JPH077740B2 - Capacitor - Google Patents

Capacitor

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JPH077740B2
JPH077740B2 JP1340733A JP34073389A JPH077740B2 JP H077740 B2 JPH077740 B2 JP H077740B2 JP 1340733 A JP1340733 A JP 1340733A JP 34073389 A JP34073389 A JP 34073389A JP H077740 B2 JPH077740 B2 JP H077740B2
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capacitor
polymer film
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aluminum
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幸生 絹田
勇 石川
信行 久米
賢一 橋詰
秀雄 山本
功 伊佐
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NIPPON KAARITSUTO KK
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、多孔質化した導電体表面上に絶縁性高分子皮
膜を形成し、これを誘電体層とした上に導電性高分子膜
を形成してなるコンデンサに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Industrial Field of the Invention The present invention forms an insulating polymer film on a porous conductor surface, and forms a conductive polymer film on this as a dielectric layer. It is related to capacitors that are made.

従来の技術 フィルムコンデンサは、通常、ポリエステルフィルムや
ポリプロピレンフィルムなどを誘電体として、片面また
は両面にアルミニウム箔などの金属を巻回したり、真空
蒸着などの方法でフィルム表面に金属をコーティングし
て製造されている。
Conventional technology A film capacitor is usually manufactured by using a polyester film or polypropylene film as a dielectric, winding metal such as aluminum foil on one or both sides, or coating the metal on the film surface by a method such as vacuum deposition. ing.

一般に大容量のフィルムコンデンサを得るためには金属
化処理したプラスチックフィルムを巻回したり積層した
構造を採用しているが、プラスチックフィルムの誘電率
は無機酸化物系の誘電体の誘電率と比較して小さく、更
に、フィルムの取扱上薄膜化にも限界があるため大容量
のフィルムコンデンサは得にくく、数マイクロファラド
が限界であった。
Generally, in order to obtain a large-capacity film capacitor, a structure in which metallized plastic films are wound or laminated is adopted, but the dielectric constant of plastic films is compared with that of inorganic oxide-based dielectrics. However, it is difficult to obtain a large-capacity film capacitor because there is a limit to how thin the film can be handled, and the limit is several microfarads.

大容量を得るためには誘電体表面積を大きくすると良
い。この目的のため、電極となる導電体の表面を多孔質
化して、その表面に誘電体を形成すると良い。しかし、
エッチングしたアルミニウム箔のように、粗面化処理を
行った導電体表面に誘電体として絶縁性高分子膜を形成
し、更に金属箔または金属を蒸着して対極を取り出そう
としても、粗面化した導電体の形状に応じて対極の金属
層を形成できず期待したほどの容量が得られない。
In order to obtain a large capacity, it is advisable to increase the dielectric surface area. For this purpose, it is advisable to make the surface of the conductor serving as an electrode porous and form a dielectric on the surface. But,
Like an etched aluminum foil, an insulating polymer film is formed as a dielectric on the surface of a conductor that has been subjected to a roughening treatment, and even if a metal foil or metal is vapor-deposited to take out the counter electrode, the surface is roughened. Depending on the shape of the conductor, the counter electrode metal layer cannot be formed, and the expected capacity cannot be obtained.

また、アルミニウム,タンタルなどの弁作用金属表面に
誘電体として酸化被膜を形成し、該酸化皮膜上に化学重
合による導電性高分子膜層を設け、更に電解重合による
導電性高分子膜層を形成した構造の固体電解コンデンサ
が提案されている(特開昭63−158829号公報および特開
昭63−173313号公報)。
Further, an oxide film is formed as a dielectric on the surface of a valve metal such as aluminum or tantalum, a conductive polymer film layer is formed by chemical polymerization on the oxide film, and a conductive polymer film layer is formed by electrolytic polymerization. A solid electrolytic capacitor having such a structure has been proposed (JP-A-63-158829 and JP-A-63-173313).

