JPH0777594A - 高速増殖炉用制御棒 - Google Patents
高速増殖炉用制御棒Info
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- JPH0777594A JPH0777594A JP5223061A JP22306193A JPH0777594A JP H0777594 A JPH0777594 A JP H0777594A JP 5223061 A JP5223061 A JP 5223061A JP 22306193 A JP22306193 A JP 22306193A JP H0777594 A JPH0777594 A JP H0777594A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- control rod
- boride
- oxide
- thermal conductivity
- fast breeder
- Prior art date
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 出力調整用の高速増殖炉用制御棒において、
ボロン・カーバイドペレットのスエリングを軽減させ、
被覆管とボロン・カーバイドペレットとの機械的相互作
用を防ぐことを可能にする。 【構成】 一実施例の高速増殖炉用制御棒ピン１におけ
る被覆管２内に、ボロン・カーバイドに２ｗｔ％の酸化
珪素（ＳｉＯ2）を添加したボロン・カーバイドペレッ
トである、低熱伝導率物質を添加したボロン・カーバイ
ドペレット３を装填してある。
ボロン・カーバイドペレットのスエリングを軽減させ、
被覆管とボロン・カーバイドペレットとの機械的相互作
用を防ぐことを可能にする。 【構成】 一実施例の高速増殖炉用制御棒ピン１におけ
る被覆管２内に、ボロン・カーバイドに２ｗｔ％の酸化
珪素（ＳｉＯ2）を添加したボロン・カーバイドペレッ
トである、低熱伝導率物質を添加したボロン・カーバイ
ドペレット３を装填してある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、出力調整用の高速増殖
炉用制御棒に関する。
炉用制御棒に関する。
【０００２】
【従来の技術】高速増殖炉用制御棒には安全棒及び調整
棒があり、安全棒は原子炉の運転停止用として原子炉の
スクラム時に炉心内に挿入され、調整棒は原子炉の出力
調整用として炉心に対して挿入・引き抜きが行われる構
成になっている。また、高速増殖炉用制御棒は制御棒保
護管を有し、制御棒保護管内には、中性子吸収材ペレッ
トを装填した制御棒ピンが収納されている。本発明は、
この制御棒ピンを改良した高速増殖炉用制御棒に関する
ものである。
棒があり、安全棒は原子炉の運転停止用として原子炉の
スクラム時に炉心内に挿入され、調整棒は原子炉の出力
調整用として炉心に対して挿入・引き抜きが行われる構
成になっている。また、高速増殖炉用制御棒は制御棒保
護管を有し、制御棒保護管内には、中性子吸収材ペレッ
トを装填した制御棒ピンが収納されている。本発明は、
この制御棒ピンを改良した高速増殖炉用制御棒に関する
ものである。
【０００３】本発明に関連する従来技術を図２を用いて
説明する。図２は従来の高速増殖炉用制御棒ピンの縦断
面図である。
説明する。図２は従来の高速増殖炉用制御棒ピンの縦断
面図である。
【０００４】すなわち、従来の高速増殖炉用制御棒ピン
（以下、制御棒ピンと略称）８は、ステンレス鋼製の被
覆管２内に、中性子吸収材であるボロン・カーバイド(Ｂ
4Ｃ)を装荷したボロン・カーバイドペレット〔以下、Ｂ4
Ｃペレットと略称〕９を複数個積層させたものである。
（以下、制御棒ピンと略称）８は、ステンレス鋼製の被
覆管２内に、中性子吸収材であるボロン・カーバイド(Ｂ
4Ｃ)を装荷したボロン・カーバイドペレット〔以下、Ｂ4
Ｃペレットと略称〕９を複数個積層させたものである。
