウエハを保持具に密着させた後成膜す
る。
【００１１】この結果，密着性は向上して異常放電は発
生しない。大気圧の下で処理する際は, 吸引する真空圧
が低すぎるとウエハが変形するという問題があるが, プ
ラズマ処理のときは減圧 ( 1 Torr 程度) 下で処理する
ため，保持具内の真空圧が低くてもウエハは変形しな
い。
生しない。大気圧の下で処理する際は, 吸引する真空圧
が低すぎるとウエハが変形するという問題があるが, プ
ラズマ処理のときは減圧 ( 1 Torr 程度) 下で処理する
ため，保持具内の真空圧が低くてもウエハは変形しな
い。
【００１２】
【実施例】図２(A),(B) は本発明の実施例(1) の説明図
である。この例は, 複数のウエハをまとめて処理するバ
ッチ式のプラズマCVD 装置である。
である。この例は, 複数のウエハをまとめて処理するバ
ッチ式のプラズマCVD 装置である。
【００１３】図２(A) は斜視図，図２(B) は側面図， 1
はカーボン等からなる中空のウエハ保持具, 3はウエハ
保持用のピン， 4は吸引口， 5はウエハ保持具に開けら
れた吸引孔でウエハの周縁部を吸引するように円周状に
形成される, 6はセラミック等絶縁体からなるウエハ保
持具のスペーサ, 7, 8 は保持具に吸着口 4を介して接
続され，その内部に真空吸引路が形成され且つウエハ保
持具に電力供給を行う通電導体である。
はカーボン等からなる中空のウエハ保持具, 3はウエハ
保持用のピン， 4は吸引口， 5はウエハ保持具に開けら
れた吸引孔でウエハの周縁部を吸引するように円周状に
形成される, 6はセラミック等絶縁体からなるウエハ保
持具のスペーサ, 7, 8 は保持具に吸着口 4を介して接
続され，その内部に真空吸引路が形成され且つウエハ保
持具に電力供給を行う通電導体である。
【００１４】通電導体 7, 8 にはウエハの保持具が１つ
おきに接続され，この間にRF電力を印加すると隣接する
ウエハ保持具間にプラズマが発生する。この実施例は,
円板状のウエハ保持具を複数枚並べて保持するディスク
ボートタイプについて説明したが, 図３に示すプレート
タイプでも図２と同様に本発明を適用できる。
おきに接続され，この間にRF電力を印加すると隣接する
ウエハ保持具間にプラズマが発生する。この実施例は,
円板状のウエハ保持具を複数枚並べて保持するディスク
ボートタイプについて説明したが, 図３に示すプレート
タイプでも図２と同様に本発明を適用できる。
【００１５】図３は本発明の実施例(2) の説明図であ
る。図において，ウエハ保持具 1はプレート状をしてお
り，ここに複数枚のウエハをピンと真空吸引により保持
し，ウエハ保持具を対向させて複数枚並べて, 図２で説
明したようにしてウエハ保持具間にプラズマを発生させ
る。
る。図において，ウエハ保持具 1はプレート状をしてお
り，ここに複数枚のウエハをピンと真空吸引により保持
し，ウエハ保持具を対向させて複数枚並べて, 図２で説
明したようにしてウエハ保持具間にプラズマを発生させ
る。
【００１６】通常, バッチタイプの装置では処理室とし
て石英管を使っているが, ウエハの面内分布を良くする
ため，ウエハを対向させて複数枚垂直方向に並べて装填
した縦型炉では処理中にウエハを回転させている。しか
し，実施例のような横型炉ではウエハが落下するため,
従来は回転ができなかったが, 本発明のようにプレート
の内部を真空にしてウエハを吸着しているので, 回転は
可能となる。
て石英管を使っているが, ウエハの面内分布を良くする
ため，ウエハを対向させて複数枚垂直方向に並べて装填
した縦型炉では処理中にウエハを回転させている。しか
し，実施例のような横型炉ではウエハが落下するため,
従来は回転ができなかったが, 本発明のようにプレート
の内部を真空にしてウエハを吸着しているので, 回転は
可能となる。
【００１７】図４(A) 〜(C) は本発明の実施例(3）の説
明図である。この例は枚葉式のプラズマCVD 装置に本発
明を適用した例である。この場合は，ウエハ 2は水平に
置かれるためウエハ保持ピンは不要である。
明図である。この例は枚葉式のプラズマCVD 装置に本発
明を適用した例である。この場合は，ウエハ 2は水平に
置かれるためウエハ保持ピンは不要である。
【００１８】図４(A) は装置の断面図で，ウエハ 2は処
理室 9内の電極 1上に置かれ, 電極1と対向電極10との
間にRF電力が印加されてプラズマを発生する。ウエハを
載置する電極（ウエハ保持具） 1は, 図４(B) 示される
ようにウエハの周縁に沿った円周状の吸引孔 5が開けら
れている。図４(C) は円周状の吸引孔 5に追加してその
内部に吸引孔5Aを設けた例である。
理室 9内の電極 1上に置かれ, 電極1と対向電極10との
間にRF電力が印加されてプラズマを発生する。ウエハを
載置する電極（ウエハ保持具） 1は, 図４(B) 示される
ようにウエハの周縁に沿った円周状の吸引孔 5が開けら
れている。図４(C) は円周状の吸引孔 5に追加してその
内部に吸引孔5Aを設けた例である。
【００１９】真空球威の際に，ウエハと電極との間に少
しでも隙間があると，そこからウエハ裏面にガスが回り
込み膜を形成して，他の工程に悪影響を与える。そこ
で，実施例では通常用いられる丸孔の吸引孔の代わり