このものは、誘電体として用いる弁作用金属の酸化皮膜
は非常に薄くできるため、小型で大容量のコンデンサを
得ることが出来るが、その反面、誘電体酸化皮膜は脆い
ので機械的なストレスや衝撃に弱いなど欠陥が多く、漏
れ電流が大きい。また、弁作用金属の誘電体酸化皮膜は
整流作用を持っているため有極性のコンデンサしか形成
できない。
With this product, the oxide film of the valve metal used as a dielectric can be made very thin, so it is possible to obtain a small capacitor with a large capacity, but on the other hand, the dielectric oxide film is fragile, so mechanical stress and impact There are many defects such as weakness, and large leakage current. Moreover, since the dielectric oxide film of the valve metal has a rectifying function, only a polar capacitor can be formed.

発明が解決しようとする課題 本発明の目的とするところは、多孔質化した導電体上に
誘電体として絶縁性高分子皮膜を形成させ、該絶縁性高
分子皮膜上に対極を形成せしめた構造のコンデンサにお
いて、小型大容量化を可能にすると共に、多孔質化した
導電体の形状に応じて追従性のよい対極を形成せしめ、
優れたコンデンサ特性を持つコンデンサを提供すること
である。
DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention An object of the present invention is to form a structure in which an insulating polymer film is formed as a dielectric on a porous conductor and a counter electrode is formed on the insulating polymer film. In the capacitor of (3), it is possible to reduce the size and capacity, and to form a counter electrode with good followability according to the shape of the porous conductor.
It is to provide a capacitor having excellent capacitor characteristics.

課題を解決するための手段 本発明のコンデンサは、多孔質化した導電体上に絶縁性
高分子膜からなる誘電体層を形成し、該誘電体層表面に
順次、化学酸化重合による導電性高分子膜,電解重合に
よる導電性高分子膜を形成し、該電解重合による導電性
高分子膜上に導電性塗膜を形成したものである。
Means for Solving the Problems In the capacitor of the present invention, a dielectric layer made of an insulating polymer film is formed on a porous conductor, and the surface of the dielectric layer is sequentially increased in conductivity by chemical oxidative polymerization. A molecular film, a conductive polymer film formed by electrolytic polymerization, and a conductive coating film formed on the conductive polymer film formed by electrolytic polymerization.

多孔質化した導電体としては、多孔質化のしやすさ、電
導度及び安定性から、アルミニウム,タンタル,ニッケ
ル,チタン,ステンレス,銅,及びカーボンが好まし
い。また、これらの電導体の多孔質化の方法としては、
例えば、電気化学的エッチング、酸やアルカリなどを用
いた化学的エッチング、イオンビームやスパッタリング
などによる粗面化、サンドブラストや表面研磨による粗
面化、導電体微粉の焼結による多孔質化などが挙げられ
るが、本発明の多孔質化した導電体はこれらの例によっ
て何等限定されない。
As the porous conductor, aluminum, tantalum, nickel, titanium, stainless steel, copper, and carbon are preferable because of their ease of porosity, electric conductivity and stability. Further, as a method for making these conductors porous,
Examples include electrochemical etching, chemical etching using acid or alkali, roughening by ion beam or sputtering, roughening by sandblasting or surface polishing, and porosity by sintering fine conductor powder. However, the porous conductor of the present invention is not limited to these examples.

また、多孔質化した導電体上に絶縁性高分子皮膜を形成
させる方法としては、特に限定されないが、例えば、ポ
リエステル,ポリ塩化ビニル,ポリスチレン,ポリフェ
ニレンスルフィド,ポリフェニレンオキシド,ポリパラ
フェニレン,ポリウレタン,アクリル樹脂などを良溶媒
に溶解し多孔質化した導電体上に流延塗布した後、良溶
媒を除去して多孔質化した導電体上にこれらの絶縁性高
分子皮膜を形成させる方法がある。
The method for forming the insulating polymer film on the porous conductor is not particularly limited, but examples thereof include polyester, polyvinyl chloride, polystyrene, polyphenylene sulfide, polyphenylene oxide, polyparaphenylene, polyurethane, and acrylic. There is a method in which a resin or the like is dissolved in a good solvent and cast and applied onto a porous conductor, and then the good solvent is removed to form these insulating polymer films on the porous conductor.