【０００５】Ｂ4Ｃペレット９の上下両端はスプリング
４により弾性支持され、制御棒ピン８の上下両端には端
栓５が設けられている。また、制御棒ピン８内には、Ｂ
4Ｃペレット９のボロンＢ10の（ｎ、α）反応により生
じたヘリウム(Ｈｅ)ガスを一旦保持しておくための、ガ
ス・プレナム部６が設けられている。
４により弾性支持され、制御棒ピン８の上下両端には端
栓５が設けられている。また、制御棒ピン８内には、Ｂ
4Ｃペレット９のボロンＢ10の（ｎ、α）反応により生
じたヘリウム(Ｈｅ)ガスを一旦保持しておくための、ガ
ス・プレナム部６が設けられている。
【０００６】このヘリウムガスは、その圧力が制御棒ピ
ン８の外を流れるナトリウム冷却材の圧力よりも高くな
った場合に、ベント機構部７を通って制御棒ピン８外の
ナトリウム冷却材(図示せず)内に放出されるようになっ
ている。
ン８の外を流れるナトリウム冷却材の圧力よりも高くな
った場合に、ベント機構部７を通って制御棒ピン８外の
ナトリウム冷却材(図示せず)内に放出されるようになっ
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】出力調整用の高速増殖
炉用制御棒は、原子炉の運転中、出力調整のために炉心
内に挿入されており、この制御棒における制御棒ピン内
には上述したようなＢ4Ｃペレットが複数個装填されて
いる。この場合、ボロンＢ10の（ｎ、α）反応によりヘ
リウムガスが発生し、しかも１回の（ｎ、α）反応につ
いて約２８ＭｅＶの発熱量を伴う。
炉用制御棒は、原子炉の運転中、出力調整のために炉心
内に挿入されており、この制御棒における制御棒ピン内
には上述したようなＢ4Ｃペレットが複数個装填されて
いる。この場合、ボロンＢ10の（ｎ、α）反応によりヘ
リウムガスが発生し、しかも１回の（ｎ、α）反応につ
いて約２８ＭｅＶの発熱量を伴う。
【０００８】この反応はＢ4Ｃペレット全体で起こるた
め、Ｂ4Ｃペレット内には、中心部が高く周辺部が低い
温度分布が生じ、Ｂ4Ｃペレットの周辺部に引張応力が
発生する。そして、この引張応力がＢ4Ｃペレットの破
壊応力を超えた場合には、Ｂ4Ｃペレットに割れが発生
し、その際に、Ｂ4Ｃペレットの破片がリロケーション
（飛散・再配置）する。
め、Ｂ4Ｃペレット内には、中心部が高く周辺部が低い
温度分布が生じ、Ｂ4Ｃペレットの周辺部に引張応力が
発生する。そして、この引張応力がＢ4Ｃペレットの破
壊応力を超えた場合には、Ｂ4Ｃペレットに割れが発生
し、その際に、Ｂ4Ｃペレットの破片がリロケーション
（飛散・再配置）する。
【０００９】このＢ4Ｃペレットのリロケーションによ
り、ステンレス鋼製被覆管とＢ4Ｃペレットとの間のギ
ャップ幅は狭まり、Ｂ4Ｃペレットとステンレス鋼製の
被覆管とは部分的に接触する。
り、ステンレス鋼製被覆管とＢ4Ｃペレットとの間のギ
ャップ幅は狭まり、Ｂ4Ｃペレットとステンレス鋼製の
被覆管とは部分的に接触する。
【００１０】このような状態で出力調整用の高速増殖炉
用制御棒を使用した場合、Ｂ4Ｃペレット内のボロンＢ
10の（ｎ、α）反応により、ヘリウムガスがＢ4Ｃペレ
ット内で次々に作られて行く。
用制御棒を使用した場合、Ｂ4Ｃペレット内のボロンＢ
10の（ｎ、α）反応により、ヘリウムガスがＢ4Ｃペレ
ット内で次々に作られて行く。
【００１１】この場合、このヘリウムガスの一部はＢ4
Ｃペレットから放出されガス・プレナム部に溜められる
が、残ったヘリウムガスはＢ4Ｃペレット内に閉じ込め
られる。
Ｃペレットから放出されガス・プレナム部に溜められる
が、残ったヘリウムガスはＢ4Ｃペレット内に閉じ込め
られる。
【００１２】このため、ボロンＢ10の（ｎ、α）反応に
よる燃焼が継続された場合には、ヘリウムガスがＢ4Ｃ
ペレット内に溜っていき、このヘリウムガスにより、Ｂ
4Ｃペレットにスエリング（ヘリウムガスによるＢ4Ｃペ
レットのガス膨張）が生じる。
よる燃焼が継続された場合には、ヘリウムガスがＢ4Ｃ