に，円周状に開けられた吸引孔 5を用いてガスの回り込
みを抑制している。
しでも隙間があると，そこからウエハ裏面にガスが回り
込み膜を形成して，他の工程に悪影響を与える。そこ
で，実施例では通常用いられる丸孔の吸引孔の代わり
に，円周状に開けられた吸引孔 5を用いてガスの回り込
みを抑制している。
【００２０】ここで，電極 1は外周と内側に分離されて
いるが, 同電位に保たれるためプラズマの発生には影響
を与えない。
いるが, 同電位に保たれるためプラズマの発生には影響
を与えない。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば，ウエハ保持具への脱着
性と密着性の両方を同時に向上させることができ，プラ
ズマCVD 装置の異常放電を防止してウエハ内及びウエハ
間の膜厚分布を良くすることができた。
性と密着性の両方を同時に向上させることができ，プラ
ズマCVD 装置の異常放電を防止してウエハ内及びウエハ
間の膜厚分布を良くすることができた。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施例(1) の説明図
【図３】 本発明の実施例(2) の説明図
【図４】 本発明の実施例(3）の説明図
【図５】 従来例によるウエハの保持具の説明図
【図６】 従来例の問題点の説明図
1 ウエハ保持具 2 ウエハ 3 ウエハ保持用のピン 4 吸引口 5 ウエハ保持具に開けられた溝状の吸引孔 6 絶縁体からなるウエハ保持具のスペーサ 7 第１の通電導体 8 第２の通電導体 9 処理室 10 対向電極
Claims (3)
- 【請求項１】 ウエハを載置し且つ電力を印加するウエ
ハ保持具(1) を有し, 該ウエハ保持具は中空の導電体で
形成され，該ウエハの当たる位置に該ウエハの周縁に沿
った溝状の吸引孔(5) が形成され，且つ該中空部を真空
吸引する吸引口(4）が設けられていることを特徴とする
成膜装置。 - 【請求項２】 前記ウエハ保持具(1) は成膜装置内で垂
直に保持され，真空吸引しないときに該ウエハを保持す
るための切り込みを有するピン(3）が設けられ，該切り
込みの幅がウエハの厚さより大きいことを特徴とする請
求項１記載の成膜装置。 - 【請求項３】 前記ウエハ保持具(1) が対向して間隔を
おいて複数個並べて配置され，且つ１つおきに前記吸引
口(4）を介して第１の通電導体 (7) に接続され，残り
のウエハ保持具は該吸引口を介して第２の通電導電体
(8) に接続され，該第１の通電導体と該第２の通電導体
との間に電力を印加し，且つ両方の該通電導体を介して
前記中空部を排気できるように構成されていることを特
徴とする請求項１または請求項２記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22936493A JP3214182B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22936493A JP3214182B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786181A true JPH0786181A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3214182B2 JP3214182B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=16891015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22936493A Expired - Fee Related JP3214182B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3214182B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104867846A (zh) * | 2014-02-26 | 2015-08-26 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 晶圆加工装置 |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP22936493A patent/JP3214182B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104867846A (zh) * | 2014-02-26 | 2015-08-26 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 晶圆加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3214182B2 (ja) | 2001-10-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010626 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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