また、多孔質化した導電体表面を基板とし、テトラカル
ボン酸及びジアミンを同時に真空蒸着して基板上で重縮
合を行い、多孔質化した導電体上に絶縁性のポリイミド
薄膜を形成させる方法がある。
Further, there is a method of forming an insulating polyimide thin film on a porous conductor by using a porous conductor surface as a substrate, performing polycondensation on a substrate by simultaneously vacuum-depositing tetracarboxylic acid and diamine. is there.

また、アクリル酸やメタアクリル酸及びそのエステル,
スチレンなどのビニル化合物、パラキシレンジクロライ
ド,ポリイソシアネート,ベンゼン及び縮合芳香族多核
炭化水素,アセチレン及びその誘導体,複素環式化合物
などは、多孔質化した導電体を電極として電解を行うと
その表面上に重合体の皮膜を形成する。
In addition, acrylic acid and methacrylic acid and their esters,
Vinyl compounds such as styrene, para-xylene dichloride, polyisocyanate, benzene and condensed aromatic polynuclear hydrocarbons, acetylene and its derivatives, heterocyclic compounds, etc., will be on the surface when electrolyzing with a porous conductor as an electrode. A polymer film is formed on.

また、カルボン酸樹脂や、ポリアミノ樹脂のようなイオ
ン性ポリマーを水や有機溶媒に溶解した溶液を電解液と
し、多孔質化した導電体を電極として用いて電解を行う
と、該イオン性ポリマーが多孔質化した金属表面に析出
する。これを加熱硬化することによって該導電体表面上
に絶縁性高分子皮膜が形成される。
Further, when a carboxylic acid resin or a solution of an ionic polymer such as a polyamino resin in water or an organic solvent is used as an electrolytic solution and electrolysis is performed using a porous conductor as an electrode, the ionic polymer is Precipitates on the porous metal surface. An insulating polymer film is formed on the surface of the conductor by heating and curing this.

また、多孔質化した導電体表面にプレポリマーまたはモ
ノマー単独あるいは溶液状で架橋剤と同時あるいは順次
コーティングした後、架橋硬化させて該導電体表面上に
絶縁性高分子膜を形成させる方法がある。この時のプレ
ポリマーまたはモノマーとしては、不飽和ポリエステ
ル,ポリウレタンプレポリマー,ポリビニルアルコー
ル,ポリエチレングリコール,低分子量エポキシ樹脂,
ポリアクリル酸,ポリメタアクリル酸,ポリアミン,ポ
リエピハロヒドリンなどがあり、架橋剤としては、ポリ
イソシアネート,多塩基酸及びそのクロライド,ポリア
ミン,ビスフェノール,メラミンなどが挙げられる。
Further, there is a method in which a prepolymer or a monomer alone or in the form of a solution is simultaneously or sequentially coated with a cross-linking agent on the surface of a porous conductor, and then cross-linking is cured to form an insulating polymer film on the surface of the conductor. . At this time, as the prepolymer or monomer, unsaturated polyester, polyurethane prepolymer, polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, low molecular weight epoxy resin,
There are polyacrylic acid, polymethacrylic acid, polyamine, polyepihalohydrin and the like, and examples of the cross-linking agent include polyisocyanate, polybasic acid and its chloride, polyamine, bisphenol, melamine and the like.