ペレット内に溜っていき、このヘリウムガスにより、Ｂ
4Ｃペレットにスエリング（ヘリウムガスによるＢ4Ｃペ
レットのガス膨張）が生じる。
【００１３】このときの被覆管用材として使用されるス
テンレス鋼の熱膨張係数は、ボロン・カーバイドのそれ
に比べて数倍大きい。したがって、上述のようにＢ4Ｃ
ペレットがスエリングした場合は、ステンレス鋼製被覆
管とＢ4Ｃペレットとの間のギャップ幅は製造時より広
がるので、Ｂ4Ｃペレットのリロケーションとスエリン
グとによるステンレス鋼製被覆管とＢ4Ｃペレットとの
接触はそれほど強くならない。
テンレス鋼の熱膨張係数は、ボロン・カーバイドのそれ
に比べて数倍大きい。したがって、上述のようにＢ4Ｃ
ペレットがスエリングした場合は、ステンレス鋼製被覆
管とＢ4Ｃペレットとの間のギャップ幅は製造時より広
がるので、Ｂ4Ｃペレットのリロケーションとスエリン
グとによるステンレス鋼製被覆管とＢ4Ｃペレットとの
接触はそれほど強くならない。
【００１４】しかし、原子炉を停止させることにより、
冷却材の温度が下がった場合には、ステンレス鋼製被覆
管の熱収縮がＢ4Ｃペレットのそれよりも数倍大きいた
めに、ステンレス鋼製被覆管は過度の応力を受ける。そ
して、この応力がステンレス鋼製被覆管の破断応力を超
えた時、出力調整用の高速増殖炉用制御棒の寿命とな
る。
冷却材の温度が下がった場合には、ステンレス鋼製被覆
管の熱収縮がＢ4Ｃペレットのそれよりも数倍大きいた
めに、ステンレス鋼製被覆管は過度の応力を受ける。そ
して、この応力がステンレス鋼製被覆管の破断応力を超
えた時、出力調整用の高速増殖炉用制御棒の寿命とな
る。
【００１５】なお、本発明の関連技術として、特公昭６
１−１５９１９１号公報が開示されている。しかし、高
速増殖炉用制御棒の中性子吸収材ペレットのヘリウムガ
スによるスエリングを抑制する手段は開示されていな
い。
１−１５９１９１号公報が開示されている。しかし、高
速増殖炉用制御棒の中性子吸収材ペレットのヘリウムガ
スによるスエリングを抑制する手段は開示されていな
い。
【００１６】本発明は上述のような状況に鑑みなされた
ものであり、Ｂ4Ｃペレットのヘリウムガスによるスエ
リングを低減した、長寿命で経済的な出力調整用の高速
増殖炉用制御棒を提供することを目的としたものであ
る。
ものであり、Ｂ4Ｃペレットのヘリウムガスによるスエ
リングを低減した、長寿命で経済的な出力調整用の高速
増殖炉用制御棒を提供することを目的としたものであ
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、次のように
して達成することができる。
して達成することができる。
【００１８】（１）被覆管内に中性子吸収材ペレットを
装填した制御棒ピンを制御棒保護管内に収納し、高速増
殖炉の運転制御のために炉心に対して挿入・引き抜きが
行われる高速増殖炉用制御棒において、中性子吸収材ペ
レットの内部に、低熱伝導率物質を添加したボロン・カ
ーバイド（Ｂ4Ｃ）を装荷してあること。
装填した制御棒ピンを制御棒保護管内に収納し、高速増
殖炉の運転制御のために炉心に対して挿入・引き抜きが
行われる高速増殖炉用制御棒において、中性子吸収材ペ
レットの内部に、低熱伝導率物質を添加したボロン・カ
ーバイド（Ｂ4Ｃ）を装荷してあること。
【００１９】（２）（１）において、低熱伝導率物質
は、熱伝導率がボロン・カーバイドよりも低い酸化物で
あること。
は、熱伝導率がボロン・カーバイドよりも低い酸化物で
あること。
【００２０】（３）（１）において、低熱伝導率物質
は、酸化珪素(ＳｉＯ2)、酸化アルミ(Ａｌ2Ｏ3)、酸化
ガドリニウム(Ｇｄ2Ｏ3)、酸化ユーロピウム(Ｅｕ
2Ｏ3)、酸化ボロン(Ｂ2Ｏ3)、酸化ディスプロシウム(Ｄ
ｙ2Ｏ3)、酸化サマリウム(Ｓｍ2Ｏ3)、酸化イットリウ
ム(Ｙ2Ｏ3)及び酸化エルビュム(Ｅｒ2Ｏ3)のうちの少な