これらの方法を用いて多孔質化した導電体表面上に絶縁
性高分子皮膜を形成させれ後、該絶縁性高分子皮膜上に
導電性高分子モノマーを少なくとも0.01mol/1含む溶液
を均一に分散させた後、酸化剤を0.001mol/1〜2mol/1含
む溶液と接触させるか、または逆に酸化剤を均一に分散
した後、導電性高分子モノマー溶液と接触させる方法に
より化学重合した導電性高分子膜Iを形成し表面を導電
化する。導電性高分子としてはポリピロール,ポリチオ
フェン,ポリフランを用い、安定性の点から特に好まし
くはポリポピールを用いる。
After forming an insulating polymer film on the surface of a porous conductor using these methods, a solution containing a conductive polymer monomer of at least 0.01 mol / 1 is uniformly formed on the insulating polymer film. After being dispersed, it is chemically polymerized by a method of contacting it with a solution containing 0.001 mol / 1 to 2 mol / 1 of an oxidant, or conversely uniformly dispersing the oxidant and then contacting it with a solution of a conductive polymer monomer. A conductive polymer film I is formed to make the surface conductive. As the conductive polymer, polypyrrole, polythiophene, or polyfuran is used, and from the viewpoint of stability, polypopyr is particularly preferably used.

化学重合に用いられる酸化剤は、ヨウ素,臭素,ヨウ化
臭素などのハロゲン,五フッ化ヒ素,五フッ化アンチモ
ン,四フッ化ケイ素,五塩化リン,五フッ化リン,塩化
アルミニウム,塩化モリブデンなどの金属ハロゲン化
物,硫酸,硝酸,フルオロ硫酸,トリフルオロメタン硫
酸,クロロ硫酸などのプロトン酸,三酸化イオウ,二酸
化窒素などの含酸素化合物,過硫酸ナトリウム,過硫酸
アンモニウムなどの過硫酸塩,過酸化水素,過酢酸など
の過酸化物などである。
Oxidizing agents used for chemical polymerization include halogens such as iodine, bromine, and bromine iodide, arsenic pentafluoride, antimony pentafluoride, silicon tetrafluoride, phosphorus pentachloride, phosphorus pentafluoride, aluminum chloride, molybdenum chloride, etc. Metal halides, sulfuric acid, nitric acid, fluorosulfuric acid, trifluoromethane sulfuric acid, chlorosulfuric acid and other protic acids, sulfur trioxide, nitrogen dioxide and other oxygen-containing compounds, sodium persulfate, persulfate such as ammonium persulfate, hydrogen peroxide , Peroxides such as peracetic acid.

その後、支持電解質0.01mol/1〜2mol/1および導電性高
分子モノマー0.01mol/1〜5mol/1を含む電解液中で電解
重合を行うと化学重合した導電性高分子膜I上に均一な
電解重合導電性高分子膜IIが形成される。
After that, when electrolytic polymerization is performed in an electrolytic solution containing a supporting electrolyte of 0.01 mol / 1 to 2 mol / 1 and a conductive polymer monomer of 0.01 mol / 1 to 5 mol / 1, it is uniformly formed on the chemically polymerized conductive polymer film I. An electropolymerized conductive polymer film II is formed.

本発明の電解重合に用いられる支持電解質は、陰イオン
がヘキサフロロリン,ヘキサフロロヒ素,テトラフロロ
ホウ素などのハロゲン化物アニオン,ヨウ素,臭素,塩
素などのハロゲンアニオン,過塩素酸アニオン,ベンゼ
ンスルホン酸,アルキルベンゼンスルホン酸などのスル
ホン酸アニオンであり、また、陽イオンがリチウム,カ
リウム,ナトリウムなどのアルカリ金属カチオン,アン
モニウム,テトラアルキルアンモニウムなどの4級アン
モニウムカチオンである。化合物としてはLiPF6,LiAsF
6,LiClO4,LiBF4,KI,NaPF6,NaClO4,トルエンスルホ
ン酸ナトリウム,トルエンスルホン酸テトラブチルアン
モニウムなどが挙げられる。
The supporting electrolyte used in the electropolymerization of the present invention has an anion such as halide anions such as hexafluoroline, hexafluoroarsenic and tetrafluoroboron, halogen anions such as iodine, bromine and chlorine, perchlorate anion, benzenesulfonic acid, It is a sulfonate anion such as alkylbenzene sulfonic acid, and the cation is an alkali metal cation such as lithium, potassium or sodium, or a quaternary ammonium cation such as ammonium or tetraalkylammonium. LiPF 6 and LiAsF as compounds
6 , LiClO 4 , LiBF 4 , KI, NaPF 6 , NaClO 4 , sodium toluenesulfonate, tetrabutylammonium toluenesulfonate and the like.

しかる後、この素子をコロイダルカーボンに浸漬して表
面にカーボン層を形成する。更にその上に導電性ペース
トにより導電性塗膜を形成し、その一部に電極引出し用
のリード線が接続される。導電性ペーストとしては銀ペ
ースト,銅ペースト,アルミペーストなどが使用でき
る。以上のように構成されたコンデンサ素子は、樹脂モ
ールドまたは外装ケースに密封するなどの外装によりコ
ンデンサとして完成される。
Then, this element is immersed in colloidal carbon to form a carbon layer on the surface. Further, a conductive coating film is formed thereon with a conductive paste, and a lead wire for leading out an electrode is connected to a part of the conductive coating film. As the conductive paste, silver paste, copper paste, aluminum paste, etc. can be used. The capacitor element configured as described above is completed as a capacitor by a resin mold or an outer case that is sealed in an outer case.

作用 本発明によるコンデンサでは、多孔質化した導電体表面
に密着した絶縁性高分子皮膜を誘電体層として用い、更
に該絶縁性高分子材料に密着して形成した導電性高分子
膜を対極として作用させるため、小型で大容量で無極性
のコンデンサを得ることが出来る。
In the capacitor according to the present invention, the insulating polymer film adhered to the surface of the porous conductor is used as the dielectric layer, and the conductive polymer film adhered to the insulating polymer material is used as the counter electrode. Since it works, a small-sized, large-capacity, nonpolar capacitor can be obtained.

実施例 以下、実施例及び比較例により本発明を詳細に説明す
る。
Examples Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples.

実施例−1 高純度アルミ箔の表面を電解エッチングによって100倍
に粗面化したアルミエッチ箔を得た。該アルミエッチ箔
を10mm×5mmに切断後かしめ付けによりリードを取り付
けて粗面化した金属電極を得た。
Example-1 An aluminum-etched foil was obtained in which the surface of a high-purity aluminum foil was roughened 100 times by electrolytic etching. The aluminum etched foil was cut into 10 mm × 5 mm and then caulked to attach leads to obtain a roughened metal electrode.

該金属電極をポリエチレンテレフタレートの5%N,N−
ジメチルホルムアミド溶液に浸漬後100℃で乾燥して厚
さ0.1μmの絶縁性のポリエチレンテレフタレート皮膜
を形成し素子を得た。
The metal electrode is made of polyethylene terephthalate 5% N, N-
After dipping in a dimethylformamide solution and drying at 100 ° C., an insulating polyethylene terephthalate film having a thickness of 0.1 μm was formed to obtain a device.

この素子を2mol/1ピロール/エタノール溶液に5分間浸
漬した後、更に0.5mol/1過硫酸アンモニウム水溶液に5
分間浸漬して化学重合によりポリピロール膜を形成し
た。更にこの素子をピロールモノマー1mol/1及び支持電
解質としてパラトルエンスルホン酸ナトリウム1mol/1を
含むアセトニトリル溶液中に浸漬し、化学重合したポリ
ピロールを陽極とし、外部電極との間に定電流電解重合
(1mA/cm2,30min)を行い、電解重合によるポリピロー
ル膜を形成した。この素子をコロイダルカーボンに浸漬
してカーボン層を形成し、更に銀ペーストを塗布して導
電性塗膜を形成し、その一部から陰極を取り出した。こ
の素子をケースに密封してコンデンサを完成した。
This device was immersed in a 2mol / 1 pyrrole / ethanol solution for 5 minutes, and then further immersed in a 0.5mol / 1 ammonium persulfate aqueous solution.
It was immersed for a minute to form a polypyrrole film by chemical polymerization. Further, this device was immersed in an acetonitrile solution containing 1 mol / 1 of pyrrole monomer and 1 mol / 1 of sodium paratoluenesulfonate as a supporting electrolyte, and chemically polymerized polypyrrole was used as an anode, and constant current electrolytic polymerization (1 mA / cm 2 , 30 min) was performed to form a polypyrrole film by electrolytic polymerization. This element was dipped in colloidal carbon to form a carbon layer, and then a silver paste was applied to form a conductive coating film, and a cathode was taken out from a part thereof. The device was sealed in a case to complete a capacitor.