くとも１種類の酸化物であること。
は、酸化珪素(ＳｉＯ2)、酸化アルミ(Ａｌ2Ｏ3)、酸化
ガドリニウム(Ｇｄ2Ｏ3)、酸化ユーロピウム(Ｅｕ
2Ｏ3)、酸化ボロン(Ｂ2Ｏ3)、酸化ディスプロシウム(Ｄ
ｙ2Ｏ3)、酸化サマリウム(Ｓｍ2Ｏ3)、酸化イットリウ
ム(Ｙ2Ｏ3)及び酸化エルビュム(Ｅｒ2Ｏ3)のうちの少な
くとも１種類の酸化物であること。
【００２１】（４）（１）において、低熱伝導率物質
は、ホウ酸化物であること。
は、ホウ酸化物であること。
【００２２】（５）（１）において、低熱伝導率物質
は、ホウ酸化ガドリニウム（ＧｄＢＯ3)、ホウ酸化ユー
ロピウム(ＥｕＢＯ3)、ホウ酸化ディスプロシウム(Ｄｙ
ＢＯ3)、ホウ酸化サマリウム(ＳｍＢＯ3)、ホウ酸化イ
ットリウム(ＹＢＯ3)、ホウ酸化エルビュム(ＥｒＢＯ3)
のうちの少なくとも１種類のホウ酸化物であること。
は、ホウ酸化ガドリニウム（ＧｄＢＯ3)、ホウ酸化ユー
ロピウム(ＥｕＢＯ3)、ホウ酸化ディスプロシウム(Ｄｙ
ＢＯ3)、ホウ酸化サマリウム(ＳｍＢＯ3)、ホウ酸化イ
ットリウム(ＹＢＯ3)、ホウ酸化エルビュム(ＥｒＢＯ3)
のうちの少なくとも１種類のホウ酸化物であること。
【００２３】（６）（１）において、低熱伝導率物質
は、ホウ化物であること。
は、ホウ化物であること。
【００２４】（７）（１）において、低熱伝導率の物質
は、チッ化ボロン(ＢＮ)、ホウ化チタン(ＴｉＢ2)、ホ
ウ化ジルコニウム(ＺｒＢ2)、ホウ化ハフニウム(ＨｆＢ
2)、ホウ化タンタル(ＴａＢ2)、ホウ化珪素(ＳｉＢ4)、
ホウ化イットリウム(ＹＢ6)、ホウ化スズ(ＳｎＢ6)、ホ
ウ化ユーロピウム(ＥｕＢ6)、ホウ化ガドリニウム(Ｇｄ
Ｂ6)、ホウ化ディスプロシウム(ＤｙＢ6)のうちの少な
くとも１種類のホウ化物であること。
は、チッ化ボロン(ＢＮ)、ホウ化チタン(ＴｉＢ2)、ホ
ウ化ジルコニウム(ＺｒＢ2)、ホウ化ハフニウム(ＨｆＢ
2)、ホウ化タンタル(ＴａＢ2)、ホウ化珪素(ＳｉＢ4)、
ホウ化イットリウム(ＹＢ6)、ホウ化スズ(ＳｎＢ6)、ホ
ウ化ユーロピウム(ＥｕＢ6)、ホウ化ガドリニウム(Ｇｄ
Ｂ6)、ホウ化ディスプロシウム(ＤｙＢ6)のうちの少な
くとも１種類のホウ化物であること。
【００２５】
【作用】本発明では、中性子吸収材ペレットの内部に、
低熱伝導率物質を添加したボロン・カーバイドを装荷し
てあるので、中性子吸収材ペレットの温度が高くなり、
中性子吸収材ペレットからのヘリウムガスの放出が促進
され、中性子吸収材ペレットのスエリングが低減され
る。
低熱伝導率物質を添加したボロン・カーバイドを装荷し
てあるので、中性子吸収材ペレットの温度が高くなり、
中性子吸収材ペレットからのヘリウムガスの放出が促進
され、中性子吸収材ペレットのスエリングが低減され
る。
【００２６】したがって、被覆管と中性子吸収材ペレッ
トとの間のギャップ幅が確保され、中性子吸収材ペレッ
トと被覆管との機械的相互作用の発生を防止することが
できる。
トとの間のギャップ幅が確保され、中性子吸収材ペレッ
トと被覆管との機械的相互作用の発生を防止することが
できる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１を用いて説明
する。図１は一実施例の高速増殖炉用制御棒ピンの縦断
面図である。図１が前出の図２と比較して内容の異なる
点は、中性子吸収材ペレットにおいて、図２のＢ4Ｃペ
レット９を、本実施例では低熱伝導率物質を添加したボ
ロン・カーバイド（Ｂ4Ｃ）ペレット（以下、低熱伝導率
物質添加Ｂ4Ｃペレットと略称）３に替えたことであ
る。
する。図１は一実施例の高速増殖炉用制御棒ピンの縦断
面図である。図１が前出の図２と比較して内容の異なる
点は、中性子吸収材ペレットにおいて、図２のＢ4Ｃペ
レット９を、本実施例では低熱伝導率物質を添加したボ
ロン・カーバイド（Ｂ4Ｃ）ペレット（以下、低熱伝導率
物質添加Ｂ4Ｃペレットと略称）３に替えたことであ