このコンデンサの特性を第1表に示す。The characteristics of this capacitor are shown in Table 1.

実施例2〜6 実施例1においてアルミエッチ箔を、焼結を行って50倍
に多孔質化したタンタル焼結体(実施例2)、実効表面
積の倍率が30倍のスポンジニッケル(実施例3)、実効
表面積が50倍のスポンジチタン(実施例4)、実効表面
積が30倍のスポンジスレンレス(SUS304)(実施例
5)、酸エッチングにより30倍に粗面化した厚さ50μm
で寸法が10mm×5mmの銅箔(実施例6)に変えた以外は
実施例1に準じた。
Examples 2 to 6 A tantalum sintered body obtained by sintering the aluminum-etched foil in Example 1 to 50 times porous (Example 2), and a sponge nickel having an effective surface area of 30 times (Example 3). ), Titanium sponge having an effective surface area of 50 times (Example 4), spongeless (SUS304) having an effective surface area of 30 times (Example 5), and a thickness of 50 μm roughened 30 times by acid etching.
Example 1 was followed except that the copper foil having a size of 10 mm × 5 mm (Example 6) was used.

得られたコンデンサの特性を第1表に示す。The characteristics of the obtained capacitor are shown in Table 1.

実施例7 実施例1において、アルミエッチ箔上にポリエチレンテ
レフタレートの皮膜を形成せしめる代わりに、アルミエ
ッチ箔を基板として真空蒸着装置内にセットし、ピロメ
リット酸無水物及び4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ルをそれぞれ単独で同時に真空蒸着することにより、該
アルミエッチ箔上にポリアミック酸を形成させ、しかる
後に200℃にて脱水閉環反応させ厚さ0.6μmのポリイミ
ドの被膜を形成せしめる他は実施例1に準じた。
Example 7 In Example 1, instead of forming a film of polyethylene terephthalate on the aluminum etch foil, the aluminum etch foil was set as a substrate in a vacuum vapor deposition apparatus, and pyromellitic anhydride and 4,4′-diaminodiphenyl ether were used. Are simultaneously vacuum-deposited independently to form a polyamic acid on the aluminum-etched foil, and then dehydration ring-closing reaction is performed at 200 ° C. to form a polyimide coating having a thickness of 0.6 μm. According to

得られたコンデンサの特性を第2表に示す。The characteristics of the obtained capacitor are shown in Table 2.

実施例8 実施例5において、スポンジステンレス上にポリエチレ
ンテレフタレートの皮膜を形成せしめる代わりに、該ス
ポンジステンレスを陽極として、五酸化リンを飽和し、
0.1Mのテトラブチルアンモニウムパークロレートを支持
電解質とした溶液に0.5Mにベンゼンを溶解して電解液と
し電解酸化を行って、該スポンジステンレス上に厚さ0.
3μmの絶縁性のポリパラフェニレン膜を形成せしめる
他は実施例5に準じた。
Example 8 In Example 5, instead of forming a polyethylene terephthalate film on sponge stainless steel, the sponge stainless steel was used as an anode and saturated with phosphorus pentoxide,
0.1 M tetrabutylammonium perchlorate was dissolved in benzene in a solution containing 0.5 M as a supporting electrolyte to carry out electrolytic oxidation to prepare an electrolytic solution, and a thickness of 0.
Same as Example 5 except that an insulating polyparaphenylene film of 3 μm was formed.