る。
【００２８】すなわち、一実施例の高速増殖炉用制御棒
ピン１(以下、制御棒ピン１と略称)は、外径１６ｍｍの
低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット３を、外径１８.５ｍ
ｍ、肉厚０.８ｍｍのステンレス鋼製の被覆管２に装填
してある。そして、低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット
３には、本実施例では、２ｗｔ％の酸化珪素(ＳｉＯ2)
を添加したＢ4Ｃを装荷してある。
ピン１(以下、制御棒ピン１と略称)は、外径１６ｍｍの
低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット３を、外径１８.５ｍ
ｍ、肉厚０.８ｍｍのステンレス鋼製の被覆管２に装填
してある。そして、低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット
３には、本実施例では、２ｗｔ％の酸化珪素(ＳｉＯ2)
を添加したＢ4Ｃを装荷してある。
【００２９】低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット３の上
下端はスプリング４によりそれぞれ弾性支持されてい
る。また、制御棒ピン１の上部には、ベント機構部７が
設けられており、低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット３
から放出されたヘリウムガスは、ベント機構部７を通っ
て外部のナトリウム冷却材中へ放出され、制御棒ピン１
内には一定量のヘリウムガスしか溜らないようになって
いる。
下端はスプリング４によりそれぞれ弾性支持されてい
る。また、制御棒ピン１の上部には、ベント機構部７が
設けられており、低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット３
から放出されたヘリウムガスは、ベント機構部７を通っ
て外部のナトリウム冷却材中へ放出され、制御棒ピン１
内には一定量のヘリウムガスしか溜らないようになって
いる。
【００３０】すなわち、制御棒ピン１は、上述のように
構成されているので、低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレッ
ト３内にヘリウムガスが生成されても、低熱伝導率物質
添加Ｂ4Ｃペレット３内の温度が高いために、ヘリウム
ガスは低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット３内に溜るこ
となく、低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット３の外部に
放出される。このため、低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレ
ット３のヘリウムガスによるスエリングが低減され、低
熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット３と被覆管２との機械
的相互作用の発生を防止することができる。
構成されているので、低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレッ
ト３内にヘリウムガスが生成されても、低熱伝導率物質
添加Ｂ4Ｃペレット３内の温度が高いために、ヘリウム
ガスは低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット３内に溜るこ
となく、低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット３の外部に
放出される。このため、低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレ
ット３のヘリウムガスによるスエリングが低減され、低
熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット３と被覆管２との機械
的相互作用の発生を防止することができる。
【００３１】また、低熱伝導率物質添加Ｂ4Ｃペレット
３内のボロン・カーバイドに添加する低熱伝導率物質と
しては、反応制御能力を損なわずに、低熱伝導率物質添
加Ｂ4Ｃペレット３のスエリングを低減できるものであ
ることが必要である。したがって、ボロン・カーバイド
に添加する物質は、中性子吸収断面積が大きく、低熱伝
導率を有する物質が最適である。
３内のボロン・カーバイドに添加する低熱伝導率物質と
しては、反応制御能力を損なわずに、低熱伝導率物質添
加Ｂ4Ｃペレット３のスエリングを低減できるものであ
ることが必要である。したがって、ボロン・カーバイド
に添加する物質は、中性子吸収断面積が大きく、低熱伝
導率を有する物質が最適である。
【００３２】すなわち、本実施例では、低熱伝導率物質
として、酸化珪素(ＳｉＯ2)を使用したが、そのほか、
前述した、酸化物、ホウ酸化物及びホウ化物の中のいず
れの低熱伝導率物質を用いても、同様に目的を達成する
ことができる。
として、酸化珪素(ＳｉＯ2)を使用したが、そのほか、
前述した、酸化物、ホウ酸化物及びホウ化物の中のいず
れの低熱伝導率物質を用いても、同様に目的を達成する
ことができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、出力調整用の高速増殖
炉用制御棒において、スエリングによるＢ4Ｃペレット
のスエリングを軽減させ、被覆管とＢ4Ｃペレットとの
機械的相互作用を防ぐことができる。
炉用制御棒において、スエリングによるＢ4Ｃペレット
のスエリングを軽減させ、被覆管とＢ4Ｃペレットとの
機械的相互作用を防ぐことができる。
【図１】本発明の一実施例の高速増殖炉用制御棒ピンの
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】従来の高速増殖炉用制御棒ピンの縦断面図であ
る。
る。
１…一実施例の高速増殖炉用制御棒ピン、２…被覆管、
３…低熱伝導率物質を添加したボロン・カーバイドペレ
ット、４…スプリング、５…端栓、６…ガス・プレナム
部、７…ベント機構部、８…従来の高速増殖炉用制御棒
ピン、９…ボロン・カーバイドペレット。
３…低熱伝導率物質を添加したボロン・カーバイドペレ
ット、４…スプリング、５…端栓、６…ガス・プレナム
部、７…ベント機構部、８…従来の高速増殖炉用制御棒
ピン、９…ボロン・カーバイドペレット。
Claims (7)
- 【請求項１】 被覆管内に中性子吸収材ペレットを装填
した制御棒ピンを制御棒保護管内に収納し、高速増殖炉
の運転制御のために炉心に対して挿入・引き抜きが行わ
れる高速増殖炉用制御棒において、前記中性子吸収材ペ
レットの内部に、低熱伝導率物質を添加したボロン・カ
ーバイド（Ｂ4Ｃ）を装荷してあることを特徴とする高
速増殖炉用制御棒。 - 【請求項２】 前記低熱伝導率物質は、熱伝導率が前記
ボロン・カーバイドよりも低い酸化物である請求項１記
載の高速増殖炉用制御棒。 - 【請求項３】 前記低熱伝導率物質は、酸化珪素(Ｓｉ
Ｏ2)、酸化アルミ(Ａｌ2Ｏ3)、酸化ガドリニウム(Ｇｄ2
Ｏ3)、酸化ユーロピウム(Ｅｕ2Ｏ3)、酸化ボロン(Ｂ2Ｏ
3)、酸化ディスプロシウム(Ｄｙ2Ｏ3)、酸化サマリウム
(Ｓｍ2Ｏ3)、酸化イットリウム(Ｙ2Ｏ3)及び酸化エルビ
ュム(Ｅｒ2Ｏ3)のうちの少なくとも１種類の酸化物であ
る請求項１記載の高速増殖炉用制御棒。 - 【請求項４】 前記低熱伝導率物質は、ホウ酸化物であ
る請求項１記載の高速増殖炉用制御棒。 - 【請求項５】 前記低熱伝導率物質は、ホウ酸化ガドリ
ニウム(ＧｄＢＯ3)、ホウ酸化ユーロピウム(ＥｕＢ
Ｏ3)、ホウ酸化ディスプロシウム(ＤｙＢＯ3)、ホウ酸