得られたコンデンサの特性を第2表に示す。The characteristics of the obtained capacitor are shown in Table 2.

実施例9 実施例5において、スポンジステンレス上にポリエチレ
ンテレフタレートの皮膜を形成せしめる代わりに、該ス
ポンジステンレスを陽極として、0.1Mのポリアクリル酸
を溶解した水溶液中で電着塗装を行い、引き続いて0.5N
のKOH水溶液に浸漬後水洗し、120℃で焼付けを行って、
該スポンジステンレス上に厚さ0.2μmのポリアクリル
酸の皮膜を形成せしめた他は実施例5に準じた。
Example 9 In Example 5, instead of forming a film of polyethylene terephthalate on sponge stainless steel, the sponge stainless steel was used as an anode and electrodeposition coating was performed in an aqueous solution in which 0.1 M polyacrylic acid was dissolved, followed by 0.5. N
After immersing in KOH aqueous solution, wash with water and bake at 120 ℃,
Example 5 was followed except that a 0.2 μm thick polyacrylic acid film was formed on the sponge stainless steel.

得られたコンデンサの特性を第2表に示す。The characteristics of the obtained capacitor are shown in Table 2.

実施例10 実施例1において、アルミエッチ箔上にポリエチレンテ
レフタレートの皮膜を形成せしめる代わりに、該アルミ
エッチ箔をセバコイルクロリドの0.5M塩化メチレン溶液
に5分間浸漬した後、風乾し、次いでヘキサメチレンジ
アミンの1M水溶液に20分間浸漬下の治水線、乾燥して該
アルミエッチ箔上に厚さ0.8μmの6,10−ナイロンの皮
膜を形成せしめた以外は実施例1に準じた。
Example 10 In Example 1, instead of forming a film of polyethylene terephthalate on an aluminum-etched foil, the aluminum-etched foil was dipped in a 0.5M methylene chloride solution of sebacoyl chloride for 5 minutes, air-dried, and then hexamethylene. The same procedure as in Example 1 was carried out except that a 6M-nylon film having a thickness of 0.8 μm was formed on the aluminum-etched foil by drying by flood-preventing wire dipped in a 1M aqueous solution of diamine for 20 minutes.

得られたコンデンサの特性を第2表に示す。The characteristics of the obtained capacitor are shown in Table 2.

比較例1 厚さ3μmのポリエチレンテレフタレートフィルムの両
面にアルミニウムを約500Åの厚さに真空蒸着して金属
化ポリエチレンテレフタレートフィルムを得た。このフ
ィルムを10mm×5mmに切断後、両面の各々一部に銀ペー
ストを用いてリードを取り出した後、エポキシ樹脂でモ
ールドしてフィルムコンデンサを得た。このコンデンサ
は定格は50Vであるものの静電容量は0.000443μFであ
り、本発明で得られるコンデンサと同等の静電容量を得
るためには2000倍以上の面積を要する。
Comparative Example 1 A metallized polyethylene terephthalate film was obtained by vacuum-depositing aluminum to a thickness of about 500Å on both sides of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 3 μm. After cutting this film into 10 mm × 5 mm, a lead was taken out using a silver paste on each part of both sides, and then molded with an epoxy resin to obtain a film capacitor. Although this capacitor has a rating of 50 V, it has an electrostatic capacity of 0.000443 μF, and an area of 2000 times or more is required to obtain an electrostatic capacity equivalent to that of the capacitor obtained by the present invention.

比較例2 実施例1において、アルミエッチ箔上にポリエチレンテ
レフタレート皮膜を形成せしめる代わりに、75Vで化成
処理を行って誘電体酸化皮膜を形成する以外は、実施例
1に準じた。得られたコンデンサは定格25V、静電容量
が7.6μF(at120Hz)であった。一方、このコンデンサ
の誘電体損失は0.011(at120Hz)絶縁抵抗は1250MΩで
あり、通常の液体電解質を使用したコンデンサに比べる
と優れているが本発明のコンデンサよりは劣っている。
Comparative Example 2 The procedure of Example 1 was repeated except that a dielectric oxide film was formed by performing a chemical conversion treatment at 75 V instead of forming the polyethylene terephthalate film on the aluminum-etched foil in Example 1. The obtained capacitor had a rated voltage of 25 V and a capacitance of 7.6 μF (at 120 Hz). On the other hand, the dielectric loss of this capacitor is 0.011 (at 120 Hz) and the insulation resistance is 1250 MΩ, which is superior to the capacitor using a normal liquid electrolyte but inferior to the capacitor of the present invention.

比較例3 実施例1において、ポリエチレンテレフタレート皮膜の
上にポリピロールの化学重合膜,電解重合膜を形成せし
める代わりに、金の蒸着膜を形成した他は、実施例1に
準じた。得られたコンデンサは定格16V、静電容量が0.0
177μF(at120Hz)であり、本発明で得られるコンデン
サと比較して小さな静電容量しか得られなかった。
Comparative Example 3 The procedure of Example 1 was repeated except that a gold vapor-deposited film was formed instead of forming a chemically polymerized film or an electrolytically polymerized film of polypyrrole on the polyethylene terephthalate film. The obtained capacitor has a rated voltage of 16V and a capacitance of 0.0.
It was 177 μF (at 120 Hz), and only a small capacitance was obtained as compared with the capacitor obtained in the present invention.

第3表に比較例1,2及び3で得られたコンデンサの特性
を示した。
Table 3 shows the characteristics of the capacitors obtained in Comparative Examples 1, 2 and 3.

発明の効果 本発明によるコンデンサでは、多孔質化した導電体表面
に薄く形成した絶縁性高分子皮膜を誘電体として有効に
利用できるために、従来の電解コンデンサに匹敵する静
電容量を持つと共に無極性で誘電損失が小さく、また絶
縁抵抗が大きいなどの優れた特性を得ることが出来る。
EFFECTS OF THE INVENTION In the capacitor according to the present invention, since the insulating polymer film thinly formed on the surface of the porous conductor can be effectively used as a dielectric, it has a capacitance comparable to that of a conventional electrolytic capacitor and is nonpolar. It is possible to obtain excellent properties such as low dielectric loss and high insulation resistance.

フロントページの続き (72)発明者 久米 信行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 橋詰 賢一 群馬県渋川市半田2470番地 日本カーリッ ト株式会社中央研究所内 (72)発明者 山本 秀雄 群馬県渋川市半田2470番地 日本カーリッ ト株式会社中央研究所内 (72)発明者 伊佐 功 群馬県渋川市半田2470番地 日本カーリッ ト株式会社中央研究所内Front page continued (72) Inventor Nobuyuki Kume 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Inventor Hideo Yamamoto 2470 Handa, Shibukawa City, Gunma Prefecture Central Research Institute, Japan Carlit Co., Ltd. (72) Isao Isa 2470 Handa, Shibukawa City Gunma Prefecture Central Research Center, Japan Carlit Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】多孔質化した導電体上に絶縁性高分子から
なる誘電体層を形成し、該誘電体層表面に順次、化学酸
化重合による導電性高分子膜,電解重合による導電性高
分子膜を形成し、該電解重合による導電性高分子膜上に
導電性塗膜を形成したことを特徴とするコンデンサ。
1. A dielectric layer made of an insulating polymer is formed on a porous conductor, and a conductive polymer film formed by chemical oxidation polymerization and a conductive high layer formed by electrolytic polymerization are sequentially formed on the surface of the dielectric layer. A capacitor comprising a molecular film formed and a conductive coating film formed on the conductive polymer film by the electrolytic polymerization.
【請求項2】導電性高分子膜がポリピロールである請求
項1記載のコンデンサ。
2. The capacitor according to claim 1, wherein the conductive polymer film is polypyrrole.
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