化サマリウム(ＳｍＢＯ3)、ホウ酸化イットリウム(ＹＢ
Ｏ3)、ホウ酸化エルビュム(ＥｒＢＯ3)のうちの少なく
とも１種類のホウ酸化物である請求項１記載の高速増殖
炉用制御棒。 - 【請求項６】 前記低熱伝導率物質は、ホウ化物である
請求項１記載の高速増殖炉用制御棒。 - 【請求項７】 前記低熱伝導率の物質は、チッ化ボロン
(ＢＮ)、ホウ化チタン(ＴｉＢ2)、ホウ化ジルコニウム
(ＺｒＢ2)、ホウ化ハフニウム(ＨｆＢ2)、ホウ化タンタ
ル(ＴａＢ2)、ホウ化珪素(ＳｉＢ4)、ホウ化イットリウ
ム(ＹＢ6)、ホウ化スズ(ＳｎＢ6)、ホウ化ユーロピウム
(ＥｕＢ6)、ホウ化ガドリニウム(ＧｄＢ6)、ホウ化ディ
スプロシウム(ＤｙＢ6)のうちの少なくとも１種類のホ
ウ化物である請求項１記載の高速増殖炉用制御棒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223061A JPH0777594A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 高速増殖炉用制御棒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223061A JPH0777594A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 高速増殖炉用制御棒 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0777594A true JPH0777594A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16792225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5223061A Pending JPH0777594A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 高速増殖炉用制御棒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777594A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106282713A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-01-04 | 厦门大学 | 一种核反应堆灰控制棒用钼基氧化镝材料及其应用 |
| CN106381433A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-02-08 | 厦门大学 | 一种核反应堆灰控制棒用钼基氧化铥材料及其应用 |
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1993
- 1993-09-08 JP JP5223061A patent/JPH0777594A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106282713A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-01-04 | 厦门大学 | 一种核反应堆灰控制棒用钼基氧化镝材料及其应用 |
| CN106381433A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-02-08 | 厦门大学 | 一种核反应堆灰控制棒用钼基氧化铥材料及其应用 |
| CN106381433B (zh) * | 2016-09-14 | 2018-07-10 | 厦门大学 | 一种核反应堆灰控制棒用钼基氧化铥材料及其应用 |
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